中国国家电子级超纯水标准.doc

我国电子工业超纯水水质试行标准、半导体工业用纯水指标、集成电路水质标准。

电子工业部把电子级水质技术分为五个行业等级，分别为18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、0.5MΩ.cm，以区分不同水质。

电导率≤10μS/CM动物饮用纯水(医药)、普通化工原料配料用纯水、食品行业配料用纯水、普通电镀行业冲洗用去离子纯水、纺织印染用除硬脱盐纯水、聚脂切片用纯纯水、精细化工用纯水、民用饮用纯净水、其它有相同纯水质要求的用纯水.电导率≤4μS/CM电镀化学品生产用纯水、化工行业表面活性剂生产用纯水、医用纯化水、白酒生产用纯水、啤酒生产用纯水、民用饮用纯净水、普通化妆品生产用纯水、血透纯水机用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水.电阻率5~10MΩ.CM锂电池生产用纯水、蓄电池生产用纯水、化妆品生产用纯水、电厂锅炉用纯水、化工厂配料用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水.电阻率:10~15MΩ.CM动物实验室用纯水、玻壳镀膜冲洗用纯水、电镀用纯纯水、镀膜玻璃用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水.电阻率≥15 MΩ.CM医药生产用无菌纯水、口服液用纯水、高级化妆品生产用去离子纯水、电子行业镀膜用纯水、光学材料清洗用纯水、电子陶瓷行业用纯水、尖端磁性材料用纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水.电阻率≥17 MΩ.CM磁性材料锅炉用软化纯水、敏感新材料用纯水、半导体材料生产用纯水、尖端金属材料用纯水、防老化材料实验室用纯水、有色金属，贵金属冶炼用纯水、钠米级新材料生产用纯水、航空新材料生产用纯水、太阳能电池生产用纯水、纯水晶片生产用纯水、超纯化学试剂生产用纯水、实验室用高纯水、其它有相同纯水质要求的用纯水.电阻率≥18 MΩ.CM ITO导电玻璃制造用纯水、化验室用纯水、电子级无尘布生产用纯水等其它有相同纯水质要求的用纯水，光伏光电行业。

*此值未定。
50
美国半导体工业用纯水指标
项 目
Ⅰ级
Ⅱ级
Ⅲ级
Ⅳ级
残渣，mg/L
0.1
0.3
0.3
0.5
TOC，mg/L
0.02
0.05
0.10
0.40
颗粒，粒/L
500
1000
2500
5000
细菌数，个100mL
0
6
10
50
活性硅SiO2，μg/L
35Βιβλιοθήκη 1040电阻率MΩ·cm
18.3
17.9
17.5
17.0
阳离子，μg/L
1
1
10
500
硫酸根，最大值 ug/L
1
1
10
500
总有机碳，最大值 ug/L
20
100
200
1000
美国纯水水质标准
（美国计量测试学会ASTM纯水水质标准，1983）
序号
水质项目
单位
E-Ⅰ
E-Ⅱ
E-Ⅲ
E-Ⅳ
1
电阻率，25℃
MΩ.cm
18
15
2
0.5
2
二氧化硅（全）
µg/l
5
10
100
1000
3
微粒（粒径≥1μm）
个/ml
2
5
100
500
4
微生物
个/ml
1
10
50
100
5
有机物TOC
µg/l
50
200
1000
5000
6
铜Cu
µg/l
2
10

Aquaprince系列实验室超纯水机Aquaprince系列超纯水机操作简单，使用方便，结构紧凑、功能完备，是为一般实验室应用设计的。

特别适用于高效液相、离子色谱、原子吸收/发射光谱、氨基酸分析、TOC检测、环境监测、一般理化分析实验，理化检测、溶液配制，器皿冲洗、学生实验等实验项目。

产品功能特点1.自来水进水，全自动连续产水，极大的满足了实验室的用水需求；2.艾科浦专利的特殊深度除盐处理，更适合高含盐量（如中国北方地区）的进水水源，可有效减轻后级纯化柱的脱盐负担，降低设备运行成本约两倍以上；3.触摸键盘控制，产品小型集成化设计，占地面积小，外形美观；4.可选定时取水程序化设计，免除人工取水等候；5.可选故障自动监测系统，内置定时冲洗程序、IC微电脑智能控制系统运行；6.开机自检、缺水保护报警、停电自动复位、纯水箱满水后自动停机、超低压保护等功能；7.采用进口的RO膜、离子交换树脂、抛光核子级树脂、静音高压泵、电磁阀等，产品性能得到最大化的保证。

