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南航考研模拟电子线路(模电)第六章01

电子线路基础

第六章模拟信号运算与处理电路

本章知识点

?基本运算电路

?有源滤波器

?电压比较器

电子线路基础

第六章模拟信号运算与处理电路

集成运算放大器在使用时,总是与外部反

馈网络相配合,以实现各种不同的功能:

信号运算

信号处理

信号产生

比例、求和、积分与微分、对数和反对数等

有源滤波器、电压比较器正弦波振荡电路

引入线性负反馈引入非线性负反馈

u o =A(u +-u -)

电子线路基础

6.1.1 基本运算电路

反相比例运算电路

R 1R 2

i i u i

u -u +

i -∞

A

i +

R F

i f

u o

u o =Ku i

电压并联负反馈

电子线路基础

因为虚断: i +=0,u +=-i +R 2=0又因虚短:u -= u +

得: u -= u + =0 虚地由于i -=0,有i i =i f ,即有

(u i -u -)/R 1=(u --u o )/R F 反相比例运算电路电压放大倍数:

A =u /u =-R /R R 1R 2

i i u i

u -u +

i -∞

A

i +

R F

i f

u o

R 1R 2

i i u i

u -u +

i -∞

A

i +R F

i f

u o

A uf =u o /u i =-R F /R 1

输入电阻R if =u i /i i =R 1输出电阻R =0

虚地

共模输入电压( u ++u -)/2=0

R 1R 2

i i u i

u -u +

i -∞

A

i +

R F

i f

u o

特点:输入电阻小、虚地、共模电压小是反向比例运放电路的特点。

同相比例运算电路

A uf =u o /u i =1+R F /R 1

输入电阻R if =u i /i i =∞输出电阻R of =0

R 1R 2

i i u i

u -u +

i -∞

A

i +

R F

i f

u o

u i

A

u o

电压跟随器

R 1R 1

i i

u i

u -u +i -∞

A

i +

R F

i f

u o

u i

R F

差分比例运算电路

A uf =

u o

u i -u i

/=

R F

R 1

电子线路基础

设、,输出电压为:

当、时,运放同相输入端的

电位为:

则可得:

0i ='u 0i ≠u i

1

F

1o u R R u ?-=0i ≠'u 0i =u i F 1

F

u R R R u '

?'+''=+i F

F 1F 11o u R R R R R R u R R R u '

?'+''?+=?+='+

电子线路基础

当满足条件、时,有:在、共同输入时,输出电压为:

差动比例运算电路的电压放大倍数为:

差模输入电阻为:11R R '=F F R R '=i 1

F

1o u R R u '

?='i u i

u ')

(i i 1

F

i 1F i 1F 1o 1o o u u R R u R R u R R u u u '-?-=?-'?='+=1

F

i i o uf R R u u u A -

='-=1i i if

2R i u u R ='-=

电子线路基础

4.1.2 求和运算电路

1.反相输入求和电路

F

i F

'

22

1

3

i 1

i 2

i 3

3

u i u i u i u o

因集成运放的反相输入端是虚地,所以

理想运算放大器有

,则有:

所以输出电压为:11i 11i 1R u R u u i =-=-22i 22i 2R u R u u i =-=-3

3

i 33i 3R u R u u i =-=-, , 0==+-i i F

321i i i i =++F

o

33i 22i 11i R u R u R u R u -=++???

?++-=F F F u R u R u R u

2.同相输入求和电路

1

F

23

2

1

3

''

'

'

u i u i u i u o

电子线路基础运放同相输入端的电压为:

其中集成运放虚短,有:根据同相比例运算电路原理,可得:

3

i 2

132

12i 312311i 32132////////////////////////u R R R R R R R u R R R R R R R u R R R R R R R u ?'''+''''+?'''+''''+?'''+''''=+3

i 3

2i 21i 1u R R u R R u R R ?'+?'+?'=+

++R R R R R ''''=+//////321

-+=u u +-?????

?

