2009年7月高等教育自学考试全国统一命题考试
电子技术基础（三）试题
课程代码：04730
一、单项选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分） 1.某元件A 上的电压与电流参考方向如题1图所示，已知 U =5V ，I=2mA ，则（ ）
A.元件吸收的功率为10W
B.元件产生的功率为10W
C.元件吸收的功率为10mW
D.元件产生的功率为10mW 题1图 2.若令理想电压源和理想电流源等于零，则下列表述正确的是（ ） A.电压源短路，电流源开路 B.电压源开路，电流源开路 C.电压源短路，电流源短路
D.电压源开路，电流源短路
3.若正弦电流i 1(t )=I 1m sin(2πt )A,i 2(t )=I 2m sin(4πt -2π)A ，则i 1相位（ ） A.超前i 2相位2π B.滞后i 2相位2π C.滞后i 2相位4π
D.不能与i 2相位作比较
4.在由双极型晶体管构成的单级放大电路中，输出电压与输入电压相位相反的是（ ） A.共集电极放大电路 B.共发射极放大电路 C.共基极放大电路
D.任何一种放大电路
5.放大电路如题5图所示，假设电容C 1，C 2，C s 容量足够大，对交流信号可视作短路，
L L
R R ='∥R D ，则输入电阻R i 的表达式是（ ） A.R G 1 B.R G 2 C.R G 1∥R G 2
D.R G 1+R G 2
题5图
6.在同相比例运算电路中，其输入电阻R if 为（ ） A.R if =∞ B.R if 很小 C.R if =0
D.R if 与信号有关
7.理想运放作放大信号使用时，其放大倍数A uf （ ） A.与信号大小有关 B.与信号极性有关 C.仅与外接电阻有关
D.与运放型号有关
8.单相桥式整流电路流过每个二极管的电流平均值I D(A V)与输出电流平均值I O(A V)的关系为
（ ）
A.I D(A V)=2I O(A V)
B.I D(A V)=I O(A V)
C.I D(A V)=
21I O(A V)
D.I D(A V)=
41I O(A V)
9.如输出电压为5V ，最大输出电流为1.5A ，则可选用的集成稳压器是（ ） A.7805
B.78M05
C.78L05
D.7905
10.十六进制数(7D)16对应的十进制数为（ ） A.(123)10
B.(125)10
C.(127)10
D.(256)10
11.有三个输入端的或非门电路，要求输出高电平，则其输入端应（ ） A.全部都要为高电平 B.至少一个端为低电平 C.全部都要为低电平
D.至少一个端为高电平
12.下列各图中，使输出F=1的电路是（ ）
13.在半加器
中，AB 分别为被加数与加数，则半加器和S 为（ ） A.S =B A B.S =B A +AB C.S =B A B A +
D.S =AB
14.在下列各图中，能实
行
Q n +1=n Q 的电路是（ ）
15.可编程PROM 器件中，输出F 1和输出F 2表达式分别为（ ） A.F 1=AB ， F 2=B A
B.F 1=A+B ， F 2=B A +
C.,1B A B A
F += F 2=B A +AB D.F 1=AB B A +， B A B A
F +=2
题15图
二、填空题（本大题共15小题，每小题1分，共15分）
请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。
16.电路如题16图所示，ab两端的等效电阻R ab等于__________Ω。
题16图
17.电路如题17图所示，6Ω电阻上的电压等于____________V。
题17图
18.电路如题18图所示，等效输入阻抗Z in等于__________Ω。
题18图
19.已知场效应管的转移特性曲线如题19图所示，则晶体管的开启电压U GS(th)等于__________V。
题19图
20.场效应管是__________控制电流的元件。
21.已知放大器的开路输出电压等于3V，输出电阻1KΩ，当接入1KΩ的负载电阻时，负载上得到的输出电压等于______________V。
22.电压比较器当同相端输入U+大于反相端输入U-时，则输出U O极性为__________。
23.微分运算电路可以用来将方波变为____________波形。
24.三端集成稳压器79L12的输出电流为__________A。
25.由稳压二极管组成的稳压电路，其输出电压U O与稳压管的稳定电压U z__________。
26.题26图所示电路的输出F=__________。
题26图
27.用低电压表示逻辑1，而用高电压表示逻辑0，这样的约定称为_____________。
28.题28图所示电路的输出F=_____________。
题28图
29.同步RS触发器输入端R=0，S=0，则RS触发器Q n+1为_______________。
30.PAL电路是与阵列可编程，或阵列____________。
三、分析题（本大题共8小题，每小题5分，共40分）
31.电路如题31图所示，求相量电
流321,,I I I 的值。
题31图
32.场效应管放大电路如题32图所示，已知g m =1.2ms ,R G 1=10M Ω,R D =R L =20K Ω。求电压增
益u A =
i
o U U 的值。
题32图
33.运放电路如题33图的示，已知u
i >U Zo 要求：（1）写出u o 与U z 的关系式；
（2）说明此电路有何功能？
题33图
34.用代数法化简函数F=A D +BD+DCE+B D 。
35.逻辑电路的输入A 、B 波形和输出F 波形的关系如题35图所示，试列出真值表，写出函数F 的逻辑表达式。
题35图
36.分析题36图所示电路，写出L，G，M的逻辑表达式，列真值表并分析功能。
题36图
37.某微机I/O接口电路中的地址译码器如题37图。分析该电路，写出Y3=0时，输入A7~A0对应的二进制数分别是多少？并用十六进制数表示。
题37图
74LS138译码器真值表
G1G2A+G2B A2A1A0Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7 x 1 x x x 1 1 1 1 1 1 1 1
0 x x x x 1 1 1 1 1 1 1 1
