一、真空灭弧室基本结构 组成真空灭弧室的主要结构件为绝缘外壳、动静盖板、触头、波纹管、屏蔽罩、动静导电杆、导向套等，分别根据相应的功用选用不同的材料，采用真空钎焊工艺将相应的零部件封接成密闭的真空腔室，借助真空优良的绝缘性能与熄弧性能，在切断电源后能迅速熄弧并抑制电流， 1、结构简图 1—静端盖板2—主屏蔽罩3—动静触头4—波纹管 5—动端盖板6—静导电杆7—绝缘外壳8—动导电杆 2、各个主要零部件的作用 1）绝缘外壳 一般选用Al2O3陶瓷管壳。Al2O3陶瓷材料具有优异电绝缘性能、较高的机械强度、高温下不易分解与蒸发等一系列优点，即能保证真空灭弧室在生产及运行过程中的气密性又不易损坏。 2）波纹管
波纹管是真空灭弧室中不可缺少的重要元件。是唯一可动的外壳部分，因此它的作用也称为“动密封”。既能保证灭弧室的密封，又能借助于它来实现触头的相对运动，波纹管的允许伸缩量决定了所能获得的最大触头开距。 波纹管的材料壁厚仅为0.10——0.16mm，开关在每次合分动作时都会使波纹管的波状薄壁产生一次较大幅度的机械变形。由于剧裂而频繁的机械变形很容易使波纹管因疲劳而损坏，最终导致灭弧室漏气而报废。某种程度上，波纹管的疲劳寿命也就决定了真空灭弧室的机械寿命，所以说，整个寿命期间，一定严禁扭伤或划伤波纹管。 波纹管的疲劳寿命还和工作条件的受热温度有关，真空灭弧室在分断大的短路电流后，导电杆的余热传递到波纹管上，使波纹管的温度升高，当温升达到一定程度时，这也会影响波纹管的疲劳强度。 3）触头 真空灭弧室是真空开关的心脏，而触头则是真空灭弧室的心脏，因此触头材料和触头结构等对真空灭弧室的性能影响极大。 ①触头材料主要从开断能力、耐受电压能力、抗电腐蚀性、抗熔焊能力、截流 值、含气量等方面来选择。目前断路器用真空灭弧室的触头材料大都采用铜铬合金，铜与铬各占50%。 ②触头结构对灭孤室的开断能力有很大影响。采用不同结构触头产生的灭弧效 果有所不同的，早期采用简单的圆柱形触头，结构虽简单，但开断能力不能满足断路器的要求，仅能开断10kA以下电流，目前仅有真空负荷开关、高压真空接触器等用真空灭弧室才采用。目前采用较多的有螺旋糟型结构触头、带斜槽杯状结构触头和杯状纵磁结构触头三种，其中以采用杯状纵磁结构触头为主。 4）主屏蔽罩 主屏蔽罩也称为中间屏蔽罩或冷凝屏蔽罩。设置在触头周围，应该正对着触头拉开后的燃弧区。其主要作用是可以阻挡电弧生成物四周喷溅的作用，有助于电弧熄灭后残余等离子体的衰减，防止绝缘外壳受污染。因而主屏蔽罩对真空灭弧室的弧后介质强度恢复速度和开断能力的提高起到很大作用。 5）动静导电杆
QBZ-80 QBZ-120 QBZ-200 防爆型真空磁力启动器 使 用 说 明 书 北京煤炭矿用设备厂
QBZ系列矿用隔爆型真空电磁起动器 一、适用范围 1．用途：本产品适用于井下电气设备的起、停控制和保护之用。2．适用条件 1．1海拨高度不超过2000米，环境大气压力80-110Kpa; 1．2周围介质温度为（-20℃—+40℃）； 1．3周围介质湿度不大于95±3%（25℃） 1．4在具有甲烷混合物及煤尘爆炸危险的工矿企业中； 1．5在我足以腐蚀金属和破坏绝缘的气体或蒸汽的环境中；1．6在无剧烈震动及强热源地区； 1．7在具有防水和防雨雪侵袭的地方； 1．8安装位置与垂面的倾斜度不超过15度； 1．9电源为交流50HZ、额定电压为660V（380V）系统中；3．型号及意义 一个一图没打 3．1防暴标志：ExdI
3．2防暴型式：矿用隔爆型 3．3外形尺寸：QBZ—80 380×460×620（mm） QBZ—120 480×470×620(mm) QBZ—200 580×460×620(mm) 3.4重量：QBZ—80 70kg QBZ—120 79kg QBZ—200 102kg 3．5执行标准MT111-1998 Q/MKS1.3-2005 二、技术特征 1．型号规格 表1 注：用于380V供电系统时，应将控制变压器一次侧660V接线端子改接到380V端上。 2．保护功能 2．1过载保护； 2．2短路保护； 2．3断相保护
2．4主电路漏电闭锁保护； 2．5过电压保护； 3．控制变压器参数 3．1额定容量：120V 3．2电压比：660V（380V）/36V。 三、结构概述 起动器由隔焊外壳和真空体两部分组成，真空本体装于隔爆外壳中。1．起动器外壳为圆柱形，前盖为转动式开启结构，壳身上部为接线箱，用以引进电源电缆和引出电动机电缆。在外壳右侧有换向隔离开关的转换手柄和停止按纽；换向隔离开关的转换手柄、停止按纽和前盖三者之间有机械联锁，只有按下停止按纽后才能扳转离开关转换手柄；在手柚处于“分”的位置时，才能打开前盖。 2．真空本体是带有滑道的框架式结构，前面关有真空接触器、电机综合保护器、阻容过电压保护组件，后面装有转向隔离开关、控制变压器、起动及停止按纽。 3．QBZ—200型真空本体所有元件都装于底板上，其正面装有真空接触器、电机综合保护器、阻容过电压保护组件，远近程控制端子，后面装有隔离开关、控制变压器、起动及停止按纽。 四、工作原理 1．接通换向隔离开关QS，则控制变压器TC有36V交流输出。电机