?+=????? ??+=u R R u R R u 1F 1F o 11?? ??+?+???? ?+=+

++F 1u R u R u R R

电子线路基础

3.双端求和运算电路

F

232

13

'

4

4

u i u i u i u i u o

电子线路基础令同相输入端信号、都为零,输出电压为:

令反相输入端信号、都为零,输出电压为:

由叠加原理,可得:

3i u 4i u 1i u 2

i u ???? ???+?????? ??+=4i 4

p 3i 3p

21F 2o //1u R R u R R R R R u ???? ???+?????? ??+=4i 4p 3i 3p

21F 2o //1u R R u R R R R R u 2

o 1o o u u u +=?? ??+???? ?++?? ?+?-=p p

F 2i 1i 1u R u R R u u R

电子线路基础

6.1.3 积分和微分运算电路

1.积分电路

u C

i c

R R

'

C

u i

u o

电子线路基础

(1)电路组成

集成运放同相输入端的电阻选择:集成运放的反相输入端为虚地:

集成运放虚断,则有:故有:

可得到:式中,为t=0时积分电容C 的初始电压值,电阻

R R ='C

o u u -=R i R i u i ?=?=c i c

i i i =C

o u u -=dt 1c ???-=∞-t

i C

)0(dt 1C 0i U u C R t +??-=?)

0(C U )0(C U τ

(2)积分电路的误差

①集成运放不是理想特性。

②积分电容引起。

2.微分电路

u i

u

C

u o R

R

'

C

i c

i

R

南航考研

Ch1 习题及思考题 1.名词解释 晶体液晶非晶体长程有序短程有序等同点空间点阵结构基元晶体结构晶体点阵空间格子布拉菲点阵单胞(晶胞) 点阵常数晶系2.体心单斜和底心正方是否皆为新点阵? 3.绘图说明面心正方点阵可表示为体心正方点阵。 4.试证明金刚石晶体不是布拉菲点阵,而是复式面心立方点阵。金刚石晶体属于立方晶系,其中碳原子坐标是(000)、(0 1/2 1/2)、(1/2 1/2 0)、(1/2 0 1/2)、(1/4 1/4 1/4)、(3/4 1/4 3/4)、(1/4 3/4 3/4)、(3/4 3/4 1/4)。 5.求金刚石结构中通过(0,0,0)和(3/4,3/4,1/4)两碳原子的晶向,及与该晶向垂直的晶面。 6.画出立方晶系中所有的{110}和{111}。 7.写出立方晶系中属于{123}晶面族的所有晶面和属于〈110〉晶向族的所有晶向。8.画出立方晶系中具有下列密勒指数的晶面和晶向:(130)、(211)、(131)、(112)、(321)晶面和[210]、[111]、[321]、[121]晶向。 9.试在完整的六方晶系的晶胞中画出(1012)晶面和[1120]、[1101],并列出{1012}晶面族中所有晶面的密勒指数。 10.点阵平面(110)、(311)和(132)是否属于同一晶带?如果是的话,试指出其晶带轴,另外再指出属于该晶带的任一其它点阵平面;如果不是的话,为什么? 11.求(121)和(100)决定的晶带轴与(001)和(111)所决定的晶带轴所构成的晶面的晶面指数。 12.计算立方晶系[321]与[120]夹角,(111)与(111)之间的夹角。 13.写出镍晶体中面间距为0.1246nm的晶面族指数。镍的点阵常数为0.3524nm。14. 1)计算fcc结构的(111)面的面间距(用点阵常数表示); 2)欲确定一成分为18%Cr,18%Ni的不锈钢晶体在室温下的可能结构是fcc还是bcc,由X射线测得此晶体的(111)面间距为0.21nm,已知bcc铁的a=0.286nm,fcc铁的a=0.363nm,试问此晶体属何种结构?

模电第一章练习习题

第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素,可将其改型为N型半导体。(√) (2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(√) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 (×)(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R G S大的特点。(√) (6)若耗尽型N沟道MOS管的U G S大于零,则其输入电阻会明显变小。(×) 解: 二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 (4)U G S=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解:(1)A (2)C (3)B (4)A C 第一章题解-1

第一章题解-2 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解:U O 1≈1.3V ,U O 2=0,U O 3≈-1.3V ,U O 4≈2V ,U O 5≈1.3V , U O 6≈-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Z mi n =5mA 。求图T1.4所示电路中U O 1和U O 2各为多少伏。 图T1.4 解:(a)图能击穿稳压,U O 1=6V ;(b)图不能击穿,靠电阻分压,U O 2=5V 。

