NX7337BF-AA中文资料

航行告警接收机NX-700A/B操作说明书* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * *确认键指针键进入/推出菜单键开启LIST 选项 开启打印选项开/关键版本号按键说明一、 开机/关机按 键开机，显示器会发出“必”声，显示器会显示开机屏，如下图：1、ROM 、RAM 操作检查OK ，会显示：2、如检查到错误操作，所有的信息都在518KHz 下显示，如下：亮度调节按选择518KHz或490KHz.按关机。

二、 调节亮度按调整亮度，0（全黑）至9（最亮），+ 增加，－ 减少。

三、 确认新信息SAR（搜救）信息1、当接收到一个SAR信息时，回显示信息内容及响报警。

SAR 信息图标2、按开关键以外的任意键静音。

其他信息1、收到SAR信息以外的信息，显示如下其中之一：国际信息本地信息2、如直接读取，按键选择“YES”然后按ENT键；3、如想以后再读取，选择“NO”，然后按ENT键关闭窗口。

四、 信息例子按选择键上的选择一个信息，然后按ENT键显示信息内容。

按ENT键在信息清单和信息明细之间转换。

注意：1、显示屏下方的操作指南显示当前显示下可用的按键；2、字体大小可调整，详细见。

按键显示模式功能清单滚动清单详细滚动信息清单转换国际及本地信息详细显示最新（）及之前（）的信息清单显示主菜单MENU详细清单显示所选择的信息明细ENT详细显示信息清单清单显示菜单选项LIST详细清单显示打印选项PRINT详细五、 选择接收模式有自动及手动两种接收模式选择：AUTO MODE（自动模式）要求航行数据，接收机会根据本船与NA VTEX地面站之间的距离选择。

如果没有输入航行数据，会选择所有的地面站。

ISN模式允许选择模式1、按MUNE/ESC 键，进入主菜单；2、按选择 NA VTEX。

3、按ENT键或键打开NA VTEX菜单；4、按选择接收模式，然后按ENT键或显示所选择的接收模式。

RQA0008NXAQSSilicon N-Channel MOS FETREJ03G1569-0100Rev.1.00Jul 04, 2007Features• High Output Power, High Gain, High EfficiencyPout = +36 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (f = 520 MHz)• Compact package capable of surface mountingOutline*UPAK is a trademark of Renesas Technology Corp.Absolute Maximum Ratings(Ta = 25°C)UnitRatingsItem SymbolDrain to source voltage V DSS 16 V Gate to source voltage V GSS ±5 V Drain current I D 2.4 A Channel dissipation Pch note 10 W Channel temperature Tch 150 °CStorage temperature Tstg –55 to +150 °CNote: Value at Tc = 25°CThis device is sensitive to electro static discharge. An adequate careful handling procedure is requested.Electrical Characteristics(Ta = 25°C)Item Symbol Min. Typ Max. Unit Test ConditionsZero gate voltage drain current I DSS — — 10 µA V DS = 16 V, V GS = 0 Gate to source leak current I GSS — — ±2 µA V GS = ±5 V, V DS = 0 Gate to source cutoff voltage V GS(off) 0.15 0.4 0.8 V V DS = 6 V, I D = 1 mA Forward Transfer Admittance |yfs| — 2.4 — S V DS = 6 V, I D = 1.2 A Input capacitance Ciss — 44 — pF V GS = 5 V, V DS = 0, f = 1 MHz Output capacitance Coss — 25 — pF V DS = 6 V, V GS = 0, f = 1 MHz Reverse transfer capacitance Crss — 6.0 — pF V DG = 6 V, V GS = 0, f = 1 MHz — 36 — dBm Output Power Pout — 3.98 — WPower Added Efficiency PAE — 65 — % V DS = 6 V, I DQ = 400 mAf = 520 MHz, Pin = +20 dBmMain CharacteristicsEvaluation Circuit (f = 520 MHz)S Parameter(V DS = 6 V, I DQ = 400 mA, Zo = 50 Ω)S11 S21 S12 S22(deg.) MAG ANG(deg.)(deg.)MAG ANGf(MHz) MAG ANG(deg.) MAG ANG100 0.883 -170.0 8.48 84.9 0.021 -3.0 0.867 -175.4 150 0.904 -175.7 5.46 80.1 0.021 -5.3 0.879 -177.3 200 0.902 -178.2 4.13 72.6 0.021 -12.0 0.872 -178.5 250 0.900 179.6 3.30 67.1 0.021 -16.5 0.872 -179.7 300 0.898 177.8 2.75 61.6 0.021 -19.8 0.873 179.5 350 0.898 176.2 2.34 56.2 0.020 -24.2 0.873 178.8 400 0.897 174.8 2.04 50.9 0.020 -27.7 0.874 178.4 450 0.898 173.4 1.80 45.7 0.020 -31.3 0.873 177.8 500 0.899 172.3 1.61 40.7 0.020 -34.4 0.873 177.4 550 0.900 171.2 1.46 35.5 0.019 -38.2 0.875 176.8 600 0.900 170.1 1.33 30.5 0.019 -41.5 0.876 176.5 650 0.899 169.0 1.22 25.5 0.019 -45.0 0.876 176.0 700 0.899 167.9 1.13 20.5 0.019 -47.8 0.878 175.6 750 0.899 166.9 1.04 15.6 0.018 -51.2 0.878 175.2 800 0.898 165.8 0.97 10.6 0.018 -54.8 0.880 174.9 850 0.899 164.7 0.91 5.7 0.018 -57.4 0.878 174.4 900 0.901 163.7 0.85 0.9 0.018 -60.9 0.880 173.9 950 0.903 162.7 0.80 -3.9 0.017 -63.5 0.882 173.5 1000 0.903 161.8 0.75 -8.7 0.017 -66.5 0.883 173.1 1050 0.903 160.8 0.71 -13.4 0.017 -69.3 0.884 172.6 1100 0.905 159.8 0.68 -18.1 0.016 -71.9 0.883 172.1 1150 0.906 158.8 0.64 -22.8 0.016 -74.8 0.886 171.6 1200 0.907 157.8 0.61 -27.3 0.016 -76.8 0.888 171.2 1250 0.909 156.8 0.58 -32.0 0.015 -79.6 0.891 170.8 1300 0.911 155.8 0.55 -36.6 0.015 -81.9 0.893 170.4 1350 0.912 154.9 0.52 -41.2 0.015 -84.1 0.896 170.0 1400 0.912 154.0 0.50 -45.8 0.015 -86.2 0.897 169.5 1450 0.912 153.1 0.48 -50.3 0.014 -88.6 0.898 169.1 1500 0.913 152.1 0.46 -54.8 0.014 -90.2 0.900 168.7 1550 0.914 151.2 0.44 -59.2 0.014 -92.6 0.900 168.4 1600 0.915 150.3 0.42 -63.8 0.014 -94.1 0.902 167.8 1650 0.916 149.4 0.40 -68.3 0.013 -95.9 0.903 167.4 1700 0.915 148.5 0.39 -72.6 0.013 -97.6 0.904 167.0 1750 0.914 147.6 0.38 -76.9 0.013 -99.0 0.904 166.4 1800 0.913 146.7 0.36 -81.1 0.013 -100.8 0.906 165.8 1850 0.915 145.7 0.35 -85.3 0.013 -102.2 0.909 165.5 1900 0.920 144.5 0.34 -89.5 0.013 -103.9 0.909 165.0 1950 0.923 143.3 0.33 -93.6 0.013 -105.8 0.910 164.5 2000 0.925 142.3 0.31 -97.9 0.013 -107.2 0.911 163.9 2050 0.926 141.4 0.30 -102.1 0.013 -108.7 0.913 163.5 2100 0.928 140.5 0.29 -106.3 0.013 -109.9 0.914 163.0 2150 0.929 139.6 0.28 -110.6 0.013 -112.2 0.916 162.4 2200 0.930 138.7 0.27 -114.7 0.013 -112.8 0.917 161.8 2250 0.932 137.8 0.27 -118.9 0.013 -114.9 0.921 161.5 2300 0.931 137.1 0.26 -123.0 0.013 -116.5 0.921 161.0 2350 0.930 136.3 0.25 -127.1 0.013 -118.5 0.921 160.5 2400 0.926 135.5 0.24 -131.2 0.013 -120.2 0.924 159.9 2450 0.922 134.4 0.24 -135.4 0.014 -121.9 0.923 159.5 2500 0.920 133.3 0.23 -139.5 0.014 -123.7 0.921 159.0Package DimensionsOrdering InformationPart Name Quantity Shipping Containerφ178 mm reel, 12 mm emboss tapingRQA0008NXTL-E 1000pcs.Note: For some grades, production may be terminated. Please contact the Renesas sales office to check the state of production before ordering the product.Refer to "/en/network " for the latest and detailed information.Renesas Technology America, Inc.450 Holger Way, San Jose, CA 95134-1368, U.S.A Tel: <1> (408) 382-7500, Fax: <1> (408) 382-7501Renesas Technology Europe LimitedDukes Meadow, Millboard Road, Bourne End, Buckinghamshire, SL8 5FH, U.K.Tel: <44> (1628) 585-100, Fax: <44> (1628) 585-900Renesas Technology (Shanghai) Co., Ltd.Unit 204, 205, AZIACenter, No.1233 Lujiazui Ring Rd, Pudong District, Shanghai, China 200120Tel: <86> (21) 5877-1818, Fax: <86> (21) 6887-7898Renesas Technology Hong Kong Ltd.7th Floor, North Tower, World Finance Centre, Harbour City, 1 Canton Road, Tsimshatsui, Kowloon, Hong Kong Tel: <852> 2265-6688, Fax: <852> 2730-6071Renesas Technology Taiwan Co., Ltd.10th Floor, No.99, Fushing North Road, Taipei, Taiwan Tel: <886> (2) 2715-2888, Fax: <886> (2) 2713-2999Renesas Technology Singapore Pte. Ltd.1 Harbour Front Avenue, #06-10, Keppel Bay Tower, Singapore 098632 Tel: <65> 6213-0200, Fax: <65> 6278-8001Renesas Technology Korea Co., Ltd.Kukje Center Bldg. 18th Fl., 191, 2-ka, Hangang-ro, Yongsan-ku, Seoul 140-702, Korea Tel: <82> (2) 796-3115, Fax: <82> (2) 796-2145Renesas Technology Malaysia Sdn. BhdUnit 906, Block B, Menara Amcorp, Amcorp Trade Centre, No.18, Jalan Persiaran Barat, 46050 Petaling Jaya, Selangor Darul Ehsan, Malaysia Tel: <603> 7955-9390, Fax: <603> 7955-9510RENESAS SALES OFFICES。