斯利通关于陶瓷表面金属化的应用与研究现代新技术的发展离不开材料，并且对材料提出愈来愈高的要求。随着材料科学和工艺技术的发展，现代陶瓷材料已经从传统的硅酸盐材料，发展到涉及力、热、电、声、光诸方面以及它们的组合，将陶瓷材料表面金属化，使它具有陶瓷的特性又具有金属性质的一种复合材料，对它的应用与研究也越来越引起人们重视。 通过化学镀、真空蒸镀、离子镀和阴极溅射等技术，可以使陶瓷片表面沉积上Cu、Ag、Au等具有良好导电性和可焊性的金属镀层，这种复合材料常用来生产集成电路、电容等各种电子元器件。作为集成电路的方面，是将微型电路印刷在上面，用陶瓷做成的基片具有导热率高、抗干扰性能好等优点。随着电子工业、计算机的飞速发展，集成电路变得越来越复杂，包括的装置和功能也是越来越多，这样就要求电路的集成化程度越来越高。此时使用陶瓷金属化的基片能够大幅提高电路集成化，实现电子设备小型化。 电容器作为一种重要的电气件，它在电子工业和电力工业都有着很重要的用途。其中陶瓷电容器因具有优异的性能而占有很重要的地位，目前它的产销量是很大的，而且每年还在递增。 电子仪器在工作时。一方面向外辐射电磁波，对其他仪器产生干扰，另一面还要遭受外来电磁波的干扰。当今电子产品的结构日益复杂，品种与数量日益增多，灵敏度日益提高，所以电磁干扰的影响也日益严重，已经引起了人们的重视。 在电磁屏蔽领域，表面金属化陶瓷同样发挥着重要的作用，在陶瓷片表面镀上一层 Co-P和Co-Ni-P合金，沉积层中含磷量为0.2%-9%，其矫顽磁力在200-1000奥斯特，常作为一种磁性镀层来应用，由于其抗干扰能力强，作为最
高等级的屏蔽材料，可用于高功率和非常灵敏的仪器，主要用在军工产品上面。 陶瓷金属化在工艺上有化学镀、真空镀膜法、物理蒸镀法、化学气相沉淀法及喷镀法，再就是最新的离子化镀层法，像激光活化金属化技术，其优点明显： 1、结合力强，激光技术使金属层的结合强度可以达到45Mpa； 2、不管被镀物体形状如何复杂都能得到均匀的一层镀层； 3、成本大幅降低，效率提高； 4、绿色环保无污染。 陶瓷金属化作为一种新型材料具有许多独特的优点，它的应用和研究只是刚刚起步，还有非常大的发展空间，在不远的将来，陶瓷金属化材料必将大放光彩。
石墨炉（graphite heater） 石墨炉又称电加热石墨炉。是一个石墨电阻加热器，是原子吸收分光光度计用无焰原子化器的一种。石墨炉的核心部件是一个石墨管，试样用微量进样孔注入石墨管内，经管两端的电极向石墨管供电，最高温度可达3000℃，试样在石墨管中原子化。 一、原理：是将样品用进样器定量注入到石墨管中，并以石墨管作为电阻发热体，通电后迅速升温，使试样达到原子化的目的。它由加热电源、保护气控制系统和石墨管状炉组成。外电源加于石墨管两端，供给原子化器能量，电流通过石墨管产生高达3000℃的温度，使置于石墨管中被测元素变为基态原子蒸气。 二、适用范围 三、优点： 1、坩埚材料来源丰富，价格便宜，易于加工成各种形状，生长设备较简单，建立起来比较容易， 2、更主要的是它适用于某些生长大尺寸高熔点晶体的生长工艺，如垂直梯度结晶法，热交换法等。这是感应加热难以取代的。（与感应加热相比较） 3、结构简单一次投资少、升温速度快，工作温度高，占地面积小维修方便。 4、由于原子化效率高，石墨炉法的相对灵敏度可达10-9-10-12g/ml，最适合痕量分析。 四、缺点： 1、石墨的污染：用石墨电阻加热，石墨的污染有两个方面，一个是它所造成的还原性气氛，使某些氧化物晶体在这种气氛下生长时，由于缺氧而形成氧缺位产生色心，另一个是它本身的挥发对熔体、坩埚或保护材料的侵蚀。石墨作为一种杂质进入熔体中，在晶体生长时被捕获而形成散射颗粒。在梯度法生长工艺中，由于坩埚口用钼片盖住，石墨对熔体的污染要少，再加上晶体是从坩埚底部潮汕在熔体下面由下而上生长，没有机械震动和熔体激烈流动的干扰，温度波动对它的影响也较小。可以在相对稳
陶瓷砖吸水率真空装置介绍 来源：中国分析仪器网 https://www.doczj.com/doc/f714439492.html, 一、陶瓷砖吸水率真空装置概述 CXK型陶瓷吸水率真空装置采用不锈钢真空室，真空度实现自动控制，给排水为手动控制，具有操作简便、试验准确等特点。该真空装置适用于建筑卫生陶瓷及其它材料吸水率测定的试验。该真空装置按照Q/JYY005—2003《CXK型陶瓷真空吸水率真空装置》，符合GB/T3810.3—2006《陶瓷砖试验方法—第3部分：吸水率、显气孔率、表观相对密度和容重的测定》、ISO10545-3:1995《陶瓷砖—第3部分：吸水率、显气孔率、表观相对密度和容重的测定》、TOCT13449—82等试验方法中真空法对试验设备的要求。 二、陶瓷砖吸水率真空装置主要技术参数 1. 系统真空度应能在0～10KPa范围连续可调。 2. 系统达到10kPa真空度所用的抽气时间应不大于10min。 3. 试验可放置试样的最大尺寸数量为200×200×10（mm）15块。 4. 外形尺寸：（长╳宽╳高）720×550×1160（mm） 三、陶瓷砖吸水率真空装置真空装置主要结构 真空装置由真空系统，给排水系统，真空度自动控制系统及机箱等组成。 真空系统包括真空压力控制表1、真空容器2、机箱5、真空泵6、电磁真空阀7、压力变送器8、过渡瓶10、进气阀11及管道组成。给排水系统包括进水阀12、排水阀3、储水器4及水管组成。 真空度控制系统由真空压力控制表1、真空泵6、压力变送器8、主电源开关及电磁阀7组成。 四、陶瓷砖吸水率真空装置工作原理