模电第一章习题解答

第一章 电路的基本概念和基本定律 1.1 在题1.1图中,各元件电压为 U 1=-5V ,U 2=2V ,U 3=U 4=-3V ,指出哪些元件是电源,哪些元件是负载? 解:元件上电压和电流为关联参考方向时,P=UI ;电压和电流为非关联参考方向时,P=UI 。P>0时元件吸收功率是负载,P<0时,元件释放功率,是电源。 P 1=-P 2P 3=U P 4=-元件2、4 1.2 3t C e (u -=i =-R u =L u = 1.3 在题1.3图中,已知I=2A ,求U ab 和P ab 。 解:U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V , 电流I 与U ab 为关联参考方向,因此 P ab =U ab I=6×2=12W 1.4 在题1.4图中,已知 I S =2A ,U S =4V ,求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率,验证电路的功率平衡。 +U 4 -b a 题1.3图

解:I=I S =2A , U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W , U S 与I 为关联参考方向,电压源功率:P U =IU S =2×4=8W , U 与I 为非关联参考方向,电流源功率:P I =-I S U=-2×6=-12W , 验算:P U +P I +P R =8-12+4=0 U U 1.7 求题1.7图中的I x 和U x 。 a b 10Ω题1.4图 +6V - (a) 3Ω (b) 题1.7图 2

解:(a )以c 为电位参考点,则V a =2×50=100V I 3×100=V a =100,I 3=1A , I 2=I 3+2=3A , U X =50I 2=150V V b =U X +V a =150+100=250V I 1×25=V b =250, I 1=10A , I X =I 1+I 2=10+3=13A ( 6×由 1.8 20 1a V I =,5502 +=a V I , 10503-=a V I 由KCL 得: I 1+I 2+I 3=0 即 010 50 55020=-+++a a a V V V 解得 V V a 7 100 -= 1.9 在题1.9图中,设t S m S e I i t U u α-==0,ωsin ,求u L 、i C 、i 和u 。

安徽理工大学研究生复试模电试卷

2012年安徽理工大学研究生复试试卷 适用专业电气与信息工程学院科目模拟电子技术安徽理工大学沿袭每年六道大题风格,基本内容与2012年安徽理工复试内容相近,希望大家获得优异成绩。 1.(10分)写出下图所示各电路的输出端的电压值,设二极管导通电压V D为0.7V + 2v _ (a) + 2v _ (b) + _ (c)

1. (20分已知 V CC =12V R b 1 =2.5K Ω R b 2 =7.5K Ω R e =1K Ω R C =2K Ω R L =2K Ω β=30 V BEQ =0.7V r bb ' =300Ω (1) 估算静态电流I CQ I BQ V CEQ (2) 计算 A V R i R (3) 如果换上三极管β=60,电路其他参数不变,则静态工作点会如何变化 + _ + V CC V 0 2. (10分)换出下图各电路的直流和交流电路 + _ V CC (a)

_ + (b) 3. (15分)是否引入了反馈,是直流反馈还是交流反馈,正反馈还是负反馈。设电容对交 流信号均视为短路 R 3 V 0 (a) Vi V 0 V CC (c)

4. (15分) 2 V 0 (1) 存在何种反馈? (2) 运放是何种类型应用? (3) 如何输入电压是峰值10V 的正弦波, D W 1 D W 2 的正向电压均为0.7V ,方向击穿 电压均为5.3V ,输出电压是正弦波还是脉冲波? 6(15分)正弦波振荡电路如图所示 C V 0 R 1=R 2 =10K Ω C 1 =C 2 =0.22UF (1) R 3 R 4满足何种条件才能产生正弦波振荡? (2)计算振荡频率 7(15分)下图为整流滤波电路 Tr V 0 +_

