第5章6尖晶石
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一、选择题1.(0分)[ID:139238]短周期元素X、Y、Z、W的原子序数依次增大,且原子最外层电子数之和为13。
X的原子半径比Y的小,X与W同主族,Z是地壳中含量最高的元素。
下列说法正确的是A.原子半径的大小顺序:r(Y)>r(Z)>r(W)B.由X、Y、Z三种元素形成的化合物中只含共价键C.元素Y的简单气态氢化物的热稳定性比Z的强D.Y、W两元素最高价氧化物的水化物均为强电解质2.(0分)[ID:139235]W、X、Y、Z四种短周期元素在元素周期表中的相对位置如图所示,且四种元素的最外层电子数之和为24。
下列说法错误的是()A.单核阴离子的还原性Y强于XB.W的气态氢化物与其最高价含氧酸反应生成离子化合物C.X、Y、Z最简单氢化物中稳定性最弱的是YD.在元素周期表中118号元素与Z位于同一主族3.(0分)[ID:139225]下列事实能说明氯元素原子得电子能力比硫元素原子强的是①还原性:Cl-<S2-②HCl 的酸性比 H2S 强③HCl 的稳定性比 H2S 强④HCl 的还原性比 H2S 强⑤HClO 的酸性比 H2SO4强⑥Cl2能与 H2S 反应生成 S⑦ Cl2与铁反应生成 FeCl3,而 S 与铁反应生成 FeSA.③④⑤⑦B.②③⑥⑦C.①③⑥⑦D.①②③④⑤⑥⑦4.(0分)[ID:139295]元素周期表中某区域的一些元素多用于制造半导体材料,它们是A.左下方区域的金属元素B.右上方区域的非金属元素C.金属元素和非金属元素分界线附近的元素D.稀有气体元素5.(0分)[ID:139288]四种元素的基态原子的电子排布式如下:① 1s22s22p63s23p4;②1s22s22p63s23p3;③1s22s22p3;④1s22s22p5。
则下列有关比较中正确的是A.原子半径:④>③>②>①B.第一电离能:④>③>②>①C.电负性:④>③>②>①D.最高正化合价:④>③=②>①6.(0分)[ID:139284]下列说法正确的是A.19世纪末,人类开始揭开了原子内部结构的秘密,最先发现电子的科学家是英国化学家道尔顿B.若a A n+与b B2-两种离子的核外电子层结构相同,则a=b+n+2C.氢氧化铁胶体、葡萄糖溶液用激光笔照射,均能观察到一条光亮的通道D.有人设想通过特殊的方法将碳酸钙加工成为纳米碳酸钙,纳米碳酸钙是胶体7.(0分)[ID:139271]下列有关说法中正确的是A.钠原子由1s22s22p63s1→1s22s22p63p1时,原子释放能量,由基态转化成激发态B.价电子排布为4s24p3的元素位于第四周期第ⅤA族,是p区元素C.p轨道电子能量一定高于s轨道电子能量D.PCl5各原子最外层均达到8电子稳定结构8.(0分)[ID:139269]非金属单质溴与氯气的性质很相似。
第五章硅外延生长1、解释名词:①*自掺杂:外延生长时由衬底、基座和系统等带来的杂质进入到外延层中的非人为控制的掺杂称为自掺杂。
②外扩散:在外延生长中,由于是在高温条件下进行的,衬底中的杂质会扩散进入外延层致使外延层和衬底之间界面处的杂质浓度梯度变平的现象。
③外延夹层:外延层和衬底界面附近出现的高阻层或反形层。
④双掺杂技术:在外延生长或扩散时,同时引入两种杂质。
因为原子半径不同而产生的应变正好相反。
当两种杂质原子掺入比例适当时,可以使应力互相得到补偿,减少或避免发生晶格畸变,从而消除失配位错的产生。
这种方法叫作双掺杂技术。
⑤SOS技术:在蓝宝石或者尖晶石衬底上外延生长硅。
⑥SOI技术:把器件制作在绝缘衬底上生长的硅单晶层上。
(当器件尺寸缩小到亚微米范围以内时,常规结构就不适应了,导致了SOI结构的发展)⑦SIMOX:氧注入隔离,通过氧离子注入到硅片,再经高温退火过程消除注入缺陷而成。
⑧SDB&BE:直接键合与背面腐蚀技术。
将两片硅片通过表面的S i O2层键合在一起,再把背面用腐蚀等方法减薄来获得SOI结构。
⑨ELTRAN:外延层转移,在多孔硅表面上可生长平整的外延层,并能以合理的速率将多孔硅区域彻底刻蚀掉,该技术保留了外延层所具有的原子平整性,在晶体形成过程中也不产生颗粒堆积或凹坑,因此具有比其它SOI技术更为优越的性能。
⑩Smart-Cut:利用H+注入Si片中形成气泡层,将注氢片与另一片支撑片键合,经适当的热处理,使注氢片从气泡层完整剥离形成SOI结构。
2、*(简述)详述影响硅外延生长速率的因素。
答:①S i CL4浓度:生长速率随浓度的增加增大并达到一个最大值,以后由于腐蚀作用增大,生长速率反而降低。
②*温度:当温度较低时,生长速率随温度升高而呈指数变化,在较高温度区,生长速率随温度变化比较平缓,并且晶体完整性比较好。
③气流速度:在反应物浓度和生长温度一定时,生长速率与总氢气流速平方根成比例关系,但到极限时不在增加。
摘要近年来,Co基尖晶石氧化物材料在诸多领域得到了广泛的应用。
