常见电容容量
- 格式:doc
- 大小:25.50 KB
- 文档页数:2
常用电容器主要参数与特点1、标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。
电解电容器的容值,取决于在交流电压下工作时所呈现的阻抗。
因此容值,也就是交流电容值,随着工作频率、电压以及测量方法的变化而变化。
在标准JISC 5102 规定:铝电解电容的电容量的测量条件是在频率为 120Hz,最大交流电压为(Voltage Root Mean Square,通常指交流电压的有效值),DC bias (直流偏压直流偏置直流偏移直流偏磁)电压为~的条件下进行。
可以断言,铝电解电容器的容量随频率的增加而减小。
电容器中存储的能量E = CV^2/2电容器的线性充电量I = C (dV/dt)电容的总阻抗(欧姆)Z = √ [ RS^2 + (XC – XL)^2 ]容性电抗(欧姆)XC = 1/(2πfC)电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。
精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。
2、额定电压在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏。
3、绝缘电阻直流电压加在电容上,并产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻。
当电容较小时,主要取决于电容的表面状态,容量〉时,主要取决于介质的性能,绝缘电阻越大越好。
电容的时间常数:为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。
4、损耗电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。
各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,电容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。
在我们选择无极性电容式,不知道大家是否有注意到电容的X5R,X7R,Y5V,COG等等看上去很奇怪的参数,有些摸不着头脑,本人特意为此查阅了相关的文献,现在翻译出来奉献给大家。
这类参数描述了电容采用的电介质材料类别,温度特性以及误差等参数,不同的值也对应着一定的电容容量的范围。
具体来说,就是:X7R常用于容量为3300pF~0.33uF的电容,这类电容适用于滤波,耦合等场合,电介质常数比较大,当温度从0°C变化为70°C时,电容容量的变化为±15%;Y5P与Y5V常用于容量为150pF~2nF的电容,温度范围比较宽,随着温度变化,电容容量变化范围为±10%或者+22%/-82%。
对于其他的编码与温度特性的关系,大家可以参考表4-1。
例如,X5R的意思就是该电容的正常工作温度为-55°C~+85°C,对应的电容容量变化为±15%。
表4-1 电容的温度与容量误差编码下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是A VX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一:NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05% ,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
电容的类型1、铝电解电容电容容量范围为0.1μF ~22000μF,高脉动电流、长寿命、大容量的不二之选,广泛应用于电源滤波、解耦等场合。
(贴片)(直插)(轴向)2、钽电容电容容量范围为2.2μF ~560μF,低等效串联电阻(ESR)、低等效串联电感(ESL)。
脉动汲取、瞬态响应及噪声抑制都优于铝电解电容,是高稳定电源的抱负选择,但较铝电解价格更高。
3、陶瓷电容电容容量范围为0.5pF ~100μF,独特的材料和薄膜技术的结晶,迎合了当今“更轻、更薄、更节能“的设计理念。
规格也有许多,这里只大致提以下几种:a、瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。
通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
b、MLCC多层陶瓷电容器,也有叫独石电容。
多层结构,往往一个MLCC 内部多达几十层,甚至更多,其中,每一单层都相当于一个电容,几十层,就相当于几十个电容器并联,所以MLCC容量做很大,但电压不高。
一般都是表面贴封装。
(贴片的,是不是很熟识)(加两只脚就叫独石电容了)4、薄膜电容薄膜电容器是以金属箔当电极,将其和聚乙酯,聚丙烯,聚笨乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,从两端重叠后,卷绕成圆筒状的构造之电容器。
而依塑料薄膜的种类又被分别称为聚乙酯电容(又称Mylar电容),聚丙烯电容(又称PP电容),聚苯乙烯电容(又称PS电容)和聚碳酸电容。
主要应用于电子、家电、通讯、电力、电气化铁路、混合动力汽车、风力发电、太阳能发电等多个行业,这些行业的稳定进展,推动了薄膜电容器市场的增长。
(涤纶电容)(MEA)(电机起动及运行电容器)(MKP电容,拆过电磁炉应当都见过)5、云母电容云母材料拥有优良的电气性能和机械性能,使云母电容自身电感和漏电损耗都很小,具有耐压范围宽,牢靠性高,性能稳定,容量精度高等优点。