模电考研复试2020

第一章 幅度失真:由于放大器得带宽所限制,导致对不同频率信号幅值的放大倍数不同而产生的失真。 相位失真:放大电路对不同频率信号产生的时延不同时会产生失真 幅度失真和相位失真统称为频率失真。他们是由线性电抗元件引起得又称线性失真。 放大电路的性能指标:输入输出电阻,增益,频率响应,非线性失真。 戴维南定理等效电路:理想电压源和源内阻串联 诺顿等效电路:理想电流源和源内阻并联 第二章 理想运算放大器:输入电阻无穷大,输出电阻为零,开环增益无穷大,带宽无穷大。 虚短:在深度负反馈下Vp=Vn,称为虚短。 虚断:由于输入电阻很高,输入电流为零,流经两输入端之间电流为Ip=-In=0; 电压跟随器的特点输入阻抗高,输出阻抗低,带负载能力强。 运算放大器有两个工作区域:线性区(必须是引入深度负反馈)这时运算放大器才有虚短和虚断的特性。非线性区(有虚断)(引入正反馈和开环)输出为饱和值±Vom。 运算放大器为什么要接平衡电阻?同相端和反相端外接直流电阻必须相等,才能保证运算放大器输入端处于平衡。接入平衡电阻可消除由I1b引起输入端的偏差电压。 第三章 P型半导体参入三价元素,空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。施主杂质原子 N型半导体参入五价元素,空穴为少数载流子,自有电子为多少载流子。受主杂质原子PN结形成:漂移(内运动)由于电场作用导致载流子的运动;扩散(浓度差,外运动)由于载流子的浓度差和随机热运动,载流子会从高浓度区向低浓度区扩散,从而形成扩散电流。PN结的基本特性:单向导电性。反向击穿特性和电容效应。 PN结的反向击穿:PN结加反向电压增加到一定数值时,反向电流突然增加,称为PN结的反向击穿。雪崩击穿和齐纳击穿都是可逆的。 PN结电容效应为扩散电容和势垒电容。 二极管的主要新能参数:最大整流电流(电流过大管子发热会烧坏管子),反向击穿电压(被击穿时,反向电流剧增,二极管单向导电性被破坏,发热烧坏管子),反向电流(越小越好,越小单向导电性越好),极间电容,反向恢复时间。 一般硅管比则管反向电流小的多。 静态工作点:电路工作在直流工作状态称为静态工作,Q为静态工作点。 二极管模型:理想型,恒压降模型,折线型。

南航考研机械设计复试试题

一、计算下列机构的自由度,若存在局部自由度、复合铰链或虚约束,请在原图上标出。(每小题4分)。 (已知LK IJ GH ////) (已知CE=HI,DE=IJ,DF=JK,EF=IK,FG=KL ) 图 图 本题分数 12分 得 分

图 二、一曲柄摇杆机构,已知摇杆DC在两个极限 位置时与机架的夹角分别为φ1=135°,φ2=60°。 摇杆DC的长度L DC=50mm,机架AD的长度L AD=70mm。 试:1)求出曲柄AB的长度L AB、连杆BC的长度L BC;2)求行程速比系数K;3)计算机构的最小传动角(可用作图法,取比例 尺μ1=1 mm mm)。 本题分数12分得分

三、已知一对外啮合正常齿制标准直齿圆柱齿 轮的标准中心距a = 360 mm ,齿数Z 1=40,Z 2=140, 求:1)齿轮1的分度圆直径、齿顶圆直径、基圆直径、齿距和齿厚;2)在齿轮1的分度圆、基圆、 齿顶圆上渐开线齿廓的曲率半径ρ , ρb ,ρa 和压力角α 、αb 、αa 。 四、如图所示传动系统,1、5为蜗杆,2、6 为蜗轮,3、4为斜圆柱齿轮,7、8为直齿锥齿轮。

已知蜗杆1为主动件,要求输出齿轮8的回转方向如图所示,且轴I、II、III上所受的轴向力能抵消一部分。试确定:(1)各轴的回转方向;(2)各轮齿的螺旋线方向;(3)各轮的轴向力方向。 五、在图示轮系中,设已知各轮齿数为:z 1 =30, z 2=30,z 3 =90,z 4 =30,z 1 ’=20,z3’=40,z4’=30 , I II

z 5=15,试求轴I 轴II 之间的传动比i I II 。 六、有一普通螺栓,已知:公称直径d=20mm,中径d 2=18.376mm,小径d 1=17.294mm, 螺距t=2.5mm, 螺纹头数n=2,牙型角α=60°,螺纹副的摩擦系数 f =.试求:(1)螺栓的导程L ;(2)螺栓的升角λ; (3)当以螺纹副作传动时,其举升重物的效率;(4)此螺旋副的自锁性如何

童诗白模电第三版课后习题答案详解 第一章

第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈1.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V 五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 μA 26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O =U CE =2V 。 2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。 习题 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 t t

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D =(V -U D )/R = 2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。 1.9 (1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I =15V 时,由于上述同样的原因,U O =5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =5V 。 (2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 (1)S 闭合。 (2)。,Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R t t

