电力电子考试试卷

《电力电子技术》试卷题号一二三四合计分数阅卷人得分一、选择（每题1.5分，共60分）1、晶闸管内部有（）个PN结。

A、1B、2C、3D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。

A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。

A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。

A、一个B、两个C、三个D、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。

电力电子技术考试试卷一、选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术是研究什么的学科？A. 电力系统的运行与控制B. 电力设备的设计与制造C. 电力电子器件的工作原理和应用D. 电力系统的经济性分析2. 以下哪个不是电力电子器件？A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）C. 变压器D. 功率模块（PM）3. 电力电子变换器中的整流器主要功能是什么？A. 将交流电转换为直流电B. 将直流电转换为交流电C. 将高压电转换为低压电D. 将交流电的频率进行调节4. PWM控制技术在电力电子技术中主要应用在哪些方面？A. 电机速度控制B. 照明调光C. 电网频率调节D. 所有以上选项5. 电力电子系统中的开关损耗主要由什么引起？A. 电流的变化率B. 电压的变化率C. 电流和电压的乘积D. 器件的热阻6. 以下哪个是电力电子技术中常见的软开关技术？A. 零电压开关（ZVS）B. 零电流开关（ZCS）C. 零电压零电流开关（ZVZCS）D. 所有以上选项7. 电力电子系统中的谐波产生的主要原因是什么？A. 电源的不稳定B. 负载的非线性特性C. 电网的干扰D. 电力电子器件的老化8. 电力电子技术中，同步整流技术的主要优点是什么？A. 提高系统的功率因数B. 减少系统的体积和重量C. 降低系统的电磁干扰D. 减少开关损耗，提高效率9. 电力电子技术中，为什么需要进行电磁兼容性（EMC）设计？A. 为了提高系统的可靠性B. 为了满足安全标准C. 为了减少对其他设备的干扰D. 所有以上选项10. 以下哪个不是电力电子技术中的控制策略？A. 线性控制B. 非线性控制C. 模糊控制D. 遗传算法控制二、简答题（每题10分，共20分）1. 请简述电力电子技术在新能源领域的应用。

2. 简述电力电子技术中软开关技术的优点及其实现方式。

三、计算题（每题15分，共30分）1. 假设一个单相桥式整流电路，负载为纯电阻性，输入电压为220V交流电，求整流后的直流电压值。

一、填空（每空1分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；图形符号为；可关断晶闸管GTO；图形符号为；功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。

6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。

8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。

环流可在电路中加电抗器来限制。

为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。

（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ- 四种。

11、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接正电压，T2接负电压。

I- 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接负电压，T2接正电压。

Ⅲ+触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压；门极G接正电压，T2接负电压。

Ⅲ-触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压；门极G接负电压，T2接正电压。

12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫（脉冲）换流。

考试试卷（ 4 ）卷一、填空题:(本题共５小题,每空１分,共20分）1、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为IＴn等于倍IＴ（AＶ)，如果Ｉ=1０0安培,则它允许的有效电流为安培。

通常在选择晶闸管时还要留T(AV）出倍的裕量。

2、三相桥式全控整流电路是由一组共极三只晶闸管和一组共极的三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。

每隔换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通度。

要使电路工作正常，必须任何时刻要有只晶闸管同时导通，一个是共极的，另一个是共极的元件,且要求不是的两个元件。

3、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态,软开关电路种类很多，但归纳起来可分为与两大类。

4、提高变流置的功率因数的常用方法有、、、几种.５、三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围,三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围,三相半控桥电阻性负载时,电路的移相范围。

二、判断题：（本题共１0小题,每题1分，共10分)１、双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样,双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。

（)２、逆变器采用负载换流方式实现换流时,负载谐振回路不一定要呈电容性。

（)3、无源逆变指的是把直流电能转换成交流电能送给交流电网。

( )４、对三相桥式全控整流电路的晶闸管进行触发时,只有采用双窄脉冲触发,电路才能正常工作。

( )5、PWM脉宽调制型逆变电路中,采用不可控整流电源供电,也能正常工作. （）6、在变流装置系统中，增加电源的相数也可以提高电网的功率因数．( )7、过快的晶闸管阳极dｕ/dt会使误导通．（)８、电流可逆斩波电路可实现直流电动机的四象限运行。

（)９、为避免三次谐波注入电网，晶闸管整流电路中的整流变压器应采用Y/Y接法( ）10、在DC/ＤC变换电路中,可以采用电网换流方法。

（)三、选择题：（本题共10小题，每题1分，共10分)１、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=０º时,输出的负载电压平均值为（)。

