EMI抑制方法分析研究
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高频开关变换器中EMI产生的机理及其抑制方法• 1 前言开关电源具有体积小、重量轻、效率高等特点,广泛用于通信、自动控制、家用电器、计算机等电子设备中。
但是,其缺点是开关电源在高频条件下工作,产生非常强的电磁干扰〔Electromagnet ic Inte rf erence,EMI〕,经传导和辐射会污染周围电磁环境,对电子设备造成影响。
本文从开关电源的电路构造、器件进展分析,讨论了电磁干扰产生的机理及其抑制方法。
2 开关电源电磁干扰〔EMI〕产生的机理开关电源的电磁干扰,按耦合途径来分,可分为传导干扰和辐射干扰。
按噪声干扰源可分为两大类:一类是外部噪声,例如通过电网传输过来的共模和差模干扰、外部电磁辐射对开关电源控制电路的干扰等;另一类是开关电源自身产生的电磁干扰,如开关管、整流管的电流尖峰产生的谐涉及电磁辐射干扰。
其中外部噪声产生的影响可以通过电源滤波器进展衰减,本文不做讨论,仅讨论开关电源自身产生的电磁噪声。
常规交流输入的开关电源主要构造可以分为四大部分,其框图如图1所示。
其中输入与整流滤波部分、高频逆变部分、输出整流与滤波部分是产生电磁干扰的主要来源。
以下将通过对各部分电压、电流波形的分析,说明电磁噪声产生的原因。
2.1 工频整流器引起的电磁噪声一般开关电源为容式滤波,在输入与整流滤波部分电磁噪声主要是由整流过程中造成的电流尖峰、电压波动所引起的。
正弦波电源经过电源滤波器进展差模、共模信号衰减后,由整流桥整流、电解电容滤波,得到的电压作为高频逆变部分的输入电压。
由于滤波电容的存在,使整流器不象纯整流那样一组开通半个周期,而是只在正弦电压高于电容电压时才导通,造成电流波形非常陡峭,同时电压波形变得平缓。
电流、电压的波形如图2所示。
根据Fourier级数,图中的电流、电压波形可分解为直流分量和一系列频率为基波频率整数倍的正弦交流分量之和。
通过电磁场理论以及试验结果说明,谐波〔特别是高次谐波〕会产生传导干扰和辐射干扰。
54差模干扰在电路回路中存在大小相等、方向相反的干扰电流,并且干扰电流在由两根导线组成的回路中传输。
图4.1.1:差模干扰示意图产生的原因差模干扰中的干扰是起源在回路线路之中(直接注入),如同一线路中工作的电机,开关电源,可控硅等,他们在回路上所产生的干扰就是差模干扰。
如何影响设备差模干扰直接作用在设备两端的,直接影响设备工作,甚至破坏设备。
(表现为尖峰电压,电压跌落及中断)如何滤除差模干扰主要采用差模线圈和差模电容。
55差模线圈图4.1.2:差模线圈示意图从图中可知,当电流流过差模线圈之后,线圈里面的磁通是增强的,相当于两个磁通之和,线圈在低频率时低阻抗,高频率时高阻抗,所以在高频时利用它的高阻抗衰减差模信号。
差模电容电容具有低频率高阻抗,高频率低阻抗特性,利用电容在高频时它的低阻抗短路掉差模信号。
图4.1.3:差模电容示意图56共模干扰在电路回路中存在大小相等、方向相同的干扰电流,并且干扰电流在导线与地线中传输。
产生的原因电网串入共模电压、辐射干扰(如雷电) 在信号线上感应出共模电压、接地电压存在电位差引入共模电压。
如何影响设备因为在负载两端没有电位差,所有的共模电流都通过电缆和地之间的寄生电容流向地线,由于电路的非平衡性。
相同的共摸电压会在信号线和信号地线上产生不同的幅度的共模电流。
从而产生差模电压,形成干扰。
如何滤除共模干扰主要采用共模线圈和共模电容。
图4.2.1:共模干扰示意图57共模线圈图4.2.2:共模线圈示意图共模线圈和差模线圈原理比较类似,都是利用线圈高频时的高阻抗来衰减干扰信号。
共模线圈和差模线圈绕线方法刚好相反。
共模线圈对方向相反的电流基本不起作用。
共模电容共模电容的工作原理和差模电容的工作原理是一致的,都是利用电容的高频低阻抗,使高频干扰信号短路,而低频时电路不受任何影响。
只是差模电容是两极之间短路。
而共模电容是线对地短路。
图4.2.3:共模电容示意图58线圈抑制频率响应实际的电感是L 、C 的并联网络(忽略绕组的电阻)它的阻抗特性如图4.3.1所示,图4.3.1:电感频率响应图DM (LC)-1/2从图上可知,在谐振频率以下,呈现电感的阻抗特性,谐振频率以上,呈现电容的阻抗特性,随着频率的升高.阻抗越来越小,失去对干扰的抑制作用。
