硅集成电路工艺基础复习

集成电路工艺基础复习绪论1、Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。

2、特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。

3、提拉法（CZ法，切克劳斯基法）和区熔法制备硅片：答：区熔法制备的硅片质量更高，因为含氧量低。

目前8英寸以上的硅片，经常选择选择CZ法制备，因为晶圆直径大。

4、MOS器件中常使用什么晶面方向的硅片，双极型器件呢？答：MOS器件：<100> Si/SiO2界面态密度低；双极器件：<111>的原子密度大，生长速度快，成本低。

氧化1、sio2的特性二氧化硅对硅的粘附性好，化学性质比较稳定，绝缘性好2、sio2的结构，分为结晶形与不定形二氧化硅3、什么是桥键氧和非桥键氧连接两个Si-o四面体的氧称为桥键氧；只与一个硅连接的氧称为非桥键氧。

4、在无定形的sio2中，si、o那个运动能力强，为什么？氧的运动同硅相比更容易些；因为硅要运动就必须打破四个si-o键，但对氧来说，只需打破两个si-o键，对非桥键氧只需打破一个si-o键。

5、热氧化法生长sio2过程中，氧化生长的方向是什么？在热氧化法制备sio2的过程中，是氧或水汽等氧化剂穿过sio2层，到达si-sio2界面，与硅反应生成sio2，而不是硅向sio2外表面运动，在表面与氧化剂反应生成sio26、Sio2只与什么酸、碱发生反应？只与氢氟酸、强碱溶液发生反应7、杂质在sio2中的存在形式，分别给与描述解释，各自对sio2网络的影响能替代si-o四面体中心的硅，并能与氧形成网络的杂志，称为网络形成者；存在于sio2网络间隙中的杂志称为网络改变者。

8、水汽对sio2网络的影响水汽能以分子态形式进入sio2网络中，并能和桥键氧反应生成非桥键氢氧基，本反应减少了网络中桥键氧的数目，网络强度减弱和疏松，使杂志的扩散能力增强。

9、为什么选用sio2作为掩蔽的原因，是否可以作为任何杂质的掩蔽材料为什么？10、制备sio2有哪几种方法？热分解淀积法，溅射法，真空蒸发法，阳极氧化法，化学气相淀积法，热氧化法等。

硅集成电路（Silicon Integrated Circuit，简称Si IC）工艺是制造集成电路的关键技术。

下面是硅集成电路工艺的基础知识：
半导体材料：硅是最常用的半导体材料，因其丰富、稳定、可控制的电子特性而被广泛应用于集成电路制造。

显示基片：硅晶圆（Silicon Wafer）是制造硅集成电路的基础材料。

晶圆要求高纯度和平整度，并通过特定的杂质掺入工艺形成P型或N型半导体。

清洁和沉积：在制造过程中，晶圆需要经过清洁工艺以去除杂质和污染物。

然后，在晶圆上进行化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等薄膜沉积工艺，将各种功能层沉积在晶圆表面。