一、填空（每空1分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；图形符号为；可关断晶闸管GTO；图形符号为；功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是 MOSFET 和GTR的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为 100A。

6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。

8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。

环流可在电路中加电抗器来限制。

为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关 、 控制快速移相使输出电压下降。

（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有 Ⅰ+、 Ⅰ-、 Ⅲ＋、 Ⅲ- 四种 。

11、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T 2接 负 电压；门极G 接正 电压，T2接 负 电压。

I- 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T2接 负 电压；门极G 接 负 电压，T2接 正 电压。

Ⅲ+触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接正 电压；门极G 接正电压，T2接 负 电压。

Ⅲ-触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接 正电压；门极G 接 负电压，T2接 正 电压。

德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题1.5分，共60分） 1、晶闸管内部有（ ）个PN 结。

A 、1B 、2C 、3D 、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。

A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。

A 、有效值B 、最大值C 、平均值D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。

A 、一个B 、两个C 、三个D 、四个、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路）、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ） 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700V B、750V C、800V D、850V 16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V 才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。

电力电子技术试题库答案一、填空题（每空1分，共20分）1．电力电子技术是利用（电力电子器件）对电能进行（控制、转换和传输）的技术.2、晶闸管是一种既具有（开关作用），又具有（整流作用）的大功率半导体器件。

3．电力电子技术研究的对象是（电力电子器件的应用）、（电力电子电路的电能变换原理）和电力电子装置的开发与应用。

.4. 电力二极管的主要类型有（普通二极管），（快恢复二极管）和肖特基二极管。

5、电力二极管的主要类型有普通二极管，（快恢复二极管）和（肖特基二极管）。

6、晶闸管的正向特性又有（阻断状态）和（导通状态）之分。

7、半控型电力电子器件控制极只能控制器件的（导通），而不能控制器件的（关断）。

8、电流的波形系数Kf指（电流有效值）和（电流平均值）比值。

9、电力晶体管是一种（耐高压）、（大电流）的双极型晶体管。

10、晶闸管有三个电极，分别是阳极，（阴极）和（门极或栅极）。

二、判断题（每题1分，共10分）1、晶闸管的门极既可以控制它的导通，也可以控制它的关断。

（错）2、晶闸管的门极既不能控制它的导通，也不能控制它的关断。

（错）3、晶闸管的门极可以控制它的导通，但不能控制它的关断。

（对）4、晶闸管的门极不可以控制它的导通，但能控制它的关断。

（错）5、额定电流为100A的晶闸管，允许通过的最大平均电流为157A。

（对）6、在室温下门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流为维持电流。

（对）7、在室温下门极断开时，晶闸管从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为掣住电流。

( 错)8、在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最小阳极电流称为掣住电流。

（对）9、在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最小阳极电流称为维持电流。

（错）10、反励式变换器是指开关管导通时电源将电能转换为磁能储存在电感中，开关管截止时再将磁能转换为电能传送给负载。

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1)0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2)t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3)t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件普通工作在__开关__状态。

2.在通常事情下，电力电子器件功率损耗要紧为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗要紧为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统，普通由__操纵电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_爱护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的事情，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。

6.电力二极管的要紧类型有_一般二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。

9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。

10.晶闸管断态别重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（怎么连接）在同一管芯上的功率集成器件。

的__多元集成__结构是为了便于实现门极操纵关断而设计的。

的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。

的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下落__，开关速度__小于__电力MOSFET 。

16.按照驱动电路加在电力电子器件操纵端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

的通态压落在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。

考试试卷( 4 )卷一、填空题：（本题共5小题，每空1分，共20分）1、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为I Tn等于倍I T（AV），如果I T（AV）=100安培，则它允许的有效电流为安培。

通常在选择晶闸管时还要留出倍的裕量。

2、三相桥式全控整流电路是由一组共极三只晶闸管和一组共极的三只晶闸管串联后构成的，晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。

每隔换一次相，在电流连续时每只晶闸管导通度。

要使电路工作正常，必须任何时刻要有只晶闸管同时导通，一个是共极的，另一个是共极的元件，且要求不是的两个元件。

3、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为与两大类。

4、提高变流置的功率因数的常用方法有、、、几种。

5、三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围，三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围，三相半控桥电阻性负载时，电路的移相范围。

二、判断题：（本题共10小题，每题1分，共10分）1、双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。

