第3部分 存储器
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存储系统单元数是一、选择1、设机器字长为32位,一个容量为16MB的存储器,CPU按半字寻址,其可寻址的单元数是2、若某存储器存储周期为250ns,每次读出16位,则该存储器的数据传输率是3、设机器字长为64位,存储容量为128MB,若按字编址,它可寻址的单元个数是4、在Cache和主存构成的两级存储体系中,主存与Cache同时访问,Cache的存取时间是100ns,主存的存取时间是1000ns,如果希望有效(平均)存取时间不超过Cache存取时间的115%,则Cache的命中率至少应为5、某一SRAM芯片,其容量为1024×8位,除电源和接地端外,该芯片的引脚的最小数目为6、某一DRAM芯片,采用地址复用技术,其容量为1024×8位,除电源和接地端外,该芯片的引脚的最少数目为7、某存储器容量为32K×16位,则()8、A.地址线为16根,数据线为32根B. 地址线为32根,数据线为16根C.址线线为15根,数据线为16根D. 地址线为15根,数据线为32根9、若RAM中每个存储单元为16位,则下面所述正确的是()A.地址线也是16根B.地址线与16无关C.地址线与16有关D.地址线不得少于16根10、下面有关DRAM和SRAM存储芯片的叙述,通常情况下,错误的是()芯片的集成度比SRAM高芯片的成本比SRAM高芯片的速度比SRAM快芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需要刷新11、某SARM芯片,其存储容量为512×8位,包括电源端和接电线,该芯片引出线的数目应为12、在存储器芯片中,地址译码采用双译码方式是为了13、在1K×1位的存储芯片中,采用双译码方式,译码器的输出信号有条。
14、若存储周期为250ns,每次读出16位,则该存储器的数据传输率为15、若数据在存储器中采用以低字节地址为字地址的存放方式,则十六进制数H的存储自己顺序按地址由小到大依次是16、某计算机字长为32位,存储器容量为16MB,CPU按半字寻址,其可寻址的单元数是17、某计算机字长为32位,存储器容量为4MB,CPU按字寻址,其寻址范围是0到18、某计算机字长为16位,存储器容量为256KB,CPU按字节寻址,其寻址范围是19、某计算机字长为16位,存储器容量为256KB,CPU按字寻址,其寻址范围是20、某计算机字长为16位,存储器容量为64KB,CPU按字寻址,其可寻址得21、某计算机字长为32位,存储器容量为256KB,CPU按字寻址,其可寻址的单元数是22、4个16K×8位的存储芯片,可设计为容量的存储器。
非易失性存储器概述一、介绍这篇文章论述了非易失性存储器(NVM)基本概况。
第1部分介绍了非易失性存储器的主要背景以及一些存储器的基本术语。
第2部分主要阐述了非易失性存储器的工作原理(通过热电子注入实现编程)。
第3部分包含了非易失性存储器的擦除原理,以及隧道效应。
第4部分介绍了用于预测非易失性存储器的编程特性的模型,用“幸运电子”模型来表述热电子注入模式。
第5部分主要介绍非易失性存储器可靠性,包括在数据保存、耐受力和干扰影响下的可靠性。
关键词:非易失性,存储器,热电子注入,隧道效应,可靠性,保存,存储干扰,EEPROM,Flash EEPROM。
存储器分为两大类:易失性存储器和非易失性存储器。
易失性存储器在掉电后会失去其所存储的数据,故而需要继续不断的电源才能保存数据。
大部分的随机存取存储器(RAM)都是易失性的。
非易失性存储器则在掉电后不会丢失数据。
一个非易失性存储器(NVM)本质上是一个MOS管,由一个源极、一个漏极、一个门极,以及一个浮栅。
与常用的MOSFET 不同的是,NVM多了一个浮栅,浮栅与其它部分是绝缘的。
非易失性存储器又细分为两个主要的分类:浮栅型和电子俘获型。
Kahng 和Sze在1967年发明了第一个浮栅型器件。
