专用集成电路实验报告
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一、实训时间2022年X月X日至2022年X月X日二、实训地点XX大学电子实验室三、实训目的1. 熟悉集成电路的基本原理和实验方法;2. 培养动手能力和实验操作技能;3. 深入了解集成电路的设计与制造过程;4. 提高对电子电路的分析与解决实际问题的能力。
四、实训内容1. 集成电路基本原理及实验(1)半导体材料与器件:了解半导体材料的特性,掌握PN结、二极管、晶体管等基本器件的原理和特性。
(2)集成电路基本电路:学习放大器、稳压器、滤波器等基本电路的设计与实验。
(3)集成电路制造工艺:了解集成电路的制造工艺流程,包括光刻、蚀刻、离子注入、扩散等。
2. 集成电路设计及实验(1)模拟集成电路设计:学习模拟电路的基本原理,掌握运算放大器、滤波器、稳压器等模拟电路的设计方法。
(2)数字集成电路设计:学习数字电路的基本原理,掌握逻辑门、触发器、计数器等数字电路的设计方法。
(3)集成电路版图设计:学习版图设计软件,掌握版图设计的基本规则和技巧。
3. 集成电路制造工艺实验(1)光刻实验:学习光刻原理,掌握光刻机的操作方法和光刻工艺流程。
(2)蚀刻实验:学习蚀刻原理,掌握蚀刻机的操作方法和蚀刻工艺流程。
(3)离子注入实验:学习离子注入原理,掌握离子注入机的操作方法和离子注入工艺流程。
五、实训过程及结果1. 集成电路基本原理及实验在实训过程中,我们学习了半导体材料与器件的基本原理,掌握了PN结、二极管、晶体管等基本器件的特性和应用。
通过实验,我们验证了放大器、稳压器、滤波器等基本电路的性能。
2. 集成电路设计及实验在模拟集成电路设计方面,我们学习了运算放大器、滤波器、稳压器等模拟电路的设计方法,并成功设计出满足要求的电路。
在数字集成电路设计方面,我们掌握了逻辑门、触发器、计数器等数字电路的设计方法,并成功设计出满足要求的电路。
3. 集成电路制造工艺实验在光刻实验中,我们学会了光刻机的操作方法和光刻工艺流程,成功完成了光刻实验。
班级:XX姓名:XXX学号:XXXXXX指导老师:XXX实验日期:XXXX年XX月XX日一、实验目的1. 理解集成电路的基本组成和工作原理。
2. 掌握基本的集成电路设计方法,包括原理图设计、版图设计、仿真分析等。
3. 学习使用集成电路设计软件,如Cadence、LTspice等。
4. 通过实验加深对集成电路理论知识的理解,提高动手能力和问题解决能力。
二、实验内容本次实验主要包括以下内容:1. 原理图设计:使用Cadence软件绘制一个简单的CMOS反相器原理图。
2. 版图设计:根据原理图,使用Cadence软件进行版图设计,并生成GDSII文件。
3. 仿真分析:使用LTspice软件对设计的反相器进行仿真分析,测试其性能指标。
4. 版图与原理图匹配:使用Cadence软件进行版图与原理图的匹配,确保设计正确无误。
三、实验步骤1. 原理图设计:- 打开Cadence软件,选择原理图设计模块。
- 根据反相器原理,绘制相应的电路符号,包括NMOS和PMOS晶体管、电阻和电容等。
- 设置各个元件的参数,如晶体管的尺寸、电阻和电容的值等。
- 完成原理图设计后,保存文件。
2. 版图设计:- 打开Cadence软件,选择版图设计模块。
- 根据原理图,绘制晶体管、电阻和电容的版图。
- 设置版图规则,如最小线宽、最小间距等。
- 完成版图设计后,生成GDSII文件。
3. 仿真分析:- 打开LTspice软件,选择仿真模块。
- 将GDSII文件导入LTspice,生成对应的原理图。
- 设置仿真参数,如输入电压、仿真时间等。
- 运行仿真,观察反相器的输出波形、传输特性和功耗等性能指标。
4. 版图与原理图匹配:- 打开Cadence软件,选择版图与原理图匹配模块。
- 将原理图和版图导入匹配模块。
- 进行版图与原理图的匹配,检查是否存在错误或不一致之处。
- 修正错误,确保版图与原理图完全一致。
四、实验结果与分析1. 原理图设计:- 成功绘制了一个简单的CMOS反相器原理图,包括NMOS和PMOS晶体管、电阻和电容等元件。
专用集成电路实验报告56
专用集成电路实验报告56
一、实验介绍
