2016-2022年中国半导体分立器件产业运营现状及十三五竞争战略分析
报告
中国报告网
2016-2022年中国半导体分立器件产业运营现状及十三五竞争战略分析报告
?【报告来源】中国报告网—https://www.doczj.com/doc/f93853794.html,
?【关键字】市场调研前景分析数据统计行业分析
?【出版日期】2016
?【交付方式】Email电子版/特快专递
?【价格】纸介版：7200元电子版：7200元纸介+电子：7500元
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?数据显示：2015年8月中国半导体分立器件制造出口交货值3,839,300.00千元，同比增长2.1%； 2015年1-8月中国
半导体分立器件制造出口交货值30,650,744.00千元，同比增长
10.3%。
2015年1-8月中国半导体分立器件制造出口交货值统计表
中国报告网发布的《2016-2022年中国半导体分立器件产业运营现状及十三五竞争战略分析报告》内容严谨、数据翔实，
更辅以大量直观的图表帮助本行业企业准确把握行业发展动向、
市场前景、正确制定企业竞争战略和投资策略。本报告依据国家
统计局、海关总署和国家信息中心等渠道发布的权威数据，以及
我中心对本行业的实地调研，结合了行业所处的环境，从理论到
实践、从宏观到微观等多个角度进行市场调研分析。它是业内企业、相关投资公司及政府部门准确把握行业发展趋势，洞悉行业竞争格局，规避经营和投资风险，制定正确竞争和投资战略决策的重要决策依据之一。本报告是全面了解行业以及对本行业进行投资不可或缺的重要工具。
本研究报告数据主要采用国家统计数据，海关总署，问卷调查数据，商务部采集数据等数据库。其中宏观经济数据主要来自国家统计局，部分行业统计数据主要来自国家统计局及市场调研数据，企业数据主要来自于国统计局规模企业统计数据库及证券交易所等，价格数据主要来自于各类市场监测数据库。
?报告目录：
?第一部分产业环境透视
?第一章半导体分立器件制造行业发展综述
第一节半导体分立器件制造行业定义及特征
一、行业定义
二、行业产品分类
三、行业特征分析
第二节半导体分立器件制造行业统计标准
一、统计部门和统计口径
二、行业主要统计方法介绍
三、行业涵盖数据种类介绍
第三节半导体分立器件制造行业经济指标分析
一、赢利性
二、成长速度
三、附加值的提升空间
四、进入壁垒／退出机制
五、风险性
六、行业周期
第二章半导体分立器件制造行业原材料市场分析第一节行业产业链简介
第二节行业原材料市场分析
一、芯片市场发展情况分析
1、芯片供应量分析
2、芯片价格走势分析
二、金属硅市场发展情况分析
1、金属硅产量分析
2、金属硅消费量分析
3、金属硅出口量分析
4、金属硅价格变动情况
三、铜材市场发展情况分析
1、铜材产量分析
2、铜表观消费量分析
3、铜材进出口分析
4、铜价格变动情况
第三节原材料对行业的影响
?
第三章中国半导体分立器件制造行业发展环境分析第一节经济环境分析
一、国家宏观经济环境
二、行业宏观经济环境
第二节政策环境分析
一、行业法规及政策
二、行业发展规划
第三节技术环境分析
一、主要生产技术分析
二、技术发展趋势分析
?第二部分行业深度分析
?第四章半导体分立器件制造行业现状分析第一节半导体分立器件制造行业经营情况分析
一、半导体分立器件制造行业发展总体概况
二、半导体分立器件制造行业发展主要特点
三、半导体分立器件制造行业市场规模分析
四、半导体分立器件制造行业财务指标分析
1、半导体分立器件制造行业盈利能力分析
2、半导体分立器件制造行业运营能力分析
3、半导体分立器件制造行业偿债能力分析
4、半导体分立器件制造行业发展能力分析
第二节半导体分立器件制造行业供需平衡分析
一、全国半导体分立器件制造行业供给情况分析
1、全国半导体分立器件制造行业总产值分析
2、全国半导体分立器件制造行业产成品分析
二、全国半导体分立器件制造行业需求情况分析
1、全国半导体分立器件制造行业销售产值分析
2、全国半导体分立器件制造行业销售收入分析
三、全国半导体分立器件制造行业产销率分析
第五章半导体分立器件制造行业进出口结构及面临的机遇与挑战
第一节半导体分立器件制造行业进出口市场分析
一、半导体分立器件制造行业进出口综述
1、中国半导体分立器件制造进出口的特点分析
2、中国半导体分立器件制造进出口地区分布状况
3、中国半导体分立器件制造进出口的贸易方式及经营企业分析
4、中国半导体分立器件制造进出口政策与国际化经营
二、半导体分立器件制造行业出口市场分析
1、2013-2014年行业出口整体情况
2、2013-2014年行业出口总额分析
3、2013-2014年行业出口产品结构
三、半导体分立器件制造行业进口市场分析
1、2013-2014年行业进口整体情况
2、2013-2014年行业进口总额分析
3、2013-2014年行业进口产品结构
第二节中国半导体分立器件制造出口面临的挑战及对策
一、中国半导体分立器件制造出口面临的挑战
二、半导体分立器件制造行业进出口前景
三、半导体分立器件制造行业进出口发展建议
?第三部分市场全景调研
?第六章半导体分立器件应用市场发展情况分析第一节半导体分立器件产品概况
一、行业产品结构特征分析
二、半导体分立器件产量分析
第二节半导体分立器件应用市场分析
一、电子设备制造对半导体分立器件需求分析
1、电子设备制造业发展现状
2、电子设备对半导体分立器件的需求
二、LED显示屏对半导体分立器件需求分析
1、LED显示屏行业发展现状
2、LED显示屏对半导体分立器件的需求
三、电子照明对半导体分立器件需求分析
1、电子照明行业发展现状
2、电子照明对半导体分立器件的需求
四、汽车电子对半导体分立器件需求分析
1、汽车电子行业发展现状
2、汽车电子对半导体分立器件的需求
?第四部分竞争格局分析
?第七章半导体分立器件制造市场竞争格局及集中度分析第一节半导体分立器件制造行业国际竞争格局分析
一、国际半导体分立器件制造市场发展状况
二、国际半导体分立器件制造市场竞争格局
三、国际半导体分立器件制造市场发展趋势分析
四、跨国企业在华市场的投资布局
1、日本厂商在华投资布局分析
（1）东芝（TOSHIBA）
（2）瑞萨科技（RENESAS）
（3）罗姆（Rohm）
（4）松下（Panasonic）
（5）日本电气股份有限公司（NEC）
（6）富士电机（FujiElectric）
（7）三洋（Sanyo）
（8）新电元（ShindengenElectric）
（9）富士通（Fujitsu）
2、美国厂商在华投资布局分析
（1）威旭（Vishay）
（2）飞兆半导体（FairchildSemiconductors）
（3）国际整流器公司（InternationalRectifier）
（4）安森美（OnSemiconductors）
3、欧洲厂商在华投资布局分析
（1）飞利浦半导体（PhilipsSemiconductors）
（2）意法半导体（STMicroelectronics）
（3）英飞凌（InfineonTechnologies）
第二节半导体分立器件制造行业国内竞争格局分析
一、国内半导体分立器件制造行业市场规模分析
二、国内半导体分立器件制造行业竞争格局分析
三、国内半导体分立器件制造行业竞争力分析