摘要:开关电源的电磁干扰对电子设备的性能影响很大,因此,各种标准对抑制电源设备电磁干扰的要求已越来越高。
对开关电源中电磁干扰的产生机理做了简要的描述,着重总结了几种近年提出的新的抑制电磁干扰的方法,并对其原理、应用做了简单介绍。
1 引言随着电子设备的大量应用,电源在这些设备中的地位越来越重要,而开关变换器由于体积小、重量轻、效率高等特点,在电源中占的比重越来越大。
开关电源大多工作在高频情况下,在开关器件的开关过程中,寄生元件(如寄生电容、寄生电感等)中能量的高频变化产生了大量的电磁干扰( ElectromagneticInterference , EMI )。
EMI 信号占有很宽的频率范围,又有一定的幅度,经过在电路、空间中的传导和辐射,污染了周围的电磁环境,影响了与其它电子设备的电磁兼容( ElectromagneticCompatibility )性。
随着近年来各国对电子设备的电磁干扰和电磁兼容性能要求的不断提高,对电磁干扰以及新的抑制方法的研究已成为开关电源研究中的热点。
本文对电磁干扰产生、传播的机理进行了简要的介绍,重点总结了几种近年来提出的抑制开关电源电磁干扰产生及传播的新方法。
2 电磁干扰的产生和传播方式开关电源中的电磁干扰分为传导干扰和辐射干扰两种。
通常传导干扰比较好分析,可以将电路理论和数学知识结合起来,对电磁干扰中各种元器件的特性进行研究;但对辐射干扰而言,由于电路中存在不同干扰源的综合作用,又涉及到电磁场理论,分析起来比较困难。
下面将对这两种干扰的机理作一简要的介绍。
2.1传导干扰的产生和传播传导干扰可分为共模( CommonMode CM )干扰和差模( DifferentialMode DM )干扰。
由于寄生参数的存在以及开关电源中开关器件的高频开通与关断,使得开关电源在其输入端(即交流电网侧)产生较大的共模干扰和差模干扰。
2.1.1 共模( CM )干扰变换器工作在高频情况时,由于 dv/dt 很高,激发变压器线圈间、以及开关管与散热片间的寄生电容,从而产生了共模干扰。
EMC问题常常是制约中国电子产品出口的一个原因,本文主要论述EMI的来源及一些非常具体的抑制方法。
电磁兼容性(EMC)是指“一种器件、设备或系统的性能,它可以使其在自身环境下正常工作并且同时不会对此环境中任何其他设备产生强烈电磁干扰(IEEE C63.12-1987)。
”对于无线收发设备来说,采用非连续频谱可部分实现EMC性能,但是很多有关的例子也表明EMC 并不总是能够做到。
例如在笔记本电脑和测试设备之间、打印机和台式电脑之间以及蜂窝电话和医疗仪器之间等都具有高频干扰,我们把这种干扰称为电磁干扰(EMI)。
EMC问题来源所有电器和电子设备工作时都会有间歇或连续性电压电流变化,有时变化速率还相当快,这样会导致在不同频率内或一个频带间产生电磁能量,而相应的电路则会将这种能量发射到周围的环境中。
EMI有两条途径离开或进入一个电路:辐射和传导。
信号辐射是通过外壳的缝、槽、开孔或其他缺口泄漏出去;而信号传导则通过耦合到电源、信号和控制线上离开外壳,在开放的空间中自由辐射,从而产生干扰。
很多EMI抑制都采用外壳屏蔽和缝隙屏蔽结合的方式来实现,大多数时候下面这些简单原则可以有助于实现EMI屏蔽:从源头处降低干扰;通过屏蔽、过滤或接地将干扰产生电路隔离以及增强敏感电路的抗干扰能力等。
EMI抑制性、隔离性和低敏感性应该作为所有电路设计人员的目标,这些性能在设计阶段的早期就应完成。
对设计工程师而言,采用屏蔽材料是一种有效降低EMI的方法。
如今已有多种外壳屏蔽材料得到广泛使用,从金属罐、薄金属片和箔带到在导电织物或卷带上喷射涂层及镀层(如导电漆及锌线喷涂等)。
无论是金属还是涂有导电层的塑料,一旦设计人员确定作为外壳材料之后,就可着手开始选择衬垫。
金属屏蔽效率可用屏蔽效率(SE)对屏蔽罩的适用性进行评估,其单位是分贝,计算公式为SEdB=A+R+B其中A:吸收损耗(dB) R:反射损耗(dB) B:校正因子(dB)(适用于薄屏蔽罩内存在多个反射的情况)一个简单的屏蔽罩会使所产生的电磁场强度降至最初的十分之一,即SE等于20dB;而有些场合可能会要求将场强降至为最初的十万分之一,即SE要等于100dB。
