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晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程

A.晶圆封装测试工序 一、 IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵,主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外,对已印有电路图案的图案晶圆成品而言,则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说,图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线,并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除,以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、 IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic)及塑胶(plastic)两种,而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例,其步骤依序为晶片切割(die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bond)、封胶(mold)、剪切/成形(trim / form)、印字(mark)、电镀(plating)及检验(inspection)等。 (1) 晶片切割(die saw) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die)切割分离。举例来说:以0.2微米制程技术生产,每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割,首先必须进行晶圆黏片,而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上,而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mount / die bond) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣(magazine)内,以送至下一制程进行焊线。 (3) 焊线(wire bond) IC构装制程(Packaging)则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路(Integrated Circuit;简称IC),此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层,避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架(Pin),称之为打线,作为与外界电路板连接之用。

半导体晶圆针测与测试制程

晶圆针测制程 晶圆针测(Chip Probing;CP)之目的在于针对芯片作电性功能上的测试(Test),使IC 在进入构装前先行过滤出电性功能不良的芯片,以避免对不良品增加制造成本。 半导体制程中,针测制程只要换上不同的测试配件,便可与测试制程共享相同的测试机台(Tester)。 所以一般测试厂为提高测试机台的使用率,除了提供最终测试的服务亦接受芯片测试的订单。以下将此针测制程作一描述。 上图为晶圆针测之流程图,其流程包括下面几道作业: (1)晶圆针测并作产品分类(Sorting) 晶圆针测的主要目的是测试晶圆中每一颗晶粒的电气特性,线路的连接,检查其是否为不良品,若 为不良品,则点上一点红墨水,作为识别之用。除此之外,另一个目的是测试产品的良率,依良率 的高低来判断晶圆制造的过程是否有误。良品率高时表示晶圆制造过程一切正常,若良品率过低,表示在晶圆制造的过程中,有某些步骤出现问题,必须尽快通知工程师检查。 (2)雷射修补(Laser Repairing) 雷射修补的目的是修补那些尚可被修复的不良品(有设计备份电路在其中者),提高产品的良品率。 当晶圆针测完成后,拥有备份电路的产品会与其在晶圆针测时所产生的测试结果数据一同送往雷射 修补机中,这些数据包括不良品的位置,线路的配置等。雷射修补机的控制计算机可依这些数据,尝试将晶圆中的不良品修复。 (3)加温烘烤(Baking) 加温烘烤是针测流程中的最后一项作业,加温烘烤的目的有二: (一)将点在晶粒上的红墨水烤干。 (二)清理晶圆表面。经过加温烘烤的产品,只要有需求便可以出货。

半导体测试制程 测试制程乃是于IC构装后测试构装完成的产品之电性功能以保证出厂IC功能上的完整性,并对已测试的产品依其电性功能作分类(即分Bin),作为IC不同等级产品的评价依据;最后并对产品作外观检验(Inspect)作业。 电性功能测试乃针对产品之各种电性参数进行测试以确定产品能正常运作,用于测试之机台将根据产品不同之测试项目而加载不同之测试程序;而外观检验之项目繁多,且视不同之构装型态而有所不同,包含了引脚之各项性质、印字(mark)之清晰度及胶体(mold)是否损伤等项目。而随表面黏着技术的发展,为确保构装成品与基版间的准确定位及完整密合,构装成品接脚之诸项性质之检验由是重要。以下将对测试流程做一介绍 上图为半导体产品测试之流程图,其流程包括下面几道作业: 1.上线备料 上线备料的用意是将预备要上线测试的待测品,从上游厂商送来的包箱内拆封,并一颗颗的放在一 个标准容器(几十颗放一盘,每一盘可以放的数量及其容器规格,依待测品的外形而有不同)内,以利在上测试机台(Tester)时,待测品在分类机(Handler)内可以将待测品定位,而使其内的 自动化机械机构可以自动的上下料。 2.测试机台测试(FT1、FT2、FT3) 待测品在入库后,经过入库检验及上线备料后,再来就是上测 试机台去测试;如前述,测试机台依测试产品的电性功能种类 可以分为逻辑IC测试机、内存IC测试机及混合式IC(即同时包 含逻辑线路及模拟线路)测试机三种,测试机的主要功能在于 发出待测品所需的电性讯号并接受待测品因此讯号后所响应 的电性讯号并作出产品电性测试结果的判断,当然这些在测试 机台内的控制细节,均是由针对此一待测品所写之测试程序 (Test Program)来控制。