实验上通过掺杂、结构和形貌设计、引入氧空位等手段大大提升了Co基尖晶石材料的性能。
然而,实验上对于性能提升的机制,往往难以给出清晰的物理解释,因此需要从材料微观角度深入研究其结构和电子结构等性质。
本文采用第一性原理计算方法,研究了Co基尖晶石材料的原子结构与电子结构特性,系统分析了它们对宏观性质产生影响的作用机理。
主要结论包括以下几个方面:1)我们发现高温下MCo2O4(M=Ni、Co、Mn)在考虑构型熵的贡献时,反尖晶石构型比正尖晶石构型更稳定,并且具有更高的电子电导率。
在反尖晶石结构MnCo2O4和NiCo2O4中,Mn与Ni的3d电子态贡献了其费米能级附近的能态。
从晶体场理论的角度看,处于八面体场中的Mn与Ni二重简并的e g轨道发生较弱的劈裂,劈裂后能级相近的两个轨道分别作为导带与价带。
所以MnCo2O4和NiCo2O4具有较好的导电性。
并且我们发现F掺杂与O空位能进一步提升MnCo2O4的导电性。
2)我们研究了基态上最稳定的正尖晶石NiCo2O4,发现在NiO4四面体中发生了姜-泰勒畸变,从而导致NiCo2O4由立方相转变为四方相,电子结构由金属性转变为半导体性。
由于Ni-d xz、Ni-d yz与O-2p轨道存在共价键的相互作用,因此导致姜-泰勒畸变,并且释放出0.84 eV(每化学式)的能量。
3)从理论上证明了P掺杂Co3O4时更倾向于替换Co原子而不是O原子。
P 在富氧环境中更易作为电子施主,这和Co在Co3O4中失电子的属性一致,而和O得电子属性相矛盾,这导致P掺杂O位在热力学上不稳定,并且P掺杂能有效的提高电导率。
这一研究结果,和主流实验文献中提出的P替换Co位的机理不同。
关键词:超级电容器; 尖晶石结构; 第一性原理计算; 电子结构AbstractIn recent years, Co-based spinel materials have been widely used in many fields. Experimentalist can improve the performance of Co-based spinel materials through doping, designing structural morphology, and creating oxygen vacancies. However, it is difficult from experiment itself to give a clear explanation to the underlying mechanism behind the improved performance, and thus it is necessary to study the structural and electronic structures of these materials from atomic level. In this thesis, we have studied the atomic and electronic structures of the Co-based spinel materials from first-principles calculations, and analyzed the microscopic mechanism behind the macroscopic properties systematically. The main conclusions are summarized below:1) We found that the inverse spinel configurations of MCo2O4 (M = Ni、Co、Mn)at higher temperatures is more stable than the spinel configurations with better electronic conductivity when the contribution of configurational entropy is considered. In the inverse spinel structures MnCo2O4 and NiCo2O4, the 3d orbitals of Mn and Ni atoms contribute the main part of the states near the Fermi level. From the crystal field theory, the double degenerate e g orbitals of Mn and Ni split slightly under the octahedral crystal field, and the resulting two orbitals, whose energy level separation