东南大学信息学院模电答案作业题
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东南大学信息学院模电答案作业题_第一章
解： VImax Vz I L min I Z max
Rmin VImin Vz I L max I Z min Rmax
Rmin
VImax Vz VImax Vz 350 I Z max I L min I Z max
Rmax
RLmin VZ I Lmax
《电子线路》作业题
第1章
1-13
A B C
D1
5V
ID
2 k
D
D2
D3
0V 0.7V V
解：接最低电压的二极管导通，其余二极管截止，VD=1.7V 1-14
A B C
D1
D2
D3
D
2 k
解：接最高电压的二极管导通，其余二极管截止，VD=3.3V
1-15
解： a：D截止，VAO=12 V b：D导通，VAO=15 V c：D1导通，D2截止， VAO=0 V d：D1导通，D2导通， VAO51 mV
1-19
解：
I DQ 1 0.25 13.16 (mA) 50 7
rj
VT 26 2 () I DQ 13.16
id
20 sin t 0.37 sin t (mA) 50 2 2
iD I DQ id 13.16 0.37 sin t (mA)
350 10 72.9 mV 350 10
1-24
解：
VImin Vz 375 I Z min I L max
R Rmin
Rmin R Rmax来自VO1 VIrz 10 5 138 .9 mV R rz 350 10
7.5 500 rz 0.015
东南大学信息学院模电答案作业题第四章
2
gm
(RD
//
RL
)
Avd2
5.4
gm 2
n COXW
2l
IDห้องสมุดไป่ตู้
2.16mS
Avc2
-
gm (RD // RL ) 1 2g m RSS
-0.47,
K CMR
Avd2 Avc2
5.4 11.5 0.47
vO Avd2vid Avc2vic 5.4 10 -0.47 5 51.65mV
R2 ) )rce3
(1
100 0.51
) 36 1.02MΩ
0.51 0.78 1.8 //(13 0.85)
4-55 图P4-55所示电路中，各双极性晶体管的参数均为β=100，|VA|
=100, |VBE(on)|=0.7V, rbb' =0, 场效应管参数也都相同，
作业
第四章
4-1
4-6： 略（方法：先画直流通路，再根据饱和模式下IDQ和VGSQ 之间的关系解方程，得到IDQ） 4-7
直流通路
交流通路
Rs
T
+
+
R4 RL vo
vs
R1 R2
-
-
直流通路： 隔直流电容和旁路电容开路，电感短路。 交流通路： 隔直流电容和旁路电容短路，扼流圈等大电感开路，独立的直流 电压源短路，独立的直流电流源开路。
解： (1 )RE (RB1 // RB2 )
I CQ
RB1 RB1 RB2
VCC
RE
- 0.7V
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
模拟电子技术复习题+参考答案
模拟电子技术复习题+参考答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、射极输出器是典型的（）。
A、电压并联负反馈；B、电压串联负反馈。
C、电流串联负反馈；正确答案：B3、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合正确答案：A4、二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。
（）A、对 :B、错正确答案：B5、若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。
A、正确 ;B、错误正确答案：A6、双极三极管是一种（）A、电流控制的电压源B、电流控制的电流源C、电压控制的电流源D、电压控制的电压源正确答案：B7、理想集成运放的输入电阻为（）。
A、0；B、不定。
C、∞；正确答案：C8、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D9、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。
A、截止B、频率C、饱和D、交越正确答案：C10、基本放大电路中的主要放大对象是( )。
A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。
正确答案：B11、晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。
（）A、对 :B、错正确答案：B12、集成运放的非线性应用存在( )现象。
A、虚断;B、虚地;C、虚断和虚短。
正确答案：A13、若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏。
