河南科技学院成人教育学院电子技术考试试题

河南科技学院2007-2008学年第二学期期终考试电工电子技术（上）（B ）适用班级：机教061－2注意事项：1.在试卷的标封处填写院（系）、专业、班级、姓名和准考证号。

2.考试时间共100分。

一、填空题（每空1分，共10分）1．正弦交流电的三要素中，表示交流电大小的是 ，变化快慢的是 ，起点的是。

2．已知交流电路发生谐振。

若侧得电流最小，说明发生的是 ；若侧得电流最大，说明发生的是 。

3．交流电气设备的铁心应采用磁性材料中的 。

4．照明负载需采用的接法是 。

5．RC 低通滤波电路的截止频率是 ，通频带是 。

6．变压器副边接负载，它在原边的等效阻抗是其阻抗的 倍。

二、判断题（每题2分，共10分）（正确的小题在题后“（ ）”中打“√”；错误的打“×”） 1．功率因数低会增加电路的功率损耗。

（ ） 2．交流电压表测量的是交流电压的有效值。

（ ） 3．三相电源的线电压滞后与相应相电压030。

（ ） 4．交流继电器可以借用到与其额定电压相等的直流电路中。

（ ） 5．人体通过的电流超过0.05A 就有生命危险。

（ ）三、选择题（每题2分，共20分）（每题只有一个正确答案，将正确答案的序号填写在题后括号中）1．下图中，在换路后的瞬间，下列对各电量的变化规律描述正确的是（ ）A ．i 1、u 不能跃变，i 2、i 3可以跃变B ．i 1、i 2不能跃变, i 3、u 可以跃变C ．i 1、i 3不能跃变, i 2、u 可以跃变D ．i 2、i 3不能跃变, i 1、u 可以跃变2．一台额定电压100V ，容量1000VA 的交流发电机，接Ω+68j 的感性负载。

发电机所处的运行状态是（ ）A ．空载运行B ．轻载运行C ．满载运行D ．过载运行 3．在RC 串联电路中，下列四个式子中错误的是（ ）A ．C j R U I ω－ =B ．U X R RU 2C2R +=C ．U Cj 1R C 1jU Cωω+=－ D ．22CX R U I +=4．有一个线性电阻网络,它的内部有两个电源，V 10E 1-=，tV in s 10e 2ω＝。

2024年河南省成考（专升本）计算机应用基础考试真题一、单选题1、当用户在使用某软件时，有一些错误输入，此时软件并没有出错误，而是给出提示信息并允许重新输入，说明该软件具有（）。

（A）易维护性（B）可扩展性（C）可读性（D）健壮性2、二进制数进行“与”运算，11010110⊥10110111的结果是（）。

（A）00011111（B）10001101（C）10010110（D）111101113、下列关于多任务处理的叙述中，错误的是________。

（A）引入多任务处理是为了提高CPU的利用率（B）多任务处理需要多核CPU的硬件支撑（C）Windows、iOS、Android等操作系统都支持多任务处理（D）Windows中的前台与后台任务都能分配到CPU的使用权4、下列不属于算法评价指标的是（）。

（A）正确性（B）可读性（C）算法执行所有操作所需的时间（D）算法执行所占用的存储空间5、下列不属于逻辑运算符的是（）。

（A）AND（B）NO（C）NOT（D）OR6、采用n位二进制补码表示整数时，若最高位为1，其他各位均为0，则该补码表示的十进制整数是（）。

（A）－2n-1（B）－2n（C）2n-1（D）2n7、耦合度和内聚度是衡量软件模块独立性的主要标准，软件设计应尽量做到（）。

（A）高内聚、低耦合（B）高内聚、高耦合（C）低内聚、低耦合（D）低内聚、高耦合8、下列关于PowerPoint占位符的说法正确的是()A.表示文本长度B.表示图片大小C.可以添加文本D.位置不可改变9、已知两个十进制数+64和－64用二进制形式分别表示为11000000，则该表示形式为________。

（A）补码（B）原码（C）反码（D）不确定10、如图所示，若使主机A和主机B能够互相访问，则主机B正确的网络参数配置是（）。

（A）IP地址：10．10．1．20子网掩码：255．0．0．0（B）IP地址：192．168．2．20子网掩码：255．255．255．0（C）IP地址：172．16．2．10子网掩码：255．255．0．0（D）IP地址：192．168．3．100子网掩码：255．255．255．011、在汉字编码标准GB2312-80中，已知汉字“学”的区位码为4907D，则其对应的机内码为________。