（）2、逆变器采用负载换流方式实现换流时，负载谐振回路不一定要呈电容性。

（）3、无源逆变指的是把直流电能转换成交流电能送给交流电网。

（）4、对三相桥式全控整流电路的晶闸管进行触发时，只有采用双窄脉冲触发，电路才能正常工作。

（）5、PWM脉宽调制型逆变电路中，采用不可控整流电源供电，也能正常工作。

（）6、在变流装置系统中，增加电源的相数也可以提高电网的功率因数。

（）7、过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。

（）8、电流可逆斩波电路可实现直流电动机的四象限运行。

（）9、为避免三次谐波注入电网，晶闸管整流电路中的整流变压器应采用Y/Y接法（）10、在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。

（）三、选择题：（本题共10小题，每题1分，共10分）1、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0º时，输出的负载电压平均值为（）。

《电力电子技术》期末考试试卷一、选择题（每小题1分，共20分）1．下列哪种情况下不能使导通的晶闸管关断：（ ）A.加反向阳极电压B. 加反向门极电压C ．减少正向阳极电压值，使其阳极电压小于维持电流2.在一般可逆电路中，最小逆变角βmin 选在下面那一种范围合理（ ）。

A.30º-35º，B.10º-15º，C.0º-10º，D.0º。

3．选择晶闸管额定电压时考虑安全裕量（ ）A. 1~2倍B.2~3倍C.1.5~2倍D.1.5~3倍4．单相全控桥式整流电路，纯阻性负载，其输出电压平均值为（ ）A.2cos 145.02α+UB.αcos 45.02UC.2cos 19.02α+UD.αcos 9.02U5. 比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ）。

A ． GTR B. MOSFET C. IGBT D. GTO6．三相全控桥式整流电路，VT1和VT4的脉冲应间隔（ ）A.60°B.120°C.180°D.240°7. α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。

A.0度，B.60度，C.30度，D.120度，8．电压型逆变电路直流侧接有（），相当于（）源。

A．电流 B．电压 C．大电感 D．大电容9.下面哪种功能不属于变流的功能（）A、有源逆变B、交流调压C、变压器降压D、直流斩波10．为了保证逆变能正常工作，变流器的逆变角不得小于( )。

A 5°B 15°C 20°D 30°11.门极可关断晶闸管属于（）A.单极型电压驱动型B.单极型电流驱动型C.双极型电压驱动型D.双极型电流驱动型12.下列能使导通的晶闸管关断的是（）A.加正向阳极电压B.加反向阳极电压C.加正向门极电压D.加反向门极电压13. 变压器漏抗对整流电路的影响体现在：换相不能瞬时完成，其所对应的时间用电角度表示，叫（）。

电⼒电⼦技术试题及答案⼗九王兆安考试试卷( 19 )卷⼀、填空题（本题共7⼩题，每空1分，共20分）1、电⼒电⼦器件⼀般⼯作在____状态。

直流斩波电路中最基本的两种电路是___和_____。

2、电⼒电⼦器件组成的系统，⼀般由________、________、________三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。

3、阻感负载的特点是________，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流⼆极管的电路中，晶闸管控制⾓α的最⼤移相范围是________ ，其承受的最⼤正反向电压均为________，续流⼆极管承受的最⼤反向电压为________（设U2为相电压有效值）。

4、斩波电路有三种控制⽅式：________、________和________。

5、改变频率的电路称为________，变频电路有交交变频电路和________电路两种形式，前者⼜称为________，后者也称为________。

6、把直流电变成交流电的电路称为________，当交流侧有电源时称为________，当交流侧⽆电源时称为________。

7、使开关开通前其两端电压为零的开通⽅式称为_______，它需要靠电路中的_____来完成。

从晶闸管的伏安特性曲线可知，晶闸管具有____________的特性。

⼆、选择题（本题共10⼩题，每题2分，共20分）1、三相全控桥式整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（）A.U2B.U2C.2U2 D.U22、关于单相桥式PWM逆变电路，下⾯说法正确的是（）A、在⼀个周期内单极性调制时有⼀个电平，双极性有两个电平B、在⼀个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有三个电平C、在⼀个周期内单极性调制时有三个电平，双极性有两个电平D、在⼀个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有⼀个电平3、电阻性负载三相全控桥式整流电路中，控制⾓的范围是（）A、30°～150°B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°4、采⽤多重化电压源型逆变器的⽬的，主要是为( )A、减⼩输出幅值B、增⼤输出幅值C、减⼩输出谐波D、减⼩输出功率5、电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任⼀时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂( )A、各⼀只B、各⼆只 C、共三只D、共四只6、正弦波脉冲宽度调制英⽂缩写是（）。