8.可选系统自动循环程序化设计，有效保证超纯水水质；9.RO自动冲洗，可选内置RO膜防垢程序设计，最大化延长配件寿命。

10.水质在线监测系统，可即时测量产水的水质，实现人机对话；11.可选RS232接口，记录历史水质情况；12.可选遥控/感应取水功能设计，更方便取水；13.标配有各规格（30L/40 L /60 L等）的纯水专用水箱供选；14.具备水质水量升级功能；Aquaprince标准有机型超纯水机Aquaprince标准无机型超纯水机Aquaprince基础分析型超纯水机Aquaprince基础应用型超纯水机根据客户需求量身定做机型，型号为：A□□-□□□□-U/PTZ；源水TDS<200ppm，单级反渗透0-10μs/cm，双级反渗透0-5μs/cm；超纯水：比电阻达到18.25MΩ.cm@25℃;符合中国GB6682-92的Ⅰ级水标准和ASTM CAP NCCLS标准；硅截留率＞99.9% ，吸光度（254nm,1cm光程）≤0.001，可溶性硅[以（SiO2）计]＜0.01ppm，微粒（＞0.22µm ）＜1/ml，重金属含量(ppm.max)＜0.01，TOC＜15 ppb超纯水：比电阻达到18.25MΩ.cm@25℃;符合中国GB6682-92的Ⅰ级水标准和ASTM CAP NCCLS标准；硅截留率＞99.9% ，吸光度（254nm,1cm光程）≤0.001，可溶性硅[以（SiO2）计]＜0.01ppm，微粒（＞0.22µm ）＜1/ml，重金属含量(ppm.max)＜0.01，菌落数<1cfu/ml，TOC＜10 ppb超纯水：比电阻达到18.25MΩ.cm@25℃;符合中国GB6682-92的Ⅰ级水标准和ASTM CAP NCCLS标准；硅截留率＞99.9% ，吸光度（254nm,1cm光程）≤0.001，可溶性硅[以（SiO2）计]＜0.01ppm，微粒（＞0.01µm ）＜1/ml，重金属含量(ppm.max)＜0.01，菌落数<1cfu/ml，热源含量＜0.001EU/ml，TOC：1-3 ppb谱尼上海实验室专业水质检测分析中心。

纯水等级标准国标纯水等级标准国标是《GB/T 6682-2008纯水质量规范》。

其中规定了纯水的五个等级，分别为Ⅰ级纯水、Ⅱ级纯水、Ⅲ级纯水、Ⅳ级纯水和Ⅴ级纯水。

各级别的纯水的指标要求如下：Ⅰ级纯水：电导率≤ 0.1μS/cm，总有机碳(TOC) ≤ 0.5mg/L，细菌总数≤ 1 cfu/mL，金属离子（Na、K、Ca、Mg、Fe、Cu、Zn、Mn、Ni、Cr、Cd、Pb）≤ 10μg/L，其他离子（Cl、NO3-、SO4^2-、PO4^3-、SiO2、NH4+）≤ 50μg/L。

Ⅱ级纯水：电导率≤ 1.0μS/cm，总有机碳(TOC) ≤ 2.0mg/L，细菌总数≤ 10 cfu/mL，金属离子（Na、K、Ca、Mg、Fe、Cu、Zn、Mn、Ni、Cr、Cd、Pb）≤ 50μg/L，其他离子（Cl、NO3-、SO4^2-、PO4^3-、SiO2、NH4+）≤ 100μg/L。