8、当触发器Q=0，1=Q 时称触发器处于“0”状态。

（ ） 9、施密特触发器工作时具有两个稳定状态，但只有一个触发电平。

（ ） 10、边沿触发器是指触发器的状态在CP 脉冲的边沿处发生触发翻转。

（ ）三、选择题（每题2分，共20分）1、下列结果错误的是（ ）A. B A AB +=B. B B B =+C. 1+A=12、下列状态方程中（ ）是T / 触发器。

A. Q n+1＝T ⊕Q n B. Q n+1＝Q n C. Q n+1＝D3、下列结论是正确的是（ ）A.（5C ）16 =（95）10B. （10101）2 ＝（20）10C.（25）8 =（10101）24、下列逻辑图中表示 Y ＝A ⊕B 的是 （ ）（A ） （B ） （C ）5、在相同的时钟脉冲作用下，同步和异步计数器比较其工作速度。

（ ）A. 较快B.较慢C.不确定6分，共24分）1、用代数法化简 C B A C B A Y +=2、试将J-K触发器转换成T触发器画出逻辑图。

3、用卡诺图法将Y(A、B、C、D)=Σm（1、3、5、7、9、11、13）化简。

4、根据逻辑图写出Y的逻辑表达式。

五、分析思考题（每题8分，共16分） 1、下图是用555定时器构成的多谐振荡器，其中R 1=10K ，R 2=1K ，C=0.1uF ，试计算输出频率f 和周期T 。

2、用反馈置数法将同步二进制计数器74LS163转为10进制计数器，如图a 所示。

μFO O OQ0Q1Q2Q3D0D1D2D3CT T CT P CP C0CR LD 74LS163电子技术基础(二)期终考试试卷（A ）参考答案一、填空（每空2分，共30分）1、组合电路、存储电路2、n Q K Q J Q n1n +=+3、单稳电路、多谐振荡器、4、“1”、“0”5、100100、00110110、6、59、1110117、模拟、数字8、异步计数器9、跃变 10、输人输出数据 二、判断题（每题2 分 共20分）1、√2、×3、×4、√5、×6、×7、√8、√9、×10、√三、选择题（每题2分，共10分）1、B2、B3、C4、C5、A四、化简、画图（每题7分，共28分）1、()C B A B A C C B A C B A Y =+=+= 24、B A AB Y +=00 01 11 10五、分析思考题 1、()()KHZT f SCR R T 02.1 1098.0111098.0 101.01022107.0 27.0336321=⨯==⨯=⨯⨯⨯⨯+=+=---2、。

电子技术基础与技能考试题（附答案）一、单选题（共46题，每题1分，共46分）1.温度影响了放大电路中()的参数，从而使静态工作点不稳定。

A、三极管B、电阻C、电容D、电源正确答案：A2.要七段共阳数码管要显示字母b，则abcdefg分别为A、1101111B、0110000C、0010000D、1010000正确答案：B3.常用的74××系列是指A、TTL器件B、CMOS器件C、NMOS器件D、PMOS器件正确答案：A4.十进制数126转换为二进制数为A、1111110B、1111010C、1111101D、1101110正确答案：A5.单相整流电路实现整流是利用二极管的A、稳压特性B、光电特性C、单向导电性D、变容特性正确答案：C6.接成二十九进制计数器需要的同步十进制计数器74160的片数为A、1B、2C、3D、4正确答案：B7.在三个输入量只有1个为1或3个全为1时，输出为1，实现这一功能的组合逻辑电路是A、加法器B、数据比较器C、编码器D、奇校验器正确答案：D8.在相同的时钟脉冲作用下，同步计数器与异步计数器比较，前者的工作速度A、较快B、较慢C、一样D、不确定正确答案：A9.下列触发器中，没有克服空翻现象的有A、维持组塞D触发器B、JK触发器C、同步RS触发器D、主从RS触发器正确答案：C10.下列关于电容滤波电路的叙述中，正确的是A、电路的滤波，利用了电容器的B、电路的滤波，利用了电容器的C、电容器充电时，输出电压下降；D、电容量C越大，滤波效果越差。