MOP多目标规划

多目标规划 multiple objectives programming 数学规划的一个分支。研究多于一个目标函数在给定区域上的最优化。又称多目标最优化。通常记为VMP。在很多实际问题中,例如经济、管理、军事、科学和工程设计等领域,衡量一个方案的好坏往往难以用一个指标来判断,而需要用多个目标来比较,而这些目标有时不甚协调,甚至是矛盾的。因此有许多学者致力于这方面的研究。1896年法国经济学家V.帕雷托最早研究不可比较目标的优化问题,之后,J.冯·诺伊曼、H.W.库恩、A.W.塔克尔、A.M.日夫里翁等数学家做了深入的探讨,但是尚未有一个完全令人满意的定义。求解多目标规划的方法大体上有以下几种:一种是化多为少的方法,即把多目标化为比较容易求解的单目标或双目标,如主要目标法、线性加权法、理想点法等;另一种叫分层序列法,即把目标按其重要性给出一个序列,每次都在前一目标最优解集内求下一个目标最优解,直到求出共同的最优解。对多目标的线性规划除以上方法外还可以适当修正单纯形法来求解;还有一种称为层次分析法,是由美国运筹学家沙旦于70年代提出的,这是一种定性与定量相结合的多目标决策与分析方法,对于目标结构复杂且缺乏必要的数据的情况更为实用。 1947年,J.冯·诺伊曼和O.莫根施特恩从对策论的角度提出了有多个决策者在彼此有矛盾的情况下的多目标问题。1951年,T.C.库普曼斯从生产和分配的活动中提出多目标最优化问题,引入有效解的概念,并得到一些基本结果。同年,H.W.库恩和A.W.塔克尔从研究数学规划的角度提出向量极值问题,引入库恩-塔克尔有效解概念,并研究了它的必要和充分条件。1963年,L.A.扎德从控制论方面提出多指标最优化问题,也给出了一些基本结果。1968年,A.M.日夫里翁为了排除变态的有效解,引进了真有效解概念,并得到了有关的结果。自70年代以来,多目标规划的研究越来越受到人们的重视。至今关于多目标最优解尚无一种完全令人满意的定义,所以在理论上多目标规划仍处于发展阶段。 化多为少 即把多目标规划问题归为单目标的数学规划(线性规划或非线性规划)问题进行求解,即所谓标量化的方法,这是基本的算法之一。 ①线性加权和法对于多目标规划问题(VMP),先选取向量 要求λi>0(i=1,2,…,m) 作各目标线性加权和

曼昆《经济学原理(微观经济学分册)》章节题库(收入与歧视)【圣才出品】

第19章收入与歧视 一、名词解释 补偿性工资差别(compensating differential) 答:补偿性工资差别指不同工作的非货币特性所引起的工资差别。补偿性工资差别在经济中普遍存在。比如:教授的工资低于受教育时间大致相同的律师和医生,教授的低工资由工作所带来的学术上与个人价值上的满足而得到补偿。工厂中夜班工人的工资高于同类白班工人的工资。高工资补偿用来补偿他们不得不夜里工作而白天睡觉这种大多数人都不喜欢的生活方式。 工资差别产生的原因,主要是为了“补偿”一些人在工作条件和社会环境方面所处的不利地位。由于他们所处的这种地位,使他们不得不承受更多的生理和心理方面的压力,承受了更高的“劳动的负效应”,也就是劳动引起的劳累、紧张、枯燥、疲倦、痛苦和危险的感觉或处境。从一定意义上说,这也意味着他们比那些没有处于同样地位的人付出了更多的劳动。所以,这种工资差别被称为补偿性工资差别。 二、判断题 1.对不熟练劳动的需求小于对熟练劳动的需求。() 【答案】√ 【解析】劳动需求曲线与劳动的边际收益产量曲线(MRP)重合,因为低技能工人的边际收益产量低于高技能工人的边际收益产量,对低技能工人的需求也低于对高技能工人的需求。

2.较高的受教育程度和较多的工作经验都会增加人力资本。() 【答案】√ 【解析】从总体来看,人力资本较高的工人获得的工资较高,因此较高的受教育水平和较多的工作经验能够使工人获得更高的工资。 三、简答题 什么是效率工资?为什么工人对他们的生产率比厂商有更多的信息时,支付效率工资对厂商是有利的? 答:(1)效率工资的含义 效率工资指的是企业支付给员工比市场平均水平高得多的工资,促使员工努力工作的一种激励与薪酬制度。它的主要作用是吸引和留住优秀人才。 ①效率工资是一种礼物交换行为 效率工资理论中,有一个基本假定:企业的效率工资是用来交换员工加倍工作的,而员工的加倍工作也是用来获取企业的高工资。社会关系中的互惠原则是效率工资起作用的基本条件。 ②一旦发现偷懒行为立即严惩偷懒者是企业理想的做法 效率工资理论中,效率工资要起激励、约束作用,必须按照游戏规则,严惩偷懒者。这是保证效率工资起作用的重要前提。只有这样,员工才会努力工作。因此,能否保证凡被发现有违纪者一律严惩,是效率工资能否奏效的重要因素。 ③效率工资水平的确定具有主观性 员工对企业的认同感如何,员工关系的亲密程度以及对外部失业情况和经济景气状况的

