AO3407A(MOS场效应管原厂推荐)

场效应管对照表（分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数）本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。

在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。

每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。

同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。

1．"型号"栏表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。

同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。

2．"厂家"栏为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。

）所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下：ADV 美国先进半导体公司AEG 美国AEG公司AEI 英国联合电子工业公司AEL 英、德半导体器件股份公司ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司AMP 美国安派克斯电子公司AMS 美国微系统公司APT 美国先进功率技术公司ATE 意大利米兰ATES公司ATT 美国电话电报公司AVA 美、德先进技术公司BEN 美国本迪克斯有限公司BHA 印度BHARAT电子有限公司CAL 美国CALOGIC公司CDI 印度大陆器件公司CEN 美国中央半导体公司CLV 美国CLEVITE晶体管公司COL 美国COLLMER公司CRI 美国克里姆森半导体公司CTR 美国通信晶体管公司CSA 美国CSA工业公司DIC 美国狄克逊电子公司DIO 美国二极管公司DIR 美国DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS电气股份公司MAC 美国M/A康姆半导体产品公司MAR 英国马可尼电子器件公司MAL 美国MALLORY国际公司DIT 德国DITRATHERM公司ETC 美国电子晶体管公司FCH 美国范恰得公司FER 英、德费兰蒂有限公司FJD 日本富士电机公司FRE 美国FEDERICK公司FUI 日本富士通公司FUM 美国富士通微电子公司GEC 美国詹特朗公司GEN 美国通用电气公司GEU 加拿大GENNUM公司GPD 美国锗功率器件公司HAR 美国哈里斯半导体公司HFO 德国VHB联合企业HIT 日本日立公司HSC 美国HELLOS半导体公司IDI 美国国际器件公司INJ 日本国际器件公司INR 美、德国际整流器件公司INT 美国INTER FET 公司IPR 罗、德I P R S BANEASA公司ISI 英国英特锡尔公司ITT 德国楞茨标准电气公司IXY 美国电报公司半导体体部KOR 韩国电子公司KYO 日本东光股份公司LTT 法国电话公司SEM 美国半导体公司SES 法国巴黎斯公司SGS 法、意电子元件股份公司MAT 日本松下公司MCR 美国MCRWVE TECH公司MIC 中国香港微电子股份公司MIS 德、意MISTRAL公司MIT 日本三菱公司MOT 美国莫托罗拉半导体公司MUL 英国马德拉有限公司NAS 美、德北美半导体电子公司NEW 英国新市场晶体管有限公司NIP 日本日电公司NJR 日本新日本无线电股份有公司NSC 美国国家半导体公司NUC 美国核电子产品公司OKI 日本冲电气工业公司OMN 美国OMNIREL公司OPT 美国OPTEK公司ORG 日本欧里井电气公司PHI 荷兰飞利浦公司POL 美国PORYFET公司POW 美国何雷克斯公司PIS 美国普利西产品公司PTC 美国功率晶体管公司RAY 美、德雷声半导体公司REC 美国无线电公司RET 美国雷蒂肯公司RFG 美国射频增益公司RTC 法、德RTC 无线电技术公司SAK 日本三肯公司SAM 韩国三星公司SAN 日本三舍公司SEL 英国塞米特朗公司SHI 日本芝蒲电气公司SIE 德国西门子AG公司SIG 美国西格尼蒂克斯公司SIL 美、德硅技术公司SML 美、德塞迈拉布公司SOL 美、德固体电子公司SON 日本萦尼公司SPE 美国空间功率电子学公司SPR 美国史普拉格公司SSI 美国固体工业公司STC 美国硅晶体管公司STI 美国半导体技术公司SUP 美国超技术公司TDY 美、德TELEDYNE晶体管电子公司TEL 德国德律风根电子公司TES 捷克TESLA公司THO 法国汤姆逊公司TIX 美国德州仪器公司TOG 日本东北金属工业公司TOS 日本东芝公司TOY 日本罗姆公司TRA 美国晶体管有限公司TRW 英、德TRN半导体公司UCA 英、德联合碳化物公司电子分部UNI 美国尤尼特罗德公司UNR 波兰外资企业公司WAB 美、德WALBERN器件公司WES 英国韦斯特科德半导体公司VAL 德国凡尔伏公司YAU 日本GENERAL股份公司ZET 英国XETEX公司下一页3．"材料"栏本栏目注明各场效应晶体管的材料和极性，没有注明材料的均为SI材料，特殊类型的场效应晶体管也在这一栏中说明。

AO3413L场效应管参数
AO3413L是一款N沟道场效应管，主要参数如下：
1. Vds（漏极-源极电压）：最大值为30V，这意味着在电路中使用时，其漏极电压不能超过30V，否则可能会损坏器件。