第三节半导体分立器件制造行业集中度分析
一、行业销售收入集中度分析
二、行业利润集中度分析
三、行业工业总产值集中度分析
四、行业区域集中度分析
第八章半导体分立器件制造行业区域市场分析
第一节行业总体区域结构特征分析
一、行业区域结构总体特征
二、行业区域集中度分析
三、行业区域分布特点分析
四、行业规模指标区域分布分析
五、行业效益指标区域分布分析
六、行业企业数的区域分布分析
第二节华东地区半导体分立器件制造行业分析
一、行业发展现状分析
二、市场规模情况分析
三、市场需求情况分析
四、行业发展前景预测
第三节华南地区半导体分立器件制造行业分析
一、行业发展现状分析
二、市场规模情况分析
三、市场需求情况分析
四、行业发展前景预测
第四节华中地区半导体分立器件制造行业分析
一、行业发展现状分析
二、市场规模情况分析
三、市场需求情况分析
四、行业发展前景预测
第五节华北地区半导体分立器件制造行业分析一、行业发展现状分析
二、市场规模情况分析
三、市场需求情况分析
四、行业发展前景预测
第六节东北地区半导体分立器件制造行业分析
一、行业发展现状分析
二、市场规模情况分析
三、市场需求情况分析
四、行业发展前景预测
第七节西部地区半导体分立器件制造行业分析
一、行业发展现状分析
二、市场规模情况分析
三、市场需求情况分析
四、行业发展前景预测
第九章国内半导体分立器件制造企业经营分析第一节深圳赛意法微电子有限公司
一、企业发展概况
二、企业经营状况分析
三、企业产品结构分析
四、企业技术水平分析
五、企业盈利能力分析
六、企业销售渠道与网络
七、企业优势与劣势分析
八、企业最新发展动向分析
第二节上海松下半导体有限公司
一、企业发展概况
二、企业经营状况分析
三、企业产品结构分析
四、企业技术水平分析
五、企业盈利能力分析
六、企业销售渠道与网络
七、企业优势与劣势分析
八、企业最新发展动向分析
第三节苏州松下半导体有限公司
一、企业发展概况
二、企业经营状况分析
三、企业产品结构分析
四、企业技术水平分析
五、企业盈利能力分析
六、企业销售渠道与网络
七、企业优势与劣势分析
八、企业最新发展动向分析
第四节无锡华润华晶微电子有限公司一、企业发展概况
二、企业经营状况分析
三、企业产品结构分析
四、企业技术水平分析
五、企业盈利能力分析
六、企业销售渠道与网络
七、企业优势与劣势分析
八、企业最新发展动向分析
第五节恩智浦半导体广东有限公司
一、企业发展概况
二、企业经营状况分析
三、企业产品结构分析
四、企业技术水平分析
五、企业盈利能力分析
六、企业销售渠道与网络
七、企业优势与劣势分析
八、企业最新发展动向分析
第六节通用半导体（中国）有限公司
一、企业发展概况
二、企业经营状况分析
三、企业产品结构分析
四、企业技术水平分析
五、企业盈利能力分析
六、企业销售渠道与网络
七、企业优势与劣势分析
八、企业最新发展动向分析
第七节英飞凌科技（无锡）有限公司
一、企业发展概况
二、企业经营状况分析
三、企业产品结构分析
四、企业技术水平分析
五、企业盈利能力分析
六、企业销售渠道与网络
七、企业优势与劣势分析
八、企业最新发展动向分析
第八节北京京东方半导体有限公司
一、企业发展概况
二、企业经营状况分析
三、企业产品结构分析
四、企业技术水平分析
五、企业盈利能力分析
六、企业销售渠道与网络
七、企业优势与劣势分析
八、企业最新发展动向分析
第九节江苏长电科技股份有限公司
一、企业发展概况
二、企业经营状况分析
三、企业产品结构分析
四、企业技术水平分析
五、企业盈利能力分析
六、企业销售渠道与网络
七、企业优势与劣势分析
八、企业最新发展动向分析
第十节上海凯虹科技电子有限公司
一、企业发展概况
二、企业经营状况分析
三、企业产品结构分析
四、企业技术水平分析
五、企业盈利能力分析
六、企业销售渠道与网络
七、企业优势与劣势分析
八、企业最新发展动向分析
?第五部分发展前景展望
?第十章2016-2022年半导体分立器件制造行业前景及趋势预测第一节2016-2022年半导体分立器件制造市场发展前景
一、半导体分立器件制造市场发展潜力
二、半导体分立器件制造市场发展前景展望
三、半导体分立器件制造细分行业发展前景分析
第二节2016-2022年半导体分立器件制造市场发展趋势预测
一、半导体分立器件制造行业发展趋势分析
1、技术发展趋势分析
2、产品发展趋势分析
二、半导体分立器件制造行业市场规模预测
1、半导体分立器件制造行业市场容量预测
2、半导体分立器件制造行业销售收入预测
三、半导体分立器件制造行业细分市场发展趋势预测
第十一章2016-2022年半导体分立器件制造行业投资机会与风险防范
第一节中国半导体分立器件制造行业投资特性分析
一、半导体分立器件制造行业进入壁垒分析
二、半导体分立器件制造行业盈利模式分析
三、半导体分立器件制造行业盈利因素分析
第二节中国半导体分立器件制造行业投资情况分析
一、半导体分立器件制造行业总体投资及结构
二、半导体分立器件制造行业投资规模情况
三、半导体分立器件制造行业投资项目分析
第三节中国半导体分立器件制造行业投资风险
一、半导体分立器件制造行业政策风险
二、半导体分立器件制造行业供求风险
三、半导体分立器件制造行业宏观经济波动风险
四、半导体分立器件制造行业关联产业风险
五、半导体分立器件制造行业产品结构风险
六、半导体分立器件制造行业技术风险
第四节半导体分立器件制造行业投资机会
一、产业链投资机会
二、细分市场投资机会
三、重点区域投资机会
四、半导体分立器件制造行业投资机遇
?第六部分发展战略研究
?第十二章半导体分立器件制造行业发展战略研究第一节半导体分立器件制造行业发展战略研究
一、战略综合规划
二、技术开发战略
三、业务组合战略
四、区域战略规划
五、产业战略规划
六、营销品牌战略
七、竞争战略规划
第二节对中国半导体分立器件制造品牌的战略思考
一、半导体分立器件制造品牌的重要性
二、半导体分立器件制造实施品牌战略的意义
三、半导体分立器件制造企业品牌的现状分析
四、中国半导体分立器件制造企业的品牌战略
五、半导体分立器件制造品牌战略管理的策略
第三节半导体分立器件制造行业经营策略分析
一、半导体分立器件制造市场细分策略
二、半导体分立器件制造市场创新策略
三、品牌定位与品类规划
四、半导体分立器件制造新产品差异化战略
第四节半导体分立器件制造行业投资战略研究
一、2014年半导体分立器件制造行业投资战略
二、2016-2022年半导体分立器件制造行业投资战略
三、2016-2022年细分行业投资战略
图表目录：
图表：2012-2015年固定资产投资与半导体分立器件制造行业关联性对比图
图表：2012-2015年我国半导体分立器件的发明专利申请数量变化图
图表：2012-2015年我国半导体分立器件发明专利公开数量变化图
图表：2012-2015年我国半导体分立器件的发明专利申请人构成图
图表：我国半导体分立器件的公开发明专利分布领域
图表：半导体分立器件制造行业产业链简图
图表：2012-2015年半导体照明用外延芯片产值增长情况
图表：2012-2015年华强北芯片价格指数变动情况
图表：2012-2015年国内工业硅产量表
图表：2012-2015年我国金属硅出口情况
图表：2012-2015年金属硅出口均价变动情况