Ⅲ级纯水：电导率≤ 2.0μS/cm，总有机碳(TOC) ≤ 5.0mg/L，细菌总数≤ 100 cfu/mL，金属离子（Na、K、Ca、Mg、Fe、Cu、Zn、Mn、Ni、Cr、Cd、Pb）≤ 200μg/L，其他离子（Cl、NO3-、SO4^2-、PO4^3-、SiO2、NH4+）≤ 500μg/L。

Ⅳ级纯水：电导率≤ 4.0μS/cm，总有机碳(TOC) ≤ 10.0mg/L，细菌总数≤ 200 cfu/mL，金属离子（Na、K、Ca、Mg、Fe、Cu、Zn、Mn、Ni、Cr、Cd、Pb）≤ 500μg/L，其他离子（Cl、NO3-、SO4^2-、PO4^3-、SiO2、NH4+）≤ 1000μg/L。

Ⅴ级纯水：电导率≤ 10.0μS/cm，总有机碳(TOC) ≤20.0mg/L，细菌总数≤ 500 cfu/mL，金属离子（Na、K、Ca、Mg、Fe、Cu、Zn、Mn、Ni、Cr、Cd、Pb）≤ 1000μg/L，其他离子（Cl、NO3-、SO4^2-、PO4^3-、SiO2、NH4+）≤ 2000μg/L。

中国电子行业超纯水国家标准
电阻率MΩ.CM.（25℃）
18(95‰时间)不低于17
15(95‰时间)不低于13
硅≤μg/L
2
10
＞1μm微粒数
0.1
5
细菌个数≤个/ml
0.01
0.1
铜≤μg/L
0.2
1
锌≤μg/L
0.2
1
镍≤μg/L
0.1
1
钠≤μg/L
0.5
2
钾≤μg/L
0.5
2
氯≤μg/L
1
1
硝酸根≤μg/L
<吸光度（254nm,1cm光程）≤
0.001
0.01
-
蒸发残渣（105±2℃），mg/L≤
-
1.0
2.0
可容性硅[以（sio2）计]，mg/L<
0.01
0.02
-
实用三个等级净化水的技术要求(GB6682)：
一级水：基本上不含有溶解或胶态离子杂质及有机物。它可用二级水经进一步处理而制得。
二级水：可含有微量的无机、有机或胶态杂质。
1
1
磷酸根≤μg/L
1
1
硫酸根≤μg/L
1
1
总有机碳≤μg/L
20
100
中国实验室用水国家标准GB6682-2000
PH值范围（25℃）
-
-
5.0-7.5
电导率（25℃）,mS/m ≤
0.01
0.10
0.50
比电阻（MΩ.cm.25℃）≥
10
1
0.2
可氧化物质[以（0）计]，mg/L
-
0.08
0.40
三级水：适用一般实验室实验工作。

中华人民共和国国家标准GB/T 11446.1-1997电子级水代替GB 11446.1--89Electronic grade water1 范围本标准规定了电子级水的级别、要求、试验方法和检验规则.本标准适用于电子元器件生产和清洗用水．2 引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用丽构成为本标准的条文．本标准出版时，所示版本均为有效．所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性．GB/T 11446.3——1997 电子级水测试方法通则GB/T 11446.4——l997 电子级水电阻率的测试方法GB/T 11446.5——1997 电子级水中痕量金属的原子吸收分光光度测试方法GB/T 11446.6——1997 电子级水中二氧化硅的分光光度测试方法GB/T 11446.7——1997 电子级水中痕量氯离子、硝酸根离子、磷酸根离子、硫酸根离子的离子色谱测试方法GB/T 11446.8——1997 电子级水中总有机碳的测试方法GB/T 11446.9——1997 电子级水中微粒的仪器测试方法GB/T 11446.10——1997 电子级水细菌总数的滤膜培养测试方法3 定义本标准采用下列定义．3.1电子级水electronic grade water制造电子元器件工艺过程中所用的高纯水．3.2电阻率resistivity在规定温度下,1 cm²水溶液两相对面之间测得的电阻值．通常用符号P表示，单位为Ω﹒cm，纯水的理论电阻率为18.3 MΩ﹒cm (25℃)．3.3全硅total silicon水中可溶性硅和以二氧化硅胶体状态存在的硅的总量．3.4可溶性硅soluble silicon以单一分子状态存在于水中的溶解性硅酸盐．3.5微粒性物质granular matter除气体以外，以非液态分散在水中，并形成非均相混合物的物质．3.6总有机碳(TOC) total organic carbon水中以各种有机物形式存在的碳的总量．包括易被一般强氧化剂氧化的有机物和需用特殊方法氧化的有机物。