2. Id（漏极电流）：最大值为4.3A，这是指在器件正常工作时，其漏极电流不能超过4.3A，否则可能会导致器件过热、损坏等问题。

3. Vgs（栅极-源极电压）：最大值为20V，这是指在电路中使用时，其栅极电压不能超过20V，否则可能会损坏器件。

4. Rds(on)（导通电阻）：典型值为0.05Ω，这是指在器件导通时，其漏极-源极间的电阻值为0.05Ω左右。

5. Ciss（输入电容）：典型值为320pF，这是指在器件栅极和源极之间存在一个电容，其容值为320pF左右。

6. Qg（栅极电荷）：典型值为10nC，这是指在器件栅极上充电时，所需要的电荷量为10nC左右。

需要注意的是，以上参数仅为该器件的典型值，实际使用时可能会存在一定的差异。

因此，在设计电路时，需要根据具体的应用场景和要求，合理选择器件，并结合实际测试数据进行调整和优化。

场效应管参数大全百度空间无限的未知真心真诚理解真情永恒K2645: 600V,1.2Ω,9A,50WK2141: 600V,1.1Ω,6A,35WK3326: 500V,0.85Ω,10A,40WK1388: 30V,0.022Ω,35A,60WK1101: 450V,0.5Ω,10A,50WK1507: 9A 600V2SK1537 N-FET 900V 5A 100WK2045 600V, 6A , 35W 。

代K1404, K2101, 2SK2118。

K1118,K2645,K2564,K2545,K1507,K2761,K1117,K2333代k214107N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道 8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道 8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道 8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各一A0D405 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。

ao3400工作原理ao3400是一种功率MOSFET器件，其工作原理是基于场效应晶体管的原理。

在了解ao3400的工作原理之前，我们先来了解一下场效应晶体管。

场效应晶体管是一种三端器件，由漏极（Drain）、源极（Source）、栅极（Gate）组成。

它的工作原理是通过控制栅极电压来改变漏极和源极之间的电流。

而ao3400作为一种功率MOSFET器件，也是基于场效应晶体管的原理来工作的。

ao3400的主要结构是由P型衬底和N型沟道构成。

当栅极施加正电压时，栅极与沟道之间会形成电场，使沟道中的载流子产生漂移运动，从而形成导电通道。

当沟道处于导通状态时，漏极和源极之间的电流可以流通。

在ao3400中，沟道的导电特性是由栅极电压来控制的。

当栅极施加正电压时，沟道中的N型材料会形成导电通道，电流可以流通。

而当栅极施加负电压时，沟道中的N型材料会形成耗尽层，导电通道被截断，电流无法流通。

ao3400还具有电阻特性。

当沟道导通时，沟道中的N型材料的电阻非常低，可以近似看作导线。

而当沟道截断时，沟道中的N型材料的电阻非常高，可以近似看作开路。

这种电阻特性使得ao3400可以用作开关器件。

ao3400的工作原理可以总结为：通过控制栅极电压，来改变沟道的导通状态，从而控制漏极和源极之间的电流。

当栅极施加正电压时，沟道导通，电流流通；当栅极施加负电压时，沟道截断，电流无法流通。

通过了解ao3400的工作原理，我们可以看到它在电子设备中的应用非常广泛。

例如，在电源管理电路中，ao3400可以用作电源开关，通过控制栅极电压来控制电源的通断，实现对电路的开关控制。

此外，在功率放大电路中，ao3400也可以作为电流放大器使用，通过控制栅极电压来调节电流的大小。

ao3400作为一种功率MOSFET器件，其工作原理是基于场效应晶体管的原理。

通过控制栅极电压来改变沟道的导通状态，从而控制电流的流通。

它在电子设备中具有重要的应用价值，可以用于电源开关、电流放大等电路中。

aod407场效应管参数AOD407是一种N通道增强型场效应管，其参数包括以下几个主要方面：1.最大漏极电压（UDSS）：AOD407的最大漏极电压为100V，这意味着在正常工作时，漏极电压不应超过这个值。

