内存1333和1600

怎么看内存条高低压
看内存条高低压方法：
本次测试所用标压内存为1333mhz，低压内存为1600mhz，唯一变量是内存电压，但在内存频率不同带来的性能差距是非常小的，所以对于本次测试，它对结果的影响不会太大。

测试结果依然具有参考有意义。

使用aida64的内存测试工具进行跑分测试，分四种不同的组合方式，测试笔记本为联想y50，其测试结果如下。

结果显示，在单条跑分测试中，标压海盗船内存条以微弱的优势取胜。

单条成绩差异不大，我们再来看双通道情况下的测试成绩，由于我们现有的另外一条标压内存为2gb容量，所以在本环节中采用2根低压内存同低压+标压内存的混搭方式进行对比。

结果显示，在这一环节中，两根低压内存组成的双通道在读取、写入和复制环节中都有大幅优势，而在l1、l2以及l3级缓存的测试中则没有太多差别。

由于两根低压内存的时序以及频率等都完全相同，所以其成绩表现是符合预期标准的。

而标压和低压内存的混搭组合带来了太多的变量，但其成绩也没有太过糟糕
众多厂家选择使用低压内存更多的原因是由于低压内存相比标压内存拥有更客观的发热量，这一点对于轻薄笔记本来说至关重要。

同样，我们采用实际测试的方式进行对比，测试所用笔记本为acer 4750g，结果表明无论在哪个环节中低压内存的发热表
现都比标压内存更加优秀，在满载时候的标压内存比低压内存整整高出了4.6摄氏度。

内存外观区别很直接：SDR：两个缺口、单面84针脚、双面168针脚DDR1：一个缺口、单面92针脚、双面184针脚、左52右40、内存颗粒长方形DDR2：一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左64右56、内存颗粒正方形、电压1.8VDDR3：一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左72右48、内存颗粒正方形、电压1.5V安装好CPU后，接下来就要开始安装内存条了。

在安装内存条之前，可以在主板说明书上查阅主板可支持的内存类型、可以安装内存的插槽数据、支持的最大容量等等。

虽然这些都是很简单的，但是你知道不同内存条是如何区分的吗？你知道EDO RAM内存为什么必须成对才能使用吗？你知道RDRAM内存插槽的空余位置为何要插满终结器才能使用吗？这些都是安装内存条所必须了解的。

如果你还不知道，那么这篇文章就非常适合你。

一、从外观上识别内存从计算机诞生开始，内存型态的发展真可谓千变万化。

因此，下面先着重介绍内存的种类及其外观，好让大家对它们进行分辨，这也是大家在装机过程中必须了解的。

从内存型态上看，常见的内存有：FPM RAM、EDO RAM、SDRAM、DDR RAM、Rambus DRAM，如图1所示。

从外观上看，它们之间的差别主要在于长度和引脚的数量，以及引脚上对应的缺口。

FPM RAM主要流行在286、386时代，当时使用的是30pin的FPM RAM内存，容量只有1MB或2MB。

而在486时代，及少数586电脑也使用72pin的FPM RAM 内存。

EDO RAM主要应用在486、586时代，也有72pin 和168pin之分。

从外形上看，30pin的FPM RAM内存的长度最短，72pin的FPM RAM和EDO RAM内存的长度稍长一些，而168pin和EDO RAM内存与大家常见的SDRAM内存是基本一样的。

