实验三射频微波功率分配器合成器设计
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利用分配器/合成器分离或合成射频/微波信号在系统内对信号进行分离或合成通常是在射频和微波频率下由功作为率分配器/合成器完成。
理想的功率分配器也是理想的功率合成器,但不总是如此。
元件不都是为反向工作而设计的。
此外,所有功率分配器和合成器都存在某些插入损耗,会不可避免地影响到功率处理能力。
不过,分配/合成器尽管存在缺点,但仍然在高级系统中扮演关键角色,所以仍属于最重要的无源射频 /微波元件。
本文首先回顾选择功率分配器或合成器时需要考虑的一些关键性能参数,随后,对主要供应商的几个例子进行探究。
要从这些元件选择出一种,最简单方法不是详细列出实现功率分配器或合成器时的各种不同设计方法,而大概是综合考虑所需要的功能(是信号分配还是合成)、工作带宽、期望功率水平,以及信号必须分配的路数或者要合成的信号数。
例如,二元功率分配器由一个输入提供两个幅度基本相同的输出信号。
通过将多个两路分配器串接,可以得到高阶(4路、8路、等等)功率分配器。
类似地,可以将多个3路功率分配器组合,得到奇数路输出的功率分配器。
特定功率分配器用作功率合成器的效果如何,通常与设计方法及内部元件(如电阻)有关。
Meca电子公司在其网页上免费提供有应用笔记(“应用笔记MAP- 801”),题目为“为什么大多数功率分配器不适合作功率合成器”,该应用笔记解释了所选择的功率分配器同时要用作功率合成器时要考虑的问题。
出于教育的目的,Micro-lab/FXR也提供了一篇出色的有关功率分配器和合成器的应用笔记,回顾了下列元件的基本差异,如电阻、电抗、 Wilkinson、正交、分支线、节点以及T型功率分配/合成器。
该应用笔记可免费从Microlab/FXR的网页处获取。
该公司的新型DX-N系列非平衡分配器是为提供宽达30:1或者接近2:1的功率分配比而设计的。
这种分配器非常适合800~2,500MHz室内无线通信应用,这种非平衡分配器可以处理300W平均功率和1kW的峰值功率。
射频电源功率合成
功率合成器的设计需要考虑以下几个关键要素:
1.功率放大器:功率放大器负责将输入的低功率信号放大到
所需的输出功率水平。
常见的功率放大器包括晶体管放大器、
管子放大器等,选择适合的功率放大器需要考虑输出功率要求、频率范围、线性度以及功率效率等因素。
2.功率分配器:功率分配器的作用是将输入的射频信号平均
分配给多个功率放大器,保证每个功率放大器工作在相同的输
入功率水平。
常见的功率分配器有功分器(PowerSplitter)
和功率耦合器(PowerCoupler)。
功分器将输入功率均匀分
配到多个输出端口,而功率耦合器则将功率传输到一个主要输
出端口并耦合到其他输出端口。
3.反射损耗:功率合成器在设计中需要考虑信号的反射损耗。
反射损耗会导致功率在功率合成器内部被反射回功放器,降低
合成输出功率,并可能损坏功率放大器。
为了减少反射损耗,
常见的做法是采用匹配网络或反射损耗补偿技术来提高整个系
统的匹配性能。
4.相位平衡:在功率合成器中,不仅需要考虑功率的合成,
还需要注意信号的相位平衡。
相位平衡是指合成过程中各个信
号之间的相位关系保持一致,避免信号之间的干扰和相位差引
起的功率损失。
为了实现相位平衡,可以采用相位校正器或相
位补偿器来调整各个分支的信号相位。
实验三 射频功率分配/合成器设计、仿真与测试一、实验目的1.了解功率分配器的原理及基本设计方法;2.掌握威尔金森功分器的结构、工作原理及S 参量;3.了解利用ADS 进行电路优化仿真的基本步骤及方法;4.掌握利用ADS 微带线计算工具LinCalc 计算、设计微带线;5.了解利用ADS 在电路板级进行电路仿真的方法与步骤。
二、基本理论将一路微波功率按一定比例分成n 路输出的功率元件称为功率分配器。
按输出功率比例不同, 可分为等功率分配器和不等功率分配器。
技术指标• 频率范围:分配器的工作频率• 承受功率:分配器/合成器所能承受的最大功率• 功率分配比:主路到支路的功率分配比• 插入损耗:输入输出间由于传输线(如微带线)的介质或导体不理想等因素,考虑输入端的驻波比所带来的损耗 • 驻波比:每个端口的电压驻波比 • 隔离度:支路端口间的隔离程度 2.1 集总参数功率分配器 2.1.1 电阻式(等功率)23P23P (a )(b )123123△形和Y 形电阻式功率分配器22331P 1用ADS仿真△形功率分配器:原理图如下:仿真结果图:观察上图,可以看出△形功率分配器频宽大,布线面积小,设计简单,但是功率衰减较大。