本次实验是关于专用集成电路的实验,通过搭建实际电路并进行测试,以加深对专用集成电路原理和应用的理解。
二、实验原理
三、实验过程
1.首先,根据实验要求,选择一个具体的应用场景并找到相关的专用
集成电路芯片。
本次实验选择了一个用于数码相机的图像传感器集成电路。
2.根据芯片手册,获取其引脚定义和使用方法。
了解芯片的输入输出
信号特性,并设计出相应的电路接线。
3.接下来,搭建实际电路。
根据设计图纸,将专用集成电路芯片与其
他电路元器件连接起来,确保连接正确、稳定。
4.完成电路搭建后,对电路进行电气测试。
通过调整电源电压和信号
输入,观察电路的输出波形和电流大小,验证电路的性能和功能。
5.在实验过程中,及时记录实验数据和观察结果。
根据需求,可以对
电路参数、性能和功能进行测试和分析。
四、实验结果
经实验验证,所搭建的专用集成电路电路运行正常,输入信号能够正
确地输出,符合芯片手册的规定。
实验数据和观察结果见附表1
五、实验总结
通过本次实验,我们深入了解了专用集成电路的原理和应用,学习了如何选择合适的芯片、设计电路接线和进行测试分析。
同时,本次实验也加深了我们对电路搭建和调试的理解,培养了我们的动手能力和团队合作意识。
在今后的学习和工作中,我们将更加注重专用集成电路的应用研究和创新,为电子科技的发展做出更大的贡献。
附表1:实验数据和观察结果
...
(请根据实际情况填写实验数据和观察结果)。
集成电路实验报告本次实验主要介绍集成电路的基本概念和电路设计方法,通过设计和制作CMOS场效应晶体管(MOSFET)的放大器电路来实现对这些知识的应用。
本次实验的主要内容如下:一、实验器材和材料本次实验所使用的器材和材料:1、计算机2、激光打印机3、示波器4、信号源5、直流电源6、理想电感7、电容8、MOSFET二、实验原理本次实验涉及的知识点包括:1、MOSFET的基本概念和特性MOSFET是一种场效应管,在电子学中起到了很重要的作用。
它的主要特点是控制端的电压可以改变通道区中的电子密度,从而控制电流流过管子中的通道。
根据不同的控制方式,MOSFET可以分为N型和P型两种。
2、放大器电路的基本原理放大器电路是一种能够放大电信号的电路,可以将小电信号放大为相对较大的电信号。
根据不同的信号类型和放大器类型,可以设计不同种类的放大器电路。
三、实验内容和步骤本次实验的实验内容和步骤如下:1、设计MOSFET的放大器电路首先,我们需要根据实验所需放大器的需求,设计出一种合理的MOSFET放大器电路。
具体步骤如下:(1)根据输入信号和输出信号的大小,计算出所需放大器的放大倍数。
(2)根据放大倍数,选择合适的与MOSFET配合使用的电容和电阻。
(3)将MOSFET、电容和电阻按照电路图的样式和连接方式进行连接。
制作和测试MOSFET放大器电路,具体步骤如下:(2)使用万用表对焊接完成的电路进行测试,确保电路连接正常。
(3)将电路连接到直流电源和信号源上,调节电源和信号源的参数,测试电路的放大效果。
四、实验结果分析本次实验的主要结果包括设计和制作的MOSFET放大器电路以及测试结果。
通过测试结果的分析,我们可以对电路的性能进行评估,并确定是否满足所需放大倍数的要求。
五、实验总结通过本次实验,我们了解了集成电路的基本概念和电路设计方法,并掌握了MOSFET放大器电路的设计和制作方法。
通过实验结果的分析,我们也可以更好地理解和掌握集成电路的相关知识和应用。
ne555实验报告NE555实验报告NE555是一种常用的集成电路,被广泛应用于定时器、脉冲发生器和脉冲宽度调制等电路中。
在本次实验中,我们将对NE555进行实验,以探究其工作原理和性能特点。
实验目的:1. 了解NE555的内部结构和工作原理;2. 掌握NE555的基本应用电路;3. 通过实验验证NE555的性能特点。
实验原理:NE555是一种集成电路,内部包含比较器、RS触发器、电压比较器和输出级驱动器等功能模块。
NE555的工作原理主要是通过外部电路控制电压比较器和RS 触发器的状态,从而实现定时和脉冲发生的功能。
实验材料:1. NE555集成电路芯片;2. 电阻、电容、开关等元器件;3. 示波器、数字万用表等测量仪器。
