雪崩测试【参考模板】

MOSFET 的UIS 及雪崩能量解析及雪崩能量解析 在功率的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS ，雪崩电流IAR ，重复脉冲雪崩能量EAR 等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。

本文将论述这些问题，同时探讨功率MOSFET 在非钳位感性开关条件下的工作状态。

EAS ，IAR 和EAR 的定义及测量MOSFET 的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关 在功率的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR 等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。

本文将论述这些问题，同时探讨功率MOSFET 在非钳位感性开关条件下的工作状态。

EAS EAS，，IAR 和EAR 的定义及测量的定义及测量 MOSFET 的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关，其最终的表现就是温度的上升，而温度上升与功率水平和硅片封装的热性能相关。

功率半导体对快速功率脉冲（时间为100～200μs）的热响应可以由式1说明：(1)其中，A 是硅片面积，K 常数与硅片的热性能相关。

由式(1)得：(2)其中，tav 是脉冲时间。

当长时间在低电流下测量雪崩能量时，消耗的功率将使器件的温度升高，器件的失效电流由其达到的峰值温度所决定。

如果器件足够牢靠，温度不超过最高的允许结温，就可以维持测量。

在此过程内，结温通常从25℃增加到TJMAX，外部环境温度恒定为25℃，电流通常设定在ID 的60%。

雪崩电压VAV 大约为1.3倍器件额定电压。

雪崩能量通常在非钳位感性开关UIS 条件下测量。

其中，有两个值EAS 和EAR，EAS 为单脉冲雪崩能量，定义了单次雪崩状态下器件能够消耗的最大能量；EAR 为重复脉冲雪崩能量。

雪崩整流二极管的选择与使用一、雪崩整流二极管额定正向平均电流I F(A V)的选择：一般来讲雪崩整流二极管额定正向平均电流I F(A V)是交流发电机额定输出电流I0的0.4至0.5倍，即：I F(A V)=(0.4～0.5)×I0---------------------------------------(1)这样选择的先决条件是雪崩整流二极管的外壳温度T C低于170℃。

图1、交流发电机应用电原理图图2、交流发电机三相整流电压、电流波形图二、雪崩击穿电压V(BR)的选择交流发电机所用雪崩二极管的雪崩击穿电压选择要根据其作用耒选择，它的主要目的是当产生故障时，在抛负载时雪崩管要能吸收故障电压，保护调节器不受损伤、在调节器失控时雪崩管要击穿使交流发电机不发电，起到保险丝作用，保护车内ECU不受损伤，把恶性事故化成一般故障。

汽车上ECU本身它在输入端接了一个MR2535L雪崩二极管，它选用的击穿电压是27—32V(对14V系统讲)，所以它要求发电机所用的雪崩二极管的雪崩击穿电压小于27V，原配套的发电机所选用的雪崩击穿电压为20—24V，这一点希望大家注意。

三、反向重复峰值浪涌电流I RSM的选择从图1、图2中我们可以看到在任一时刻三相整流桥中只有一对桥臂中有电流，即只有两根相线中有电流通过，通过的电流波形是带馒头形的近似矩形波电流。

为了估算方便我们把它看成一个矩形波电流，峰值电流为发电机输出电流I0 。

如果我们假设每相线圈的电感为L、直流电阻为零，此时发电机绕组具有能量为2I0L2，绕组具有的能量与抛负载后产生的峰值电压与抛负载时的电流成正比、与发电机绕组电感的平方成正比。

L值的大小决定抛负载后雪崩击穿的持续时间。

××××图3、抛负载后能量泄放示意图我们为了估算方便，假设抛负载前后发电机的输出功率不变，抛负载前发电机输出电压为V R0、电流为I0，则输出功率为V R0×I0。

