AVX多层陶瓷瞬变电压抑制器件(TVS)规格书
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瞬态电压抑制二极管(TVS)特点及主要参数一、TVS器件的特点瞬态(瞬变)电压抑制二级管简称TVS器件,在规定的反向应用条件下,当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时,其工作阻抗能立即降至很低的导通值,允许大电流通过,并将电压箝制到预定水平,从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。
TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦,其箝位响应时间仅为1ps(10-12S)。
TVS允许的正向浪涌电流在T =25℃,T=10ms条件下,可达50~200A 。
双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率,并把电压箝制到预定水平,双向TVS适用于交流电路,单向TVS一般用于直流电路。
二、TVS器件的电特性1、单向TVS的V-I特性如图1-1所示,单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同,反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿,为典型的PN结雪崩器件。
从击穿点到Vc值所对应的曲线段表明,当有瞬时过压脉冲时,器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值,并保持在这一水平上。
2、双向TVS的V-I特性如图1-2所示,双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合,其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性,正反两面击穿电压的对称关系为:0.9≤V(BR)(正) /V(BR)(反) ≤1.1,一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉,双向TVS在交流回路应用十分方便。
三、TVS器件的主要电参数1、击穿电压V(BR)器件在发生击穿的区域内,在规定的试验电流I(BR)下,测得器件两端的电压称为击穿电压,在此区域内,二极管成为低阻抗的通路。
2、最大反向脉冲峰值电流I PP在反向工作时,在规定的脉冲条件下,器件允许通过的最大脉冲峰值电流。
I PP与最大箝位电压Vc(MAX)的乘积,就是瞬态脉冲功率的最大值。
使用时应正确选取TVS,使额定瞬态脉冲功率P PR大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。
一文详解瞬态电压抑制二极管,看完再也不怕被忽悠了提及电路保护元器件,对于行业人而言,能够夸夸其谈,三天三夜都说不完;而对于行外人或者刚入门的人而言,犹如看天书,稍不慎,很容易掉进盲区。
不可否认,在这个网络信息技术发达的时代,关于tvs管各种各类的信息随处可见,但,其真正有多少是专业、科学的,都有待考究和甄别。
为此,东沃电子,特意为大家科普下关于瞬态电压抑制二极管这方面的知识。
何为tvs管,有什么作用?TVS(Transient Voltage Suppressor)管,也称瞬态电压抑制二极管,是在齐纳二极管工艺基础上发明的一种新型高效电路保护元器件,p秒级别的响应时间和高浪涌吸收能力是tvs管的核心优势。
tvs管的工作原理,与常见的齐纳二极管极其相似,在一定范围内,均可以限制电路中两端的电压,使得两极间的电压箝位稳定在一个安全值,从而有效地保护电路中的精密元器免受破坏高压、高流、高涌破坏。
目前,tvs管广泛应用在家用电器、计算机系统、通讯设备、汽车电子、交/直流电源、电子镇流器、工业控制、医学、航空等方面。
如何区分tvs管的正负极和单双向?当瞬态电压抑制二极管这个产品在您手上时候,第一时间,要知道这个产品的正负极和单双向。
1)看标志:tvs管,有单向和双向之分,单向的一端呢,有细色环,接的是正极,而双向的呢,中间有两道环,或者没有任何标志,没极性。
2)看规格书:一般在第一页,双向为双向导通,单向为单向导通。
3)看型号:tvs管的型号命名是有规律的,大部分tvs管型号均能看出参数,具体可以咨询东沃电子,一家真正专注于电路保护元器件研发、生产、销售为一体的新兴企业。
4)借助万用表工具:单向一边又电压,直流方面有雪崩击穿特性;双向都有电压,直流方面,双向对称。
如何选择tvs管的型号?关于tvs管型号选择这个问题,东沃电子曾科普了很多这方面的知识。
在这里,就简单总结几点,如有不懂之处,东沃电子的技术人员随时随地为您解答,根据您的需求推荐最适合您的产品。
片式氧化锌压敏电阻器与TVS管技术对比QQ:917603226深圳顺络电子有限公司2008.01.22目录一、 片式氧化锌压敏电阻器的微观结构和工作原理二、 TVS管微观结构和工作原理三、 片式氧化锌压敏电阻器和TVS管性能对比四、我公司片式氧化锌压敏电阻器的竞争优势一、 片式氧化锌压敏电阻器微观结构和工作原理片式氧化锌压敏电阻器是一种以氧化锌为主体、添加多种金属氧化物、经典型的电子陶瓷流延工艺制成的多晶半导体陶瓷元件。
它的微观结构、等效电路如图1、2所示。
氧化锌陶瓷是由氧化锌晶粒及晶界物质组成的,其中氧化锌晶粒中掺有施主杂质而呈N型半导体, 晶界物质中含有大量金属氧化物形成大量界面态,这样两个晶粒和一个晶界(即微观单元)形成一个类似背靠背双向PN结, 整个陶瓷就是由许多背靠背双向PN结串并联的组合体。
由于氧化锌压敏陶瓷晶界非常薄,仅有埃数量级,则当施加电压小于其反向PN结击穿电压时,属于肖特基势垒热电子发射电导,其导通电流与PN结势垒及温度有关;当施加电压大于其反向PN结击穿电压(3.2V)时,属于隧道电子击穿导电,其导通电流只与所施加电压有关,隧道电子击穿时间小于几百皮秒。
其中:当施加电压小于其反向PN结击穿电压时,Rb远大于Rg,施加电压几乎全部加在晶界上,Rb >10MΩ;当施加电压大于其反向PN结击穿电压时,晶界产生隧道电子击穿导电,Rb远小于Rg,施加电压加在晶粒和晶界上,Rg+Rb阻值只有欧姆级;因此当外施电压小于氧化锌压敏陶瓷晶界击穿电压(即压敏电压)时,压敏电阻呈现绝缘体高阻值,其漏电流仅有微安级;当外施电压大于氧化锌压敏陶瓷晶界击穿电压(即压敏电压)时,压敏电阻呈现导体低阻值,通过电流有几十安培,而且随着外施电压稍微升高,通过电流急速增长。
图1 压敏电阻器微观结构图2 压敏电阻器等效电路氧化锌压敏陶瓷的典型V-I特性曲线如图3所示:图3 压敏电阻器伏安特性曲线由于片式氧化锌压敏电阻器应用于电子电路和数据传输线路中,被保护电路的工作电压很低,同时对其电容有特殊要求,因此通过结构设计和工艺调整,可以得到不同线路保护要求的压敏电阻器。
电子元器件基础知识--电阻电容的品牌大全1、请列举您知道的电阻、电容、电感品牌(最好包括国内、国外品牌)。
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