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瞬态电压抑制二极管(TVS)特点及主要参数一、TVS器件的特点瞬态（瞬变）电压抑制二级管简称TVS器件，在规定的反向应用条件下，当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时，其工作阻抗能立即降至很低的导通值，允许大电流通过，并将电压箝制到预定水平，从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。
TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位响应时间仅为1ps（10-12S）。
TVS允许的正向浪涌电流在T ＝25℃，T＝10ms条件下，可达50～200A 。
双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压箝制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。
二、TVS器件的电特性1、单向TVS的V-I特性如图1-1所示，单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同，反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿，为典型的PN结雪崩器件。
从击穿点到Vc值所对应的曲线段表明，当有瞬时过压脉冲时，器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值，并保持在这一水平上。
2、双向TVS的V-I特性如图1-2所示，双向TVS的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合，其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性，正反两面击穿电压的对称关系为：0.9≤V(BR)(正) /V（BR）(反) ≤1.1，一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉，双向TVS在交流回路应用十分方便。
三、TVS器件的主要电参数1、击穿电压V(BR)器件在发生击穿的区域内，在规定的试验电流I(BR)下，测得器件两端的电压称为击穿电压，在此区域内，二极管成为低阻抗的通路。
2、最大反向脉冲峰值电流I PP在反向工作时，在规定的脉冲条件下，器件允许通过的最大脉冲峰值电流。
I PP与最大箝位电压Vc(MAX)的乘积，就是瞬态脉冲功率的最大值。
使用时应正确选取TVS，使额定瞬态脉冲功率P PR大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率。
一文详解瞬态电压抑制二极管，看完再也不怕被忽悠了提及电路保护元器件，对于行业人而言，能够夸夸其谈，三天三夜都说不完；而对于行外人或者刚入门的人而言，犹如看天书，稍不慎，很容易掉进盲区。
不可否认，在这个网络信息技术发达的时代，关于tvs管各种各类的信息随处可见，但，其真正有多少是专业、科学的，都有待考究和甄别。
为此，东沃电子，特意为大家科普下关于瞬态电压抑制二极管这方面的知识。
何为tvs管，有什么作用？TVS（Transient Voltage Suppressor）管，也称瞬态电压抑制二极管，是在齐纳二极管工艺基础上发明的一种新型高效电路保护元器件，p秒级别的响应时间和高浪涌吸收能力是tvs管的核心优势。
tvs管的工作原理，与常见的齐纳二极管极其相似，在一定范围内，均可以限制电路中两端的电压，使得两极间的电压箝位稳定在一个安全值，从而有效地保护电路中的精密元器免受破坏高压、高流、高涌破坏。
目前，tvs管广泛应用在家用电器、计算机系统、通讯设备、汽车电子、交/直流电源、电子镇流器、工业控制、医学、航空等方面。
如何区分tvs管的正负极和单双向？当瞬态电压抑制二极管这个产品在您手上时候，第一时间，要知道这个产品的正负极和单双向。
1）看标志：tvs管，有单向和双向之分，单向的一端呢，有细色环，接的是正极，而双向的呢，中间有两道环，或者没有任何标志，没极性。
2）看规格书：一般在第一页，双向为双向导通，单向为单向导通。
3）看型号：tvs管的型号命名是有规律的，大部分tvs管型号均能看出参数，具体可以咨询东沃电子，一家真正专注于电路保护元器件研发、生产、销售为一体的新兴企业。
4）借助万用表工具：单向一边又电压，直流方面有雪崩击穿特性；双向都有电压，直流方面，双向对称。
如何选择tvs管的型号？关于tvs管型号选择这个问题，东沃电子曾科普了很多这方面的知识。
在这里，就简单总结几点，如有不懂之处，东沃电子的技术人员随时随地为您解答，根据您的需求推荐最适合您的产品。
片式氧化锌压敏电阻器与TVS管技术对比QQ:917603226深圳顺络电子有限公司2008.01.22目录一、 片式氧化锌压敏电阻器的微观结构和工作原理二、 TVS管微观结构和工作原理三、 片式氧化锌压敏电阻器和TVS管性能对比四、我公司片式氧化锌压敏电阻器的竞争优势一、 片式氧化锌压敏电阻器微观结构和工作原理片式氧化锌压敏电阻器是一种以氧化锌为主体、添加多种金属氧化物、经典型的电子陶瓷流延工艺制成的多晶半导体陶瓷元件。