2.1.2 集总L-C式低通型和高通型功率分配器1P 1Ls2P23P31P1Cs2233 (a)(b)2.2 威尔金森功分器威尔金森功分器的设计与仿真:2.2.1 设计指标:频率范围:0.9-1.1GHz频带内输入端口的回波损耗:S11<-20dB频带内插入损耗:S21>-3.1dB, S31>-3.1dB隔离度:S32<-25dB2.2.2 微带板材参数H:基板厚度(0.8 mm)Er:基板相对介电常数(4.3)Mur:磁导率(1)Cond:金属电导率(5.88E+7)Hu:封装高度(1.0e+33 mm)T:金属层厚度(0.03 mm)TanD:损耗角正切(1e-4)Roungh:表面粗糙度(0 mm)2.2.3 参数优化后原理图功分器的版图:功分器仿真结果:2.3 作业设计一微带结构的威尔金森功分器,指标要求:中心频率:2.45GHz带宽:60MHz输出端口功率比:2:1频带内输入端口的回波损耗:S11<-20dB ,S22<-20dB ,S22<-20dB 隔离度:S32<-25dB 板材参数:H:基板厚度(1.5 mm), Er:基板相对介电常数(2.65)Mur:磁导率(1), Cond:金属电导率(5.88E+7) Hu:封装高度(1.0e+33 mm), T:金属层厚度(0.035 mm) TanD:损耗角正切(1e-4), Roungh:表面粗糙度(0 mm) 2.3.1 威尔金森功率分配器的原理P 11P 220P 33这是一个功率分配器,Z0是特性阻抗,λg 是信号的波导波长,R 是隔离电阻。
微波功率分配器的原理与设计微波功率分配器的原理与设计微波功率分配器的原理与设计一、实验目的1.了解功率分配器的原理;2.学习功率分配器的设计方法;3.利用实验模块进行实际测量,以掌握功率分配器的特性。
二、实验原理功率分配器的原理:功分器是三端口网络结构(3-port network),如图10-1所示。
信号输入端(Port-1)的功率为P1,而其他两个输出端(Port-2及Port-3)的功率分别为P2及P3。
由能量守恒定律可知P1=P2 + P3。
若P2=P3并以毫瓦分贝(dBm)来表示三端功率间的关系,则可写成:P2(dBm) = P3(dBm) = Pin(dBm) – 3dB 图10-1 功率分配器方框图(输出比输入衰减了3dB,输出是输入的一半) 当然P2并不一定要等于P3,只是相等的情况在实际电路中最常用。
因此,功分器在大致上可分为等分型(P2=P3)及比例型(P2=k·P3)两种类型。
其设计方法说明如下:(一) 等分型:根据电路使用元件的不同,可分为电阻式、L-C式及传输线式。
A. 电阻式:此类电路仅利用电阻设计。
按结构可分成Δ形,Y形,如图10-2(a)(b)所示。
图10-2(a)Δ形电阻式等功分器图(b)Y形电阻式等功分器其中Zo就是电路特性阻抗,在高频电路中,在不同的使用频段,电路中的特性阻抗不相同。
在本实验中,皆以50Ω为例。
此型电路的优点是频宽大、布线面积小、及设计简单,而缺点是功率衰减较大(6dB)。
B. L-C式此类电路可利用电感及电容进行设计。
按结构可分成高通型和低通型,如图10-3(a)(b)所示。
其设计公式分别为:a. 低通型:其中fo——操作频率Zo——电路特性阻抗Ls——串联电感Cp——并联电容b. 高通型:其中fo——操作频率Zo——电路特性阻抗Lp——并联电感Cs——串联电容图10-3(a) 低通L-C式等功分器; (b) 高通L-C式等功分器C . 传输线式此种电路按结构可分为威尔金森型和支线型,如图10-4(a)(b)所示。
AWR射频微波电路设计与仿真教程课程实验报告实验名称DBR带通滤波器、功率分配器与耦合器设计i、功率分配器设计一、实验目的设计一个2路等分功率分配器,采用微带电路结构。
输入端特性阻抗Z=50Ω,工作频率f0=3GHz,要求S11、S23<-30dB:基板参数εr=9.8,H=1000um,T=18um。
基本内容:测量特性指标S11、S21、S23(单位dB)与频率(0.5f0~1.5f0)的关系曲线。
调节微带线的尺寸,使功分器的性能达到最佳。
进阶内容:进行版图设计,包括元件封装、布线调节,尤其是 MTRACE2元件的布线扩展内容:利用自动电路提取(ACE)技术,提取电磁模型,进一步缩小版图尺寸。