晶圆封装测试工序和半导体制造工艺流程0001

盛年不重来,一日难再晨。及时宜自勉,岁月不待人 盛年不重来,一日难再晨。及时宜自勉,岁月不待人 A.晶圆封装测试工序 一、IC检测 1. 缺陷检查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electro n Microscopy) 用来检测出晶圆上是否有瑕疵,主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。此外,对已印有电路图案的图案晶圆成品而言,则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。一般来说,图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线,并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除,以辨识并发现瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dime nsioi n Measureme nt) 对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。 二、IC封装 1. 构装(Packaging) IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic )及塑胶(plastic )两种,而目前商业应用上则以塑胶构装为主。以塑胶构装中打线接合为例,其步骤依序为晶片切割( die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bon d)、圭寸胶(mold )、剪切/ 成形(trim / form )、印字(mark )、电镀(plating )及检验(inspection )等。 (1) 晶片切割(die saw ) 晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die )切割分离。举例来说:以 0.2微米制程技术生产,每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。 欲进行晶片切割,首先必须进行晶圆黏片,而后再送至晶片切割机上进行切割。切割完后之 晶粒井然有序排列于胶带上,而框架的支撐避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。 (2) 黏晶(die mou nt / die bo nd ) 黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。黏晶完成后之导线 架则经由传输设备送至弹匣( magazi ne )内,以送至下一制程进行焊线。 ⑶焊线(wire bond ) IC构装制程(Packaging )则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路( Integrated Circuit ;简称IC),此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层,避免电路受到机械

曼昆《经济学原理(微观经济学分册)》(第6版)课后习题详解收入与歧视【圣才出品】

第19章收入与歧视 一、概念题 1.补偿性工资差别(compensating wage differential) 答:补偿性工资差别指不同工作的非货币特性所引起的工资差别。补偿性工资差别在经济中普遍存在。比如:教授的工资低于受教育时间大致相同的律师和医生,教授的低工资由工作所带来的学术上与个人价值上的满足而得到补偿。工厂中夜班工人的工资高于同类白班工人的工资。高工资补偿用来补偿他们不得不夜里工作而白天睡觉这种大多数人都不喜欢的生活方式。 工资差别产生的原因,主要是为了“补偿”一些人在工作条件和社会环境方面所处的不利地位。由于他们所处的这种地位,使他们不得不承受更多的生理和心理方面的压力,承受了更高的“劳动的负效应”,也就是劳动引起的劳累、紧张、枯燥、疲倦、痛苦和危险的感觉或处境。从一定意义上说,这也意味着他们比那些没有处于同样地位的人付出了更多的劳动。所以,这种工资差别被称为补偿性工资差别。 2.人力资本(human capital) 答:人力资本指体现在劳动者身上的,以劳动者的数量和质量表示的资本。人力资本对经济发展具有重大贡献,主要表现如下:①提高物质资本使用率。较高的人力资本能更有效地提高物质资本的利用率,从而提高经济效益;②产生余值增长率。国民收入增长率高于国民资源增长率的差距即为余值增长率,主要是由于规模报酬递增规律和劳动者素质的提高而产生的;③提高劳动生产率。人力资本的进步是提高劳动生产率和促进经济增长的重要因素。 人力资本是为了提高劳动的文化技术水平和劳动素质而投到劳动者身上的投资,是无形资本,它与物质资本(有形资本)共同构成了经济增长因素中的投资。人力资本在经济增长

多目标线性规划的若干解法及MATLAB实现

多目标线性规划的若干解法及MATLAB 实现 一.多目标线性规划模型 多目标线性规划有着两个和两个以上的目标函数,且目标函数和约束条件全是线性函 数,其数学模型表示为: 11111221221122221122max n n n n r r r rn n z c x c x c x z c x c x c x z c x c x c x =+++??=+++?? ??=+++? (1) 约束条件为: 1111221121122222112212,,,0 n n n n m m mn n m n a x a x a x b a x a x a x b a x a x a x b x x x +++≤??+++≤?? ??+++≤?≥?? (2) 若(1)式中只有一个1122i i i in n z c x c x c x =+++ ,则该问题为典型的单目标线性规划。我们记:()ij m n A a ?=,()ij r n C c ?=,12(,,,)T m b b b b = ,12(,,,)T n x x x x = , 12(,,,)T r Z Z Z Z = . 则上述多目标线性规划可用矩阵形式表示为: max Z Cx = 约束条件:0 Ax b x ≤?? ≥? (3) 二.MATLAB 优化工具箱常用函数[3] 在MA TLAB 软件中,有几个专门求解最优化问题的函数,如求线性规划问题的linprog 、求有约束非线性函数的fmincon 、求最大最小化问题的fminimax 、求多目标达到问题的fgoalattain 等,它们的调用形式分别为: ①.[x,fval]=linprog(f,A,b,Aeq,beq,lb,ub) f 为目标函数系数,A,b 为不等式约束的系数, Aeq,beq 为等式约束系数, lb,ub 为x 的下 限和上限, fval 求解的x 所对应的值。 算法原理:单纯形法的改进方法投影法 ②.[x,fval ]=fmincon(fun,x0,A,b,Aeq,beq,lb,ub ) fun 为目标函数的M 函数, x0为初值,A,b 为不等式约束的系数, Aeq,beq 为等式约束