光刻：光刻是通过光刻胶（Photoresist）层和光刻机将设计好的图形传输到晶圆上。

光刻胶在曝光后通过显影工艺形成光刻图形，可以作为掩模来制备电路中的电子器件。

电子器件制造：通过沉积、蚀刻、掺杂等工艺步骤，在晶圆上制造各种类型的电子器件，如晶体管、电容器和电阻器等。

这些器件通常由不同的半导体材料和各种金属、氧化物和多层薄膜组成。

金属互连：通过沉积导电金属（如铜、铝等），并通过光刻、蚀刻等工艺形成金属线、连线和接触以连接各个电子器件。

金属互连提供了电子信号和电能传输的路径。

封装测试：晶圆完成器件制造后，它们被切割成单个芯片，然后通过封装工艺将芯片封装在塑料或陶瓷封装中。

最后，通过功能测试和可靠性测试来验证芯片的工作状态和性能。

这些是硅集成电路工艺的基础知识，基于这些基础，可以制造各种类型和规模的集成电路。

还有许多先进的工艺技术和制造方法，如多晶硅、离子注入、深紫外光刻等，用于制造更复杂、更高性能的集成电路。

硅集成电路工艺基础绪论：单项工艺的分类：1、图形转换：光刻、刻蚀2、掺杂：扩散、离子注入3、制膜：氧化、化学气相淀积、物理气相淀积第2章 氧化SiO 2的作用：1、在MOS 电路中作为MOS 器件的绝缘栅介质，作为器件的组成部分2、作为集成电路的隔离介质材料3、作为电容器的绝缘介质材料4、作为多层金属互连层之间的介质材料5、作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料6、扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si 3N 4层一起使用)阻挡层 热氧化方法制备的SiO 2是无定形制备二氧化硅的方法：热分解淀积法、溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、化学气相淀积法、热氧化法；热氧化法制备的SiO 2具有很高的重复性和化学稳定性，其物理性质和化学性质不太受湿度和中等热处理温度的影响。

SiO 2的主要性质： 密度：表征致密程度 折射率：表征光学性质密度较大的SiO 2具有较大的折射率波长为5500A 左右时， SiO 2的折射率约为1.46电阻率：与制备方法及所含杂质数量等因素有关，高温干氧氧化制备的电阻率达1016Ω· cm 介电强度：单位厚度的绝缘材料所能承受的击穿电压大小与致密程度、均匀性、杂质含量有关一般为106~107V/cm （10－1~1V/nm ） 介电常数：表征电容性能dSC SiO 20εε=（SiO 2的相对介电常数为3.9） 腐蚀：化学性质非常稳定，只与氢氟酸发生反应OH SiF H HF SiO SiF H HF SiF OH SiF HF SiO 26226242422)(6(224+→+→++→+六氟硅酸）还可与强碱缓慢反应 薄膜应力为压应力晶体和无定形的区别：桥键氧和非桥键氧桥联氧：与两个相邻的Si-O 四面体中心的硅原子形成共价键的氧 非桥联氧：只与一个Si-O 四面体中心的硅原子形成共价键的氧非桥联氧越多，无定型的程度越大，无序程度越大，密度越小，折射率越小 无定形SiO 2的强度：桥键氧数目与非桥键氧数目之比的函数 结晶态和无定形态区分——非桥联氧是否存在 杂质分类：网络形成者和网络改变者网络形成者：可以替代SiO 2网络中硅的杂质，即能代替Si －O 四面体中心的硅、并能与氧形成网络的杂质网络改变者：存在于SiO 2网络间隙中的杂质 SiO 2作为掩蔽层对硼、磷有效，对钠离子无效B 、P 、As 等常用杂质的扩散系数小， SiO 2对这类杂质可以起掩蔽作用 Ga 、某些碱金属（Na ）的扩散系数大， SiO 2对这类杂质就起不到掩蔽作用 Si 热氧化生长SiO 2的计算：02xC x C SiO Si = 无定形SiO 2的分子密度：322/102.22cm C SiO ⨯=硅晶体的原子密度：322/100.5cm C Si ⨯=干氧、水汽和湿氧。

硅集成电路考试基础知识第一章:1。

为什么常用的半导体材料选择硅(1)硅的丰度。

低成本消费；(2)更高的熔化温度允许更宽的工艺公差。

硅1412℃锗937℃(3)较宽的工作温度。

增加了半导体的应用范围和可靠性；(4)自然形成的氧化硅，优质稳定的电绝缘材料si，金刚石110面(线)密度最大，111面(线)密度最小2。

缺陷:主要缺陷(生长过程)、有害杂质(加工过程)(1)点缺陷:自间隙原子、空位、肖特基缺陷(原始原子向表面移动)、伦克尔缺陷(原始原子进入间隙)、外来原子(替代型、间隙型)(2)线缺陷: 位错(边缘位错(位错线的垂直滑移方向)、螺旋位错(位错线的平行滑移方向)、扩展位错(T增加，位错迁移))(3)表面缺陷: 堆垛层错(与原子紧密堆积结构紊乱相关的界面缺陷)(4)整体缺陷:杂质沉淀(5)有害杂质:1)杂质条纹:电活性杂质的条纹缺陷，导致晶体电阻率的微区不均匀2)有害杂质(三级):非金属、金属和重金属非金属:氧、碳重金属:铁和铜(引入复合中心以降低载流子寿命；容易沉积金属:纳，钾(引入浅能级中心参与传导)；铝的引入补偿了氮型材料的掺杂)。