电磁干扰(EMI和射频干扰(RFI及其抑制措施研究李贵山杨建平黄晓峰(兰州工业高等专科学校兰州 730050摘要在电子系统中,强电与弱电交叉耦合的应用环境,干扰错综复杂,严重影响系统的稳定性和可靠性。
本文介绍EMI/RFI产生的原因和导入途径,分析并提出了一些行之有效的EMI/RFI抑制方法。
关键词EMI RFI 干扰途径干扰抑制1 引言随着电子系统的日益精密、复杂及多功能化,电子干扰问题日趋严重,它可使系统的性能发生变化、减弱,甚至导致系统完全失灵。
特别是EMI/RFI(电磁干扰/射频干扰问题,已成为近几年电子产业的热点。
为此,不少国家的专业委员会相继制定了法规,对电子产品的电磁波不泄露、抗干扰能力提出了严格规定,并强制执行。
美国联邦通信委员会(FCC于1983年颁布了20780文件,对计算机类器件的EMI进行限制;德国有关部门颁布了限制EMI的VDE规范,在放射和辐射方面的约束比FCC规范更严格;欧洲共同体又在VDE规范中增加了RF抗扰性、静电泄放和电源线抗扰性等指标。
FCC、VDE规范将电子设备分为A(工业类设备和B(消费类设备两类,具体限制如表1所示。
此外,还有一系列适用于电子EMI/RFI防护的标准文件:MIL-STD-461、MIL -STD-462、MIL-STD-463、MIL-STD-826、MIL-E-6051、MIL-I-6181、MIL-I-11748、MIL-I-26600、MSFC-SPEC279等,所有这些法规性文件对电子系统的干扰防护起到了重大的作用。
本文详细讨论了电子线路及系统中EMI/ RFI 的特征及其抑制措施。
2 EMI/RFI特性分析电子系统的干扰主要有电磁干扰(EMI、射频干扰(RFI和电磁脉冲(EMP三种,根据其来源可分为外界和内部两种,每个电子电气设备均可看作干扰源,这种干扰源不胜枚举。
EMI是在电子设备中产生的不需要的响应;RFI则从属于EMI;EMP是一种瞬态现象,它可由系统内部原因(电压冲击、电源中断、电感负载转换等或外部原因(闪电、核爆炸等引起,能耦合到任何导线上,如电源线和电话线等,而与这些导线相连的电子系统将受到瞬时严重干扰或使系统内的电子电路受到永久性损坏。
PWM电机驱动系统传导共模EMI抑制方法研究共3篇PWM电机驱动系统传导共模EMI抑制方法研究1本文主要介绍PWM电机驱动系统的传导共模EMI抑制方法研究。
PWM电机驱动系统由于具有转速精度高、功率密度大、效率高的特点广泛应用于中小型电动机的控制和驱动中,但是其在使用过程中也面临着电磁干扰(EMI)的问题。
特别是在高频率下,传导EMI会对系统产生严重的影响,甚至会导致系统无法正常工作。
因此,如何有效地抑制PWM电机驱动系统的传导EMI已经成为了研究的热点之一。
首先,需要了解传导EMI产生的原因。
PWM电机驱动系统的高频开关操作会导致电流在PCB板上形成一条环形路径,这会产生一个磁场,从而形成传导EMI。
因此,采取合适的措施对PCB板进行设计是非常重要的。
其次,对于环形传导EMI的抑制,采用了多种方法。
其中,一种方法是增加PCB板的层数,在板上和板下分别走两个电源线,将环状的电流转成垂直电流从而减小磁场的影响;另一种方法是增加地线的面积,以减小磁场的联通性。
此外,增加滤波电容也是一种有效的解决方案。
通过增加电容来增加PCB板上的低阻抗路径,可以把高阻抗的噪声源与低阻抗的地拔开,从而减小噪声的影响,同时,电容也可以作为滤波器,抑制噪声的过渡。
相对于传导EMI,共模EMI的抑制方法不同。
共模EMI是由于电机系统中的不对称性而引起的,共模电压在电机绕组和轴承之间形成了一个稳态电流,从而导致共模电流。
为了减小共模电流的影响,需要采用不同的电感和电容来降低共模噪声的传输。
此外,在PCB板的布局设计中,需要注意分析和考虑共模电容和共模电感的安装位置,以保证噪声的抑制效果。
总之,针对PWM电机驱动系统的EMI问题,可以采用多种不同的方法来进行抑制。
通过合理的PCB板设计、合适的电容和电感安装以及详细的电磁兼容分析,可以有效地抑制系统的EMI。