1 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1
1 0 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1
1 0 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1
1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1
1 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 1 1
1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1
1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1
1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0
38.电路如题38图所示，设Q 的初始状态为0，写出状态方程；画出Q 的波形。
题38图
四、设计与计算题（本大题共4小题，第39、40小题各8分，第41、42小题各7分，共
30分）
39.电路如题39图所示，R 1=R 2=R 3=1Ω,欲使流过R 2电阻上的电流I x =2A,求电压源U 以及流过该电压源的电流I 的值。
题39图
40.单级放大电路如题40图所示，设晶体管的β=100，r be =1.3K Ω,R s =0.7K Ω,R B =50K Ω, R C =3K Ω,R 1=2K Ω,R 2=0.33K Ω,R L =6K Ω,各电容对信号可视为短路。 要求：（1）画
出微变等效电路；
电压增益A us =S
O U U 和（2）求输入电阻R i 。
题40图
41.使用数据选择器74LS151设计一个判别三位二进制数的判别电路。当数为奇数时为1，否则为零。要求： （1）列出真值表； （2）写出逻辑表达式；
（3）完成逻辑图连线。
42.下表为74LS161功能表，试用74LS161设计一个同步置数的13进制计数器。 要求：（1）写出S 13-1的二进制代码；
（2）写出反馈置数的函数表达式； （3）完成逻辑图连线。
74LS161功能表
输 入
输 出
进 位
功能
说明 D R
D L EP ET CP D 0 D 1 D 2 D 3 10+n Q 11+n Q 12+n Q 13+n Q
C 0 0 × × × × × × × × 0 0 0 0 0
清零
1 0 × × ↑
d 0
d 1
d 2
d 3
d 0
d 1 d 2
d 3
ET n
n
n
n
Q Q Q Q 3210
置数 1
1
1
1
↑ × × × ×
计数
n
n n n Q Q Q Q 3210
计数
1 1 0 ××××××保持
保持0
保留C0
1 1 ×0 ×××××清除C0
1 电子技术基础试题（八） 一．填空题：（每题 3 分，共 30 分） 1、 PN 结具有 __单向导电特性____ 性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而___ 增大__ 。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的______输入电阻_____ 大和___ 输出电阻小_____ 小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻 RL 和信号源的内阻 rs__相等 __时，负载获得的功率最大，这种现象称为__ 阻抗匹配 ___。 5、运算放大器的输出是一种具有__深度负反馈高增益 ___的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：________ 甲__类功放， ___乙 ___类功放和___ 甲乙___类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量__偏流IBQ _____ ，以减少 __交越__失真。 8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由__采样电路 _ 、基准电源，比较放大电路和__调整元件 __四个部分组成。 9．逻辑代数的三种基本运算是_逻辑乘 __ 、 __逻辑加 _和 ___逻辑非 __。 10．主从触发器是一种能防止 __空翻 _现象的实用触发器。 二．选择题（每题 3 分，共 30 分） 1．晶体管二极管的正极的电位是－ 10V ，负极电位是－ 5V ，则该晶体二极管处于：（ C ）。A. 零偏 B.反偏 C.正偏 2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（ A）。A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压 VCE上升 C.集电极电流增大
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1=100V ，u I 2 =80V 则差模输入电压u Id = 20 V ；共模输入电压u Ic = 90 V 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的1 = 30，V 2的2 = 50，则复合后的约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