真空容器中的空气经管道，过渡瓶，真空阀门，由真空泵抽排到空气中，使容器中产生真空。原理图见图2。给水阀门打开，真空与大气压产生的压差使蒸馏水自动进入真空容器中。当容器中的压强与外部一致时,重力使蒸馏水流回储水器中。真空度自动控制原理见图3。接通电源S1，泵起动，电磁阀YV打开，开始抽真空。真空度上升，指示针碰上限针时，KA2断电，电磁阀关闭，泵停止抽气。实验时间较长，泄漏使真空度下降，指示针回转，碰到下限针时，KA1通电，电磁阀开启，泵工作。由此控制容器中的真空度始终在上限针与下限针指示范围内。 五、陶瓷砖吸水率真空装置安装与调校 1. 调整地脚螺丝使真空装置平衡，基本保持水平。 2. 用不小于1.5平方毫米的铜芯塑料线将真空装置可靠接地。 3. 将真空表的连接螺纹缠上密封胶带，涂上真空密封油，在真空容器盖顶部对应螺孔内放上密封圈，将真空表旋入。注意不宜旋入过紧，以免拧坏螺纹，使表的正面朝前。然后，按照线号，将表的接线端与信号线对应连线。 六、陶瓷砖吸水率真空装置使用与操作 1. 接上电源，调整操作面板压力控制表“∧”、“∨”键将真空压力设定值设为9kPa。 1. 关闭进气阀11、进水阀12、排水阀3，将处理好、称重的瓷砖插入容器2中的试样架的槽中，关闭容器2的顶盖，预紧螺丝。 2. 检查过渡瓶中是否有水，如有水应先将其清空。 3. 按“启动”按钮，系统开始工作。 4. 泵自动停机时，开始记时。 5. 保持到试验要求时间时，开启进水阀12、放入蒸馏水，水位达到观察窗水位线（红色线）时，关闭进水阀12，继续保持。 6. 保持到试验法要求时间，按“停止”按钮，关闭主电源，开启进气阀11，打开排水阀3，蒸馏水流回储水器，松开预紧螺丝，打开容器盖取试样擦干称重。
陶瓷金属化产品与普通pcb板对比分析 当今是互联网时代，各种大数据一应俱全，在我们选择商品时，我们都会根据互联网给我们提供的大数据对要选择的产品进行详尽的分析，通过数据的对比，可以选择到更加适合自己的产品。陶瓷金属化产品和市面上普通的pcb板的竞争已经趋于白热化，现在我们就拿市面上最常见的pcb板和陶瓷金属化产品进行比较，来简要分析一下为什么后起之秀——陶瓷金属化产品有这么强的市场竞争力的原因。 原材料价格对比 材料价格是生产厂家和销售商获取利润的一大方面。市面上的普通PCB板根据材质不同价格也会相应不同。例如94VO纸基板FR-4价格在110~140元/平米其厚度，当然CEM-1 94HB单面纸基板价格也在500元/平米。普通的玻纤板价格则会相对较低，例如FR-4玻纤板在0.3-0.5mm价格在40~50元/平米。环氧树脂基板价格和化纤板的价格相差还不大。环氧树脂3mm黄色纤维板也在20元/Kg.当然如果选用的板材面积较大，其价格也会相对的发生变化例如：3mm 500*1000的黄色环氧树脂价格则是50元/张。这俩面产生的价格差异也是根据板材的厚度，大小，以及不同的工艺也会产生差异。 当今陶瓷板的价格也是参差不齐，他根据陶瓷板的厚度，材质，以及生产工艺的不同，所需要的价格也大不相同。其中陶瓷板子分为92氧化铝陶瓷板，95氧化铝陶瓷板，96氧化铝陶瓷板，99氧化铝陶瓷板.当然还有氮化硅陶瓷板，以及99氮化铝陶瓷板，在这些陶瓷版俩面跟据跟据陶瓷板的厚度以及大小进行定价。例如40*40*2mmIGBT基板每片在3元左右。氮化铝陶瓷板价格就会相对昂贵。0632*0.632*0.2mm氮化铝陶瓷般的价格基本在200元左右。 单纯从价格对比来说同体积普通的pcb板的价格相对于陶瓷板就便宜很多了，相对来说选用普通的pcb基板就要经济实惠多了。但是今年7月初，山东金宝、建滔、明康、威利邦、金安国纪等数家公司先后发布铜箔、覆铜板等涨价通知，上涨情况为：铜箔每吨上调1000-2000元，纸板上调10元/张，绝缘玻纤ccl上调5元/张，板料上调5元/张。7月底，福建木林森照明、东成宏业、摩根电子、海乐电子等多家PCB企业发布线路板涨价通知，涨幅几乎是清一色的10%。虽然普通的pcb基板所选用的材料经济实惠，但是经过这么大幅度的涨价显然是在抬升相应产品的价格，压缩了pcb基板的利润。 材料性能对比 在普通的pcb板材都是采用纸板，环氧树脂，玻纤板，除了玻纤板，其余的都是有机物。因此在宇宙射线上的照射下容易发生化学反应，改变其分子结构，使产品发生形变，因此是无法运用在航空航天的。 普通的pcb基板相对于陶瓷来说密度较小，重量较轻，利于远距离的运输。纸板和环氧树脂板韧性高，不易碎。 但是普通的pcb板所都耐不住高温，纸的着火点在在130℃，是相当低的，即使是添加
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周健等Ⅲｏ对Ａ１２０３一Ａ１２０３以及Ａ１２０３和ＨＡＰ（羟基磷灰石）生物陶瓷进行了焊接，并借助电镜、电子探针分析了界面结合情况。前者在２ＭＰａ、１３００℃、保温１５ｍｉｎ时结合强度达到基体强度。后者在２．５ＭＰａ、１２００℃、保温１５ｍｉｎ左右将两类材料焊接在一起。． 蔡杰等¨引采用１’Ｅ１０３型谐振腔分别在１３００和１４００℃对Ａ１２０３一Ａ１２０３进行焊接，认为在１３００℃焊接时，虽经长时间保温，焊接效果不理想，在１４００℃、保温２０ｍｉｎ，焊缝消失。如上所述，氧化铝陶瓷一般采用直接焊接，对于高纯度氧化铝陶瓷一般采用低纯氧化铝或玻璃做中间层，目前也有人用溶胶凝胶方法制备的氧化铝做中间层。 目前微波焊接腔体的微波场的均匀区域还不大，改进微波场的分布，提高加热均匀区域，可以提高材料的焊接尺寸。同时增加焊接材料的种类。 ７激光焊接 激光焊接陶瓷是近年来发展的新技术，Ｍｉｔｔｗｅｉｄａ公司开发了双束激光焊接陶瓷方法，其原理见图９。 图９双束激光焊接示意图¨引 Ｆｉｇ．９Ｓｋｄ【ｃｈｏｆｄｏｕｂｌｅｌａｓｅｒｗｅｌｄｉＩｌｇ 采用高能束激光焊方法，可快速加热和冷却，配以氮气筛的冷却和温度场调节，诱导和改善复合材料增强相和基体界面反应，而提高接头强度。采用脉冲输入方式，可抑制界面反应，细化组织，减少缺陷，获得良好接头，在操作时对激光功率控制非常重要啪Ｊ。用该法焊接的Ａｌ：Ｏ，陶瓷试样，激光焊接区细晶粒均匀，在电子显微镜下，可以看到晶粒呈片瓦结构，防止了裂纹的产生和扩展。经１００次反复加热和冷却后，试样的弯曲强度无明显下降。 ８结语 随着Ａｌ，Ｏ，陶瓷的广泛应用，其连接技术已成为世界各国集中研究的重点，其中钎焊与扩散连接是最常用的连接方法，但都有其局限性。例如：用钎焊方法形成的陶瓷接头的高温性能和抗氧化性能较差；钎焊的界面反应机理现在还处于试验阶段，缺乏系统性和理论性。