如果实际电压超过这个值，可能会损坏场效应管。

2.最大功耗（PD）：AOD407的最大功耗为150W，这意味着在使用过程中，场效应管产生的热量不应超过这个值。

如果实际功耗超过这个值，可能会导致场效应管过热甚至烧毁。

3.最大漏极电流（ID）：AOD407的最大漏极电流为28A，这意味着在正常工作时，漏极电流不应超过这个值。

如果实际电流超过这个值，可能会损坏场效应管。

4.最大开关频率（fMAX）：AOD407的最大开关频率为500kHz，这意味着在正常工作时，开关频率不应超过这个值。

如果实际开关频率超过这个值，可能会导致场效应管发热或损坏。

5.输入电容（CIN）：AOD407的输入电容为8pF，这意味着在正常工作时，输入电容不应超过这个值。

如果实际输入电容超过这个值，可能会影响场效应管的开关速度和效率。

6.门极阈值电压（VGS）：AOD407的门极阈值电压为2.5V，这意味着在正常工作时，门极电压不应低于这个值。

如果实际门极电压低于这个值，可能会导致场效应管无法正常导通。

7.导通电阻（RON）：AOD407的导通电阻为0.012Ω，这意味着在正常工作时，导通电阻不应超过这个值。

如果实际导通电阻超过这个值，可能会影响场效应管的导通效率和热性能。

总之，AOD407是一种高性能的N通道增强型场效应管，具有较高的开关速度、低导通电阻和较低的输入电容等特点。

在使用过程中，需要注意其最大功耗、最大漏极电流、最大开关频率等参数，以确保场效应管的正常工作和可靠性。

同时，还需要注意其门极阈值电压和导通电阻等参数，以避免场效应管无法正常导通或导通效率低下等问题。

PW3407P-Channel Enhancement Mode MOSFETGENERAL DESCRIPTIONThe PW3407 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application.FEATURESVDS = -30V,ID = -4.2ARDS(ON) < 65mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) < 90mΩ @ VGS=-4.5VAvailable in a 3-Pin SOT23-3 PackageAbsolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)SymbolParameterRatingUnitsV DS Drain-Source Voltage -30V V GS Gate-Source Voltage±20 VI D @T A =25℃ Continuous Drain Current, V GS @ -10V 1-4.2 A I D @T A =70℃ Continuous Drain Current, V GS @ -10V1 -3.1 A I DM Pulsed Drain Current2 -17 A P D @T A =25℃ Total Power Dissipation3 1.32 W P D @T A =70℃ Total Power Dissipation 3 0.84 W T STG Storage Temperature Range -55 to 150 ℃ T J Operating Junction Temperature Range -55 to 150 ℃ R θJA Thermal Resistance Junction-Ambient 1 125 ℃/W R θJA Thermal Resistance Junction-Ambient 1 (t ≤10s) 95 ℃/W R θJCThermal Resistance Junction-Case 180℃/WSOT-23-3L(TOP VIEW)DGSGSD深圳夸克微科技45751051351652 46 8 10- V G S (V)I D =-30.20.61.01.41.8-50 050 100 150Fig.2 On - R esistance v.s Gate - S ourceFig. 4 G ate- C h arge C h aracteristics Fig. 6 N ormalized R D SON v s T JTJ Junction Temperature ℃Fig. 9 N orma lized Maximum Transient Thermal ImpedanceFig. 10 S witching T i me W a veformFig. 11 G ate Charge W aveformNotes1. All dimensions are in millimeters.2. Tolerance ±0.10mm (4 mil) unless otherwise specified3. Package body sizes exclude mold flash and gate burrs. Mold flash at the non-lead sides should be less than 5 mils.4. Dimension L is measured in gauge plane.5. Controlling dimension is millimeter, converted inch dimensions are not necessarily exact.SOT23-3。

