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2020—2021学年上学期自动化专业《电子技术基础》期末考试题试卷（试卷十三）一、填空题。
1．若使放大电路产生自激振荡，在满足相位条件的情况下，电路的放大倍数为1000，则引入反馈的反馈系数应大于 。
2．三点式振荡器有__________三点式和__________三点式,它们的共同点都是从LC 回路中引出三个端点和三极管的__________相连。
3．正弦波振荡器由＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿、＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿四部分组成。
4．自激振荡电路的条件有两个：一是＿＿＿＿＿＿＿＿条件，用公式＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿表示；二是＿＿＿＿＿＿＿＿条件，用公式＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿表示。
5．根据选频网络的不同，正弦振荡电路主要来分＿＿＿＿＿＿院（系） 班级 姓名 学号……………………………………………装…………………………订………………………线……………………………………………＿＿＿振荡电路和＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿振荡电路两大类。
改变选频网络的电参数，可以调节电路的＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
6．石英晶体具有＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿效应，一定条件下会产生＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿谐振，因此可用于振荡器。
它的优点是＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
7．石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿，此时它等效于＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿；另一个是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿，此时它等效于＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。
8．可控整流电路是使输出＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿可以调节的电路。
9．单向晶闸管有三个电极__________、____________和____________。
10．可控整流电路的控制角越__________导通角___________整流输出直流电压越低；最大导通角为_____________。
11．可控硅又称＿＿＿＿，常用的有＿＿＿＿和＿＿＿＿＿两大类，广泛应用于＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿设备中。
主题：数字万用表单结晶体管BT33引脚详解内容：1. 概述：数字万用表是一种常见的电子测试仪器，它能够测量电压、电流、电阻等电路参数，是电子工程师和电子爱好者必备的工具之一。
而数字万用表内部的元器件也是十分复杂且精密的，其中就包括了结晶体管BT33。
2. 结晶体管BT33的基本介绍：结晶体管又称晶体二极管，是一种半导体器件，它具有放大、整流、开关和稳压等功能。
BT33是一种常用的结晶体管型号，被广泛应用于各种电子设备中。
3. 结晶体管BT33的引脚定义：BT33一般包括三个引脚，分别为发射极、基极和集电极。
发射极用来输入控制信号，基极用来控制输出信号，集电极则是输出信号的输出端。
4. 结晶体管BT33的引脚功能详解：发射极是输入端，它接收控制信号，控制基极和集电极之间的电流流动。
基极是控制端，它根据发射极的输入信号控制集电极的输出电流。
集电极是输出端，它输出经过控制处理后的电流信号。
5. 结晶体管BT33的工作原理：当发射极输入一个控制信号时，基极会相应地控制集电极的电流，从而实现对输入信号的放大、整流、开关和稳压处理。
这种工作原理使得BT33结晶体管在电子电路中具有重要的作用。
6. 结论：结晶体管BT33作为数字万用表中的重要组成部分，通过上述对其引脚定义、功能和工作原理的详解，可以更好地理解数字万用表的内部结构和工作原理，为电子工程师和电子爱好者提供更多的技术支持和参考。
这篇文章主要针对数字万用表中的结晶体管BT33的引脚进行了详细的解析，详细介绍了其引脚的定义、功能和工作原理，通过对BT33的介绍，读者可以更好地了解数字万用表的内部结构和工作原理，从而更好地应用和理解数字万用表。
引脚定义部分如此关键。
为了更好地理解结晶体管BT33的引脚定义，让我们深入研究每个引脚的作用和连接方式。
1. 发射极（Emitter, E）：作为结晶体管的输入端，发射极承担了输入控制信号的功能。
在数字万用表中，发射极连接至电路的输入端，接收被测电路中的信号，并将其输入到BT33中。
可控硅一、概述一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。
又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。
在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（谷称“死硅”）更为可贵的可控性。
它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损髦显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。