特殊适合用在高频振荡电路、高精度运算放大、滤波电路等场合。
电容的基本单位是F(法),其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。
由于单位F 的容量太大,所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位。
换算关系:1F=1000000μF,1μF=1000nF=1000000pF。
电容的标注方法分为:直标法、色标法和数标法。
对于体积比较大的电容,多采用直标法。
如果是0.005,表示0.005uF=5nF。
如果是5n,那就表示的是5nF。
数标法:一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是10的多少次方。
如:102表示10x10x10 PF=1000PF,203表示20x10x10x10 PF。
如:“473”即47000pF=0.047μF“103”即10000pF=0.01μF等等,一、认识电容1F=1,000,000uF1uF=1,000nF1nF=1000pF1F=103mF=106uF=109nF=1012pF1、在各种电子设备中,调谐、耦合、滤波、去耦、隔断直流电、旁路交流电等,都需要用到电容器。
电容器通常叫做电容。
电容的种类很多,按结构形式来分,有固定电容、半可变电容、可变电容。
常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容、铝电解电容、钽、铌电解电容等。
2、在电路图中电容单位的标注规则。
通常在容量小于10000pF的时候,用pF做单位,大于10000pF的时候,用uF做单位。
为了简便起见,大于100pF而小于1uF的电容常常不注单位。
没有小数点的,它的单位是pF,有小数点的,它的单位是uF。
例如,3300就是3300pF,0.1就是0.1uF等。
3、电容使用常识。
电容在电路中实际要承受的电压不能超过它的耐压值。
在滤波电路中,电容的耐压值不要小于交流有效值的1.42倍。
使用电解电容的时候,还要注意正负极不要接反。
不同电路应该选用不同种类的电容。
揩振回路可以选用云母、高频陶瓷电容,隔直流可以选用纸介、涤纶、云母、电解、陶瓷等电容,滤波可以选用电解电容,旁路可以选用涤纶、纸介、陶瓷、电解等电容。
1)名称:聚酯(涤纶)电容(CL)符号:电容量:40p--4u额定电压:63--630V主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路2)名称:聚苯乙烯电容(CB)符号:电容量:10p--1u额定电压:100V--30KV主要特点:稳定,低损耗,体积较大应用:对稳定性和损耗要求较高的电路3)名称:聚丙烯电容(CBB)符号:电容量:1000p--10u额定电压:63--2000V主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路4)名称:云母电容(CY)符号:电容量:10p--0。
1u额定电压:100V--7kV主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路5)名称:高频瓷介电容(CC)符号:电容量:1--6800p额定电压:63--500V主要特点:高频损耗小,稳定性好应用:高频电路6)名称:低频瓷介电容(CT)符号:电容量:10p--4。
7u额定电压:50V--100V主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差应用:要求不高的低频电路7)名称:玻璃釉电容(CI)符号:电容量:10p--0。
1u额定电压:63--400V主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度)应用:脉冲、耦合、旁路等电路8)名称:铝电解电容符号:电容量:0。
47--10000u额定电压:6。
3--450V主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等9)名称:钽电解电容(CA)铌电解电容(CN)符号:电容量:0。
1--1000u额定电压:6。
3--125V主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容应用:在要求高的电路中代替铝电解电容10)名称:空气介质可变电容器符号:可变电容量:100--1500p主要特点:损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用:电子仪器,广播电视设备等11)名称:薄膜介质可变电容器符号:可变电容量:15--550p主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大应用:通讯,广播接收机等12)名称:薄膜介质微调电容器符号:可变电容量:1--29p主要特点:损耗较大,体积小应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿13)名称:陶瓷介质微调电容器符号:可变电容量:0。
电容的全然知识从事电子电路设计开发的,既有有多年经验的老手,也有刚进道的新手。
每个人都对单片机、DSP、嵌进式系统投进了大量的时刻和精力往研究,然而关于电路设计中应用最多、最广泛的元器件--电容,又有多少人能搞的特别清楚呢?而这正是许多新手的迷惑之一,面对众多的电容类型:钽电解、铝电解、独石、薄膜、陶瓷、纸介质等,各种各样的封装形式:贴片、针式、方块、不规那么等,不同的应用领域:往耦、滤波、高频、低频、谐振、开关电源中的应用等,您是否能做出正确的选择呢?建议大伙儿多加补充,一方面相互学习,另一方面对新手也是一个关怀。