正确答案：B11.74LS161是()进制加计数器。

A、异步、十六B、同步、十六C、异步、二D、同步、二正确答案：B12.若使主从JK触发器的输出状态由1变为0，则应使A、1→0时，JK=10B、1→0时，JK=01C、0→1时，JK=10D、0→1时，JK=01正确答案：B13.CT74LS194工作时，应在电源VCC和地之间接入A、电阻B、电感C、电容D、无正确答案：C14.以下关于理想集成运放的各种表述中，错误的是A、开环共模电压放大倍数无穷大B、共模抑制比无穷大C、线性应用时，有“虚短”概念D、线性应用时，有“虚断”概念正确答案：A15.在钟控同步RS触发器中，当RS取值不同时，则Q=A、RB、1C、SD、0正确答案：C16.模拟信号是指A、在数值上和时间上均不连续变化的信号B、在数值上和时间上均连续变化的信号C、在数值上连续、时间上不连续变化的信号D、在数值上不连续、时间上连续变化的信号正确答案：B17.下列不属于组合逻辑电路的有A、数据分配器B、计数器C、编码器D、译码器正确答案：B18.二极管正极电位为9V，负极电位为5V，则该管处于A、正偏B、零偏C、击穿D、反偏正确答案：A19.主从JK触发器的初态为0，JK=11时，经过2n+1个触发脉冲后，输出状态为A、在0、1间翻转，最后为1B、在0、1间翻转，最后为0C、一直为1D、一直为0正确答案：A20.下列关于扇出系数描述正确的是A、门电路输出电压由0跳变到1时的传输延迟时间B、门电路的输出电压C、门电路输出电压由1跳变到0时的传输延迟时间D、门电路正常工作时能驱动同类门的数目正确答案：D21.当二极管工作在正向特性区，且所受正向电压大于其死区电压时，则二极管相当于A、大电阻B、断开的开关C、大电容D、接通的开关正确答案：D22.74LS192是()进制可逆计数器。

专升本电子技术基础试卷A参考答案-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1电子技术基础A卷参考答案及评分标准一、选择题（共44分，每小题2分）请选择正确答案填入相应的横线空白处。

选错、不选均无分。

1.A；2.B，C ；3.D；4.B；5、D；6.C；7.B ；8. C；9、B；10. A ；11.A 12.D；13.A；14.D;15. D；16.A；17.B ；18.C ；19.B ；20.C ；21.B ；22.C二、填空题（共18分，每空1分）。

请在每小题的空格中填上正确答案。

错填、不填均无分。

1、单向导电。

2、b-e结正偏，b-c结反偏。

3、输入级、中间级、输出级、偏置电路。

4. 无穷大（∞）5. 饱和6. 电压串联7．78.5%8.串联，并联9．10. 高11.（1D2）1613.组合逻辑电路与时序逻辑电路14.电位式15.6三、简答题（共37分，第3小题12分，其余每小题小题5分）1、答：常用的耦合方式有三种，即阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。

阻容耦合：是通过电容器将后级电路与前级相连接。

由于电容器隔直流而通交流，所以各级的直流工作点相互独立，这样就给设计、调试和分析带来很大方便。

而且，只要耦合电容选得足够大，则较低频率的信号也能由前级几乎不衰减地加到后级，实现逐级放大。

变压器耦合：通过磁感应将初级的交流信号传输到次级，因此前后级直流工作点相互独立，而且还有阻抗变换作用，缺点是变压器体积较大较重，低频响应较差。

目前在高频电路中使用较多。

直接耦合：是将前级的输出端直接或通过恒压器件接到下级输入端，因此交直流信号均可获得传输，适用于放大直流或缓变信号，也便于电路集成化，但前后级直流工作点互相牵制和影响，不能独立调整，需要统一考虑和设计系统的直流工作点，采取一些措施使各级的工作点处于合适的状态。