D、发射结正偏、集电结正偏；正确答案：B14、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：A15、若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。
东南大学信息学院模电答案作业题第五章
6
5-9 在图P5-9所示的多级放大器交流通路中，应如何接入反馈元 件，才能分别实现下列要求；(1) 电路参数变化时，vo变化不 大，并希望有较小的输入电阻Rif，(2) 当负载变化时，io变化 不大，并希望放大器有较大的输入电阻Rif。
(1)：施加电压并联负反馈； (2)：施加电流串联负反馈。
7
作业
第五章
1
5-2
×+
电压并联负反馈
+
×
电流并联正反馈
2
+
+
+
×
电流串联正反馈
+
×
电流并联负反馈
3
+
+×
+
电压串联正反馈
vo1 电流串联负反馈 vo2 电压串联负反馈
4
+
×-
电压串联负反馈
-
+×
-
电压串联负反馈
5
5-3 图P5-3所示放大器电路中，试问有否反馈作用（单级或两 级）？为什么？图中，电容C对信号均可视作短路。
解：先找到相位为180º的频率，再找到该频率处的增益，然后求
反馈系数
A/dB
58
1
38
20log 18
kfmax
18
kfmax 0.125
0.1 jA
1
10
பைடு நூலகம்
f
100
1000 (MHz)
-45º
f (MHz)
-90º
-135º
-180º
-225º
11
-270º
5-27 某集成运算放大器的低频增益AvdI=104，极点频率分别为 fp1=200kHz，fp2=2MHz，fp3=20MHz，产生fp1的电路中等效输 出电阻R1=20k。将它接成同相放大器，为保证稳定工作， 采用了简单电容补偿。(1)若要求闭环增益Avf=10，试求所需 的最小补偿电容Cj值；(2)若要求闭环增益Avf=1，试求补偿 电容Cjmin。
5-9 在图P5-9所示的多级放大器交流通路中，应如何接入反馈元 件，才能分别实现下列要求；(1) 电路参数变化时，vo变化不 大，并希望有较小的输入电阻Rif，(2) 当负载变化时，io变化 不大，并希望放大器有较大的输入电阻Rif。
(1)：施加电压并联负反馈； (2)：施加电流串联负反馈。
7
作业
第五章
1
5-2
×+
电压并联负反馈
+
×
电流并联正反馈
2
+
+
+
×
电流串联正反馈
+
×
电流并联负反馈
3
+
+×
+
电压串联正反馈
vo1 电流串联负反馈 vo2 电压串联负反馈
4
+
×-
电压串联负反馈
-
+×
-
电压串联负反馈
5
5-3 图P5-3所示放大器电路中，试问有否反馈作用（单级或两 级）？为什么？图中，电容C对信号均可视作短路。
解：先找到相位为180º的频率，再找到该频率处的增益，然后求
反馈系数
A/dB
58
1
38
20log 18
kfmax
18
kfmax 0.125
0.1 jA
1
10
பைடு நூலகம்
f
100
1000 (MHz)
-45º
f (MHz)
-90º
-135º
-180º
-225º
11
-270º
5-27 某集成运算放大器的低频增益AvdI=104，极点频率分别为 fp1=200kHz，fp2=2MHz，fp3=20MHz，产生fp1的电路中等效输 出电阻R1=20k。将它接成同相放大器，为保证稳定工作， 采用了简单电容补偿。(1)若要求闭环增益Avf=10，试求所需 的最小补偿电容Cj值；(2)若要求闭环增益Avf=1，试求补偿 电容Cjmin。
东南大学信息学院模电答案第一章功率放大器
水平线段。
iL A Icm
O
T1
Q
2Vcc
Vcc
D
vCE1
20
输入为正弦波信号的推挽式乙类功放，在最大不失 真条件下的两管集电压电流为：
ic1＝Icmsinωt 0≤ ωt ≤π
＝0
π ≤ ωt ≤2 π
ic2＝0
0≤ ωt ≤π
＝ -Icmsinωt π ≤ ωt ≤2 π
vCE1＝ VCC-Vcmsinωt
23
1.2.3 乙类互补推挽放大器实际电路
一、交叉失真和偏置电路 1.交叉失真
当输入信号很小，没有达到管子导通电压VBE（on)时，管子没 有导通，正负周期交替过零时不能衔接，会有非线性失真， 这就是交叉失真或者交越失真。如果输入信号电压振幅越小， 交越失真就越严重。为了消除交越失真，必须在管子B-E间 加合适的正向偏置电压，其值应该稍大于两管导通电压之和。
PC = PC1＋PC2 = (4ξ/π- )P2Lmax 当ξ=2/π≈0.636时，PC 最大PCmax= 4PLmax/π2≈0.4PLmax 22
• 可见，在乙类推挽功率放大器中，Pc的最大值既不 出现在ξ=0即静止状态，也不出现在ξ=1即最大输出 状态。因为ξ小时，虽然Po小，但PD也小，结果Pc小；反之，
24
皮肌炎图片——皮肌炎的症状表现
皮肌炎是一种引起皮肤、肌肉 、心、肺、肾等多脏器严重损害 的，全身性疾病，而且不少患者 同时伴有恶性肿瘤。它的1症状表 现如下：
