东芝FLASH颗粒编号信息
ARM系统定制 以下是个人理解，经过看PPT，查课本，pdf，还有上网查阅总结得来，仅作参考。 简述： 系统定制的本质就是为新开发的硬件（开发板）定制软件系统。共分两大部分： 一：系统裁剪 二：系统移植 1、先说系统裁剪，首先ARM开发板本身的体系结构决定了，不同系列不同版本的ARM 可以共用（兼容）大部分的boot和内核代码，所以只需要在最相近的版本的软件系统稍作修改并测试成功就可以直接移植了，当然，如果整个软件系统打算亲手写的话，那就可以无视系统裁剪这个环节了（老师说这个基本上没有人写得出来）。具体的裁剪过程稍后讲述。 2、系统移植，就是把裁剪后可以运行在开发板上的软件系统烧写到板子中。这就需要了解arm中的存储体系，arm的总线结构，arm的串口等等。具体烧写过程稍后讲述。 第一章：系统裁剪 1、系统裁剪之前，我们需要知道要裁剪哪些东西。这就需要了解ARM的整个软件系统，开发板从上电启动到最后进入操作系统界面之间的流程依次是：boot （uboot），kernel （内核），fs（文件系统,也在内核中），驱动程序（动态加载到内核，部分也已在内核中编译好）。 一、首先是uBoot流程分两个阶段（uboot 的源码在解压后的uboot-2010.02-me下，其中第一阶段在/cpu/arm920t的start.s 和board/smdk2440 的lowlevel_init.s中，第二阶段在lib_arm/board.c 的start_armboot函数中，有兴趣的可以去看一看） 第一阶段：为自身准备（配置）硬件环境。主要操作有：(代码在/cpu/arm920t的start.s) 1、关闭看门狗（W ATCHDOG），就是把WTCON寄存器写0。 （ldr r0, =pWTCON，mov r1, #0x0，str r1, [r0]）。 2、关中断，配置各个中断控制寄存器的值。设置CPU为特权模式svc ，通过cpsr寄存器设置。（代码不列出来了，后面的代码都可以在starts.s文件中去看） 3、设置CPU的时钟频率（时钟分频），配置FCLK（cpu的频率）,HCLK（内部AHB 总线频率）,PCLK（外围APB总线频率）, 比例为1:4:8。 4、配置SDRAM，为本身准备内存空间。配置内存空间（页表），设置堆栈。（通过调用）（通过调用lowlevel_init 函数，函数实现在board/smdk2440的lowlevel_init.s中） 5、配置NAND/NOR flash驱动，主要是nand_read ，nand_write的实现。 第二阶段：为内核准备（配置）环境。（代码lib_arm/board.c 的start_armboot函数中） 1、初始化本阶段的硬件设备：关闭MMU和数据CACHE。设置CPU寄存器。R0 =0 R1 = 机器ID。R2 = 启动参数表在RAM中的起始地址。
51单片机命名规则 89C51 8代表8位单片机 9代表falsh存储器，此位置为0代表无rom，7代表eprom存储器 c代表CMOS工艺，此位置为S代表ISP编程方式 1代表片内程序存储器容量，容量大小对应为该位数字*4KB 89C52:8KB容量 at89s51_&_stc89c51命名规则 本文介绍了最常见的两种厂家的单片机的命名规则. 以后见了stc和atmel的单片机看看型号就知道,什么配置了. 先说ATMEL公司的AT系列单片机 89系列单片机的型号编码由三个部分组成， 它们是前缀、型号和后缀。格式如下： AT89C XXXXXXXX其中，AT是前缀，89CXXXX是型号，XXXX是后缀。 下面分别对这三个部分进行说明，并且对其中有关参数的表示和意义作相应的解释。 (l)前缀由字母“AT”组成，表示该器件是ATMEL公司的产品。 (2)型号由“89CXXXX”或“89LVXXXX”或“89SXXXX”等表示。 “89CXXXX”中，9是表示内部含Flash存储器，C表示为CMOS产品。 “89LVXXXX”中，LV表示低压产品。 “89SXXXX”中，S表示含有串行下载Flash存储器。
在这个部分的“XXXX”表示器件型号数，如51、1051、8252等。 (3)后缀由“XXXX”四个参数组成，每个参数的表示和意义不同。在型号与后缀部分有“—”号隔开。 后缀中的第一个参数X用于表示速度，它的意义如下： X＝12，表示速度为12 MHz。X＝20，表示速度为20 MHz。 X＝16，表示速度为16 MHz。X＝24，表示速度为24 MHz。 后缀中的第二个参数X用于表示封装，它的意义如下： X＝D，表示陶瓷封装。X＝Q，表示PQFP封装。’ X＝J，表示PLCC封装。X＝A，表示TQFP封装。 X＝P，表示塑料双列直插DIP封装。X＝W，表示裸芯片。 X＝S，表示SOIC封装。 后缀中第三个参数X用于表示温度范围，它的意义如下： X＝C，表示商业用产品，温度范围为0～十70℃。 X＝I，表示工业用产品，温度范围为—40～十85℃。 X＝A，表示汽车用产品，温度范围为—40～十125℃。 X＝M，表示军用产品，温度范围为—55～十150℃。 后缀中第四个参数X用于说明产品的处理情况，它的意义如下： X为空，表示处理工艺是标准工艺。 X＝／883，表示处理工艺采用MIL—STD—883标准。 例如：有一个单片机型号为“AT89C51—12PI”，则表示意义为该单片机是ATMEL公司的Flash 单片机，内部是CMOS结构，速度为12 MHz，封装为塑封DIP，是工业用产品，按标准处理工艺生产。 国产stc单片机.我现在使用的就是stc 89C52RC-40C-PDIP可以看出 52内核,512字节RAM ,最大工作在40MHZ下,脚双列直插式封装形式,商业级. 4.1.1 MCS-51系列和80C51系列单片机