大学物理 量子物理基础知识点总结

大学物理 量子物理基础知识点 1.黑体辐射 (1)黑体:在任何温度下都能把照射在其上所有频率的辐射全部吸收的物体。 (2)斯特藩—玻尔兹曼定律:4 o M T T σ()= (3)维恩位移定律:m T b λ= 2.普朗克能量量子化假设 (1)普朗克能量子假设:电磁辐射的能量是由一份一份组成的,每一份的能量是:h εν= 其中h 为普朗克常数,其值为346.6310h J s -=?? (2)普朗克黑体辐射公式:2 5 21M T ( )1 hc kt hc e λπλλ =-(,) 3.光电效应和光的波粒二象性 (1)遏止电压a U 和光电子最大初动能的关系为:21 2 a mu eU = (2)光电效应方程: 21 2 h mu A ν= + (3)红限频率:恰能产生光电效应的入射光频率: 00V A K h ν= = (4)光的波粒二象性(爱因斯坦光子理论):2mc h εν==;h p mc λ ==;00m = 其中0m 为光子的静止质量,m 为光子的动质量。 4.康普顿效应: 00(1cos )h m c λλλθ?=-= - 其中θ为散射角,0m 为光子的静止质量,1200 2.42610h m m c λ-= =?,0λ为康普顿波长。 5.氢原子光谱和玻尔的量子论: (1)里德伯公式: ()221 11 T T H R m n n m m n ν λ ==-=->()()(), % (2)频率条件: k n kn E E h ν-= (3) 角动量量子化条件:, 1,2,3...e L m vr n n ===

其中 2h π = ,称为约化普朗克常量,n 为主量子数。 (4)氢原子能量量子化公式: 122 13.6n E eV E n n =-=- 6.实物粒子的波粒二象性和不确定关系 (1)德布罗意关系式: h h p u λμ= = (2)不确定关系: 2 x p ??≥ ; 2 E t ??≥ 7.波函数和薛定谔方程 (1)波函数ψ应满足的标准化条件:单值、有限、连续。 (2)波函数的归一化条件: (,)(,)1V r t r t d ψψτ* =? (3)波函数的态叠加原理: 1122(,)(,)(,)...(,)i i i r t c r t c r t c r t ψψψψ=++= ∑ (4)薛定谔方程: 22(,)()(,)2i r t U r r t t ψψμ??? =-?+????? 8.电子自旋和原子的壳层结构 (1)电子自旋: 1,2 S s = = ;1, 2 z s s S m m ==± 注:自旋是一切微观粒子的基本属性. (2)原子中电子的壳层结构 ①原子核外电子可用四个量子数(,,,l s n l m m )描述: 主量子数:0,1,2,3,...n = 它主要决定原子中电子的能量。 角量子数:0,1,2,...1l n =- 它决定电子轨道角动量。 磁量子数:0,1,2,...l m l =±±± 它决定轨道角能量在外磁场方向上的分量。 自旋磁量子数:1 2 s m =± 它决定电子自旋角动量在外磁场方向上的分量。

【半导体芯片设计】晶圆及芯片测试

一、需求目的:1、热达标;2、故障少 二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 三、具体到芯片设计有哪些需要关注: 1、顶层设计 2、仿真 3、热设计及功耗 4、资源利用、速率与工艺 5、覆盖率要求 6、 四、具体到测试有哪些需要关注: 1、可测试性设计 2、常规测试:晶圆级、芯片级 3、可靠性测试 4、故障与测试关系 5、 1

测试有效性保证; 设计保证?测试保证?筛选?可靠性? 设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、模拟信号参数测试。 晶圆的工艺参数监测dice, 2

3 0% 10%20%30%40%50% 1.5 1 0.70.50.350.250.180.130.090.070.05 Technology ( ) L e a k a g e P o w e r (% o f T o t a l ) Must stop at 50% 芯片测试:ATE 测试项目来源,边界扫描

故障种类: 缺陷种类: 针对性测试: 4

性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; 5

旗开得胜仿真与误差, ?预研阶段 ?顶层设计阶段 ?模块设计阶段 ?模块实现阶段 ?子系统仿真阶段 ?系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 ?后端版面设计 ?测试矢量准备 ?后端仿真 ?生产 ?硅片测试 顶层设计: ?书写功能需求说明 ?顶层结构必备项 ?分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 6

