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半导体的特性
半导体主要有以下特性。
1、半导体：导电能力随着掺入杂质、输入电压（电流）、温度和光照条件的不同而发生很大变化,人们把这一类物质称为半导体。
2、载流子：半导体中存在的两种携带电荷参与导电的“粒子”。
自由电子：带负电荷。
空穴:带正电荷。
特性:在外电场的作用下,两种载流子都可以做定向移动,形成电流。
3、电子技术的核心是半导体半导体之所以得到广泛的应用，是因为人们发现半导体有一下的三个特性。
(1)掺杂性:在纯净的半导体中掺入及其微量的杂质元素,则它的导电能力将大大增强。
(2)热敏性:温度升高,将使半导体的导电能力打发增强。
（3)光敏性：对半导体施加光线照射时，光照越强，导电能力越强。
3.P型半导体和N型半导体(重点)N型半导体:主要靠电子导电的半导体。
即:电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
P型半导体:主要靠空穴导电的半导体。
即:空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
PN结:经过特殊的工艺加工,将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起,则在两种半导体的交界面就会出现一
个特殊的接触面，称为PN 结。
半导体的特性
半导体是一种具有介于导体和绝缘体之间的电导性能的材料。
其特
性包括：
1. 导电性：半导体具有介于导体和绝缘体之间的导电性能。
在绝缘
体中，电子无法自由移动，而在导体中，电子可以自由移动。
半导体
的特点是在常温下，其导电性由掺杂与温度控制。
2. 能带结构：半导体的原子排列形成了能带结构，其中包含导带和
价带。
绝缘体的导带与价带之间的能隙非常大，而导体几乎没有能隙。
半导体的能隙介于导体和绝缘体之间，通常为1-3电子伏特。
3. 温度对导电性的影响：与导体不同，半导体的电导性能与温度密
切相关。
随着温度的升高，半导体的电导性能也会增加。
4. 掺杂：通过在半导体晶体中掺入少量的杂质，可以显著地改变其
导电性质。
杂质的掺杂可以分为N型和P型。
N型掺杂引入一个附加
的自由电子，而P型掺杂引入一个附加的空穴。
5. PN结：将N型和P型的半导体材料接触在一起形成PN结。
PN
结具有整流作用，即在正向偏置时，电流可以流动，而在反向偏置时，电流被阻塞。
6. 半导体器件：半导体的特性使其成为制造各种电子器件的理想材料，如二极管、晶体管、场效应管和集成电路等。
总的来说，半导体的特性使其成为现代电子技术的基础，广泛应用于计算机、通信、光电等领域。
第二章半导体材料的基本性质半导体材料是一类介于导体和绝缘体之间的材料，具有独特的电学性质和光学性质，广泛应用于电子器件和光电器件中。
本文将从电学性质和光学性质两个方面介绍半导体材料的基本性质。
一、电学性质1.带隙：半导体材料具有带隙，即价带和导带之间的能隙。
在绝缘体中，带隙较大，电子不易通过；在导体中，带隙为零，电子容易通过。
而在半导体中，带隙较小，介于绝缘体和导体之间，可以通过掺杂和加电场的方式改变其电导性能。
2.载流子：在半导体中，电子和空穴是载流子。
在纯净的半导体中，电子和空穴的数量相等，即n型和p型半导体中电子和空穴的浓度相等。
而在掺杂半导体中，通过掺杂可以使电子或空穴的浓度增加，从而改变其电导性质。
3.本征导电性：半导体材料在纯净状态下呈现本征导电性，即电导率较低。
本征导电性是由于半导体中的有限数量的载流子引起的。
n型半导体中主要是电子导电，p型半导体中主要是空穴导电。
本征导电性可以通过掺杂来改变。
4.外加电场下的导电性：在外加电场的作用下，半导体材料的导电性能发生变化。
当正电荷提供给半导体，将推动电子向正极移动，此时半导体变为n型半导体；当负电荷提供给半导体，将推动空穴向负极移动，此时半导体变为p型半导体。
这种现象被称为电场效应，也是半导体中众多器件如二极管和晶体管的基础。
二、光学性质1.吸收：半导体材料具有宽带隙能够吸收光的性质。
当光射入半导体中，部分光能会被电子吸收，使电子从价带跃迁到导带，此时光的能量将转化为电子的动能。
不同的半导体材料对不同波长的光吸收能力不同，这种特性使半导体材料成为光电器件的重要组成部分。
2.发光：除了吸收光能，有些半导体材料还可以发光。
当电子从导带跃迁到价带时，会释放出能量，部分能量以光的形式散发出来，形成发光现象。
不同的半导体材料对应不同的发光颜色，从红光到紫光等都可以通过不同材料的跃迁产生。
3.光电效应：半导体材料的光电效应是指当光照射到半导体表面时，会产生电流。
半导体的特性半导体是一种材料，具有介于导体和绝缘体之间的电导特性。
它在电子学和计算机科学领域有着广泛的应用，是现代科技产业的重要基础之一。
本文将探讨半导体的特性，并着重介绍三个方面：禁带宽度、载流子和PN结。
一、禁带宽度禁带宽度是指半导体材料中电子能级的分布情况。
具体而言，半导体的能带结构分为价带和导带两个能带，之间被称为禁带。
价带中填满了价电子，而导带中则存在自由电子。
禁带宽度是指这两个能带之间的能量差，以电子伏特（eV）为单位。
不同的半导体材料具有不同的禁带宽度。
常见的硅（Si）和锗（Ge）等有机半导体材料，其禁带宽度较小，大约为1至1.5 eV。
而氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料的禁带宽度较大，可达3至4 eV。
禁带宽度的大小直接影响着半导体的导电特性和应用范围。
二、载流子载流子是指半导体中在电场作用下可以运动的带电粒子。
在半导体中，主要存在两种类型的载流子：电子和空穴。
电子是负电荷载流子，它在外电场的作用下从价带跃迁至导带。
而空穴则是价带中被电子跃迁后留下的正电空位，它可以看作是电子的反粒子，具有正电荷。
半导体中的载流子浓度和移动性是半导体材料电子导电性能的关键因素。
纯度较高的半导体材料中，电子和空穴的浓度相等，处于热平衡状态。
但通过杂质掺杂等方法，可以引入额外的电子或空穴，从而改变载流子的浓度，使半导体具有特定的导电性能。
三、PN结PN结是半导体器件中最基本的结构之一，由n型半导体和p型半导体组成。
n 型半导体中的载流子主要是电子，在p型半导体中则主要是空穴。
PN结的形成是通过掺入不同的杂质实现的。
在PN结中，n型半导体与p型半导体之间存在着电场。
当PN结施加正向偏置电压时，电子从n区向p区运动，空穴则从p区向n区运动，形成电流。
这时，PN结处于导通状态。
而当施加反向偏置电压时，电子和空穴被阻止穿越PN结，电流几乎为零，此时PN结处于截止状态。
PN结的特性使其在半导体器件中起到重要的作用。