二、可控硅元件的结构和型号1、结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。
见图1。
它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件图1、可控硅结构示意图和符号图2、型号目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种，新型号将逐步取代旧型号。
表一 KP型可控硅新旧标准主要特性参数对照表KP型可控硅的电流电压级别见表二表二、KP型可控硅电流电压级别示例：（1）KP5-10表示通态平均电流5安，正向重复峰值电压1000伏的普通反向阻断型可控硅元件。
（2）KP500-12D表示通态平均电流500安，正、反向重复峰值电压1200伏，通态平均电压0.7伏的业通反向阻断型可控硅元件。
（3）3CT5/600表示通态平均电流5安，正、反向重复峰值电压600伏的旧型号普通可控硅元件。
三、可控硅元件的工作原理及基本特性1、工作原理可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图2所示图2、可控硅等效图解图当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
5.3.3 移相触发电路移相电路一般由同步电路、脉冲形成电路、脉冲移相和放大电路等组成。
按触发电路使用的器件可分为单结晶体管触发电路、晶体管触发电路、数字式触发电路和集成触发电路等几种。
5.3.3.1单结晶体管触发电路1单结晶体管工作原理单结晶体管又叫双基极二极管，他有一个PN结、一个发射极和两个基极。
发射极和两个基极之间可以等效为一个二极管，具有二极管的单向导电特性。
当单结晶体管发射极电压u e=0时，二极管反向偏置，发射极流过反向漏极流过反向漏电流ie，如图5-29所示。
随着ue的增大，反向漏电流ie减小，当ue=UA=ƞUcc时，ie=0，二极管处于零偏置。
式中，ƞ叫分压比，是单结晶体管的一个重要参数；Ucc为加在单结晶体管两个基极之间的电源电压。
在ue到达Up之前，虽然二极管处于正向偏置状态，但尚不足于克服二极管的导通压降，因此，单结晶体管一直处于截止区。
在ue到达UP之后，电流ie显著增大，ue显著减小，显现负阻特性。
这时，吧出现负阻特性的转折点P 称为峰点，Up称为峰点电压，对应的电流Ip为峰点电流。
当ie增大到某一值Iv后，ue又随ie增大而增大，重现电阻特性，这一现象称为饱和。
负阻特性结束的转折点V称为谷点，Uv称为谷点电压，对应的电流Iv为谷点电流。
2单结晶体管触发电路ZX5系列晶闸管弧焊整流器采用单结晶体管触发电路，其主要电路如图5-16b所示，即接成工阳极的带平衡电抗器双反星形形式。
由上节可知，可采用两套触发电路分别触发正极性组和反极性组的晶闸管。
（1）脉冲产生电路见图5-30.主要由三极管V3、V4，单结晶体管VU1、VU2，电容C20、C21，脉冲变压器TP1、TP2组成。
控制电压uk接至三极管V3、V4基极。
当有负的uk输入时，C20C21分别被充电，于是由C20 、VU1和C21、VU2组成的张弛振荡器不断产生振荡，脉冲变压器分别输出脉冲，该脉冲加至图5-28中的小晶闸管V上，有V触发主电路晶闸管。
常用电子元器件参考资料第一节部分电气图形符号一．电阻器、电容器、电感器和变压器二．半导体管三．其它电气图形符号第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器1．电阻器和电位器的型号命名方法示例：(1)精密金属膜电阻器R J 7 3第四部分：序号第三部分：类别（精密）第二部分：材料（金属膜）第一部分：主称（电阻器）(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四部分：序号第三部分：类别（多圈）第二部分：材料（线绕）第一部分：主称（电位器）2．电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。
电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。
不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。
(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。
根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。
E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。
(3) 允许误差等级3．电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。
符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。
如1R5表示1.5Ω，2K7表示2.7kΩ，表５例如：RJ71－0.125－5k1－II允许误差±10%标称阻值(5.1kΩ)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差为±10%。
(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）标注在它的外表面上。
色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。
其含义如图1和图2所示。
半导体器件常用型号参数一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。
在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。
锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。
在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。