2、答：各种集成运算放大器的基本结构相似，主要都是由输入级、中间级和输出级以及偏置电路组成，如图所示。

电子技术基础注意事项：1. 请考生按要求在试卷装订线内填写姓名、准考证号、身份证号和报考专业。

2. 请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写答案。

3. 不要在试卷上乱写乱画，不要在装订线内填写无关的内容。

4. 满分150分，考试时间为150分钟。

一、选择题（共44分，每小题2分）请选择正确答案填入相应的横线空白处。

选错、不选均无分。

1. 本征半导体是指________的半导体。

A. 化学成分纯净 B. 化学成分参杂三价元素C. 化学成分参杂五价元素D. 以上都是2. N 型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子，但半导体呈中性。

A ．少数空穴； B.电子 C. 空穴 D.多数电子3．场效应晶体管是用______控制漏极电流的。

A ．栅极电流 B. 栅漏电压 C.漏源电压 D. 栅源电压4．对于一个理想二极管，当施加正向电压时，其内部PN 结的耗尽层变 。

A ．变宽 B. 变窄 C.不变 D. 消失5．三极管处于放大状态的条件是 。

A. 发射极反偏,集电极正偏B. 发射区杂质浓度小C. 基区宽，杂质浓度低。

D. 发射极正偏,集电极反偏6．场效应管是。

A. 栅控器件B. 电流控制器件C. 电压控制器件D.源控器件7. 电流源电路的特点是。

A. 直流电阻大，交流电阻小B. 直流电阻小，交流电阻大C. 直流电阻小，交流电阻小D. 直流电阻大，交流电阻大8.处于平衡态的PN结内的载流子。

A 不运动B 匀速运动C 无规则运动D 加速运动9.以下哪一种耦合方式经常用在集成运算放大电路中。

A 阻容耦合B 直接耦合C 变压器耦合D 混合耦合10.集成运算放大电路输入级一般采用。

A、差分放大电路B、共射电路C、互补对称电路D、共基极电路11. 差模信号是指在两个输入端加上的信号。

A. 幅度相等，极性相反B. 幅度相等，极性相同C. 幅度不等，极性相反D. 幅度不等，极性相同12. 对于增强型MOS管当中的N型管，其特点是。

第一章半导体器件与放大电路习题一、填空题1. PN结的特性是单向导电性 ;2.射极输出器具有：①输入电阻高 ,②输出电阻低 ,③放大倍数为1的特点;3.互补对称功率放大电路中晶体管工作在甲乙类工作状态,主要是为了克服交越失真;4.稳压二极管工作在反向击穿区,当外加电压撤除后,管子还是正常的,这种性能称为可逆性击穿;二、选择题1．电路如图1-1所示,所有二极管均为理想元件,则二极管D1、D2的工作状态为Ｃ ; 、D2均截止 B. D1、D2均导通C. D1导通,D2截止D. D1截止,D2导通图1-1 图1-2为 A ;2．电路如图1-2所示,二极管为理想元件,则电压UABA. 6VB. 3VC. 9VD. 不确定3.某晶体管工作在放大状态,测得三极电位分别是①～,②～1V,③～,则对三个电极的判定, B 是正确的;A.①～E,②～B,③～CB.①～B,②～E,③～CC.①～C,②～B,③～ED.①～B,②～C,③～E4.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为C ;A.正、反向电阻相等B.正向电阻大,反向电阻小C.反向电阻很大,正向电阻很小D.正、反向电阻都等于无穷大5.在N型半导体中参与导电的多数载流子是 A ;A.自由电子B.空穴C.正离子D.负离子6.当温度升高时,晶体管的穿透电流IA ;CEOA.增大B.减小C.不变D.无法确定7. 对于三极管放大作用的实质,下列说法正确的是 D ; A.三极管可以把小能量放大成大能量 B.三极管可以把小电流放大成大电流 C.三极管可以把小电压放大成大电压 D.三极管用较小的电流控制较大的电流8. 由共射极放大电路组成的两级阻容耦合放大电路,若将第二级换成射极输出器,则第一级的电压放大倍数将 A ;A.增大B.减小C.不变D.为零9.电路如图1-3所示,设D Z1的稳定电压为6V,D Z2的稳定电压为12V,设稳压管的正向压降为,则输出电压U o 等于 B ;图1- 3三、计算题1.在图1-4所示电路中,已知E=5V,u i =10sin ωtV,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压u o 的波形;(a) b图1-4解：ａu i > E ＝５Ｖ时,D 导通,u 0 = E ＝５Ｖ；u i < E 时,D 截止,u o = u i ;b u i > E ＝５Ｖ时,D 导通,u o = u i ；u i < E 时,D 截止,u 0 = E ＝５Ｖ; u 0的波形分别如下图所示;2.在图1-5所示稳压管电路中,已知稳压管的稳压值是6V,稳定电流是10mA,额定功耗为200mW,限流电阻R=500Ω,试求： 1当U i =18V,R L =1KΩ时,U o= I Z = 2当U i =18V,R L =100Ω时,U o= I Z = 图1-5 解：16Z U V =,18612R i Z U U U V=-=-=,12624,60.51R Z L L U U I mA I mA R R ======,18Z L I I I mA =-=20033.36ZM ZM Z P I mA U ===,1033.3Z ZM mA I I mA <<= 6,18Z Z U V I mA ∴==,稳压管工作在反向击穿区2 12624,600.50.1R Z L L U U I mA I mA R R ====== 所以,稳压管工作于反向截止区,0 3.33V Li LR U U R R ∴==+ 3.在图1-6所示的各个电路中,试问晶体管工作于何种状态a b c 图1-6解：ａ60.12,650B C B I mA I I mA Kβ==== 晶体管处于放大状态ｂ120.255,10.247B C B I mA I I mA Kβ====晶体管处于饱和状态ｃ发射结反偏,集电结反偏,晶体管处于截止状态; 4.放大电路如图1-7所示,U CC =12V,R C =6KΩ,R B1=60KΩ,R B2=20KΩ,R E1=300Ω,R E2=Ω,R L =6KΩ,β=50,U BE =,试求：⑴静态工作点I B 、I C 、U CE ；⑵画出微变等效电路；⑶放大倍数Au 、输入电阻R i 、输出电阻R o ；⑷若R s =500Ω,U O =400mV,则U S 是多少图1-7解：⑴ ⑵⑶26300(1)2.02be Er K I β=++=Ω ⑷40046.198.66o i u U U mV A === i i S i s R U U R R =+,(1)49.06s s i iRU U mV R =+= 5.电路如图1-8所示,R B1＝25KΩ,R B2＝5KΩ,R C ＝Ω,R E ＝2KΩ,三极管导通时忽略U BE ,β=40,r be =Ω,U CC ＝12V;交流输入信号的电压有效值U i =1V;求：⑴电路的静态工作点；⑵画出微变等效电路；⑶输入电阻R i ,输出电阻R o1、R o2；⑷输出电压U o1、U o2; 图1-8 解：⑴ ⑵⑶12////[(1)]25//5//[1.5412] 3.97i B B be E R R R r R K β=++=+⨯=Ω ⑷140 2.21.05(1) 1.5412C u be E R A r R ββ⨯=-=-≈-+++⨯6. 放大电路如图1-9所示,已知：β=50,V CC =12V,R B =140K Ω,R E =Ω,R C =2K Ω,R L =2K Ω,忽略U BE ,r be =800Ω;求： ⑴静态工作点； ⑵画出微变等效电路；⑶输入电阻Ri,输出电阻Ro,电压放大倍数Au ； ⑷若Ce 断开,Au 将如何变化画出其微变等效电路； ⑸若输入信号u i 逐渐增大,电路将最先产生何种失真图1-9解：⑴B B BE E E CC I R U I R U ++= ⑵ ⑶⑷u A 将变小⑸饱和失真。