在这种器件中,电子受隧道效应的影响,通过一个3nm厚的二氧化硅层,从一个浮栅中转移到基层中。
通过隧道效应,非易失性存储器可以更容易地被擦除或改写,通常隧道效应只在厚度小于12nm的氧化物中存在。
浮栅中存储电子后,可以使得阈值电压被降低或者提高,而阈值电压的高低也就分别代表了逻辑值1或0。
在浮栅型存储器件中,电子(也即是数据)存储在浮栅中,故而掉电后,数据不会丢失。
所有的浮栅型存储器件都是一样的存储单元结构,如下图1所示,一个存储单元由门极MOS 管堆叠而成。
第一个门是浮栅门,被埋在栅氧化层(Gate Oxide)和内部多晶硅绝缘层(IPD)之间,位于控制门(Control Gate)的下方。
第三章内存储器一、教学目的:1、了解内存储器的概念和发展、结构和性能指标。
2、掌握内存条的区分、选购和测试。
二、教学重点、难点:掌握内存条的区分、选购和性能测试。
三、教具使用:计算机一台,多媒体幻灯片演示,内存条若干四、教学方法:分析法和问题讨论法,引导学生分析内存条的结构、选购方法,以及如何测试内存条。
五、教学过程:导入:由人的大脑、书、纸张对比引入到内存储器的知识学习。
幻灯片或板书课题:第三章内存储器一、基础知识-认识内存储器提问:仓库对现代化工厂中的流水线的影响?学生看书、思考并回答;教师归纳总结并由仓库的作用引入内存条的工作原理,并进一步介绍内存条的的组成、分类及主要性能参数。
1. 内存条的工作原理(作用):中转数据2. 内存条的组成:内存条主要由印刷电路板、内存颗粒、SPD芯片、金手指等组成。
3. 内存条的分类和区别讲解主流三种内存条引脚和定位键(缺口)4. 内存的封装和技术指标二、制定选购方案-选购原则及分析提问:计算机运行需要什么类型、多大内存才能够发挥最佳性能?学生思考看书进行回答;教师归纳、引导学生根据计算机实际使用条件确定计算机内存的各项参数,进行进一步的分析和选购。
1. 确定内存容量影响内存容量的要素:操作系统、使用模式、硬件设备和用户类型2. 确定内存带宽应保证内存带宽与主板和CPU前端总线一致3. 确定内存种类和条数根据主板内存插槽(定位键)或说明书确定所需内存条种类;应确保使用的内存条数最少,避免多条内存之间出现兼容性故障,方便内存扩充三、实战:内存储器的选购提问:如何购买内存条?教师引导学生思考,并利用幻灯片介绍各种内存颗粒和内存条的鉴别与选择。
1. 如何识别内存利用幻灯片介绍主要的内存厂商和内存颗粒以及内存编号识别2. 内存质量鉴别方法主要使用观察法查看内存条的质量小结:1. 内存条的组成和颗粒封装2. 内存条的选购原则作业:1. 复习本章知识2. 预习下一章知识3. 完成本章书后的习题和实践。
《操作系统》习题集:第3章存储管理第3章存储管理-习题集⼀、选择题1.把作业空间中使⽤的逻辑地址变为内存中物理地址称为()。
【*,★,联考】A. 加载B. 重定位C. 物理化D. 逻辑化2.为了保证⼀个程序在主存中改变了存放位置之后仍能正确执⾏,则对主存空间应采⽤()技术。
【*,★,联考】A. 静态重定位B. 动态重定位C. 动态分配D. 静态分配3.分区分配内存管理⽅式的主要保护措施是()。
(注:分区包括“固定分区”和“可变分区”)【**,09考研】A. 界地址保护B. 程序代码保护C. 数据保护D. 栈保护4.分区管理要求对每⼀个作业都分配()的内存单元。
【*,★,联考】A. 地址连续B. 若⼲地址不连续C. 若⼲连续的块D. 若⼲不连续的块5.在固定分区分配中,每个分区的⼤⼩是()。
【*,联考】A. 相同B. 随作业长度变化C. 可以不同但预先固定D. 可以不同但根据作业长度固定6.在可变式分区存储管理中的拼接技术可以()。
(注:拼接是指通过移动将多个分散的⼩分区合并成⼀个⼤分区。
)【*,★,联考】A. 集中空闲分区B. 增加内存容量C. 缩短访问周期D. 加速地址转换7.可变式分区存储管理中,采⽤拼接技术的⽬的是()。