第三章组合逻辑电路 第一节重点与难点 一、重点: 1．组合电路的基本概念 组合电路的信号特点、电路结构特点以及逻辑功能特点。 ２。组合电路的分析与设计 组合电路分析是根据已知逻辑图说明电路实现的逻辑功能。 组合电路设计是根据给定设计要求及选用的器件进行设计,画出逻辑图。如果选用小规模集成电路SSI,设计方法比较规范且容易理解,用ＳＳI设计是读者应掌握的最基本设计方法。由于设计电路由门电路组成,所以使用门的数量较多，集成度低。 若用中规模集成电路MＳＩ进行设计，没有固定的规则，方法较灵活。 无论是用ＳSI或ＭSI设计电路，关键是将实际的设计要求转换为一个逻辑问题，即将文字描述的要求变成一个逻辑函数表达式。 3．常用中规模集成电路的应用 常用中规模集成电路有加法器、比较器、编码器、译码器、数据选择器和数据分配器等,重要的是理解外部引脚功能，能在电路设计时灵活应用. 4.竞争冒险现象 竞争冒险现象的产生原因、判断是否存在竞争冒险现象以及如何消除。 二、难点: 1.组合电路设计 无论是用SSI还是用MSI设计电路,首先碰到的是如何将设计要求转换为逻辑问题，得到明确的真值表，这一步既是重点又是难点.总结解决这一难点的方法如下： (1)分析设计问题的因果关系，分别确定输入变量、输出变量的个数及其名称. (2）定义逻辑变量０、1信号的含义。无论输入变量、输出变量均有两个状态０、1，这两个状态代表的含义由设计者自己定义。 (3）再根据设计问题的因果关系以及变量定义，列出真值表. ２。常用组合电路模块的灵活应用 同样的设计要求,用MSＩ设计完成后，所得的逻辑电路不仅与所选芯片有关，而且还与设计者对芯片的理解及灵活应用能力有关。读者可在下面的例题和习题中体会. 3．硬件描述语言ＶHDL的应用 VＨDL的应用非常灵活,同一个电路问题可以有不同的描述方法，初学者可以先仔细阅读已有的程序实例，再自行设计。 三、考核题型与考核重点 １。概念与简答 题型1为填空、判断和选择； 题型２为叙述基本概念与特点。 建议分配的分数为3～6分。 2。综合分析与设计
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
电子技术基础（三）试题答案及评分参考 第 1 页 （共 5 页） 绝密★启用前 2020 8 04730 一、单项选择题：本大题共15小题，每小题1分，共15分。 1．B 2．C 3．D 4．A 5．D 6．A 7．B 8．A 9．B 10．D 11．D 12．A 13．B 14．B 15．D 二、填空题：本大题共15小题，每小题1分，共15分。 16．0 17．?∠1.5310 18．0 19．单向导电性 20．截止 21．电压串联 22．反 23．同 24．增大 25．1A 26．1 27．32 28．4 29．2kHz 30．可编程 三、分析题：本大题共8小题，每小题5分，共40分。 31．（1）5 '31010V 105U =??=+,（1分） 10 ''1510V 105U =?=+,（1分） 101020V U =+=（1分） （2）2 2 2040W 10U P R ===（2分) 32．（1）1 o i u u dt t RC =-=?（3分） （2）t=3s 时，3V o u =；而t=6s 时，输出电压饱和，所以5V o u =（2分） 33．（1）U O(A V) =0.9U 2=18V （1分） （2）U O(A V) =1.2U 2=24V （1分） （3）U O(A V) =0.45U 2=9V （1分） （4）I D(A V) =0.5*18V/1 k Ω=9mA （2分） 34．（01000111）2=（71）10 （2分） （01000111）2=（47）16 （2分） （01000111）2=（01110001）8421BCD （1分）
《电子技术基础》第一章半导体二极管试卷 一、单项选择题 1.测量二极管(小功率)的管脚极性时,万用表的电阻档应选( )。(2 分) A.R×1 B.R×10 C.R×100或R×1k D.R×10k 2.测量二极管反向电阻时,若用两手将两管脚捏紧,其电阻值会( )。(2 分) A.变大 B.先变大后变小 C.变小 D.不变 3.二极管正反向电阻相差( )。(2 分) A.越小越好 B.越大越好 C.无差别最好 D.无要求 4.用万用表R×100Ω挡来测试二极管,其中( )说明管子是好的。(2 分) A.正、反向电阻都为零 B.正、反向电阻都为无穷大 C.正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧 D.反向电阻为几百欧,正向电阻为几百欧 5.变容二极管工作时,应加( )。(2 分) A.反向电压 B.正向电压 C.正向电压或反向电压 6.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管( )。(2 分) A.基本正常 B.击穿 C.烧坏 D.电流为零 7.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V,判断二极管应是( )。(2 分) A.正偏 B.反偏 C.零偏
8.2AP9表示( )。(2 分) A.N型材料整流管 B.N型材料稳压管 C.N型材料普通管 D.N型材料开关管 9.变容二极管常用在( )电路中。(2 分) A.高频 B.低频 C.直流 10.用于整流的二极管型号是( )。(2 分) A.2AP9 B.2CW14C C.2CZ52B D.2CK84A 二、判断题 11.( )发光二极管可以接收可见光线。(2 分) 12.( ) 二极管加反向电压时一定截止。(2 分) 13.( )当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。(2 分) 14.( )PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。(2 分) 15.( )有两个电极的元件都叫二极管。(2 分) 16.( )二极管具有单向导电性。(2 分) 17.( )光电二极管可以将光信号转化成为电信号。(2 分) 18.( )PN结是一种特殊的物质,一般情况下不能导电。(2 分) 19.( )二极管是线性元件。(2 分) 20.( )二极管加正向电压时一定导通。(2 分) 三、填空题 21. 硅二极管的死区电压为V，锗二极管的为V；导通管压降，硅管为V，锗管为V。(4 分) 22.PN结正偏时，P区接电源的极，N区接电源的极；PN结反偏时，P区接电 源的极，N区接电源的极。(4 分)
2008年4月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础（三） 试卷 课程代码 4730 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．电路如图所示,能正确反映电压1U 和U 之间关系的表达式是（ ） A ．U R R R U 2 12 1+= B ．U R R R U 22 11+= C ．U R R R U 2 11 1+= D ．U R R R U 12 11+= 2．正弦电压u(t)=t)sin( ?m U (V),则正弦电压的有效值等于（ ） A ．m U 21 B ． m U 2 2 C ．m U D ．m U 2 3．电路如图所示,已知V U ,R R R s 21K Ω321====。则电流I 等于（ ） A ．0.5mA B ．1mA C ．2mA D ．3mA 4．图示电路中二极管21D D 和的导通电压均为0.7V ,当V U ,V U 51021==时,可以判断出（ ）