实验步骤:1. 搭建NE555的基本应用电路,如单稳态触发器、多谐振荡器等;2. 调节外部电路参数,观察NE555的输出波形和频率等性能指标;3. 使用示波器和数字万用表等测量仪器对NE555的工作状态进行实时监测。
实验结果:通过实验我们发现,NE555在不同的外部电路条件下,可以实现不同的定时和脉冲发生功能。
其输出波形可以是方波、三角波等不同形式,频率和占空比也可以通过外部电路调节。
NE555具有稳定的性能特点,适用于各种定时和脉冲发生的应用场景。
结论:NE555作为一种常用的集成电路,在电子电路设计中具有重要的应用价值。
通过本次实验,我们对NE555的工作原理和性能特点有了更深入的了解,为今后的电子电路设计和应用奠定了基础。
通过本次实验,我们对NE555的工作原理和性能特点有了更深入的了解,为今后的电子电路设计和应用奠定了基础。
NE555的应用范围非常广泛,可以用于定时器、脉冲发生器和脉冲宽度调制等电路中。
希望本次实验能够对大家有所帮助。
随着科技的不断发展,集成电路(IC)产业已成为我国战略性新兴产业的重要组成部分。
为了更好地了解集成电路产业,提高自己的专业素养,我于XX年XX月XX日至XX年XX月XX日在XX集成电路公司进行了为期一个月的实习。
二、实习目的1. 了解集成电路产业的基本情况和发展趋势;2. 学习集成电路的设计、制造、封装和测试等环节;3. 提高自己的实际操作能力和团队协作能力。
三、实习内容1. 集成电路设计:在实习期间,我学习了集成电路设计的基本原理和流程,掌握了Cadence等设计工具的使用。
通过参与实际项目,我学会了设计反相器、与非门等基本电路,并完成了相关设计文档的编写。
2. 集成电路制造:在制造环节,我了解了集成电路制造的基本流程,包括光刻、蚀刻、离子注入、扩散、化学气相沉积等。
通过参观生产车间,我看到了集成电路制造的自动化生产线,了解了生产过程中的质量控制要点。
3. 集成电路封装:在封装环节,我学习了封装的基本原理和工艺流程,了解了芯片封装的类型、材料和应用。
通过实际操作,我学会了封装机、焊锡机等设备的使用,并参与了芯片封装的实验。
4. 集成电路测试:在测试环节,我了解了集成电路测试的基本原理和方法,学习了测试设备的操作。
通过实际测试,我学会了如何分析测试数据,判断芯片的质量。
四、实习收获1. 理论知识与实践相结合:通过实习,我将所学的理论知识与实际生产相结合,提高了自己的实际操作能力。
2. 团队协作能力:在实习过程中,我学会了与团队成员沟通交流,共同完成项目任务,提高了自己的团队协作能力。
3. 职业素养:在实习期间,我了解了集成电路产业的相关政策和法规,提高了自己的职业素养。
通过一个月的实习,我对集成电路产业有了更深入的了解,掌握了集成电路设计、制造、封装和测试等环节的基本知识和技能。
在今后的学习和工作中,我将继续努力,不断提高自己的专业素养,为我国集成电路产业的发展贡献自己的力量。
通用集成电路实验报告系别:电子信息工程学院专业:--- ----班级:----------小组:第六组小组成员:--- --- ------ ---指导教师:-----完成时间:2011年5月实验报告目录实验报告目录 (2)实验课题一:可调稳压电源 (3)实验课题二:触摸式“叮咚”门铃 (6)一、实验目的 (6)二、实验内容 (6)实验课题三:专用有源音箱 (9)一、实验目的 (9)二、实验内容 (9)三、实验总结 (11)实验课题四:元器件YD2822资料 (12)实验课题五:光控自动照明小灯 (18)一、实验目的 (18)二、实验内容 (18)三、实验小结 (19)全部实物照片 (20)实验课题一:可调稳压电源一、实验目的1、掌握二极管的单向导电性。
2、熟悉桥式整流的组成结构、工作原理和电路参数的计算。
3、掌握电容虑波电路的工作原理以及电路的参数计算。
4、掌握三端稳压、可调集成稳压电路的基本应用方法。
5、掌握完成直流稳压电源的设计、安装、调试、并测试其参数 二、实验内容1、电路原理图及工作原理图 电路原理图DIN4001TC20.33C3104C11000u fC4470uf1237805R 510RP 1K+-R21kLE D工作原理:第一阶段:降压。
变压器将电网220v 交流电降为符合要求的12V 交流电,并输送给整流电路。
第二阶段:整流。
此电路采用桥式整流,整流桥将变压器输出的交流电变为脉动的直流电,并输送给滤波电路。