同时,为了避免EMI问题的发生,也需要在系统设计和选择元器件的时候做好预防工作,选取合适的器件避免电路的共振和噪声扩散PWM电机驱动系统的EMI是一个需要重视的问题,而抑制EMI的方法也是多种多样的。
emi抑制电路
EMI抑制电路(Electromagnetic Interference Suppression Circuit)是一种用于减少或消除电磁干扰的电路。
电磁干扰是指由于
不同电路之间的电磁辐射或传导而引起的干扰。
EMI抑制电路主要用于电子设备和系统中,以保证设备的正常工作并减少对其他设备的干扰。
常见的EMI抑制电路包括:
1. 滤波器:通过添加电感器和电容器组成的低通滤波器或高通
滤波器,可以滤除特定频率的电磁干扰信号。
2. 扼流圈:将电流通过一个绕线的磁环,通过阻抗匹配和共模
电流抑制来减少电磁干扰。
3. 屏蔽:通过在电路周围添加金属屏蔽,使电磁辐射受到限制,减少对周围环境的干扰。
4. 地线设计:合理的地线布局和连接可以减少电磁干扰的传导。
5. 接地和屏蔽回路:通过良好的接地和屏蔽回路设计,减少电
磁干扰信号的传输和辐射。
EMI抑制电路的设计需要考虑电磁干扰信号的频率范围、干扰源
的位置以及设备的工作要求。
同时,EMI抑制电路的设计还需要满足相关的电磁兼容性(EMC)标准,以确保设备在各种干扰环境下的稳定性
和可靠性。
这两天搜索了大量关于EMI方面的主题,整理一下大致的关于不同频段干扰原因及抑制办法:
1MHZ以内----以差模干扰为主,增大X电容就可解决
1MHZ---5MHZ---差模共模混合,采用输入端并一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并解决;
5M---以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。
对于外壳接地的,在地线上用一个磁环绕2圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减(diudiu2006);对于25--30MHZ不过可以采用加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改变PCB LAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环,最少绕10圈、在输出整流管两端并RC滤波器。
30---50MHZ 普遍是MOS管高速开通关断引起,可以用增大MOS驱动电阻,RCD缓冲电路采用1N4007慢管,VCC供电电压用1N4007慢管来解决。
100---200MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起,可以在整流管上串磁珠
对于NO-Y电路来说,以上方式可能不管用。
开关电源的共模干扰抑制技术|开关电源共模电磁干扰(EMI)对策详解由于MOSFET及IGBT和软开关技术在电力电子电路中的广泛应用,使得功率变换器的开关频率越来越高,结构更加紧凑,但亦带来许多问题,如寄生元件产生的影响加剧,电磁辐射加剧等,所以EMI问题是目前电力电子界关注的主要问题之一。
传导是电力电子装置中干扰传播的重要途径。
差模干扰和共模干扰是主要的传导干扰形态。
多数情况下,功率变换器的传导干扰以共模干扰为主。
本文介绍了一种基于补偿原理的无源共模干扰抑制技术,并成功地应用于多种功率变换器拓扑中。
理论和实验结果都证明了,它能有效地减小电路中的高频传导共模干扰。
这一方案的优越性在于,它无需额外的控制电路和辅助电源,不依赖于电源变换器其他部分的运行情况,结构简单、紧凑。
1 补偿原理共模噪声与差模噪声产生的内部机制有所不同:差模噪声主要由开关变换器的脉动电流引起;共模噪声则主要由较高的d/d与杂散参数间相互作用而产生的高频振荡引起。
如图1所示。
共模电流包含连线到接地面的位移电流,同时,由于开关器件端子上的d/d是最大的,所以开关器件与散热片之间的杂散电容也将产生共模电流。
图2给出了这种新型共模噪声抑制电路所依据的本质概念。
开关器件的d/d通过外壳和散热片之间的寄生电容对地形成噪声电流。