NAND Flash Code Information(1/3)
Last Updated : August 2009
K9XXXXXXXX - XXXXXXX
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1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 3 : 4bit MLC Mono 4 : SLC 4 Chip XD Card 5 : MLC 1 Chip XD Card 6 : MLC 2 Chip XD Card 7 : SLC moviNAND 8 : MLC moviNAND 9 : 4bit MLC ODP A : 3bit MLC MONO B : 3bit MLC DDP C : 3bit MLC QDP F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP O : 3bit MLC ODP P : MLC ODP Q : SLC ODP R : MLC 12-die stack S : MLC 6 Die Stack T : SLC SINGLE (S/B) U : MLC 16 Die Stack W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 32 : 32M 64 : 64M 2G : 2G AG : 16G DG : 128G GG : 384G NG : 96G
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6. Technology 0 : Normal (x8) C : Catridge SIP M : moviNAND P : moviMCP Z : SSD 7. Organization 0 : NONE 6 : x16
1 : Normal (x16) D : DDR N : moviNAND FAB T : Premium eSSD
8 : x8
8. Vcc A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V) C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V) E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V) Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V S : 3.3V (3V~3.6V/ VccQ1.8V (1.65V~1.95V) U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V) W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE 9. Mode 0 : Normal 1 : Dual nCE & Dual R/nB 3 : Tri /CE & Tri R/B 4 : Quad nCE & Single R/nB 5 : Quad nCE & Quad R/nB 6 : 6 nCE & 2 RnB 7 : 8 nCE & 4 RnB 8 : 8 nCE & 2 RnB 9 : 1st block OTP A : Mask Option 1 L : Low grade 10. Generation M : 1st Generation A : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation E : 6th Generation Y : 25th Generation Z : 26th Generation
16 : 16M 40 : 4M 80 : 8M 4G : 4G BG : 32G EG : 256G HG : 512G ZG : 48G
28 : 128M 56 : 256M 1G : 1G 8G : 8G CG : 64G FG : 256G LG : 24G 00 : NONE
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Part Number Decoder