二、实验仪器硬件:PC;软件:AWR Design Environment 10三、实验步骤⑴初始参数计算根据设计要求,在应用软件进行仿真设计之前,首先需要确定功率分配器的结构,进行电路初值计算。
一个2路等分功率分配器的结构如图4-6所示。
图中,Z0=5092,Za、2o的长度均为o4。
其他参数计算:Zo=Z,Zo=Zos=V2Zo,Za=Zas=Z,R=2Z0将计算结果填入表4-1。
⑵电路图仿真与分析1、创建新工程(命名为Ex4.emp)2、设置单位(GHz、Ohm、um)3、设置工程频率(单位GHz,start为1.5,stop为4.5,step为0.01)4、创建原理图5、版图细调检查MTRACE2元件,对该元件进行布线操作,微调之后得到结果如下:6、版图对比分析得到MTRACE2 X1元件参数值为:DB { 2800,1807.134,2412 }umRB { 270,180,270 }W 406L 10004.739BType 2M 0.6对比图表如下:将布线向左侧版图靠拢,会得到不一样的仿真结果。
⑷电磁提取分析一、A CE分析1、添加提取器(STACKUP元件、EXTRACT模块)2、选择提取原件3、提取4、提取出的电磁结构如下图:进行电磁电路联合仿真,得到如下图所示:5、版图小型化调整结果如下:2D结构:6、提取三维电磁电路模型如下:6、进一步压缩版图尺寸得到的模型和分析结果如下:二、A XIEM分析AXIEM分析过程与ACE相似,只是将Simulator项改成AXIEM,不再赘述。
射频mems功分器器件制备
随着微机电系统技术在无线射频(RF)方面的不断发展,利用其
集成化优势,将微机电系统用在射频功率分配器中显得尤为重要。
微
机电系统(MEMS)分配器包括一层石墨烯(Graphene)衬底,其上覆
盖有一层绝缘介质,以及电极,电容以及可调节滑动结构,既可实现
可调功率分配又意有可控的分配模式。
首先,在石墨烯衬底ty的表面上,实现连续的有规则的电极结构,每个电极之间隔有一层绝缘层,
以及击穿电容。
在电极中插入可滑动的工作体,用精确的位置和准确
的压力控制滑动工作体的位置,实现不同分配比例。
滑动工作体有两
个端点,一个在相应的衬底电极间,另一个在增加调节模式的电容上,从而可实现多路分配。
其次,通过种植有调控电极和调节层的滑动部件,并通过调控电极给出可调的功率分配模式,多种应用得以实现。
最后,RF MEMS功分器器件制备需要通过制作精密微机械结构、阳极氧化、等离子体清洗、薄膜处理、电学连接以及测试等步骤,以保证制
备出高质量RF MEMS功分器器件。
射频电路设计实验报告----Wilkinson功率分配器的设计一、实验目的1.掌握功率分配器的原理及基本设计方法。
2.学会使用电磁仿真软件ADS对功分器进行仿真。
3.掌握功分器的实际制作和测试方法,提高动手设计能力。
二、实验仪器微波无源试验箱一台、矢量分析仪一台、电脑一台三、实验原理威尔金森功率分配器为一三端口网络,如图信号由1端口输入、从端口2、3输出。
理想的3dB微带威尔金森功分器,当1口有输入而其他端口匹配时,端口2、3有等幅同相的输出,并且都比输入信号滞后90°且2、3端口对应的两个支路完全隔离。
四、实验内容(一)技术指标1、中心频率f0=1GHz2. 带宽BW:0.9GHz—1.1GHz3. 各端口匹配:Vswr<1.5(s11,)4. 工作频带内输入端口的回波损耗:S11<-18dB5. 工作频带内的传输损耗:-3.4dB<=S21<=-2.6dB6. 两个输出端口间的隔离度S23<=-20dB(二)功率分配器的建模(三)功率分配器的仿真附近S11衰减很大,大于35dB,说明返回到1端口的能量很小S22为2端口的反射系数,反应了2端口的回波损耗,同样在工作频率附近绝对值很大。
S21为1端口到2端口的传输系数,理想情况下2、3端口应平分功率,故应为3dB,由于存在介质损耗角正切等原因,实际略大于3dB。
S23反应2、3端口之间的隔离度,在1GHz附近大于30dB,说明隔离度较好。
(四)实物的制作与测试下图为制作的实物上图为1端口输入时2、3端口的输出关系S21为3.35dB S23为28.9dB五、实验总结1在用ADS进行建模,设置各个器件的参数时要注意不要忘记加单位2.测试的结果与仿真的结果基本相等,说明制作的功分器满足了实验的技术指标与要求。