多目标规划帕累托解算例

Pareto: In the single objective case, one attempts to obtain the best solution, which is absolutely superior to all other alternatives. 在单目标的情况下,一个试图以获得最佳的解决方案,这是绝对优于所有其他的替代品。 In the multiple objective case, there does not necessarily exist a solution that is best with respect to all objectives because of incommensurability and conflict among objectives. 在多个目标的情况下,不存在必然存在着一个解决方案,最好是不可通约性和目标之间的的冲突,因为所 有的目标。 There usually exist a set of solutions; nondominated solutions or Pareto optimal solutions, for the multiple objective case which cannot simply be compared with each other. 通常存在的一整套解决方案;非支配的解决方案或帕累托最优的解决方案,为多个目标的情况下,不能简单 地互相比较。 For a given nondominated point in the criterion space Z, its image point in the decision space S is called efficient or noninferior. A point in S is efficient if and only if its image in Z is nondominated. 对于一个给定的的标准空间z的非支配点,其形象在决定空间S点是所谓的效率或劣。非支配当且仅当其 在Z的形象是一个S点是有效的。 Definition 1: For a given point z0€Z, it is nondominated if and only if there does not exist another point z€Z such that, for the maximization case,where, z0 is a dominated point in the criterion space Z. Definition 2: For a given point x0€S, it is efficient if and only if there does not exist another point x€S such that, for the maximization case,where, x0 is inefficient.定义1:对于一个给定的点Z0属于Z,它非支配当 且仅当不存在另一点于属于z的,最大化的情况下,其中,Z0是在标准空间Z.的主导点 定义2:对于一个给定的点x0属于S,它是有效的当且仅当不存在另一点x属于S,最大化的情况下,其 中,X0是低效的。 Example 1: Two-objective (bicriteria) linear programming 例1:两个目标(bicriteria)线性规划 m ax We can observe that both regions are convex and the extreme points of Z are the images of extreme points of S. 我们可以观察到,这两个地区是凸的并且极端点的Z是极值点S的的图像。 The extreme points in the feasible region S of the decision space are shown in Fig. 4.1: 在可行区域的决策空间小号的极端点如图.4.1:

晶圆测试

每颗IC在后工序之前都必须进行CP(Chip Prober),以验证产品的功能是否正常,并挑出不良的产品和区分性能等级。 CP主要设备包括测试机(Tester)和探针台(Prober)。 测试机 主要包括测试主机、测试板(DUT板)、测试软体、数据线、PC主机等。 操作:1. 确认DUT板、数据线连接正确; 2. 打开电源,启动PC,进入测试软体; 3. 打开测试程序; 4. 打开测试主机电源,此时PC上会显示系统初始化。 探针卡 主要部件:真空泵、探针卡、显微镜、打点器、操作软件、8''至4''真空旋钮、托盘(Tray)、旋转手轮等。测试前操作:1. 确认真空泵和主机电源打开,打开软体初始化系统; 2. 进入扫描模式,移动Tray到一个角落安装prober card。将prober card安装在探针台上,一端 对齐固定架并固定好,整理好数据线,引出接在DUT板上,并注意对应好标号; 3. 调整预置高度使之降低为0(防止上片时把prober和wafer刮坏); 4. 清洁工作盘,确认测试wafer size并调节真空旋钮,带好手套讲被测wafer放入tray正中央(先 确认wafer缺口方向使IC pin与探针相对应),用真空使wafer吸附在tray上; 5. 进片,调整预置高度(针压),边上升高度(探针卡固定,tray上升)边观察wafer离prober card的距离,调整到适当的距离时停止上升(wafer和prober距离不能太近以防wafer刮到

prober),调节显微镜调到最清晰的视窗,然后把wafer的水平位置扫直; 6. 填写测试数据,包括wafer size、X、Y步距、测试方法和测试map数据等等(注意X、Y的移动距 离、多测的排列顺序应该与prober card的site的排列顺序一致); 7. 对针痕,微动模式移动wafer,使针尖对准die pad,慢慢调整预置高度(针压),直到可以在 die pad上扎出针痕(注意针痕不能太重,高度只能一点一点增加,直至出现针痕马上停止), 微动调整针痕的位置,使之一定扎在die pad的中心位置。如果是就得针卡可能会出现个别pad 扎不出针痕或不明显,此时一定要查明原因,不能盲目加针压,看是否针尖偏了或短了; 8. 在wafer周围扎一次针,观察针痕是否偏离,以确认水平是否扫直; 9. 找到测试第一点位置,单步移动wafer使第一点位置与prober card第一site位置相对应; 10. 测试开始。测试过程要注意观察是否连续不良或间隔不良,不良时要及时停止观察针痕位置。 测试完成后对坏点重测,载入的数据一定是最后测完的数据。 打点操作: 1. 打点时先更改打点参数,打开打点器并更改步进数值。 2. 打点器调整可以在wafer 上没有die的位置试打,使墨点的大小适中,然后单步移动到边圈有 die的位置试打,墨点一定要打在die的中间位置,大小适中。调整玩抽,用无尘布加酒精把 wafer擦拭干净; 3. 移动到第一点位置,载入数据开始打点。开始打点时立即停止并检查载入的数据和墨点是否正 确,正确则继续打点,否则调整。打点时一定要用显微镜观察是否漏打或墨点是否变化。 4. 打点完成后在120℃烤箱内烤40min。