初中信息技术《Flash软件制作简单动画》教案 一、教学目标 【知识与技能】 能独立表述动画制作中涉及的基本概念并能自己动手完成动画制作的一般步骤。 【过程与方法】 通过制作“移动的小球”动画，了解FLASH动画制作的过程，并从中总结出动画制作的主要步骤。 【情感态度与价值观】 学在理论学习和动手操作的过程中，激发学习动画制作的兴趣，并且逐步培养乐于接受和探究新知识的精神。 二、教学重难点 【重点】 Flash动画制作的一般过程，基本操作方法以及任务的实现。 【难点】 初步理解关键帧和动作补间动画的概念。 三、教学过程 环节一、创设情境，课堂导入 老师出示“小破孩”动画作品。告诉学生这是用Flash制作的。 同学们，老师今天给大家带了一个很有趣的《小破孩》动画短片。大家一起来看一下。动画播放完了。昨天，我们已经认识了flash，这个小短片啊，就是用flash制作出来的。 大家想不想也能做这样的短片呀?非常想，好，那我们今天就来尝试一下。刚刚小短片中有一个片段是小破孩把皮球踢向墙壁，结果皮球弹回来砸到了他自己。这一段很好玩。我们就来做这一段中那个滚动的小球，大家觉得怎么样? 环节二、分析任务 1.Flash影片的制作过程： 动画小本--确定演员(元件)--制作动画--测试--发布。 首先要有一个构思，我们称为动画小本，其次就像电影都有演员，我们动画也是有对象的，我们把它成为元件。元件其实就是可以重复使用的对象。再次我们就可以开始制作动画了。那么动画有没有达到我们想要的效果呢，我们对它进行一个测试，测试通过了之后我们就可以发布了。 2.小球滚动效果图展示以及任务的分析：小球由左向右滚动，而这个任务中涉及的要素就是小球(图形元件)。 环节三、任务完成 1.创建元件：
最新整理初中信息技术教案《制作Flash动画之补间 动画》教学设计 《制作Flash动画之补间动画》教学设计 一、教学目标 通过对动画制作的深入学习，让学生能更深层次地理解和掌握如何在运用Flash软件来完成自己的设计构思，创作出一个较好的作品。 （一）、知识与技能目标： ①了解动画的制作原理 ②了解工具箱里工具的使用，掌握工具箱中的常用工具。 ③体验使用flash创作运动补间动画的过程，完成自己第一个动画作品。 （二）、过程与方法： 通过作品欣赏和师生交流激发学生完成任务。在完成两个任务的过程中，使学生掌握工具箱里工具的使用方法和运动补间动画，培养学生发现问题，探究问题和解决问题的能力，培养学生的自主学习、合作学习、探究学习以及鉴赏能力，激发学生进一步学好信息技术的热情。 （三）、情感、态度、价值观： 培养学生的情商，培养学生的感恩之心，学会对身边的人感恩，热爱自己的父母，激发学生学习兴趣和创作动画才能；培养学生欣赏作品的能力。 二、教学重、难点 （一）教学重点： 1、会使用工具箱中的椭圆，颜料桶工具，任意变形工具来制作简单元件。 2、合理运用flash的补间动画设计简单对象动画过程的制作方法。 （二）、教学难点：在移动过程中实现元件的变向移动
三、教学策略 演示法、任务驱动法、个别指导、作品展示 四、教学资源 Flash８、极域网络电子教室软件、教学PPT课件、动画源文件、教学视频。 五、教学过程 教学步骤 教师活动 学生活动 设计意图 创设情境 导入新课 1、欣赏flash动画作品《family公益广告》 2、问：大家欣赏的这个视频，好看吗？反映了一个什么主题呢？ 3、这个动画是用什么软件来做成的？请大家打开课本P35。 学生观看flash作品并回答问题 学生看书 通过播放《family公益广告》 ，让学生学会对身边的人感恩，热爱自己的父母。 学习新课明确任务 打开flash8软件，介绍软件的界面以及他们的作用。 播放示例——跳动的小球 问：大家想一下，我们要完成这颗跳动的心需要几步呢？ 展示课件中两个任务：
1、违反：代码规范的目的是增加代码的可读性，便于程序的维护所有有利于代码可读性的违反都是被允许的 .左大括号须放置于组合语句开始的末尾。 If(loggedin()){ https://www.doczj.com/doc/f11903446.html,bel=”Welcome’; }else{ https://www.doczj.com/doc/f11903446.html,bel=”Access”; } 2、命名规则使用含义丰富的名字(Use meaningful names) 在缩写中，只将首字母大写 如果一个类成员是由缩写开始，则该缩写全部使用小写字母，此约定不适用到常量 再说句废话，所有的名字都应该使用英文 3、包命名（package names Package names should be lower case 包的名字应全部为小写； 4、类命名（class names） Class neames should be nouns in singular form,written in mixed cases starting with upper case (类应该以名词单数形式，首字母大写，大小写混排，方式命名) Class representing collections should have names in plural form (表示一组事物的类应使用复数形成；) Names of exception classes should be prefixed with Error (异常类的名字须以Error开头) Defauit implementations of interfaces can be prefixed with Default; （接口的默认实现类可以以Ddfault开头） 接口命名Interface names