二极管和三极管习题

二极管和三极管1、半导体的导电能力（）。

A. 与导体相同B. 与绝缘体相同C. 介乎导体和绝缘体之间【答案】C当温度升高时，半导体的导电能力将（）。

A. 增强B. 减弱C. 不变【答案】A======================================================================题目编号:13881 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中P 型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（）。

A. 带正电B. 带负电C. 不带电【答案】C======================================================================题目编号:13882 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）。

A. 带负电B. 带正电C. 不带电【答案】C======================================================================题目编号:13883 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将（）。

A. 变宽B. 变窄C. 不变【答案】B======================================================================题目编号:13884 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. 将PN 结加适当的反向电压，则空间电荷区将（）。

A. 变窄B. 变宽C. 不变【答案】B======================================================================题目编号:13885 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. 在PN 结中形成空间电荷区的正、负离子都带电，所以空间电荷区的电阻率（）。

二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。

2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。

3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。

4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。

三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。

（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。

（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。

（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。

（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。

2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。

3. 解释什么是三极管的放大作用。

4. 简述二极管整流电路的工作原理。

五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。

2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。

3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。

六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。

2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。

基本半导体器件一、判断题：1、有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为-9V、-6Ｖ和-6.2Ｖ，说明这个晶体三极管是锗ＰＮＰ管。

2、晶体三极管由两个ＰＮ结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。

3、当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由Ｐ型和Ｎ型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。

4、晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。

5、Ｎ型半导体的多数载流子是电子，因此Ｎ型半导体带负电。

6、当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由Ｐ型和Ｎ到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。

7、Ｐ型半导体的多数载流子是空穴，因此Ｐ型半导体带正电。

8、若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。

9、发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。

10、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

11、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。

12、Ｎ型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。

13、在Ｎ型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，教自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。

14、一般来说，硅晶体二极管的死区电压。

小于诸晶体二极管的死区电压。

15、ＰＮ结具有单向导电性，即加反向电压时，ＰＮ结导通，加正向电压时，ＰＮ结截止。

16、为使晶体三极管在放大器中正常工作，其发射结应加反向电压，集电结都应加正向电压。

17、无论是哪种类型的晶体三极管，当工作于放大区时，ｂ极电位总是高于ｅ极电位，ｃ极电位也总是高于ｂ极电位。

18、晶体三极管的交流电流放大系数表示为β=Ie/Ib，它不随工作点而改变。

19、晶体三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体（Ｎ型的或Ｐ型的）构成的，故ｅ极和ｃ极可以互换使用。

20、晶体三极管的直流输入电阻和交流或入电阻都和工作温度有关，温度升高，Ｒ、ｒbe都增高。

二极管电路习题一、选择题1、在题 1.1 图所示电路中，U A0 电压为（ ） （a ）12V （b ）-9V （c ）-3V2 在题 1.2 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2、D3 的工作状 态为（ ） 。

（a ）D1 导通，D2、D3 截止 （b ）D1、D2 截止，D3 导通 （c ）D1、D3 截止，D2 导通3 在题 1.3 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2 的工作状态为 （ ） 。

（a ）D1 导通，D2、截止 （b ）D1、D2 均导通 （c ）D1、截止，D2 导通4 在题 1.4 图所示电路中，D1、D2 为理想元件，则电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）5V （c ）2V5 电路如题 1.5 图（a ）所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为图（b ）所 示的三角波，则输出电压 u0 的最大值为（ ） 。

（a ）5V （b ）17V （c ）7V6 在题 1.6 图所示电路中，二极管为理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV ,R=4KΩ,则 uF 等于( ). （a ）3V （b ）2sinωtV （c ）3+2sinωtV7 在题 1.7 图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）0V （c ）－12V8 在题 1.8 图（1）所示电路中，二极管 D 为理想元件，设 u1=2sinωtV,稳压二 极管 DZ 的稳定电压为 6V ，正向压降不计，则输出电压 u0 的波形为图（2）中的 波形（ ）12V9V(c) RV O题1.1图9 在题1.9 图所示电路中，稳压二极管DZ2 的稳定电压为6V，DZ2 的稳定电压为12V，则输出电压U0 等于（）。