Symbol Units R θJL R θJL40°C/WMaximum Junction-to-Ambient A Steady-State 6775Maximum Junction-to-Lead CSteady-State2530Maximum Junction-to-AmbientA t ≤ 10s R θJA 36°C/W5421Thermal Characteristics Schottky Maximum Junction-to-Ambient A t ≤ 10s R θJA 2475Maximum Junction-to-Lead CParameter: Thermal Characteristics MOSFETTyp Max Steady-State 3040Maximum Junction-to-Ambient ASteady-State AO4707AO4707SymbolMin TypMaxUnits BV DSS -30V -1T J =55°C-5I GSS ±100nA V GS(th)-1.2-2-2.4V I D(ON)40A 24.533T J =125°C334156m Ωg FS 14.5S V SD -0.76-1V I S-4.2A C iss 920pF C oss 190pF C rss 122pF R g3.6ΩQ g (10V)18.4nC Q g (4.5V)9.3nC Q gs 2.7nC Q gd 4.9nC t D(on)7.1ns t r 3.4ns t D(off)18.9ns t f 8.4ns t rr 21.5ns Q rr12.5nC SCHOTTKY PARAMETERS V F 0.480.52V0.070.154.2201560C T120pF THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICEMaximum Body-Diode Continuous CurrentInput Capacitance Output Capacitance Turn-On DelayTime DYNAMIC PARAMETERS V GS =0V, V DS =-15V, f=1MHz Gate Drain Charge Total Gate Charge (10V)V GS =-10V, V DS =-15V, I D =-8ATurn-On Rise Time Turn-Off DelayTime V GS =-10V, V DS =-15V, R L =1.8Ω, R GEN =3ΩGate resistanceV GS =0V, V DS =0V, f=1MHzTurn-Off Fall TimeSWITCHING PARAMETERSTotal Gate Charge (4.5V)Gate Source Charge m ΩV GS =-4.5V, I D =-5AI S =-1A,V GS =0VV DS =-5V, I D =-8AR DS(ON)Static Drain-Source On-ResistanceForward TransconductanceDiode Forward Voltage I DSS µA Gate Threshold Voltage V DS =V GS I D =-250µA V DS =-24V, V GS =0VV DS =0V, V GS =±20V Zero Gate Voltage Drain Current Gate-Body leakage current Electrical Characteristics (T J =25°C unless otherwise noted)STATIC PARAMETERS Parameter Conditions Body Diode Reverse Recovery TimeBody Diode Reverse Recovery Charge I F =-8A, dI/dt=100A/µsDrain-Source Breakdown Voltage On state drain currentI D =-250µA, V GS =0V V GS =-10V, V DS =-5V V GS =-10V, I D =-8AReverse Transfer Capacitance I F =-8A, dI/dt=100A/µsForward Voltage Drop I F =3.0AI rm Maximum reverse leakage current V R =24VmAV R =24V, T J =125°C V R =24V, T J =150°C Junction CapacitanceV R =15VA: The value of R θJA is measured with the device mounted on 1in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The value in any given application depends on the user's specific board design. The current rating is based on the t ≤ 10s thermal resistance rating.B: Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.C. The R θJA is the sum of the thermal impedence from junction to lead R θJL and lead to ambient.D. The static characteristics in Figures 1 to 6,12,14 are obtained using 80 µs pulses, duty cycle 0.5% max.E. These tests are performed with the device mounted on 1 in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The SOA curve provides a single pulse rating. Rev4: August 2005AO4707AO4707AO4707。