它的微观结构、等效电路如图1、2所示。
氧化锌陶瓷是由氧化锌晶粒及晶界物质组成的,其中氧化锌晶粒中掺有施主杂质而呈N型半导体, 晶界物质中含有大量金属氧化物形成大量界面态,这样两个晶粒和一个晶界（即微观单元）形成一个类似背靠背双向PN结, 整个陶瓷就是由许多背靠背双向PN结串并联的组合体。
由于氧化锌压敏陶瓷晶界非常薄，仅有埃数量级，则当施加电压小于其反向PN结击穿电压时，属于肖特基势垒热电子发射电导，其导通电流与PN结势垒及温度有关；当施加电压大于其反向PN结击穿电压（3.2V）时，属于隧道电子击穿导电，其导通电流只与所施加电压有关，隧道电子击穿时间小于几百皮秒。
其中：当施加电压小于其反向PN结击穿电压时，Rb远大于Rg,施加电压几乎全部加在晶界上，Rb ＞10MΩ；当施加电压大于其反向PN结击穿电压时，晶界产生隧道电子击穿导电，Rb远小于Rg,施加电压加在晶粒和晶界上，Rg+Rb阻值只有欧姆级；因此当外施电压小于氧化锌压敏陶瓷晶界击穿电压（即压敏电压）时，压敏电阻呈现绝缘体高阻值，其漏电流仅有微安级；当外施电压大于氧化锌压敏陶瓷晶界击穿电压（即压敏电压）时，压敏电阻呈现导体低阻值，通过电流有几十安培，而且随着外施电压稍微升高，通过电流急速增长。
图1 压敏电阻器微观结构图2 压敏电阻器等效电路氧化锌压敏陶瓷的典型V-I特性曲线如图3所示:图3 压敏电阻器伏安特性曲线由于片式氧化锌压敏电阻器应用于电子电路和数据传输线路中，被保护电路的工作电压很低，同时对其电容有特殊要求，因此通过结构设计和工艺调整，可以得到不同线路保护要求的压敏电阻器。
电子元器件基础知识--电阻电容的品牌大全1、请列举您知道的电阻、电容、电感品牌（最好包括国内、国外品牌)。
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MLCV选⽤基础知识MLCV选⽤基础知识压敏电阻器的应⽤原理压敏电阻器是⼀种具有瞬态电压抑制功能的元件，可以⽤来代替瞬态抑制⼆极管、齐纳⼆极管和电容器的组合。
压敏电阻器可以对IC及其它设备的电路进⾏保护，防⽌因静电放电、浪涌及其它瞬态电流（如雷击等）⽽造成对它们的损坏。
使⽤时只需将压敏电阻器并接于被保护的IC或设备电路上，当电压瞬间⾼于某⼀数值时，压敏电阻器阻值迅速下降，导通⼤电流，从⽽保护IC或电器设备；当电压低于压敏电阻器⼯作电压值时，压敏电阻器阻值极⾼，近乎开路，因⽽不会影响器件或电器设备的正常⼯作。
压敏电阻器的应⽤⼴泛,压敏电阻主要可⽤于直流电源、交流电源、低频信号线路、带馈电的天馈线路。
从⼿持式电⼦产品到⼯业设备，其规格与尺⼨多种多样。
随着⼿持式电⼦产品的⼴泛使⽤，尤其是⼿机、⼿提电脑、PDA、数字相机、医疗仪器等，其电路系统的速度要求更⾼，并且要求⼯作电压更低，这就对压敏电阻器提出了体积更⼩、性能更⾼的要求。
因此，表⾯组装的压敏电阻器元件也就开始⼤量涌现，⽽其销售年增长率要⾼于有引线的压敏电阻器⼀倍多。
预计2002年压敏电阻器的市场增长率为13％，其中，多层⽚式压敏电阻器市场增长率为20％～30％，径向引线产品增长率为5％～10％。
需求主要来⾃于电源设备，包括DC电源设备、不间断电源，以及新的消费类电⼦产品，如数字⾳频/视频设备、视频游戏，数字相机等。
⽚式压敏电阻器已占美国市场销售总额的40％～45％。
（0402）尺⼨的⽚式压敏电阻器最受欢迎。
0201尺⼨的产品尚未上市。
AVX公司的0402⽚式压敏电阻器有5.6V、9V、14V和18V等⼏种电压范围的产品，它们的额定功率为50mJ,典型电容值范围从90pF(18V的产品)～360pF(5.6V的产品)。
MaidaDevelopment公司也⽣产⽚式系列的压敏电阻器，但⽬前只推出了⾮标准尺⼨的产品，1210、1206、0805、0603和0402的产品正在试产。
贴片封装TVS瞬变管5.0SMDJ33CA说明硕凯电子（Sylvia）一、产品概述TVS瞬变管（Transient Voltage Suppressor）的电气特性是由P-N结面积、掺杂浓度及晶片阻质决定的。
其耐突波电流的能力与其P-N结面积成正比。
TVS广泛应用于半导体及敏感器件的保护，通常用于二级电源和信号电路的保护，以及防静电等。
其特点为反应速度快(为ps级)，体积小，脉冲功率较大，箝位电压低等。
其10/1000μs波脉冲功率从400W～30KW，脉冲峰值电流从0.52A～544A；击穿电压有从6.8V～550V的系列值，便于各种不同电压的电路使用。
二、双向I-V曲线特性三、产品特性1、为表面安装应用优化电路板空间2、低泄漏3、双向单元4、玻璃钝化结5、低电感6、优良的钳位能力7、5000W的峰值功率能力在10×1000μ波形重复率（占空比）：0.01%8、快速响应时间：从0伏特到最小击穿电压通常小于1.0ps9、典型的，在电压高于25V时，反向漏电流小于5μA10、高温焊接：终端260°C/40秒11、典型的最大温度系数△Vbr=0.1%x Vbr@25°C x△T12、塑料包装有保险商实验室可燃性94V-013、无铅镀雾锡14、无卤化，符合RoHS15、典型失效模式是在指定的电压或电流下出现16、晶须测试是基于JEDEC JESD201A每个表4a及4c进行的17、IEC-61000-4-2ESD15kV(空气)，8kV(接触)18、数据线的ESD保护符合IEC61000-4-2(IEC801-2)19、数据线的EFT保护符合IEC61000-4-4(IEC801-4)四、型号标识五、选型与应用①TVS管使用时，一般并联在被保护电路上。