DMG4407SSSP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETAO4407A 替代型号DMG4407SSSDescriptionThis MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (R DS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.ApplicationsFeatures and Benefits∙Low On-Resistance ∙ Low Input Capacitance ∙ Fast Switching Speed∙ Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ∙ Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ∙Qualified to AEC-Q101 Standards for High ReliabilityMechanical Data∙ Case: SO-8∙ Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 ∙Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020∙ Terminal Connections Indicator: See diagram∙ Backlighting∙ Power Management Functions ∙DC-DC Converters∙ Terminals: Finish − Matte Tin annealed over Copper leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208 ∙Weight: 0.075 grams (approximate)SO-8D D D Gate Protection DDiodeTop ViewTop ViewEquivalent CircuitOrdering Information (Note 4)Notes:1. No purposely added lead. Fully EU Directive 2002/95/EC (RoHS) & 2011/65/EU (RoHS 2) compliant.2. See /quality/lead_free.html for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green" and Lead-free.3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and <1000ppm antimony compounds.4. For packaging details, go to our website at /products/packages.html.Marking Information= Manufacturer’s MarkingG4407SS = Product Type Marking Code YYWW = Date Code Marking YY or YY = Year (ex: 13 = 2013) WW = Week (01 - 53)YY = Date Code Marking for SAT (Shanghai Assembly/ Test site) YY = Date Code Marking for CAT (Chengdu Assembly/ Test site)Chengdu A/T Site Shanghai A/T SiteESD PROTECTEDMaximum Ratings (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)Thermal Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)Notes: 5. Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.6. Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1inch square copper plate.7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.8. Guaranteed by design. Not subject to product testing.S = 10V5.0VV GS = 4.0VV GS =3.5VV GS =3.0VV GV GS =V GS = 4.5VRDS(on),DRAIN-SOURCEON-RESISTANCE(Ω)RDS(ON),DRAIN-SOURCEON-RESISTANCE(Ω)-ID,DRAINCURRENT(A)2520151051.5-V DS, DRAIN -SOURCE VOLTAGE(V)Fig. 1 Typical Output Characteristics-V GS, GATE-SOURCE VOLTAGE (V)Fig. 2 Typical Transfer Characteristics-I D, DRAIN SOURCE CURRENTFig. 3 Typical On-Resistance vs.Drain Current and Gate Voltage-I D, DRAIN SOURCE CURRENT (A)Fig. 4 Typical On-Resistance vs.Drain Current and TemperatureT J, JUNCTION TEMPERATURE (︒C)Fig. 5 On-Resistance Variation with TemperatureT J, JUNCTION TEMPERATURE (︒C)Fig. 6 On-Resistance Variation with TemperatureV DS = -5.0VT A = 150︒CT A = 125︒CT = 85︒CAT A = 25︒CT A = -55︒CV GS=-4.5VT A = 150︒T A = 125︒T A = 85︒CCCT A = 25︒T A = -55︒CCV GS = -4.5VI D = -5AV GS =I D = -10A-10VRDS(ON),DRAIN-SOURCEON-RESISTANCE(Normalized)RDS(ON),DRAIN-SOURCEON-RESISTANCE(Ω)-ID,DRAINCURRENT(A)-IS,SOURCECURRENT(A)T A, AMBIENT TEMPERATURE (°C)Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature-V SD, SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current10,0000 5 10 15 20 25 30-V DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)Fig. 9 Typical Junction Capacitance0 5-V DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. VoltageQ g, TOTAL GATE CHARGE (nC)Fig. 11 Gate-Charge Characteristics-V DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)Fig. 12 SOA, Safe Operation Area0°CT A = 12T A =85°CT A =T A = 155°C25°CP W = 10µDCP W = 10sW = 1sCT,JUNCTIONCAPACITANCE(pF)VGS(TH),GATETHRESHOLDVOLTAGE(V)-VGS,GATE-SOURCEVOLTAGE(V)-IDSS,LEAKAGECURRENT(nA)-ID,DRAINCURRENT(A)C issC os sA2bD10.10.01t1, PULSE DURATION TIMES (sec)Fig. 13 Transient Thermal ResistancePackage Outline DimensionsPlease see AP02002 at /datasheets/ap02002.pdf for latest version.LDetai l ‘A’Gauge PlaneSeating Planeh7°~9°Suggested Pad LayoutPlease see AP02001 at /datasheets/ap02001.pdf for latest version.C2D =0.7D= 0.9D = 0.05D =0.01D = 0.0= r(t)RθJA(t)RθJA = 7Duty Cy2°cle,C/D= t1/ t2 Single PulseD = 0.5D = 0.3D = 0.1D = 0.0205* RθJAW r(t),TRANSIENTTHERMALRESISTANCEIMPORTANT NOTICEDIODES INCORPORATED MAKES NO WARRANTY OF ANY KIND, EXPRESS OR IMPLIED, WITH REGARDS TO THIS DOCUMENT, INCLUDING, BUT NOT LIMITED TO, THE IMPLIED WARRANTIES OF MERCHANTABILITY AND FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE (AND THEIR EQUIVALENTS UNDER THE LAWS OF ANY JURISDICTION).Diodes Incorporated and its subsidiaries reserve the right to make modifications, enhancements, improvements, corrections or other changes without further notice to this document and any product described herein. Diodes Incorporated does not assume any liability arising out of the application or use of this document or any product described herein; neither does Diodes Incorporated convey any license under its patent or trademark rights, nor the rights of others. Any Customer or user of this document or products described herein in such applications shall assume all risks of such use and will agree to hold Diodes Incorporated and all the companies whose products are represented on Diodes Incorporated website, harmless against all damages.Diodes Incorporated does not warrant or accept any liability whatsoever in respect of any products purchased through unauthorized sales channel. Should Customers purchase or use Diodes Incorporated products for any unintended or unauthorized application, Customers shall indemnify and hold Diodes Incorporated and its representatives harmless against all claims, damages, expenses, and attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized application.Products described herein may be covered by one or more United States, international or foreign patents pending. Product names and markings noted herein may also be covered by one or more United States, international or foreign trademarks.This document is written in English but may be translated into multiple languages for reference. Only the English version of this document is the final and determinative format released by Diodes Incorporated.LIFE SUPPORTDiodes Incorporated products are specifically not authorized for use as critical components in life support devices or systems without the express written approval of the Chief Executive Officer of Diodes Incorporated. As used herein:A. Life support devices or systems are devices or systems which:1. are intended to implant into the body, or2. support or sustain life and whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in thelabeling can be reasonably expected to result in significant injury to the user.B. A critical component is any component in a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause thefailure of the life support device or to affect its safety or effectiveness.Customers represent that they have all necessary expertise in the safety and regulatory ramifications of their life support devices or systems, and acknowledge and agree that they are solely responsible for all legal, regulatory and safety-related requirements concerning their products and any use of Diodes Incorporated products in such safety-critical, life support devices or systems, notwithstanding any devices- or systems-related information or support that may be provided by Diodes Incorporated. Further, Customers must fully indemnify Diodes Incorporated and its representatives against any damages arising out of the use of Diodes Incorporated products in such safety-critical, life support devices or systems.Copyright © 2013, Diodes Incorporated。