1、早期皮肌炎患者，还往往伴 有全身不适症状，如-全身肌肉酸 痛，软弱无力，上楼梯时感觉两 腿费力；举手梳理头发时，举高 手臂很吃力；抬头转头缓慢而费 力。
R vCE－VCEQ=
-（ iC－ICQ）
iL A Icm
O
T1
Q
2Vcc
Vcc
D
vCE1
20
输入为正弦波信号的推挽式乙类功放，在最大不失 真条件下的两管集电压电流为：
ic1＝Icmsinωt 0≤ ωt ≤π
＝0
π ≤ ωt ≤2 π
ic2＝0
0≤ ωt ≤π
＝ -Icmsinωt π ≤ ωt ≤2 π
vCE1＝ VCC-Vcmsinωt
23
1.2.3 乙类互补推挽放大器实际电路
一、交叉失真和偏置电路 1.交叉失真
当输入信号很小，没有达到管子导通电压VBE（on)时，管子没 有导通，正负周期交替过零时不能衔接，会有非线性失真， 这就是交叉失真或者交越失真。如果输入信号电压振幅越小， 交越失真就越严重。为了消除交越失真，必须在管子B-E间 加合适的正向偏置电压，其值应该稍大于两管导通电压之和。
PC = PC1＋PC2 = (4ξ/π- )P2Lmax 当ξ=2/π≈0.636时，PC 最大PCmax= 4PLmax/π2≈0.4PLmax 22
• 可见，在乙类推挽功率放大器中，Pc的最大值既不 出现在ξ=0即静止状态，也不出现在ξ=1即最大输出 状态。因为ξ小时，虽然Po小，但PD也小，结果Pc小；反之，
24
皮肌炎图片——皮肌炎的症状表现
皮肌炎是一种引起皮肤、肌肉 、心、肺、肾等多脏器严重损害 的，全身性疾病，而且不少患者 同时伴有恶性肿瘤。它的1症状表 现如下：
1、早期皮肌炎患者，还往往伴 有全身不适症状，如-全身肌肉酸 痛，软弱无力，上楼梯时感觉两 腿费力；举手梳理头发时，举高 手臂很吃力；抬头转头缓慢而费 力。
R vCE－VCEQ=
-（ iC－ICQ）
模拟电子技术考试题及答案
模拟电子技术考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子电路中，放大器的基本功能是（）。
A. 整流B. 滤波C. 放大信号D. 调制2. 负反馈在放大器中的作用是（）。
A. 增加增益B. 减小增益C. 稳定放大器D. 提高频率响应3. 理想运算放大器的开环增益是（）。
A. 有限的B. 无限的C. 零D. 负数4. 一个放大器的输入电阻是1kΩ，输出电阻是50Ω，那么它的电压增益是（）。
A. 20B. 20kC. 不确定D. 0.055. 一个二极管的正向压降是0.7V，当通过它的电流为20mA时，消耗的功率是（）。
A. 14mWB. 0.014WC. 0.014mWD. 1.4mW6. 一个电路的频率响应曲线是一条直线，说明这个电路是（）。
A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 全通滤波器7. 一个共射放大器的电流增益是-10，电压增益是-100，那么它的输出电阻是（）。
A. 10ΩB. 100ΩC. 1kΩD. 10kΩ8. 晶体管的三种基本放大电路分别是（）。
A. 共射、共基、共集B. 共射、共基、共漏C. 共射、共集、共漏D. 共基、共集、共漏9. 在模拟电子技术中，什么是“饱和区”？A. 信号失真区域B. 信号放大区域C. 信号衰减区域D. 信号调制区域10. 一个放大器的输入信号是正弦波，输出信号是方波，这个放大器可能应用在（）。
A. 音频放大B. 视频放大C. 脉冲放大D. 信号调制答案：1-5 CCBDD 6-10 DCDCC二、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电子电路中，________是用来测量电路输出电压的仪器。
2. 一个理想的电压源具有________和________的特性。
3. 运算放大器的输入端通常具有________和________的特性。
4. 一个放大器的增益可以通过改变________来实现。
5. 负反馈可以提高放大器的________和________。
模拟电子技术复习题答案
模拟电子技术复习题答案一、单项选择题1. 在模拟电子技术中，放大器的增益通常用哪个参数来表示？A. 电压增益B. 电流增益C. 功率增益D. 阻抗增益答案：A2. 运算放大器的输入端通常具有什么特性？A. 高输入阻抗B. 低输入阻抗C. 高输出阻抗D. 低输出阻抗答案：A3. 负反馈在放大器中的作用是什么？A. 增加增益B. 降低增益C. 增加稳定性D. 降低稳定性答案：C4. 理想运算放大器的输入端电压差是多少？A. 0VB. 5VC. 10VD. 任意值答案：A5. 在共发射极放大电路中，输出信号的相位与输入信号的相位关系如何？A. 同相B. 反相C. 无关系D. 随机答案：B二、填空题1. 晶体三极管工作在放大区时，其基极与发射极之间的电压应大于_______。
答案：0.7V2. 为了实现放大器的稳定工作，通常需要在放大器的输出端引入_______。
答案：负反馈3. 运算放大器的差分输入端电压差接近于_______时，可以认为运算放大器工作在理想状态。
答案：0V4. 共集电极放大电路的输出阻抗_______共发射极放大电路的输出阻抗。