图表：2012-2015年国内工业硅价格走势图
图表：2012-2015年我国铜材产量及增速变化趋势图
图表：2012-2015年我国铜材进口数量增长情况
图表：2012-2015年我国铜材出口数量增长情况
图表：2012-2015年华东市场铜（市场）价格月涨跌图
图表：2012-2015年铜价格走势情况
图表：2012-2015年半导体分立器件制造行业主要经济指标统计表
图表：2012-2015年中国半导体分立器件制造行业盈利能力分析图表：2012-2015年中国半导体分立器件制造行业运营能力分析图表：2012-2015年中国半导体分立器件制造行业偿债能力分析图表：2012-2015年中国半导体分立器件制造行业发展能力分析图表：2012-2015年中国半导体分立器件制造行业工业总产值及增长率走势
图表：2012-2015年中国半导体分立器件制造行业产成品及增长
率走势图
图表：2012-2015年中国半导体分立器件制造行业销售产值及增长率变化情况
图表：2012-2015年中国半导体分立器件制造行业销售收入及增长率变化趋势图
图表：2012-2015年全国半导体分立器件制造行业产销率变化趋势图
图表：2012-2015年中国半导体分立器件制造行业进出口状况表图表：2012-2015年中国半导体分立器件制造行业出口产品
图表：2012-2015年半导体分立器件制造行业出口产品结构
图表：2012-2015年中国半导体分立器件制造行业进口产品
图表：2012-2015年半导体分立器件制造行业进口产品结构
图表：2016-2022年半导体分立器件制造行业市场规模预测
图表：2016-2022年半导体分立器件制造行业产量预测
图表：2016-2022年半导体分立器件制造行业总产值预测
图表详见正文??????
特别说明：中国报告网所发行报告书中的信息和数据部分会随时间变化补充更新，报告发行年份对报告质量不会有任何影响，有利于降低企事业单位决策风险。（GY KWW）
“半导体技术”2011年第11期摘要” 材料与器件 P817- 宽带隙半导体材料光电性能的测试 P821- GaN薄膜的椭偏光谱研究 P826- 集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研究 P831- GaAs同质外延生长过程的RHEED分析 制造工艺技术 P836- 300nm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究 P840- 沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究 集成电路设计与应用 P844- 一种用于角度传感器中的仪表放大器 P848- FPGA芯片内数字时钟管理器的设计与实现 P853- 一种高功率馈线合成器的设计 P857- 一种宽带OFDM信号接收电路的设计与实现 P862- 2~18GHz宽带ALC放大器 P866- 20GHz镜频抑制谐波混频器 P871- 双极型LDO线性稳压器的设计 封装、检测与设备 P875- 全自动LED引线键合机焊点快速定位方法的研究 P880- 铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究 P885- 多线切割张力控制系统研究 P890- 汽车轮胎压力感应器产品的可靠性评估
材料与器件 P817- 宽带隙半导体材料光电性能的测试 郭媛1,陈鹏1,2,孟庆芳1,于治国1,杨国锋1,张荣1,郑有炓1 (1．南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093; 2．南京大学扬州光电研究院,江苏扬州225009) 摘要:主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发条件下,自由激子的带边复合占主导地位,并且带边复合的强度随温度或激发功率的下降而减弱;在室温以下小功率激发条件下,局域化能级引入的束缚激子复合占主导地位,其复合强度随温度的下降而单调上升,随激发功率的下降而上升。带边复合在样品温度上升或者激发功率变大时发生蓝移,而局域的束缚激子复合辐射的峰值波长,随样品温度和激发功率的变化没有明显变化。 关键词:光致发光;深能级;自由激子;束缚激子;多量子阱;蓝移 P821- GaN薄膜的椭偏光谱研究 余养菁,张斌恩,李孔翌,姜伟,李书平,康俊勇 (厦门大学物理系教育部微纳光电子材料与器件工程研究中心 福建省半导体材料及应用重点实验室,福建厦门361005) 摘要:采用椭圆偏振光谱法,在1.50~6.50eV光谱内,研究了在蓝宝石衬底(0001)面上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌矿结构GaN薄膜的光学性质。建立GaN表面层/外延层/缓冲层/衬底四层物理结构模型。与Cauchy和Sellmeier色散公式比较后选择了Tanguy Extended色散公式来分析GaN薄膜的光学性质。椭圆偏振光谱拟合结果表明,Tanguy Extended色散公式能更准确、方便地描述GaN薄膜在全波段(特别是带隙及带隙之上波段)的色散关系。提供了GaN薄膜在1.50~6.50eV光谱范围内的寻常光(o光)和非寻常光(e光)折射率和消光系数色散关系,为定量分析GaN薄膜带边附近各向异性的光学性质提供了依据。 关键词:GaN薄膜;椭圆偏振光谱;光学各向异性;色散关系;纤锌矿结构
一文看透中国半导体行业现状 2016-10-13 在中国近年来在半导体领域的重大投入和中国庞大市场的双重影响下，中国半导体在全球扮演的的角色日益重要。国际社会上很多观察家在把中国看成一个机会的同时，也同时顾虑到中国半导体崛起带来的威胁。但有一点可以肯定的是，近年来中国半导体玩家频频露面知名国际会议，已经制造了相当程度的全球影响力。 自从中国宣布建立千亿的投资基金，挑战全球半导体霸主的地位。业界的巨头们都在思考并谨慎防御中国的半导体野心。 考虑到中国庞大的国内市场和本土业者的技术悟性”，还有中国近几十年来所缔造的电子生产龙头地位，再加上近年来在各个领域的深入探索。你就会明白为什么中国对发展相对滞后的硅产业如此重视。 据我们预测，到2020 年,中国会消耗世界上55%的存储、逻辑和模拟芯片，然而当中只有15%是由中国自身生产的，和多年前的10%相比还是有了一定比例的提升。但是供需之间的差距仍然在日益扩大。 中国想在全球半导体产业中扮演一个重要角色，为本土生产的智能手机、平板等消费电子设备，工业设备制造更多国产的微处理器芯片、存储和传感器，能够满足本土电子产业的需求甚至还展望可以出口相关元器件。 在这种目标的指导下，中国在全国已经开发了好几个半导体产业群（图1），且在未来十年内，国家和地方政府计划额外投资7200亿人民币（1080亿美金）到半导体产业。这些投资除了满足消费和工业需求外，还会兼顾到中国在通信、安全等工业，以求减少对国际半导体的依赖。 图1 ：中国半导体的全国分布图
