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模拟电子技术课后习题答案康华光等编Document number【SA80SAB-SAA9SYT-SAATC-SA6UT-SA18】模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压（2）求v o 的变化范围当r d1=r d2=r d 时，则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即～。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为－6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
解图a：将D断开，以“地”为电位参考点，这时有D被反偏而截止。
图b：将D断开，以“地”为参考点，有D被反偏而截止。
图c：将D断开，以“地”为参考点，有D被正偏而导通。
，D2为硅二极管，当 vi＝ 6 sinωtV时，试用恒压降模型和折线模型（Vth ＝ V，rD＝200Ω）分析输出电压 vo的波形。
解（1）恒压降等效电路法当0＜|Vi |＜时，D1、D2均截止，vo＝vi；当vi≥时；D1导通，D2截止，vo＝0.7V；当vi ≤时，D2导通，D1截止，vo＝－0．7V。
vi与voth ＝0．5V，rD＝200Ω。
当0＜|Vi|＜0．5 V时，D1，D2均截止，vo=vi； vi≥0．5V时，D 1导通，D2截止。
模拟电子技术课后习题答案康华光等编Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压（2）求v o 的变化范围当r d1=r d2=r d 时，则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即～。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为－6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有D 被反偏而截止。
图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有D被反偏而截止。
图c：将D断开，以“地”为参考点，有D被正偏而导通。
，D2为硅二极管，当 v i＝ 6 sinωtV时，试用恒压降模型和折线模型（V th＝ V，r D＝200Ω）分析输出电压 v o的波形。
解（1）恒压降等效电路法当0＜|V i|＜时，D1、D2均截止，v o＝v i；当v i≥时；D1导通，D2截止，v o＝0.7V；当v i≤时，D2导通，D1截止，v o＝－0．7V。
v i与v o＝0．5V，r D＝200Ω。
当0＜|V i|＜0．5 V时，D1，D 2均截止，v o=v i； v i≥0．5V th时，D1导通，D2截止。
第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
精心整理模拟电子技术习题答案第二章2.4.1D 和V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压 （2）求v o 的变化范围 图题2.4.1T ＝300K 。
当r d1=r d2O v 2.4.3AO 解图a V AO =–6V 图b ：图c 15V ，故D 2图d －6V ．故2.4.4解图a D 图b ：将D 图c D 2.4.71，解（1当0＜|V i 0. 7V （2D 2均截止，v o=v i ；v i ≥0．5V 时，D 1导通，D 2截止。
v i ≤－0.5V 时，D 2导通，D 1截止。
因此，当v i ≥0．5V 时有 同理，v i ≤－0.5V 时，可求出类似结果。
v i 与v o 波形如图解2．4．7c 所示。
2.4.8二极管电路如图题2．4．8a 所示，设输入电压v I （t ）波形如图b 所示，在0＜t ＜5ms 的时间间隔内，试绘出v o （t ）的波形，设二极管是理想的。
解v I （t ）＜6V 时，D 截止，v o （t ）＝6V ；v I （t ）≥6V 时，D 导通 电路如图题2．4．13所示，设二极管是理想的。
（a ）画出它的传输特性；（b ）若输入电压v I =v i =20sin ωtV ，试根据传输特性绘出一周期的输出电压v o 的波形。
解（a ）画传输特性0＜v I ＜12V 时，D 1，D 2均截止，v o ＝v I ； v I ≥12V 时，D 1导通，D 2截止－10V ＜v I ＜0时，D 1，D 2均截止，v o ＝v I ； v I ≤－10V 时，D 2导通，D 1截止传输特性如图解2．413中a 所示。
（b ）当v o ＝v I =20sin ωtV 时，v o 波形如图解2．4．13b 所示。
2.5.2两只全同的稳压管组成的电路如图题2．5．2所示，假设它们的参数V 2和正向特性的V th 、r D 为已知。
模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压 （2）求v o 的变化范围 当r d1=r d2=r d 时，则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即～。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有 D 被反偏而截止。
图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有 D 被反偏而截止。