ION7300&7330面板操作指南I O N7300和I O N7330是加拿大P M L公司研制生产的新一代三相多功能智能型电能表。

I O N7300除了提供高精度电能计量外，还测量电压、电流、功率、功率因数、频率、需量、谐波、不平衡度等，I O N7300具有一个标准R S-485通信口（标准M O D B U S），并可扩展4路遥控输出，可选择P r o f i b u s、E t h e r n e t 网口等配置。

I O N7330除了具有I O N7300所有高精度测量外，还具有2个标准R S-485通信口（标准M O D B U S），增加了4个开关量输入、对任何电量的越限记录、2组大容量负荷曲线记录等功能，可直接配置作为网关使用的E t h e r n e t网口和内置M o d e m。

本文将介绍该电能表的面板操作方法，以及基本参数的整定等，为用户使用提供方便。

目录一、显示面板设置基本操作 (3)1.1 显示面板操作按键及基本操作 (3)1.2 选项设置菜单 (3)1.3 数值整定 (3)1.4 密码的输入 (4)二、显示面板显示方式整定 (4)2.1 自动循环显示设定 (4)2.2 屏幕显示对比度设定 (5)2.3 显示器背光持续时间设定 (5)2.4 实时数据显示更新速率设定 (5)2.5 显示模式设定 (5)三、“Password”密码的设定 (6)四、7300ION&7330ION参数的整定 (7)4.1 基本参数的整定 (7)4.2 高级参数整定 (8)五、用户设定数据显示模式 (10)5.1 每屏显示数据数量的设定 (10)5.2 每屏显示数据类型的设定 (11)六、电能量及最值清零设定 (12)七、自诊断选项（7330ION） (13)1 显示面板设置基本操作1.1 显示面板操作按键及基本操作菜单翻转选择键功能设定键及确认键•按设定键进入“Select Setup”整定菜单。

FURUNO NX-700是双信道NAVTEX 接收机，用于SOLAS船舶，根据新的NAVTEX 性能标准MSC.148(77)（2005年7月1日生效）。

采用NX-700值守国际和当地信道，收听NAVTEX报文，可提高航海的效率和安全性。

NX-700能同时两个信道接收。

一个信道是518 kHz，用于接收国际NAVTEX 报文。

另一个信道可选 490 kHz 或4209.5 kHz，用于接收国内或当地NAVTEX 报文。

这些报文包括各种安全信息，例如航海警告、气象警报、寻找和救援(SAR) 信息，以及广播站信号覆盖范围内船舶航行所需的其它信息。

当NX-700连接GPS 导航仪，可根据各自的船舶位置自动选择广播站。

每个输入的报文被存储在非易失性存储器里，并清晰地显示在5"银亮的LCD上。

有三种不同字体大小，可从菜单选择。

在报文收件箱里，所有收到的报文及所选信道的信息都是按时间顺序分类的。

操作者从报文ID码和图标，很容易知道每个报文的状态。

当收到SAR信息 , NX-700通过声音警报，告知有输入报文。

为快速阅览，操作者可挑选感兴趣的报文，并采用分类功能进行显示。

连接定位设备后，重要的航海数据可清晰地显示在屏幕下方。

而且，报文中能显示出船舶离事故地点的距离，这样可迅速了解距离船舶位置的远近。

NX-700A 包括接收机、带打印的显示和天线单元。

NX-700B 是小轮廓的，包括无打印装置的时尚显示、接收机和天线单元。

紧凑的伞型天线不要求地线，因为是H-field 天线。

而且，天线配有高性能前置放大器，无需配置额外的鞭天线，天线即可以稳定连续地接收。

NAVTEX 系统操作：世界被划分为16个区域(称为Navareas)，如下图所示。

每个Navarea有多个NAVTEX 站，每个 NAVTEX 站有一个标识码，从“A”到“Z”。

NAVTEX 站的服务范围通常是200～400海里，取决于地域和广播站发射功率。

射频同轴电缆一览表(总5页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--半刚性电缆 SEMI-RIGID CABLES (天津609厂生产)SFF-50-2-1SFF-50-3-1±±皱纹导体电缆SDY-50-15-3±SDY-50-17-3SDY-50-23-3SDY-50-37-3SDY-50-15(5/8”)SDY-50-22(7/8”)±SDY-50-40(15/8”)±1SDY-75-23-3SDY-75-37-310泡沫聚乙烯绝缘皱纹导体电缆SYFY3/8”线波纹管SYFY1/2”线波纹管SYFY7/8”管波纹管SYFY11/4”皱纹管皱纹管更多内容请看网络传输介质、同轴电缆知识专题，或进入讨论三、规格型号同轴电缆可分为两种基本类型,基带同轴电缆和宽带同轴电缆。

目前基带常用的电缆,其屏蔽线是用铜做成的网状的,特征阻抗为50(如RG-8、RG-58等);宽带同轴电缆常用的电缆的屏蔽层通常是用铝冲压成的,特征阻抗为75(如RG-59等)。

粗同轴电缆与细同轴电缆是指同轴电缆的直径大还是小。

粗缆适用于比较大型的局部网络,它的标准距离长、可靠性高。

由于安装时不需要切断电缆,因此可以根据需要灵活调整计算机的入网位置。

但粗缆网络必须安装收发器和收发器电缆,安装难度大,所以总体造价高。

相反,细缆安装则比较简单,造价低,但由于安装过程要切断电缆,两头须装上基本网络连接头(BNC),然后接在T型连接器两端,所以当接头多时容易产生接触不良的隐患,这是目前运行中的以太网所发生的最常见故障之一。

为了保持同轴电缆的正确电气特性,电缆屏蔽层必须接地。

同时两头要有终端器来削弱信号反射作用。

无论是粗缆还是细缆均为总线拓扑结构,即一根缆上接多部机器,这种拓扑适用于机器密集的环境。

但是当一触点发生故障时,故障会串联影响到整根缆上的所有机器,故障的诊断和修复都很麻烦,因此,将逐步被非屏蔽双绞线或光缆取代。

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中国电信数字直放站产品（2015年）集中采购技术建议书第一章数字光纤直放站产品清单1.12G/3G宽带数字光纤直放站1.24G数字光纤直放站第二章直放站产品技术说明2.12G/3G直放站产品技术说明2.1.1设备特点●采用数字预失真技术，设备输出功率大，线性高，功耗低。