但据我们观察，中国半导体要崛起首先面临的第一个障碍就是目前中国大部分项目都是和已存在的公司合作，追逐市场的领先者和落后者，考虑到他们的目标、技术需求和国外政府对其的限制等现状。许多的中国公司已经释放出了一种信号一一那就是想投资更多的跨国半导体公司。最近的频频示好，也让中国半导体斩获不少。 在2016年1月，贵州政府出钱和高通成立了一家专注于高端服务器芯片生产的公司华芯通，合资公司中贵州政府所占的比例为55% ;另外，清华紫光集 团也给台湾的Powertech （力成）投资了6亿美金，成为后者的第一大股东。 力成成立于1997年，是全球第五大封测服务厂，美国存储生产商金士顿为其重要股东，原持股比例约3.83%，并拥有四席董事席位，台湾东芝半导体也拥有一席，在增资后股份以及董事席次估计都会有所更动。力成在营运业务上主要 专注在存储IC封测。这次投资体现了紫光和中国大陆对存储产业的决心。 早前，紫光还想买下西部数据和美光，但受限于美国监管局，这两笔交易最后只能夭折。虽然困难重重，但展望不久的将来，中国半导体业势必会发起更多并购，让我们拭目以待。 对于国际上的半导体玩家而言，中国半导体的雄心壮志有时候会让他们望而生畏。 考虑到中国庞大的市场、雄厚的资本和追求经济增长的长久目标，这就要求这些跨国公司在中国需要制定更清晰的策略。当然，这并不是说全球半导体玩家在和中国打交道的时候缺乏影响力和议价能力。 其实参考中国以往进入新市场的表现，结果是喜忧参半的。他们的国有公司政府组织会根据竞争者的状况和市场现状采取不同的策略。考虑到中国半导体目 标和他们进入国际市场的困难重重，展望未来他们还是会持续保持和跨国公司的合作，并在此期间培育自己的企业和产业。 中国抢占市场的方式 在对中国半导体并购策略了解之前，我们先了解一下中国抢占市场的惯用方
全球和中国半导体产业发展历史和大事记 1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。 1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。 1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。 1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI （甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。 1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。 1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。 1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。 1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。 1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。 1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。 1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。 1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。 1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。 七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂（永红器材厂）、871（天光集成电路厂）、878（东光电工厂）、4433厂（风光电工厂）和4435厂
半导体分立器件行业发展研究-半导体分立器件行业的下游需求情况 半导体分立器件行业的下游需求情况 随着国民经济的快速发展及行业技术工艺的不断突破，半导体分立器件的应用领域有了很大的扩展。近年来，受益于国家经济转型升级以及新能源、新技术的应用，下游最终产品的市场需求保持良好的增长态势，从而为半导体分立器件行业的发展提供了广阔的市场空间。半导体分立器件的下游覆盖消费电子、汽车电子、工业电子等领域，且在上述领域应用基本保持稳定的增长。在国家产业政策的支持下，新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等新兴产业领域将成为国内分立器件行业新的增长点，特别是该等应用领域将给MOSFET、IGBT等分立器件市场中的主流产品提供巨大的市场机遇。 （1）消费电子 MOSFET 等半导体功率器件是消费电子产品的重要元器件，消费电子市场也是半导体功率器件产品的主要需求市场之一。中国消费电子产品的普及程度越来越高，而且近年来消费者对消费电子的需求从以往的台式PC、笔记本电脑为主向平板电脑、智能电视、无人机、智能手机、可穿戴设备等转移，直接推动消费电子市场的快速发展。消费电子产品更新换代周期短以及新技术的不断推出，
使得消费电子市场需求量进一步上升。根据美国消费电子协会统计，2013 年中国消费电子市场整体规模达到16,325 亿元，成为全球最大的消费电子市场，根 据2017年3C行业报告，2017年中国消费电子市场将突破2万亿，预计增长7.1%。 目前我国笔记本电脑、彩色电视机等众多消费类电子产品的生产规模已经位居全球第一，同时以智能电视、无人机等为代表的新兴消费类电子产品也开始在国内实现量产。根据IDC 的预测，智能电视是互联网快速发展的产物，2016 年国内智能电视销量达4,098 万台，预计到2018 年智能电视销量将突破5,000 万台。近年来我国无人机市场规模快速增长，根据IDC 的预测，我国航拍无人机的 市场规模将由2016 年的39 万台增加到2019年的300 万台，年均复合增长率高 达97.40%。上述消费电子产品市场规模的快速增长，有力地拉动了对上游半导体功率器件的需求。 （2）汽车电子
QTEC-4000 半导体分立器件测试系统
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半导体分立器件 半导体器件是近50年来发展起来的新型电子器件，具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长、工作可靠等一系列优点，应用十分广泛。 1）国产半导体器件型号命名法 国产半导体器件型号由五部分组成，如表1-13所示。半导体特殊器件、场效应器件、复合管、PIN型管、激光管等的型号由第三、四、五部分组成。 表1-13 中国半导体器件型号命名法