（a）12V （b）6V （c）18V10 在题1.10 图所示电路中，稳压二极管DZ1 和DZ2 的稳定电压分别为6V 和9V，正向电压降都是0.7V。

电子技术习题册一、判断题（正确的在括号内打“√”，错误的打“X”）1. 半导体随温度的升高，电阻会增大。

（）2.PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。

（）二、选择题1.PN结的最大特点是具有（）。

A. 导电性B.绝缘性C.单向导电性 2.半导体受光照，导电性能（）。

A. 增强B.减弱C.不变 3.最常用的半导体材料是（）。

A. 铜B.硅C.铝D. 锗一、判断题1. 二极管是线性元件。

（）2. 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死去电压。

（）3. 不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为0.3V。

（） 4. 二极管具有单向导电性。

（）5. 二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。

（）6.当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压时，其反向电流迅速增加。

（） 7. 二极管加正向电压时一定导通。

（） 8. 二极管加反向电压时一定截止。

（） 9.有两个电极的元件都叫二极管。

（）10. 二极管一旦反向击穿就一定损坏。

（）11. 光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。

（） 12. 光电二极管可以作为电路通断和指示用。

（） 13. 发光二极管可以接收可见光线。

（）14. 若增大变容二极管两端的的反向电压，其接电容减小。

（）二、选择题1.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始增加时，硅二极管（）。

A：立即导通B：到0.3V才开始导通C：超过死区电压时才开始导通 D：不导通 2.把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）。

A：基本正常 B：将被击穿C：将被烧坏 D：电流为03.当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（）。

A：很小的电阻 B：很大的电阻 C：短路 D：电阻4.某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）. A：约等于150V B：略大于150V C：等于75VD：等于300V5.当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）。

第四章晶体二极管和二极管整流电路第一节晶体二极管（第一课时）一、选择题1、当晶体二极管的PN结导通后参加导电的是（）A.少数载流子B.多数载流子B.既有少数载流子又有多数载流子2、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体二、填空题1、半导体是一种导电能力介于和之间的物体。

2、PN结具有的性能，即：加电压时PN结导通；加的电压时PN结截止。

三、解答题1、图所示的电路中，哪些灯泡能发亮？第一节晶体二极管（第二课时）一、选择题1、晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该二极管处于（）A. 零偏B. 反偏C. 正偏2、面接触型晶体二极管比较适用于（）A.小信号检波B.大功率整流C.大电流开关3、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应该把欧姆挡拨到（）A. R×100Ω或R×1kΩ挡B. R×1Ω挡C. R×10kΩ挡4、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压，则晶体二极管相当于（）A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关5、当硅二极管加上0.3V的正向电压时，该二极管相当于（）A.小阻值电阻B.阻值很大的电阻C.内部短路二、填空题1、当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为V，锗二极管的正向压降为V。

2、晶体二极管因所加电压过大而。

并出现的现象，称为热击穿。

3、下面每小题后面的括号内，提供几种答案，选择正确的填在相应的横线上。

（1）简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起形成PN结？（能；不能；不一定）（2）二极管导通时，则二极管两端所加的是电压。

（正向偏置；反向偏置；无偏置）（3）当二极管两端的正向偏置电压增大于电压时，二极管才能导通。

（击穿；饱和；门槛）（4）二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小。

（击穿；最大；短路）第二节二极管整流电路1、在如图所示的电路中，试分析输入端a、b间输入交流电压υ时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电？2、若将单相桥式电路接成如图的形式，将会出现什么结果，应如何改正？3、如图所示两个电路中，设V1、V2均为理想二极管（即正向导通时其正向电阻和正向压降为零，反向截止时其反向电阻无穷大的二极管），试判断两图中的二极管是截止的还是导通的，A、B两端的电压V AB=？C、D端的电压V CD=？4、画出半波整流电路图。

题目编号:13879 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中半导体的导电能力（）。

A. 与导体相同B. 与绝缘体相同C. 介乎导体和绝缘体之间【答案】C======================================================================题目编号:13880 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中当温度升高时，半导体的导电能力将（）。

A. 增强B. 减弱C. 不变【答案】A======================================================================题目编号:13881 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（）。

A. 带正电B. 带负电C. 不带电【答案】C======================================================================题目编号:13882 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. N 型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）。

A. 带负电B.带正电C.不带电【答案】C======================================================================题目编号:13883 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将（）。

A.变宽B. 变窄C. 不变【答案】B======================================================================题目编号:13884 知识点:14二极管和三极管题型:单项选择题难度:中. 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将（）。

第2章 习题答案2-1 二极管、三极管用于数字电路中与用于模拟电路有什么不同？答：二极管和三极管在数字电路中主要用作开关，工作于大信号状态，即二极管工作在正向导通和反向截止两个状态，三极管工作在饱和于截止两个状态； 模拟电路中二极管一般工作在小信号状态或反向击穿状态，三极管一般工作在放大状态。

2-2 有两个二极管A 和B ，在相同条件下测得A 管的I F ＝10mA ，I R ＝2mA ；B 管的I F＝30mA ，I R ＝0.5μA ；比较而言，哪个性能更好？答：B 管更好，因为其反向漏电流较小而正向允许电流大。

2-3 三极管工作在截止、饱和、放大状态的外部条件各是什么？答：截止时，使发射结反偏即v BE ≤0；饱和时，使基极电流等于或大于基极饱和电流，即i B ≥I BS =V CC /βR C ；放大时，使发射结正偏，而i B <I BS =V CC /βR C 。