APD光电二极管综合实验仪GCAPD-B实验指导书武汉光驰科技WUHAN GUANGCHI TECHNOLOGY CO.,LTD目录第一章 APD光电二极管综合实验仪说明 ................ - 3 -一、电子电路部份结构散布........................ - 3 -二、光通路组件 ................................. - 4 - 第二章 APD光电二极管特性测试.................... - 5 -一、APD光电二极管暗电流测试.................... - 7 -二、APD光电二极管光电流测试.................... - 8 -3、APD光电二极管伏安特性....................... - 8 -4、APD光电二极管雪崩电压测试 ................... - 9 -五、APD光电二极管光照特性...................... - 9 -六、APD光电二极管时刻响应特性测试 ............. - 10 -7、APD光电二极管光谱特性测试 .................. - 10 -第一章 APD光电二极管综合实验仪说明一、产品介绍雪崩光电二极管的特点是高速响应性和放大功能。

雪崩光电二极管(APD)的基片材料可采纳硅和锗等材料。

其结构是在n型基片上制作p层，然后在配置上p+层。

一样上部的电极制作成环状，这是考虑到能取得稳固的“雪崩”效应。

外来的光线通过薄的p+层，然后被p层吸收，从而产生了电子和空穴。

由于在p层上存在着105V/cm的电场，因此位于价带的电子被冲击离子化后，产生雪崩倍增效应，电子和空穴不断产生。

这种元件能够用作范围的光纤通信的受光装置和光磁盘的受光期间还，能够有效地处置微弱光线的问题，当量子效率为68%以上时，可取得大于300MH z的高速响应。

模块测试报告模板篇一：测试报告模版测试报告项目：工业智能与供应链编写：张华文档版本目录1. 简介 ................................................ . (4)编写目的................................................. ................................................... ................ 4 参考资料................................................. ................................................... ................ 4 术语定义................................................. ................................................................... 4 项目背景................................................. ................................................... ................ 4 测试环境................................................. ................................................... ................ 4 测试人员安排情况 ................................................ ....................................................5 测试时间................................................. ................................................... ................ 5 测试版本信息 ................................................ ................................................... .........6 测试案例分布情况 ................................................ ....................................................6 测试案例执行情况 ................................................ ....................................................6 测试结果汇总 ................................................ ................................................... ......... 7 测试缺陷状态分析 ................................................ ....................................................8 测试结果分析 ................................................ ................................................... ......... 9 重要缺陷摘要 ................................................ ................................................... ....... 11 残留缺陷与未解决问题 ................................................ .......................................... 11 测试结论................................................. ................................................... .............. 12 建议 ................................................ ................................................... . (12)2. 测试背景 ................................................ (4)3. 测试计划进度执行情况 ................................................ (5)4. 测试执行阶段情况报告 ................................................ (6)5. 缺陷的统计与分析 ................................................ . (7)6. 测试结论和建议 ................................................ .. (12)1. 简介编写目的本测试报告为XXX项目的测试报告，目的在于总结测试阶段的测试以及分析测试结果，描述系统是否符合需求（或达到XXX功能目标）。

MOSFET雪崩测试及失效模式分析摘要：本文介绍了功率MOSFET及雪崩测试的基本概念，并对雪崩测试后产生的失效样品进行了研究分析，从而得出封装过程及晶圆设计缺陷均能引起器件雪崩失效。

关键词： MOSFET 雪崩测试失效分析1. 功率MOSFE简介金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。

依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET。

2. 雪崩测试原理雪崩能量通常在非钳位感性开关UIS条件下测量。

其中，有两个值EAS和EAR，EAS为单脉冲雪崩能量，定义了单次雪崩状态下器件能够消耗的最大能量;EAR为重复脉冲雪崩能量。

雪崩能量依赖于电感值和起始的电流值。

实际封装测试时只测试EAS。

EAS 特性通常用来描述功率MOSFET在非钳制电感电路中能够承受电流大小的能力，或通常用来描述功率MOSFET在雪崩击穿下负载能量的能力。

EAS特性好坏会直接影响到器件的安全工作区及寿命，因此对于功率MOSFET而言，EAS特性被认为是器件安全性的重要指标。

图2 EAS测试原理图及波形3. 失效分析EAS测试是通过施加一单脉冲能量来考核MOSFET产品的承受能力, 用以剔除芯片本身存在的潜在缺陷或装配过程中造成轻微损伤的不良品, 从而使产品在使用前得到有效的筛选, 能够更可靠的工作。