曼昆《经济学原理(微观经济学分册)》(第6版)笔记(第19章 收入与歧视)

曼昆《经济学原理(微观经济学分册)》(第6版) 第19章收入与歧视 复习笔记 跨考网独家整理最全经济学考研真题,经济学考研课后习题解析资料库,您可以在这里查阅历年经济学考研真题,经济学考研课后习题,经济学考研参考书等内容,更有跨考考研历年辅导的经济学学哥学姐的经济学考研经验,从前辈中获得的经验对初学者来说是宝贵的财富,这或许能帮你少走弯路,躲开一些陷阱。 以下内容为跨考网独家整理,如您还需更多考研资料,可选择经济学一对一在线咨询进行咨询。 一、决定均衡工资的若干因素 1.补偿性工资差别 (1)补偿性工资差别的含义 补偿性工资差别(compensating differential)是指为抵消不同工作的非货币特性所引起的工资差别。 (2)补偿性工资差别的例子 补偿性工资差别在经济中普遍存在。下面是几个例子: ①煤矿工人得到的工资高于其他有相似教育水平的工人的工资。他们的高工资用来补偿采煤的枯燥和危险性,以及煤矿工人所面临的长期健康问题。 ②工厂中夜班工人的工资也高于同类白班工人的工资。高工资用来补偿他们不得不夜里工作而白天睡觉这种大多数人都不喜欢的生活方式。 ③教授的工资低于受教育程度差不多的律师和医生。教授的低工资由工作所带来的学术上和个人价值上的满足而得到补偿。 2.人力资本 (1)人力资本与工资差别 ①资本的本质在于它本身是被生产出来的生产要素。人力资本(human capital)是对人的投资的积累,如教育和在职培训。教育代表着为了提高未来生产率而在某一时点的资源支出。但是,与对其他资本形式的投资不同,教育投资是与一个特定的人相联系的,这种联系使教育成为人力资本。 ②人力资本较多的工人平均收入高于人力资本较少的工人。这种巨大的差异在世界上许多国家都得到了验证。这种差距在欠发达国家往往更大,因为受过教育的工人供给稀缺,用供给需求的角度可以解释:企业——劳动需求者——愿意向教育水平高的工人支付更高的工资,因为受教育程度高的工人有着较高的边际生产率。工人——劳动供给者——只有在受教育能得到回报时才愿意支付受教育的成本。实际上,受教育程度较高的工人与受教育程度较低的工人之间的工资差别可以被看作对受教育成本的补偿性工资差别。 (2)熟练工人与非熟练工人之间的收入差距扩大趋势的原因 经济学家提出了两种假说来解释熟练工人与非熟练工人之间的收入差距扩大趋势。这两种假说都提出,相对于对非熟练劳动的需求,对熟练劳动的需求一直在增加。需求的移动引起了相应的工资变动,工资变动又引起更大的不平等。 ①国际贸易改变了对熟练劳动与非熟练劳动的相对需求。由于许多外国非熟练劳动丰富

多目标规划问题知识讲解

多目标规划问题

3.5 黑龙江省可持续农业产业结构优化模型的求解 鉴于上面的遗传算法的基本实现技术和理论分析,对标准遗传算法进行适当改进,将其用于求解黑龙江省可持续农业产业结构优化模型中。黑龙江省农业产业结构优化模型具有大系统、多目标、非线性等特点,传统的求解方法受到了模型复杂程度的限制,由引言可知,遗传算法对解决此类问题具有明显的优势。下面介绍具体采用的遗传多目标算法操作设计以及模型求解过程。 3.5.1遗传多目标算法操作设计 3.5.1.1 实数编码方法 在求解复杂优化问题时,二进制向量表示结构有时不太方便,并且浮点数编码的遗传算法对变异操作的种群稳定性比二进制编码好(徐前锋,2000)。以浮点数编码的遗传算法也叫实数遗传算法(Real number Genetic Algorithms ,简称RGA )。每一个染色体由一个浮点数向量表示,其长度与解向量相同。假如用向量),(21n x x x X 表示最优化问题的解,则相应的染色体就是 ),(21n x x x V ,其中n 是变量个数。 3.5.1.2 种群初始化方法 遗传算法中初始群体的个体是随机产生的,由于本文优化模型所涉及的变量容易给出一个相对较大的问题空间的变量分布范围,并且若给出一定的搜索空间也会加快遗传算法的收敛速度;因此本文采取3.3.2中的第一种策略,对每一个变量设置可能区间,然后在可能区间内随机产生初始种群。为保证不会遗漏最优解,选择区间跨度范围很大。 3.5.1.3 适应度函数设计