FEATURESThe AO3404uses advanced trench technology to provide excellent R DS(ON)and low gate charge.This device maybe used as a load switch or in PWM applications.Absolute Maximum Ratings (TA=25oC, unless otherwise noted)AO3404 N-ChannelMOSFETSOT-231.Gate2.Source3.DrainParameter Symbol Value Unit Drain-source voltage V DS 30 V Gate-source voltage V GS±20 V Continuous drain current (t ≤10s) I D 5.8 A Pulsed drain current *I DM30 A Thermal resistance from junction to ambient RθJA 357 ℃/WJunction temperature T J 150 ℃Storage temperature T stg -55~150 ℃Repetitive rating : Pulse width limited by maximum junction temperature.Electrical Characteristics (TA=25°C, unless otherwise noted)AO3404ParameterSymbol Test Condition Min Typ Max UnitsSTATIC PARAMETERSDrain-source breakdown voltage V (BR) DSSV GS = 0V, I D =250µA 30V Zero gate voltage drain current I DSS V DS =30V,V GS = 0V 1µAGate-body leakage current I GSS V GS =±20V, V DS = 0V±100 nA Gate threshold voltageV GS(th) V DS =V GS , I D =250µA 13VV GS =10V, I D =5.8A 30 m Ω Drain-source on-resistance (note 1) R DS(on) V GS =4.5V, I D =4.8A42 m Ω Forward tranconductance (note 1) g FS V DS =5V, I D =5.8A 5 S Diode forward voltageV SDI S =1A1 VDYNAMIC PARAMETERS (note 2)Input capacitance C iss 820 pF Output capacitanceC oss 118 pF Reverse transfer capacitance C rss V DS =15V,V GS =0V,f =1MHz85 pFGate resistanceR gV DS =0V,V GS =0V,f =1MHz 1.5 ΩSWITCHING PARAMETERS (note 2)Turn-on delay time t d(on)6.5 ns Turn-on rise time t r3.1 ns Turn-off delay time t d(off) 15.1 ns Turn-off fall time t fV GS =10V,V DS =15V, R L =2.6Ω,R GEN =3Ω2.7 nsNote :1. Pulse Test : Pulse width ≤300µs, duty cycle ≤0.5%.2. These parameters have no way to verify.AO3404Typical CharacteristicsV GS (Volts)Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)V DS (Volts)Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)I D (A )AO3404Typical Characteristics123456Q g (nC)Figure 7: Gate-Charge Characteristics V G S (V o l t s )51015202530V DS (Volts)Figure 8: Capacitance Characteristics C a p a c i t a n c e (p F )。

低压MOSFE场效应管我司的HM2301/SOT-23/3A/30V/PMOS 的优点：是足充电器/多节保护板/家电/航模/遥控玩具等大电流/低内阻的应用场合。

我司的HM2302/SOT-23/3A/30V/NMOS 的优点：是足3A的电流，内阻小，和市场低端的1A的产品不同，可以用于移动电源3A的电流，内阻小，和市场低端的1A的产品不同，可以用于移动电源我司的HM3400/SOT-23-3L/5.8A/30V/NMOS 的优点：是足 5.8A的电流/大SOT-23封装的，内阻小，和市场低端的小SOT-23 的不同，可以用于移动电源/充电器/多节保护板/家电/航模/遥控玩具等大电流/低内阻的应用场合。

我司的HM3401/SOT-23-3L/4.2A/30V/PMOS 的优点：是足 4.2A的电流/大SOT-23封装的，内阻小，和市场低端的小SOT-23 的不同，可以用于移动电源/充电器/多节保护板/家电/航模/遥控玩具等大电流/低内阻的应用场合。

我司的HM2310/SOT-23-3L/3A/60V/NMOS的优点：1.耐压可达60V,足3A电流，大SOT-23封装的。

2.可以用于LED照明等耐压高的产品应用。

我司的HM4953的优点：电流大内阻小，可以用于全彩屏市场。

我司的HM4430的优点：电流大内阻小，电流可达18A.目前市场上S0P8/NM0Sfe流最大的一款产品之一。

我司的HM4440的优点：耐压可达60V,目前市场上S0P8/NM0S寸压最大的一款产品之一。

我司的HM10N10的优点：内阻小，耐电流不止10A的。

产品应用：1. MP3/MP4/MP5/PMP 播放器2. MID/UMPC3. GPS/蓝牙耳机4. PDVD/车载DVD/汽车音响5. 液晶电视/液晶显示器6. 移动电源/电子烟7. 手机电池、锂电池保护板8. LED照明/LED电源9. LED显示屏10. 智能充电器11. 小家电、家电控制板12. 电脑主板、显卡。