扩散连接虽然可以减小界面缺陷，并适合大尺寸构件的接合，但易发生试件的变形和损伤等。近来新发展的微波连接能很好地实现接头处均匀连接，避免了开裂的发生，而且由于升温速度极快，陶瓷内部的晶粒不会剧烈长大。而ｓＨｓ焊接和激光焊接还处于起步阶段，有待于发展。 参考文献 １王颖．ＡＪ：０，陶瓷与Ｋｏｖｅｒ合金钎焊工艺研究．哈尔滨工业大学硕士论文，２００６：ｌ一５０ ２Ｈａｍ咖ｄＪＰ，ＤＢ“ｄＳＡ，ＳａｍｅＵａＭＬＢ阳ｚｉｎｇｏ既帅ｉｃｏｘ－ｉｄ船ｔｏｍ吨ＩｌｓａｔｌｏｗｔｅⅡ聊舶ｈｌｒ酷．ＷｅｌｄＪ，１９９２；（５）：１４５—１４９３赵永清．利用化学镀实现Ａ１２０，陶瓷与金属的连接．焊接技术，１９９９；（２）：１６—１７ ４顾小龙，王大勇，王颖．Ａｌ：０，陶瓷／ＡｇＣｕＴ∥可伐合金钎焊接头力学性能．材料科学与艺，２００７；１５（３）：３６６—３６９５吴铭方．反应层厚度对他０３／ＡｇＣｕ７ｎ／ｎ一６ｍ一４Ｖ接头强度的影响．稀有金属材料与工程，２０００；１９（２６）：４１９—４２２６王洪潇．氧化铝陶瓷与金属活性封接技术研究．大连交通大学硕士论文，２００６：１—５０ ７刘军红．复相Ａｌ：０，基陶瓷／钢大气中直接钎焊连接界面的微观组织结构．焊接学报，２００３；２４（６）：２６—２８ ８张玮．镍离子注入灿２０３／１ｃｒｌ８Ｎｉ９Ｔｉ的钎焊界面成分分析．包头钢铁学院学报，２０００；１９（３）：２１９—２２ｌ ９王大勇，冯吉才，刘会杰．灿：Ｏ，／Ｃｕ／Ａｌ扩散连接工艺参数的优化．材料科学与工艺，２００３；１１（１）：７３～７６ １０陈铮，赵其章，方芳等．陶瓷／陶瓷（金属）部分瞬间液相连接．硅酸盐学报，１９９９；２７（２）：１８６～１８８ １ｌＭｅｒｚｈ锄ｏｖＡＧ．ＩｎｔｅｒＳｙｍｐｏｓｉｕｍ∞ｃｏＩＩＩｂｕｓ阴ｄｐｌ嬲一眦ｓｙｎ．ｏｆｈｉｇｌｌ—ｔｅ呷．Ｍａｔｅｒ．ｓ明Ｆｒ锄ｃｉｓｃｏ，ｃＡ，９８８ １２余圣甫等．Ａｌ：０，陶瓷／不锈钢自蔓延高温原位合成连接．焊接学报，２００４；２５（２）１１９一１２２ １３周健，章桥新，刘桂珍等．微波焊接陶瓷辊棒．武汉工业大学学报，１９９９；２１（３）：１～２ １４ＭｅｅｋＴＴ，ＢｌａｌｃｅＲＤ．Ｃｅｒａｍｉｃ?ｃｅ硼ｉｃｓｅａｌｓｂｙｍｉｃｒｏ－ｗ盯ｅｈｅ砒ｉｎｇ．Ｊ．Ｍａｔ．Ｓｃｉ．Ｌ肚．，１９８６；（５）：２７０～２７４ １５Ｆｕｋｕｓｈｉ眦Ｈ。ＹａｍａｎａｋａＴ，Ｍａ协ｕｉＭ．Ｍｉｃｍｗａｖｅｈｅａｔ—ｉｎｇｏｆ ｃｅ姗ｉｃｓａｎｄｉ协ａｐｐｌｉｃ砒ｉ叩ｔｏｊｏｉｎｉｎｇ．ＪＭａｔ．Ｒ∞．，１９９０；５（２）：３９７—４０５ １６Ｂｉ衄ｅｒＪＧＰ，Ｆ唧ｉｅＪＡ，ＷｈｉｔａｋｅｒＰＡｅｔａ１．Ｔｈｅｅ妇ｆｅｃｔ０ｆｃｏｍｐｏｓｉｔｉ∞ｏｎｔｌＩｅＩＩｌｉｃｎ）ｗａｖｅｂｏｎｄｉｒＩｇ０ｆａｌｕｌＩｌｉ啪ｃｅ捌【ｎｉｃｓ．ＪＭａｔ．ｓｃｉ．，１９９８；３３（１２）：３０１７～３０２９ １７ｚｌＩ伽Ｊｉ蛐，Ｚｈ衄ｇＱｉａ喇ｎ，ＭＥＩＢｉｎｇｃｈｕｅｔａ１．Ｍｉｃ胁ｗａｖｅｊｏｉＩｌｉｎｇｏｆ ａｌｕＩＩｌｉ腿ｃ廿枷ｃａｎｄｈ”Ｉｒｏｘｙｌ印ａｔｉｔｅｂｉｏｃｅ枷ｃ．ＪＷｕｈ粕Ｕｎｉｖ．ｏｆＴｅｃｈ．Ｍａｔｅｒ．Ｓｃｉ．，１９９９；１４（２）：４６～４９１８ＣｈｅｎＸｉｎｍ伽，ⅡｕＷ嘶．ＨｉｇｌｌＦｒｅｑｕｅｎｃｙＨｅａｔｉｌｌｇＤｉｅ．１ｅｃｔｒｉｃＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．ＢｅｉｊｉＩｌｇ：ｓｃｉｅ眦ｅＰｒ鹤ｓ，１９７９：ｌ一３０ １９Ｃ蛐Ｇ，Ｋ０ｃａＩ【Ｍ．ｈ咿ｓｓｉｎｊｏｉｎｉＩｌｇｏｆａｄｖ锄ｃｅｄｍａｔｅ—ｒｉａｌｓ．ｈｔｅｍａｔｉｏＩｌａｌＭａｔｅｒｉａｌｓＲｅｖｉｅ啪，１９９８；４３（１）：卜４４２０广赖明夫．金属基复合材料。结合．溶接会志，１９９６；６５（４）：ｌ６９２一ｌ６９８ （编辑吴坚） 宇航材料工艺２００８年第４期 万方数据
陶瓷金属化技术-钼锰法 新型陶瓷常用的钼锰法工艺流程与被银法基本相似。其金属化烧结多在立式或卧式氢气炉中进行。采用还原气氛，但需要含微量的氧化气体，如空气和水汽等，也可采用H2、N2及H2O三元气体。金属烧结的温度，一般比瓷件的烧成温度低30~100℃。[钼锰法也是烧结金属粉末法最重要的一种。] 金属件的膨胀系数与陶瓷的膨胀系数尽可能接近，互相匹配，封包陶瓷的金属应有较高的温度系数，封接与陶瓷内的金属应有较低的温度系数。这样，陶瓷保持受压状态。 钼锰法的工艺流程图： 1、金属化用的原料的处理与配制 （1）钼粉：使用前先在纯，干的H2气氛中1100 ℃处理，并将处理过的钼粉100g加入500ml
无水乙醇中摇动一分钟，然后静置三分钟，倾出上层的悬浮液，在静止数小时使澄清，最后取出沉淀在40 ℃下烘干。 （2）锰粉：电解锰片在钢球磨中磨48小时，以磁铁吸去铁屑，在用酒精漂选出细颗粒。（3）金属化涂浆的配制与涂制：取100g钼锰金属的混合粉末（钼：锰=4：1），在其中加入2.5g硝棉溶液及适量的草酸二乙酯，搅拌均匀，至浆能沿玻璃棒成线状流下为准。每次使用前如稠度不合适，可再加入少量硝棉溶液或者草酸二乙酯进行调节。涂层厚度为50um。 金属化的机理：锰被水气中的氧气在800℃下氧化，高温下，熔入玻璃相中，减低其黏度。玻璃相渗入钼层空隙，并向陶瓷坯体中渗透。由于Al2O3在玻璃相中溶解-重结晶过程，因此在界面上往往存在大颗粒的刚玉晶体。氧化锰还能与Al2O3生成锰铝尖晶石，或与SiO2生成蔷薇辉石。 钼在高温下烧结成多孔体，同时钼的表面被氧化，并渗入到金属化层空隙的玻璃相中，被润湿和包裹，这样容易烧结，并向瓷体移动。 冷却后，经书相层就通过过渡区而与瓷坯紧密的结合。