抑制电路通过检测器件的d/d,并把它反相,然后加到一个补偿电容上面,从而形成补偿电流对噪声电流的抵消。
即补偿电流与噪声电流等幅但相位相差180°,并且也流入接地层。
根据基尔霍夫电流定律,这两股电流在接地点汇流为零,于是50Ω的阻抗平衡网络(LISN)电阻(接测量接收机的BNC端口)上的共模噪声电压被大大减弱了。
图1 CM及DM噪声电流的耦合路径示意图图2 提出的共模噪声消除方法2 基于补偿原理的共模干扰抑制技术在开关电源中的应用本文以单端反激电路为例,介绍基于补偿原理的共模干扰抑制技术在功率变换器中的应用。
图3给出了典型单端反激变换器的拓扑结构,并加入了新的共模噪声抑制电路。
EMI及其抑制方法下面结合一些专家的文献来描述EMI.首先EMI 有三个基本面就是噪音源:发射干扰的源头。
如同传染病的传染源耦合途径:传播干扰的载体。
如同传染病传播的载体,食物,水,空气.......接收器:被干扰的对象。
被传染的人。
缺少一样,电磁干扰就不成立了。
所以,降低电磁干扰的危害,也有三种办法:1. 从源头抑制干扰。
2.切断传播途径3.增强抵抗力,这个就是所谓的EMC(电磁兼容)先解释几个名词:传导干扰:也就是噪音通过导线传递的方式。
辐射干扰:也就是噪音通过空间辐射的方式传递。
差模干扰:由于电路中的自身电势差,电流所产成的干扰,比如火线和零线,正极和负极。
共模干扰:由于电路和大地之间的电势差,电流所产生的干扰。
通常我们去实验室测试的项目:传导发射:测试你的电源通过传导发射出去的干扰是否合格。
辐射发射:测试你的电源通过辐射发射出去的干扰是否合格。
传导抗扰:在具有传导干扰的环境中,你的电源能否正常工作。
辐射抗扰:在具有辐射干扰的环境中,你的电源能否正常工作。
首先来看,噪音的源头:任何周期性的电压和电流都能通过傅立叶分解的方法,分解为各种频率的正弦波。
所以在测试干扰的时候,需要测试各种频率下的噪音强度。
那么在开关电源中,这些噪音的来源是什么呢?开关电源中,由于开关器件在周期性的开合,所以,电路中的电流和电压也是周期性的在变化。
那么那些变化的电流和电压,就是噪音的真正源头。
那么有人可能会问,我的开关频率是100KHz的,但是为什么测试出来的噪音,从几百K到几百M都有呢?我们把同等有效值,同等频率的各种波形做快速傅立叶分析:蓝色:正弦波绿色:三角波红色:方波可以看到,正弦波只有基波分量,但是三角波和方波含有高次谐波,谐波最大的是方波。
也就是说如果电流或者电压波形,是非正弦波的信号,都能分解出高次谐波。
那么如果同样的方波,但是上升下降时间不同,会怎样呢。
同样是100KHz的方波红色:上升下降时间都为100ns绿色:上升下降时间都为500ns可以看到红色的高次谐波明显大于绿色。
MOS管电路的EMI抑制方法在现代电子设备中,MOS管电路被广泛应用于各种电路中,但由于其特性容易引起电磁干扰(EMI)问题,这给电子产品的稳定性和可靠性带来了一定的挑战。
因此,为了有效抑制MOS管电路产生的电磁干扰,人们提出了多种方法。
首先,对于MOS管电路的EMI抑制,我们可以采用滤波器的方法。
滤波器可以在电路中加入合适的电感和电容元件,形成LC滤波器或RC滤波器,有效地滤除电磁噪声,从而降低EMI水平。
这种方法简单易行,成本较低,适用于对EMI要求不是很严格的情况下。
其次,可以采用屏蔽罩的方法来抑制MOS管电路产生的电磁干扰。
屏蔽罩可以采用导电性能较好的金属材料制成,覆盖在电路板上方,有效地屏蔽电磁波的辐射,减少EMI的发生。
这种方法抑制效果好,但是需要考虑屏蔽罩的布局和连接方式,以确保不会影响电路的正常工作。
此外,还可以采用地线设计的方法来抑制MOS管电路的EMI。
地线设计包括对电路板的结构和布线进行优化,尽量减少回流电流的路径长度,使回流电流更趋于短而直,有效地减少EMI的辐射。
此外,还可以增加地线的连接点,通过合理的地线布局和连接,降低电磁干扰的产生。
最后,对于MOS管电路的EMI抑制,还可以采用抑制晶体管开关噪声的方法。
在开关型MOS管电路中,晶体管的开关过程容易产生脉冲噪声,导致EMI问题。
因此,可以通过在电路中加入滤波电容和电感元件,降低开关噪声的幅值和频率,从而减少电磁干扰。