为了限制流过TVS管的电流不超过管子允许通过的峰值电流IPP，应在线路上串联限流元件，如电阻、自恢复保险丝、电感等。
②击穿电压VBR的选择：TVS管的击穿电压应根据线路最高工作电压UM按公式：VBRmin ≥1.2UM或VRWM≥1.1UM选择。
目录电源类（1-10）8.CSD19535 (18)9.INA210 (19)10.INA282 (21)1.TPS28225 (2)7.TPS4021 (16)3.TPS54340 (5)4.TPS56528 (9)5.TPS7A1601 (12)6.TPS7A4001 (14)2.UCC27211 (4)高速放大器（11-17）15.LMH6552 (31)12.LMH6703 (25)17.OPA2356 (34)13.OPA2695 (27)16.OPA842 (32)11.THS3201 (23)14.VCA821 (29)精密ADC/DAC （18-21）18.ADS1118 (36)19.DAC7811 (38)20.DAC8571 (41)21.REF3330 (43)精密放大器（22-27）22.INA333 (45)23.INA826 (46)24.OPA192 (48)25.OPA2320 (50)26.OPA2330 (52)27.OPA2376 (53)音频功放（28）28.TPA3112 (55)其他（29-33）30.SN74AUP1G07 (58)29.TLV3501 (57)33.TS12A4515 (62)31.TS5A3159 (61)32.TS5A3166 (62)零一．TPS282258引脚高频4A吸入电流同步MOSFET驱动器描述The TPS28225 and TPS28226 are high-speed drivers for N-channel complimentary driven power MOSFETs with adaptive dead-time control. These drivers are optimized for use in variety of high-current one and multi-phase dc-to-dc converters. The TPS28225/6 is a solution that provides highly efficient, small size low EMI emmissions.The performance is achieved by up to 8.8-V gate drive voltage, 14-ns adaptive dead-time control, 14-ns propagation delays and high-current 2-A source and 4-A sink drive capability. The 0.4-impedance for the lower gate driver holds the gate of power MOSFET below its threshold and ensures no shoot-through current at high dV/dt phase node transitions. The bootstrap capacitor charged by an internal diode allows use of N-channel MOSFETs in half-bridge configuration.The TPS28225/6 features a 3-state PWM input compatible with all multi-phase controllers employing 3-state output feature. As long as the input stays within 3-state window for the 250-ns hold-off time, the driver switches both outputs low. This shutdown mode prevents a load from the reversed- output-voltage.The other features include under voltage lockout, thermal shutdown and two-way enable/power good signal. Systems without 3-state featured controllers can use enable/power good input/output to hold both outputs low during shutting down.The TPS28225/6 is offered in