场效应管参数⼤全场效应管参数⼤全百度空间⽆限的未知真⼼真诚理解真情永恒K2645: 600V,1.2Ω,9A,50W K2141: 600V,1.1Ω,6A,35WK3326: 500V,0.85Ω,10A,40WK1388: 30V,0.022Ω,35A,60WK1101: 450V,0.5Ω,10A,50WK1507: 9A 600V2SK1537 N-FET 900V 5A 100WK2045 600V, 6A , 35W 。

代K1404, K2101, 2SK2118。

K1118,K2645,K2564,K2545,K1507,K2761,K1117,K2333代k214107N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各⼀,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各⼀,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道⼩贴⽚MOS55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道⼩贴⽚MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L027N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W ⼩贴⽚，全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道，N沟道MOS管各⼀A04403 30V 6.1A 单P沟道 8脚贴⽚A04404 30V 8.5A 单N沟道 8脚贴⽚A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴⽚A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴⽚A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴⽚A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴⽚A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴⽚A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴⽚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴⽚A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道，8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴⽚A04422 30V 11A N 沟道 8脚贴⽚A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道，N沟道MOS管各⼀A0D405 30V，18A，P⾼压板MOS管贴A0D408 30V，18A，P⾼压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P ⾼压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P ⾼压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N⾼压板MOS管贴A0D442 60V，38/27A，N ⾼压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N⾼压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N ⾼压板MOS管贴A0P607 内含P、N沟道各1，60V 4。

ao3400工作原理ao3400是一种常用的场效应管（MOSFET），它在电子设备中起着重要的作用。

它的工作原理可以通过以下几个方面来解释。

ao3400是一种N沟道MOSFET，它由P型衬底、N型漏极和源极以及P型栅极组成。

当没有外加电压时，ao3400处于关闭状态，即没有电流通过。

这是因为在关闭状态下，P型栅极和P型衬底之间形成了一个反向偏置的二极管结构，阻止电流流动。

当外加正向电压到达一定阈值时，ao3400开始工作。

这个阈值电压称为门源电压（VGS），当VGS超过阈值电压时，电流开始从漏极到源极流动。

此时，ao3400处于导通状态。

这是因为在导通状态下，P型栅极和P型衬底之间的二极管结构被正向偏置，电流可以通过。

与其他场效应管不同的是，ao3400具有低电压驱动特性。

这意味着它可以在较低的门源电压下实现高电流的控制。

这使得ao3400在许多低功耗应用中得到广泛应用，比如便携式设备和电子开关等。

ao3400还具有良好的开关速度和低导通电阻。

这使得它在开关电路和功率放大电路中表现出色。

它的开关速度快，可以迅速响应输入信号的变化。

而低导通电阻可以减少功率损耗和提高效率。

然而，ao3400也有一些限制。

首先，它的漏极电流与门源电压呈指数关系。

这意味着当门源电压达到一定值时，漏极电流增加的速度会变得非常缓慢。

其次，ao3400的阈值电压存在一定的误差。

这意味着在实际应用中，需要对其进行校准或者采取其他措施来保证其性能稳定和可靠性。

总结起来，ao3400是一种常用的N沟道MOSFET，具有低电压驱动、良好的开关速度和低导通电阻等特性。

它在电子设备中发挥着重要的作用，特别适用于低功耗应用和开关电路。

尽管有一些限制，但通过合适的设计和使用，可以充分发挥ao3400的优势，提高电子设备的性能和效率。

ao3400中文资料AO3400A器件“身份信息”：•厂商：AOS•包装说明：SO, R-PDSO-G3•针数：3•REACH法规/ RoHS合规数据：符合Rohs认证，不含铅，符合REACH法规•最小漏源击穿电压：30V•最大漏极电流(ID)：5.7A•功率- 最大值：1.4W•装类型：表面贴装•FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物•FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动•应用场景：AO3400A结合了先进的沟道MOSFET低电阻封装技术极低的RDS（开）。

此设备适合用作负载开关或在PWM应用中。

原理图符号印刷电路板封装3D2FE 功能等同认证替代料感觉这款器件跟你的设计不那么匹配还差点意思？根据FFF 形态、装配、功能兼容替代料等方面，推荐7种不同厂商的替代料，来做下全部参数和差异参数的对比，总有一款适合你。

或者挑选部分替代料对比3价格and 库存不看器件价格和库存的工程师，不是称职的工程师，从分销商库存以及市场的价格走势来看，过去半年中，AO3400A的价格是有略微降低的，但是库存量却在大幅度增长（不然说它热门呢！）其中97%的市场库存量都在Digi-Key，其次是唯样、艾睿。

AO3400A过去半年价格和库存走势4参考设计案例开源基于STC15W4K61S4的微型四旋翼，参考设计送上，拿走不谢！功能概述：本设计是基于STC15W4K61S4的微型四轴。