基底材料要求:通过单晶生长过程中的质量控制和后续处理，提高了单晶的质量，使单晶趋于完美。

减少单晶材料中缺陷和有害杂质的后续处理方法通常采用吸杂技术。

吸收技术主要包括物理吸收、增溶吸收和化学吸收。

1)物理学:内在、背面损伤、应力、扩散2)溶解性增强:t增加，固体溶解度增加，杂质迁移率增加，并且很难沉积3)化学物质:含氮气体与硅表面金属杂质反应，产生挥发性产品缺陷要求、参数均匀性要求和晶片平整度要求4。

区域熔化法:将籽晶和多晶棒紧密粘结在一起，在将熔化区域从籽晶移动到多晶的另一端的过程中，使用分段熔化多晶棒将多晶转化为单晶。

1)水平区域熔化法(布里奇曼法)-1。

为什么常用的半导体材料选择硅(1)硅丰度。

低成本消费；(2)更高的熔化温度允许更宽的工艺公差。

硅1412℃锗937℃(3)较宽的工作温度。

1 SiO2的结构和性质:①分为结晶形和非结晶形（无定形），均由Si-O四面体组成：中心-硅原子，四个顶角-氧原子，形成O-Si-O 键桥，相邻四面体靠此键桥连接。

结晶形SiO2—由Si-O四面体在空间规则排列所构成。

非结晶形SiO2—依靠桥键氧把Si-O四面体无规则地连接起来，构成三维的玻璃网络体。

②热氧化制备SiO2的过程中，是氧或水汽等氧化剂穿过SiO2层，到达Si-SiO2界面，与Si反应生成SiO2，而不是Si向SiO2外表面运动、在表面与氧化剂反应生成SiO2。

2 SiO2的掩蔽作用:按杂质在网络中所处的位置可分为两类：网络形成者和网络改变者。

网络形成者（剂）--可以替代SiO2网络中硅的杂质，也就是能代替Si-O四面体中心的硅，并能与氧形成网络的杂质。

特点：离子半径与硅接近。

网络改变者（剂）--存在于SiO2网络间隙中的杂质。

一般以离子形式存在网络中。

特点：离子半径较大，以氧化物形式进入SiO2中，进入网络之后便离化，并把氧离子交给SiO2网络。

硅的热氧化的两种极限：一：当氧化剂在中的扩散系数D SiO2 很小时称为扩散控制，二当扩散系数D SiO2很大时称为反应控制。

3决定氧化常数的各种因素和影响氧化速率的因素：（1）氧化剂分压，在一定的氧化条件下，通过改变氧化剂分压课达到改变二氧化硅的生长速率的目的。

（2）氧化温度，温度对抛物型速率常数的影响是通过氧化剂在SiO2中的扩散系数产生的。

（3）硅表面晶向对氧化速率的影响。

（4）杂质对氧化速率的影响4 决定热氧化过程中的杂质在分布的因素：a杂质的分凝现象，b杂质通过二氧化硅的表面逸散，c氧化速率的快慢，d杂质在二氧化硅中的扩散速度。

5分凝系数与再分布的关系：m=杂志在硅中的平衡浓度/杂质在二氧化硅中的平衡浓度四种分凝现象：m<1，SiO2中慢扩散：B；m<1, SiO2中快扩散：H2气氛中的B；m>1, SiO2中慢扩散:P; m>1, SiO2中快扩散：Ga；6杂质扩散机构：（1）间隙式扩散——杂质在晶格间的间隙运动，（2）替位式扩散——杂质原子从一个晶格点替位位置运动到另一个替位位置。

复习题2-21、试说明热氧化法的两种基本方法，并比较两种方法的主要优缺点。

干氧氧化：是通过把硅暴露在高纯度氧气的高温气氛里完成氧化层均匀生长的方法。

氧化层结构致密、均匀性和重复性好，掩蔽能力强；与光刻胶粘附性较好，不易产生浮胶现象；氧化速度慢。

水汽氧化：高温下，将硅与高纯水产生的水蒸汽反应生成SiO2的方法。

水汽氧化速度更快；且受温度的影响更小；氧化层密度比干氧氧化的小(氧化层结构疏松，质量不如干氧氧化的好)；但可通过在惰性气体中加热氧化来改善；氧化层表面与光刻胶粘附性差，但可用吹干氧（或干氮）热处理来解决。