●采用数字滤波处理，增强对带外噪声和干扰的抑制。

●采用数字信号光传输技术，传输过程中不会叠加噪声，信号传输质量稳定可靠，传输距离远，可支持较远距离的室外覆盖。

●具备时延调整技术克服直放站之间重叠覆盖引起的多径干扰。

●拓扑连接方式可采用链形、星形和环形等，可以大大节约光缆资源，使系统组网方式更加灵活。

●具有本地监控、操作功能（OMT），也可接入直放站网管系统（OMC），通过基站端机内置的MODEM与OMC建立远程通信，满足运营商网管要求。

●系统具备RS-232、PSTN、Modem等多种数据传输接口，便利的遥测、遥控功能。

●光旁路功能，当设备出现故障或者掉电时，旁路器会将其旁路，其它设备不受影响。

2.1.2设备工作原理数字光纤直放站一般分为接入端与覆盖端，主要由双工器、功放、前后端数字板、数字光模块、电源模块、无线modem、监控板等组成。

其工作原理框图如图2-1所示：图2-1 分集数字光纤直放站系统工作原理框图图2-2 不分集数字光纤直放站系统工作原理框图设备在接入端由耦合器引入基站信号，由覆盖端完成无线信号的覆盖。

从基站耦合的下行信号在接入端经放大、滤波、下变频到中频后，进入数字处理单元变为数字信号，再经过电/光转换，将其调制到光信号上，通过光纤传送到覆盖端；覆盖端经过光/电转换，解调出数字信号，该信号经数字处理单元转换为中频信号，然后经上变频到射频，经滤波、放大后，通过功放和重发天线发送给移动台；反之，覆盖端重发天线接收到移动台发送的上行信号，进行低噪声放大、下变频、放大、滤波后变为中频信号，然后进入数字处理单元变为数字信号，再进行电/光转换，将其调制到光信号上，通过光纤传送回接入端，接入端先进行光/电转换，将光信号恢复成数字信号，该信号经数字处理单元转换为中频信号，然后经上变频到射频，经滤波、放大后发送给基站。

航空航天电缆产品浅说(供非专业人员参考)本网采访编辑航空航天电缆的基本要求是重量轻、直径小、耐温高和耐磨性好，此外应能耐燃料油、润滑油和其他化学溶剂等。

当前我国航空航天电缆以国家军标GJB 773A-2000《航空航天用含氟聚合物绝缘电线电缆通用规范》为主要体系，聚酰亚胺复合薄膜绕包绝缘已很少不用。

该规范适用于含氟聚合物绝缘电线电缆产品(以下简称航空电缆)，主要包括聚四氟乙烯(PTFE),聚全氟乙丙烯(FEP)，聚偏氟乙烯(PVDF)，乙烯一四氟乙烯共聚物(ETFE)，交联乙烯 T四氟乙烯共聚物(XETFE),四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物(PFA)和其他含氟聚合物。

这些聚合物可单独使用，也可以与其它材料组合使用。

本节只介绍部分品种。

1. 导体材料和结构导体有镀锡铜线、镀银铜线、镀镍铜线、镀锡铜合金线、镀银铜合金线、镀镍铜合金线和铝线(JL型)。

镀层限制使用温度：锡为150C,银为200C,镍为250C 。

参考GJB 1640-1993 《航空航天电线电缆用导体品种级截面系列》标准，同心绞合铜导体截面、结构尺寸及20 C时直流电阻见表1,同心绞合铜合金导体截面、结构尺寸及20C直流电阻见表2，束绞铜导体截面、结构尺寸及20C直流电阻见表3,同心绞铝导体截面、结构尺寸及直流电阻见表4。