A ．截止导通21D ,D B ．导通截止21D ,D C ．导通导通21 D ,D D ．截止截止21D ,D 5．为使放大电路的输出电压稳定、输入电阻增大，需引入的交流负反馈是（ ） A ．电压串联 B ．电压并联 C ．电流串联 D ．电流并联 6．其特征是是理想运放的输出电阻,R o （ ） A ．0R o = B ．较大o R C ．∞趋于o R D ．与信号有关o R 7．集成运放作为线性应用时，电路形式一般是（ ） A ．开环 B ．正反馈 C ．开环或正反馈 D ．深度负反馈 8．单相桥式整流电路，2U 为变压器副边电压有效值，则二极管承受的最高反压RM U 为（ ） A ．222U B ．22U C ．2U 2 D ．2U 9．开关型集成稳压器与普通线性集成稳压器相比较，前者的突出特点是（ ） A ．稳压效果好 B ．效率高 C ．滤波电容大 D ．输出纹波小 10．某逻辑电路真值表如下表所示，其函数F 的表达式是（ ） A ． B F = B ．A F = C ．A F = D ．B F =
电工电子技术基础试题库 Prepared on 24 November 2020
一、判断题 1．理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。 （错） 2．因为正弦量可以用相量来表示，所以说相量就是正弦量。 （错） 3．自耦变压器由于原副边有电的联系，故不能作为安全变压器使用。（对） 4．电动机的额定功率是指电动机轴上输出的机械功率。 （对） 5．一个1/4W,100Ω的金属膜电阻，能够接在50V 电源上使用。 （错） 6．三相对称电路中，负载作星形联接时，P 3I I l 。 （错） 7．电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。 （错） 8. 电压是产生电流的根本原因。因此电路中有电压必有电流。 （错） 9. 正弦量的三要素是指最大值、角频率和相位。 （错） 10．负载作星形联接时，必有线电流等于相电流。 （对） 11．一个实际的电感线圈，在任何情况下呈现的电特性都是感性。 （错） 12．正弦交流电路的频率越高，阻抗越大；频率越低，阻抗越小。 （错） 13．中线不允许断开，因此不能安装保险丝和开关。 （对） 14．互感器既可用于交流电路又可用于直流电路。 （ 错 ） 15．变压器是依据电磁感应原理工作的。 （ 对 ） 16．电机、电器的铁心通常都是用软磁性材料制成。 （ 对 ） 17．自耦变压器由于原副边有电的联系，所以不能作为安全变压器使用。 （ 对 ） 18．电动机的转速与磁极对数有关，磁极对数越多转速越高。 （ 错 ） 19．三相异步电动机在满载和空载下起动时，起动电流是一样的。（ 错 ） 20．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错） 21．晶体管可以把小电流放大成大电流。 （对） 22．在P 型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。 （对）
电子技术基础（三）试题 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．以下关于脉动直流电压的描述中，正确的是（） A．电压的大小和方向均不随时间变化 B．电压的大小随时间变化，但方向不随时间变化 C．电压的大小不随时间变化，但方向随时间变化 D．电压的大小和方向均随时间变化 2．以下关于理想电流源特性的描述中，正确的是（） A．理想电流源的信号源内阻接近于零 B．理想电流源任何时候都可以串联在一起 C．理想电流源的输出电流与负载无关 D．理想电流源两端的电压与负载无关 3．电路如题3图所示，已知相量电流则向量电流I为（） A．10∠90° (A) B．10∠-90° (A) C．2∠45° (A) D．2∠-45° (A) 4．N型半导体中的多数载流子是（） A．自由电子B．空穴 C．五价杂质原子D．五价杂质离子 5．已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位 如题5图所示，则a、b、c三个电极分别为（） A．发射极、基极、集电极 B．发射极、集电极、基极 C．基极、发射极、集电极 D．基极、集电极、发射极 6．理想运放的差模输入电阻R id和输出电阻R O分别为（） A．R id=0，R O=0 B．R id=0，R O=∞ C．R id=∞，R O=0 D．R id=∞，R O=∞ 7．为避免集成运放因输入电压过高造成输入级损坏，在两输入端间应采取的措施是（） A．串联两个同向的二极管B．串联两个反向的二极管 C．并联两个同向的二极管D．并联两个反向的二极管 8．在单相半波整流电路中，如变压器副方电压的有效值为U2，则二极管所承受的最高反向电压为（）
电子技术基础与技能试题 使用教材：电子技术基础与技能试题围：全册 ：高等教育版次：第2版 学校名称：礼县职业中等专业学校 一、填空题 1、二极管最主要的电特性是，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个。 2、三极管的三个工作区域是，，。集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大器。 3、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为dB，总的电压放大倍数为。 4、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为，为了消除交越失真常采用电路。 5、理想集成运算放大器的理想化条件是Aud= 、R id= 、K CMR= 、R O = 6、三端集成稳压器CW7805输出电压V，CW7915输出电压V。 7、74LS系列的TTL与非门电路常使用的电源电压为V，一般要求其输出高电平电压大于等于V，输出低电平电压小于等于V，CMOS集成门电路的电源电压在V 围均可正常工作，建议使用V电源供电。 8、晶体三极管截止时相当于开关，而饱和时相当于开关。 9、异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 10、已知某触发器的真值表如下（A、B为触发器的输入信号）所示，其输出信号的逻辑表达式为。