由于以上的高温反应在氧化铝瓷和钼锰金属化层之间形成有一厚度的中间层。金属化层厚度约为50um时，中间层约为30um，金属化层厚度增加，中间层厚度也增加。 2、上镍 在金属化烧成以后，为改善焊接时金属化层与焊料的润湿性能，许在上面上一层镍，可用涂镍再烧，也可用电镀的方法。 1，烧镍：将镍粉用上述钼粉漂选方法获得细颗粒，并采用和制金属化钼锰浆一样的方法制成镍浆，涂在烧好的金属化层上，厚度为40um，在980℃干H2气氛中烧结15分钟。 2，镀镍：在金属化层上电镀镍，周期短，电极上采用的镍板纯度为99.52%。 3、焊接 经金属化并上有镍的陶瓷，与金属焊接在一起，是在干燥H2保护下的立式钼丝炉中进香。与可伐合金焊接时焊料用纯银，与无氧铜焊接时，只能用银铜低共熔合金。 纯银焊料：一般采用0.3mm厚的薄片，或直径0.1mm的银丝，纯度为99.7%，焊接温度为030-1050℃ 银铜焊料：也可采用0.3mm厚的薄片，或直径0.1mm的银丝，成分为72.98%银，27.02%铜焊接温度为030-1050 ℃
陶瓷加热器 我们采用中空陶瓷远红外加热元件，不仅仅是因为陶瓷加热无明光明火，而且陶瓷加热还有诸多优点。 陶瓷加热器是一种高效热分部均匀的加热器，热导性极佳的金属合金，确保热面温度均匀，消除了设备的热点及冷点。具有长寿命、保温性能好、机械性能强、耐腐蚀、抗磁场等优点。 一种是将合金丝穿绕于小陶瓷方块中，外部包以不锈钢外壳而成。广泛应用于塑料机械、化纤机械。 一种是将合金丝浇铸在石英玻璃为原材料的半导体中。具有耐高温（可达1200度）、防腐、美观耐磨的特点。广泛应用于高温采暖炉、半导体工程、玻璃、陶瓷及电线工程中。 陶瓷加热器 陶瓷电加热器 有圈型和板状等规格，工作可靠寿命长、坚固耐用，节约能源，具有安装灵便、耐高温、传热快、绝缘良好、制作不受型号和规格大小的限制等优点。可根据用户需求的接线方式，电压从36V、110V、180V、220V、380V ,最高功率负载每平方6.5W ，与传统电热器相比较能量消耗可降低30%.。 陶瓷发热器 适用于直发用电夹板、卷发器、电烫斗、电烙铁、电吹风、烘干机、蒸水器、暖风机、厕所温水马桶座、医疗器械等电加热产品。陶瓷加热器具有安装灵便、耐高温、传热快、绝缘良好、制作不受型号和规格大小的限制等优点。 陶瓷加热器产品结构：陶瓷加热器是用不锈钢皮做外壳，内有较高绝缘耐火程度的陶瓷内穿上电阻丝，再用机械绞制成型，接通电源，即可使用。 *升温快30秒可达500度 *热效率90%以上是PTC发热器的1.5倍
*功率可从50W-2000W任意 *电源从12V-380V任意 *形状不受外型限制（可以定做） *采用蜂窝状陶瓷发热器元件国外最新技术 *不怕水及酸碱 *采用陶瓷片加热，不发红光，不燃烧，升温快，30秒之内可升至500℃。 *500℃，以下无名火不耗氧，不氧化，口、舌不干燥，可除臭、保持室内空气清新。 *热效率可达90%以上，是PTC加热器的1.5倍，它是传统电热丝加热器的2倍，可以节省30%能源及电费支出。 *能放射远红外线及辐射热，其放射率高达91%。 *遇水不爆裂，耐酸碱，适合恶劣环境使用。 *启动时无突波电流，温度可保持恒温。 *陶瓷发热器适用于：化装、敷脸、风湿、关节酸痛之舒解。除房间温暖外还对坐办公室及从业人员脚部冰冷、酸痛取暖等效果奇佳。 *使用电压12V-380V任意，功率50W-2000W任意。 *广泛用于家用电器（电吹风）美容仪器医疗仪器、工业用烘干机传真机等等。
真空开关基础知识—真空的绝缘性能 一、真空的基本概念 真空技术中，“真空”泛指在给定的空间内，气体压强低于一个大气压的气体状态，也就是说，同正常的大气压相比，是较为稀薄的一种气体状态。 真空度是对气体稀薄程度的一种客观量度。根据真空技术的理论，真空度的高低通常都用气体的压强来表示。在国际单位制中，压强是以帕(Pa)为单位 1Pa=1N/m2。另外常用的单位还有托(Torr)、毫米汞柱(mmHg)、毫巴 (mbar)、工程大气压(公斤／厘米2)等。 真空区域的划分没有统一规定，我国通常是这样划分的： 粗真空：(760～10)托 低真空：(10～10-3)托 高真空：(10-3～10-8)托 超高真空：(10-8～10-12)托 极高真空：10-12托 托和帕的关系：1 托=1 毫米汞柱(mmHg)=133.322Pa，1 帕=7.5×10-3托。 真空区域的特点不同其应用也不同，例如吸尘器工作于粗真空区域，暖瓶、灯泡等工作于低真空区域，而真空开关管和其它一些电真空器件则是工作在高真空区域。 二、真空间隙的绝缘特性 真空中放置一对电极，加上高压时，在一定的电压下也会产生电极之间的电击穿。它的击穿与空气中的电击穿有很大不同。空气中的击穿是由于气体中的少量自由电子在电场作用下高速度运动，与气体分子碰撞产生较多的电子和离子，新生的电子和离子又同中性原子碰撞，产生更多的电子和离子。这种雪崩式的电离过程，在电极间形成了放电通道，产生了电弧。而真空中，由于压强较低，气体分子极少，在这样的环境中，即使电极间隙中存在着电子，它们从一个电极飞向另一个电极时，也很少有机会与气体分子碰撞。因而不可能有电子和气体分子碰撞造成雪崩式的电击穿。正是因为气体分子十分稀少，真空间隙电击穿需要在非常高的电压下出现场致发射等其它现象时才有可能形成。从理论上推测，电场强度需达到108V/cm以上时才会造成电击穿，实际上真空间隙的绝缘强度由于一系列不利因素例如电极表面粗糙度、洁净度等的影响，将低于理论计算值几个数量级。 真空灭弧室中的真空度很高，一般为10-3～10-6帕，此时真空间隙的绝缘强度远远高于1 个大气压的空气和SF6 的绝缘强度，比变压器油的绝缘强度还要高。正因为真空的绝缘强度很高，真空灭弧室中的所有电气间隙都可以做得很小。例如12kV 真空灭弧室的触头开距只有8～12mm，40.5kV 真空灭弧室的触头开距也只要18～25mm，真空灭弧室中的其它电气间隙也在此尺度范围。 三、影响真空绝缘水平的主要因素 真空绝缘是一个十分复杂的物理过程，其机理到目前为止仍没有明确的结论。从实际应用情况来看，主要有以下几个方面： 1、电极的几何形状 电极的几何形状对电场的分布有很大的影响，往往由于几何形状不够恰当，引起电场在局部过于集中而导致击穿，这一点在高电压的真空产品中尤其突出。