截面为0.5 mm2以下铜导体的断裂伸长率应不小于6%,截面0.5 mm2及以上铜导体的断裂伸长率应不小于10%。

铜合金导体和铝导体全部截面规格断裂伸长率应不小于6%。

铜合金单线的抗拉强度应不小于490MPa。

其电阻率不大于0.02196 mm2/m。

导体绞合节距的节径比倍数应不大于表5的规定。

另一方面，应当检查各种单线的表面质量，特别应注意镀银单线的表面发黑问题。

此外，也应注意绞线时单线镀层的擦伤和脱落。

2. 绝缘材料及其缩写聚四氟乙烯(PTFE)挤制绝缘及加有耐磨填料的聚四氟乙烯(PTFE)挤制绝缘(F4)。

聚全氟乙丙烯(FEP)挤制绝缘(F46)。

TPS7301Q, TPS7325Q, TPS7330Q, TPS7333Q, TPS7348Q, TPS7350Q 带集成延时复位功能的低压差稳压器特点z有2.5V3V 3.3V 4.85V与5V这几种固定输出型与一种可调输出型器件z集成的精密电源电压监控器可对稳压器的输出电压进行监控z低电平有效的复位信号脉冲宽度为200msz极低压差I=100mA时最大值为35mV TPS7350z低静态电流与负载无关典型值为340Az极低的休眠状态电流最大值0.5Az在整个负载电源与温度范围内固定输出型器件的容限为2% §z输出电流范围为0mA至500 mAz在要求严格的应用中TSSOP封装可降低元件的高度D或P封装PW封装顶视图顶视图NC内部不连接† SENSE仅限于固定电压器件TPS7325TPS7330TPS7333TPS7348与TPS7350‡ FB仅限于可调输出器件TPS7301描述TPS73xx器件是微功耗低压差LDO稳压器系列中的成员它们的集成延时微处理器复位功能将其与TPS71xx TPS72xx系列低压差稳压器区别开来如果不要求具备精密的延时复位功能则可考虑使用TPS71xx与TPS72xx在欠压条件下TPS73xx的RESET输出脚会在微型计算机与微处理器系统中启动一次复位操作TPS73xx中的内部比较器对稳压器的输出电压进行监控以检测稳定输出电压中的欠压条件如果欠压情况出现RESET输出脚漏极开路NMOS脚接通将RESET信号拉低在欠压条件持续期间RESET脚保持低电平一旦欠压条件消失即开始一次200ms的超时200ms的延时过后RESET脚变为高电平可选器件D与PW封装的器件有盘装与卷装形式在器件型号后加后缀R如TPS7350QDR TPS7301Q可以通过外部电阻分压器进行编程见应用资料芯片形式在25时测试§ TPS7325在全温度范围的基础上有3%的容限¶ TPS71xx与TPS72xx分别是500mA与250 mA输出的稳压器可进行与TPS37xx相似的操作但是没有延时复位的功能TPS72xx系列器件还可以通过其8引脚扁平缩小型封装TSSOP来区分这种封装适合于需要最小封装尺寸的应用用PMOS器件代替典型的PNP旁路晶体管可以使常规LDO的下降电压与静态电流逐级下降因为PMOS器件可用作一个低阻值电阻而下降电压也非常低TPS7350在输出电流为100mA时其最大下降电压为35mV它与输出电流成正比见图1此外因为PMOS通路元件是由电压驱动所以静态电流为低并保持恒定不受输出负载在整个输出电流范围0mA至500mA内典型值为340A影响这两项关键指标大大延长了电池供电系统的使用寿命休眠模式也是该LDO系列的一大特色在EN enable脚上加一个逻辑高电平的信号可关断稳=25时的最大值压器将静态电流减至0.5A TTPS73xx系列既包含2.5V3V 3.3V 4.85V5V的固定输出电压型器件也有一种可调电压型器件输出电压可在1.2V到9.75V范围内编程在电源负载与温度范围内规定输出电压的最大容限为2%对于2.5V器件与可调器件则为3%TPS37xx系列有PDIP8脚SO8脚与TSSOP20脚这几种封装形式TSSOP的最大高度为1.2mm图1 下降电压与输出电流的关系† TPS7325, TPS7330, TPS7333, TPS7348, TPS7350固定电压型器件‡ 电容的选择非常重要详情见应用资料一节图2 典型应用配置TPS73xxY的芯片信息这些芯片若正确装配则会呈现出与TPS73xxQ类似的特性可对掺杂铝质焊片进行热压缩或超声波焊接芯片可以用导电环氧树脂或金-硅压片安装焊片配置芯片厚度典型值15焊片最小4X4=150T容限10%所有的尺寸均以密耳为单位† SENSE仅限于固定电压器件TPS7325TPS7330TPS7333TPS7348与TPS7350‡ FB仅限于可调输出器件TPS7301注A对于多数应用OUT与SENSE脚应连接在尽可能靠近器件的位置其它信息请参考本数据手册的应用资料一节中有关SENSE脚连接法的论述功能方框图§ 对于多数应用SENSE脚应在外部连接到OUT脚尽可能地靠近器件其它信息请参考应用资料一节中有关SENSE脚连接法的论述¶ 开关位置如图所示EN脚为低电平有效时序图† Vres是有效RESET要求的最小输入电压符号Vres还未列入EIA或JEDE半导体符号体系标准在工作温度范围内自然通风的极限参数除非另有说明‡输入电压范围§VI RESET SENSE EN0.3V至11V输出电流IO2A 持续总功耗见额定功耗表1和表2工作实际结温范围TJ55到150贮存温度范围Tstg65到150引线温度距外壳1.6mm1/16英寸10秒260‡ 强度超出所列的极限参数可能导致器件的永久性损坏这些仅仅是极限参数并不意味着在极限条件下或在任何其它超出推荐工作条件所示参数的情况下器件能有效工作延长在极限参数条件下的工作时间会影响器件的可靠性§ 所有的电压值均相对于网络端点地network terminal ground额定功耗表1自然通风温度见图3额定功耗表2外壳温度见图4† 对于使用TSSOP封装时需考虑的功耗问题请参考热信息一节最大持续功耗与自然通风温度的关系最大持续功耗与外壳温度的关系图3 图4推荐工作条件† 推荐工作条件中定义的最小输入电压指规定的最大输出电压加上最大规定负载范围内的下降电压V DO 因为下降电压是输出电流的函数所以可用范围可扩展到更轻的负载可用以下公式计算指定应用中最大负载电流情况下的最小输入电压V I min=V O max+V DO max load因为TPS7301是可编程的在应用以上公式之前应该用r DS(on)来计算VDO 用r DS(on)计算VDO的公式见TPS7301电气特性表下的注释2最小值2.97V适用于TPS7301的推荐输入电压范围极限值的下限电气特性I=10mA, EN=0V, C O=4.7F(CSR‡=1), SENSE/FB短接到OUT时除非另有说明O‡ CSR补偿串联电阻指串联电阻的总阻值包括电容器的等效串联电阻ESR任何外部串联电阻端的PWB连线电阻与接到CO§ 采用脉冲测试技术来使实际结温尽可能地接近周围环境温度必须单独考虑热效应TPS7301Q 的电气特性IO =10mA, V I =3.5V , EN =0V , C O =4.7F(CSR†=1), FB 短接到OUT 时除非另有说明† CSR 补偿串联电阻指串联电阻的总阻值包括电容的等效串联电阻ESR任何外部串联电阻与接到C O 端的PWB 连线电阻‡ 采用脉冲测试技术来使实际结温尽可能地接近周围环境温度必须单独考虑热效应§ 用闭环配置可将输出电压编程为2.5V 见应用资料注1 当VI <2.9V 同时I O >150mA 时通路元件r DS(on)上升到某值见图33此时所得的下降电压使稳压器不能保持规定的容限范围2 要计算下降电压可用公式V DO =I O r DS(on)r DS(on)是输出电流与输入电压的函数此参数表列出了V I =2.4 V , 2.9 V , 3.9 V 与5.9 V 时的r DS(on)它们分别与2.5 V, 3 V, 4 V , 6 V 编程输出电压的下降情况对应其它可编程值请参考图33TPS7325Q的电气特性I=10mA, V I=3.5V, EN=0V, C O=10F(CSR†=1), SENSE短接到OUT时除非另有说明† CSR补偿串联电阻指串联电阻的总阻值包括电容的等效串联电阻ESR任何外部串联电阻与端的PWB连线电阻接到CO‡ 采用脉冲测试技术来使实际结温尽可能地接近周围环境温度必须单独考虑热效应§ 下降测试与通路元件的串联电阻测试不是生产测试测试方法要求SENSE端从输出电压端断开TPS7330Q的电气特性I=10mA, V I=4V, EN=0V, C O=4.7F(CSR†=1), SENSE短接到OUT时O除非另有说明† CSR补偿串联电阻指串联电阻的总阻值包括电容的等效串联电阻ESR任何外部串联电阻与接到C端的PWB连线电阻O‡ 采用脉冲测试技术来使实际结温尽可能地接近周围环境温度必须单独考虑热效应TPS7333Q的电气特性I=10mA, V I=4.3V, EN=0V, C O=4.7F(CSR†=1), SENSE短接到OUT时除非另有说明† CSR补偿串联电阻指串联电阻的总阻值包括电容的等效串联电阻ESR任何外部串联电阻与端的PWB连线电阻接到CO‡ 采用脉冲测试技术来使实际结温尽可能地接近周围环境温度必须单独考虑热效应TPS7348Q的电气特性I=10mA, V I=5.85V, EN=0V, C