真值表 A B Q n+1说明 0 0 Q n保持 0 1 0 置0 1 0 1 置1 1 1 Q n翻转 二、单选题 1、下列使用指针式万用表判断二极管极性的正确步骤是（）。 ａ．用万用表红黑表笔任意测量二极管两引脚间的电阻值。 ｂ．将万用表的电阻挡旋钮置于Ｒ×１００或Ｒ×１ｋ挡，调零。 ｃ．以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的二极管一端为正极，红表笔所接的二极管一端为负极。 ｄ．交换万用表表笔再测一次。如果二极管是好的，两次测量的结果必定一大一小。 A．ａｂｃｄ B. ｂａｄｃ C. ｃｄａｂ D. ｂｃｄａ 2、对于桥式整流电路，正确的接法是（）。 3、某NPN型三极管的输出特性曲线如图1所示，当VCE=6V，其电流放大系数β为（）
2009年4月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础(三)试题 课程代码：04730 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1.两个串联元件A 、B 上的电压与电流参考方向如题1图所示，已知U 1=2V ，I=5A ，U 2=-4V ，则( ) A.元件A 吸收功率10W ，元件B 吸收功率20W B.元件A 产生功率10W ，元件B 产生功率20W C.元件A 产生功率10W ，元件B 吸收功率20W D.元件A 吸收功率l0W ，元件B 产生功率20W 2.实际电压源和电流源模型中，其内阻与理想电压源和电流源之间的正确连接关系是 ( ) A.理想电压源与内阻串联，理想电流源与内阻串联 B.理想电压源与内阻并联，理想电流源与内阻串联 C.理想电压源与内阻串联，理想电流源与内阻并联 D.理想电压源与内阻并联，理想电流源与内阻并联 3.若正弦电压)6 2sin()(11π-π=t U t u m （V ），)32s i n ()(22π-π=t U t u m (V)，则u 2相位( ) A.超前u 1相位3 π B.滞后u 1相位3π C.超前u 1相位6π D.滞后u 1相位6 π 4.某场效应管的转移特性曲线如题4图所示，则可以判断该管为( ) A.P 沟道增强型MOS 管 B.P 沟道耗尽型MOS 管 C.N 沟道增强型MOS 管 D.N 沟道耗尽型MOS 管 5.某放大器在1K Ω负载电阻上测得输出电压为1V ，在4.7K Ω负载电阻上测得输出电压为 1.65V ，则该放大器的输出电阻等于( )
电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题（每空1分，共30分） 1．硅二极管的死区电压为_____V，锗二极管的死区电压为_____V。 2．常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3．晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4．差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____，相位_____的信号电压。 5．互补对称推挽功率放大电路可分成两类：第一类是单电源供电的，称为_____电路，并有_____通过负载输出；第二类是双电源供电的，称为_____电路，输出直接连接负载，而不需要_____。 6．功率放大器主要用作_____，以供给负载_____。 7．集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8．异或门的逻辑功能是：当两个输入端一个为0，另一个为1时，输出为_____；而两个输入端均为0或均为1时，输出为_____。 9．(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10．逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11．组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题（下列各题中你认为正确的，请在题干后的括号内打“√”，错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分，共10分） 1．放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 2．小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高，可以增大R B使I B减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 3．对共集电极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 4．交流放大器也存在零点漂移，但它被限制在本级内部。（） 5．同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。（） 6．只要有正反馈，电路就一定能产生正弦波振荡。（） 7．多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。（） 8．TTL集成电路的电源电压一般为12伏。（） 9．流过电感中的电流能够突变。（） 10．将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器，将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。（） 三、单选题（在本题的每小题备选答案中，只有一个答案是正确的，请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内，多选不给分。每小题2分，共26分） 1．用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V，负极电压为1.3V，则此二极管所处的状态是（） A．正偏B．反偏C．开路D．击穿 2．放大器的三种组态都具有（） A．电流放大作用B．电压放大作用 C．功率放大作用D．储存能量作用 3．下列各图中，三极管处于饱和导通状态的是（）