发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。
在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
郑州航空工业管理学院《电子电力变流技术》课程设计09 级电气工程及其自动化专业 0906073 班级题目单相桥式全控整流电路电阻性负载姓名学号指导教师职称二О 一二年六月六日一．设计题目：单相桥式全控整流电路电阻性负载二．设计条件：（1）电网：380V，50Hz；（2）晶闸管单相桥式全控整流电路；（3）负载电压在100V~150V之间连续可调；（4）负载电阻20Ω；三．设计任务：（1）电源变压器设计，计算变压器容量、变比、2次侧电压有效值，2次侧电压有效值在满足负载最大电压要求下，适当留出裕量，然而裕量不应过大，具体大小由设计人员灵活掌握；（2）计算控制角移相范围；（3）计算晶闸管额定电流；（4）计算晶闸管额定电压；（5）设计基于单节晶体管的简易触发电路，要求给出同步变压器参数、稳压二极管参数、单节晶体管参数；估算Re、C的取值范围；电路图设计，给出主电路、触发电路相结合的完整电路图四．设计要求：（1）应当给出具体的计算过程和分析过程；（2）涉及电流、电压计算时，必须用波形图配合说明计算过程；（3）选型参数（额定电压、额定电流、容量等）应当取整。
五．数值计算：1.输出电压平均值和输出电流平均值（1）（2）2.晶闸管的移相范围当=150V时，不计控制角余量，即按=0o计算由=0.9得取（3）此时，把（3）式及代入（1）式可得，，即，然后取。
又把（3）式及代入（1）式可得，，即，然后可取。
所以控制角的移相范围是（）。
3.晶闸管的电流平均值和有效值为：4.输出电流有效值I和变压器二次电流有效值可求得，当时，有最大值，且为5.晶闸管所承受的最大正向电压和最大反向电压为，故晶闸管的额定电压为又因为要考虑晶闸管的额定电流为6.变压器的参数：不计变压器损耗的情况下，变压器的容量为：,所以变压器容量取变压器的变比为：变压器的2次侧电压有效值为：7.单结晶体管触发电路各参数选择:(1)单结晶体管的选择单结晶体管选取BT32E,此型号具体参数：分压比，峰点电流Ip<=2uA，调制电流8~35mA，总耗散功率Pt=250mW，谷点电流Iv>=1.5mA.谷点电压Uv<=3.5V。
实验一单结晶体管触发电路实验一、实验目的(1)熟悉单结晶体管触发电路的工作原理及电路中各元件的作用。
(2)掌握单结晶体管触发电路的调试步骤和方法。
二、实验所需挂件及附件1. DJK01 电源控制屏2. DJK03-1 晶闸管触发电路3. 双踪示波器三、实验原理图1-1 单结晶体管触发电路利用单结晶体管(又称双基极二极管)的负阻特性和RC的充放电特性，可组成频率可调的自激振荡电路，如图1-1所示。
图中V6为单结晶体管，由等效电阻V5和C1组成组成RC充电回路，由C1，V6和脉冲变压器组成电容放电回路，调节RP1即可改变C1充电回路中的等效电阻。
工作原理简述如下：由同步变压器副边输出60V的交流同步电压，经VD1半波整流，再由稳压管V1、V2进行削波，从而得到梯形波电压，其过零点与电源电压的过零点同步，梯形波通过R7及等效可变电阻V5向电容C1充电，当充电电压达到单结晶体管的峰值电压时，单结晶体管V6导通，电容通过脉冲变压器原边放电，脉冲变压器副边输出UP脉冲。
同时由于放电时间常数很小，C1两端的电压很快下降到单结晶体管的谷点，使V6关断，C1再次充电，周而复始，在电容C1两端呈现锯齿波形，在脉电压Uv冲变压器副边输出尖脉冲。
在一个梯形波周期内，V6可能导通、关断多次，但只有输出的第一个触发脉冲对晶闸管的触发时刻起作用。
充电时间常数由电容C1和等效电阻等决定，调节RP1改变C1的充电的时间，控制第一个尖脉冲的出现时刻，实现脉冲的移相控制。
单结晶体管触发电路的各点波形如图1-2所示。
图1-2 单结晶体管触发电路各点的电压波形(α=900)四、实验内容(1)单结晶体管触发电路的观测将DJK01电源控制屏的电源选择开关打到“直流调速”侧,使输出线电压为200V （不能打到“交流调速”侧工作，因为DJK03-1的正常工作电源电压为220V ±10%，而“交流调速”侧输出的线电压为240V 。
如果输入电压超出其标准工作范围，挂件的使用寿命将减少，甚至会导致挂件的损坏。
BT33型调光台灯电路的制作一、电路工作原理下图为调光台灯电路，可使灯泡两端交流电压在几十伏至二百伏范围内变化，调光作用显著。
图一、家用调光台灯电路图二、单结晶体管符号1．单结晶体管和单向晶闸管（1）单结晶体管单结晶体管有两个基极，仅有一个PN结，故称双基极二极管或单结晶体管。
图二所示是单结晶体管的图形符号，发射极箭头倾斜指向b1，表示经PN结的电流只流向bl极。
国产单结晶体管有BT31、BT32、BT33、BT35等型号。
单结晶体管在一定条件下具有负阻特性，即当发射极电流I增加时，发射极电压Ve反而减小。
利用单结晶体管的负阻特性和RC充放电电路，可制作脉冲振荡器。
单结晶体管的主要参数有基极直流电阻Rbb和分压比。
Rbb是射极开路时b 1、b2间的直流电阻，约2～10kW，Rbb阻值过大或过小均不宜使用。
另外一个是b1、b2间的分压比，其大小由管内工艺结构决定，一般为0.3～0.8。
（2）单向晶闸管晶体闸流管又名可控硅，简称晶闸管。
广泛应用于无触点开关电路及可控整流设备。
晶闸管有三个电极：阳极A、阴极K和控制极G。
图三（a）、（b）所示是其电路符号和内部结构。
单向晶闸管有以下三个工作特点：①晶闸管导通必须具备两个条件：一是晶闸管阳极A与阴极K间必须接正向电压。
二是控制极与阴极之间也要接正向电压；②晶闸管一旦导通后，降低或去掉控制极电压，晶闸管仍然导通；③晶闸管导通后要关断时，必须减小其阳极电流使其小于晶闸管的导通维持电流。
晶闸管的控制电压Vc和电流Ic都较小，电压仅几伏，电流只有几十至几百毫安，但被控制的电压或电流却可以很大，可达数千伏、几百安培。
可见晶闸管是一种可控单向导电开关，常用于弱电控制强电的各类电路。
图三、晶闸管符号和内部结构2．电路调光原理图一中，VT、R2、R3、R4、RP、C组成单结晶体管张弛振荡器。
接通电源前，电容C上电压为零。
接通电源后，电容经由R4、RP充电，电容的电压V逐渐升高。