这几种内存很容易就可以在长度和引脚的数量上区分开来。

只不过这些内存如今基本上已经销声匿迹了。

Super Micro Computer, Inc.Memory Configuration Guide X9 Series DP Motherboards – Revised Ivy Bridge Update (Socket R & B2)M. Schneider1/8/2014IntroductionThis document is designed to provide the reader with an easy-to-use guide for proper memory configuration in an X9 Sandy Bridge or Ivy Bridge based system.Memory Insertion OrderX9 DIMM’s are populated using the “Fill First” method. The DIMM slot within a channel which is located the farthest from the processor is populated first. This is DIMM slot 0 and it is always denoted by its blue connector color. Additionally, when populating a quad-rank DIMM with a single or dual-rank DIMM in the same channel, the quad-rank DIMM must be populated farthest from the processor. Always be sure to populate the DIMM channels in a balanced configuration (all channels populated evenly) otherwise system memory performance will suffer. Table 1 DIMM insertion order (12 DIMM per CPU example)Channel 1 Channel 2 Channel 3 Channel 4A Few Rules to Keep Closely in Mind:∙All DIMMs must be DDR3.∙Unbuffered DIMMs can be ECC or non-ECC.∙ A maximum of 8 logical ranks per channel is allowed.∙Mixing of Phy sical Rank DIMM’s within a channel is allowed except in a 4R + 2R + 2R configuration.∙Mixing of Registered and Unbuffered DIMMs is not allowed.∙Mixing of ECC and non-ECC is not allowed.∙Registered DIMMs must be ECC only; Unbuffered DIMMs can be ECC or non-ECC.∙Mixing of LRDIMM with any other DIMM type is not allowed.∙Mixing of DDR3 voltages in not advised. If regular and low voltage DIMM’s a re mixed, the DIMMs will run as regular DIMMs.∙Mixing of different DDR3 operating frequencies is not advised. If DIMM’s with different frequencies are mixed, all DIMMs will run at the lowest common frequency.∙Unbalanced memory configurations will result in a performance loss so always populate memory channels evenly for best performance!What is DIMM ranking?The Intel® Xeon® E5-2600/2400 architecture has a maximum number of “logic” ranks per memory channel which limits how many physical DIMMs may be used for any given configuration. The processor can only “see” up to eight logical ranks per channel, therefore whatever combination‡of DIMMs that are physically added they can never exceed this limit. RDIMMs and UDIMMs typically come in single, dual, or quad rank configurations. The examples below demonstrate this effect.Table 2 Quad Rank RDIMM Example (Sandy Bridge)As illustrated in the table above, only two of the quad ranked RDIMMs could be populated per channel without violating the Processors logical rank limit. Because of this DIMM3 is intentionally left unpopulated. Had it been populated, the rank total would have exceeded the logical rank limit of the processor and would not have been recognized by the Processor.Table 3 Quad Rank LRDIMM Example (Sandy Bridge)Because LRDIMM are buffered, a quad ranked LRDIMM appears to the Processor as a dual rank DIMM. Because of this it’s possible to populate all three DIMM slots without violating the logical limit. However by doing so, the memory speed drops to 1066MHz as a result of the added memory.‡ NOTE: Mixing of DIMM Rank types is allowed except in a three DIMM per slot 4R+2R+2R configuration which is not supported by the CPU memory controller.E5-2600 v2 (Ivy Bridge)Socket R Memory ConfigurationFour Channels per Socket, up to 3 DIMMS per Channel, and speeds up to DDR3 1866MHzMaximum Number of DIMM’s support per CPUMaximum memory speedWhen populating DIMM modules it’s important to evenly distribute the modules across the channels. For example, if each CPU has four DIMMs populated, put one DIMM in Channel 1, Channel 2, Channel 3, and Channel 4 respectively. If each CPU has six DIMMs populated. Put the fifth DIMM in Channel 1 and the sixth in Channel 2.Socket R:E5-2400 v2 (Ivy Bridge)Socket B2 Memory ConfigurationThree Channels per Socket, up to 2 DIMMs per Channel, and speeds up to DDR3 1600MHz Maximum Number of DIMM’s support per CPU (Socket B2)Socket B2:E5-2600 v1 (Sandy Bridge)Socket R Memory ConfigurationFour channels per socket, up to 3 DIMMS per Channel, and speeds up to DDR3 1600MHzMaximum Number of DIMM’s support per CPUMaximum memory speedWhen populating DIMM modules it’s importa nt to evenly distribute the modules across the channels. For example, if each CPU has four DIMMs populated, put one DIMM in Channel 1, Channel 2, Channel 3, and Channel 4 respectively. If each CPU has six DIMMs populated. Put the fifth DIMM in Channel 1 and the sixth in Channel 2.Socket R:E5-2400 v1 (Sandy Bridge)Socket B2 Memory ConfigurationThree Channels per socket, up to 2 DIMMs per Channel, and speeds up to DDR3 1600MHz Maximum Number of DIMM’s support per CPU (Socket B2)Socket B2:DDR3 DIMM Modules Mechanical Specification Standard:Features• 30mm x 133.35mm• 240 pins• 1.5V/1.35V (Low-Voltage)• Unbuffered or registered• x64/x72• JEDEC MO-269Low Profile:Features• 18.75mm x 133.35mm• 240 pins• 1.5V/1.35V (Low-Voltage)• Unbuffered or registered• x64/x72• JEDEC MO-269Memory FAQ。