电子技术基础试题（八） 一、填空题（每题3分，共30分） 1、P N结具有—单向导电特性—性能。 2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而增大_。 3、射极输出器放在中间级是兼用它的—输入电阻—大和—输出电殂—小的特点，起阻抗变换作用。 4、只有当负载电阻R和信号源的内阻r s一相等—时，负载获得的功率最大，这种现象称为—阻抗匹配_。 一5、运算放大器的输出是一种具有—深度负反馈高增益_的多级直流放大器。 6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：_甲_类功放，_乙_类功放和—甲 乙_类功放电路。 7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量—偏流 I B^，以减少_交越—失真。 8带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由—采样电路、基准电源、比较放大电路和—调整元件_四个部分组成。 9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、逻辑加和逻辑非。 10、主从触发器是一种能防止_空翻一现象的实用触发器。 二、选择题（每题3分，共30分） 1 ?晶体管二极管的正极的电位是一10V,负极电位是一5V,则该晶体二极管处于：（C ）。 A.零偏 B. 反偏 C. 正偏 2?若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：（A ）。 A.集电极电流减小 B.集电极与发射极电压V CE上升 C.集电极电流增大 3.某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：（B ）。 A.3A V B.A 3V C.A V3/3 D.A V 4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：（A ）。 A.保证电路满足振幅平衡条件 B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大 C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡 5.甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：（C）。 A.有交越失真 B. 易产生自激 C. 效率低 6.有两个2CW15急压二极管，其中一个稳压值是8V,另一个稳压值为 7.5V，若把两管的正极 并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是： （B ）。 A.8V 7?为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：（A ）。 A.在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流 B.在开启时提供很大的反向基极电流 C.隔开直流电压 8.逻辑函数式E F+E F+EF,化简后答案是：（C ）。 A.EF B. F E+E F C.E+F 9.基本RS触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态：（B ）。A.
《电工电子技术基础》 一、填空题：（每题3分，共12题，合计 33 分） 1、用国家统一规定的图形符号画成的电路模型图称为，它只反映电路中电气方面相互联系的实际情况，便于对电路进行和。 2、在实际电路中，负载电阻往往不只一个，而且需要按照一定的连接方式把它们连接起来，最基本的连接方式是、、。 3、在直流电路的分析、计算中，基尔霍夫电流第一定律又称定律，它的数学表达式为。假若注入节点A的电流为5A和－6A，则流出节点的电流I 出= A 。 4、电路中常用的四个主要的物理量分别是、、、。 它们的代表符号分别是、、和； 5、在实际应用中，按电路结构的不同分为电路和电路。凡是能运用电阻串联或电阻并联的特点进行简化，然后运用_________求解的电路为_____；否则，就是复杂电路。 6、描述磁场的四个主要物理量是：___、_____、_______和_______；它们的代表符号分别是____、_____、______和____； 7、电磁力F的大小与导体中 ____的大小成正比，与导体在磁场中的有效 ________及导体所在位置的磁感应强度B成正比，即表达式为：________ ,其单位为：______ 。 8、凡大小和方向随时间做周期性变化的电流、电压和电动势交流电压、交流电流和交流电动势，统称交流电。而随时间按正弦规律变化的交流电称为正弦交流电。 9、______________、_______________和__________是表征正弦交流电的三个重要物理量，通常把它们称为正弦交流电的三要素。 10、已知一正弦交流电压为u=2202sin(314t+45°)V，该电压最大值为__________ V，角频率为__________ rad/s,初相位为________、频率是______ Hz周期是_______ s。 11、我国生产和生活所用交流电（即市电）电压为 _ V。其有效值为 _ V,最大值为____ V，工作频率f＝____ __Hz，周期为T＝_______s，其角速度ω＝______rad/s，在1秒钟内电流的方向变化是________次。 二、判断下列说法的正确与错误：正确的打（√），错误的打（×），每小题1分，共 20 分 1、电路处于开路状态时，电路中既没有电流，也没有电压。（_） 2、理想的电压源和理想的电流源是不能进行等效变换。（_） 3、对于一个电源来说，在外部不接负载时，电源两端的电压大小等于电源电动势的大小，且 方向相同。（_） 4、在复杂电路中，各支路中元器件是串联的，流过它们的电流是相等的。（_） 5、用一个恒定的电动势E与内阻r串联表示的电源称为电压源。（_） 6、理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。（_） 7、将一根条形磁铁截去一段仍为条形磁铁,它仍然具有两个磁极. (_ ) 8、磁场强度的大小只与电流的大小及导线的形状有关，与磁场媒介质的磁导率无关（_）
