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模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。
6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。
模电总结复习资料-模拟电子技术基础第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
2.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
3.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
4.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳u-时，uo=+Uom当u+2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。
3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。
4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。
放大器处于“自激振荡”状态。
二．反馈的形式和判断1.反馈的范围----本级或级间。
2.反馈的性质----交流、直流或交直流。
直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。
3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。
（输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。
具有稳定输出电流的作用。
（输出短路时反馈不消失）4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。
Rs越大反馈效果越好。
反馈信号反馈到输入端）串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。
Rs越小反馈效果越好。
反馈信号反馈到非输入端）5.反馈极性-----瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。
（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用+表示，降低用－表示）。
硕士研究生入学《模电数电》课程复习与考试大纲第一部分《模拟电子技术基础》参考书：[1]刘京南主编，电子电路基础。
电子工业出版社，2003[2]康华光主编，电子技术基础，模拟部分（第四版），高等教育出版社，1999一、半导体器件概述（1）PN结及二极管主要内容：半导体及PN结、二极管的基本特性、二极管的电路模型及主要参数、特殊二极管（2）半导体三极管主要内容：三极管的基本工作原理、三极管的基本特性、三极管的电路模型及主要参数（3）半导体场效应管主要内容：结型场效应管、绝缘栅场效应管、场效应管的主要参数及电路模型（4）集成运算放大器主要内容：集成运放的基本特性、理想运放二、基本放大电路（1）放大电路的组成与技术指标主要内容：放大电路的组成、放大电路的技术指标（2）放大电路的稳定偏置主要内容：温度对半导体器件的影响、分压式偏置电路、电流源偏置电路（3）各种基本组态放大电路的分析与比较主要内容：共基极放大电路、共集电极放大电路、场效应管的直流偏置电路、共源极放大电路、共漏极放大电路三、组合放大电路（1）一般组合放大电路主要内容：组合放大电路的级间耦合、组合放大电路的增益、共源—-共射放大电路、共射—共基—共集放大电路（2）差动放大电路主要内容：基本差动放大电路、差动放大电路的传输特性（3）集成运放的典型电路主要内容：偏置电路及输入级、中间级及输出级电路（4）集成运放的参数及实际电路模型主要内容：集成运放的主要参数、集成运放的实际电路模型、运放电路的调零四、放大电路的频率响应（1）放大电路频率响应的有关概念主要内容：幅频响应、相频响应、波特图、上限频率、下限频率（2）单级放大电路频率响应的分析方法主要内容：单管放大电路的高频响应、单管放大电路的低频响应（3）多级放大电路的频率响应主要内容：多级放大电路的高频响应、多级放大电路的低频响应五、反馈放大电路及其稳定性分析（1）反馈的基本概念与分类主要内容：反馈的基本概念、反馈的分类与判断、反馈放大电路的方框图表示及其一般表达式（2）负反馈对放大器性能的改善主要内容：提高放大倍数的稳定性、减少非线性失真、扩展通频带、对输入电阻和输出电阻的影响（3）深度负反馈放大电路的分析计算主要内容：深度负反馈的特点、深度负反馈放大电路的计算（4）负反馈放大电路的稳定性分析及频率补偿主要内容：负反馈电路的稳定性分析、常用的频率补偿方法六、波形产生与整形电路（1）正弦波振荡电路的基本概念主要内容：正弦波振荡器的振荡条件、正弦波振荡器的组成及分类（2）正弦波振荡电路主要内容：RC文氏电桥振荡电路、LC三点式振荡电路、变压器反馈式振荡电路、石英晶体振荡电路（3）非正弦振荡电路主要内容：矩形波振荡电路、三角波振荡电路七、信号运算和处理电路（1）集成运放运算电路主要内容：比例运算电路、加减运算电路、微分与积分电路、对数与反对数电路（2）有源滤波器主要内容：滤波器的基本概念、一阶有源滤波电路、二阶有源滤波电路、状态变量滤波器（3）模拟乘法器主要内容：对数式模拟乘法器、变跨导式模拟乘法器、模拟乘法器应用（4）锁相环电路主要内容：锁相环的基本概念、锁相环的相位模型与系统分析、集成锁相环及其应用八、功率电路（1）功率放大电路主要内容：功率放大电路的特点与分类、互补对称功率放大电路、集成功率放大器（2）串联型直流稳压电路主要内容：稳压电路的主要指标、全波整流电容滤波电路、三端集成稳压器第二部分《数字电子技术基础》参考书：[1] 黄正瑾主编，计算机结构与逻辑设计（第一版），高等教育出版社，1999[2] 