示例1：“2 A P 10”型为P型锗材料的小信号普通二极管，序号为10。 示例2：“3 A X 31 A”型为PNP型锗材料的低频小功率三极管，序号31，规格号为A。 示例3：“CS 2 B”型为场效应管，序号为2，规格号为B。 2)半导体二极管 二极管按材料可分为硅二极管和锗二极管两种；按结构可分为点接触型和面接触型；按用途可分为整流管、稳压管、检波管、开关管和光电管等。常见二极管外形和电路符号可参见《基础篇》。 （1）常用二极管的类型有： ①整流二极管 主要用于整流电路，即把交流电变换成脉动的直流电。整流二极管为面接触型，其结电容较大，因此工作频率范围较窄（3kHz以内）。常用的型号有2CZ型、2DZ型等，还有用于高压和高频整流电路的高压整流堆，如2CGL型、DH26型2CL51型等。 ②检波二极管 其主要作用是把高频信号中的低频信号检出，为点接触型，其结电容小，一般为锗管。检波二极管常采用玻璃外壳封装，主要型号有2AP型和1N4148（国外型号）等。 ③稳压二极管 稳压二极管也叫稳压管，它是用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管，其特点是工作于反向击穿区，实现稳压；其被反向击穿后，当外加电压减小或消失，PN结能自动恢复而不至于损坏。稳压管主要用于电路的稳压环节和直流电源电路中，常用的有2CW型和2DW型。 ④光电二极管 光电管又称光敏管。和稳压管一样，其PN结也工作在反偏状态。其特点是：无光照射时其反向电流很小，反向电阻很大；当有光照射时，其反向电阻减小，反向电流增大。光电管常用在光电转换控制器或光的测量传感器中，其PN结面积较大，是专门为接收入射光而设计的。光电管在无光照射时的反向电流叫做暗电流，有光照射时的电流叫做光电流（或亮电流）。其典型产品有2CU、2DU系列。 ⑤发光二极管 发光二极管简写做LED。它通常用砷化镓或磷化镓等材料制成，当有电流通过它时便会发出一定颜色的光。按发光的颜色不同发光二极管可分为红色、黄色、绿色、蓝色、变色和红外发光二极管等。一般情况下，通过LED的电流在10～30mA之间，正向压降约为1.5～3V。LED可用直流、交流、脉冲等电源驱动，但必须串接限流电阻R。LED能把电能转换成光能，广泛应用在音响设备、数控装置、微机系统的显示器上。 ⑥变容二极管 变容二极管是利用PN结加反向电压时，PN结此时相当于一个结电容。反偏电压越大，PN结的绝缘层加宽，其结电容越小。如2CB14型变容二极管，当反向电压在3～25V区间变化时，其结电容在20～30pF之间变化。它主要用在高频
五、半导体篇 ——我国半导体产业的现状和发展前景 电子信息产业已成为当今全球规模最大、发展最迅猛的产业，微电子技术是其中的核心技术之一（另一个是软件技术）。现代电子信息技术，尤其是计算机和通讯技术发展的驱动力，来自于半导体元器件的技术突破，每一代更高性能的集成电路的问世，都会驱动各个信息技术向前跃进，其战略地位与近代工业化时代钢铁工业的地位不相上下。 当前，世界半导体产业仍由美国占据绝对优势地位，日本欧洲紧随其后，韩国和我国台湾地区也在迅速发展。台湾地区半导体工业已成为世界最大的集成电路代工中心，逐步形成自己的产业体系。 我国的微电子科技和产业起步在50年代，仅比美国晚几年。计划经济时期，由于体制的缺陷和其间10年“文革”，拉大了和国际水平的差距。进入80年代，我国面对国内外微电子技术的巨大反差和国外对我技术封锁，我们没有能够在体制和政策上及时拿出有效应对措施。国有企业无法适应电子技术的快节奏进步，国家协调组织能力下降，科研体制改革缓慢，以致1980～1990年代我国自主发展半导体产业的努力未获显著效果。 “市场‘开放’后，集成电路商品从合法、不合法渠道源源涌入，集成电路所服务的终端产品，以整机或部件散装的形式，也大量流入，但人家确实考虑到微电子的战略核心性质，死死卡住生产集成电路的先进设备，不让进口，在迫使我们落后一截，缺乏竞争力的同时，又时刻瞄准我们科研与生产升级的潜力，把我们的每一次进步扼杀在萌芽状态，冲垮科技能力，从外部加剧我们生产与科研的脱节，迫使我们不得不深深依赖他们。……我们的产业环境又多多少少带有计划色彩，不能很快与国际接轨，其中特别是对微电子产业发展有重大影响的企业制度、资本市场、税收政策、科研体制等，又不适应市场经济要求，使得我们在国际竞争中缺乏活力”。1 20世纪90年代，我国半导体产业的增长速度达到30%以上，但其规模仅占世界半导体子产业的1%，仅能满足大陆半导体市场的不足10%。即使“十五”期间各地计划的项目都能如期实施，到2005年，我国半导体产业在世界上的份额，顶多占到2%～3%。自己的设计和制造水平和国际先进水平的差距很大，企业规模小、重复分散、缺乏竞争力，基本上是跨国公司全球竞争战略的附庸，自己的产业体系还没有成形。 我国半导体产业如此落后的现状，使得我国的经济、科技、国防现代化的基础“建筑在沙滩上”。在世界微电子技术迅猛发展的情况下，我国如不努力追赶，就会在国际竞争中越来越被动，对我国未来信息产业的升级和市场份额的分配，乃至对整个经济发展，都可能造成十分不利的影响。形势逼迫我国必须加快这一产业的发展。“十五”计划中，加快半导体产业的发展被放在重要地位，这是具有重大意义的。 发展中国家要追赶国际高科技产业的步伐，一般都会面临技术、资金、管理、市场的障碍。高科技的产业化是一个大规模的系统工程，需要科研和产业的紧密结合，以及各部门的有效协调，而这些都不是单个企业所能跨越得过去的。在市场机制尚未成熟到有效调动资源的情况下，高层次的组织协调和扶持是必需的。构建具有较高透明度的政策环境和市场环境。有助于鼓励高科技民营企业进入电路设计业领域，鼓励生产企业走规模化和面向国内市场自主开发的路子，形成产业群体。 1许居衍院士，2000年。
我国半导体分立器件行业研究 1、行业现状及发展前景 （1）半导体分立器件简介 分立器件是指具有单一功能的电路基本元件，如二极管、晶体管、电阻、 电容、电感等，主要实现电能的处理与变换，是半导体市场重要的细分领域。 根据功能用途，可以将能够进行功率处理的半导体器件定义为功率半导体器 件（Power Semiconductor Device），又称电力电子器件（Power Electronic Device）。 典型功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理等。功率半导 体器件主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是弱电控制与强电运行间的桥 梁。除保证设备正常运行以外，功率半导体器件还起到有效的节能作用。典型的 功率半导体器件包括二极管（普通二极管、肖特基二极管、快恢复二极管等）、 晶体管（双极结型晶体管、电力晶体管、MOSFET、IGBT 等）、晶闸管（普通 晶闸管、IGCT、门极可关断晶闸管等）。 作为分立器件最重要和最广泛的应用领域，功率半导体器件在大功率、大电
流、高反压、高频、高速、高灵敏度等特殊应用场合具有显著性能优势，因此可替代性较低。功率半导体器件目前几乎应用于所有的电子制造业，如通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子、人工智能、物联网等领域，应用范围广阔。半导体分立器件行业处于产业链的中游，其产品被广泛应用于各终端领域。半导体分立器件在半导体（硅基）产业链中的位置如下图所示（虚线方框部分）： 从具体制造流程上来看，可以进一步将半导体分立器件划分为芯片设计、芯片制造、封装测试等环节。 芯片设计是指通过系统设计和电路设计，将设定的芯片规格形成设计版图的过程。在对芯片进行寄存器级的逻辑设计和晶体管级的物理设计后，设计出不同规格和效能的芯片。