图c ：将D 断开，以“地”为参考点，有 D 被正偏而导通。
，D 2为硅二极管，当 v i ＝ 6 sin ωtV 时，试用恒压降模型和 折线模型（V th ＝ V ，r D ＝200Ω）分析输出电压 v o 的波形。
解 （1）恒压降等效电路法当0＜|V i |＜时，D 1、D 2均截止，v o ＝v i ；当v i ≥时；D 1导通，D 2截止，v o ＝ 0. 7V ；当v i ≤时，D 2导通，D 1截止，v o ＝－0．7V 。
v i 与v oth ＝0．5V ，r D ＝200Ω。
当0＜|V i |＜0．5 V 时，D 1，D 2均截止，v o=v i ； v i ≥0．5V 时，D 1导通，D 2截止。
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术课后习题及答案1(总18页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U和O1U各O2为多少伏。
模拟电子技术课后习题答案康华光等编Document serial number【KKGB-LBS98YT-BS8CB-BSUT-BST108】模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压 （2）求v o 的变化范围 当r d1=r d2=r d 时，则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即～。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为－6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有 D 被反偏而截止。
图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有 D 被反偏而截止。
图c ：将D 断开，以“地”为参考点，有 D 被正偏而导通。
，D 2为硅二极管，当 v i ＝ 6 sin ωtV 时，试用恒压降模型和 折线模型（V th ＝ V ，r D ＝200Ω）分析输出电压 v o 的波形。
解 （1）恒压降等效电路法当0＜|V i |＜时，D 1、D 2均截止，v o ＝v i ；当v i ≥时；D 1导通，D 2截止，v o ＝ 0. 7V ；当v i ≤时，D 2导通，D 1截止，v o ＝－0．7V 。
v i 与v oth ＝0．5V ，r D ＝200Ω。
当0＜|V i |＜0．5 V 时，D 1，D 2均截止，v o=v i ； v i ≥0．5V 时，D 1导通，D 2截止。
v i ≤－ V 时，D 2导通，D 1 截止。
因此，当v i ≥0．5V 时有 同理，v i ≤－时，可求出类似结果。
v i 与v o 波形如图解2．4．7c 所示。
二极管电路如图题 2．4．8a 所示，设输入电压v I （t ）波形如图 b 所示，在 0＜t ＜5ms 的时间间隔内，试绘出v o （t ）的波形，设二极管是理想的。
解 v I （t ）＜6V 时，D 截止，v o （t ）＝6V ；v I （t ）≥6V 时，D 导通电路如图题2．4．13所示，设二极管是理想的。
（a ）画出它的传输特性；（b ）若输入电压v I =v i =20 sin ωt V ，试根据传输特性绘出一周期的输出电压 v o 的波形。
解（a）画传输特性0＜vI ＜12 V时，D1，D2均截止，vo＝vI；vI ≥12 V时，D1导通，D2截止－10V＜vI ＜0时，D1，D2均截止，vo＝vI；vI ≤－10 V时，D2导通，D1截止传输特性如图解 2．4 13中 a所示。
（b）当vo ＝vI=20 sinωt V时，vo波形如图解2．4．13b所示。
两只全同的稳压管组成的电路如图题2．5．2所示，假设它们的参数V2和正向特性的Vth 、rD为已知。
试绘出它的传输特性。
解当| vI |＜（Vz＋Vth）时，Dzl、DZ2均截止，vo＝vI；| vI |≥（Vz＋Vth）时，Dzl、DZ2均导通传输特性如图解2．5．2所示。
第三章测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 VA ＝－9 V，VB＝一6V，Vc＝6．2 V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并说明此BJT 是NPN管还是PNP管。
解由于锗BJT的|VBE |≈，硅BJT的|VBE|≈0．7V，已知用BJT的电极B的VB＝一6V，电极C的Vc＝–6．2 V，电极A的VA＝－9 V，故电极A是集电极。
又根据BJT工作在放大区时，必须保证发射结正偏、集电结反偏的条件可知，电极B是发射极，电极C 是基极，且此BJT为PNP管。
试分析图题3．2．1所示各电路对正弦交流信号有无放大作用。
并简述理由。
（设各电容的容抗可忽略）解图题3．2．la无放大作用。
因Rb=0，一方面使发射结所加电压太高，易烧坏管子；另一方面使输人信号vi被短路。
图题3．2．1b有交流放大作用，电路偏置正常，且交流信号能够传输。
图题3．2．lc无交流放大作用，因电容Cbl隔断了基极的直流通路。
图题3．2．id无交流放大作用，因电源 Vcc的极性接反。
测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。
（a）VC ＝6 V VB＝ V VE＝0 V（b）VC ＝6 V VB＝2 V VE＝ V（c）VC ＝6 V VB＝6V VE＝ V（d）VC ＝6 V VB＝4V VE＝ V（。