电力电子期末考试试题卷# 电力电子期末考试试题卷## 一、选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术主要研究的是：A. 电力系统的经济运行B. 电力系统的稳定控制C. 电力设备的设计制造D. 电力变换与控制技术2. 以下哪个不是电力电子装置的基本功能？A. 整流B. 逆变C. 调速D. 发电3. PWM控制技术中的“PWM”代表：A. Pulse Width ModulationB. Power Wave ModulationC. Phase Wave ModulationD. Power Weight Modulation4. 电力电子装置中的开关器件不包括：A. 晶闸管B. IGBTC. MOSFETD. 变压器5. 以下哪个不是电力电子技术的应用领域？A. 电机驱动B. 电源管理C. 风力发电D. 通信技术6. 电力电子装置的效率通常受到哪些因素影响？A. 开关频率B. 开关损耗C. 导通损耗D. 所有以上因素7. 电力电子装置的电磁兼容性问题主要涉及：A. 电磁干扰的产生B. 电磁干扰的传播C. 电磁干扰的抑制D. 所有以上因素8. 以下哪个是电力电子装置的典型应用？A. 家用电器B. 电力传输C. 电力分配D. 电力储存9. 电力电子技术在可再生能源领域的应用不包括：A. 太阳能逆变器B. 风力发电系统C. 水力发电D. 核能发电10. 电力电子装置的热设计主要考虑：A. 散热方式B. 热阻C. 热容D. 所有以上因素## 二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述电力电子技术在现代电力系统中的应用及其重要性。

2. 解释PWM控制技术在电力电子装置中的作用及其优势。

3. 描述电力电子装置中开关器件的工作原理及其选择标准。

## 三、计算题（每题25分，共50分）1. 假设有一个单相桥式整流电路，输入电压为220V（有效值），负载为纯电阻性，电阻值为100Ω。

请计算：- 整流后的直流电压（有效值）。

一、填空题（11 小题，每空0.5分，共22 分）1、电力电子学是由、和交叉而形成的边缘学科。

2、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为以下三类；1)的电力电子器件被称为半控型器件，这类器件主要是指及其大部分派生器件。

2)的电力电子器件被称为全控型器件，这类器件品种很多，目前常用的有和。

3)的电力电子器件被称为不可控器件，如。

3、根据下面列出的电力电子器件参数的定义，在空格处填写该参数的名称。

4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，在中小功率领域应用最为广泛的是___________。

5、电力电子器件的驱动电路一般应具有电路与之间的电气隔离环节，一般采用光隔离，例如；或磁隔离，例如。

6、缓冲电路又称为吸收电路，缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。

其中缓冲电路又称为du／dt抑制电路，用于吸收器件的过电压。

缓冲电路又称为di／dt抑制电路，用于抑制器件时的电流过冲和di／dt，减小器件的损耗。

7、单相半波可控整流电路、单相桥式全控整流电路、三相半波可控整流电路和三相桥式全控整流电路，当负载分别为电阻负载和电感负载时，晶闸管的控制角移相范围分别是多少（用角度表示，如0°～180°）？8、在单相全控桥式电阻-反电动势负载电路中，当控制角α大于停止导电角δ时，晶闸管的导通角θ=_____________。

当控制角α小于停止导电角δ时，且采用宽脉冲触发，则晶闸管的导通角θ=_____________。

9、由于器件关断过程比开通过程复杂得多，因此研究换流方式主要是研究器件的关断方法。

换流方式可分以下四种： ，，， 。

10、正弦脉宽调制（SPWM ）技术运用于电压型逆变电路中，改变 _可改变逆变器输出电压幅值；改变 _ _可改变逆变器输出电压频率；改变_ _可改变开关管的工作频率。

电力电子技术模考试题+答案一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、目前所用的电力电子器件均由（）制成，故也称电力半导体器件。

A、金属B、半导体C、绝缘体D、导体正确答案：B2、带中心抽头变压器的逆变电路，器件承受的电压为全桥电路的（）倍A、4B、2C、1/2D、1正确答案：B3、单相半桥电压型逆变电路输出的电压幅值为输入电压的（）。

A、1倍B、3倍C、2倍D、一半正确答案：D4、交流调压电路是（）。

A、改变交流电的频率和控制晶闸管的开通相位B、以交流电的周期为单位控制晶闸管的通断C、只改变交流电的频率而不控制晶闸管的开通相位D、不改变交流电的频率只控制晶闸管的开通相位正确答案：D5、电流型逆变电路输出的电压波形为（）。

A、因负载不同而不同B、矩形波C、正弦波D、锯齿波正确答案：A6、当晶闸管加反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（）A、饱和状态B、关断状态C、不定D、导通状态正确答案：B7、电流型逆变电路，直流侧需要串联（）。