综上所述,针对MOS管电路的EMI抑制问题,可以采用滤波器、屏蔽罩、地线设计和抑制晶体管开关噪声等多种方法,通过组合应用,有效地降低电磁干扰水平,保障电子产品的性能稳定性和可靠性。
随着电子产品应用领域的不断拓展,对于MOS管电路的EMI抑制方法还有着更广阔的研究空间,希望未来能够有更多创新的方法出现,为电子产品的发展贡献力量。
poe电路emi抑制POE电路EMI抑制随着现代电子设备的迅速发展,电磁干扰(EMI)问题日益严重,尤其是在POE(Power over Ethernet)电路中。
为了解决这一问题,人们开始研究和应用POE电路EMI抑制技术,以保证设备的正常运行和通信质量。
POE技术是一种通过以太网线传输电力和数据信号的技术,常见于无线AP(Access Point)、IP摄像头和VoIP电话等设备中。
然而,POE电路中的高频噪声和瞬态干扰会对设备的正常工作产生负面影响,甚至导致通信中断。
因此,如何有效抑制POE电路中的EMI成为了一个重要的研究方向。
合理设计电路布局是EMI抑制的关键。
在POE电路中,尽量采用短而直的导线,并将信号线和电源线分离布置,以减少信号线受到电源线干扰的可能性。
此外,合理选择电路板材料和封装方式,以减少高频信号的传播路径和干扰。
选择合适的滤波器和抑制器件也是EMI抑制的重要手段。
滤波器可以通过滤除高频噪声和瞬态干扰,提高信号质量和传输稳定性。
常见的滤波器包括LC滤波器、RC滤波器和磁性元件等,可以根据具体电路的需求选择合适的滤波器。
此外,抑制器件如瞬态电压抑制二极管(TVS)和磁珠等也可以有效抑制高频噪声和瞬态干扰。
地线设计也是EMI抑制中的重要环节。
良好的地线设计能够有效降低电路的共模干扰和地回流干扰。
在POE电路中,应尽量减少地线的回流路径,避免地回流引起的EMI问题。
此外,合理布置地线,确保地线的连续性和稳定性也是必要的。
EMI抑制还可以通过屏蔽技术来实现。
屏蔽材料可以有效地吸收和反射电磁波,减少其对电路的干扰。
在POE电路中,可以采用金属盖、金属壳和铜箔等屏蔽材料来封装电路,以减少电磁波的辐射和传播。
合理的接地设计也是EMI抑制的关键。
良好的接地能够有效降低电路的地回流干扰和地电位差,提高电路的抗干扰能力。
在POE电路中,应尽量减少接地电阻,并采用低阻抗的接地方式,以提高接地的效果。
EMI抑制日常生活中,我们常常可以看到这样的现象,当把手机放置在音箱旁,接电话的时候,音箱里面会发出吱吱的声音,或者当我们在测试一块电路板上的波形时,忽然接到同事的电话,会发现接电话瞬间我们示波器上的波形出现变形,这些都是电磁干扰的特征。
电磁干扰不但会影响系统的正常工作,还可能给电子电器造成损坏,甚至对人体也有害处,因此尽可能降低电磁干扰已经成为大家关注的一个焦点,诸如FCC、CISPR、VCCI等电磁兼容标准的出台开始给电子产品的设计提出了更高的要求。
虽然人们对电磁兼容性的研究要远远早于信号完整性理论的提出,但作为高速设计一部分,我们习惯地将EMI问题也列入信号完整性分析的一部分。
本章将全面分析电磁干扰和电磁兼容的概念、产生及抑制,重点针对高速PCB的设计。
4.1 EMI/EMC的基本概念电磁干扰即EMI(Electromagnetic Interference),指系统通过传导或者辐射,发射电磁波并影响其他系统或本系统内其他子系统的正常工作。
因为所有的电子产品都会不可避免地产生一定的电磁干扰,为了量度设备系统在电磁环境中能正常工作且不对该环境中任何事物构成不能承受的电磁干扰的能力,人们提出了电磁兼容这个概念。
美国联邦通讯委员会在1990年和欧盟在1992都提出了对商业数码产品的有关规章,这些规章要求各个公司确保它们的产品符合严格的磁化系数和发射准则。
符合这些规章的产品称为具有电磁兼容性EMC(Electromagnetic Compatibility)。
对于电磁兼容性,必须满足一下三个要素:1. 电磁兼容需要存在某一个特定的空间。
比如,大的,一个房间甚至宇宙;小的,可以是一块集成电路板。
2. 电磁兼容必须同时存在骚扰的发射体和感受体。
3. 必须存在一定的媒体(耦合途径)将发射体与感受体结合到一起。
这个媒体可以是空间,也可以是公共电网或者公共阻抗。