用遗传算法求解多目标优化问题中出现的一个特殊情况就是如何根据多个目标来确定个体的适应值。本文采用Gen 和Cheng 提出的适应性权重方法 (Adaptive Weight Approach ),该方法利用当前种群中一些有用的信息来重新调整权重,从而获得朝向正理想点的搜索压力(玄光男等,2004)。将目标函数按3.3.3所述转化成带有q 个目标(本文模型3 q )的最大化问题: )}(,),(),({max 2211x f z x f z x f z q q (3-14) 对于每代中待检查的解来说,在判据空间中定义两个极限点:最大极限点 z 和最小极限点 z 如下: },,,{} ,,,{m in m in 2m in 1m ax m ax 2m ax 1q q z z z z z z z z (3-15) 其中m in m ax k k z z 和是当前种群中第k 个目标的最大值和最小值。由两个极限点定义的超平行四边形是包含当前所有解的最小超平行四边形。两个极限点每代更新,最大极限点最终将接近正理想点。目标k 的适应性权重用下式计算: ),,2,1(1 min max q k z z k k k 因此,权重和目标(Weighted-sum Objective )函数由下面的公式确定 q k k k k q k k k z z x f x f x z 1m in m ax 1)()()( (3-16) 3.5.1.4 遗传操作 (1)选择操作。以比例选择法和最优个体保存法配合使用进行选择操作,即选择过程仍以旋转赌轮来为新的种群选择染色体,适应度越高的染色体被选中的概率越大;另一方面,为了保证遗传算法的全局收敛性,在选择作用后保留当前群体中适应度最高的个体,不参与交叉和变异,同时也确保当前最优个体不被随机进行的遗传操作破坏。

量子力学基础

《大学物理》作业 No .8量子力学基础 班级 ________ 学号 ________ 姓名 _________ 成绩 _______ 一、选择题:(注意:题目中可能有一个或几个答案正确。) 1. 静止质量不为零的微观粒子作高速运动,这时粒子物质波的波长λ与速度v 有如下关系: [ C ] (A) v ∝λ (B) v 1 ∝λ (C) 2211c v -∝ λ (D) 22v c -∝λ 解:由德布罗意公式和相对论质 — 速公式 2 201 1c v m mv h p -= == λ 得2 20 1 1c v m h - =λ,即2211c v -∝λ 2. 不确定关系式 ≥???x p x 表示在x 方向上 [ D ] (A) 粒子位置不能确定 (B) 粒子动量不能确定 (C) 粒子位置和动量都不能确定 (D) 粒子位置和动量不能同时确定 3. 将波函数在空间各点的振幅同时增大D 倍,则粒子在空间的分布概率将 [ D ] (A) 增大2 D 倍。 (B) 增大2D 倍。 (C) 增大D 倍。 (D) 不变。 4. 已知粒子在一维矩形无限深势阱中运动,其波函数为: )(23cos 1)(a x a a x a x ≤≤-= πψ 那么粒子在6 5a x =处出现的概率密度为 [ A ] a 21(A ) a 1 (B) a 21(C) a 1(D) 解:概率密度 )23(cos 1)(22 a x a x πψ=

将65a x =代入上式,得 a a a a x 21)6523(cos 1)(22=?=πψ 5. 波长 λ = 5000 ?的光沿x 轴正方向传播,若光的波长的不确定量?λ=103-?,则利用不确定关系h p x x ≥???可得光子的x 坐标的不确定量至少为: [ C ] (A) 25cm (B )50cm (C) 250cm (D) 500cm 解:由公式p = λh 知: △322105000 -?-=?-=h h p λλ 利用不确定关系h p x x ≥???,可得光子的x 坐标满足 91025?=?≥ ?x p h x ?=250cm 二、填空题 1. 低速运动的质子和α粒子,若它们的德布罗意波长相同,则它们的动量之比=αP :p p 1:1 ;动能之比=αP :E E 4:1 。 解:由p = λ h 知,动量只与λ有关,所以1:1:αP =p p ; 由非相对论动能公式m p E 22 k =,且αp p p =,所以1:4:αP ==p m m E E α 2. 在B = 1.25×10 2 -T 的匀强磁场中沿半径为R =1.66cm 的圆轨道运动的α粒子的德布罗 意波长是 0.1 ? 。(普朗克常量h = 6.63×10-34J·s ,基本电荷e = 1.6×10-19 C) 解:由牛顿第二定律= evB 2R mv 2得eBR mv p 2==,又由λ h p =得 1.0(m)10998.010 66.11025.1106.121063.62112 21934 ≈?=???????===-----eBR h p h λ? 3. 若令c m h e c = λ (称为电子的康普顿波长,其中m e 为电子静止质量,c 为光速,h 为普