以STC15W4K61S4为主控。

硬件包括，MPU6050传感器，电源，NRF2401通信模块，720空心杯电机，PCB机架。

姿态解算采用四元数，串级PID作为控制器，配合遥控器实现俯仰，横滚，偏航姿态控制。

主要用于学习和理解四轴飞行器的基本原理。

供应SOT-23封装贴片场效应管2N7002K12/27 09:25品牌:ON/LRC、VISHAY 型号:2N7002K 封装:SOT-23 极限电压:60V 极限电流:115mA 用途:小功率电源管理类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:N沟道...供应SOT-23封装贴片场效应管BSS12312/27 09:25品牌:NXP(飞利浦)、ON/LRC 型号:BSS123 封装:SOT-23 极限电压:100V 极限电流:170mA 用途:小功率电源管理类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:N沟道...供应SOT-23封装贴片场效应管2N700212/27 09:25供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO342212/27 09:25品牌:AOS 型号:AO3422 封装:SOT-23 极限电压:Vds=55V 极限电流:Ids=2.1A 用途:通用型类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:N沟道...供应SOT-23封装贴片场效应管BSS13812/27 09:25品牌:NXP(飞利浦)、ON/LRC 型号:BSS138 封装:SOT-23 极限电压:50V 极限电流:200mA 用途:小功率电源管理类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:N沟道...供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO340012/27 09:24品牌:AOS 型号:AO3400 封装:SOT-23 极限电压:30V 极限电流:5.8A 用途:通用型类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:N沟道...供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO340612/27 09:24品牌:AOS 型号:AO3406 封装:SOT-23 极限电压:Vds=30V 极限电流:Ids=3.6A 用途:通用型类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:N沟道...供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO340712/27 09:24品牌:AOS 型号:AO3407、AO3407A 封装:SOT-23 极限电压:Vds=-30V 极限电流:Ids=-4.1A 用途:通用型类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:P沟道...供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO340112/27 09:24品牌:AOS 型号:AO3401、AO3401A 封装:SOT-23 极限电压:-30V 极限电流:4.2A 用途:通用型类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:P沟道...供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO340312/27 09:24品牌:AOS 型号:AO3403 封装:SOT-23 极限电压:Vds=-30V 极限电流:Ids=-2.6A 用途:通用型类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:P沟道...供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO342412/27 09:24品牌:AOS 型号:AO3424 封装:SOT-23 极限电压:Vds=30V 极限电流:Ids=2A 用途:通用型类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:N沟道...供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO343412/27 09:24品牌:ALPHA,OMEGA、AOS 型号:AO3434 封装:SOT-23 极限电压:Vds=30V 极限电流:Ids=2.5A 用途:电池保护电路类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:N沟道...供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO343812/27 09:24品牌:AOS 型号:AO3438 封装:SOT-23 极限电压:Vds=20V 极限电流:Ids=3A 用途:负荷开关设备类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:N沟道...供应AOS品牌SOT-23AO341312/2709:24品牌:AOS 型号:AO3413 封装:SOT-2极限电压:Vds=-20V 极限电流:Ids=-3A 用途:通用型类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:P沟道...供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO340412/27 09:24 品牌:AOS 型号:AO3404、AO3404A 封装:SOT-23 极限电压:Vds=30V 极限电流:Ids=5.8A 用途:通用型类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:P沟道...供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO342312/27 09:24品牌:AOS 型号:AO3423 封装:SOT-23 极限电压:Vds=-20V 极限电流:Ids=-2A 用途:通用型类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:P沟道...供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO342112/27 09:24品牌:AOS 型号:AO3421 封装:SOT-23 极限电压:Vds=-30V 极限电流:Ids=-2.6A用途:通用型...供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO341512/27 09:24品牌:AOS 型号:AO3415 封装:SOT-23 极限电压:Vds=-20V 极限电流:Ids=-4A 供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO341412/27 09:24品牌:AOS 型号:AO3414 封装:SOT-23 极限电压:Vds=20V 极限电流:Ids=4.2A 用途:通用型类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:N沟道...供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO340912/27 09:24品牌:AOS 型号:AO3409 封装:SOT-23 极限电压:Vds=-30V 极限电流:Ids=-2.6A 用途:通用型类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:P沟道...供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO340212/27 09:24品牌:AOS 型号:AO3402 封装:SOT-23 极限电压:Vds=30V 极限电流:Ids=4A 用途:通用型类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:N沟道...供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO342012/27 09:24品牌:AOS 型号:AO3420 封装:SOT-23 极限电压:Vds=20V 极限电流:Ids=6A 用途:负荷开关类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:N沟道...供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO341912/27 09:24品牌:AOS 型号:AO3419 封装:SOT-23 极限电压:Vds=-20V 极限电流:Ids=-3.5A 用途:通用型类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:P沟道...供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO341612/27 09:24品牌:AOS 型号:AO3416 封装:SOT-23 极限电压:Vds=20V 极限电流:Ids=6.5A 用途:负荷开关类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:N沟道...供应AOS品牌SOT-23贴片场效应管AO340412/27 09:24品牌:AOS 型号:AO3418 封装:SOT-23 极限电压:Vds=30V 极限电流:Ids=3.8A 用途:开关电源类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:N沟道...供应SOT-23封装贴片场效应BSS84 12/27 09:25品牌:NXP(飞利浦)、ON/LRC 型号:BSS84 封装:SOT-23 极限电压:50V 极限电流:130mA 用途:小功率电源管理类型:绝缘栅型场效应管沟道类型:P沟道...。