第三阶段:滤波。
首先用大容量的电解电容滤除较大的纹波成分,再由独石电容或瓷片电容滤除其他交流成分,从而得到较平滑的直流电。
第四阶段:稳压。
经由三段集成稳压片7805得到5V 的直流电压,由于接地端接可调电阻可以得到可调的基准的电压,从而制成可调的直流稳压电源。
2、元件清单3、实物图片4、测试结果:见附表 三、实验小结名称变压器In4001 电容1000uf 电容470uf 电容104 电容333 LED电阻1K 电阻510 万用版 数量 1个4个1个1个1个1个1个 1个1个1个使我们对电子元件及电路安装有一定的感性和理性认识;培养和锻炼我们的实际着手能力。
集成电路实验报告第一篇:集成电路实验报告集成电路实验报告班级:姓名:学号:指导老师:实验一:反相器的设计及反相器环的分析一、实验目的1、学习及掌握cadence图形输入及仿真方法;2、掌握基本反相器的原理与设计方法;3、掌握反相器电压传输特性曲线VTC的测试方法;4、分析电压传输特性曲线,确定五个关键电压VOH、VOL、VIH、VIL、VTH。
二、实验内容本次实验主要是利用 cadence 软件来设计一基本反相器(inverter),并利用仿真工具Analog Artist(Spectre)来测试反相器的电压传输特性曲线(VTC,Voltage transfer characteristic curves),并分析其五个关键电压:输出高电平VOH、输出低电平VOL、输入高电平VIH、输入低电平VIL、阈值电压 VTH。
三、实验步骤1.在cadence环境中绘制的反相器原理图如图所示。
2.在Analog Environment中,对反相器进行瞬态分析(tran),仿真时间设置为4ns。
其输入输出波形如图所示。
分开查看:分析:反相器的输出波形在由低跳变到高和由高跳变到底时都会出现尖脉冲,而不是直接跳变。
其主要原因是由于MOS管栅极和漏极上存在覆盖电容,在输出信号变化时,由于电容储存的电荷不能发生突变,所以在信号跳变时覆盖电容仍会发生充放电现象,进而产生了如图所示的尖脉冲。
3.测试反相器的电压传输特性曲线,采用的是直流分析(DC),我们把输入信号修改为5V直流电源,如图所示。
4.然后对该直流电源从0V到5V进行线性扫描,进而得到电压传输特性曲线如图所示。
5.为反相器创建symbol,并调用连成反相器环,如图。
6.测量延时,对环形振荡器进行瞬态分析,仿真时间为4ns,bcd 节点的输出波形如图所示。
7.测量上升延时和下降延时。
(1)测量上升延时:可以利用计算器(calculator)delay函数来计算信号c与信号b间的上升延时和下降延时如图所示。
集成电路导论实验报告实验一:集成电路的基本参数测量方法实验目的:1. 了解集成电路的基本参数。
2. 学习集成电路的测量方法。
3. 掌握集成电路测量所需的仪器和设备的使用方法。
实验器材:1. 集成电路:选取常见的几种逻辑门电路芯片。
2. 集成电路测试台:包括电源、波形发生器、示波器等。
3. 测试电缆和测量仪器。
实验步骤:1. 准备集成电路和测试台,并将电源、波形发生器和示波器连接好。
2. 将集成电路插入测试台相应插槽,并按照测试仪器的要求连接电路。
3. 打开电源并设置合适的电压和频率。
4. 使用示波器观察集成电路的输入输出电压波形,并记录相应数据。
5. 根据所测数据计算集成电路的基本参数,如电压增益、功耗等。
6. 对不同类型的集成电路重复上述步骤,进行不同参数的测量。
实验结果:以74LS00为例,通过测量得到的数据如下:输入电压:2V输出电压:4V功耗:20mW增益:2实验讨论:根据测得的数据,可以看出74LS00逻辑门电路芯片在2V的输入电压下,产生4V的输出电压,且功耗为20mW。
通过计算得到的增益为2,即输出电压是输入电压的2倍。
这些参数的测量结果可以用来评估集成电路的性能和设计电路时的参考。
实验总结:通过本次实验,我们学习了集成电路的基本参数测量方法,掌握了集成电路测量所需的仪器和设备的使用方法。
实验中我们选取了几种常见的逻辑门电路芯片进行了测量,通过观察波形、记录数据和计算参数,获得了它们的基本参数。
这些参数的测量对于电路设计和性能评估都具有重要的参考价值。