在下抛砖引玉,引用其它网站的一些文章,〔该网站名差不多记不得了,现对其表示感谢〕名称:聚酯〔涤纶〕电容〔CL〕符号:电容量:40p--4u额定电压:63--630V要紧特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路名称:聚苯乙烯电容〔CB〕符号:电容量:10p--1u额定电压:100V--30KV要紧特点:稳定,低损耗,体积较大应用:对稳定性和损耗要求较高的电路名称:聚丙烯电容〔CBB〕符号:电容量:1000p--10u额定电压:63--2000V要紧特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差应用:代替大局部聚苯或云母电容,用于要求较高的电路名称:云母电容〔CY〕符号:电容量:10p--0。
1u额定电压:100V--7kV要紧特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路名称:高频瓷介电容〔CC〕符号:电容量:1--6800p额定电压:63--500V要紧特点:高频损耗小,稳定性好应用:高频电路名称:低频瓷介电容〔CT〕符号:电容量:10p--4。
7u额定电压:50V--100V要紧特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差应用:要求不高的低频电路名称:玻璃釉电容〔CI〕符号:电容量:10p--0。
1u额定电压:63--400V要紧特点:稳定性较好,损耗小,耐高温〔200度〕应用:脉冲、耦合、旁路等电路名称:铝电解电容符号:电容量:0。
电解电容的型号2009-10-07 11:33本站整理佚名我要评论(0)我要去社区论坛-> 电解电容的型号电解电容常见的容值有1uf, 10uf, 2.2uf, 4.7uf, 22uf, 100uf, 470uf, 220uf,330uf,1000uf,1500uf,2200uf,3300uf,4700uf,6800uf等。
其耐压值有:5V,15V,25V,47V,50V,63v,250V,330V,400v,450V,1000 V,等。
电解电容常用型号:25YK1000 10YK220 25YK220 25YK1000 25YK2200铝电解电容的型号:CD11C CD71 CD268 CD11G CD71 CD11 CD91 CD293 CD288 CD17S CD11CX CD71C常见的大容量电解电容型号有:400v560uF电容,400v680uF电容,400v820uF电容,400v1000uF电容,400v2200uF电容400v2400uF电容,400v2700uF电容,400v3300uF电容,400v4700uF电容,400v5600uF电容,400v6800uF电容,400v8200uF电容,400v10000uF电容,400v12000uF铝电解电容,400v15000uF电容,500V560uF电容,500V680uF电容,500V820uF电容,500V1000uF电容,500V2200uF电容,500V2400uF电容,500V2700uF电容,500V3300uF电容,500V4700uF电容,500V5600uF电容,500V6800uF电容,500V8200uF电容,500V10000uF电容,500V12000uF铝电解电容,500V15000uF电容,250V560uF电容,250V680uF电容,250V820uF电容,250V1000uF电容,250V2200uF电容,250V2400uF电容,250V2700uF电容,250V3300uF电容,250V4700uF电容,250V5600uF电容,250V6800uF电容,250V8200uF电容,250V10000uF电容,250V12000uF铝电解电容,250V15000uF电容,200V560uF电容,200V680uF电容,200V820uF电容,200V1000uF电容,200V2200uF电200V2400uF电容,200V2700uF电容,200V3300uF电容,200V4700uF电容,200V5600uF电容,200V6800uF电容,200V8200uF电容,200V10000uF电容,200V12000uF铝电解电容,200V15000uF电容,630V560uF电容,630V680uF电容,630V820uF电容,630V1000uF电容,630V2200uF电容,630V2400uF电容,630V2700uF电容,63V3300uF电容,63V4700uF电容,63V5600uF电容,63V6800uF电容,63V8200uF电容,63V10000uF电容,63V12000uF铝电解电容,63V15000uF电容,60V560uF电容,60V680uF电容,60V820uF电容,60V1000uF电容,60V2200uF电容,60V2400uF电容,60V2700uF电解电容,器60V3300uF电容,60V4700uF电容,60V5600uF电容,60V6800uF电容,60V8200uF电解电容,器60V10000uF电容,60V12000uF铝电解电容,器60V15000uF电容,550V560uF电容,550V680uF电容,550V820uF电容,550V1000uF电容,550V2200uF电容,550V2400uF电550V2700uF电容,550V3300uF电容,550V4700uF电解电容,器550V5600uF