常用场效应管参数及替代FGA25N120AND （IGBT）1200V/25A//TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET）250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25 （MOSFET）250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET）250V/55A/310W/0.03Ω/TO3PFQA18N50V2 （MOSFET）500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460AFQA24N50 （MOSFET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3PFQA28N50 （MOSFET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50EFQL40N50 （MOSFET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50FQA24N60 （MOSFET）600V/24A/TO3PFQA10N80 （MOSFET）800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3PFQA13N80 （MOSFET）800V/13A/300W/0. Ω/TO3PFQA5N90 （MOSFET）900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3PFQA9N90C （MOSFET）900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3PFQA11N90C （MOSFET）900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3PFFA30U20DN （快恢复二极管）200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A FFPF30U60S （快恢复二极管）600V/30A/90ns/TO220F MUR1560FFA30U60DN （快恢复二极管）600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A MBRP3010NTU （肖特基）100V/30A/TO-220MBRA3045NTU （肖特基）45V/30A/TO-3PISL9R3060G2 （快恢复二极管）600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管）600V/30A/35nS/TO247FQP44N10 （MOSFET）100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET）100V/57A/160W/0.025Ω/TO220IRFP450B （MOSFET）500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET）500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460KA3162/FAN8800 （Drive IC）单IGBT/MOSFETFET驱动ICRHRP860 （快恢复二极管）600V/8A/30NS/TO-220 MUR860RHRP1560 （快恢复二极管）600V/15A/TO0220 MUR1560RHRP8120 （快恢复二极管）1200V/8A/75W/TO220RHRP15120 （快恢复二极管）1200V/15A/TO220RHRP30120 （快恢复二极管）1200V/30A/125W/TO220单DSEI20-10A RHRG30120 （快恢复二极管）1200V/30A/T03PSSH45N20B （MOSFET）200V/45A/TO3P IRFP260FGL40N150D （IGBT）1500V/40A/TO264快速IGBTFGL60N100BNTD （IGBT）1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100HGTG10N120BND （IGBT）1200V/35A/298W/100ns/TO247HGTG11N120CND （IGBT）1200V/43A/298W/TO247HGTG18N120BND （IGBT）1200V/54A/390W/90ns/TO247FQP5N50C （MOSFET）500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于35WFQPF5N50C （MOSFET）500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代：IRF830，用于35W FQP9N50C （MOSFET）500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代：IRF840，用于75W FQPF9N50C （MOSFET）500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替代：IRF840，用于75W FQP13N50 （MOSFET）500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品FQPF13N50 （MOSFET）500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于75W/125W产品FQD5N50C （MOSFET）500V/5A/1.4Ω/TO252 用于35W FQA16N50 （MOSFET）500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于150W到250W的产品FDP15N50 （MOSFET）500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于150W左右的产品FQP18N50V2 （MOSFET）500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于250WG到400W的产品FQPF18N50V2 （MOSFET）500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于250WG到400W的产品FQA18N50V2 （MOSFET）500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于250WG到400W的产品FQA24N50 （MOSFET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于400W的产品FQA24N60 （MOSFET）600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的产品FQA28N50 （MOSFET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品FQL40N50 （MOSFET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的产品IRF740B （MOSFET）400V/10A/0.55Ω/134W/TO220IRF730B （MOSFET）400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220IRF830B （MOSFET）500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220IRF840B （MOSFET）500V/8A/0.85Ω/134W/TO220IRFP450B （MOSFET）500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET）500V/20A/0.2~0.24Ω/235WFQPF5N60C （MOSFET）600V/5A/TO220FFQPF8N60C （MOSFET）600V/8A/TO220FFQPF10N60C （MOSFET）600V/10A/TO220FQPF12N60 （MOSFET）600V/12A/51W/0.65Ω/TO220FFCP11N60 （MOSFET）650V/11A/125W0.32Ω/TO220RHRD660S （快恢复二极管）600V/6A/TO-252RHRP860 （快恢复二极管）600V/8A/75W/TO-220RHRP1560 （快恢复二极管）600V/15A/TO-220单2N7002 （三极管）60V/0.12A/SOT-23 HUF76629D3S （MOSFET）100V/20A/110W/TO-252HUF75639S3S （MOSFET）100V/56A/200W/TO-263ISL9V3040D3S （IGBT）430V/21A/150W/300MJ/TO252ISL9V3040S3S （IGBT）430V/21A/150W/300MJ/TO263ISL9V5036S3S （IGBT）360V/46A/250W/TO262FQP33N10L （MOSFET）100V/33A/52MΩ127W/TO220。