半导体FAB里基本的常识简介

CVD晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体?答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。

最常用的半导体材料是硅及锗。

半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。

常用的半导体材料为何答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa)何谓VLSI答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺答：介电质(Dielectric)薄膜区机台主要的功能为何答：沉积介电质层及金属层何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程CVD分那几种?答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?答：良好的导体仅次于铜介电材料的作用为何?答：做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)答：金属层间介电质层。

何谓USG?答：未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass)何谓FSG?答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)何谓BPSG?答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)何谓TEOS?答：Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅TEOS在常温时是以何种形态存在?答：液体二氧化硅其K值为3.9表示何义答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍氟在CVD的工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体简述Endpoint detector之作用原理.答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.机台使用的管件材料主要有那些?答：有不锈钢制(Stainless Steal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种.机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何?答：告知所有的人勿操作机台，避免危险机台维修至少两人配合，有何目的?答：帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作?答：用氦气测漏机来做测漏维修尚未降至室温之反应室(Chamber)，应配带何种手套答：石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作何为真空(Vacuum)?半导体业常用真空单位是什幺?答：半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于760Torr压力的环境称为真空.真空Pump的作用？答：降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力何谓内部连锁(Interlock)答：机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.机台设定许多interlock有何作用?答：机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.Wafer Scrubber的功能为何?答：移除芯片表面的污染粒子ETCH何谓蚀刻(Etch)?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。

半导体FAB知识100问影响工厂成本的主要因素有哪些？答：Direct Material 直接材料，例如：蕊片 Indirect Material间接材料，例如气体… Labor人力 Fixed Manufacturing机器折旧，维修，研究费用……等 ProducTIon Support其它相关单位所花费的费用在FAB内，间接物料指哪些？答：Gas 气体 Chemical 酸，碱化学液 PHOTO Chemical 光阻，显影液 Slurry 研磨液 Target 靶材 Quartz 石英材料 Pad ＆ Disk 研磨垫 Container 晶舟盒（用来放蕊片） Control Wafer 控片 Test Wafe r测试，实验用的蕊片什幺是变动成本（Variable Cost）？答：成本随生产量之增减而增减．例如：直接材料，间接材料什幺是固定成本（Fixed Cost）？答：此种成本与产量无关，而与每一期间保持一固定数额．例如：设备租金，房屋折旧及檵器折旧Yield（良率）会影响成本吗？如何影响？答：Fab yield＝若无报废产生，投入完全等于产出，则成本耗费最小CP Yield：CP Yield 指测试一片芯片上所得到的有效的IC数目。

当产出芯片上的有效IC数目越多，即表示用相同制造时间所得到的效益愈大．生产周期（Cycle TIme）对成本（Cost）的影响是什幺？答：生产周期愈短，则工厂制造成本愈低。

正面效益如下：（1）积存在生产线上的在制品愈少（2）生产材料积存愈少（3）节省管理成本（4）产品交期短，赢得客户信赖，建立公司信誉FAC根据工艺需求排气分几个系统？答：分为一般排气（General）、酸性排气（Scrubbers）、碱性排气（Ammonia）和有机排气（Solvent）四个系统。

高架地板分有孔和无孔作用？答：使循环空气能流通，不起尘，保证洁净房内的洁净度；防静电；便于HOOK－UP。

1.晶圆制造厂非常昂贵得原因之一,就是需要一个无尘室,为何需要无尘室ﻫ答:由于微小得粒子就能引起电子组件与电路得缺陷2.何谓半导体?答：半导体材料得电传特性介于良导体如金属(铜、铝,以及钨等)与绝缘与橡胶、塑料与干木头之间。