答案：高于5. 为了提高放大器的输入阻抗，可以在晶体三极管的基极与电源之间串联一个_______。
答案：电阻三、简答题1. 简述共发射极放大电路的工作原理。
答案：在共发射极放大电路中，输入信号通过基极电阻加到晶体三极管的基极，使基极电流发生变化，进而控制集电极电流的变化，实现信号的放大。
输出信号从集电极取出，与输入信号反相。
2. 为什么在设计放大器时需要考虑频率响应？答案：放大器的频率响应决定了放大器能够放大信号的频率范围。
如果放大器的频率响应不匹配信号的频率范围，可能会导致信号失真或无法放大，因此设计放大器时需要考虑频率响应以确保信号的有效放大。
四、计算题1. 给定一个共发射极放大电路，其晶体三极管的β值为100，基极电流为10μA，求集电极电流。
答案：集电极电流Ic = β * Ib = 100 * 10μA = 1mA2. 在一个带有负反馈的放大器中，若反馈系数为0.1，原增益为100，求加入负反馈后的增益。
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
模电参考答案(全4套)
参考答案（第1套）一、1．电流、正向、反向；电压。
2．线性、非线性。
3．共基、共射、共集。
4．差模、共模、ocodA A 。
5．低通、200、200。
6．乙类、0、LCC R V22、0.2。
二、2．放大状态。
4．电压－串联、增大、宽。
三、1．V U mA I AI CEQ CQ BQ 2.32.222==≈μ2．115//-=-=beLC ur R R A βΩ==Ω=≈=K R R k r r R R R C o be be b b i 33.1////21四、反馈组态为：电压－串联负反馈1211R R FA uf +== 五、该放大电路为共基接法，根据瞬时极性法可知引入了负反馈，不能振荡。
更正：将变压器副边的同名端标在“地”的位置即可。
六、 1．R R TH U U R R U 3221-=-=；＝，＝时，当；＝，＝－时，当V 4U V 6U 0V 4U V 6U 0TH R TH R -<>i i u u七、运放构成差动输入形式，反相端输入为U I ，同相端输入I IU U ~0='。
I I f I f I f o U U R R U R R U R R U ~)1(111-='++-=八、1．误差放大器的同相在下方、反相端在上方。
2．电路由四个部分构成：（1）由R 1、R 2和R W 构成的取样电路；（2）由运放构成负反馈误差放大器；（3）由R 和D W 构成基准电压电路；（4）由T1和T2复合管构成调整管。
3．V U R R R R R U R R R R U R R R R R U Z w wZ w Z w w o 10~15~221221221=+++++=+"++=参考答案（第2套）一、1． 反向击穿；2． 甲类、甲乙类、乙类、甲乙类； 3． 零点漂移；4． （串联负反馈）从C 到F ；（电压负反馈）从A 到E ； 5． 差放输入级、压放中间级、互补输出级、偏置电路； 6． （1）0.5； （2）5； （3）20； 二、1．W R VP L CC o 922max== LoMoM AV C R U I I πππ==⎰)(Sin ωinωt 21 W R VI V P LCC AV C CC V 46.11222)(===π %5.78max==Vo P P η W P P P P o V T T 23.1)(21max 21=-== 2．W P P o T 8.12.0max max == 三、1．10=umA 2．)101)(101(1010)1)(1()(5fj f j f jf f j f f j f fjA j A HL Lumu ++⋅=++= ω3．输出电压会失真。
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习题
第三章
3-2 在图P3-2所示电路中，假设两管n、Cox相同，VGS(th)=0.75V， ID2=1mA，若忽略沟道长度调制效应，并设T1管的沟道宽长比(W/l)
是T2管的5倍。试问流过电阻R的电流IR值。
解:
ID
nCoxW
2l
(VGS
VGS(th) )2
I D1 (W / l)1 I D2 (W / l)2
，
IDQ、VGSQ
gm 2
CoxW
2l
I DQ , rds
3-7 双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图P3-7所示，已
知VGS(th)=2V，nCox=200A/V2，W=40m ，l=10m。设=0， 要求ID= 0.4mA，VD=1V，试确定RD，RS值。
解:
I DQ
n CoxW
2l
(VGS
VGS(th) )VDS
VO VDS VI I D R
VO
VGS越大,MOS管电阻越小
3-16 图P3-16所示为分压式衰减电路，已知EMOS场效应管工作
,在VG非S(th饱)=1和.5区V，，试VI=分20.的01VmOA值/，V2并进行
分析.