半导体分立器件行业发展研究 -半导体分立器件竞争格局、利润水平及行业壁垒 半导体分立器件行业竞争格局 经过多年的发展，国内厂商在中低端分立器件产品的技术水平、生产工艺和产品品质上已有很大提升，但在部分高端产品领域仍与国外厂商有较大的差距。由于国外公司控制着核心技术、关键元器件、关键设备、品牌和销售渠道，国内销售的高端半导体功率器件仍旧依赖海外进口。面对广阔的市场前景，国内厂商在技术水平和市场份额的提升上仍有较大的开拓空间。我国半导体分立器件行业起步较晚，近年来在国家产业政策的鼓励和行业技术水平不断提升等多重利好因素推动下，行业内部分企业以国外先进技术发展为导向，逐步形成了以自主创新、突破技术垄断、替代进口为特点的发展模式。半导体分立器件行业内，新洁能等部分企业掌握了MOSFET、IGBT 等产品的核心技术，通过产品的高性价比不断 提高市场占有率，在与国外厂商的竞争中逐步形成了自身的竞争优势。
行业利润水平 1、行业利润水平的变动趋势 近年来，我国半导体分立器件行业平均利润水平总体上呈现平稳波动态势，在不同应用领域及细分市场行业利润水平则存在着结构性差异。一般而言，在传统应用领域，低端产品行业进入门槛较低，市场竞争较为充分，导致该领域产品行业利润水平相对较低。而在新兴细分市场以及中高端半导体分立器件市场，由于产品技术含量高，产品在技术、客户积累以及资金投入等方面具有较高的进入壁垒，市场竞争程度相对较低，行业内部分优质企业凭借自身技术研发、产业链完善、质量管理等综合优势，能够在该领域获得较高的利润率水平。 2、行业利润水平的变动原因 半导体分立器件行业的利润水平主要受到宏观经济形势和下游行业景气度、以及行业技术水平等因素的综合影响。 宏观经济形势及下游行业景气程度方面。半导体分立器件作为基础性元器件，应用领域涵盖了消费电子、汽车电子、工业电子等广泛的下游行业。宏观经济形势则直接影响该等行业的整体发展状况，从而传导至对半导体分立器件的需求的变化，进而影响半导体分立器件行业的利润水平。
半导体分立器件、集成电路装调工 国家职业标准 1.职业概况 1． 1职业名称：半导体分立器件、集成电路装调工。 1． 2 职业定义：使用设备装配、测试半导体分立器件、集成电路、混合集成电路 的人员。 1． 3职业等级：本职业共设四个等级，分别为：初级（国家职业资格五级）、中 级（国家职格四级）、高级（国家职业资格三级）、技师（国家职业资格二级）。 1． 4职业环境：室内、常温（部分高温），净化。 1．5 职业能力特征：有一定的分析、判断和推理能力，手指灵活、手臂灵活、动作 协调。知觉好。 1． 6基本文化程度：高中毕业（或同等学历）。 1． 7 培训要求： 1．7．1培训期限：全日制职业学校教育，根据其培养目标和教学计划确定。晋级 培训：初级不少于 400标准学时；中级不少于 300标准学时；高级不少于 150标准学时；技师 于 150标准学时。 1． 7． 2培训教师：培训初、中、高级的教师应具有本职业技师职业资格证书或 3年相关专业 8级专业技术职务任职资格；培训技师的教师具有本职业技师职业资格证书 以上或专业高级专业技术职务任职资格。 1．7．3培训场地设备：理论培训场地应具有可容纳20名以上学员的标准教室，并 配备设备。实际操作培训场所应具备必要的实验设备和产品测试仪器的实践场所。 1． 8鉴定要求： 1． 8． 1适用对象：从事或准备从事本职业的人员。 1． 8． 2申报条件： ——初级（具备下列条件之一者） （1）经本职业初级正规培训达规定标准学时数，并取得结业证书。 （2）在本职业连续见习工作 2年以上。 （3）本职业学徒期满。 ——中级（具备以下条件之一者） （ 1）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作 3年以上，经本职业中级正 训达规定标准学时数，并取得结业证书。 （ 2）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作5年以上。
关于中国半导体产业发展的现状分析和趋势展望 摘要：步入二十一世纪的第十个年头，伴随着中国经济实体的繁荣发展，中国的半导体产业即将进入产业大发展的战略机遇期，如何把握机遇更好更快的发展半导体产业成为了未来中国经济发展的重点之一。中国半导体设计、制造、封测共同发展，结构日渐优化，产业链逐步完善，形成了相互促进共同发展的良好互动的大好局面。然而，由于各式各样的原因，半导体产业同时也面临着种种困难和挑战，如何制定科学合理的发展战略则成为了产业发展的重中之重。总之，中国半导体产业的发展充满机遇和挑战。 关键词：半导体产业科学发展产业调整战略优化 正文： 一、中国半导体产业的现状及分析 中国的半导体市场需求强劲，市场规模的增速远高于全球平均水平。不过，产业规模的扩大和市场的繁荣并不表明国内企业分得的份额更大，相反，中国的半导体市场正日益成为外资公司的乐土。国内半导体公司的发展面临强大的压力，生存环境堪忧。从两大分支上看，分立器件由于更新换代较慢、对技术和制造的要求较低、周期性也不明显，因而更适合国内企业，加上国际低端分立器件产能的转移，国内企业能够在低端市场获得优势。而从产业链环节上看，我们相对看好设计业，认为本土设计公司有突破的可能。基于政策支持、市场需求和产能转移，我们判断半导体行业在国内有很大的增长潜力。 二、长三角半导体产业的集群效应 我国尤其是长三角地区的半导体产业在国际半导体产业转移过程中获得了极好的发展机会,半导体产业初步形成了有一定规模的半导体产业集群,大大地推动了长三角地区的产业结构升级和带动了地区经济的发展。目前长三角地区已经成为我国集成电路产业的重镇,在国际半导体产业版图也占有极其重要的一席之地。但是应该认识到,长三角地区的半导体产业集群还只是如低廉的劳动力成本、地方政府提供的土地与财税优惠政策等基本生产要素驱动所形成的。这种低层次生产要素无法构成我国半导体产业的长久竞争优势,很快就会被以低成本比较优势的后起之秀所取代。长三角地区目前已经具有较好的半导体产业集群基础,国内又有极为庞大的内需市场,在国际半导体产业大转型的产业背景下,我们应转变传统靠低成本比较优势来招徕产业投资的观念,而应积极建立促进半导体产业高层次生产要素产生的机制,来提升长三角地区半导体产业集群的国际竞争力。 There was favorable opportunity for semiconductor industry development in China, esp. the Changjiang River delta, during the global industry transferring. There is semiconductor industrial cluster in this area and it improves the industry structures greatly and drives the economy development. The Changjiang River delta has been being as the most important area of China Semiconductor industry and it also is important in global semiconductor market.But we have to say that the semiconductor industrial clusters in the Changjiang River delta is initiated by