5
10
500
细菌个数，最大
，个/mL
10
100
铜，最大值，μ1
5
500
镍，最大值，μg/L
1
2
500
钠，最大值，μg/L
2
5
1000
钾，最大值，μg/L
2
5
500
氯，最大值，μg/L
1
1
10
1000
硝酸根，最大值，μg/L
1
1
5
500
磷酸根，最大值，μg/L
1
1
5
2
1
5
1
1
1
100
注*（95％时间不低于17），**（95％ 时间不低于13）
中国国家电子级超纯水GB/－1997标准
指标\级别
EW－Ⅰ
EW－Ⅱ
EW－Ⅲ
EW-Ⅳ
电阻率 MΩ，cm(25℃)
18以上，（95％时间）不低于17
15，（95％时间）不低于13
全硅，最大值,μg/L
2
10
50
1000
＞1μm微粒数，最大值，个/mL
500
硫酸根，最大值，μg/L
1
1
5
500
总有机
，最大值，μg/L
20
100
200
1000
电子级超纯水中国国家标准（GB/）
项目
级别
比电阻 MΩ.cm@25℃
硅 ≤ μg/L
>1μm微粒数 < 个/ml
细菌个数< 个/ml
铜≤μg/L
锌≤μg/L
镍≤μg/L
钠≤μg/L
钾 ≤ g/L
氧≤ μg/L

中华人民共和国国家标准GB/T 11446.1-1997电子级水代替GB 11446.1--89Electronic grade water1 范围本标准规定了电子级水的级别、要求、试验方法和检验规则.本标准适用于电子元器件生产和清洗用水．2 引用标准下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用丽构成为本标准的条文．本标准出版时，所示版本均为有效．所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性．GB/T 11446.3——1997 电子级水测试方法通则GB/T 11446.4——l997 电子级水电阻率的测试方法GB/T 11446.5——1997 电子级水中痕量金属的原子吸收分光光度测试方法GB/T 11446.6——1997 电子级水中二氧化硅的分光光度测试方法GB/T 11446.7——1997 电子级水中痕量氯离子、硝酸根离子、磷酸根离子、硫酸根离子的离子色谱测试方法GB/T 11446.8——1997 电子级水中总有机碳的测试方法GB/T 11446.9——1997 电子级水中微粒的仪器测试方法GB/T 11446.10——1997 电子级水细菌总数的滤膜培养测试方法3 定义本标准采用下列定义．3.1电子级水electronic grade water制造电子元器件工艺过程中所用的高纯水．3.2电阻率resistivity在规定温度下,1 cm²水溶液两相对面之间测得的电阻值．通常用符号P表示，单位为Ω﹒cm，纯水的理论电阻率为18.3 MΩ﹒cm (25℃)．3.3全硅total silicon水中可溶性硅和以二氧化硅胶体状态存在的硅的总量．3.4可溶性硅soluble silicon以单一分子状态存在于水中的溶解性硅酸盐．3.5微粒性物质granular matter除气体以外，以非液态分散在水中，并形成非均相混合物的物质．3.6总有机碳(TOC) total organic carbon水中以各种有机物形式存在的碳的总量．包括易被一般强氧化剂氧化的有机物和需用特殊方法氧化的有机物。