EAS测试的不良品通常表现为栅极漏电流ISGS超标或短路。

第四章词汇一.单项选择题1.“老生常读”中的“老”是（）。

A.实语素，音节B.虚语素，音节C.词，音节D.音节【解析】A “老生常读”中的“老”是实语素，也是音节。

2.“放牧“一词的复合方式属于（）。

A.联合式B.偏正式C.动宾式D.补充式【解析】A 本题考查联合式的复合方式，联合式复合词由两个意义相同、相近、相关或相反的词根并列组成。

本题“放牧”符合联合式复合词的这一概念。

3.下面词例中都为重叠式合成词的一组是（）。

A.刚刚，漫漫，仅仅，偏偏B.匆匆，偏偏，潺潺，灿灿C.纷纷，淡漫，灿灿，起起D.刚刚，姐姐，仅仅，偏偏【解析】D 本题考查重叠式合成词，重叠式由同一个语素前后重叠而成。

这种合成词有的是名词，例如：姐姐、爸爸、妈妈、星星等。

也有些是副词，例如：常常、刚刚、偏偏、渐渐、仅仅等。

4.复合词“海洋，飞跑，傍晚，书本”的结构关系分别是（）。

A.偏正、动宾、补充、联合B.联合、偏正、动宾、补充C.联合、补充、偏正、主谓D.偏正、动宾、联合、补充【解析】B 本题考查复合词的结构，复合词“海洋，飞跑，傍晚，书本”关系分别是联合、偏正、动宾、补充的结构。

5.下面在普通话中其有同音词关系的是（）。

A.因为——音位B.依——医C.是——事儿D.公式——攻势【解析】D 本题考查同音词，同音词是语音形式相同而意义完全不同的词，也称为同音异义词。

本题“公式——攻势”是有其同音词的关系。

6.下列各组词中，都是两极关系反义词的一组是（）。

A.生—死；正确—错误B.动一静；朋友—敌人C.大一小；先进—落后D.高—低；出席—缺席【解析】A 本题考查反义词，词的理性意义相反相对的词叫反义词。

本题属于两极关系反义词的是A答案。

7.对下列词语解释得不切当的是（）。

A.首当其冲—最先受到攻击或遭遇灾难。

B.庸人自扰—本来无事，自己惹出麻烦来干着急。

C.少不更事—年纪轻，经历的事不多，缺乏经验。

D.水落石山—水退了，石头露出来了。

功率MOSFET雪崩电流及重复雪崩能量有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件不同，对测量结果的影响非常大。

IAR和EAR的测试电路和单脉冲雪崩电流以及单脉冲雪崩能量一样，中、低功率MOSFET使用去耦测量电路，高压功率MOSFET使用非去耦测量电路，只是在测试过程中使用多个重复的连续脉冲测量，上面为非去耦电路测量的波形，下面为去耦电路测量的波形。

IAR和EAR的测量的条件为：1、电感值；2、起始温度，如25C；2、MOSFET硅片最大的结温，不超过150C或175C。

其它的条件：1、雪崩电流值：电感值一定，由MOSFET导通的时间决定；2、重复脉冲间隔的时间，也就是脉冲周期Ts或频率fs。

重复UIS脉冲加到功率MOSFET，它的结温将会有一个平均值的增加, 此平均值基于平均的功耗，同时伴随着每一个脉冲的峰值温度。

当电流密度足够大，峰值的温度足够高，器件将会产生和单脉冲雪崩机理一样的破坏。

没有通用标准来定义重复脉冲的额定值，有二种方法来标定重复脉冲的额定值。

方法1：选择一个电感值，如L=1μH，脉冲占空比0.01，fs=100kHz，增加测量的雪崩电流，直到平均的温度达到TJ=150C或175C来设定电流IAR，或增加电流直到器件破坏发生，然后降额到一定的IAR额定值。