2、为什么水汽氧化生成的氧化层质量不如干氧氧化层？工艺中采用什么办法来改善其氧化层质量？原因：（1）由于水汽的进入，是网络中大量的桥键氧变为非桥键氧的羟基，使氧化层结构变疏松，密度降低，质量不如干氧氧化的好。

----可通过在惰性气体中加热氧化来改善。

（2）氢留在氧化层中，会产生陷阱或形成潜在的电荷态，造成结构的弱化和疏松。

（3）氧化层表面产生了极性的硅烷醇，它极易吸附水，从而使氧化层表面与光刻胶的粘附性变差。

----可用吹干氧（或干氮）热处理来解决。

3、什么是掺氯氧化？试说明氧化工艺中掺氯的主要优点。

掺氯氧化：在用于热氧化的干氧中填加少量卤素的一种新的热氧化技术，其将氯结合到氧化层中并集中分布在Si-SiO2界面附近，称之为掺氯氧化。

主要优点：可固定(称为钝化或俘获)可动离子，尤其是钠离子(Na+)，即氯有不断清洁含有这些杂质的环境的功效；可中和界面处的电荷堆积，降低了膜层中固定电荷和界面态密度；提高氧化速率提高10%~15%；增加了氧化层下面硅中少数载流子的寿命；减少了SiO2中的缺陷，提高了氧化层的抗击穿能力；减少了硅中的氧化诱生堆垛层错。

4、试说明什么是迪尔-格罗夫模型？试给出迪尔－格罗夫模型的示意图，并说明其物理含义。

Deal-Grove 氧化模型（线性－抛物线模型linear-parabolic model），是可以用固体理论解释的一维平面生长氧化硅的模型，是用来预测氧化层厚度的热动力学模型。

第一章：1.常用的半导体材料为何选择硅（1）硅的丰裕度。

消耗更低的成本；（2）更高的熔化温度允许更宽的工艺容限。

硅1412℃>锗937℃（3）更宽的工作温度。

增加了半导体的应用范围和可靠性；（4）氧化硅的自然生成，高质量、稳定的电绝缘材料si,金刚石110面（线）密度最大，111面（线）密度最小2.缺陷：原生缺陷（生长过程）、有害杂质（加工过程）（1）点缺陷：自间隙原子、空位、肖特基缺陷（原原子跑到表面）、弗伦克尔缺陷（原原子进入间隙）、外来原子（替位式、间隙式）（2）线缺陷：位错（刃位错（位错线垂直滑移方向）、螺位错（位错线平行滑移方向）、扩展位错（T增大，位错迁移））（3）面缺陷：层错（分界面上的缺陷，与原子密堆积结构次序错乱有关）（4）体缺陷：杂质沉积析出（5）有害杂质：1）杂质条纹：电活性杂质的条纹状缺陷，造成晶体电阻率的微区不均匀性2）有害杂质(三类)：非金属、金属和重金属非金属：O,C重金属：铁、铜（引入复合中心，减小载流子寿命；易在位错处沉积）金属:Na,K（引入浅能级中心，参与导电；Al引入对N型材料掺杂起补偿作用）3.对衬底材料要求：通过单晶生长过程中的质量控制和后续处理来提高单晶的质量,使之趋于完美。

减少单晶材料缺陷和有害杂质的后续处理方法通常采用吸除技术。

吸除技术主要有物理吸除、溶解度增强吸除和化学吸除。

1）物理：本征，背面损伤，应力，扩散2）溶解度增强：T增加，固溶度增加，杂质运动能力增加，难以沉积3）化学：含氮气体与硅表金属杂质反应，产生挥发性产物缺陷要求，参数均匀性要求，晶片平整度要求4.区熔法:将籽晶与多晶棒紧粘在一起,利用分段熔融多晶棒,在熔区由籽晶移向多晶另一端的过程中,使多晶转变成单晶体。