EW－Ⅱ
EW－Ⅲ
EW-Ⅳ
电阻率MΩ，cm(25℃)
18以上，（95％时间）不低于17
15，（95％时间）不低于13
12.0
0.5
全硅，最大值,μg/L
2
10
50
1000
＞1μm微粒数，最大值，个/mL
0.1
5
10
500
细菌个数，最大值，个/mL
0.01
0.1
10
100
铜，最大值，μg/L
0.2
1
2
500
0.1
铜 ≤μg/L
0.2
1
锌 ≤μg/L
0.2
1
镍 ≤μg/L
0.1
1
钠 ≤μg/L
0.5
2
钾 ≤μg/L
0.5
2
氯 ≤μg/L
1
1
硝酸根 ≤μg/L
1
1
磷酸根 ≤μg/L
1
1
硫酸根 ≤μg/L
1
1
总有机碳 ≤μg/L
20
100
中国国家电子级超纯水GB/TII446.1－1997标准
指标\级别
EW－Ⅰ
※
新闻动态
※
水质标准
※
行业知识
水质标准
中国电子行业超纯水国家标准
(GB/T11446.1-1997 )
指标名称
一级水（EW-1）
二级水（EW-2）
电阻率MΩ.CM.（25℃）
18(95‰时间)不低于17
15(95‰时间)不低于13
硅 ≤μg/L
2
10
微粒数 ＞1μm
0.1
5
细菌个数 ≤个/ml

实验室超纯水标准
实验室超纯水标准通常包括以下几个方面：
1. 电阻率：超纯水的电阻率是衡量水中离子杂质浓度的重要指标，通常要求在(25°C)以上。

2. 微生物含量：微生物计数是评估超纯水中生物负荷的关键参数，通常要求达到10CFU/mL (colony forming units permilliliter)以下。

3. 悬浮物和颗粒物：悬浮物和颗粒物影响超纯水的纯度，通常要求在1微米以下。

4. 有机物：有机物会影响超纯水的纯度和稳定性，通常要求总有机碳(TOC) 含量在几微克/升 (ug/L)以内。

5. 重金属离子：重金属离子可能对超纯水的应用产生不良影响，通常要求含量在几纳克/升（ng/L）以内。

6. 溶解气体：溶解气体会影响超纯水的性能，因此需要进行控制。

实验室超纯水可双蒸而成，或整合RO和离子交换/ EDI多种技术制成，也可以再结合吸附介质和UV灯。

这些指标是根据不同需求和用途而设定的，以确保超纯水适用于各种实验室工作，从试剂制备和溶液稀释，到为细胞培养配备营养液和微生物研究等。

具体的实验室超纯水标准可能会因实验室的要求和用途而有所不同，因此在实际应用中，还需要根据具体情况进行检测和评价。

电子超纯水纯度极高的水。

集成电路工业中用于半导体原材料和所用器皿的清洗、光刻掩模版的制备和硅片氧化用的水汽源等。

此外，其他固态电子器件、厚膜和薄膜电路、印刷电路、真空管等的制作也都要使用超纯水。

一、简介超纯水：既将水中的导电介质几乎完全去除，又将水中不离解的胶体物质、气体及有机物均去除至很低程度的水。

电阻率大于18MΩ*cm，或接近18.3MΩ*cm极限值（25℃）。

超纯水，是一般工艺很难达到的程度，采用预处理、反渗透技术、超纯化处理以及后级处理四大步骤，多级过滤、高性能离子交换单元、超滤过滤器、紫外灯、除TOC装置等多种处理方法，电阻率方可达18.25MΩ*cm（25℃）。

超纯水是美国科技界为了研制超纯材料（半导体原件材料、纳米精细陶瓷材料等）应用蒸馏、去离子化、反渗透技术或其它适当的超临界精细技术生产出来的水，这种水中除了水分子（H20）外，几乎没有什么杂质，更没有细菌、病毒、含氯二恶英等有机物，当然也没有人体所需的矿物质微量元素，一般不可直接饮用，对身体有害，会吸出人体中很多离子。