陶瓷电热管 一、陶瓷电热管的概述 陶瓷电热管是目前最先进的管状电热元件之一，具有体积小，功率大，加热速度快，使用寿命长等优异性能。已经广泛用于日常生活、工农业技术、通讯、医疗、环保、等各个需要中低温加热的众多领域。在家用电热电器方面:如小型温风取暧器、电吹风、干衣机、暖气机、冷暖手机、干燥器、电热夹板、电熨斗、电烙铁、直发器、卷发烫发器、电子保温瓶、保温柜、电热炊具、座便陶瓷加热器、热水器等;在工业方面如工业烘工设备、电热粘合器、水油及酸碱液体加热器等;在电子行业方面如小型专用晶体器件恒温槽;在医疗方面如红外理疗仪、静脉注射液加热器等等。 二、陶瓷电热管的组成和结构 1.材质陶瓷电热管全称“氧化铝陶瓷电加热管”，是在96%以上的管状氧化铝陶瓷上面印刷钨合金发热线路，再经过高温共烧而成的管状发热体。经过高温烧成后的陶瓷电热管整体呈雪白色，发热丝线路嵌入到管壁内，完全与空气隔离，减少发热丝氧化对产品寿命的影响。 2.引线一般陶瓷电热管为单头电热管形式，电极引线为镍丝，引线理论上能支持水平≥5kg，垂直≥3kg的拉力作用，而且能承受1000℃高温不掉线。 三、陶瓷电热管的工作原理 该产品使用目前流行的电阻加热原理设计，即当电流通过发热丝线路时，发热丝线路会发热。而且氧化铝陶瓷发热管具有金属正温度特性，产品阻值会随着温度上升而增大，从而降低产品的实际使用功率，同时不会影响加热效果。 一般国内的常见的金属电热管最高使用温度大多在500℃以内，超过500℃后，寿命极短。我公司生产的陶瓷电热管均能达到长期干烧在700℃左右，且保持使用寿命达到国家标准。 四、陶瓷电热管的特性 1.该产品使用氧化铝陶瓷材质，硬度大，耐磨性好，而且比一般金属管都要轻。 2.陶瓷电热管整体呈白色，抗压和绝缘性能都非常可靠，最高能耐4200V电压。
真空开关检修规程 1检修前的准备 1．1真空开关在通常情况应该安装在干燥的室内,至于矿用真空开关或防爆开关则另有规定。安装后必须保证其垂直度,特别是真空开关管应保持垂直状态。种型号的真空开关安装尺寸在各自的使用说明书上均有注明。 1.2真空开关的带电部分，包括控制电源线与地面间的最小距离应不小于１００毫米。 1.3真空开关检修前，应仔细阅读产品说明书，按照说明规定进行检修试验，检修完毕后，即可进行试验。试验用专用扳手搬动主轴拐臂，使作顺时针合闸。要特别注意，手动合闸移动要取下专用扳手，否则分闸时会击伤人。手动合闸３－５次若未发现异常现象，便可以进一步进行电动分闸操作。 1.4试验过程中若异常，则应该进一步地仔细观察，认真检查真空开关各部位的工作情况有无锈蚀卡死，侧向力的作用或者动作不灵活的地方，分析故障原因，采取相应办法给予排除。 2大修项目 2.1本体分解。 2.2灭弧、导电、绝缘部分解体检修。 2.3控制传动部分解体检修。 2.4操动机构解体检修。 2.5其他附件解体检修。 2.6组装、调试。 2.7电气试验及机构特性试验。
2.8整体清扫、除锈涂漆。 2.9现场清理。
3小修项目 3.1引线导电板、软连接、帽盖、并联电容器的固定螺栓检查。 3.2清扫检查瓷套。 3.3检查水平拉杆、拐臂、合闸保持弹簧、各轴销，并涂润滑油。 4调整的项目 4.1行程开距的调整，真空开关的操作机构总行程和开关的触头开距随开关的电压等级不同略有差别，各种型号的插产品使用说明书有具体规定。调节分闸限位螺钉的高度，可以使导杆的总行程达到规定值，触头的开距可以从开关动导电杆的实际行程测得亦可由总行程减去超程算得，触头开距达不到要求，对ＺＮ-１０或ＺＮ-１０断路器可以通过调节超行程大小取得，对ＺＮ－１０可调节缓冲垫的厚度。增加缓冲垫的厚度，触头开距就减小，反之就增大。 4.2超行程的调整，真空开关的超行程的作用和重要性前文已有叙述，务必仔细调整，用操作手柄或专用扳手操作断路器，拔出绝缘子端上金属销可旋转与真空开关管动导电杆连接接头实现调整，对于螺距为１.５的连接头，旋转９０度、１８０度、２７０度或３６０度调节距离分别为０.３７５，１.１２或１.５毫米。 4.３三相同步性调整，真空开关的三相在分闸操作时要求开关管的触头同时分离和同时接触，最大误差不超过１毫米，调节方法同超行程，用三相同步指示灯或其它仪器检查。
真空开关管的加工工艺 真空开关管的生产流程: 零件进厂检验----- 零件库房-----瓷筒库房-----刷镀车间钎焊车间-----老练测试车间 一、零件进厂检验 1. 波纹管的材料为316L不锈钢。一般对波纹管做疲劳寿命试验。不同的真空管有不同的开距。以12KV的为例： 12KV的真空管的开距为9±1mm,以及10±1mm 12KV的波纹管试验机调至行程为15mm做疲劳寿命试验，6万次不漏气。检查波纹管的外观，测量尺寸，检测波纹管焊料的流淌性试验。 2. 瓷筒：数显拉力试验机，主要做瓷筒的整管封接抗拉强度试验 瓷筒的材料为A-95陶瓷三氧化二铝 我公司真空管用的瓷筒为等静压陶瓷，如常规品种Ф70系列、Ф75系列、Ф80系列等等，按照内控标准规定≧Ф80瓷筒外径，抗拉强度的平均值30KN, ≦Ф80瓷筒外径,抗拉强度的平均值28KN。 检查瓷筒的外观有无掉瓷掉釉，检查釉下气泡。 测量尺寸