电容,550V6800uF电容,550V8200uF电容,550V10000uF电容,550V12000uF铝电解电容,550V15000uF电容,450V560uF电450V680uF电容,450V820uF电容,450V1000uF电解电容,器450V2200uF电容,450V2400uF电容,450V2700uF电容,450V3300uF电容,450V4700uF电解电容,器450V5600uF电容,450V6800uF电容,450V8200uF电容,450V10000uF电容,450V12000uF铝电解电容,450V15000uF电容,250V560uF电容,250V680uF电容,250V820uF电容,250V1000uF电容,250V2200uF电容,250V2400uF电容,250V2700uF电解电容,器250V3300uF电容,250V4700uF电容,250V5600uF电容,250V6800uF电容,250V8200uF电容,250V10000uF电容,250V12000uF铝电解电容,250V15000uF电容,500V560uF电容,500V680uF电容,500V820uF电容,500V1000uF电容,500V2200uF电容,500V2400uF电容,500V2700uF电容,500V3300uF电容,500V4700uF电容,500V5600uF电容,500V6800uF电容,500V8200uF电容,500V10000uF电容,500V12000uF铝电解电容,500V15000uF电容。
电容器参数大全-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One1电容器电容器通常简称其为电容,用字母C表示。
电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制电路等方面。
定义2:电容器,任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体(包括导线)间都构成一个电容器。
相关公式电容器的电势能计算公式:E=CU^2/2=QU/2多电容器并联计算公式:C=C1+C2+C3+…+Cn多电容器串联计算公式:1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn三电容器串联 C=(C1*C2*C3)/(C1*C2+C2*C3+C1*C3)标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。
在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等,换算关系是:1法拉(F)= 1000毫法(mF)=1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。
容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 μF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法:1m=1000 μF 1P2= 1n=1000PF数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。
三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇,第三位数宇表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。
如:102表示标称容量为1000pF。
221表示标称容量为220pF。
224表示标称容量为22x10(4)pF。
在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用"9"表示时,是用有效数宇乘上10的-1次方来表示容量大小。
如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=。
允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%如:一瓷片电容为104J表示容量为μF、误差为±5%。
电容种类电容结构和特点纸介电容用两片金属箔做电极,夹在极薄的电容纸中,卷成圆柱形或者扁柱形芯子,然后密封在金属壳或者绝缘材料(如火漆、陶瓷、玻璃釉等)壳中制成。
它的特点是体积较小,容量可以做得较大。
但是有固有电感和损耗都比较大,用于低频比较合适。
云母电容用金属箔或者在云母片上喷涂银层做电极板,极板和云母一层一层叠合后,再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。
它的特点是介质损耗小,绝缘电阻大、温度系数小,适宜用于高频电路。
用陶瓷做介质,在陶瓷基体两面喷涂银层,然后烧成银质薄膜做极板制成。
它的特点是体积小,耐热性好、损耗小、绝缘电阻高,但容量小,适宜用于高频电路。
铁电陶瓷电容容量较大,但是损耗和温度系数较大,适宜用于低频电路。
结构和纸介电容相同,介质是涤纶或者聚苯乙烯。
涤纶薄膜电容,介电常数较高,体积小,容量大,稳定性较好,适宜做旁路电容。
聚苯乙烯薄膜电容,介质损耗小,绝缘电阻高,但是温度系数大,可用于高频电路。
常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容等。
图1 电容的外形陶瓷电容薄膜电容2。