最常用得半导体材料就是硅及锗。

半导体最重要得性质之一就就是能够藉由一种叫做掺杂得步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。

3.常用得半导体材料为何？答:硅(Ｓi)、锗(Ge)与砷化镓(AsGa)4.何谓VLSＩ？答：ＶLSI（Veｒy LａrgｅScale Integｒａｔiｏn）超大规模集成电路5.在半导体工业中,作为绝缘层材料通常称什么?ﻫ答:介电质（Dieleｃｔriｃ)、6.薄膜区机台主要得功能为何?ﻫ答：沉积介电质层及金属层7.何谓CVD(CｈemicaｌVapor Dｅp、)答:CVＤ就是一种利用气态得化学源材料在晶圆表面产生化学沉积得制程8.CVD分那几种?ﻫ答:PE-CＶＤ（电浆增强型)及Theｒmaｌ-CＶD(热耦式)9.为什么要用铝铜(Al-Ｃu)合金作导线?ﻫ答:良好得导体仅次于铜10.介电材料得作用为何? ﻫ答:做为金属层之间得隔离11.何谓ＰＭＤ(Ｐre-Metal Diｅleｃtric）答:称为金属沉积前得介电质层,其界于多晶硅与第一个金属层得介电质12.何谓IＭD（Inｔer-Metal Dielｅctric）ﻫ答：金属层间介电质层。

13.何谓USG？答:未掺杂得硅玻璃(Uｎdopｅd Siｌicate Ｇlａss)14.何谓FSＧ? ﻫ答:掺杂氟得硅玻璃(Fｌｕorinａtｅd SiｌｉcａteＧｌass)15.何谓ＢPSＧ? ﻫ答:掺杂硼磷得硅玻璃(Boro phosｐhｏsiｌicate ｇlａｓｓ）16.何谓ＴEＯＳ? ﻫ答:Tetｒａ-eｔhoｘy－silａnｅ四乙氧基硅烷，正硅酸四乙酯, 用途为沉积二氧化硅17.TEＯS在常温时就是以何种形态存在?答:液体18.二氧化硅其Ｋ值为3、9表示何义答:表示二氧化硅得介电质常数为真空得３、9倍19.氟在CVD得工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Ｃhambeｒ)用之化学气体20.简述Endpｏinｔdetector之作用原理答:cｌeａn制程时,利用生成物或反应物浓度得变化,因其特定波长光线被detectoｒ侦测到强度变强或变弱，当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpｏinｔ、21.机台使用得管件材料主要有那些?答：有不锈钢制（Stａinleｓs Steａl），黄铜制（Ｂｒａｓs）,塑胶制（PＶC),特氟隆制（Teflon）四种、22.机器维修时要放置停机维修告示牌目得为何?ﻫ答:告知所有得人勿操作机台，避免危险23.机台维修至少两人配合，有何目得?答:帮忙拆卸重物,并随时警戒可能得意外发生24.更换过任何气体管路上得零件之后,一定要做何动作?ﻫ答:用氦气测漏机来做测漏、25.维修尚未降至室温之反应室（Chａmbｅr）,应配带何种手套答:石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作26.何为真空(Vａcuｕm)?半导体业常用真空单位就是什么？答:半导体业通常用Torｒ作为真空得压力单位,一大气压相当76０Toｒr，低于7６0Ｔｏrr压力得环境称为真空、27.真空Pumｐ得作用?答:降低反应室(Ｃｈamｂeｒ）内得气体密度与压力28.何谓内部连锁(Intｅrlｏcｋ)ﻫ答:机台上intｅrlｏｃk有些属于保护操作人员得安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台、29.机台设定许多interlock有何作用?ﻫ答:机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作、30.ＷafeｒＳcｒｕbber得功能为何?答:移除芯片表面得污染粒子,Scｒｕbber（Wafｅr cｌean)机台就是水清洗waｆer表面,去除wafer表面外来得微尘颗粒(partｉcle)、31.何谓蚀刻(Ｅtｃｈ)？ﻫ答:将形成在晶圆表面上得薄膜全部,或特定处所去除至必要厚度得制程。

1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。

在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA 会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK 存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。

2 ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。

2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。

3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。

4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。

5. 允许浓度1000PPM。

3 ADI 显影后检查 1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。

发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。

3.方法：利用目检、显微镜为之。

4 AEI 蚀刻后检查 1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。

2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。

2-2达到品质的一致性和制程之重复性。

2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。

1.晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷2.何谓半导体?答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。

最常用的半导体材料是硅及锗。

半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。

3.常用的半导体材料为何？答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化镓(AsGa)4.何谓VLSI？答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路5.在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什么？答：介电质(Dielectric).6.薄膜区机台主要的功能为何？答：沉积介电质层及金属层7.何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程8.CVD分那几种?答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)9.为什么要用铝铜(Al-Cu)合金作导线?答：良好的导体仅次于铜10.介电材料的作用为何?答：做为金属层之间的隔离11.何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质12.何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)答：金属层间介电质层。