）VC ＝ V VB＝4 V VE＝3. 4 V解（a）放大区，因发射结正偏，集电结反偏。
（b）放大区，VBE ＝（2—l．3）V＝0．7 V，VCB＝（6－2）V＝4 V，发射结正偏，集电结反偏。
（C）饱和区。
（d）截止区。
（e）饱和区。
设输出特性如图题 3．3．1所示的 BJT接成图题 3．所示的电路，具基极端上接VBB＝3．2 V与电阻Rb ＝20 kΩ相串联，而 Vcc＝6 V，RC＝200Ω，求电路中的 IB、IC和 VCE的值，设 VBE＝0．7 V。
解 mA R V V I bBEBB B 125.0=-==由题3．3．1已求得β＝200，故图题3．3．6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线，试求：（1）电源电压V CC ，静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值；（2）电阻R b 、R C 的值；（3）输出电压的最大不失真幅度；（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少解 （1）由图3．3．6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即Vcc 值的大小，故Vcc= 6 V 。
由Q 点的位置可知，I B ＝20μA ，I C ＝1 mA ，V CE ＝3 V 。
（2）由基极回路得： Ω=≈k I V R BCCb 300 由集－射极回路得 Ω=-==k I V V R CCECC C 3 （3）求输出电压的最大不失真幅度由交流负载线与输出特性的交点可知，在输人信号的正半周，输出电压v CE 从3V 到0．8V ，变化范围为；在输入信号的负半周，输出电压v CE 从3V 到4．6V ，变化范围为1．6V 。
综合起来考虑，输出电压的最大不失真幅度为1．6V 。
（4）基极正弦电流的最大幅值是20 μA 。
。
（1）估算Q 点；（2）画出简化 H 参数小信号等效电路；（3）估算 BJT 的朝人电阻 r be ；（4）如输出端接入 4 k Ω的电阻负载，计算i O V V V A =及SO VS V V A =。
解（1）估算Q 点（3）求r be（4）116)||('0-≈-=-==be L C be L iV r R R r R V V A ββ 、C 2、C 3对交流信号可视为短路。
（1）写出静态电流Ic 及电压V CE 的表达式；（2）写出电压增益VA 、输人电或Ri ．和输出电阻Ro 的表达式；（3）若将电容C 3开路，对电路将会产生什么影响解（1）Ic 及V CE 的表达式（2）VA 、Ri ．和Ro 的表达式 （3）C 3开路后，将使电压增益的大小增加 同时Ro 也将增加，32R R R O +≈。
具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用，试求：（1）Q 点；（2）电压增益s o V V V A 11=和so V V V A 22=；（3）输入电阻Ri ；（4）输出电阻R O1和R O2、解 （1）求Q 点 (2)求r be 及Ri（3） 79.0)1(01011-≈+⋅++-=⋅==s i i e be c s i i s V R R R R r R V V V V V V A ββ （4）求R O1和R O2、∞==L s R R ,0100，＝β。
试确定电路的电压增益、输入电阻和输出电阻。
解 Ω≈++=k I mVr r Ebb be 8.226)1('β 其中 I E ＝。
Ω=≈k R R c 5.70。
某放大电路中A V 的数幅频特性如图题3．7．1所示。
（1）试求该电路的中频电压增益|A |VM ，上限频率f H ，下限频率f L ；（2）当输人信号的频率 f ＝f L 或 f ＝f H 时，该电路实际的电压增益是多少分贝解 （1）由图题3．7．1可知，中频电压增益|A |VM ＝1000，上限频率人f H ＝108HZ ，下限频率f L ＝102HZ 。
（2）当f ＝f L 或 f ＝f H 时，实际的电压增益是57 dB 。
一放大电路的增益函数为试绘出它的幅频响应的波特图，并求出中频增益、下限频率f L 和上限频率f H 以及增益下降到1时的频率。
解 对于实际频率而言，可用f j s π2=代人原增益传递函数表达式，得 由此式可知，中频增益|A M |＝10，f ＝10 HZ ，f H ＝106一高频BJT ，在Ic ＝时，测出其低频H 参数为：r be ＝Ω，βo ＝50，特征频率T f ＝100MHz ，pF C c b 3='，试求混合∏型参数e b b b e b m C r r g '''、、、。
电路如图3．5．1所示（射极偏置电路），设在它的输人端接一内阻 Rs= 5K Ω的信号源．电路参数为：R b1= 33K Ω，R b2＝22K Ω。
Re ＝3．9K Ω，Rc ＝4．7K Ω，R L ＝ 5．1K Ω， Ce ＝ 50μF （与Re 并联的电容器）． Vcc ＝5V ．I E ≈，β0＝120，r ce ＝300 K Ω，Ω='50b b r ，f T =700 MHZ 及F C c b p 1='。
求：（1）输入电阻R i ;（2）中频区电压增益|A VM | （3）上限频率f H 。
解 （1）求R i（2）求中频电压增益||VMA 因c R r ce >> 故（3）求上限频率f H其中Ω≈='k R R R L c L45.2//。
第四章（1） 它是N 沟道还是P 沟道FET（2） 它的夹断电压V P 和饱和漏极电流I DSS 各是多少 解 由图题4．1．3可见，它是N 沟道JFET ， 其V P ＝–4 V ，I DSS ＝3 mA 。