Interface names should be nouns or adjectives prefixed with letter”I” (接口的名字应为字母“I”开头的名词或形容词) 变量/属性命名Variable/property names Private class variable names should be in mixed cases starting with lower case prefixed with ”_’; （私有类的变量名称应为以下划线为前缀，小写字母开头的大小写混排） Private var _lastYear:int; Private var _loader:Loader; 注：函数中局部变量的名字不必在前面加_; Property names should be in mixed cases starting with lower case (属性名应以小写字母开头，大小写字母混排) Parameter name can be suffixed with “_’ to differentiate it with variabke/property name
三星F L A S H命名规则
Samsung nand flash ID spec 三星在nand flash存储方面也是投入了很多精力，对于pure nand flash、OneNAND（带controller的nand flash模块）以及nand的驱动都有很深层的开发。后面说的nand都会基于Samsung的产品，包括驱动。三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下： 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed One Nand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G 2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G AG : 16G BG : 32G CG : 64G DG : 128G 00 : NONE 6~7. organization 00 : NONE 08 : x8
Flash快閃記憶體分類介紹：SLC/MLC/黑片 1 Flash快閃記憶體是非易失性記憶體，這是相對於SDRAM等記憶體所說的。即記憶體斷電後，內部的資料仍然可以保存。Flash根據技術方式分為Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盤和MP3中最常用的記憶體就是Nand Flash。 NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失快閃記憶體技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，並且象磁片一樣可以通過介面輕鬆升級。但是經過了十多年之後，仍然有相當多的硬體工程師分不清NOR 和NAND快閃記憶體。大多數情況下快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時NOR快閃記憶體更適合一些。而NAND則是高資料存儲密度的理想解決方案。 Nand Flash也有幾種，根據技術方式，分為SLC、MCL、MirrorBit等三種。SLC 是Single level cell的縮寫，意為每個存儲單元中只有1bit資料。而MLC就是Multi-Level-Cell，意為該技術允許2 bit的資料存儲在一個存儲單元當中。而MirrorBit則是每個存儲單元中只有4bit資料。 SLC的技術存儲比較穩定，SLC的技術也最為成熟。然而MLC可以在一個單元中有2bit資料，這樣同樣大小的晶圓就可以存放更多的資料，也就是成本相同的情況下，容量可以做的更大，這也是同樣容量，MLC價格比SLC低很多的原因。通常情況下相同容量的MLC和SLC，MLC的價格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。 區分SLC(停產)和MLC（現在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ） 1、看Flash的型號：根據Flash的命名規則，進行區分。 2、測試讀寫速度：SLC的非常快，MLC的很慢。 ： 目前市場上還流行黑片、白片的說法，這些都是Downgrade Flash的類型，由於Flash制程和容量的提升，內部的構成越來越複雜。而新的制程推出時，產品良率並不一定理想，那些不良的Flash有些是容量不足，有些是壽命不能達到要求，有些是測試不能通過，這些不能達到出廠要求的Flash都被稱為Downgrade Flash。Downgrade Flash有些由廠家推向市場，比如Spectech等就是鎂光(Micron)的Downgrade Flash。而另外一部分作為廢品淘汰掉，但是利潤驅使，這些廢品也會低價被收購流入市場。一些廠家以各種方案的掃描工具(Soting Board)來檢驗出來哪些能夠使用。這些廠家收購Flash按斤回收，通過少則數十台Soting