13.何谓USG?答：未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass)14.何谓FSG?答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)15.何谓BPSG?答：掺杂硼磷的硅玻璃(Boro phospho silicate glass)16.何谓TEOS?答：Tetra-ethoxy-silane四乙氧基硅烷, 正硅酸四乙酯, 用途为沉积二氧化硅17.TEOS在常温时是以何种形态存在?答：液体18.二氧化硅其K值为3.9表示何义答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍19.氟在CVD的工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体20.简述Endpoint detector之作用原理答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.21.机台使用的管件材料主要有那些?答：有不锈钢制(Stainless Steal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种. 22.机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何?答：告知所有的人勿操作机台，避免危险23.机台维修至少两人配合，有何目的?答：帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生24.更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作?答：用氦气测漏机来做测漏.25.维修尚未降至室温之反应室(Chamber)，应配带何种手套答：石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作26.何为真空(Vacuum)?半导体业常用真空单位是什么?答：半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760T orr,低于760Torr压力的环境称为真空.27.真空Pump的作用？答：降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力28.何谓内部连锁(Interlock)答：机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.29.机台设定许多interlock有何作用?答：机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.30.Wafer Scrubber的功能为何?答：移除芯片表面的污染粒子,Scrubber(Wafer clean)机台是水清洗wafer表面，去除wafer表面外来的微尘颗粒(particle).31.何谓蚀刻(Etch)?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。

半导体FAB百问知识汇总半导体FAB（半导体制造工厂）是半导体行业中的核心生产单元，用于制造集成电路和其他半导体器件。

在FAB中，通过一系列工序，从半导体晶圆开始生产，并最终制造出完整的芯片产品。

以下是一些关于半导体FAB的常见问题及其解答。

1.FAB是什么意思？FAB是英文“Fabrication（制造）”的简称，指的是半导体制造工厂。

2.FAB的主要工序有哪些？FAB的工序包括晶圆清洗、光刻、薄膜沉积、离子注入、扩散、退火、化学机械抛光等。

这些工序用来制造芯片上的不同层次。

3.FAB中常用的制造技术有哪些？FAB中常用的制造技术有MOS（金属-氧化物-半导体）、CMOS（互补金属-氧化物-半导体）和BiCMOS（双极性互补金属-氧化物-半导体）等。

4.半导体FAB中的晶圆是什么？晶圆是从硅单晶体中切割成的圆盘状薄片，作为芯片的基板。

晶圆是半导体制造的重要材料之一5.FAB中的光刻是什么工序？光刻是一种制造芯片的关键工序，通过使用光刻机，将芯片设计图案传输到光刻胶层上，然后将其转移到晶圆上制造细微的纹理。

6.FAB中的薄膜沉积是什么工序？薄膜沉积是一种将薄膜材料沉积到晶圆上的过程，用于制造芯片的不同层次。

常用的薄膜沉积方法包括化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）等。

7.FAB中的离子注入是做什么用的？离子注入是将离子加速并注入晶圆表面以改变其电学特性的过程。

通过离子注入，可以实现芯片部件的区域掺杂和控制。

8.FAB中的扩散是什么工序？扩散是一种将杂质原子掺入晶圆中的工序，以改变其导电性能。

这可用于制造晶体管的源、漏区域。

9.FAB中的退火是什么工序？退火是一种通过暴露晶圆于高温环境中，以改变晶圆中晶格结构和杂质分布的过程。

退火有助于消除杂质缺陷和提高晶圆的电学特性。

10.FAB中的化学机械抛光是做什么用的？化学机械抛光是用于平坦化制造过程中的表面的一种技术，以获得更加光滑和平坦的表面。

Fab基本情况介绍晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体?答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。

最常用的半导体材料是硅及锗。

半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。

常用的半导体材料为何答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa)何谓VLSI答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺答：介电质(Dielectric)薄膜区机台主要的功能为何答：沉积介电质层及金属层何谓CVD(Chemical Vapor Dep.)答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程CVD分那几种?答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式)为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?答：良好的导体仅次于铜介电材料的作用为何?答：做为金属层之间的隔离何谓PMD(Pre-Metal Dielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)答：金属层间介电质层。