对于EMI,可以按照电磁干扰的途径(详细的分类参见附录一)来分为辐射干扰、传导干扰和感应耦合干扰三种形式。
EMI抑制方法分析研究
研究方向:
* 四种抑制开关管及二极管EMI的方法
解决方案:
* 并联RC吸收电路和串联可饱和磁芯线圈主要抑制高电压和浪涌电流* 准谐振技术主要减小开关管上的开关损耗并抑制其电磁干扰* LLC串联谐振技术可以抑制开关管及二极管EMI
摘要:随着电子技术的不断进步,开关电源向高频化、高效化方向迅猛发展,EMI抑制已成为开关电源设计的重要指标。
本文结合开关电源中开关管及二极管EMI产生机理,列举出:并接吸收电路、串接可饱和磁芯线圈、传统准谐振技术、LLC串联谐振技术四种抑制EMI的方法,并
对其抑制效果进行比较分析。
1 引言
电磁干扰( EMI) 就是电磁兼容不足,是破坏性电磁能从一个电子设备通过传导或辐射到另一个电子设备的过程。
近年来,开关电源以其频率高、效率高、体积小、输出稳定等优点而迅速发展起来。
开关电源已逐步取代了线性稳压电源,广泛应用于计算机、通信、自控系统、家用电器等领域。
但是由于开关电源工作在高频状态及其高di/dt 和高dv/dt,使开关电源存在非常突出的缺点——容易产生比较强的电磁干扰(EMI)信号。
EMI信号不但具有很宽的频率范围,还具有一定的幅度,经传导和辐射会污染电磁环境,对通信设备和电子产品造成干扰。
所以,如何降低甚至消除开关电源中的EMI问题已经成为开关电源设计师们非常关注的问题。
本文着重介绍开关电源中开关管及二极管EMI的四种抑制方
法。
2 开关管及二极管EMI产生机理
开关管工作在硬开关条件下开关电源自身产生电磁干扰的根本原因,就是在其工作过程中的开关管的高速开关及整流二极管的反向恢复产生高di/dt和高dv/dt,它们产生的浪涌电流和尖峰电压形成了干扰源。
开关管工作在硬开关时还会产生高di/dt和高dv/dt,从而产生大的电磁干扰。
图1绘出了接感性负载时,开关管工作在硬开关条件下的开关管的开关轨迹,图中虚线为双极性晶体管的安全工作区,如果不改善开关管的开关条件,其开关轨迹很可能会超出安全工作区,导致开关管的损坏。
由于开关管的高速开关,使得开关电源中的高频变压器或储能电感等感性负载在开关管导通的瞬间,迫使变压器的初级出现很大的浪涌电流,将造成尖峰电压。
开关管在截止期间,高频变压器绕组的漏感引起的电流突变,从而产生反电势E=-Ldi/dt,其值与电流变化率(di/dt)成正比,与漏
感量成正比,叠加在关断电压上形成关断电压尖峰,从而形成电磁干扰。
此外,开关管上的反向并联二极管的反向恢复特性不好,或者电压尖峰吸收电路的参数选择不当也会造成电磁干扰。
由整流二极管的反向恢复引起的干扰源有两个,它们分别是输入整流二极管和输出整流二极管。
它们都是由电流的换向引起的干扰。
由图2表明,t0=0时二极管导通,二极管的电流迅速增大,但是其管压降不是立即下降,而会出现一个快速的上冲。
其原因是在开通过程中,二极管PN结的长基区注入足够的少数载流子,发生电导调制需要一定的时间tr。
该电压上冲会导致一个宽带的电磁噪声。
而在关断时,存在于PN结长基区的大量过剩少数载流子需要一定时间恢复到平衡状态从而导致很大的反向恢复电流。
当t=t1时,PN结开始反向恢复,在t1-t2时间内,其他过剩载流子依靠复合中心复合,回到平衡状态。
这时管压降又出现一个负尖刺。
通常
t2《t1,所以该尖峰是一个非常窄的尖脉冲,产生的电磁噪声比开通时还要强。
因此,整流二极管的反向恢复干扰也是开关电源中的一个重要
干扰源。
3 EMI抑制方法
di/dt和dv/dt是开关电源自身产生电磁干扰的关键因素,减小其中的任何一个都可以减小开关电源中的电磁干扰。
由上述可知,di /dt和dv/dt主要是由开关管的快速开关及二极管的反向恢复造成的。
所以,如果要抑制开关电源中的EMI就必须解决开关管的快速开关及二极管的反向恢复所
带来的问题。
3.1 并接吸收装置
采取吸收装置是抑制电磁干扰的好办法。
吸收电路的基本原理就是开关在断开时为开关提供旁路,吸收蓄积在寄生分布参数中的能量,从而抑制干扰发生。
常用的吸收电路有RC、RCD。
此类吸收电路的优点就是结构简单、价格便宜、便于实施,所以是常用的抑制电磁干扰的方法。