is small, exhibit as conduction and valence bands of the system. As a result, MnCo2O4 and NiCo2O4 have better conductivity comparing with Co3O4.It is also found that F doping and O vacancies can further improve the conductivity of MnCo2O4.2) We studied the stable spinel NiCo2O4, and found that Jahn-Teller (J-T) distortion in the NiO4 tetrahedron caused the transformation of NiCo2O4 from cubic phase to tetragonal phase, and the electronic structure changes from metallic to semiconducting. Due to the covalent bonding interaction between Ni-d xz, Ni-d yz, and O-2p orbits, J-T distortion results in the energy release of 0.84 eV (per chemical formula).3) From energetic point of view, it is demonstrated that P atoms prefer to replace Co atoms, rather than O atoms in the P-doped Co3O4. P atoms are likely to act as an electron donor in an oxygen-rich environment, which is consistent with the electron-loss characteristics of Co atoms in Co3O4. The electronic properties of P andO in the P-doped Co3O4 make P atoms at O-sites being thermodynamically unstable. These results propose new mechanisms on P-doped Co-based spinel materials.Key words: supercapacitors; spinel structures; first-principles calculation; electronic structure目录摘要 (I)Abstract (II)目录.......................................................................................................................... I V 第一章绪论.. (1)1.1引言 (1)1.2AB2O4型材料的应用 (1)1.3Co基AB2O4材料的研究现状 (2)1.4 Co基AB2O4型材料研究存在的问题 (3)1.5本论文的研究内容 (4)第二章第一性原理计算方法概述与晶体场理论基础 (5)2.1第一性原理简介 (5)2.1.1 Born-Oppenheimer近似——绝热近似 (6)2.1.2单电子近似 (7)2.1.3 Hohenberg-Kohn定理 (7)2.1.4 Kohn-Sham方程 (8)2.2晶体场理论 (8)第三章MCo2O4(M=Mn、Ni、Co)材料的结构及电子结构研究 (12)3.1计算方法与模拟 (13)3.2 MCo2O4(M=Mn、Ni、Co)的原子结构 (13)3.3 MCo2O4(M= Mn、Ni、Co)的电子结构 (16)3.4 F掺杂与O空位对MnCo2O4电子结构的影响 (18)3.5本章总结 (20)第四章尖晶石NiCo2O4材料中NiO4四面体的姜-泰勒效应 (22)4.1计算方法与模拟 (22)4.2 NiCo2O4的原子结构 (23)4.2 NiCo2O4的电子结构 (25)4.3本章总结 (28)第五章尖晶石结构Co3O4的P掺杂第一性原理计算 (30)5.1计算方法与模拟 (30)5.2 P掺杂Co3O4 (31)5.3 P掺杂Co3O4(100)(110)表面 (35)5.4本章小结 (38)结论与展望 (40)参考文献 (42)致谢 (46)钴基尖晶石型氧化物材料的结构与电子结构研究第一章绪论1.1引言尖晶石结构属于Fd3m空间群,按对称性分布,含有8a、16d、32e三种Wyckoff 位置。