ne555实验报告NE555实验报告引言:NE555是一款经典的集成电路,被广泛应用于定时器、脉冲发生器、频率分频器等电子电路中。
本实验旨在通过实际操作NE555电路,深入了解其工作原理和特性。
一、实验目的本实验的主要目的有以下几点:1. 掌握NE555的引脚功能及工作原理;2. 理解NE555作为定时器的基本应用;3. 学会使用NE555构建简单的脉冲发生器。
二、实验原理NE555是一款8脚的集成电路,主要由比较器、RS触发器、RS锁存器和输出级组成。
通过对电路的引脚连接和外部元件的选择,可以实现不同的功能。
三、实验器材1. NE555芯片;2. 电阻、电容、二极管等元件;3. 电源、示波器、万用表等实验设备。
四、实验步骤1. 搭建基本的NE555定时器电路。
将NE555芯片插入实验板上,根据原理图连接电阻、电容和电源等元件。
2. 调节电源电压。
根据NE555的工作电压范围,选择适当的电源电压,并通过万用表测量电压值。
3. 测试NE555的工作频率。
将示波器连接到NE555的输出引脚上,调节电阻和电容的值,观察示波器上的波形变化,并记录下不同参数下的频率值。
4. 构建脉冲发生器。
在基本的NE555定时器电路的基础上,添加电阻、电容和二极管等元件,实现脉冲发生器的功能。
通过示波器观察输出的脉冲波形,并记录下不同参数下的频率、占空比等数值。
五、实验结果与分析通过实验,我们得到了NE555在不同参数下的工作频率和脉冲波形。
根据实验数据,我们可以分析NE555的特性和性能。
首先,NE555的工作频率与电阻和电容的值有关。
当电阻值较大或电容值较小时,工作频率较低;反之,工作频率较高。
这是因为NE555的内部电路通过电阻和电容的充放电过程来实现定时功能。
其次,NE555作为脉冲发生器时,其输出波形的频率和占空比也与电阻和电容的值密切相关。
通过调节电阻和电容的数值,可以实现不同频率和占空比的脉冲波形。
六、实验总结本实验通过实际操作NE555电路,深入了解了其工作原理和特性。
实验3/4 反相器的特性
:
学号:
班级:
指导老师:
1、实验目的
1.了解反相器的电路结构和版图结构。
2.理解反相器的开关阈值。
3.理解反相器延时与电源和器件尺寸的关系。
4.理解反相器链的延时与器件尺寸的关系。
2、实验容
1.画出一个双阱工艺反相器的版图示意图(不严格要求尺寸和比例关系,画出阱、扩散区、
多晶栅极、栅接触孔、源极漏极接触孔、金属即可)。
2.一个0.25um工艺的反相器,NMOS管的尺寸为L = 0.250um,W = 0.375um;PMOS管的尺
寸为L = 0.250um,W = 1.125um。
a) 电源为2.5V ,从0到2.5V 扫描输入电压vin ,观察输出电压vout ,找到开关阈值; b) 仅修改PMOS 管的W = 2.750um ,找到此时的开关阈值;
c) 恢复PMOS 管尺寸W = 1.125um ,电源分别为2.5V 、1.5V 、1V ,观察pHL t 和pLH t (50%
到50%);
d) 修改PMOS 管的W = 0.750um ,电源为2.5V ,观察pHL t 和pLH t (50%到50%)。
3. 四个反相器级联,所有的NMOS 管的尺寸为L = 0.250um ,W = 0.375um ;所有的PMOS 管
的L = 0.250um ;电源为2.5V 。
a) 第一个反相器的PMOS 管W = 1.125um ,第二个反相器的PMOS 管W = 1.875um ,第三
个反相器的PMOS 管W = 3.000um ,第四个反相器的PMOS 管W = 5.250um ; b) 四个反相器的PMOS 管均为W = 1.125um ; c) 四个反相器的PMOS 管均为W = 1.875um ; d) 四个反相器的PMOS 管均为W = 3.000um ; 观察四种情况下反相器链的pHL t 和pLH t 。
一、双阱工艺反相器的版图示意图
双阱工艺反相器的版图示意图如图1.1所示
图1.1
二、单个反相器
2.1 电源为2.5V,从0到2.5V,仿真图形如图2.1
图2.1
从图2.1可以看出在上述条件下的开关阈值大约为:1.25V
2.2 修改PMOS管的W = 2.750um,其他条件保持不变,此时的仿真波形如图2.2.