A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大3、在共射放大电路中，当负载电阻R L减小时，输出电阻Ro将。

A.增大B.减少C.不变D.不能确定4、若正弦波信号加在某单管共射放大电路输入端，输出波形如下图中（）图所示，则放大电路处于截止失真状态。

5、在下列电路中，（）不是组合逻辑电路。

A编码器 B 寄存器 C 译码器D加法器**选择题答案填写到下表：1 2 3 4 5三、（10分）完成下题。

1.判断下图所示电路各二极管的工作状态（导通或截止）并求输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。

（4分）2.测得放大电路中晶体管的直流电位如下图所示。

在圆圈中画出管子，标出三个极的名称，并分别说明它们是硅管还是锗管？（6分）五、（12分）运算电路如下图所示。

求输出电压u o1、u o2、u o 与输入电压u i 的运算关系表达式；若输出接运放A3（如图中虚线），当输入电压u i ＝Sin314t V 时，试绘出输出电压u o 和A3输出u L 的波形，其中A3运放的Uo(sat)＝±10V 。

四、（14分）电路如下图所示，R B1＝25KΩ，R B2＝5KΩ，R C ＝2.2KΩ，R E ＝2KΩ，三极管导通时忽略U BE ，β=40，r be =1.5KΩ，U CC ＝12V 。

交流输入信号的电压有效值U i =1V 。

求电路的静态工作点；画出微变等效电路；求输入电阻R i 和输出电阻R o ，以及输出电压U o 。

八、（10分）分析下图所示时序电路的逻辑功能，写出电路驱动方程、状态方程，画出状态转换表，并分析电路的工作方式与功能, 设初始状态为Q 2Q 1Q 0=000。

六、（12分）有一桥式整流稳压电源对负载R L =100Ω供电，其中输出电压U o ＝24V 。

试补充整流桥的结构图以完整直流电源的电路原理图；并计算出变压器二次侧电压有效值U 2以及整流二极管每管平均电流I D 和最大反向电压U DRM 以及滤波电容器C 的容量和耐压值。