1)水平区熔法（布里吉曼法）---GaAs单晶2)悬浮区熔法(FZ)可制备硅、锗、砷化镓等多种半导体单晶材料5.单晶整形：单晶棒存在细径、放肩部分和尾部。

从晶片等径和电阻率均匀性要求出发,必须去掉这些部分,保留等颈部分。

填空1、集成电路的概念Integrated Circuit，缩写IC通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定的电路或系统功能。

---IC：制作在一个单晶片上的微型半导体电子线路2、集成电路中常用到的材料半导体衬底，基本原件等绝缘体绝缘层，掩膜，钝化层导体多晶硅-电极，连线，电阻等金属-互连，接触等3、晶体缺陷及分类晶体中某些格点上的周期性被破坏。

影响晶体的力学、热学、电学、光学等方面的性质。

原生缺陷在晶体生长过程中形成的缺陷。

有宏观缺陷和微观缺陷，包括：孪晶、裂纹、夹杂、位错、小角度晶界、微缺陷、空位团和微沉积等。

诱生缺陷（二次缺陷）在器件制备过程中产生的缺陷。

常见的有氧化层错、滑移位错和失配位错。

硅中的缺陷从结构上可分为四种点缺陷空位、填隙原子等引起的晶格周期性的破坏，发生在一个或几个晶格常数的限度范围内的缺陷。

如：空位、填隙原子。

线缺陷晶格周期性的破坏发生在晶体内部一条线的周围邻近的缺陷。

如位错(刃位错、螺旋位错、混合型位错)面缺陷原子层的排列发生错误而出现的缺陷。

如：层错微缺陷缺陷的线度大于点缺陷、而小于线缺陷或面缺陷的缺陷。

包括杂质微缺陷和结构微缺陷。

4、单晶硅的制备方法及各自特点5、大直径wafer的优势6、平面工艺具体包括那些工序，核心是什么7、双极型IC的基本制作工艺分类8、隔离的目的及方法9、MOS制备工艺分类及各自特点10、Bi-CMOS有哪几类工艺？各自有什么优缺点？11、薄膜种类及制备技术12、SiO2的生长方法13、实际生产中采用什么热氧化法，热氧化时加入HCl气体的主要作用；14、影响氧化物生长的因素有？15、氧化诱生堆垛层错产生的问题及解决方法16、退火的目的，快速热处理的优点17、氧化膜的质量表现在哪些方面18、氧化膜厚度的测量方法有哪些19、外延的定义及分类20、物理气相淀积方法热氧化过程中的杂质堆积与杂质耗尽；21、光刻的目的22．光刻要求23、光刻胶的基本化学组成24、光刻掩膜版有哪些，掩膜版主要分为两个组成部分25、光刻对准曝光的发展经历了哪五个阶段26、曝光有哪两大类，具体又有什么。

一、名词解释1化学气相沉积化学气体或蒸气和晶圆表面的固体产生反应在表面上以薄膜形式产生固态的副产品其它的副产品是挥发性的会从表面离开。

2物理气相沉积“物理气相沉积” 通常指满意下面三个步骤的一类薄膜生长技术: a.所生长的材料以物理的方式由固体转化为气体b.生长材料的蒸汽经过一个低压区域到达衬底c.蒸汽在衬底表面上凝聚形成薄膜3溅射镀膜溅射镀膜是利用电场对辉光放电过程中产生出来的带电离子进行加速使其获得一定的动能后轰击靶电极将靶电极的原子溅射出来沉积到衬底形成薄膜的方法。

