第四章 存储器一、 填空题1. 计算机中的存储器是用来存放 的，随机访问存储器的访问速度与 无关。
√2. 主存储器的性能指标主要是 、 存储周期和存储器带宽。
√3. 存储器中用 来区分不同的存储单元，1GB= KB 。
√4. 半导体存储器分为 、 、只读存储器（ROM ）和相联存储器等。
√5. 地址译码分为 方式和 方式。
√6. 双译码方式采用 个地址译码器，分别产生 和 信号。
√7. 若RAM 芯片内有1024个单元，用单译码方式，地址译码器将有 条输出线；用双译码方式，地址译码器有 条输出线。
√8. 静态存储单元是由晶体管构成的 ，保证记忆单元始终处于稳定状态，存储的信息不需要 。
√9. 存储器芯片并联的目的是为了 ，串联的目的是为了 。
10. 计算机的主存容量与 有关，其容量为 。
11. 要组成容量为4M×8位的存储器，需要 片4M×1位的存储器芯片并联，或者需要 片1M×8位的存储器芯片串联。
12. 内存储器容量为6K 时，若首地址为00000H ，那么末地址的十六进制表示是。
13 主存储器一般采用 存储器件，它与外存比较存取速度 、成本 。
14 三级存储器系统是指 这三级 、 、 。
15 表示存储器容量时KB= ，MB= ；表示硬盘容量时，KB= ，MB=。
16一个512KB 的存储器，其地址线和数据线的总和是 。
17 只读存储器ROM 可分为 、 、 和 四种。
18 SRAM 是 ；DRAM 是 ；ROM 是 ；EPROM 是 。
19半导体SRAM 靠 存储信息，半导体DRAM 则是靠 存储信息。
20半导体动态RAM 和静态RAM 的主要区别是 。
21MOS 半导体存储器可分为 、 两种类型，其中 需要刷新。
22 广泛使用的 和 都是半导体 ③ 存储器。
前者的速度比后者快，但不如后者高，它们的共同缺点是断电后 保存信息。
23 EPROM 属于 的可编程ROM ，擦除时一般使用 ，写入时使用高压脉冲。