康华光主编，电子技术基础，数字部分（第四版），高等教育出版社，1999一、数制和码制（1）数制主要内容：十进制、R进制、二进制、二进制的优点、数制间的转换、八进制与十六进制（2）数的表示方法与格式主要内容：码的概念、二进制码与循环码、十进制数的表示方法、BCD码二、逻辑函数与门电路（1）逻辑代数的基本知识主要内容：三种基本逻辑运算、逻辑代数的基本定律、逻辑代数的基本规则、逻辑代数的常用公式（2）逻辑函数及其描述方法主要内容：逻辑表达式、逻辑图、真值表、卡诺图、标准表达式、最大项和或与表达式（3）门电路的基本知识主要内容：正逻辑与负逻辑、非门的电路模型、其它门电路、门电路的技术要求（4）逻辑函数的简化主要内容：逻辑简化的意义和标准、公式法简化、卡诺图法简化三、组合逻辑电路（1）组合逻辑电路分析主要内容：组合逻辑电路的定义与特点、组合逻辑电路的分析方法、几种常用的组合逻辑模块：编码器、译码器、加法器、数据选择器和数值比较器（2）组合逻辑电路的设计主要内容：组合逻辑电路的设计方法、组合电路的竞争冒险现象及其消除方法（3）可编程逻辑器件(PLD)主要内容：可编程逻辑器件的基本结构、PAL、GAL、FPGA和CPLD的特点及电路结构四、时序逻辑电路（1）触发器的原理和应用主要内容：基本RS触发器、J-K触发器、D触发器等的电路结构、工作原理及动态特性（2）时序逻辑电路分析主要内容：时序电路的特点、描述方法和分析方法、含中规模集成模块的时序逻辑电路的分析（3）常用时序逻辑电路模块主要内容：数据寄存器、移位寄存器、集成移位寄存器、计数器、常用集成计数器、计数器的应用、多片集成计数器构成任意模计数器五、半导体存储器主要内容：ROM、RAM等的电路结构、工作原理和扩展存储容量的方法、用ROM实现组合逻辑函数的方法六、数模与模数转换主要内容：D/A数模转换电路组成、工作原理、功能及主要参数；A/D模数转换电路组成、工作原理、特点及应用七、脉冲的产生和整形电路主要内容：施密特触发器、单稳态触发器和多谐振荡器的工作原理、主要参数的分析方法及应用；555定时器的工作原理及应用。
《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。
3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。
6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
其死区电压：S i管约0。
5V，G e管约为0。
1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。
其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.3 V 。
这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。
三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。
是硅管。
b 、二极管反偏截止。
f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。
《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
2、半导体器件，主要是利用半导体材料制成，如陸和铉。
3、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺朵性。
4、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、品格状的半导体。
5、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
6、半导体中存在两种载流子：自由电了和空穴。
7、P型半导体：在纯净半导体中掺入二价杂质元素,便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流了（称多了）而自由电了为少了。
8、N型半导体：在纯净半导体屮掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
9、PN结具有单向导电性:P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通,P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。
所以正向电流主要曲多了的扩散运动形成的，而反向电流主要由仝子的漂移运动形成的。
10、二极管按材料分有硅管佝管）和猪管G管）,按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。
11、二极管曲一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
P6,图125二极管的伏安特性。
P7, （121式）二极管方程其死区电压：Si管约0.5V, G。
管约为0.1 V。
其导通压降：&管约0.7V, G管约为0.2 V o这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的:①加正向电压时，相当正向导通的二极管。
（压降为0.7V,）②加反向电压时截止，相当断开。
③加反向电压并击穿（即满足U >Uz）时便稳压为Uz。
11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。
12、三极管由两个PN结组成。
从结构看有三个区、两个结、三个极。
（参考PG 三个区：发射区——掺朵浓度很高，其作用是向基区发射电子。
（完整版）模电总结复习资料第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素（多⼦是空⽳，少⼦是电⼦）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素（多⼦是电⼦，少⼦是空⽳）。
6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度，少⼦浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截⽌。
8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通，反向截⽌。
*⼆极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析⽅法------将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。
第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