信息技术工具介绍f l a s h Lele was written in 2021
信息技术工具介绍——Flash 一、flash软件介绍 Flash是一种动画创作与应用程序开发于一身的创作软件，为创建数字动画、交互式Web站点、桌面应用程序以及手机应用程序开发提供了功能全面的创作和编辑环境。Flash广泛用于创建吸引人的应用程序，它们包含丰富的视频、声音、图形和动画。可以在Flash中创建原始内容或者从其它Adobe应用程序(如Photoshop或illustrator)导入它们，快速设计简单的动画，以及使用Adobe Action Script 开发高级的交互式项目。设计人员和开发人员可使用它来创建演示文稿、应用程序和其它允许用户交互的内容。Flash可以包含简单的动画、视频内容、复杂演示文稿和应用程序以及介于它们之间的任何内容。通常，使用Flash创作的各个内容单元称为应用程序，即使它们可能只是很简单的动画。也可以通过添加图片、声音、视频和特殊效果，构建包含丰富媒体的Flash 应用程序。 二、基本功能及应用 Flash动画设计的三大基本功能是整个Flash动画设计知识体系中最重要、也是最基础的，包括:绘图和编辑图形、和遮罩。这是三个紧密相连的逻辑功能，并且这三个功能自Flash诞生以来就存在。 Flash包括多种绘图工具，它们在不同的绘制模式下工作。许多创建工作都开始于像矩形和椭圆这样的简单形状，因此能够熟练地绘制它们、修
改它们的外观以及应用填充和笔触是很重要的。对于Flash提供的3种绘制模式，它们决定了"舞台"上的对象彼此之间如何交互，以及你能够怎样编辑它们。默认情况下，Flash使用合并绘制模式，但是你可以启用对象绘制模式，或者使用"基本矩形"或"基本椭圆"工具，以使用基本绘制模式。 绘图和编辑图形不但是创作Flash动画的基本功，也是进行多媒体创作的基本功。只有基本功扎实，才能在以后的学习和创作道路上一帆风顺；使用FlashProfessional8绘图和编辑图形--这是Flash动画创作的三大基本功的第一位;在绘图的过程中要学习怎样使用元件来组织图形元素，这也是Flash动画的一个巨大特点。Flash中的每幅图形都开始于一种形状。形状由两个部分组成:填充(fill)和笔触(stroke)，前者是形状里面的部分，后者是形状的轮廓线。如果你总是可以记住这两个组成部分，就可以比较顺利地创建美观、复杂的画面。 补间动画是整个Flash动画设计的核心，也是Flash动画的最大优点，它有动画补间和形状补间两种形式；用户学习Flash动画设计，最主要的就是学习“补间动画”设计；在应用和图形元件创作动画时，有一些细微的差别，你应该完整把握这些细微的差别。 Flash的补间动画有以下几种：
三星的pure nand flash的命名规则如下： K 9 ×××××××× - ×××× ××× 1 2 3 4~5 6~7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 1. Memory (K) 2. NAND Flash : 9 3. Small Classification (SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell, SM : SmartMedia, S/B : Small Block) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed OneNand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 4~5. Density 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M
人教版八年级上册信息技术F l a s h与F l a s h动画教学说课设计 集团公司文件内部编码：（TTT-UUTT-MMYB-URTTY-ITTLTY-
《Flash与Flash动画》说课 各位领导、评委及同仁，大家好。今天我说课的题目是：《Flash与Flash动画》，下面我将从以下六个方面来进行说课。 一、说教材 1、本课地位及联系 这节课是人民教育出版社出版的《信息技术》八年级上册，第一单元第一课,本课是在学生初步认识和了解flash和flash动画，是入门课和引起学生学习兴趣关键的一课，激发学生的学习兴趣和动手的热情能为接下来的课程打好基础。 2、目标 知识目标： （1）学会启动FLASH的方法； （2）认识FLASH工作界面； （3）动画制作的基本概念； （4）学习制作简单的动画。 能力目标： （1）制作FLASH动画需要用到多方面的知识，培养学生的知识迁移能力，同时给学生提供了自由发挥的空间，学生可以充分发挥自身的创造力与想象力，培养学生综合运用知识的能力； （2）在学习中培养学生奉献和协作的精神，提高学生的审美情趣。 情感目标： （1）激发学生的成就感； （2）培养团队的合作精神和集体荣誉感。