3. 触头：真空管使用的触头为CuCr50, Wcu10, Cuw (WC) 断路器用真空管触头材料为：CuCr30,CuCr50 接触器用真空管触头材料为：Cuw (WC) 负荷开关用真空管触头材料为：Wcu10 检查触头的尺寸，以及表面的光洁度 4. 动、静导电杆： 动、静导电杆的材料为无氧铜TU1 测量动、静导电杆尺寸，使用塞规检查螺孔的通断止端，静杆法兰面螺孔的分度，环规检查外螺纹以及安装面的光洁度。 5. 动、静端盖： 动、静端盖的材料为316L不锈钢 测量动静端盖的尺寸以及车削面的光洁度
6. 封接环： 封接环的材料为无氧铜TU1。主要检测产品的外观及尺寸。 二、零件库房 主要存放为金属零件，库房内存放合格入库的零件，包括：波纹管，触头，动、静端盖，封接环，屏蔽筒，焊料。 三、瓷筒库房 该库房主要存放各种型号的瓷筒，库房内存放合格入库的瓷筒 瓷筒的主要供应商：陕西宝光，江西景华，神飞特陶 刷镀车间 钎焊出炉的真空管出炉后，表面需要刷镀一层Ni,主要满足温升试验对真空管表面质量要求。
AlN陶瓷金属化研究进展 纪成光，杨德安 天津大学材料科学与工程学院，天津（300072） E-mail：sdjcg2008@https://www.doczj.com/doc/f714439492.html, 摘要：本文论述了AlN陶瓷表面金属化技术的进展，介绍了金属化的主要方法及其基本原理，比较了各种方法的优缺点，并扼要阐述了AlN陶瓷的金属化机理。 关键词：AlN陶瓷，金属化，气密性，结合强度 1. 引言 近年来，随着大规模集成电路以及电子设备向着高速化、多功能、小型化、高功率的方向发展，各种应用对高性能、高密度电路的需求日益增加[1～4]。然而，电路密度和功能的不断提高导致电路工作温度不断上升，为了防止元件因热聚集和热循环作用而损坏，对基板材料的低介电常数、低热膨胀系数、高热导率等方面提出的要求越来越严格。目前，市场上高热导率材料主要有BeO、SiC和AlN。 BeO作为封装材料性能优良，遗憾的是，BeO是一种有毒物质，目前许多国家已将BeO 列入禁用材料，对含有BeO的元件或系统的使用也有诸多限制；SiC导热率虽然高达 270W/m·K，但其介电常数大（约40，1MHz），大大限制了其在高频领域的应用，不宜作基板材料；AlN不仅有高的热导率（约为Al2O3的10倍），单晶AlN高达320 W/m·K，而且具有优异的高温绝缘性、低介电常数以及与Si相近的热膨胀系数（4.5×10-6/℃,可以减少因热应力作用引起的元件/基片界面的剥离故障），另外，从结构上看，A1N陶瓷基片在简化结构设计、降低总热阻、提高可靠性、增加布线密度、使基板与封装一体化以及降低封装成本等方面均具有更大的优势。因而，随着航空、航天及其它智能功率系统对大功率耗散要求的提高，A1N基片已成为大规模集成电路及大功率模块的一种重要的新型无毒基片材料，以加强散热、提高器件的可靠性[4～9]。 AlN作为基片材料用于微电子系统封装中，在其表面进行金属化是必要的。但是，AlN 瓷是由强共价键化合物烧结而成，与其他物质的反应能力低，润湿性差，金属化存在一定的困难[4,10,11]。近年来，随着研究的不断深入，AlN陶瓷金属化取得了一定的成效。目前，应用于AlN陶瓷金属化的方法主要有薄膜法、厚膜法、直接敷铜(DBC)法、化学镀法等。 2. 薄膜法 薄膜法是采用真空蒸镀、离子镀、溅射镀膜等真空镀膜法将膜材料和AlN瓷结合在一起。由于为气相沉积，原则上讲无论任何金属都可以成膜，无论对任何基板都可以金属化。但是，金属膜层与陶瓷基板的热膨胀系数应尽量一致，以设法提高金属膜层的附着力。目前，研究最多的是Ti浆料系统，Ti层一般为几十纳米，对于多层薄膜，则在Ti层上沉积Ag、Pt、Ni、Cu等金属后进行热处理。鲁燕萍[12]等人针对AlN陶瓷在微波管中的应用特点，采用磁控溅射镀膜方法在AlN陶瓷表面溅射不同的金属薄膜，并与无氧铜焊接，测试焊接体的抗拉强度并对陶瓷－金属接合界面用EDX谱进行了微观分析。研究发现：在真空度优于2×10-3Pa的条件下，溅射Ti，Cu，Mo和Ni层会发生不同程度的氧化，影响了焊接强度和气密性。采用Ti／Au双层膜金属化可以起到防止Ti膜氧化的作用，但不能阻止焊料对Ti膜的溶解粘附，因而虽保证了焊接气密性，但强度较低；Ti／Ag金属化可以阻止焊料对Ti层的侵蚀，但其本身和
1906年10月25日，美国科学家德·福雷斯特申请了真空三极管放大器的专利，第二天又向美国电气工程师协会提交了关于三级管放大器的论文。他的专利于1907年1月15日被批准。 美国科学家德·福雷斯特（Lee de Forest，1873～1961） 福雷斯特的真空三级管建立在前人发明的真空二极管的技术基础之上。1904年，英国伦敦大学的弗莱明发明了真空二极管（Vacuum Diode Tube）。真空二极管只能单向导电，可以对交流电流进行整流，或者对信号进行检波，但是它不能对信号进行放大。没有能够放大信号的器件，电子技术就无法继续发展。 弗莱明发明的真空二极管 为了提高真空二极管检波灵敏度，福雷斯特在玻璃管内添加了一种栅栏式的金属网，形成电子管的第三个极。他惊讶地看到，这个“栅极”仿佛就像百叶窗，能控制阴极与屏极之间的电子流；只要栅极有微弱电流通过，就可在屏极上获得较大的电流，而且波形与栅极电流完全一致。也就是说，在弗莱明的真空二极管中增加了一个电极，就成了能够起放大作用的新器件，他把这个新器件命名为三极管（Triode）。