an economical SOIC-8 and thermally enhanced low-size Dual Flat No-Lead (DFN-8) packages. The driver is specified in the extended temperature range of –40°C to 125°C with the absolute maximum junction temperature 150°C. The TPS28226 operates in the same manner as the TPS28225/6 other than the input under voltage lock out. Unless otherwise stated all references to the TPS28225 apply to the TPS28226 also.特性Drives Two N-Channel MOSFETs with 14-ns Adaptive Dead TimeWide Gate Drive Voltage: 4.5 V Up to 8.8 V With Best Efficiency at 7 V to 8 V Wide Power System Train Input Voltage: 3 V Up to 27 VWide Input PWM Signals: 2.0 V up to 13.2-V AmplitudeCapable Drive MOSFETs with ≥40-A Current per PhaseHigh Frequency Operation: 14-ns Propagation Delay and10-ns Rise/Fall Time Allow FSW - 2 MHzCapable Propagate <30-ns Input PWM PulsesLow-Side Driver Sink On-Resistance (0.4 ) Prevents dV/dT Related Shoot-Through Current 3-State PWM Input for Power Stage Shutdown Space Saving Enable (input) and Power Good (output) Signals on Same Pin Thermal Shutdown UVLO Protection Internal Bootstrap Diode Economical SOIC-8 and Thermally Enhanced 3-mm x 3-mm DFN-8 Packages High Performance Replacement for Popular 3-State Input Drivers APPLICATIONS Multi-Phase DC-to-DC Converters with Analog or Digital Control Desktop and Server VRMs and EVRDs Portable/Notebook Regulators Synchronous Rectification for Isolated Power Supplies参数零二.UCC27211120V 升压4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器 描述UCC27210 和 UCC27211 驱动器基于常见的 UCC27200 和 UCC27201 MOSFET 驱动器，但是对性能进行了几项重大改进。
AVX公司瞬态电压抑制器
佚名
【期刊名称】《电子产品世界》
【年(卷),期】2005(000)08B
【摘要】AVX Corporation公司推出基于贴片压敏电阻（MLV）概念和氧化锌材料系统的瞬态电压抑制器（TVS）器件。
命名为MG和V2F系列，该Rad Hard TVS器件据称扩展了设计应用选择的范围。
MLV采用从0402到2220的小尺寸封装。
在中子积分通量和伽玛总剂量环境下，这些MLV具有抗辐射特性。
击穿电压是指导致MLV进入1n认电流导电状态的DC电压值。
Multiguards和transfeed器件在受到10k拉德伽玛辐射时击穿电压也会有轻微变化。
0508封装四元器件在万片批量时单价起价为0.18美元。
【总页数】1页(P46)
【正文语种】中文
【中图分类】TN929.5
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1.力特汽车级瞬态电压抑制器的汽车电路保护 [J], 杜志德
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3.TI基于4通道瞬态电压抑制器(TVS)的静电放电(ESD)保护二极管阵列
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4.NXP BZA462A四倍ESD瞬态电压抑制器 [J],
5.超薄高功率密度瞬态电压抑制器 [J],
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