3、重、难点 重点：认识FLASH的工作界面； 难点：学习制作简单的动画。 二、说学生 根据八年能学生好动、喜欢新鲜事物、乐于思考、勤于动手等特点，这节课学习FLASH启动、工作界面、工作原理与简单的动画的制作，应用性较强，激发学生乐于思考、敢于创新、深入动画创作的激情。 三、说教法学法 本节用一课时完成。 （一）教法 创设情境教学法； 多媒体演示教学法； 任务驱动教学法； 作品评价教学法。 （二）学法 自主学习法； 合作探究法； 实践操作法； 问题解决法 四、说教学程序 为了实现教学目标和突破重难点，本节课我设计了四个教学环节： 一、创设情景，引入课题 首先创设情景：播放一段flash动画，导入新课。
Flash基础知识点总结(一) Flash的工作界面 标题栏主工具栏文档选项卡 工具箱 舞 属性面板编辑栏库面板
舞台：进行创作的主要工作区域。 标尺、网格、编辑栏中设置显示比例。 场景概念： 时间轴窗口：由一系列的帧组成，每一帧是一幅瞬时图。分为：图层控制区和时间轴控制区。时间线是通过时间变化精确控制图层在每一秒的位置的工具。默认12帧/秒。Fps(framepersecond) 工具箱：主要绘图工具 动画播放控制器面板 属性窗口：设置对象属性 动作窗口：编写动作脚本 浮动面板：如：库窗口：用于存放重复元素。 （二）Flash动画的制作原理 在时间轴的不同帧上放置不同的对象或设置同一对象的不同属性，例如形状、位置、大小、颜色和透明度等，当播放指针在这些帧之间移动时，便形成了动画。
（三）重要概念 图形：是组成Flash动画的基本元素。制作动画时，可利用Flash的工具箱提供的工具绘制出动画需要的任何图形。 元件：是指可以在动画场景中反复使用的一种动画元素。它可以是一个图形，也可以是一个小动画，或者是一个按钮。 图层：图层就像好多透明的纸，用户可以在不同的纸上绘制各种图画，然后再将所有的纸叠在一起就构成了一幅完整的图画。位于下层的图形将在上层中空白或者透明的地方显示出来。 帧：帧分为关键帧、空白关键帧和普通帧三种类型。 关键帧是可以直接在舞台上编辑其内容的帧, 记录动画内容发生根本性变化的画面。只有关键帧才能进行编辑。F6:插入关键帧。插入关键帧时将上一状态的帧内容完全复制。 空白关键帧帧内没有画面，帧标识是空心小圆圈； 普通帧的作用是延伸关键帧上的内容。 帧频：每秒钟播放的帧数，默认12fps 一般认为是网页上最合适的速度。
①时间轴、帧、层、元件、库的概念②文档属性的设置③帧与层的基本操作④实例属性的设置 ⑤文本及应用⑥逐帧动画、简单对象的移动和变形⑦元件的编辑、应用与管理⑧音频素材的应用图一： 按上面的序号讲解其意思及功能： 1、新建图层按钮，也可以直接右击图层，“插入图层”命令，则会在右击的图层的上方插入一新图层。 2、新建文件夹（图层很多时，可用文件夹来组织图层，使时间轴面板更加整齐） 3、删除图层按钮，也可以直接右击图层，“删除图层”命令。 4、当前帧（与第10点的红色的播放线一致），说明当前播放到第10帧。 5、帧频（Frame Per Second，每秒钟播放的帧数，帧频越大，播放速度越快） 6、播放到当前帧用时0. 9秒 7、窗口缩放，如右图，（当编辑局部时，放大窗口；编辑整体时，缩小窗口，以 便于整体布局） 8、编辑元件，，单击此处可以快速地打开元件，编辑元件 9、编辑场景，一个动画可以由多个场景组成。 10、播放指针，指示当前播放到第几帧。 11、显示图层轮廓 12、给图层加锁/解锁：锁住图层，防止图层被修改 13、隐蔽/显示图层：也是防止图层被修改的一种方法。 14、说明当前是在场景2里做动画。 15、说明当前编辑的FLASH文档名为：flash复习1 . fla 16、图层图标：双击可以打开“图层属性”对话框，如 右图，可以在这里给图层重命名。 17、图层名称：双击此处也可以给图层重命名。
依据上图一的常见问题及解答： （1）、图层的重命名：双击图层名称处，或者双击图层图标在“图层属性”里设置。 （2）、在“背景”上面插入一层：选中“背景”层，单击新建图层按钮，或者右击，“插入图层”。（3）、删除“背景”层：选中“背景”层，单击删除图层按钮；或者右击“背景”层，“删除图层”。（4）如上图所示，当前正在编辑哪个图层？为了防止其它图层被修改，应该怎么办？答：从“背景”层的铅笔可以看出，当前正在编辑“背景”层。为了防止其它图层被修改，可以将其它图层隐藏或加锁（用13或12处按钮来实现）。 （5）、怎样更方便地修改场景里的某个细小的地方？答：通过窗口缩放（7处）来放大窗口，使细微的地方放大后，更容易修改。 （6）、如果要到场景1做动画，怎么切换？用“编辑场景”按钮（9处）选择“场景1”。 （7）、播放完上面这段动画，要几秒钟？答：从帧频处可以看出每秒播放10帧，而这个动画共30帧，所播放完上面这段动画要3秒钟。 （8）如果“背景”层是在“音乐”层的上面，还能看到动画吗？为什么？答：不能，因为“背景”层在最上面时，会把下面所有层盖住，导致下面的层不可见。 （9）、如下图所示，播放动画时背景图片出现一下就没了，问题出在哪？如何解决问题？答：从图中可以看出，“背景”层的图片从第一帧开始，延续到约第14帧。第15帧是空白关键帧，之后到30帧是空白关键帧的延续，因此从第15帧开始不能播放背景图片。解决方法：选中第15到30帧，删除这些帧，再在第30帧处右击，用“插入帧”命令插入普通帧。 如果是这种情况：，则直接在第30帧处插入普通帧即可。（观察两图的不同之处） （10）、如图：小李要在“动作”层做动画，可是当从库里往场景里拖round元件时，怎么也拖不出来，为什么？怎么办？答：问题出在两个地方，1、因为“动作”层被锁，要将图层解锁后才能操作。2、因为只有关键帧或空白关键帧才可以放东西，而当前帧并不是关键帧或空白关键帧。要先定位到“动作”层的第1帧，再从库里拖元件。 做round元件第1帧到第30帧从左边移动到右边、放大、淡出的动作补间过程： 操作过程： （a）定位到“动作”层第1帧，将round元件从库里拖到场景左侧。 （b）右击第30帧处，“插入关键帧”，用选择工具将此帧（第30帧）里 的实例（圆）拖到场景右侧，用任意变形 工具结合shift键改变圆的大小，在 属性面板里设置“颜色”/“Alpha”值为 0% 。