(1)并接RC电路
在开关管T两端加RC吸收电路,如图3所示。
在二次整流回路中的整流二极管D两端加RC吸收电路,如图5所示,抑制浪涌电流。
(2)并接RCD电路
在开关管T 两端加RCD吸收电路,如图4所示。
3.2 串接可饱和磁芯线圈
二次整流回路中,与整流二极管D串接可饱和磁芯的线圈,如图5所示。
可饱和磁芯线圈在通过正常电流时磁芯饱和,电感量很小,不会影响电路正常上作。
一旦电流要反向时,磁芯线圈将产生很大的反电动势,阻止反向电流的上升。
因此,将它与二极管D串联就能有效地抑制二极管D的反
向浪涌电流。
3.3 传统准谐振技术
一般来说,可以采用软开关技术来解决开关管的问题,如图6所示。
图6给出了开关管工作在软开关条件下的开关轨迹。
软开关技术主要减小开关管上的开关损耗,也可以抑制开关管上的电磁干扰。
在所有的软开关技术中,准谐振抑制开关管上电磁干扰的效果比较好,所以本文以准谐振技术为例,介绍软开关技术抑制EMI。
所谓准谐振就是开关管在电压谷底开通,见图7。
开关中寄生电感与电容作为谐振元件的一部分,可完全控制开关导通时电流浪涌与断开时电压浪涌的发生。
采用这种方式不仅能把开关损耗减到很小,而且能降低噪声。
谷底开关要求关断时间中储存在中的能量必须在开关开通时释放掉。
它的平均损耗为,由此公式可以看出,减小会导致大大降低,从而减小开关上的应力,提高效
率,减小dv/dt,即减小EMI。
3.4 LLC串联谐振技术
图8为LLC串联谐振的拓扑结构。
从图中可以看出,两个主开关Ql和Q2构成一个半桥结构,其驱动信号是固定50%占空比的互补信号,电感Ls、电容Cs和变压器的励磁电感Lm构成一个LLC谐振网络。
在LLC串联谐振变换器中,由于励磁电感Lm串联在谐振回路中,开关频率可以低于LC 的本征谐振频率fs,而只需高于LLC的本征谐振频率fm便可实现主开关的零电压开通。
所以,LLC串联谐振可以降低主开关管上的EMI,把电磁辐射干扰 (EMI)减至最少。
在LLC谐振拓扑中,只要谐振电流还没有下降到零,频率对输出电压的调节趋势就没有变,即随着频率的下降输出电压将继续上升,同时由于谐振电流的存在,半桥上下两个主开关的零电压开通条件就得以保证。
因此,LLC谐振变换器的工作
频率有一个下限,即Cs与Ls和Lm的串联谐振频率 fm。
在工作频率范围fm<f<fs内,原边的主开关均工作在零电压开通的条件下,并且不依赖于负载电流的大小。
同时,副边的整流二极管工作在断续或临界断续状态下,整流二极管可以零电流条件下关断,其反向恢复的问题得以解
决,不再有电压尖峰产生。
4 抑制方法对比分析研究
采用并联RC吸收电路和串联可饱和磁芯线圈均为简单常用的方法,主要是抑制高电压和浪涌电流,起到吸收和缓冲作用,其对EMI的抑制效果相比准谐振技术与LLC串联谐振技术较差。
下面着重对准谐振技术与LLC串联谐振技术进行比较分析。
在准谐振中加入RCD缓冲电路,即由二极管,电容器和电阻组成的尖峰电压吸收电路,其主要作用是用来吸收MOSFET功率开关管在关断时产生的上升沿尖峰电压能量,减少尖峰电压幅值,防止功率开关管过电压击穿。
但是,这样将会增加损耗,而且由于缓冲电路中采用了二极管,也将增加二极管的反向恢复问题。
由上述分析可以看出,准谐振技术主要减小开关管上的开关损耗,也可以抑制开关管上的电磁干扰,但是它不能抑制二极管上的电磁干扰,而且当输入电压增大时,频率提高;当输出负载增大时,频率降低,所以它的抑制效果不是很好,一般不能达到人们所希望的结果。
所以如果想得到更好的抑制效果,必须解决二极管上的反向恢复问题,这样抑制效果才能令人们满意。
LLC串联谐振拓扑结构比准谐振抑制EMI的效果好。
其优点已在上面进行了分析。
5 结语
随着开关电源技术的不断发展,其体积越来越小,功率密度越来越大,EMI问题已经成为开关电源稳定性的一个关键因素。
开关电源内部开关管及二极管是EMI主要发生源。
本文主要介绍了四种抑制开关管及二极管EMI的方法并进行了分析对比,目的是找到更为有效的抑制EMI的方法。
通过分析对比得出LLC串联谐振技术的抑制效果较好,而且其效率随电压升高而升高,其工作频率随电压变化较大,而随负载的变化较
小。