【*,联考】A. 合并空闲分区B. 合并分配区C. 增加主存容量D. 便于地址转换8.某基于动态分区存储管理的计算机,其主存容量为55MB(初始为空),采⽤最佳适配算法,分配和释放的顺序为:分配15MB,分配30MB,释放15MB,分配8MB,分配6MB,此时主存中最⼤空闲分区的⼤⼩是()。
【**,★,10考研】A. 7MBB. 9MBC. 10MBD. 15MB9.在分页存储管理中,主存的分配是()。
【*,联考】A. 以块为单位进⾏B. 以作业的⼤⼩分配C. 以物理段进⾏分配D. 以逻辑记录⼤⼩进⾏分配10.⾸次适应算法的空闲分区是()。
【**,★,联考】A. 按⼤⼩递减顺序连在⼀起B. 按⼤⼩递增顺序连在⼀起C. 按地址由⼩到⼤排列D. 按地址由⼤到⼩排列11.最佳适应算法的空闲分区是()。
AT89C2051管脚图引脚图中文资料98c2051外部引脚图:(可以直接拷入ASM程序文件中,作注释使用,十分方便)┏━┓┏━┓RET┫1 ┗┛20┣ VccRXD P3.0 ┫2 19┣ P1.7TXD P3.1 ┫3 18┣ P1.6-INT0 P3.2 ┫6 17┣ P1.5-INT1 P3.3 ┫7 16┣ P1.4T0 P3.4 ┫8 15┣ P1.3T1 P3.5 ┫9 14┣P1.2P3.7 ┫11 13┣P1.1 A1(+)X1┫4 12┣ P1.0 A0(-)X2┫5 10┣ GND┗━━━━┛——————————————————————————————————————【引脚电器性能】AT89C2051单片机的P口特点:P1口:P1口是一个8位双向I/O端口,其中P1.2~P1.7引脚带有内部上拉电阻,P1.0和P1.1要求外部上拉电阻。
P1.0和P1.1还分别作为片内精密模拟比较器的同相输入(AIN0)和反相输入(AIN1)。
P1口输出缓冲器可吸收20mA电流,并能直接驱动LED显示。
对端口写1时,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电位,这时可作输入口。
P2口作输入口使用时,因为内部有上拉电阻,那些被外部信号拉低的引脚会输出一个电流(Iil)。
P3口:P3.0~P3.5、P3.7是带有内部上拉电阻的7个双向I/O端口。
P3.6用于固定输入片内比较器的输出信号并且它作为一通用I/O口引脚而只读。
P3口输出缓冲器可吸收20mA电流。
对端口写1时,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电位,这时可作输入口。
P3口作输入口使用时,因为内部有上拉电阻,那些被外部信号拉低的引脚会输出一个电流(Iil)。
AT89C51单片机的P口特点:P0口:是一个8位漏极开路输出型双向I/O端口。
作为输出端口时,每位能以吸收电流的方式驱动8 个TTL输入,对端口写1时,又可作高阻抗输入端用。
在访问外部程序或数据存储器时,它是时分多路转换的地址(低8位)/数据总线,在访问期间将激活内部的上拉电阻。
计算机原理存储器
计算机原理中,存储器是指计算机用来存储数据和程序的部件。
存储器一般分为内存和外存两种类型。
内存是计算机中用于存储当前运行程序和数据的存储器。
它分为主存和辅存两部分。
主存是计算机中最主要的存储器,由半导体存储芯片构成,通常包括随机访问存储器(RAM)和只
读存储器(ROM)。
RAM具有读写功能,用于临时存储运行
程序和数据,数据可以快速读取和写入。
而ROM是只读存储器,其中的数据是固化的,无法进行修改。
主存的容量通常较小,但速度快。
外存主要是指硬盘、光盘等可以作为辅助存储器使用的设备。
相比主存,外存容量大,但速度较慢。
外存被用于长期存储程序和数据,能够持久保存。
计算机在运行过程中,通常需要将外存中的数据加载到主存中进行操作。
存储器在计算机中起到了至关重要的作用,它直接影响到计算机的性能和数据的处理速度。
不同类型的存储器在容量、速度和价格等方面有所差异,计算机系统需要根据不同的需求来选择合适的存储器组合。