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2019 年硕士研究生招生考试大纲考试科目名称：产品设计考试科目代码：502一、考试要求产品设计考试大纲适用于北京工业大学艺术设计学院（085237）工业设计工程专业的硕士研究生招生考试。
考试内容包括产品设计方法和设计描述表达部分，这两门课程是工业设计工程学科的重要基础理论课。
产品设计方法的考试内容主要包括设计程序、设计方法和概念设计三大部分，要求考生对其中的基本概念有深入理解，系统掌握严谨的设计程序中所包含的人机工学分析、用户研究、用户体验、概念设计方法，具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。
设计描述表达的考试内容主要包括工程图学、视觉设计、设计草图问题具有明确的基本概念，必要的基础知识和应用上的熟练程度，能够在规定的时间内，基于物理空间中创意性产品概念设计的尺度、尺寸、空间和体量关系表达，具备一定的计算能力、一定的分析能力、综合能力。
二、考试内容产品设计方法部分：（一）设计程序部分（1）熟练掌握设计程序的开始和过渡与结束以及必要的反馈分析。
（2）熟悉四阶段（或八阶段）设计程序，熟练应用产品设计研发流程。
（3）熟悉设计评价体系，熟练掌握系统评价标准。
（4）熟悉程序和方法之间的逻辑关系，熟练掌握设计程序与方法的转换。
（二）设计方法部分（1）熟悉人机工学常见约束的性质，熟练掌握人-机-环境关系分析方法。
（2）熟悉用户研究中的情境-人物-行为-语境调研和体验方法。
（3）熟悉一定的材料-工艺-技术，熟练掌握产品结构设计和界面设计方法。
（4）熟悉设计目标和要素关系，熟练掌握设计问题举证、求证方法并能够 根据设计条件约束，综合组织平衡相关要素，实现设计问题求解。
（三）概念设计部分（1）熟悉概念设计过程，熟练掌握设计条件约束下有限理性的设计方法。
（2）熟悉谋事与造物的事理学关系，熟练掌握人-事-物逻辑思维方法（3）熟悉服务设计思维方法，熟练掌握概念设计和设计工程接口。
（4）勇于探索未知，敢于提出创新性并具有一定可行性的设计方案。
北京工业大学1998年硕士研究生招生考试试题科目代码823科目名称:半导体物理
北京工业大学2001年硕士研究生招生考试试题科目代码823科目名称:半导体物理
假定纵轴（E）上一个刻度等于4
E
g
6）示意图画出电场强度分布图（ε~X）；
7）示意画出电势分布图（V~X），假定纵轴（V）上一个刻度等于1/4的g E/q；
8）用g E表达出此pn结的自建电势bi V的大小。
六、（15分）一金属与N型硅构成的理想MOS结构，
9）画出此结构的高频C-V特性曲线，并标出反型区、耗尽区和积累区；
10）画出对应与反型区、耗尽区和积累区的能带图；
11）画出对应与反型区、耗尽区和积累区的电荷密度分布图。
七、（10分）一N型半导体与金属形成的理想Schottky二级管，当半导体的摻杂浓度D
N提高时，
12）半导体的功函数s W如何变化，说明原因；
13）此二极管的自建电势bi v会如何变化，并解释原因。
北京工业大学2002年硕士研究生招生考试试题科目代码823科目名称:半导体物理
图一、300k时si材料中的载流子迁移率和摻杂浓度的关系。
2019年硕士研究生招生考试大纲考试科目名称：经济学原理 考试科目代码：804 一、 考试要求经济学原理考试大纲适用于北京工业大学经济与管理学院（0202）应用经济学、（1201）管理科学与工程、（1202）工商管理学科的硕士研究生招生考试。
考试内容包含微观经济学和宏观经济学部分，这两门课程是应用经济学科的重要基础理论课。
微观经济学的考试内容主要包括经济学十大原理、供给与需求、公共部门经济学、企业行为与产业组织、消费者行为等五大部分，要求考生对其中的基本概念和理论有很深入的理解，系统掌握经济学的基本原理和分析方法，具有综合运用所学知识进行经济实证研究以及对现实经济行为与经济现象进行观察与分析的能力。
宏观经济学的考试内容主要包括宏观经济学的数据、长期中的真实经济、长期中的货币与物价、短期经济波动等四大部分，要求考生对其中的基础知识、基本概念和理论构架有很深入的理解，掌握理论分析和数学模型分析的方法和技巧，具有综合运用所学知识对社会发展过程中典型的宏观经济现象进行观察、分析和解释的能力。
二、考试内容微观经济学部分：（一）经济学十大原理部分主要知识点：经济学十大原理；循环流向图、生产可能性边界两个经济学模型的差异；实证表述、规范表述之间的差异；经济学家思考问题的方法；比较优势原理及其应用。
（二）供给与需求部分主要知识点：（1）市场如何运行：供给与需求的基本概念和影响因素；均衡价格的形成过程；需求弹性、供给弹性及其应用；价格控制对市场结果的影响；税收对市场结果的影响。