这种方法依赖于测量的电感值和频率。

频率增加，IAR下降；电感变化，IAR也会变化。

方法2：由于功率MOSFET结温受限于TJ=150C或175C，在测试过程中，为了满足这个限制的条件，就要限制雪崩的电流值或测量的频率。

如果减小测量的频率，当频率足够低，以致于器件在每个脉冲后可以回到起始结温TJ=25C，这样重复脉冲和单脉冲的雪崩电流和能量值就会相同：EAR=EAS，IAR=IAS，也就不用区分EAR和EAS，IAR和IAS。

课程设计(论文)说明书题目：DES算法测试院（系）：信息与通信学院专业：信息对抗技术学生姓名：***学号： ********** 指导教师：***职称：副教授题目类型：理论研究2011年12月12日摘要数据加密标准（DES，Data Encryption Standard）为密码体制中的对称密码体制，又被成为美国数据加密标准。

为了测试DES算法的安全性，本文中对DES算法的加解密原理及整体结构进行了介绍并进行DES算法的差分性和雪崩性测试。

根据C语言编写的DES加密算法程序对DES算法进行测试得到相关的数据，通过所得的数据进行差分性和雪崩性分析。

通过分析结果可知DES算法具有良好的差分性和雪崩性。

关键词：DES；密钥；加密；解密；算法测试；差分性、雪崩性分析。

AbstractDES（Data Encryption Standard) symmetric for the password system password system, but also by the United States Data Encryption Standard.In order to test the security of the DES algorithm, this paper on the DES encryption algorithm and the overall structure of the theory are described and the differential of the DES algorithm and avalanche test.According to the C language DES encryption algorithm has been tested on the DES algorithm related data, the data obtained by differential and avalanche analysis. DES algorithm by analyzing the results we can see the difference and has a good avalanche of.Keywords:DES; encryption; decryption; key; algorithm testing; differential resistance, avalanche analysis.目录引言 (1)1 课设简介 (2)1.1 主要技术要求 (2)1.2 主要软件需求 (2)1.3 DES 算法整体结构 (1)2 DES算法的分析 (2)2.1 DES算法简介 (2)2.2 DES算法工作的基本原理 (3)2.3 DES算法的加密endes( ) (3)2.3.1初始IP置换permute( ) (3)2.3.2 16轮迭代round( ) (4)2.3.3逆初始置换IP-1 (4)2.3.4密钥的产生 (4)2.3 DES算法的解密 (5)3 DES算法测试 (4)3.1 DES算法的加解密测试 (5)3.2测试主程序的流程图 (5)3.3变量和函数说明 (6)3.4 测试结果分析 (8)3.4.1 K1情况下，改变1bit后的密文分析 (8)3.4.2 K2情况下，改变1bit后的密文分析 (10)3.4.3 K1情况下，改变2bit的密文分析 (12)3.4.4结果分析 (14)4 总结 (15)谢辞 (16)参考文献 (17)附录 (18)桂林电子科技大学课程设计（论文）报告用纸第1页共28页引言DES算法，美国国家标准局1973年开始研究除国防部外的其它部门的计算机系统的数据加密标准。