二、基本概况纯度极高的水。

集成电路工业中用于半导体原材料和所用器皿的清洗、光刻掩模版的制备和硅片氧化用的水汽源等。

此外，其他固态电子器件、厚膜和薄膜电路、印刷电路、真空管等的制作也都要使用超纯水。

超纯水是指下列杂质含量极低的水：①无机电离杂质，如Ca、Mg、Na、K、Fe2+、Fe3+、Mn、Al、HCO、CO、SO、Cl、NO、NO、SiO、PO等；②有机物，如烷基苯磺酸、油、有机铁、有机铝以及其他碳氢化合物等；③颗粒，如尘埃、氧化铁、铝、胶体硅等；④微生物，如细菌、浮游生物和藻类等；⑤溶解气体，如N2、O2、CO2、H2S等。

超纯水中电离杂质的含量用水的电阻率数值来衡量。

理论上，纯水中只有H离子和OH离子参加导电。

在25℃时超纯水的电阻率为18.3（兆欧·厘米），一般约为15～18（兆欧·厘米）。

中国国家电子级超纯水标准.doc附 1 中国国家电子级超纯水规格GB/电阻>1μ m率硅铜锌镍钠钾氯细菌磷酸根颗粒硝酸根硫酸根25℃≤μ≤μ≤μ≤μ≤μ≤μ≤μ≤个≤μTOC≤μ g/L≤个≤ g/L ≤μ g/L MΩg/L g/L g/L g/L g/L g/L g/L /ml g/L/ml*cmEW-I ≥ 18* 2 1 1 1 1 20≥1EW-II 10 0 0 1 2 2 1 5 1 1 1 100 **注* （ 95％时间不低于17）， ** （ 95％时间不低于13）中国国家电子级超纯水GB/－ 1997 标准指标级别EW－ⅠEW－ⅡEW－ⅢEW-Ⅳ18 以上，（95％时间）不低电阻率MΩ，cm(25℃ ) 15，（ 95％时间）不低于13于17全硅，最大值, μ g/L 2 10 50 1000 ＞1μ m微粒数，最大值，个 /mL 5 10 500细菌个数，最大10 100 ，个 /mL铜，最大值，μ g/L 1 2 500 锌，最大值，μ g/L 1 5 500 镍，最大值，μ g/L 1 2 500 钠，最大值，μ g/L 2 5 1000 钾，最大值，μ g/L 2 5 500 氯，最大值，μ g/L 1 1 10 1000 硝酸根，最大值，μg/L 1 1 5 500 磷酸根，最大值，μg/L 1 1 5 500 硫酸根，最大值，μg/L 1 1 5 500总有机201002001000 ，最大值，μg/L电子级超纯水中国国家标准（GB/）>1μm微项目比电阻MΩ.cm@25℃硅≤粒数 < 个细菌个数氧≤硝酸根≤磷酸根≤硫酸根总有机碳级别μg/L /ml < 个/ml 铜≤μ g/L 锌≤μ g/L 镍≤μ g/L 钠≤μ g/L 钾≤ g/L μg/L μg/L μg/L ≤μg/L ≤μg/L18（ 95%的时间不低于EW-Ⅰ 2 1 1 1 1 20 17）15（ 95%的时间不低于EW-Ⅱ10 5 1 1 1 2 2 1 1 1 1 100 13）。