第10课初识Flash动画 教材分析： 本课是介绍Flash软件的第1课，主要通过欣赏几个Flash动画，玩一个Flash打字游戏，向学生说明Flash软件的启动方法和界面组成。掌握了这些知识之后，接下来就是返回到编辑界面，将打字游戏中的“鱼”调整变大，最后通过亲自测试影片来感受变化，从中体验成功的喜悦。 教学目标 1、通过教师演示，认识Flash软件界面及组成。 2、通过活动，学会播放Flash动画，能正确打开Flash软件；学会调整舞台上的对象大小；会测试并保存Flash影片。 3、通过对Flash动画的欣赏和对Flash打字游戏的认识，激发学生学习动画制作的兴趣。 教学重点 1、欣赏Flash动画，认识Flash软件。 2、使用“工具面板”中的“任意变形”工具调整舞台上的对象。 3、保存与测试影片。 教学难点 调整舞台上对象的大小。 本课说明 本课主要是让学生通过欣赏几个Flash动画，玩一个Flash打字游戏来初步认识一下Flash软件，然后通过Flash软件打开游戏源文件，让学生感受一下游戏的真面目。通过本课的学习，让学生喜欢上Flash软件，对软件有个感性认识，为后面学习各种动画的制作打下基础。
教学流程 教学过程设计： 一、欣赏动画导入 1、谈话。 教师提问：同学们，上一个单元我们学习是什么软件？它帮助我们完成了什么任务？ 2、欣赏光盘教材里的“欢欢喜喜过春节”Flash 动画。 师生互动，说一说该作品的主要内容和自己的感想。 学生回答后，教师引出Flash 动画，教师简介Flash 动画制作软件。 板书课题：10、初识Flash 动画 3、学生继续欣赏余下的“生命、环境、和谐”和“保护萤火虫”两个Flash 动画，并填写课本77页表格。 二、认识Flash 软件 1、玩一玩打字游戏。 教师：同学们喜欢玩游戏吗？今天，老师就请大家玩一个用Flash 制作的打字游戏，好不好？ 游戏结束后，教师提问：同学们想不想自己动手让画面中的“鱼”长大一点呢？ 利用学生想进一步学习的兴趣，引入对制作软件“Flash MX 2004”的学习。
系列产品命名规则 图为Intel公司80C51系列单片机产品命名规则。 Intel 80C51系列单片机产品命名规则 Mask ROM：为掩模ROM。 EPROM：紫外线可擦除ROM。 2. Atmel 80C51系列产品命名规则 Atmel公司是第一家将Flash EEPROM存储器用于80C51系列单片机的生厂商，其典型产品有AT89C51、AT89C52，对应的低功耗产品为AT89LV51
和AT89LV52。图为Atmel公司80C51系列单片机产品命名规则。 Atmel 80C51系列单片机产品命名规则 Flash EEPROM：在片程序存储器为电可擦除的闪速存储器Flash EEPROM。 LV：Low-Voltage，芯片工作电源电压为2.7V～6V。 8 9 系列单片机的型号编码 89 系列单片机的型号编码由三个部分组成它们是前缀型号和后缀格式如下 AT89C XXXXXXXX 其中AT 是前缀89CXXXX 是型号XXXX 是后缀 下面分别对这三个部分进行说明并且对其中有关参数的表示和意义作相应的解释 (l)前缀由字母AT 组成表示该器件是ATMEL 公司的产品 (2)型号由89CXXXX 或89LVXXXX 或89SXXXX 等表示
89CXXXX 中9 是表示部含 Flash 存储器C 表示为 CMOS 产品 89LVXXXX 中LV 表示低压产品 89SXXXX 中S 表示含有串行下载 Flash 存储器 在这个部分的XXXX 表示器件型号数如51 1051 8252 等 (3)后缀由XXXX 四个参数组成每个参数的表示和意义不同在型号与后缀部分有”-”号隔开 后缀中的第一个参数 X 用于表示速度它的意义如下 X 12 表示速度为12 MHz X 20 表示速度为20 MHz X 16 表示速度为16 MHz X 24 表示速度为24 MHz 后缀中的第二个参数 X 用于表示封装它的意义如下 X D 表示瓷封装 X Q 表示 PQFP 封装 X J 表示 PLCC 封装 X A 表示 TQFP 封装 X P 表示塑料双列直插 DIP 封装 X W 表示裸芯片 X S 表示 SOIC 封装 后缀中第三个参数 X 用于表示温度围它的意义如下 X C 表示商业用产品温度围为0 十 70 X I 表示工业用产品温度围为40 十 85 X A 表示汽车用产品温度围为40 十 125 X M 表示军用产品温度围为55 十 150 后缀中第四个参数 X 用于说明产品的处理情况它的意义如下 X 为空表示处理工艺是标准工艺 X 883 表示处理工艺采用 MIL STD 883 标准