generalized factors such as low labor cost, privilege policy of finance and landing provided by local governments. These generalized factors cannot be the competitive strength in long term and will be replaced soon by other area with low-cost comparison strength. The Changjiang River delta has good foundation of semiconductor industrial clusters and there is a huge marketing, so we should take proactive actions to buildup the environment and system to encourage high-level factors generating for semiconductor industry, during the transforming time of industry. Only in this way, we can promote the global competitive strength of the semiconductor industry in the Changjiang River delta. 三、南昌半导体照明成为国家半导体照明工程产业化基地
国内31家半导体上市公司排行 内容来源网络，由“深圳机械展（11万㎡，1100多家展商，超10万观众）”收集整理！更多cnc加工中心、车铣磨钻床、线切割、数控刀具工具、工业机器人、非标自动化、数字化无人工厂、精密测量、3D打印、激光切割、钣金冲压折弯、精密零件加工等展示，就在深圳机械展. 中国芯是科技行业近几年的高频词汇之一，代表着我国对于国内半导体发展的期许，提升和现代信息安全息息相关的半导体行业的自给率，实现芯片自主替代一直是我国近年来的目标。为实现这一目标，我国从政策到资本为半导体产业提供了一系列帮助，以期在不久的将来进入到全球半导体行业一线阵营。 半导体是许多工业整机设备的核心，普遍使用于计算机、消费类电子、网络通信、汽车电子等核心领域。半导体主要由四个组成部分组成：集成电路，光电器件，分立器件，传感器。半导体行业的上游为半导体支撑业，包括半导体材料和半导体设备。中游按照制造技术分为分立器件和集成电路。下游为消费电子，计算机相关产品等终端设备。 截至3月31日收盘，中国A股半导体行业上市公司市值总额为3712．3亿元，其中市值超过100亿元的公司有11家，市值超过200亿元的公司有4家，分别为三安光电、利亚德、艾派克、兆易创新，其中三安光电以652．1亿元的市值位居首。 详细排名如下： 三安光电 三安光电是目前国内成立早、规模大、品质好的全色系超高亮度发光二极管外延及芯片产业化生产基地，总部坐落于美丽的厦门，产业化基地分布在厦门、天津、芜湖、泉州等多个地区。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、化合物太阳能电池及Ⅲ
－Ⅴ族化合物半导体等的研发、生产和销售。是我国国内LED芯片市场市占高、规模大的企业，技术水平比肩国际厂商。 利亚德 利亚德是一家专业从事LED使用产品研发、设计、生产、销售和服务的高新技术企业。公司生产的LED使用产品主要包括LED全彩显示产品、系统显示产品、创意显示产品、LED 电视、LED照明产品和LED背光标识系统等六大类。 艾派克 艾派克是一家以集成电路芯片研发、设计、生产和销售为核心，以激光和喷墨打印耗材使用为基础，以打印机产业为未来的高科技企业。是全球行业内领先的打印机加密SoC 芯片设计企业，是全球通用耗材行业的龙头企业。艾派克科技的业务涵盖通用耗材芯片、打印机SoC芯片、喷墨耗材、激光耗材、针式耗材及其部件产品和材料，可提供全方位的打印耗材解决方案。 兆易创新 兆易公司成立于2005年4月，是一家专门从事存储器及相关芯片设计的集成电路设计公司，致力于各种高速和低功耗存储器的研究及开发，正在逐步建立世界级的存储器设计公司的市场地位。产品广泛地使用于手持移动终端、消费类电子产品、个人电脑及其周边、网络、电信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域。 长电科技 长电科技是主要从事研制、开发、生产销售半导体，电子原件，专用电子电气装置和销售企业自产机电产品及成套设备的公司。是中国半导体封装生产基地，国内著名的三极管制造商，集成电路封装测试龙头企业，国家重点高新技术企业。2015年成功并购同行业的新加坡星科金朋公司，合并后的长电科技在业务规模上一跃进入国际半导体封测行业的第一
2020年半导体分立器件制造行业分析报告 2020年7月
目录 一、行业上下游之间的关联性 (3) 1、芯片设计 (3) 2、晶圆制造 (3) 3、封装测试 (4) 二、影响行业发展的因素 (4) 1、有利因素 (5) （1）国家政策的有力支持 (5) （2）半导体产业重心转移带来的国产替代机遇 (5) （3）功率半导体产业技术发展 (6) （4）新兴科技产业的发展孕育新的市场机会 (6) 2、不利因素 (7) （1）半导体产业基础薄弱 (7) （2）国产功率半导体器件产品附加值较低 (7) （3）高端技术人才短缺 (7) 三、进入行业的壁垒 (8) 1、市场壁垒 (8) 2、技术壁垒 (8) 3、专业人才壁垒 (9) 四、行业经营特征 (9) 五、行业竞争情况 (10) 1、扬杰科技 (11) 2、捷捷微电 (11) 3、派瑞股份 (11) 4、中车时代电气 (12)
一、行业上下游之间的关联性 半导体产业链主要包含芯片设计、晶圆制造和封装测试三大核心环节，此外还有为晶圆制造与封装测试环节提供所需材料及专业设备的支撑产业链。作为资金与技术高度密集行业，半导体行业形成了专业分工深度细化、细分领域高度集中的特点。 1、芯片设计 芯片设计的本质是将具体的产品功能、性能等产品要求转化为物理层面的电路设计版图，并且通过制造环节最终实现产品化。设计环节包括结构设计、逻辑设计、电路设计以及物理设计，设计过程环环相扣，技术和工艺复杂。芯片设计公司的核心竞争力取决于技术能力、需求响应和定制化能力带来的产品创新能力。 2、晶圆制造 晶圆制造是半导体产业链的核心环节之一。晶圆制造是根据设计出的电路版图，通过炉管、湿刻、淀积、光刻、干刻、注入、退火等不同工艺流程在半导体晶圆基板上形成元器件和互联线，最终输出能够完成功能及性能实现的晶圆片。晶圆制造产业属于典型的资本和技