常用固±10%Ⅱ±20%Ⅲ(+20% -30%)Ⅳ(+50% -20%)Ⅴ(+100%-10%)Ⅵ电容类别允许误差容量范围标 称 容 量系 列±5%±10%±20% 1 2 4 6 8 1015 20 3050 60 801001.1 1.2 1.31.5 1.6 1.82.02.4 2.73.03.3 3.6 3.94.34.75.1 5.66.2 6.87.58.2 9.11.0 1.2 1.51.82.2 2.73.3 3.94.75.66.8 8.2±20%1.0 1.52.23.34.7 6.8±10%±20%-250-10001.64 6.3101625100125*160250300*4001.0 1.52.23.34.7 6.81uF-100uF 高频(无极性)有机薄膜介质电容、瓷介电容、玻璃釉电容、云母电容±5%±10%纸介电容、金属化纸介电容、纸膜复合介质电容、低频(有极性)有机薄膜介质电容100pF-1uF 铝、钽、铌、钛电解电容 1.0 1.5 2.23.3 4.7 6.8电容长期可靠地工作,它能承受的最大直流电压,就是电容的耐压,也叫做电容的直流工作电压。
电容基本知识科普:主要参数和分类说到电子产品,电容算是一种常用的器件了,无论电源电路、音频电路、射频电路都统统离不开它,今天就来一起分享下电容的基础知识。
一、电容的含义电容(Capacitance)亦称作“电容量”,是指在给定电位差下的电荷的储藏量,记为C,国际单位是法拉(F)。
一般来说,电荷在电场中会受力而移动,当导体之间有了介质,则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上,造成电荷的累积储存,储存的电荷量则称为电容。
电容的公式为:C=εS/4πkd。
其中,ε是一个常数,S为电容极板的正对面积,d为电容极板的距离,k则是静电力常量。
常见的平行板电容器,电容为C=εS/d (ε为极板间介质的介电常数,S为极板面积,d为极板间的距离)。
在电容元件两端电压u的参考方向给定时,若以q表示参考正电位极板上的电荷量,则电容元件的电荷量与电压之间满足q=Cu。
电流等于单位时间内通过某一横截面的电荷量,所以得到I=dq/dt,因此电流与电容的关系是I=dq/dt=C(du/dt)。
该式表明,电流的大小与方向取决于电压对时间的变化率,电压增高时,du/dt》0,则dq/dt》0,i》0,极板上电荷增加,电容器充电;电压降低时,du/dt《0,则dq/dt 《0,i《0,极板上电荷减少,电容器反向放电。
当电压不随时间变化时,du/dt=0,则电流I=0,这时电容元件的电流等于零,相当于开路。
故电容元件有隔断直流的作用。
二、电容的容值电容的符号是C,在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,由于法拉这个单位太大,所以常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)等,换算关系如下1法拉(F)=1000毫法(mF)=1000000微法(μF);1微法(μF)=1000纳法(nF)=1000000皮法(pF)。
三、电容的参数1.标称容值与误差电容量即电容加上电荷后储存电荷的能力大小。
电容量误差是指其实际容量与标称容量间的偏差,通常有±10%、±20%,用在射频电路中PI匹配中的电容±0.5%、±0.75%的小误差电容。
电容:(1) 以uF為單位:電容容量1uF以上者,直接以數值標示容量,例如10000uF,3300UF。
(2)以pF為單位:第一位數與第二位數代表電容數值,第三個數字代表10的次方,亦即數值後面0的個數。
例如電容容量標示為104者,代表10後面有四個0,亦即100000pF。
(3)以nF為單位:電容容量標示為100N代表100x10-9=10-7法拉,亦等於0.1x10-6法拉,所以等於0.1UF。
以上關係可以表示為1uF=103nF=106pF其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法字母表示法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF数字表示法:一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是倍率。
如:102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF话说电容之一:电容的作用写在前面:本人将着手从电容的作用、分类、选择等诸方面论述,敬请批评指正。
作为无源元件之一的电容,其作用不外乎以下几种:1、应用于电源电路,实现旁路、去藕、滤波和储能的作用,下面分类详述之:1)旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件,它能使稳压器的输出均匀化,降低负载需求。
就像小型可充电电池一样,旁路电容能够被充电,并向器件进行放电。
为尽量减少阻抗,旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。
这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。
地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。
2)去藕去藕,又称解藕。
从电路来说,总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。