2-4 MOS 管工作在截止、恒流、可变电阻区的外部条件各是什么？ 答：对于常用的增强型NMOS 管，截止时，使栅源电压小于开启电压V T 即v GS >V GS(th)N ；工作于恒流区时，使v DS >v GS - V GS(th)N ；工作于可变电阻区时，使v DS <v GS - V GS(th)N2-5 二极管电路如图P2-5所示。

v I ＝5sin ωt （V ），假设二极管是理想二极管，试画出输出 v O 的波形。

若考虑二极管的导通压降V D ＝0.7V ，画出输出v O 的波形。

解：输出波形如图解P2-5所示。

(a)为输入波形， D 为理想二极管时输出波形为(b)， 考虑D 导通压降为0.7伏时输出波形为(c)。

2-6 二极管开关电路如图P2-6所示。

二极管导通电压为0.7V ，试分析输入端A 、B 分别为0V 和5V 时管子的工作状态，输出电压v O ＝？解：v A =5V ，v B =0V 时，D 2、D 1均导通 v O =–0.7V ； v A =5V ，v B =5V 时， D 2、D 1均导通 v O =4.3V ； v A =0V ，v B =5V 时，D 1 导通、D 2截止 v O =4.3V ； v A =5V, v B =0V 时, D 1截止、D 2导通 v O =4.3V 。

练习题1（二极管的单向导电性）一、判断题：1、晶体二极管加一定的正向电压时导通。

（）2、晶体二极管加一定的反向电压时导通。

（）3、晶体二极管具有单向导电性。

（）二、选择题：1、如果二极管的阳极电位为1.5V，阴极的电位为0.8V，二极管将会（）。

A导通B截止C烧坏二极管D无法确定2、晶体二极管的阳极电位是—7V，阴极电位是—5V，该晶体二极管处于（）。

一、判断题：1、当晶体二极管的PN结导通时，参加导电的是多数载流子。

（）2、本征半导体就是不加杂质的纯净半导体。

（）3、在硅单晶体中加入微量的硼元素可得到P型硅。

（）4、N型半导体中空穴是多数载子，自由电子是少数载流子。

（）5、晶体二极管内部有一个具有单向导电性的PN结。

（）6、二极管的正极从N型区引出，负极从P型区引出。

（）7、在外电场的作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

（）二、选择题：1、半导体中的空穴和自由电子数目相等的半导体称为（）。

A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定2、（）又称为空穴型半导体。

A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定3、（）又称为电子型半导体。

A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定4、（）内部空穴数量多于自由电子数量。

A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定5、（）内部自由电子是多数载流子。

A本征半导体 B P型半导体 C N型半导体D无法确定练习3（二极管的伏安特性）一、判断题：1、二极管两端只要加正向电压就一定导通。

（）2、晶体二极管的正向电压小于门坎电压时，二极管呈现电阻很大仍处于截止状态。

（）3、晶体二极管的反向电压增加到某一数值时，反向电流会突然急剧增大，这种现象称为反向电击穿。

（）4、晶体二极管击穿后立即烧毁。

（）5、晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小，当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。

（）二、填空题：1、硅管的截止电压为，锗管的截止电压为。

一、填空题1．纯净的具有晶体结构的半导体称为，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为。

2．本征半导体的主要特性有、、。

3．杂质半导体中有和两种载流子参与导电，其中带正电，而带负电。

4．N型半导体是在本征半导体中掺入__ _价元素，其多数载流子是_ ___，少数载流子是__ _。

5．P型半导体是在本征半导体中掺入___价元素，其多数载流子是____ _，少数载流子是__ __ _。

6．已知杂质半导体中的载流子和离子如图0001所示，请指出各为何种类型的杂质半导体：(a)为；(b为。

图0001 杂质半导体中的载流子和离子7．PN结正向偏置时，内、外电场方向；PN结反向偏置时，内、外电场方向。

8．PN结具有性，______偏置时导通，______偏置时截止。

9．PN结的电击穿包括和两类。

10．按材料不同，二极管可分为和两类。

11．按制造工艺及结构不同，二极管可分为、两类。

12．二极管P区接（高，低）电位端，N区接（高，低）电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有性。

13．U T为温度的电压当量，当温度为室温时，U T≈mV。

14．三极管属控制型器件。

15．在构建放大电路时，双极型三极管应工作于区，即发射结应为偏置，集电结应为偏置。

16．根据器件的符号填上器件的名称：7．某三极管，当测得A I B μ30=时，mA I C 2.1=，则发射极电流=E I mA18．根据图0014填空（设晶体管处于放大状态）。

图001419．某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ，U 2=-6V ，U 3=-6.2V ，则三极管为 型管。

单项选择题1．杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷2．当环境温度降低时，二极管的反向电流（ ）A. 不变B. 增大C. 减小D. 无法判断3．用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1k Ω，说明该二极管（ ）。