（2）市场和福利：消费者剩余、生产者剩余、无谓损失、市场效率、贸易等基本概论；税收对消费者剩余和生产者剩余的影响；关税与进口限额的福利影响。
（三）公共部门经济学部分主要知识点：外部性与市场无效率间的关系；科斯定理的基本理论及其应用；公共物品和公共资源的特性；外部性、公共物品和共有资源等问题的解决办法。
（四）企业行为与产业组织部分主要知识点：（1）各种收益、成本、利润的含义；规模经济、规模不经济的含义；各种成本之间的关系；各种成本曲线的形状和相互关系。
《半导体物理》课程考试大纲一、适用专业：集成电路工程二、参考书目：1．刘恩科朱秉升编，半导体物理学，国防工业出版社三、考试内容与基本要求：第一章绪论[考试要求]本章要求学生掌握本课程研究的对象和内容，了解半导体材料及器件的应用，了解本课程的基本要求；了解与半导体晶体相关的概念，重点掌握倒格子、布里渊区的概念，重点了结晶体中的缺陷、晶格振动和晶体中的电子运动。
[考试内容]①晶格、格点、基矢、布里渊区、倒格子等概念②晶体中的缺陷、晶格振动③晶体中的电子运动第二章半导体中的电子状态[考试要求]本章要求学生掌握电子、空穴和有效质量的概念，重点了解和掌握半导体的能带结构，了解半导体中的杂质和缺陷能级。
[考试内容]①电子、空穴和有效质量的概念②能带论，并用能带理论解释半导体物理学中的一些现象③常用半导体的能带结构④半导体中的杂质和缺陷第三章热平衡状态下载流子的统计分布[考试要求]本章要求学生掌握状态密度及费米能级的概念，掌握热平衡状态下本征半导体及杂质半导体的载流子浓度，了解非简并情况下费米能级和载流子浓度随温度的变化。
[考试内容]①状态密度及费米能级的概念以及它们的表达式②热平衡状态下本征及杂质半导体的载流子浓度③非简并情况下费米能级和载流子浓度随温度的变化④简并半导体第四章载流子的漂移和扩散[考试要求]本章要求学生掌握半导体中载流子的各种散射机制，了解电阻率和迁移率与杂质浓度和温度的关系，掌握载流子的扩散和漂移运动、爱因斯坦关系。
[考试内容]①半导体中载流子的各种散射机制②电导率和迁移率③电阻率和迁移率与杂质浓度和温度的关系④载流子的扩散和漂移运动，爱因斯坦关系⑤强电场效应，热载流子第五章非平衡载流子[考试要求]本章要求学生掌握非平衡载流子的注入与复合，了解各种复合理论，连续性方程。
[考试内容]①非平衡载流子的注入与复合②各种复合理论③连续性方程第六章p-n结[考试要求]本章要求学生掌握p-n结概念及其能带图，掌握理想p-n结的电流电压关系，了解p-n 结电容，了解实际p-n结的电流电压关系、p-n结击穿、p-n结隧道效应等。
823材料科学基础考试⼤纲823 材料科学基础考试⼤纲⼀、考试⽬的材料科学基础考试是南开⼤学材料科学与⼯程学院招收材料物理与化学、材料学、材料⼯程硕⼠研究⽣的⼊学资格考试之专业基础课。
根据考⽣参加本考试的成绩和其他三门考试的成绩总分来选择参加第⼆轮，即复试的考⽣。
⼆、考试的性质与范围本考试是测试考⽣掌握材料化学、材料物理专业知识以及综合运⽤的能⼒。
考试范围包括本⼤纲规定的内容。
三、考试基本要求1. 具备材料化学、材料物理相关的基础专业知识。
2. 具有扎实的基本功。
3. 具备⼀定的运⽤基础知识分析、解决实际问题的能⼒。
四、考试形式本考试采取客观试题与主观试题相结合，单项技能测试与综合技能测试相结合的⽅法，强调考⽣掌握材料化学基础知识以及综合运⽤的能⼒。
考试时间为180分钟，答题⽅式为闭卷考试（可以使⽤数学计算器）。
五、考试内容本考试包括两个部分：材料化学、材料物理。
⼀、材料化学部分1、化学热⼒学热⼒学第⼀、⼆、三定律及其应⽤；各种变化过程（单纯pVT变化过程、相变化过程和化学变化过程）的⽅向和限度的判别；相平衡体系和化学平衡体系中的应⽤；⼆组分体系相图的绘制及解析。
2、化学动⼒学具有简单级数的反应的特点；反应级数及速率⽅程的确定；各种因素对反应速率及速率常数的影响；复合反应的近似处理⽅法及其应⽤；根据反应机理推导速率⽅程；化学动⼒学基本原理在⽓相反应、多相反应、溶液中反应、催化反应和光化学反应体系中的应⽤。
3、电化学电解质溶液的导电能⼒—电导、电导率、摩尔电导率及其应⽤；可逆电池、可逆电极的能斯特公式及其应⽤；可逆电池的热⼒学；电池电动势的测定及其应⽤；极化与超电势及其应⽤；分解与分解电压；⾦属电沉积；不可逆电极过程的基本原理及其应⽤。
4、界⾯化学表⾯⾃由能和表⾯张⼒；润湿现象与接触⾓；⽑细管现象；新相的⽣成和亚稳定状态；固体表⾯的吸附及⾮均相催化反应。
5、⽆机化学中的化学原理（1）掌握化学反应中的质量和能量关系；（2）了解酸碱理论，熟悉溶液中的单相与多相离⼦平衡，掌握弱酸、弱碱溶液中离⼦浓度、盐类⽔解和沉淀平衡的计算；（3）了解配合物的化学键理论（价键理论，晶体场理论，配位场理论，分⼦轨道理论），掌握配合物的基本概念、稳定常数及其应⽤，熟悉配合物在⽔溶液中的稳定性以及影响稳定性的因素。