中国半导体行业状况简析：IDM模式&垂直分工模式 （注：目前在美国上市的中国半导体行业公司已经不少，包括展讯通信、锐迪科、美新半导体等，本文是对中国半导体行业的一篇知识普及性文章，内容主要源自兴业证券的一份行业研究报告） 通俗的讲半导体就是导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体技术是国际竞争的焦点和衡量一个国家或地区现代化程度以及综合国力的重要标志，半导体产业处于整个电子产业链的核心位置，一大批上市公司参与半导体产业价值链的形成。 那么这些企业分布在半导体产业链的那个位置，各自扮演怎样角色以及各自的核心竞争力？以下报告将从半导体产业在电子行业位置、半导体产业的两种商业模式、两种商业模式的之间的竞争与合作、两种商业模式的进入壁垒及风险与收益关系、各子行业的核心驱动因素等方面，对其做一解读，以增进投资者了解。 一、半导体产业在电子行业位置 半导体产业是电子元器件行业重要分支，按照产品功能的不同，电子元器件可以分为被动元器件、集成电路（IC）、分立器件、印刷电路板（PCB）、显示器件（TFT-LCD、PDP）、其他元器件等子行业，集成电路（IC）是半导体技术的核心。
二、半导体产业存在两种商业模式 全球半导体产业有两种商业模式，一种是IDM（Integrated Device Manufacture，集成器件制造）模式，另一种是垂直分工模式。1987 年台湾积体电路公司（TSMC）成立以前，只有IDM 一种模式，此后，半导体产业的专业化分工成为一种趋势。出现垂直分工模式的根本原因是半导体制造业的规模经济性。现今IDM 厂商仍然占据主要地位，主要是因为IDM 企业具有资源的内部整合优势、技术优势以及较高的利润率。 出现垂直分工模式的主要原因有两个： 首先，半导体制造业具有规模经济性特征，适合大规模生产。随着制造工艺的进步和晶圆尺寸的增大，单位面积上能够容纳的IC 数量剧增，成品率显著提高。企业扩大生产规模会降低单位产品的成本，提高企业竞争力。 其次半导体产业所需的投资十分巨大，沉没成本高。一般而言，一条8 英寸生产线需要8 亿美元投资，一条12 英寸生产线需要12～15 亿美元的投资，而且每年的运行保养、设备更新与新技术开发等成本占总投资的20%。这意味着除了少数实力强大的IDM厂商有能力扩张外，其他的厂商根本无力扩张。 正是在这样的背景下，台湾半导体教父张忠谋离开 TI（德州仪器），在台湾创立了TSMC，标志着半导体产业垂直分工模式的形成。TSMC 只做晶圆代工（Foundry），不做设计。Foundry 的出现降低了IC 设计业的进入门槛，众多的中小型IC 设计厂商纷纷成立，绝大部分是无生产线的IC 设计公司（Fabless）。Fabless 与Foundry 的快速发展，促成垂直分工模式的繁荣。 1.IDM（Integrated Device Manufacture，集成器件制造）商业模式分析 目前，全球主要的商业模式还是IDM。美国、日本和欧洲半导体产业主要采用这一模式，典型的IDM 厂商有Intel、三星、TI（德州仪器）、东芝、ST（意法半导体）等。IDM 厂商的经营范围涵盖了IC 设计、IC 制造、封装测试等各环节，甚至延伸至下游电子终端。
2020年半导体分立器件行业分析 一、行业管理 (2) 二、行业技术水平和技术特点及行业特征 (2) 1、行业技术水平和技术特点 (2) 2、行业特征 (3) （1）周期性 (3) （2）区域性 (3) （3）季节性 (4) 三、行业上下游的关系 (4) 1、上游行业情况 (4) 2、下游行业情况 (5) 四、行业竞争情况 (5) 1、行业竞争格局 (5) 2、行业主要企业情况 (6) （1）安世集团（Nexperia） (7) （2）英飞凌（Infineon） (7) （3）意法半导体（ST Microelectronics） (7) （4）华润微电子有限公司 (8) （5）杭州士兰微电子股份有限公司 (8) （6）苏州固锝电子股份有限公司 (8) （7）江苏捷捷微电子股份有限公司 (9) （8）吉林华微电子股份有限公司 (9) （9）强茂电子（无锡）有限公司 (9) （10）无锡新洁能股份有限公司 (9)
一、行业管理 国内半导体行业已实现市场化的发展模式，基本形成了各企业面向市场自主经营，政府职能部门产业宏观调控，行业协会自律规范的管理格局。半导体产业的行业宏观管理职能由国家工业和信息化部承担，主要负责产业政策制定、引导扶持行业发展、指导产业结构调整等；中国半导体行业协会是行业的自律组织和协调机构，下设集成电路分会、半导体分立器件分会、半导体封装分会、集成电路设计分会、半导体支撑业分会、MEMS分会等专业机构。行业协会主要承担行业引导和服务职能，负责产业及市场研究、行业自律管理以及开展业务交流等。 二、行业技术水平和技术特点及行业特征 1、行业技术水平和技术特点 半导体分立器件的技术涉及了微电子、半导体物理、材料学、电子线路等诸多学科、多领域，不同学科、领域知识的结合促进行业交叉边缘新技术的不断发展。随着终端应用领域产品的整体技术水平要求越来越高，半导体分立器件技术也在市场的推动下不断向前发展，新材料、低损耗高可靠性器件结构理论、高功率密度的芯片制造与封装工艺技术已应用到分立器件生产中，行业内产品的技术含量日益提高、设计及制造难度也相应增大。近年来，我国半导体分立器件制造企业通过持续的引进消化吸收再创新以及自主创新，产品技术含量及
2019年半导体分立器件行业发展研究 （一）半导体行业基本情况 1、半导体概况 （1）半导体的概念 半导体是一种导电性可受控制，常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体的导电性受控制的范围为从绝缘体到几个欧姆之间。半导体具有五大特性：掺杂性（在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性）、热敏性、光敏性（在光照和热辐射条件下，其导电性有明显 的变化）、负电阻率温度特性，整流特性。半导体产业为电子元器件产业中最重 要的组成部分，在电子、能源行业的众多细分领域均都有广泛的应用。 （2）半导体行业分类 按照制造技术的不同，半导体产业可划分为集成电路、分立器件、其他器件等多类产品，其中集成电路是把基本的电路元件如晶体管、二极管、电阻、电容、电感等制作在一个小型晶片上然后封装起来形成具有多功能的单元，主要实现对
信息的处理、存储和转换；分立器件是指具有单一功能的电路基本元件，主要实现电能的处理与变换，而半导体功率器件是分立器件的重要部分。 分立器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等半导体功率器件产品；其中，MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，相比于功率三极管、晶闸管等电流控制型开关器件，具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点。公司生产的MOSFET系列产品和IGBT系列产品属于国内技术水平领先的半导体分立器件产品。半导体器件的分类示意图和公司产品所处的领域如下图所示：
在分立器件发展过程中，20 世纪50 年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20 世纪60 至70 年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET 发展起来；20 世纪80 年代后期，沟槽型功率MOSFET 和IGBT 逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时