何谓USG?答：未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass)何谓FSG?答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)何谓BPSG?答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)何谓TEOS?答：Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅TEOS在常温时是以何种形态存在?答：液体二氧化硅其K值为3.9表示何义答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍氟在CVD的工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体简述Endpoint detector之作用原理.答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测到强度变强或变弱,当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpoint.机台使用的管件材料主要有那些?答：有不锈钢制(Stainless Steal),黄铜制(Brass),塑胶制(PVC),特氟隆制(Teflon)四种.机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何?答：告知所有的人勿操作机台，避免危险机台维修至少两人配合，有何目的?答：帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作?答：用氦气测漏机来做测漏维修尚未降至室温之反应室(Chamber)，应配带何种手套答：石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作何为真空(Vacuum)?半导体业常用真空单位是什幺?答：半导体业通常用Torr作为真空的压力单位,一大气压相当760Torr,低于760Torr压力的环境称为真空.真空Pump的作用？答：降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力何谓内部连锁(Interlock)答：机台上interlock有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.机台设定许多interlock有何作用?答：机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.Wafer Scrubber的功能为何?答：移除芯片表面的污染粒子ETCH何谓蚀刻(Etch)?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。

半导体FAB里基本的常识简介-精华版1.晶圆制造厂非常昂贵得原因之一,就是需要一个无尘室,为何需要无尘室?答:由于微小得粒子就能引起电子组件与电路得缺陷2.何谓半导体?答：半导体材料得电传特性介于良导体如金属(铜、铝,以及钨等)与绝缘与橡胶、塑料与干木头之间。

最常用得半导体材料就是硅及锗。

半导体最重要得性质之一就就是能够藉由一种叫做掺杂得步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。

3.常用得半导体材料为何？答:硅(Ｓi)、锗(Ge)与砷化镓(AsGa)4.何谓VLSＩ？答：ＶLSI（Veｒy LａrgｅScale Integｒａｔiｏn）超大规模集成电路5.在半导体工业中,作为绝缘层材料通常称什么??答:介电质（Diele ｃｔriｃ)、6.薄膜区机台主要得功能为何??答：沉积介电质层及金属层7.何谓CVD(CｈemicaｌVapor Dｅp、)答:CVＤ就是一种利用气态得化学源材料在晶圆表面产生化学沉积得制程8.CVD分那几种??答:PE-CＶＤ（电浆增强型)及Theｒmaｌ-CＶD(热耦式)9.为什么要用铝铜(Al-Ｃu)合金作导线??答:良好得导体仅次于铜10.介电材料得作用为何? ?答:做为金属层之间得隔离11.何谓ＰＭＤ(Ｐre-Metal Diｅleｃtric）答:称为金属沉积前得介电质层,其界于多晶硅与第一个金属层得介电质12.何谓IＭD（Inｔer-Metal Dielｅctric）?答：金属层间介电质层。