(完整版)南航考研机械原理简答题终极整理版

《机械原理》简答题 考研论坛 @麻花 整理 一、平面机构的结构分析 1.平面机构基本定义: 机器:可用来变换或者传递物料、能量或信息的装置 机构:能实现预期机械运动的构件的组合,包括原动件,从动件,机架 零件:机器制造单元 构件:机器运动单元 杆组:从动件系统中分解为若干不可再分,自由度为0的运动链 约束:对独立运动的限制 自由度:构件具有的独立运动的数目 运动副:由两构件直接接触形成的可运动联接 运动链:两个以上以运动副联接而成的系统 虚约束:对输出件的运动不起约束作用的约束 局部自由度:与输出件运动无关的自由度 2.在什么条件下,运动链具有运动可能性、运动确定性、可以成为机构? 自由度大于零;自由度数目等于原动件数目;运动链中某构件固定为机架 3.高副低代时,齿轮副如何处理? 齿轮副是将所引入的两个转动副分别位于相接触的两齿廓的曲率中心处,对于一对渐开线齿廓的齿轮副,曲率中心分别位于两齿轮的啮合极限点 二、平面机构的运动分析 1.什么是速度瞬心,相对瞬心与绝对瞬心的区别? 速度瞬心:两构件上相对速度为零的重合点;绝对瞬心处的绝对速度为零 2.用速度瞬心法和矢量方程图作机构速度分析有什么优缺点? 速度瞬心法:只能进行速度分析,适用于简单的平面机构 矢量方程图:作图不是很准确 3.什么是三心定理? 作平面平行运动的三个构件共有三个瞬心,它们位于一条直线上 4.机构在什么时候有哥氏加速度,如何确定? 绝对运动:动点相对于定参考系的运动 相对运动:动点相对于动参考系的运动 牵连运动:动参考系相对于定参考系的运动 相对运动为转动,牵连运动为平动时两构件重合点有哥氏加速度,它是由于相对速度方向变化产生的加速度,θωsin 2r e c v a =

南开大学考研数电模电复习资料以及心得分享

同学们,又是一年考研热,在这炎热的暑假里,我们每个考研学子都是怀着一样的梦想,一样的希望,聚集起来,共同奋斗,考上我们理想的学校。这一年注定了艰辛万苦,注定了我们要放弃很多,虽然这一年我们只有通过我们不懈的努力,才能达到幸福的彼岸,学习没有捷径,这是我们公认的道理,但是学习方法可以大大的提高我们的学习效率,有时候还有事半功倍的效果。 考研历程——各个阶段 考研注定了是份艰辛的工作,和大家一样,从大三上半学期就开始投入考研,但也是热热身,真正的投入考研的状态也是在暑假以后,暑假的这个假期是我们提高最快,最有效果的阶段,所以大家一定要好好把握这个阶段的复习(特别是数学、英语的复习)。从暑假开始到8月份之前,我一直就专供数学和英语,每天早上6点起床,去自习室把前一天不会的英语单词和不理解的句子统统在过一遍,时间充裕的同学可以在读读新概念4的短文,自我感觉在8月份之前重要的就是英语单词。大概读到8点,就翻开数学书,暑假这个阶段都是在做李永乐的全书,每天给自己制定计划,下午2点半到5点半的时间都是给英语的,开始先做得是张剑的150篇,之后就是把从05年之前的英语考研真题阅读理解部分开始做,把不会的单词和一些自己翻译不通顺的句子做好笔记。晚上还是数学部分的复习(主要是课本基础知识)。考研最主要就是不停的重复,重复才能避免遗忘,才能避免生疏。如果要考好学校的同学,建议在8月份就开始着手专业课的复习,这样时间充沛,容易查漏补缺。 ——13年专业课考试(数电,模电) 数电大家都觉得很容易,但往往很容易的科目,考研时候,出的题目会比较恶心,所以大家不要掉以轻心。例如在13年南开大学专业课考试当中就不走寻常路,在涵盖以往考试重点的情况下,加以创新(特别是最后一大题的设计题)。模电可能给大家的印象会比较难,难也有难得好处,出题方面会比较注重基础,例如13年模电考试,和以往的题目没什么太大的变化,基础的放大电路,基础的反馈电路,还有对放大电路的设计,估算等等。 ——专业课复习(数电、模电) 建议大家在8月份开始就着手专业课的复习,最基础的就是教材,南开大学模电(秦世才,贾香鸾)和数电(杨文霞、孙青林)的教材,版本比较陈旧,(我买的时候就很难买到),特备是模电数,概念和题目都比较生涩难懂,建议大家可以先看看自己学校的数电模电教材,之后在看指定教材,这样会更好理解,而且所花的时间比较短。大概10月份之前就是注重教材,重基础,课后练习题。10月份之后就要专心研究历年真题,因为真题就涵盖了这个学院比较容易考的重点。在冲刺阶段可以适当做些模拟题,掌握做题方法和技巧。 ——关于上辅导班 这个大家可以按需分配,我当时因为英语不好,报了一个英语辅导班,感觉提高很大,所以大家如果时间允许可以报一个辅导班,因为考研老师教你的一些方法对你确实有帮