博士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲本《半导体物理》考试大纲适用于化学工程及技术一级学科新型光电材料制备方向的博士研究生入学考试。
半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要基础理论课程，它的主要内容包括半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面─包括p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS 结构、异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体部分。
要求考生对其基本概念有较深入的了解，能够系统地掌握书中基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。
一、考试方式与时间博士研究生入学《半导体物理》考试为笔试，闭卷考试，考试时间为180分钟。
二、考试主要内容和要求（一）半导体中的电子状态1、考试内容（1）半导体的晶格结构和结合性质；（2）半导体中的电子状态和能带；（3）半导体中的电子运动和有效质量；（4）本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振；（5）硅和锗的能带结构；（6）III－V族化合物半导体的能带结构；（7）II－VI族化合物半导体的能带结构。
2、考试要求了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。
理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。
3．掌握半导体中的电子运动规律，理解有效质量的意义。
理解本征半导体的导电机构，理解空穴的概念。
熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。
理解硅和锗的能带结构，掌握有效质量的计算方法。
了解III －V族化合物半导体的能带结构。
了解II－VI族化合物半导体的能带结构（二）半导体中杂质和缺陷能级1、考试内容（1）硅、锗晶体中的杂质能级；（2）III－V族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级1 / 12、考试要求理解替位式杂质、间隙式杂质、施主杂质、施主能级、受主杂质、受主能级的概念。
简单计算浅能级杂质电离能。
了解杂质的补偿作用、深能级杂质的概念。
量子力学覆盖范围：包括原子物理、量子力学的概念和基本原理、波函数和波动方程、一维定态问题、力学量算符对称性及守恒定律、中心力场、粒子在电磁场中的运动、自旋、定态微扰论、量子跃迁。
参考书目：《量子力学》第一卷曾瑾言，科学出版社第三版固体物理覆盖范围：晶体结构、晶体缺陷、晶体结合、晶体振动及热学性质、金属电子论、能带论、电导论。
半导体物理考试内容一、晶格结构和结合性质§1.1晶体的结构晶格的周期性、金刚石结构、闪锌矿结构和钎锌矿结构§1.2半导体的结合性质共价结合和离子结合、共价四面体结构、混合键二、半导体中的电子状态§2.1晶体中的能带原子能级和固体能带、晶体中的电子状态§2.2晶体中电子的运动§2.3导电电子和空穴§2.4常见半导体的能带结构§2.5杂质和缺陷能级施主能级和受主能级、n型半导体和p型半导体、类氢模型、深能级杂质、等电子杂质三、电子和空穴的平衡统计分布§3.1费米分布函数§3.2载流子浓度对费米能级的依赖关系态密度、载流子浓度§3.3本征载流子浓度§3.4非本征载流子浓度杂质能级的占用几率、单一杂质能级情形、补偿情形四、输运现象§4.1电导和霍尔效应的分析§4.2载流子的散射§4.3电导的统计理论五、过剩载流子§5.1过剩载流子及其产生和复合§5.2过剩载流子的扩散一维稳定扩散、爱因斯坦关系§5.3过剩载流子的漂移和扩散§5.7直接复合§5.8间接复合§5.9陷阱效应六、pn结§6.1 pn结及其伏安特性§6.3 pn结的光生伏特效应§6.4 pn结中的隧道效应七、半导体表面层和MIS结构§7.1表面感生电荷层§7.2 MIS电容理想MIS结构的C-V特性、实际MIS结构的C-V特性、Si-SiO2系统中电荷的实验研究八、金属半导体接触和异质结§8.1金属－半导体接触§8.2肖特基二极管的电流越过势垒的电流、两极管理论、扩散理论、隧穿电流和欧姆接触§8.4异质结§8.6半导体超晶格参考书目：《半导体物理》上册，叶良修，高等教育出版社，1984年。