如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号的跳变,在上升沿比较陡峭的时候,电流比较大,这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流,由于电路中的电感,电阻(特别是芯片管脚上的电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声,会影响前级的正常工作。
瓷片电容的容量标识是这样的:它用三位数字表示,三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字,第三位数字表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。
例如102就是10×100pF(其中的100就是指10的2次方)在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用"9"表示时,是用有效数宇乘上10-1(10的负1次方)来表示容量大小。
如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF101就是100PF还可以表示为0.1nf或0.0001UF102就是1000PF151---150PF---0.15nf---0.00015UF561---560p682---6800PF--6n2----0.0062UF103---10000PF---10n---0.01UF104---100000PF---100n---0.1UF105---1000000PF---1000n---1UF525---5200000PF---5200n---5.2UF一、简介电容既不产生也不消耗能量,是储能元件。
在电路里,电容跟电阻一样的常用。
常见的电容按制造材料的不同可以分为:瓷价电容、涤纶电容、电解电容、钽电容,还有先进的聚丙希电容等等,它们各有不同的用途。
例如,瓷价常用于高频,电解用于电源滤波等。
上图举出了一些例子。
其中,电解电容有正负之分,其他都没有。
电容的容量单位为:法(F)、微法(uf),皮法(pf)。
一般我们不用法做单位,因为它太大了。
各单位之间的换算关系为:1F=1000000uf 1uf=1000000pf 在使用中,还经常见到单位:nf。
1uf=1000nf 1nf=1000pf二、电容的容量标识的几种方法1、直接标识:如上图的电解电容,容量47uf,电容耐压25v。
2、使用单位nf:如上图的涤纶电容,标称4n7,即4.7nf,转换为pf即为4700pf。
还有的例如:10n,即0.01uf;33n,即0.033uf。
一:电解电容:1.铝电解电容:电容量:0.47--10000u / 额定电压:6.3--450V / 主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大 / 应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等2.钽电解电容(CA)铌电解电容(CN):电容量:0.1--1000u / 额定电压:6.3--125V / 主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容 / 应用:在要求高的电路中代替铝电解电容二:无极电容:1.瓷片电容:A.低频瓷介电容(CT): 电容量:10p--4.7u / 电压:50V--100V / 特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差/ 应用:要求不高的低频电路。
B: 高频瓷介电容(CC): 电容量:1--6800p / 额定电压:63--500V / 主要特点:高频损耗小,稳定性好/ 应用:高频电路。
2.独石电容:容量范围:0.5PF--1UF 耐压:二倍额定电压主要特点:电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定,耐高温耐湿性好,温度系数很高应用范围:广泛应用于电子精密仪器,各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
独石又叫多层瓷介电容,分两种类型,I型性能挺好,但容量小,一般小于0.2U,另一种叫II型,容量大,但性能一般3.CY-云母电容:电容量:10p--0。
1u 额定电压:100V--7kV 主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小。
应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路4.CI-玻璃釉电容:电容量:10p--0.1u 额定电压:63--400V 主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度)。
应用:脉冲、耦合、旁路等电路5.空气介质可变电容器:可变电容量:100--1500p 主要特点:损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用:电子仪器,广播电视设备薄膜介质可变电容器可变电容量:15--550p 主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大应用:通讯,广播接收机等。
