9 5/22/08
AOS 可靠性试验
Item
Test Name (试验名)
Condition (条件)
1
HTS
High Temperature Storage (高温储存试验)
温度=150度, 无偏压 500hrs, 1000hrs
2
HTGB
High Temperature Gate Bias (高温Gate偏压试验)
▪ 目的:评估器件在电和温度作用下的持久能力 ▪ Reference: JESD22-A108
150℃/ 80%Vdsmax
13 5/22/08
ESD test
♦ Electrostatic Discharge (ESD,静电放电) is a
single-event, rapid transfer of electrostatic charge between two objects, usually resulting when two objects at different potentials come into direct contact with each other. ♦ ESD是通过直接接触或电场感应等潜在引起的不同静电在 物(人)体间的非常快速的电荷转移的一个强电流现象 ♦ 它会破坏或损害半导体器件而导致其电性能退化及损害.
16 5/22/08
CDM ESD
♦ CDM:Charged Device Mode (器件放电模式).
♦ 器件放电模式ESD测试:带静电元器件上的静电向低电压 物体释放的现象 ▪ Reference: JESD22-C101
17 5/22/08
Precon
♦ 预处理试验: 评估器件在包装,运输 ,贴片过程中的