13.何谓USG？答:未掺杂得硅玻璃(Uｎdopｅd Siｌicate Ｇlａss)14.何谓FSＧ? ?答:掺杂氟得硅玻璃(Fｌｕorinａtｅd Siｌｉcａte Ｇｌass)15.何谓ＢPSＧ? ?答:掺杂硼磷得硅玻璃(Boro phosｐhｏsiｌicate ｇlａｓｓ）16.何谓ＴEＯＳ? ?答:Tetｒａ-eｔhoｘy－silａnｅ四乙氧基硅烷，正硅酸四乙酯, 用途为沉积二氧化硅17.TEＯS在常温时就是以何种形态存在?答:液体18.二氧化硅其Ｋ值为3、9表示何义答:表示二氧化硅得介电质常数为真空得３、9倍19.氟在CVD得工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Ｃhambeｒ)用之化学气体20.简述Endpｏinｔdetector之作用原理答:cｌeａn制程时,利用生成物或反应物浓度得变化,因其特定波长光线被detectoｒ侦测到强度变强或变弱，当超过某一设定强度时,即定义制程结束而该点为endpｏinｔ、21.机台使用得管件材料主要有那些?答：有不锈钢制（Stａinleｓs Steａl），黄铜制（Ｂｒａｓs）,塑胶制（PＶC),特氟隆制（Teflon）四种、22.机器维修时要放置停机维修告示牌目得为何??答:告知所有得人勿操作机台，避免危险23.机台维修至少两人配合，有何目得?答:帮忙拆卸重物,并随时警戒可能得意外发生24.更换过任何气体管路上得零件之后,一定要做何动作??答:用氦气测漏机来做测漏、25.维修尚未降至室温之反应室（Chａmbｅr）,应配带何种手套答:石棉材质之防热手套并宜在80摄式度下始可动作26.何为真空(Vａcuｕm)?半导体业常用真空单位就是什么？答:半导体业通常用T orｒ作为真空得压力单位,一大气压相当76０Toｒr，低于7６0Ｔｏrr压力得环境称为真空、27.真空Pumｐ得作用?答:降低反应室(Ｃｈamｂeｒ）内得气体密度与压力28.何谓内部连锁(Intｅrlｏcｋ)?答:机台上intｅrlｏｃk有些属于保护操作人员得安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台、29.机台设定许多interlock有何作用??答:机台上interlock主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作、30.ＷafeｒＳcｒｕbber得功能为何?答:移除芯片表面得污染粒子,Scｒｕbber（Wafｅr cｌean)机台就是水清洗waｆer表面,去除wafer表面外来得微尘颗粒(partｉcle)、31.何谓蚀刻(Ｅtｃｈ)？?答:将形成在晶圆表面上得薄膜全部,或特定处所去除至必要厚度得制程。

半导体FAB里基本的常识简介半导体FAB，即半导体制造工厂，是生产半导体芯片的重要场所。

在半导体行业中，FAB的运作对于芯片的质量和效率有着至关重要的影响。

本文将对半导体FAB的基本常识进行简要介绍。

一、半导体FAB的定义和作用半导体FAB是半导体芯片的生产工厂，其主要任务是将半导体材料制造成最终的集成电路芯片。

FAB是一个复杂的工程体系，包含了多个工艺步骤和设备，通过一系列的加工工艺将半导体基片转化为可用的半导体芯片。

FAB的运作对于提高芯片的质量、降低成本以及增加生产效率至关重要。

二、半导体FAB的工艺步骤半导体芯片的生产过程是一个多工艺步骤的流水线操作。

下面将简要介绍半导体FAB的几个基本工艺步骤：1. 半导体晶圆清洗：在制造芯片之前，需要将半导体晶圆进行彻底清洗，以去除上面可能存在的污染物。

2. 晶圆切割：将大型的硅片切割成若干个薄片，即晶圆。

切割过程需要使用切割盘进行精确切割。

3. 晶圆薄化：为了减小芯片的体积，需要对晶圆进行薄化处理，使其达到所需的厚度。

4. 沉积工艺：在晶圆表面上沉积各种材料，如绝缘层、金属层等，用于形成芯片的不同层次。

5. 电子束曝光：使用电子束曝光机器将芯片的图案曝光到光敏剂上，以形成芯片的电路结构。

6. 蚀刻工艺：通过蚀刻将多余的材料去除，形成芯片上所需的电路结构。

7. 掩模工艺：使用掩膜和光刻机对芯片进行二次曝光，并进行最终的处理，使芯片上的电路结构更加完善。

8. 清洗和测试：在所有工艺步骤完成之后，需要对芯片进行清洗和测试，以确保其质量和性能。

三、半导体FAB的设备和技术半导体FAB使用了大量的设备和技术来实现芯片的制造过程。

以下是一些常见的设备和技术：1. 清洗设备：用于清洗晶圆上的污染物，以确保芯片的质量。

2. 激光切割机：用于将硅片切割成晶圆。

3. 沉积设备：用于在晶圆表面上沉积材料。

4. 电子束曝光机：用于将芯片的图案曝光到光敏剂上。

5. 蚀刻设备：用于蚀刻多余的材料，形成芯片上的电路结构。

在FAB混的必须知道的名词，列一些在下面：1 Active Area 主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。

在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRD’S BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。

2 ACTONE 丙酮1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。

2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。

3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。

4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。

5. 允许浓度1000PPM。

3 ADI 显影后检查1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。

发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、品质。

3.方法：利用目检、显微镜为之。

4 AEI 蚀刻后检查1. 定义：AEI即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。

2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。

2-2达到品质的一致性和制程之重复性。

2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。