非接触晶圆测试原理及应用

非接触晶圆测试原理及应用 张林海张俊赖海波 无锡华润华晶微电子有限公司五分厂 摘要:本文介绍非接触晶圆测试系统的原理和在半导体生产中的主要应用,包括以表面光电压测试(SPV)为基础的介质层可动电荷测试、C-V测试和I-V测试,体硅表面掺杂以及扩散长度、载流子寿命等应用。 关键词:非接触、电荷、SPV Abstract:This paper introducing non-contact electrical measurement system produce a medium application in the semi-conductor, mainly include the test principle, Surface photo voltage,Mobile charge, C-V and I-V, at the same time still some applications aiming at other equipmentses and materials in the semi-conductor. Key word: non-contact charge SPV 一、引言 随着非接触测量技术的快速发展,在晶圆制造厂已经能够有效的控制金属、缺陷衍生以及材料等,尤其是在扩散工艺过程中。多点或整片扫描测试结果的图片已经整合了表面电压、不同接触以及对整片表面连续洒电荷等的应用,完全能够替代昂贵的、缓慢的电学测试设备,已经逐步得到广泛的应用。 二、非接触晶圆测试原理 图1 CPD测量示意图

Non-Contact C-V measurement 非接触式C-V 测量原理与MOS C-V 测试相同,但非接触式不需要表面有金属。它通过在表面喷洒电荷来给表面施加偏置电压。表面偏置电压通过原片表面的高速非接触开尔文探头监控。该系统名称叫做SDI FAaST 230,可以测量氧化层总电荷、平带电压、界面陷阱电荷、介质层可动电荷[1]。 图2 MOS 电容及电荷分布示意图 接触电势差(Contact potential difference )CPD 的测量可以由图1所示,在两端加交流电J 可测量,t C ??由vibrating fork 控制,所以根据公式(1)可以得出V CPD 。 J=t Q ??=V CPD t C ?? (1) V CPD =ms φ(功函数) +V SB (空间电荷区电势差)+V D (介质层电势差)(2) Φms 是常数,那么当CPD 发生变化时有公式(3): ΔV CPD =ΔV OX +ΔV SB (3) 当用光照射圆片表面时ΔV OX =0,所以根据图2所示,可以得到: ΔV SB =ΔV ill (光照)-ΔV dark (无光照) (4) 当光照很强的时候,有V SB ≈0,即处于平带,代入公式(3)(4)有: ΔV OX =ΔV ill (5) 得出ΔV OX +ΔV SB 值之后,ΔQ C 是可测量的,根据下面公式就可以计算出ΔQ SC 、D it 和C OX 。

量子力学基础

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第一章量子力学基础 一、教案目的: 通过本章学习,掌握微观粒子运动的特征、量子力学的基本假设,并初步学习运用薛定谔方程去分析和计算势箱中粒子运动的有关问题:b5E2RGbCAP 二、教案内容: 1、微观粒子的运动特征 黑体辐射和能量量子化;光电效应和光子学说;实物粒子的波粒二相性;不确定关系; 2、量子力学基本假设 波函数和微观粒子的状态;物理量和算符;本征态、本征值和薛定谔方程;态叠加原理;泡利原理; 3、箱中粒子的薛定谔方程及其解 三、教案重点 微观粒子运动的特征、量子力学的基本假设 四、教案难点: 量子力学的基本假设 五、教案方法及手段 课堂教案 六、课时分配: 微观粒子的运动特征 2学时 量子力学基本假设 4学时

箱中粒子的薛定谔方程及其解 2学时 七、课外作业 课本p20~21 八、自学内容 1-1微观粒子的运动特征 1900年以前,物理学的发展处于经典物理学阶段<由Newton的经典力学,Maxwell的的电磁场理论,Gibbs的热力学和Boltzmann的统计物理学),这些理论构成一个相当完善的体系,对当时常见的物理现象都可以从中得到说明。p1EanqFDPw 在经典物理学取得上述成就的同时,通过实验又发现了一些新现象,它们是经典物理学无法解释的。如黑体辐射、光电效应、电子波性等实验现象,说明微观粒子具有其不同于宏观物体的运动特征。DXDiTa9E3d 电子、原子、分子和光子等微观粒子,它们表现的行为在一些场合显示粒性,在另一些场合又显示波性,即具有波粒二象性的运动特征。人们对这种波粒二象性的认识是和本世纪物理学的发展密切联系的,是二十世纪初期二十多年自然科学发展的集中体现。RTCrpUDGiT 1.1.1黑体辐射和能量量子化——普朗克< planck)的量子假 说:量子说的起源 黑体是一种能全部吸收照射到它上面的各种波长的光,同时也能在同样条件下发射最大量各种波长光的物体。 带有一个微孔的空心金属球,非常接近于黑体,进入金属球小孔的辐射,经过多次吸收、反射,使射入的辐射全部被吸收。当空腔受热时,空腔壁会发出辐射,极小部分通过小孔逸出。5PCzVD7HxA

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