快时间分辨平行板雪崩计数器性能测试陈宇;黎光武;张刚;张文慧;闫果红;顾先宝;陈艳超【摘要】用241Am α源对裂变多参数实验中使用的平行板雪崩计数器(PPAC)进行了各探测单元时间分辨和位置分辨的系统测试.PPAC的工作气体为异丁烷,流气气压为600Pa,阴极工作电压为-600V.使用飞行时间法测得探测单元的时间分辨好于400 ps,使用延迟线法得出位置分辨为6 mm.结果表明,PPAC的性能满足实验需求.%Systematic test on each detect unit of parallel plate avalanche counter (PPAC)used in the fission multi-parameter measurement was performed with a 241 Am α source to get the time resolution and position resolution.The detectors work at 600 Pa flowing isobutane and with -600 V on cathode.The time resolution was got by TOF method and the position resolution was got by delay line method.The time resolution of detect units is better than 400 ps, and the position resolution is 6 mm.The results show that the demand of measurement is fully covered.【期刊名称】《原子能科学技术》【年(卷),期】2011(045)004【总页数】4页(P491-494)【关键词】平行板雪崩计数器;时间分辨;位置分辨【作者】陈宇;黎光武;张刚;张文慧;闫果红;顾先宝;陈艳超【作者单位】中国原子能科学研究院,北京102413;中国原子能科学研究院,北京102413;兰州大学,甘肃兰州730000;兰州大学,甘肃兰州730000;山西师范大学,山西临汾041004;中国原子能科学研究院,北京102413;中国原子能科学研究院,北京102413【正文语种】中文【中图分类】TL816.4平行板雪崩计数器（PPAC）作为一工作在雪崩区的气体探测器，对重带电粒子的探测效率接近100%，计数率可高达103～105 s－1；入射窗厚度仅几μm，对重离子的散射较少；可调节工作气体种类和工作气压以满足探测不同类型和能量的粒子的需求；可在磁场条件下正常工作；探测器灵敏体积大小和形状几乎不受限制；核辐射损伤较少或极易恢复；成本低廉，使用方便。

晶闸管长雪崩特性测试参数优化摘要：在《HVDC换流阀晶闸管雪崩特性测试技术》一文中对晶闸管雪崩特性的测试电路参数有着详细的计算，按照该参数设计的雪崩测试设备，在实际电路参数搭配中存在电路前端电压过高而大幅增加了设备成本的问题。

本文针对电路中的参数搭配进行了仿真设计，并在实际电路中验证有效降低前端电压，大幅节省了设备成本。

关键词：长雪崩测试参数优化节约成本1 概述目前在我国特高压电网建设中，将以1000kV交流特高压输电为主形成特高压电网骨干网架，实现各大区电网的同步互联;±800kV特高压直流输电则主要用于远距离、中间无落点、无电压支撑的大功率输电工程。

由于容量大，耐压高，对于换流阀的要求会更加严格，因此换流阀中的晶闸管不光要满足常规的技术参数，还需要满足比较特殊的雪崩电压的技术参数。

此技术参数可以有效提高特高压直流的可靠性，降低元部件故障率。

雪崩特性参数是相对较为特殊的晶闸管测试参数，主要是针对特高压直流输电中晶闸管必须要满足雪崩特性参数的测试。

研究晶闸管的雪崩特性，主要是研究多只晶闸管串联应用时，对操作波、陡波、雷电波冲击的耐受能力。

因此晶闸管雪崩电压测试设备的研究就显得尤为重要。

2 晶闸管雪崩特性测试技术2.1雪崩电压定义及原理参照《GBT 20992-2007高压直流输电用普通晶闸管的一般要求》中反向雪崩电压的参数要求，在规定条件下，检验晶闸管反向雪崩电压额定值，波形及等效电路如下：图1 雪崩电压波形长雪崩t a为30%～90%的雪崩脉冲电压V RAL,标准波形要求t a=250μs；t b为50%的雪崩脉冲电压V RAL,标准波形要求t a=2500μs；短雪崩t a为30%～90%的雪崩脉冲电压V RAL,标准波形要求t a=1.2μs；t b为50%的雪崩脉冲电压V RAL,标准波形要求t b=50μs；图2 等效电路C1具有近似恒流源性能的储能电容器ST1具有快速开通特性的可关断电子开关R02波前电阻C2产生雪崩电压波形的电容器R01与R02共同构成波尾电阻L1抑制R01回路电流的电抗器R03被测元件发生雪崩击穿时的限流电阻DUT被测器件根据图2雪崩电压等效电路，反向雪崩电压波形的产生依靠C1储能电容通过ST1触发后，C1将通过ST1和R02对C2进行充电，同时C1也将通过R01和L1进行放电，从而产生反向雪崩电压波形，这个过程将产生规定的电压上升沿及下降沿波形。