图2.2
从图2.2可以看出在上述条件下的开关阈值为1.42V
2.3 恢复PMOS 管尺寸W = 1.125um ,电源分别为2.5V 、1.5V 、1V ,此时的仿真波形分别如图
2.3,图2.4以及图2.5,其pHL t 和pLH t 分别如图中的箭头所示。
图2.3
图2.4
图2.5
2.4 修改PMOS管的W = 0.750um,电源为2.5V,此时的仿真波形如图2.6
图2.6
三、四个反相器级联
3.1 第一个反相器的PMOS管W = 1.125um,第二个反相器的PMOS管W = 1.875um,第三个反相器的PMOS管W = 3.000um,第四个反相器的PMOS管W = 5.250um,其实仿真图形如图3.1
图3.1
3.2四个反相器的PMOS管均为W = 1.125um,此时的仿真波形如图3.2
图 3.2
3.3 四个反相器的PMOS管均为W = 1.875um,此时的仿真波形如图3.3
图 3.3
3.4四个反相器的PMOS管均为W = 3.000um,此时的仿真波形如图3.4
图3.4
四、结论
从图3.1到图3.4可以看出,随着工艺尺寸的减小,反相器的延时也随之变小。
对比单个反相器和四个反相器级联的情况我们可以发现,输出电压跳变变得陡峭,其pHL t 和pLH t 也比单个反相器要长。
同时可以看出,随着电压的下降,其pHL t 和pLH t 也随之增大。
附录
一、单个反相器的程序*YBZC
.LIB 'cmos25_level49.txt' TT
*.MODEL n1 NMOS LEVEL=3 THETA=0.4 ...
*.MODEL p1 PMOS LEVEL=3 ...
VDD VDD 0 2.5
*VPULSE VIN 0 PULSE 0 5 2N 2N 2N 98N 200N
*VSIN VIN 0 SIN(0 2.5 1xHZ)
VIN VIN 0 0
VGND GND 0 0
M1 VOUT VIN VDD VDD pMOS L=0.25U W=1.125U
M2 VOUT VIN GND GND nMOS L=0.25U W=0.375U
.DC VIN 0 2.5 0.1
*.TRAN 1N 0.25U
.OPTION POST=PROBE
.PROBE V(VIN) V(VOUT)
.END
说明:根据题目要求不同,只需修改上诉参数的值即可
二、四个反相器级联的程序
*YBZC
*.MODEL n1 NMOS LEVEL=3 THETA=0.4 ...
*.MODEL p1 PMOS LEVEL=3 ...
*.PARAM WN=2U WP=2U LP=2U LN=2U
.LIB 'cmos25_level49.txt' TT
VDD VDD 0 2.5
*VPULSE VIN 0 PULSE 0 5 2N 2N 2N 98N 200N
*VSIN VIN 0 SIN(0 2.5 1xHZ)
VIN VIN 0 0
VGND GND 0 0
M1 VOUT1 VIN VDD VDD pMOS L=0.25U W=1.125U
M2 VOUT1 VIN GND GND nMOS L=0.25U W=0.375U
M3 VOUT2 VOUT1 VDD VDD pMOS L=0.25U W=1.125U M4 VOUT2 VOUT1 GND GND nMOS L=0.25U W=0.375U
M5 VOUT3 VOUT2 VDD VDD pMOS L=0.25U W=1.125U
M6 VOUT3 VOUT2 GND GND nMOS L=0.25U W=0.375U
M7 VOUT VOUT3 VDD VDD pMOS L=0.25U W=1.125U
M8 VOUT VOUT3 GND GND nMOS L=0.25U W=0.375U
.DC VIN 0 2.5 0.1
*.TRAN 1N 0.25U
.OPTION POST=PROBE
.PROBE V(VIN) V(VOUT)
.END
说明:根据题目要求不同,只需修改上诉参数的值即可。