常见电容值【单位pF】39 P 43 P 47 P 51 P 56 P 62 P 68 P 75 P 82 P 91 P100 P 120 P 150 P 180 P 200 P 220 P 240 P 270 P 300 P 330 P360 P 390 P 470 P 560 P 620 P 680 P 750 P【单位nF】1.0 1.2 1.5 1.82.2 2.73.3 3.94.75.6 10 15 18 22 27 33 39 56 68 82【单位uF】0.1 0.15 0.22 0.33 0.47 1.0 (1.5) 2.2常用电容技术参数值大全:1、陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
2、铝电解电容器用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成,薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大,能耐受大的脉动电流,容量误差大,泄漏电流大;普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波。
电容量:0.47~10000u额定电压:6.3~450V主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等3、钽电解电容器(CA)铌电解电容(CN)用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器,特别是漏电流极小,贮存性良好,寿命长,容量误差小,而且体积小,单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差,若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中。
(转)常用电容容值
现在较为通用的容值代码表示方法为三位代码“XXY”表示法,前两位数字表示乘系数,后一位表示乘指数,单位为pF。
其中一般前两位的取值范围为上述E6和E12系列,后一位数字表示乘指数10 n。
当Y= 9时,对应前述n = -1;当Y= 8时,对应前述n = -2;当Y= 0,1,2,3,4,5,6,7时,Y就等于n。
示例如下:
0.5pF容值代码表示为508;68pF容值代码表示为680;
1 pF容值代码表示为109;120pF容值代码表示为121;
4.7pF容值代码表示为479;
2200pF容值代码表示为222;10pF容值代码表示为100;
100000pF容值代码表示为104(0.1μF);
47μF容值代码表示为476;330μF容值代码表示为337
//--------------------------------------------------
【单位pF】
39 P 43 P 47 P 51 P 56 P 62 P 68 P 75 P 82 P 91 P
100 P 120 P 150 P
180 P 200 P 220 P 240 P 270 P 300 P 330 P 360 P 390 P 470 P 560 P 620 P
680 P 750 P
【单位nF】
1.0 1.2 1.5 1.8
2.2 2.7
3.3 3.9
4.7
5.6 10 15 18 22 27 33
39 56 68 82
【单位uF】
0.1 0.15 0.22 0.33 0.47 1.0 (1.5) 2.2
贴片电容,SMD贴片电容,无铅贴片电容的如何命名?
SMT: Surface Mounting Technology表面贴装技术
SMT包括表面贴装技术.表面贴装设备,表面元器件.及SMT管理
摘自南山半导体有限公司网站
贴片电容的命名,国内和国外的产家有一此区别但所包含的参数是一样的。
贴片电容的命名所包含的参数:
1、贴片电容的尺寸(0201、040
2、060
3、0805、1206、1210、1808、1812、2220、2225)
2、贴片电容的材质(COG、X7R、Y5V、Z5U、RH、SH)
3、要求达到的精度(±0.1PF、±0.25PF、±0.5PF、5%、10%、20%)
4、电压(4V 、6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、250V、500V、1000V、2000V、3000V)
5、容量(0PF-47UF)
6、端头的要求(N表示三层电极)
7、包装的要求(T表示编带包装,P表示散包装)
例风华系列的贴片电容的命名:
0805CG102J500NT
0805:是指该贴片电容的尺寸大小,这是用英寸来表示的08表示长度是0.08英寸(换算成mm=0.08*24.50=1.96mm)、05表示宽度为0.05英寸(换算成
mm=0.05*24.50=1.225ccm)
CG :是表示生产电容要求用的材质,
102 :是指电容容量,前面两位是有效数字、后面的2表示有多少个零102=10×102也就是=1000PF
J :是要求电容的容量值达到的误差精度为5%,介质材料和误差精度是配对的
500 :是要求电容承受的耐压为50V 同样500前面两位是有效数字,后面是指有多少个零。
N:是指端头材料,现在一般的端头都是指三层电极(银/铜层)、镍、锡
T :是指包装方式,T表示编带包装,B表示塑料盒散包装
但封装尺寸与功率有关通常来说
0201 1/20W
0402 1/16W
0603 1/10W
0805 1/8W
1206 1/4W
1210 1/3W
1812 1/2W
2010 3/4W
2512 1W
电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是:
0402=1.0x0.5
0603=1.6x0.8
0805=2.0x1.2
1206=3.2x1.6
1210=3.2x2.5
1812=4.5x3.2
2010=5.0x2.5
2225=5.6x6.5
2512=6.5x3.2。