O=4.7F(CSR†=1), SENSE短接到OUTO时除非另有说明† CSR补偿串联电阻指串联电阻的总阻值包括电容的等效串联电阻ESR任何外部串联电阻与端的PWB连线电阻接到CO‡ 采用脉冲测试技术来使实际结温尽可能地接近周围环境温度必须单独考虑热效应TPS7350Q的电气特性I=10mA, V I=6V, EN=0V, C O=4.7F(CSR†=1), SENSE短接到OUT时O除非另有说明† CSR补偿串联电阻指串联电阻的总阻值包括电容的等效串联电阻ESR任何外部串联电阻与端的PWB连线电阻接到CO‡ 采用脉冲测试技术来使实际结温尽可能地接近周围环境温度必须单独考虑热效应开关特性电气特性I=10mA, EN=0V, C O=4.7F(CSR†=1), T J=25, SENSE/FB短接到OUT时除非另有说明† CSR补偿串联电阻指串联电阻的总阻值包括电容的等效串联电阻ESR任何外部串联电阻与接到C端的PWB连线电阻O‡ 采用脉冲测试技术来使实际结温尽可能地接近周围环境温度必须单独考虑热效应TPS7301Y的电气特性I=10mA, V I=3.5V, EN=0V, C O=4.7F(CSR†=1), T J=25, FB短接到OOUT时除非另有说明† CSR补偿串联电阻指串联电阻的总阻值包括电容的等效串联电阻ESR任何外部串联电阻与端的PWB连线电阻接到CO‡ 采用脉冲测试技术来使实际结温尽可能地接近周围环境温度必须单独考虑热效应§ 用闭环配置可将输出电压编程为2.5V见应用资料注<2.9V同时I O>150mA时通路元件r DS(on)上升到某值见图33此时所得的下降电压将使1当V稳压器不能保持规定的容限范围2要计算下降电压可用公式V=I O r DS(on)r DS(on)是输出电流与输入电压的函数此参数表列出了V I=2.4 V, 2.9 V, 3.9 V与5.9 V时的r DS(on)它们分别与2.5 V, 3 V, 4 V, 6 V编程输出电压的下降情况对应其它可编程值请参考图33TPS7325Y的电气特性I=10mA, V I=3.5V, EN=0V, C O=10F(CSR†=1), T J=25, SENSE短接O到OUT时除非另有说明† CSR补偿串联电阻指串联电阻的总阻值包括电容的等效串联电阻ESR任何外部串联电阻与端的PWB连线电阻接到CO‡ 采用脉冲测试技术来使实际结温尽可能地接近周围环境温度必须单独考虑热效应§ 下降测试与通路元件的串联电阻测试不是生产测试测试方法要求SENSE端从输出电压端断开TPS7330Y的电气特性I=10mA, V I=4V, EN=0V, C O=4.7F(CSR†=1), T J=25, SENSE短接O到OUT时除非另有说明† CSR补偿串联电阻指串联电阻的总阻值包括电容的等效串联电阻ESR任何外部串联电阻与端的PWB连线电阻接到CO‡ 采用脉冲测试技术来使实际结温尽可能地接近周围环境温度必须单独考虑热效应TPS7333Y的电气特性I=10mA, V I=4.3V, EN=0V, C O=4.7F(CSR†=1), T J=25, SENSE短接O到OUT时除非另有说明† CSR补偿串联电阻指串联电阻的总阻值包括电容的等效串联电阻ESR任何外部串联电阻与端的PWB连线电阻接到CO‡ 采用脉冲测试技术来使实际结温尽可能地接近周围环境温度必须单独考虑热效应TPS7348Y的电气特性I=10mA, V I=5.85V, EN=0V, C O=4.7F(CSR†=1), T J=25, SENSE短O接到OUT时除非另有说明† CSR补偿串联电阻指串联电阻的总阻值包括电容的等效串联电阻ESR任何外部串联电阻与端的PWB连线电阻接到CO‡ 采用脉冲测试技术来使实际结温尽可能地接近周围环境温度必须单独考虑热效应TPS7350Y的电气特性I=10mA, V I=6V, EN=0V, C O=4.7F(CSR†=1), T J=25, SENSE短接O到OUT时除非另有说明† CSR补偿串联电阻指串联电阻的总阻值包括电容的等效串联电阻ESR任何外部串联电阻与端的PWB连线电阻接到CO‡ 采用脉冲测试技术来使实际结温尽可能地接近周围环境温度必须单独考虑热效应参数测试资料图5 测试电路与电压波形† 陶瓷电容图6 典型稳定区域的测试电路参照图29至图32典型特性曲线典型特性图列表静态电流与输出电流的关系静态电流与输入电压的关系图7 图8TPS7348的静态电流与自然通风温度的关系TPS7325的静态电流与输入电压的关系图9 图10TPS7325的静态电流与自然通风温度的关系下降电压与输出电流的关系图11 图12下降电压的变化量与自然通风温度的关系TPS7301的下降电压与输出电流的关系图13 图14输出电压的变化量与自然通风温度的关系输出电压与输入电压的关系图15 图16TPS7325的输出电压与输入电压的关系电源调节图17 图18TPS7301的输出电压与输出电流的关系TPS7325的输出电压与输出电流的关系图19 图20TPS7330的输出电压与输出电流的关系TPS7333的输出电压与输出电流的关系图21 图22TPS7348的输出电压与输出电流的关系TPS7350的输出电压与输出电流的关系图23 图24对使能信号EN的输出电压响应图25TPS7301V O被编程为2.5V或TPS7333的负载瞬态响应图26TPS7325的负载瞬态响应图27TPS7348或TPS7350的负载瞬态响应图28TPS7301V O被编程为2.5V的电源瞬态响应图29TPS7333的电源瞬态响应图30TPS7348或TPS7350的电源瞬态响应图31纹波抑制与频率的关系 输出噪声频谱密度与频率的关系图32 图33典型稳定区域补偿串联电阻CSR †与输出电流的关系典型稳定区域补偿串联电阻CSR †与外加陶瓷电容的关系图34 图35典型稳定区域补偿串联电阻CSR †与输出电流的关系典型稳定区域补偿串联电阻CSR †与外加陶瓷电容的关系图36 图37通路元件电阻与输入电压的关系 有效RESET 最小输入电压与自然通风温度的关系图38 图39负向复位门限与自然通风温度的关系RESET输出电流与输入电压的关系图40 图41复位延迟时间与自然通风温度的关系复位延时的分布图42 图43热信息为适应系统微型化的潮流集成电路多采用低剖面小口距的表面安装封装形式在使用这种封装形式的高性能器件时多数要特别注意其功耗许多由系统决定的问题例如热耦合通风所采用的散热片对流面以及其它发热元件的使用都会影响指定元件的功耗极限以下会讨论可以改善热性能的三种基本方法z 改善PWB 设计的功耗容量z 改进元件与PWB 的热耦合z 将气流引入系统图44是20脚TSSOP 封装的热性能增强型PWB 布局实例这种布局方法包括加铜块到PWB 来将热量导离器件用于该元件/电路板系统的R JA 热电阻结点到周围环境如图45所示这一系列曲线图显示了扩大铜散热片表面面积的所产生的影响该PWB 是标准的FR4电路板长X 宽X 高=3.2英寸X 3.2英寸X 0.062英寸电路板的连线与散热片为1盎司每平方英尺的铜料图46显示了用于同一系统的热电阻同时在TSSOP 封装的主体部分与器件下方的PWB 铜面之间加置了导热化合物此例中化合物的导热性为0.815W/m根据这些图形来确定系统的R JA 最大功耗极限可由以下公式算出P D(max) = [T J(max) – T A ]/ R JA (system)其中T J(max)指允许的最高结温150的极限参数与125的最高推荐工作温度用于特定的操作此极限应该用于TPS73xx 稳压器的内部功耗限制计算TPS73xx 内部总功耗的公式为P D(total)=V I V O I O +V I I Q因为TPS73xx 系列产品的静态电流很低第二部分可以被忽略可将以上从公式进一步简化为P D(total)=V I V O I O对于一个20脚的TSSOP/FR4电路板系统若在电路板与器件主体之间带有导热化合物且TA =55气流=100英尺/分钟铜散热片的面积=1cm 2则可以算出其最大功耗极限 如图46所示系统R JA为94/W 因此最大功耗极限是PD(max) = [T J(max) – T A ]/ R JA (system)=12555/94/W=745mW 如果系统采用的是TPS7348稳压器此时VI =6V I O =150mA 内部功耗则为PD(total)=V I V OI O =64.850.150=173 mW比较P D(max)与P D(total)则可发现此例中的功耗未超出最大极限在超出最大极限时有两种校正措施可使用可通过增加气流或散热片的面积来增加功耗极限值或者可以通过减少输入电压或负载电流来降低稳压器的内部功耗无论用哪种方法都要以新的系统参数来重新进行以上计算过程图44 20脚TSSOP的热性能增强型PWB布局不按比例热电阻结点到周围环境与气流的关系热电阻结点到周围环境与气流的关系图45 图46应用资料TPS73xx系列低压差稳压器弥补了前一代稳压器的许多不足之处增加了许多新的特色设计如节电关断模式与电源电压监控器TPS73xx系列含有五种固定输出电压的稳压器TPS7325 (2.5 V), TPS7330 (3 V), TPS7333(3.3 V), TPS7348 (4.85 V)和TPS7350 (5 V)该系列还可有一种可调稳压器TPS7301可调电压范围 