真空三极管原理 真空三极管除了可以处于“放大”状态外，还可分别处于“饱和”与“截止”状态。“饱和”即从阴极（或者叫发射极，emitter）到屏极（evelope）的电流完全导通，相当于开关开启；“截止”即从阴极到屏极没有电流流过，相当于开关关闭。两种状态可以通过调整栅极上的电压进行控制。因此真空三极管可以充当开关器件，其速度要比继电器快成千上万倍。 在福雷斯特真空三极管研究成功之后，经过改进还制成了真空四极管（Tetrode）和真空五极管(Pentode)等，它们和真空二极管和真空三极管一起统称为电子管。 各种各样的电子管 真空三极管为计算机的诞生铺平了道路，在世界上第一台电子计算机ENIAC里面，电子管是其最基本的元件了。电子管庞大的身躯和巨大的耗电量是两个致命的缺陷，所以会被小巧玲珑的半导体器件取代。但在模拟电路中，电子管的高保真放大特性仍然让与晶体管和集成电路相形见绌。直到今天，以电子管为核心器件的胆机仍是音响发烧友所追逐的目标。就在几年前，我们还可以在发烧主板上看到电子管的踪迹。
人类从事将真空作为灭弧和绝缘介质的应用研究，到现在已有一百多年的历史。早在1893 年，美国人里顿豪斯(Rittenhause)就设计出世界上第1 只真空灭弧室并以专利的形式发表；1920年，瑞典佛加（Birka）公司研制出世界上第一台真空开关；1926年，加里福尼亚工学院的索伦森(Sornsen)教授发表了真空开关的试验结果，并预言应用真空开关的时代不久就会到来。由于当时的真空技术还很落后，使得真空开关在工业上的实际应用被大大推迟了。 到1950年前后，随着真空技术以及相关技术如冶金技术等的发展，真空灭弧室的制造技术得到了提高，又重新开始了真空开关在工业上应用的研究。1956年，罗斯(H．Cross)对杰宁无线电制造公司(Jenning)生产的用于高频回路的真空开关进行了改造，试制出了15kV、200A的真空开关。 1961年美国通用电气公司在总结前人经验的基础上首先研制成功额定电压15kV、12.5kA 的真空断路器，1966年相继研制成功额定电压为15kV、开断电流为25kA和31.5kA的真空断路器，从此真空开关正式进入电力开关的行列，美国也因此成为世界上最早批量生产和使用真空开关的国家，在其影响和推动下，欧洲和亚洲的部分国家也相继开始了研制工作，真空开关从此在全球范围内得到认同和发展。 二十世纪70年代初，全球范围掀起的中压开关无油化浪潮给真空开关带来了前所未有的发展机遇。凭借自身巨大的技术优势，真空开关仅用了不到20年的时间就取代少油开关而成为中压领域的主导产品。目前单断口真空断路器已达到145kV 电压等级，短路开断电流已达到200kA 。 二、我国真空开关的发展概况 我国真空开关的研制工作始于二十世纪50年代末，基本与美国同步，略早于日本。 1958 年，由西安交通大学电器教研室和当时的西安高压开关整流器厂合作成立了一个厂校联合研制小组，由王季梅副教授和童永潮总工程师负责，正式开展真空开关的研制工作。小组成立后不到半年就成功研制出我国第一只真空灭弧室，并在西安交通大学电器实验室的合成回路上通过了50Hz、4kV、5kA的电流开断试验。 此后，西安高压电器研究所于1960 年研制成功了电压为6.7kV、500A 的单相真空开关，西安交通大学于1964年开发成功10kV，1500A 的三相真空开关，当同年这台三相真空开关在北京全国高教展览会上展出时，受到来自全国各地专家的好评，并引起全国各省市开关制造厂的极大兴趣，是为推动我国真空开关生产和发展的起始点。 1968年9月5日，国家重点国防工程(6895工程)在华光电子管厂实施，同年诞生了我国第一只商用真空灭弧室，从此华光电子管厂成为国内首家生产真空灭弧室的企业。 此后由于受到“文革”的影响，我国在真空电弧理论研究和真空开关开发方面的工作暂时停顿，一直到1976年才开始恢复。当时国内从事真空电弧理论研究的主要单位有西安交通大学、西安高压电器研究所和上海电器科学研究所三家。1978年以后，国内有10多家工厂正式投入真空开关的生产，所需的真空灭弧室主要由宝光电工总厂和华光电子管厂生产。 1984年，西安高压电器研究所、桂林电器科学研究所、宝光电工总厂和北京开关厂等四家联合引进了德国西门子公司3AF系列真空断路器的全套制造技术（含CuCr触头材料、真空灭弧室和真空断路器三大部分）。1986年，华光电子管厂引进了美国西屋公司全套真空灭弧室的制造技术（含CuCr触头材料）。这两次引进使我国真空开关行业的制造和设计水平均得到了极大的提高，为此后我国真空开关行业的发展和繁荣奠定了技术基础。 1992年，两部（即当时机械电子工业部与能源部）召开了关于在电力系统广泛推广应用真空开关的“天津会议”，从此我国真空开关进入快速发展期，市场上先后出现了多种由我国自主开发、技术指标达到当时国外先进水平的真空断路器，其代表产品有ZN23、ZN28和ZN63A等。在此阶段，我国己能生产额定电压为35kV，开断能力为31.5kA 及10kV，50kA、63kA 的真空断路器。到2003年，我国已研制出72.5kV、110kV/31.5kA和18 kV/80kA的单断口真空断路器，全行业年产各类真空开关20万余台，在世界上真空开关从业厂家最多、产销量最大和品种系列最多，成为名符其实的“真空开关王国”。 三、国内外真空灭弧室产业状况 1、 美国 美国是世界上最早开始生产和使用真空开关的国家，目前生产真空灭弧室的厂家主要有通用电气(GE)、西屋(WH)、库柏（Cooper）和杰宁(Jenning)公司，其中GE是全球最早开始系统研究真空开关和真空电弧理论的公司。 二十世纪60年代初，GE公司的李天河等人提出横向磁场熄弧原理，并据此研制出基于螺旋槽横磁触头结构和CuBi触头材料的真空灭弧室，将真空开关的短路开断能力提高到了15kV 、12.5kA，从而使真空开关真正具有了商业实用意义，李天河因此被称为“真空开关之父”。在此后的二十余年里，GE公司在灭弧机理、触头材料、试验方法和试验设备方面都做了大 第 1 页