三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：第1位. Memory (K) 第2位. NAND Flash : 9 第3位. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Bl ock) 1 : SLC 1 Chip XD Card 2 : SLC 2 Chip XD Card 4 : SLC 4 Chip XD Card A : SLC + Muxed I/ F Chip B : Muxed I/ F Chip D : SLC Dual SM E : SLC DUAL (S/ B) F : SLC Normal G : MLC Normal H : MLC QDP J : Non-Muxed OneNand K : SLC Die Stack L : MLC DDP M : MLC DSP N : SLC DSP Q : 4CHIP SM R : SLC 4DIE STACK (S/ B) S : SLC Single SM T : SLC SINGLE (S/ B) U : 2 STACK MSP V : 4 STACK MSP W : SLC 4 Die Stack 第4~5位. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte） 12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M 32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M 64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G 2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G AG : 16G BG : 32G CG : 64G
篇一：高中信息技术形状补间动画教学设计教案 “形状补间动画”教学设计 灵台一中 教材分析 本课教学内容是校本教材第三单元·“动画制作”中的“制作基本动画”第二课时－－“形状补间动画”。“动画制作”对高一的学生来说还是有一定难度的，但学生的兴趣非常浓厚；本课主要学习形状补间动画的制作方法，比较形状补间动画与动作补间动画的区别；形状补间动画是本单元的教学重点和难点，其中掌握“形状补间动画”的制作方法及“形状补间动画”与“动作补间动画的区别”又是本节课的重点和难点。 教学对象分析 本节课的教学对象为高中一年级学生，以下将从两个方面对其进行分析： 1、flash的认知方面 高一绝大部分学生是刚刚接触flash内容，通过前几节课的学习对flash有了一定的了解，对该软件的窗口、面板、工具、图层等基础知识有一些初步认识，但是对flash软件还不能较全面的掌握和应用，还需要进一步巩固。 2、信息能力方面 我校高中生源复杂，水平参差不齐，部分学生在小学时就已经参加过了信息技术竞赛，而有的却是刚接触计算机；奥赛班和平行班的设置使得班级与班级之间的差异加大，就这些现状，对教师的教学也提出了很高的要求。 教学内容分析 本节课的教学内容为形状补间动画制作，针对实际情况，具体将以3个任务围绕教学目标开展教学：首任务——基本任务：圆变矩形再变五角星；次任务——分组任务：第一组：文字变文字，第二组：文字变图片，第三组图片变文字，第四组：图片变图片；提高任务——综合任务：制作flash动画卡片。三个任务的设计切合学生的学习思路，激发学生的学习兴趣，由浅入深，层层提高；在教学过程中不断加入新的知识点，用各种教学方式与手段将知识点传授给学生，最后突破难点，完成课堂教学目标。 教学设计思想与策略 本课的教材中给了一副动画卡片“盛开的小花”的详细制作过程。但实际教学中还是应该遵循“循序渐进，逐步提高”的思路，这就对教师的教学设计提出了很高的要求，本节课我个人的思考是： 设计思想 围绕教材设计基本任务，并适当加以延伸，而对于基础好的同学设计拓展任务；让所有学生各有所得，在原有基础上都有所提高。 教学策略 采用有趣的素材，激发学生的学习兴趣，提高学生的学习能力，让学生总有一种想尝试的感觉，不怕学生出问题，遇到困难，教师引导学生探究学习的方向，学生通过自主学习来解决困难，若解决不了，可以发挥组内“学习带头人”的作用(按照教师开学时设定的小组)，全组中无论是组长还是组内其他成员，只要完成任务的同学都可以充当“学习带头人”，帮助后进的同学完成任务；若依旧无法解决的问题，在必要时教师设置排疑解难；让学生在尝试中去探索，在探索中获取知识，同时获得能力，通过本节课内容的学习与实践操作，不仅要使学生学会“形状补间动画”的制作，了解“形状补间动画”与“动作补间动画”的区别；而且还要充分利用“学习小组”的作用、充分利用本组“学习带头人”的作用，互相帮助，以优扶弱，充分调动所有学生的学习积极性，培养学生互助的精神；同时也可以减轻教师辅导的压力。我想作为教师的教学目标，不仅仅是传授知识点，更重要的是锻炼学生的能力，要“舍得”让学生去碰壁，让他们在碰壁中加深对问题的理解，并努力探究问题解决的方法，这样才能提升学生自身的学习能力。 教学目标