1.2V至9.75V器件的工作TPS73xx系列产品不像其它的LDO它们以极低的静态电流为特点其静态电流即使在变化不定的负载下也可以保持恒定传统LDO稳压器使用的是PNP通路元件其基极电流与流过稳压器的负载电流成/仔细审阅数据手册可发现对这些器件的典型规定值是在无负载的条件下的参数实际正比IB=I工作电流则要高得多如典型静态电流与负载电流的关系曲线图图7所示TPS73xx用PMOS晶体管来传送电流因为PMOS元件的栅极是由电压驱动的所以工作电流低并且在全负载范围内是不可变的TPS73xx的规格参数反映了有负载时的实际性能的增加以维持负载电PNP通路元件的其它缺陷是在器件下降时PNP元件易于饱和的下降迫使I流在上电期间这就被当作是较大的启动电流限定电源电流的系统可能不能启动在电池供电的系统中当电压降低到要求的最小调节电压以下时则意味着电池被快速放电而TPS73xx即使是在稳压器下降时其静态电流也保持为低因而可以避免这两种问题TPS73xx系列还包括一个4.85V的稳压器TPS7348它是专为5V的移动电话系统设计输出电压为4.85V并且可以在2%的范围内进行调节可以在容限为5%的5V系统的下限工作因此在器件下降之前可以从电池组获得最长的稳定工作寿命包括每次充电之间的重要通话时间TPS73xx系列产品还以关断模式为特点可以将输出端置于高阻抗状态实质上等于反馈分压电阻并将静态电流降低到0.5A在不使用关断功能时应将EN脚接地器件对使能端的跃变反应很快重建稳定输出电压的典型时间是120s最小负载要求TPS73xx系列产品即使是在负载为0时也可保持稳定工作时没有最小负载要求SENSE端的连接为了使稳压器正常工作固定输出器件的SENSE端必须连接到稳压器的输出端通常这种连接应尽可能短但是可以在靠近关键回路处远程检测进行连接以增强该处的性能在内部SENSE端通过电阻分压器网络连接到一个高阻抗宽带放大器噪声拾取则馈送到稳压器的输出端按这种方法连接SENSE端是很有必要的这样可以最小化或避免噪声拾取不推荐在SENSE与OUT端之间加一个RC 网络来滤除噪声因为这种方法可能会导致稳压器振荡外部电容要求不需要输入电容但是当TPS73xx位于离电源几英寸远的地方时使用陶瓷旁路电容0.047pF到0.1 F可以改善负载瞬态响应与噪声抑制功能如果预计在快速上升时间内会出现大负载几百毫安瞬变现象则可能需要一个大电容量的电解电容与多数低压差稳压器一样TPS73xx系列产品也需要一个输出电容来保持稳定一个连接在稳压器输出端与地线之间的低ESR等效串联电阻10F的固态钽电容就足以保证全负载范围内器件的稳定性见图42使用高频率的陶瓷或薄膜电容例如用于数字或模拟IC的电源旁路电容会导致稳压器不稳定除非钽电容的ESR在温度范围内低于1.2明确标出ESR规格的电容如AVX TPSD106M035R0300与Sprague 593D106X0035D2W就很适合因为25时最大ESR为300m通常当温度从25下降到40时固态钽电容的ESR则要乘以2或小于2的因数在对元件的高度与/或安装面积有要求的应用中可以使用对ESR进行了筛选的10F或者更小的器件图29到图32显示了使用不同输出电容与不同陶瓷负载电容时的稳定工作区域在带有小旁路电容<0.2F或者不带高频旁路电容的应用中假如ESR保持在0.7至2.5之间输出电容就可减少至4.7F因为对电容的最小ESR的规定很少必须加一个与电容串联的0.5到1的电阻并将ESR的最大值限制在1.5以内如CSR曲线图图29到图32所示在使用10F或更大的输出电容时可以不用考虑最小ESR以下是适合TPS73xx系列产品的部分表面安装的电容列表这些信息与CSR典线图均是为了帮助用户选择适合的电容器若要使器件的高度更低同时需要高输出电流与/或陶瓷高负载电容可以并联几种较高ESR的电容来达到以上要求所有的负载与温度条件下最大1F的陶瓷负载电容器件号制造商数值最大ESR†大小高长宽†T421C226M010AS Kemet22F, 10 V0.5 2.86 3.2593D156X0025D2W Sprague15F, 25 V0.3 2.87.3 4.3593D106X0035D2W Sprague10F, 35 V0.3 2.87.3 4.3TPSD106M035R0300A VX10F, 35 V0.3 2.87.3 4.3负载<200mA陶瓷负载电容<0.2F全温度范围器件号制造商数值最大ESR†大小高长宽†592D156X0020R2T Sprague15F, 20 V 1.1 1.27.26595D156X0025C2T Sprague15F, 25 V1 2.57.1 3.2595D106X0025C2T Sprague10F, 25 V 1.2 2.57.1 3.2293D226X0016D2W Sprague22F, 16 V 1.1 2.87.3 4.3负载<100mA陶瓷负载电容<0.2F全温度范围器件号制造商数值最大ESR†大小高长宽†195D106X06R3V2T Sprague10F, 6.3 V 1.5 1.3 3.5 2.7195D106X0016X2T Sprague10F, 16 V 1.5 1.37 2.7595D156X0016B2T Sprague15F, 16 V 1.8 1.6 3.8 2.6695D226X0015F2T Sprague22 F, 15 V 1.4 1.8 6.5 3.4695D156X0020F2T Sprague15F, 20 V 1.5 1.8 6.5 3.4695D106X0035G2T Sprague10F, 35 V 1.3 2.57.6 2.5† 尺寸大小以毫米为单位ESR是100kHz T A=25时的最大电阻器件按高度排序† TPS7333, TPS7348, TPS7350固定电压产品图47 典型应用电路对TPS7301可调低压差稳压器进行编程通过图43所示的外部电阻分压器可以对可调稳压器编程计算输出电压的公式为= Vref 1+R1/R2V其中Vref指基准电压典型值为1.182V电阻R1与R2是为7A左右的分压器电流而选择推荐的R2阻值为169k而R1则根据所需的输出电压来调节也可使用更小的电阻但是具备内在优势而且会消耗更多电能应避免使用较大阻值的R1与R2因为FB脚上的漏泄电流会引起误差为计算R1可推导出一个更有用的公式可用于选择恰当的电阻R1=V O / Vref 1R2输出电压编程指南图48 对TPS7301可调低压差稳压器进行编程欠压监控功能在欠压情况下TPS73xx的RESET输出脚可在微型计算机与微处理器系统中启动一次复位操作TPS73xx的内部比较器监控稳压器的输出电压来检测欠压情况一旦这种情况出现RESET输出晶体管接通将RESET信号拉低上电时输出电压跟踪输入电压在V达到有效RESET信号要求的最小值25时为1.5V在推荐的工作温度范围内为 1.9V时RESET输出端变为有效低电平在输出电压大约达到正向输入门时一次200ms典型值的延时开始在此期间RESET输出端保持低电平一旦延时限电压V终止RESET输出端变为无效因为RESET输出端是漏极开路NMOS需要加上拉电阻以确保可以显示逻辑高电平信号在掉电期间该电源电压监控功能也有效在输入电压衰减并且达到下降电压时输出电压与逐见电气特步衰减的输入电压成线性比例当输出电压下降到低于规定的负向输入门限电压V性表时RESET输出端变为有效低电平必须注意如果输入电压衰减到有效RESET要求的最小电压以下则RESET的状态不确定因为该电路监控着稳压器的输出电压RESET输出端也可以通过禁止稳压器或者通过任何导致输出电压下降到低于V的故障条件来触发这类故障情形包括例如输出端的短路或输入电压低一旦输IT出电压被重新设置无论是通过重新使能稳压器还是通过排除故障条件内部定时器就会被启动这样就会使RESET信号在200ms典型值的超时周期内处于有效状态如果在选择输入与输出电容时不适当地加以注意瞬变负载或电源线脉冲也有可能导致复位如果使用的是高ESR输出电容大约大于7则5s以下的负载瞬变现象也会导致一次复位若使用的是ESR大于3.5的输出电容则1s的瞬变就会导致复位注意瞬变现象中输出电压的峰值会下降到刚好低于复位门限并且如果瞬变持续的时间短这一峰值电压还会保持不变在触发复位电路以前1s的瞬变必须下降到低于门限至少500mV在正好低于门限电压400mV时2s的瞬变会触发RESET较低的ESR输出电容在瞬变中有助于减少输出电压的下降程度而且在希望瞬变快速进行时也应该采用较低ESR的输出电容注V= V IT + 滞后量IT+输出噪声TPS73xx的输出噪声极低其噪声频谱密度<2V/Hz在噪声敏感的系统如音频放大器由稳压器供电时这一点是非常重要的稳压器保护TPS73xx的PMOS通路晶体管有一个内置的反向二极管在输入电压下降到输出电压以下时例如在掉电期间可以安全地传导反向电流电流被从输出端导向输入端并且在内部不受限制如果预计有较大的反向电压那么采取外部限制措施可能比较适合TPS73xx还具有内部电流限制与热保护的特点在正常工作期间TPS73xx将输出电流限制在1A左右在电流受到限制时输出电压按线性规律反比例变化直到过流情况结束为止在电流限制功能被设计成防止整个器件出现故障时必须注意不要超过封装的额定功耗如果器件的温度超过165热保护电路则会将器件关断一旦器件冷却下来稳压器就可恢复工作。