河南科技大学2019-2020学年第一学期电子科学与技术专业简单电子线路测试题1. 三极管的伏安特性是指它的（）。

？ [单选题]A 输入特性B 输出特性C输入特性和输出特性(正确答案)2. 三极管的（）作用是三极管最基本和最重要的特性。

？ [单选题]A、电流放大(正确答案)B、电压放大C、功率放大3. 硅二极管的导通电压（）？ [单选题]A、 0.5VB 、0.7V(正确答案)C、 0.3V4. 硅晶体三极管的发射结的死区电压约为（）。

？ [单选题]A、 0.5V(正确答案)B、 0.3VC、0.7V5. 电容器的单位说法正确的是（）。

？ [单选题]A、电容的单位为法拉，简称法，用 F 表示(正确答案)B、电容的单位为法拉，简称法，用 UF 表示C、电容的单位都是uf6. 工作在截止和饱和状态的三极管可作为（）器件来用。

？ [单选题]A、放大B、开关(正确答案)C、稳压7. 在共发射极放大电路中，输出电压U0和输入电压Ui相位（）。

？ [单选题]A、相同B、相反(正确答案)C、无法确定8. 三极管输出特性曲线中，当IB=0时，IC等于（）？ [单选题]A、ICMB、ICBOC、ICEO(正确答案)9. 工作在放大状态的三极管可作为（）器件来用。

？ [单选题]A、放大(正确答案)B、开关C、稳压10. NPN型三极管处于放大状态时，各极电压关系是（）。

？ [单选题]A UC>UE>UBB UC>UB>UE(正确答案)C UC<UB<UE11. 如图3-4所示电路中，E=（）。

？ [单选题]A.3VB.-4VC.4 V(正确答案)D.-3V12. 电容器是一种常用的电子元件．对电容器认识正确的是（）？ [单选题]A、电容器的电容表示其储存电荷的能力(正确答案)B、电容器的电容与它所带的电荷量成正比C、电容器的电容与它两极板间的电压成正比D、电容的常用单位有μF和pF,1 μF＝103 pF13. 在三极管放大器中，三极管各极电位最高的是（）。

电子技术专升本考试(习题卷6)第1部分：单项选择题，共61题，每题只有一个正确答案,多选或少选均不得分。

1.[单选题]反馈极性的判断一般采取（）方法A)隔直通交B)瞬时极性C)虚短虚断答案:B解析:2.[单选题]一般情况下硅管的反向电流在（）微安以下A)几B)几十C)几百答案:B解析:3.[单选题]共模输入信号是差分放大电路两个输入端信号的（ ）。

A)和B)差C)平均值答案:C解析:4.[单选题]全1为1，有0为0 是（ ）门A)或B)与C)非答案:B解析:5.[单选题]PN结正向导通时电阻（）A)很大B)很小C)非常大答案:B解析:6.[单选题]集成电路CD4511是（ ）A)编码器B)计数器C)七段译码器答案:C解析:7.[单选题]单相桥式整流电路加上电容滤波后，二极管的导通角（ ）。

A)增加答案:B解析:8.[单选题]三极管接在放大电路中，该管正常工作，测得基极与发射极间电压为-0.3V，则此管为（）A)PNP型锗管B)NPN型硅管C)PNP型硅管D)NPN型锗管答案:D解析:9.[单选题]对于不加续流二极管的带电感性负载的单相半波可控整流电路，它的缺点是( )。

A)可控硅承受反向电压时将继续导通B)可控硅易损坏C)当可控硅承受反向电压时将关断D)可控硅损耗电能大答案:A解析:10.[单选题]JK触发器，当 JK为（）时，触发器处于保持状态。

A)00B)01C)10D)11答案:A解析:11.[单选题]半导体随着温度的升高，导电能力会（ ）。

A)不变B)增加C)减小D)先减小后增加答案:B解析:12.[单选题]稳压管的稳压性能是利用PN结的（ ）。

A)单向导电特性B)正向导电特性C)反向截止特性D)反向击穿特性答案:D解析:13.[单选题]单相半波整流电路U0为多大？A)0.9*U2B)0.45*U2C)U2D)2U2答案:B14.[单选题]当温度升高时，会造成放大器的（ )。

A)Q点上升，容易引起饱和失真B)Q点下移，容易引起饱和失真C)Q点上移，容易引起截止失真D)Q点下移，容易引起截止失真答案:A解析:15.[单选题]半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为( )。