解:
ID
n CoxW
2l
[(VGS
VGS(th) )VDS
VD2S ]
解: (a): N沟道, JFET (b): N沟道, DMOS FET (c): P沟道, DMOS FET
3-15 由有源电阻构成的分压器如图P3-15所示，设各管 pCoxW (2l)
相同，|VGS(th)|=1V、 =0，试指出各管工作区及其VO值。
解: (a): VO=8 V,MOS管都工作在饱和区; (b): VO1=10/3 V, VO1=20/3 V, MOS管都工作在饱和区; (c): VO=5 V,MOS管都工作在饱和区.
nCoxW
2l
(VGSQ
VGS(th) )2
VGSQ 0 (5 RSIDQ ) 5 RSIDQ
VGSQ 3V
RS 5k, RD 10k
3-13 各种类型场效应管的输出特性曲线如图P3-13所示，试分别 指出各场效应管的类型、符号和VGS(th)值，并画出|VDS| =5V 时相应的转移特性。
3-6 在图P3-6所示电路中，已知增强型MOSFET的 pCoxW 2l 80μA/ V2 VGS(th) 1.5V，沟道长度调制效应忽略不计，试求IDQ、VGSQ、 VDSQ、gm 、rds值 。
解:
I DQ
nCoxW
2l
(VGSQ
VGS(th) )2
VGSQ 4 (IDQ ) IDQ 4
第三章
3-2 在图P3-2所示电路中，假设两管n、Cox相同，VGS(th)=0.75V， ID2=1mA，若忽略沟道长度调制效应，并设T1管的沟道宽长比(W/l)
是T2管的5倍。试问流过电阻R的电流IR值。
解:
ID
nCoxW
2l
(VGS
VGS(th) )2
I D1 (W / l)1 I D2 (W / l)2
，
IDQ、VGSQ
gm 2
CoxW
2l
I DQ , rds
3-7 双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图P3-7所示，已
知VGS(th)=2V，nCox=200A/V2，W=40m ，l=10m。设=0， 要求ID= 0.4mA，VD=1V，试确定RD，RS值。
解:
I DQ
n CoxW
2l
(VGS
VGS(th) )VDS
VO VDS VI I D R
VO
VGS越大,MOS管电阻越小
3-16 图P3-16所示为分压式衰减电路，已知EMOS场效应管工作
,在VG非S(th饱)=1和.5区V，，试VI=分20.的01VmOA值/，V2并进行
分析.
解:
ID
n CoxW
2l
[(VGS
VGS(th) )VDS
VD2S ]
解: (a): N沟道, JFET (b): N沟道, DMOS FET (c): P沟道, DMOS FET
3-15 由有源电阻构成的分压器如图P3-15所示，设各管 pCoxW (2l)
相同，|VGS(th)|=1V、 =0，试指出各管工作区及其VO值。
解: (a): VO=8 V,MOS管都工作在饱和区; (b): VO1=10/3 V, VO1=20/3 V, MOS管都工作在饱和区; (c): VO=5 V,MOS管都工作在饱和区.
nCoxW
2l
(VGSQ
VGS(th) )2
VGSQ 0 (5 RSIDQ ) 5 RSIDQ
VGSQ 3V
RS 5k, RD 10k
3-13 各种类型场效应管的输出特性曲线如图P3-13所示，试分别 指出各场效应管的类型、符号和VGS(th)值，并画出|VDS| =5V 时相应的转移特性。
3-6 在图P3-6所示电路中，已知增强型MOSFET的 pCoxW 2l 80μA/ V2 VGS(th) 1.5V，沟道长度调制效应忽略不计，试求IDQ、VGSQ、 VDSQ、gm 、rds值 。
解:
I DQ
nCoxW
2l
(VGSQ
VGS(th) )2
VGSQ 4 (IDQ ) IDQ 4