fdxns35aa参数1.什么是f dxns35a a参数？f d xn s35a a参数是一种使用在某个系统或软件中的特殊参数。

它具有一定的功能和意义，并且在特定环境下被广泛应用。

在本文中，我们将详细介绍f dx ns35aa参数的含义、用法以及相关注意事项。

2. fd xns35aa参数的含义f d xn s35a a参数是在某个系统中被用于控制和配置特定功能的一种参数。

它通常是由系统开发人员设定的，并且对系统的运行和性能具有重要影响。

f dx ns35aa参数的具体含义可能因系统而异，因此在使用之前需要仔细了解其定义和用途。

3. fd xns35aa参数的用法为了正确地使用f dxn s35aa参数，我们需要了解其在系统中的具体用法和配置方法。

下面是一些常见的使用情景和用法示例：3.1配置f d x n s35a a参数-在系统的配置文件中，找到对应的参数项，并使用合适的值进行配置。

-如果系统提供了相关的配置界面，可以通过界面进行参数的配置和修改。

-配置完成后，保存并重启系统，使参数生效。

3.2使用f d x n s35a a参数-在系统的命令行或程序中，可以使用fd x ns35aa参数来控制特定功能的行为。

-参数的具体使用方式可以查阅相关的系统文档或帮助信息，不同系统可能会有所差异。

4.注意事项在使用f dx ns35aa参数时，我们需要注意以下几点：4.1参数范围和取值了解参数的取值范围和限制，并遵守系统要求的使用规则。

不正确的参数取值可能会导致系统异常或功能失效。

4.2参数的影响在配置和使用f dx ns35aa参数时，要注意其对系统性能和行为的影响。

特别是对于一些敏感的参数，需要谨慎修改和调整，以避免不必要的问题和风险。

4.3谨慎修改参数在正常运行的系统中，不建议随意修改参数配置。

如需修改参数，建议先备份原有配置，再进行修改，并进行充分的测试和验证。

5.总结通过本文的介绍，我们了解了fd xn s35aa参数的含义、用法和注意事项。