A、大电感B、大电容C、二极管D、大电阻正确答案：A8、三相桥式全控整流电路，共阴极组的晶闸管是（）。

A、VT1，VT3，VT5B、VT1，VT2，VT5C、VT1，VT3，VT4D、VT2，VT3，VT5正确答案：A9、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是（）。

A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变正确答案：D10、单相全控桥式整流电路阻性负载最大触发角度是（）。

A、90°B、180°C、360°D、0°正确答案：B11、三相半波可控整流电路阻性负载，触发角移动范围为（）。

A、0º-150°B、0º-180°C、0º-90°D、0º-120°正确答案：A12、斩波电路控制方式中，T不变，改变ton，称为（）。

电力电子器件期末考试卷一、选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子器件中，IGBT的全称是什么？A. 绝缘栅双极晶体管B. 绝缘栅晶体管C. 绝缘栅三极管D. 绝缘栅场效应晶体管2. 以下哪个不是电力电子变换器的基本功能？A. 整流B. 逆变C. 变频D. 滤波3. PWM控制技术中，PWM代表什么？A. 脉冲宽度调制B. 脉冲频率调制C. 脉冲幅度调制D. 脉冲时间调制4. 以下哪个器件不是电力电子器件？A. 晶闸管B. 功率MOSFETC. 继电器D. IGBT5. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛？A. 计算机技术B. 通信技术C. 能源转换与控制D. 生物技术6. 电力电子器件的开关速度通常用哪个参数来描述？A. 导通时间B. 关断时间C. 延迟时间D. 存储时间7. 在电力电子系统中，软开关技术的主要优点是什么？A. 减少开关损耗B. 提高系统效率C. 降低噪声D. 所有上述选项8. 电力电子器件的热设计主要考虑哪些因素？A. 器件的电流容量B. 器件的电压等级C. 器件的散热能力D. 所有上述选项9. 电力电子系统中的电磁兼容性问题主要涉及哪些方面？A. 电磁干扰B. 电磁辐射C. 电磁耐受性D. 所有上述选项10. 电力电子变换器的控制策略中，以下哪个不是常见的控制方法？A. 电压控制B. 电流控制C. 频率控制D. 相位控制二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述电力电子器件的发展历程及其在现代电力系统中的重要性。

2. 解释什么是功率因数校正，并说明其在电力电子系统中的作用。

3. 描述电力电子变换器在新能源发电系统中的作用及其关键技术。

三、计算题（每题25分，共50分）1. 给定一个单相桥式整流电路，输入电压为220V，负载为纯电阻性负载，负载电阻为100Ω。

计算整流电路的输出直流电压，并画出电路的波形图。

2. 假设有一个三相全控桥式整流电路，输入为三相交流电源，每相电压为220V，负载为纯电阻性负载，负载电阻为20Ω。

电力电子技术期末考试试题与答案一、选择题1.( ) 电力电子系统中常用的功率开关电路是：A. 逆变器B. 斩波电路C. 升压电路D. 降压电路答案：A2.( ) 电压型逆变器输出波形为：A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 三角波答案：B3.( ) 单相桥式整流电路输出脉动系数为：A. 0.364B. 0.482C. 0.482D. 0.600答案：B4.( ) 三相全控桥式整流电路的输出电压为：A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 三角波答案：C5.( ) 交流电调速系统常用的功率器件有：A. 可控硅B. 普通二极管C. 晶闸管D. 三极管答案：A二、填空题1.( ) 电压型逆变器的开关器件为 _______________。

答案：晶闸管或IGBT2.( ) 三相全控桥式整流电路中，每个器件的导通时间为单个周期的_______________。

答案：1/63.( ) 恒压恒频空调控制器常用的控制算法为 _______________。

答案：PID算法三、简答题1.( ) 请简述电力电子系统的优点并举例说明。

答：电力电子系统在工业、交通、军事等领域的应用越来越广泛。

其优点主要包括：•可以实现能量的调节、转换和控制，提高能源利用效率；•可以精确控制电机的运行状态，实现电动机的调速和起停；•可以实现高效、精确、稳定的电力输出，并且对电网负荷的影响小。

其中，逆变器是电力电子系统中最常用的功率开关电路之一。

逆变器能将直流电转换为交流电，广泛应用于交流调速、UPS、电动汽车、太阳能发电、工业控制等领域。

2.( ) 请简述电力电子系统的应用场景并阐述其在场景中的作用。

答：电力电子系统广泛应用于以下场景中：•钢铁、冶金、矿山等重工业领域：逆变器、斩波电路、大电流直流电源等电力电子装置用于铁水炉、转炉、熔炼炉、轧钢机、提升机等电动机的调速和控制。

电力电子技术也被应用于高温热处理设备、水处理设备、氢氧化钠电解等场景中。