2016年4月高等教育自学考试全国统一命题考试 电子技术基础(三) 试卷 (课程代码 04730) 本试卷共8页，满分l00分，考试时间l50分钟。 考生答题注意事项： 1．本卷所有试题必须在答题卡上作答。答在试卷上无效，试卷空白处和背面均可作草稿纸。2．第一部分为选择题。必须对应试卷上的题号使用2B铅笔将“答题卡”的相应代码涂黑。3．第二部分为非选择题。必须注明大、小题号，使用0．5毫米黑色字迹签字笔作答。4．合理安排答题空间，超出答题区域无效。 第一部分选择题(共l 5分) 一、单项选择题(本大题共l5小题，每小题l分，共l5分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出并将“答题卡” 的相应代码涂黑。错涂、多涂或来涂均无分。 1、理想电流源的外接负载电阻越大，它的端电压 A、越高 B、越低 C、不变 D、不能确定 2、EN电在电容c两端产生电流，则电流的相位 A、超前电压)的相位180 O。 B、滞后电压的相位180 O C、NN电压的相位90 O D、滞后电压电的相位90 O 3、己知正弦交流电压在t=锄时为220V，其初相位为45O，则它的有效值为 4、以下关于本征半导体特性的描述中，正确的是 A、本征半导体中的载流子只有自由电子 B、本征半导体中的载流子只有空穴 C、本征半导体中的载流子既有自由电子，也有空穴，且浓度相等 D、本征半导体中的载流子浓度与温度无关 5、为使放大器输出电压稳定，输入电阻增大，则需引入酶交流负反馈类型是 A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流串联负反馈 D、电流并联负反馈 6、运算放大器输入级通常采用的电路结构是 A、单管共发射极电路 B、恒流源电路 C、射极跟随器电路 D、差动放大电路 7、回相比倒运算电路如题7图所示，设输入电压梯=20cosl000t(mV)，若要实现输出 电压为，则电阻和，的正确关系是
华中师范大学成人专科学年第二学期 《电工电子技术基础》试卷（A卷） 考试时间：90分钟闭卷任课老师： 班级：学号：姓名：成绩： 一、填空：(每空2分，共40分) 1、基尔霍夫电流定律：I= A。； 2、欧姆定律：买了一个日光灯,功率P=40W，电压220V，I= A . 因为它的功率 因数只有0.5，应该在它的两端并联可以其提高功率因数。 3、电路如图，其戴维南等效电路的参数： U AB= V ；R AB= Ω； 4、单相交流电路： 已知：0 2202sin(31460) u t V =+；则有效值U= V；频率是 HZ。 5、对称三相四线制电路中，相电压是220V，线电压为： V； 6、三相交流异步电动机的转差率S= 。 7、三相交流异步电动机定子旋转磁场的转速是： 8、三极管的放大条件是： 9、判断R F的反馈类型：。 10、组合电路如图，输出F= 。 11、三端集成稳压器W7809能够输出 V电压。 12、三相四线制电路中，则中线的作用为。 13、能实现F=0 的逻辑门是。 14、可以实现Q Q n= +1的电路是：。 装 订 线
15、安全电压是： V。 16、热继电器的热元件应该连接到。 17、变压器铁心有：两种损耗。 二、简答题：（每题4分，共20分） 1、交流电路的有功功率、无功功率及视在功率的表达式？其中cos 被称为什么？答： 2、三相异步电动机的调速方法有哪些？ 答： 3、画出接触器的线圈符号及触头的符号。 答： 4、单相桥式整流电路，已知变压器副边电压U2 =20V，则输出平均电压U O =？若一个二极管开路，则输出平均电压U O =？ 答： 5、变压器有几个功能？写出表达式。 答：
3《数字电子技术》试卷 姓名：__ _______ 班级：__________ 考号：___________ 成绩：____________ 1. 有一数码10010011，作为自然二进制数时，它相当于十进制数（ ），作为 8421BCD 码时，它相当于十进制数（ ）。 2.三态门电路的输出有高电平、低电平和（ ）3种状态。 3．TTL 与非门多余的输入端应接（ ）。 4．TTL 集成JK 触发器正常工作时，其d R 和d S 端应接（ ）电平。 5. 已知某函数??? ??+??? ??++=D C AB D C A B F ，该函数的反函数F = （ ）。 6. 如果对键盘上108个符号进行二进制编码，则至少要（ ）位二进制数码。 7. 典型的TTL 与非门电路使用的电路为电源电压为（ ）V ，其输出高电平为（ ）V ，输出低电平为（ ）V ， CMOS 电路的电源电压为（ ） V 。 8．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出 01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为（ ）。 9．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM 。该ROM 有（ ）根地址线，有（ ）根数据读出线。 10. 两片中规模集成电路10进制计数器串联后，最大计数容量为（ ）位。 11. ）；Y 3 ＝（ ）。 12. 某计数器的输出波形如图1所示，该计数器是（ ）进制计数器。