1333内存和1600内存有什么区别内存频率代表什么我们购买内存时候，有人注重容量，有人则比较关注频率，这两个都是重要参数，那么对于内存频率，1333内存和1600内存有什么区别? 下面一起看看!1333内存和1600内存有什么区别?1333和1600代表着内存频率，频率越高内存运算速度越快内存也就越好价格也就越高。

1600大于1333也就是说频率是1600的内存运算速度比1333快玩大型3D网络游戏和大型3D单机游戏——如魔兽世界，孤岛危机2，星际2用怎么样的内存好点啊1333和1600代表着内存频率，频率越高内存运算速度越快内存也就越好价格也就越高。

1600大于1333也就是说频率是1600的内存运算速度比1333快。

至于买1600是否值得那就得看你的主板支持什么样的内存了，举个例子吧：假如你的主板支持频率为1333MHz的内存条你只能买最高频率为1333MHz的内存条。

那你会问买了1600MHZ的内存条可不可以用呢?告诉你如果你买了1600MHz的内存条装在你的电脑上是可以用的，但是你的电脑会自动的降低内存条的运行频率!也就是说你的电脑把1600MHz的内存条当做1333MHz的内存条来用。

这么一来你就是大材小用了，1600MHz的内存条受到了主板的限制，致使他的性不能得最大发挥.因为你的主板最高支持1333MHz的内存条.也就是说你买了1600MHZ的内存条只是在浪费金钱而且你的电脑性能也没有得应该有的到提升。

我举着个例子就是要告诉你不是越贵越好的要根据你的实际情况来决定买什么样的内存条。

这样才能获得最高的性价比。

注：玩游戏只要容量够就行了，频率和时序都是浮云。

1600MHz 的内存说简单点就是用来跑分的。

补充：内存常见维护保养技巧1.对于由灰尘引起的内存金手指、显卡氧化层故障，大家应用橡皮或棉花沾上酒精清洗，这样就不会黑屏了。

2.关于内存混插问题，在升级内存时，尽量选择和你现有那条相同的内存，不要以为买新的主流内存会使你的电脑性能很多，相反可能出现很多问题。

DDR3内存优点1、频率的大幅度增加。

DDR3内存目前的规格有：DDR3-800、DDR3-1066、DDR3-1333、DDR3-1600。

起始频率为800Mhz，最高规格的DDR3-1600运行频率达到了1600Mhz，已经是DDR2内存最高频率的两倍，更有疯狂玩家将DDR3内存超频到2000Mhz以上。

不过现在的高端Intel 处理器也仅仅只有1333Mhz的前端总线，所以内存有点浪费了。

2、带宽的提高。

首先解释一下带宽的概念，带宽指的是内存的带宽，作一个比喻，我们可以把cpu和北桥看作是两个具有密切联系的城市，内存是两个城市之间交易的仓库和运输公路，内存容量相当于仓库的容量，带宽则是两座城市之间的公路。