ρ25=1/{αt(1/ρt-Gt)+0.05482}
式中：ρ25——２５℃时的电阻率ＭΩ.ＣＭ
ρt——t℃时的电阻率ＭΩ.ＣＭ
Gt——t℃时理论纯水的电导率μＳ／ＣＭ，其值见附录Ａ；
αt——t℃时修正系数，其值见附录Ａ；
0.05482——t℃时理论纯水的电导率μＳ／ＣＭ。
６.2其他技术指标测量方法
3．10微量micro-amount
试样量在1mg左右。
3．11 痕量 trace amount
试样量在1μg左右。
3．12百万分之一(ppm) part per million
重量比的量，相当于每百万重量的溶液中含一单位重量的溶质。在水质分析中，一殷也认为相当每升
水样含杂质的毫克数(mg／L)。
3．13十亿分之一(ppb)part per billion
7．2．2高纯水在贮存和运输时，应检查容器益是否密封严密。装有水样的容器不能在太阳下曝晒或放在高温处。冬天要注意防冻。
7. 2．3高纯水在贮存和运输过程中；应定时记录时间、温度和气候条件等。
沈阳光伏高纯水设备,沈阳多晶硅材料清洗用高纯水设备,沈阳触摸屏清洗纯水设备
7．1．3采集水样时，应先把管道中的积水放尽，并冲放5—10min，在流动状态取样。以保证水样有充分的代表性。
7．1．4取样的体积约为容器体积的0.6—0.8，不得太满。取样后。应迅速把容器盖严。
7．1. 5细菌分析采样容器必须经过高温消毒处理。
7．2 高纯水的贮存与运输
7．2．1分析高纯水中的阳、阴离子时，采集的水样可存放72H。细菌检验时，水样存放时间不得大于4H。
电阻率在5MΩ•cm以上，各种形式存在的物质含量有一定规定限制的很纯净水
3．8原水raw watcr

时间：2021.03.04
创作：欧阳地
0.2
1
2
500
锌，最大值，μg/L
0.2
1
5
500
镍，最大值，μg/L
0.1
1
2
500
钠，最大值，μg/L
0.5
2
5
1000
钾，最大值，μg/L
0.5
2
5
500
氯，最大值，μg/L
1
1
10
1000
硝酸根，最大值，μg/L
1
1
5
500
磷酸根，最大值，μg/L
1
1
5
500
硫酸根，最大值，μg/L
1
1
5
500
总有机酸，最大值，μg/L
20
100
200
1000
中国实验室用水国家标准
实验用三个等级净化水的技术要求(GB6682－1992)：
一级水：基本上不含有溶解或胶态离子杂质及有机物。它可用二级水经进一步处理而制得。
二级水：可含有微量的无机、有机或胶态杂质。
三级水：适用一般实验室实验工作。
指 标 名 称
指标\级别
EW－Ⅰ
EW－Ⅱ
EW－Ⅲ
EW-Ⅳ
电阻率 MΩ，cm(25℃)
18以上，（95％时间）不低于17
15，（95％时间）不低于13
12.0
0.5
全硅，最大值,μg/L
2
10
50
1000
＞1μm微粒数，最大值，个/mL
0.1
5
10
500
细菌个数，最大值，个/mL
0.01
0.1
10

0.001
0.01
-
蒸发残渣（105±2℃），mg/L≤
-
1.0
2.0
可容性硅[以（sio2）计]，mg/L<
0.01
0.02
-
中国国家电子超纯水规格GB/T1146.1-1997
级别
指标
EW-I
EW-II
电阻率MΩ.cm（25℃）
18以上（95%时间）不低于17
15（95%时间）不低于13
硅≤µg/l
氯胺
硝酸盐
硫酸盐
*微量金属
最高允许
浓度（mg/L）
10
3
8
150
0.2
0.5
0.0
2
100
0.1
铜、水银、钡、锡及锌各以0.1mg/L为限度
无菌/无热源/
2
10
>1µM微粒数≤个/ml
0.1
5
细菌个数≤个/ml
0.01
0.1
铜≤µg/l
0.2
1
锌≤µg/l
0.2
1
镍≤µg/l
0.1
1
钠≤µg/l
0.5
2
钾≤µg/l
0.5
2
氯≤µg/l
1
1
硝酸根≤µg/l
1
1
磷酸根≤µg/l
1
1
硫酸根≤µg/l
1
1
总有机碳≤µg/l
20
100
美国试药级用水的标准规格
（美国临床病理学会CAP，美国材料实验学会ASTM，国立临床检查标准化委员会NCCLS）
-
-
过锰酸钾消毒（分.min）
60
60
60