通周期个数,改变加热元件 (b)
t
的功率,达到控制温度的目
uL
的。以八位二进制数所能表
示的最大数255作为可控硅
(c)
t
控制周期所能导通的最大半
周期数,控制周期时间为
(d)
2550ms,可控硅最小导同时
t
间是10ms.
⑵控制算法
依据温度控制过程不同的变化阶段,采用不同的算法。保 温阶段且差值较小时使用PID算法;升、降温和有中等差 值时采用PD算法;差值较大时直接采用双位控制。常规
控制进程完成?
参数输入模块:判断、识别按键状态。输入温度变化过程 控制参数和发出启停命令。
控制进程识别模块:按照设定的温度控制参数,执行温度 设定值控制和维相应持时间,保持升降温度递变梯度。
数据采样模块:每5.1秒(含完整的2个控制执行周期)启 动模数转换器对温度进行采样,同时对环境温度也采样一 次,进行热电偶冷端补偿。
外延
⑵
分割 GaN基LED工艺流程
封装
光刻 淀积
⑶ GaN基LED外延工艺
P电极
采用MOCVD工艺在蓝宝石基片上生长N型GanN电和极P 型GaN层以及多量子阱。
⑷MOCVD设备
国际上主要有美国和德国两家MOCVD设备生产商, 本课以美国EMCORE公司生产的D180型MOCVD 设备为例 。
D180型MOVCD设备大量应用在高亮度蓝-绿发 光二极管外延芯片的生产线上。以蓝色GaN发 光二极管外延片为例,单台设备生长5层总厚度 约5微米的GaN介质层,只需4个小时,一周可 生产250片2吋外延片,提供约350万个蓝色发光 二极管管芯。
r
Red, Orange, Yellow, Blue, Green, UV, White