13．驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为（ ）有效。 二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） （在每小题列出的四个备选项中只有一个是最符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。） 1. 函数F(A,B,C)=AB+BC+AC 的最小项表达式为( ) 。 A ．F(A,B,C)=∑m （0，2，4） B. (A,B,C)=∑m （3，5，6，7） C ．F(A,B,C)=∑m （0，2，3，4） D. F(A,B,C)=∑m （2，4，6，7） 2．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（ ）。 A ．111 B. 010 C. 000 D. 101 3．十六路数据选择器的地址输入（选择控制）端有（ ）个。 A ．16 B.2 C.4 D.8 4. 有一个左移移位寄存器，当预先置入1011后，其串行输入固定接0，在4个移位脉冲CP 作用下，四位数据的移位过程是（ ）。 A. 1011--0110--1100--1000--0000 B. 1011--0101--0010--0001--0000 C. 1011--1100--1101--1110--1111 D. 1011--1010--1001--1000--0111 5．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( ) 。 A. 11111101 B. 10111111 C. 11110111 D. 11111111 6. 一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有( )种。 A ．15 B ．8 C ．7 D ．1 7. 随机存取存储器具有( )功能。 A.读/写 B.无读/写 C.只读 D.只写 8．N 个触发器可以构成最大计数长度（进制数）为( )的计数器。 A.N B.2N C.N 2 D.2N 9．某计数器的状态转换图如下， 其计数的容量为( ) A ． 八 B. 五 C. 四 D. 三 10．已知某触发的特性表如下（A 、B 为触发器的输入）其输出信号的逻辑表达式为( )。 A B Q n+1 说明 0 Q n 保持 000 001 010 011 100 101 110 111
。电子技术基础试题库（第四版） 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性，即加正向压时__________，加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V，锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时，应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量，自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体， 绝缘体，半导体 7、PN结具有_____________性能，即加正向电压时PN结________，加反向电压时的PN结 _________。单向导电性，导通，截止 二，判断题 １、半导体随温度的升高，电阻会增大。（）N ２、二极管是线性元件。（）N ３、不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为０.３Ｖ左右。（）N ４、二极管具有单向导电性。（）Y ５、二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（）N ６、二极管加正向压时一定导通（）N 7、晶体二极管是线性元件。（）N 8、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（）Y 三、选择题 １、ＰＮ结的最大特点是具有（）C Ａ、导电性Ｂ、绝缘性Ｃ、单相导电性 ２、当加在硅二极管两端的正向电压从０开始逐渐增加时，硅二极管（）C Ａ、立即导通Ｂ、到０.３Ｖ才开始导通Ｃ、超过死区压才开始导通Ｄ、不导通 ３、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A Ａ、增大Ｂ、减少Ｃ、不变Ｄ、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是（）。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是（）B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题
数字电子技术基础1 一．1．（1５分） 试根据图示输入信号波形分别画出各电路相应的输出信号波形L1、L2、L3、L4、和L5。设各触发器初态为“0”。 A B 二．（15分） 已知由八选一数据选择器组成的逻辑电路如下所示。试按步骤分析该电路在M1、M2取不同值时（M1、M2取值情况如下表所示）输出F的逻辑表达式。 八选一数据选择器输出端逻辑表达式为：Y=Σm i D i,其中m i是S2S1S0最小项。 F M2M1 F 0 0 0 1 1 1 1 三．（8分） 试按步骤设计一个组合逻辑电路，实现语句“A>B”，A、B均为两位二进制数，即A（A1、A0），B（B1、B0）。要求用三个3输入端与门和一个或门实现。 四．（12分） 试按步骤用74LS138和门电路产生如下多输出逻辑函数。
123Y AC Y ABC ABC BC Y BC ABC =?? =++?? =+? 74LS138逻辑表达式和逻辑符号如下所示。 五．（15分） 已知同步计数器的时序波形如下图所示。试用维持-阻塞型D 触发器实现该计数器。要求按步骤设计。 六．（18分） 按步骤完成下列两题 1．分析图5-1所示电路的逻辑功能：写出驱动方程，列出状态转换表，画出完全状态转换图和时序波形，说明电路能否自启动。 2．分析图5-2所示的计数器在M=0和M=1时各为几进制计数器，并画出状态转换图。 图5-1
B C CP A Ep E T LD D Q0 Q1 Q3Q2 74LS163 Rd 1 M & 1 计数脉冲 00 1 图5-2 七． 八．（10分）电路下如图所示，按要求完成下列问题。 1．指出虚线框T1中所示电路名称. 2．对应画出V C、V01、A、B、C的波形。并计算出V01波形的周期T=？。 15 7 6 84 2 R1 NE555 3 R2 C1 Vc + 0.01u J K 1 Q Q & & V CC V01 A B C C 10K 10K T1T2