DDR3内存可以提供高达12.8Gb/s的带宽，如果双通道的话则可以提供高达25.6Gb/s的带宽。

3、DDR2内存采用的4bit数据预取技术提升频率，DDR3内存则采用的是8bit数据预取技术提升频率。

4、延迟值的增加，绝对延迟的降低。

延迟指的是系统进入数据进行存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。

体现内存延迟的就是我们通常说的时序，如：DDR2-800的标准时序是5-5-5-18，DDR3-800内存标准时序达到了6-6-6-15。

四个数字第一个数字表示为CAS Latency(简称CL值)内存CAS延迟时间，重要参数。

第二个数字RAS-to-CAS Delay （简称tRCD）内存行地址传输到列地址的延迟时间。

第三个则是ROV-Precharge Delay代表内存行地址选通脉冲预充电时间。

第四个ROW-active Delay(tRAS)代表内存行地址选通延迟，这些参数数值越低越好。

其实整个内存的延迟需要将颗粒的运行频率计算在内，所以CL值和延迟值是两个不同的概念，实际上DDR3内存的绝对延迟值相比DDR2内存降低了。

5、功耗的降低。

电压降至 1.5v。

DDR3-800相对DDR2-800降低达72%，DDR3-1066相对DDR2-1066降低达83%。

DDR3内存深度解析2007年第⼆季度开始，DDR3平台就会全⾯启动。

从去年开始，全球各⼤内存芯⽚⼚商已经陆续推出DDR3颗粒，在今年秋季IDF展会上已经出现⽐较成熟的DDR3内存模组，估计明年开始将⼤量投⼊⽣产。

另⼀⽅⾯，全球最⼤的主板芯⽚供应商Intel 已经在蓝图上公布明年第⼆季度就会推出⽀持DDR3内存的新平台，看来草船、东风皆备，内存终于再次⾯临更新换代。

DDR2内存技术简单回顾 IT业界的正式内存规格是由JEDEC-- Joint Electronioc Device Engineering Council制定的，这包括了DDR、DDR2以及准备推出的DDR3，在官⽅规格中DDR最⾼速度为DDR400，但由于制程进步，DDR的速度已经完全超越了官⽅原定标准，故此后期出现了超⾼速DDR566并⾮官⽅规格。

继DDR400之后，JEDEC已认定DDR2为现时主流内存标准，虽然名字上只差毫厘，但DDR2和DDR2是完全不兼容的，⾸先DDR2的为240Pin接⼝⽐DDR的184Pin长，另外电压也⽐DDR的2.5v低许多，在1.8v的同频率下DDR2可⽐DDR低⼀半功耗，⾼频低功耗是DDR2内存的优点，⽽缺点则是DDR的延迟值⽐较⾼，在同频率下效能较低。

不单在规格上不兼容，其实DDR和DDR2在技术上有很⼤分别。

我们⽤的内存是透过不停充电及放电的动作记录数据的，上代SDRAM内存的核⼼频率就相等于传送速度，⽽每⼀个Mhz只会有传送1 Bit的数据，采⽤1 Bit Prefetch。

故此SDRAM 100Mhz的频宽为100Mbps。

但随着系统内部组件速度提升，对内存速度的要求增加，单纯提升内存频率已经不能应付需求，幸好及时发展出DDR技术。

DDR与SDRAM的分别在于传统SDRAM只能于充电那⼀刻存取数据，故此每⼀下充电放电的动作，只能读写⼀次，⽽DDR却把技术提升⾄在充电及放电时都能存取数据，故此每Mhz有两次存取动作，故此DDR会⽐SDRAM在同⼀频率下效能提⾼⼀倍，⽽100Mhz的DDR却可达⾄200Mbps存取速度，由于每⼀个Mhz都要有⼆次的资料存取，故此DDR每⼀Mhz会传送2Bit，称为2Bit Prefetch，⽽DDR颗粒频率每提升1Mhz，所得的效果是SDRAM的两倍。