4蒸发镀膜加热蒸发源使原子或分子从蒸发源表面逸出形成蒸汽流并入射到硅片衬底表面凝结形成固态薄膜。

5替位式扩散占据晶格位置的外来原子称为替位杂质。

只有当替位杂质的近邻晶格上出现空位替位杂质才能比较轻易地运动到近邻空位上6间隙式扩散间隙式扩散指间隙式杂质从一个间隙位置运动到相邻的间隙位置。

7有限表面源扩散扩散开始时表面放入一定量的杂质源而在以后的扩散过程中不再有杂质加入此种扩散称为有限源扩散。

8恒定表面源扩散在整个扩散过程中杂质不断进入硅中而表面杂质浓度始终保持不变。

9横向扩散由于光刻胶无法承受高温过程扩散的掩膜都是二氧化硅或氮化硅。

当原子扩散进入硅片它们向各个方向运动向硅的内部横向和重新离开硅片。

假如杂质原子沿硅片表面方向迁移就发生了横向扩散。

10保形覆盖保形覆盖是指无论衬底表面有什么样的倾斜图形在所有图形的上面都能沉积有相同厚度的薄膜。

二、简述题1、简述两步扩散的含义与目的。

答为了同时满足对表面浓度、杂质总量以及结深等的要求实际生产中常采用两步扩散工艺第一步称为预扩散或预淀积在较低的温度下采用恒定表面源扩散方式在硅片表面扩散一层杂质原子其分布为余误差涵数目的在于控制扩散杂质总量第二步称为主扩散或再分布将表面已沉积杂质的硅片在较高温度下扩散以控制扩散深度和表面浓度主扩散的同时也往往进行氧化。

2、扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么答扩散杂质所形成的浓度分布杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面这些杂质浓度将从表面到体内单调下降而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。

硅集成电路工艺基础绪论：单项工艺的分类： 1、图形转换：光刻、刻蚀 2、掺杂：扩散、离子注入3、制膜：氧化、化学气相淀积、物理气相淀积第2章 氧化SiO 2的作用：1、在MOS 电路中作为MOS 器件的绝缘栅介质，作为器件的组成部分2、作为集成电路的隔离介质材料3、作为电容器的绝缘介质材料4、作为多层金属互连层之间的介质材料5、作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料6、扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si 3N 4层一起使用)阻挡层 热氧化方法制备的SiO 2是无定形制备二氧化硅的方法：热分解淀积法、溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、化学气相淀积法、热氧化法； 热氧化法制备的SiO 2具有很高的重复性和化学稳定性，其物理性质和化学性质不太受湿度和中等热处理温度的影响。

SiO 2的主要性质： 密度：表征致密程度 折射率：表征光学性质密度较大的SiO 2具有较大的折射率波长为5500A 左右时， SiO 2的折射率约为1.46电阻率：与制备方法及所含杂质数量等因素有关，高温干氧氧化制备的电阻率达1016Ω· cm 介电强度：单位厚度的绝缘材料所能承受的击穿电压大小与致密程度、均匀性、杂质含量有关一般为106~107V/cm （10－1~1V/nm ）介电常数：表征电容性能dSC SiO 20εε=（SiO 2的相对介电常数为3.9） 腐蚀：化学性质非常稳定，只与氢氟酸发生反应OH SiF H HF SiO SiF H HF SiF OH SiF HF SiO 26226242422)(6(224+→+→++→+六氟硅酸） 还可与强碱缓慢反应 薄膜应力为压应力晶体和无定形的区别：桥键氧和非桥键氧桥联氧：与两个相邻的Si-O 四面体中心的硅原子形成共价键的氧 非桥联氧：只与一个Si-O 四面体中心的硅原子形成共价键的氧非桥联氧越多，无定型的程度越大，无序程度越大，密度越小，折射率越小 无定形SiO 2的强度：桥键氧数目与非桥键氧数目之比的函数 结晶态和无定形态区分——非桥联氧是否存在 杂质分类：网络形成者和网络改变者网络形成者：可以替代SiO 2网络中硅的杂质，即能代替Si －O 四面体中心的硅、并能与氧形成网络的杂质 网络改变者：存在于SiO 2网络间隙中的杂质 SiO 2作为掩蔽层对硼、磷有效，对钠离子无效B 、P 、As 等常用杂质的扩散系数小， SiO 2对这类杂质可以起掩蔽作用 Ga 、某些碱金属（Na ）的扩散系数大， SiO 2对这类杂质就起不到掩蔽作用 Si 热氧化生长SiO 2的计算：02xC x C SiO Si = 无定形SiO 2的分子密度：322/102.22cm C SiO⨯=硅晶体的原子密度：322/100.5cm C Si ⨯=干氧、水汽和湿氧。