内存基础知识干货你不知道的内存知识一、CPU与内存先铺垫几个概念，以免后面混乱：Socket或Processor: 指一个物理CPU芯片，盒装还是散装的。

上面有很多针脚，直接安装在主板上。

Core : 指在Processor里封装一个CPU核心，每个Core都是完全独立的计算单元，我们平时说的4核心CPU，指的就是Processor 里面封装了4个Core。

HT超线程：目前Intel与AMD的Processor大多支持在一个Core里并行执行两个线程，此时从操作系统看就相当于两个逻辑CPU(Logical Processor)。

大多数情况下，我们程序里提到的CPU概念就是指的这个Logical Processor。

咱们先来看几个问题：1、CPU可以直接操作内存吗?可能一大部分老铁肯定会说：肯定的啊，不能操作内存怎么读取数据呢。

其实如果我们用这聪明的大脑想一想，咱们的台式主机大家肯定都玩过。

上面CPU和内存条是两个完全独立的硬件啊，而且CPU也没有任何直接插槽用于挂载内存条的。

也就是说，CPU和内存条是物理隔离的，CPU并不能直接的访问内存条，而是需要借助主板上的其他硬件间接的来实现访问。

2、CPU的运算速度和内存条的访问速度差距有多大?呵呵呵，这么说吧，就是一个鸿沟啊，CPU的运算速度与内存访问速度之间的差距是100倍。

而由于CPU与内存之间的速度差存在N个数量级的巨大鸿沟，于是CPU最亲密的小伙伴Cache 闪亮登场了。

与DRAM 家族的内存(Memory)不同，Cache来自SRAM家族。

而DRAM与SRAM的最简单区别就是后者特别快，容量特别小，电路结构非常复杂，造价特别高。

而Cache与主内存之间的巨大性能差距主要还是工作原理与结构不同：DRAM存储一位数据只需要一个电容加一个晶体管，SRAM则需要6个晶体管。

由于DRAM的数据其实是被保存在电容里的，所以每次读写过程中的充放电环节也导致了DRAM读写数据有一个延时的问题，这个延时通常为十几到几十ns。

内存时序举例9-9-9-27，一般1600的条子spd出厂就这么设置的前面2个9对性能很重要，第2个9又比第1个9重要，比如说我要超1866或者2133，设置成9-10-X-X基本没有问题，但是设置成10-9-X-X就开不了机了，很多条子都这样子的，比如说现在很火的3星金条。

第3位9基本上是打酱油的了，设置成9,10,11都对性能木有太大影响。

第4位数字基本就无视好了，设置21-36对测试都没变化，原来稳定的还是稳定，原来开不了机的还是开不了。

以前的ddr2时代对内存的小参数很有影响，现在ddr3了，频率才是王道哦。

2133的-11-11-11-30都要比1866的-9-9-9-27测试跑分的多。

当然平时用是感觉不出来的。

最后我再鄙视下金士顿的XX神条马甲套装，当年不懂事大价钱买的，就是YY用的，1.65v上个1866都吃力，还要参数放的烂。

对性能影响最大的是CL第一个9对性能影响最大。

l第二个9对超频稳定性影响最大最普通的ddr3 1333内存都可以1.5V运行在7-8-6-1666 CR1，77Z博士：一般来说，体现内存延迟的就是我们通常说的时序，如DDR2-800内存的标准时序：5-5-5-18，但DDR3-800内存的标准时序则达到了6-6-6-15、DDR3-1066为7-7-7-20、而DDR3-1333更是达到了9-9-9-25！土老冒：俺想知道博士所说的5-5-5-18、6-6-6-15等数字每一个都代表什么。

Z博士：这4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，这也是内存最重要的参数之一，一般来说内存厂商都会将CL值印在产品标签上。

第二个数字是RAS－to－CAS Delay（tRCD），代表内存行地址传输到列地址的延迟时间。

第三个则是Row－precharge Delay（tRP），代表内存行地址选通脉冲预充电时间。

第四个数字则是Row－active Delay（tRAS），代表内存行地址选通延迟。