童诗白《模拟电子技术基础》(第4版)名校考研真题(多级放大电路)

第3章 多级放大电路 一、填空题 1.差分放大电路的输入端未加输入信号时,收到附近手机造成的10微伏电磁干扰,该电路的差模放大倍数是-30,共模抑制比是80dB ,则该差分放大电路的差模输出电压是( ),共模输出电压是( )。[北京邮电大学2010研] 【答案】-0.3mv ;0.015v μ。 【解析】共模抑制比为80db ,则有 20l g 80 C M R K = 43010| |||ud CMR uc uc A K A A -===, 3 310 uc A -=? 差模输出电压:30100.3m d ud id u A u v v μ==-?=- 共模输出电压:310 3100.0152 c uc ic u A u v v μμ-==??=。 2.直接耦合放大电路零点漂移产生的原因是________(①电源电压不稳定,②晶体管参数随温度变化)。[中山大学2010研] 【答案】② 【解析】在放大电路中,任何元件参数的变化,如电源电压的波动、元件的老化、半导体器件参数随温度变化而产生的变化,都将产生输出电压的漂移。 二、选择题

1.差分放大电路中发射极接入电阻R E的主要作用是( )。[北京邮电大学2010研] A.提高差模电压增益 B.增大差模输入电阻 C.抑制零点漂移 D.减小差模输入电阻 【答案】C 【解析】在差分放大电路中,增大发射极电阻 R的阻值,能有效抑制每一边电路的温 E 漂,提高共模抑制比。 2.图3-1电路中,电阻R E的作用是()。[北京科技大学2011研] 图3-1 A.仅对共模信号起负反馈作用 B.仅对差模信号起负反馈作用 C.对共模、差模信号都起负反馈作用 D.对共模、差模信号都无负反馈作用 【答案】A 【解析】差动电路对共模信号具有很强的抑制作用,在差模信号作用下Re中的电流变

模电数电考研面试

可能会问一些比较基本的问题,比如说触发器的类型啊,什么是米勒状态机啊?什么是CMOS管子的截断电流啦,简易的低通滤波器,高通滤波器怎么搭啦,之类的 考外校一般会问的比较多,考本校都问的很简单。一般也就问问竞争-冒险的原因和处理办法,正反馈对电压还是电流起作用啊,是放大还是减小啊之类的。滤波器分哪几类) 1.TTL与COMS的区别 2.桥式整流+3端稳压管连线 3.直流负反馈和交流负反馈的作用,对电路参数的影响 4.A/D,D/A转换的一些基本概念 5.时序逻辑电路有什么特点,举3种时序电路常用器件 基本要求:模电数电中的“三基”,即基本概念、基本分析方法,典型单元电路。 主要内容: 一、模拟部分 1、晶体管(包括二极管、Bipolar、MOS晶体管)的基本结构和放大、开关工作原理、输出特性曲线、参数、处于三个工作区的条件和特点、小信号等效电路; 2、基本放大电路的三种电路组态及其特点(共发、共基、共集); 3、基本放大电路的基本分析方法(如何求静态工作点、负载线、电路增益、输入电阻和输出电阻);微变参数等效电路分析方法; 4、放大器的频率相应和频带相关概念和简要计算方法; 5、放大器中的反馈,反馈、负反馈的概念、反馈类型及其性质、反馈的判别,反馈电路的计算特别是深反馈电路的判别和计算; 6、放大电路中的非线性失真、和线性失真; 7、功率放大电路的特殊问题及设计原则,典型功率放大单元电路:甲类、乙类、OCL电路;

8、正弦波振荡器的起振条件及其判别,RC振荡器、LC各类振荡器、振荡频率的计算; 9、运算放大器的电路分析、运放的开环运用和闭环运用的特点,虚短(地)和虚断、运放的性能参数、 10、负反馈接法的运放的直流计算; 11、运放电路组成的运算电路(加、减、积分、微分、对数) 12、运放电路构成波形发生电路(迟滞比较器、方波、锯齿波发生器) 13、A/D 和D/A 转换电路 二、数字部分 1、数字逻辑基础 1)数制和代码,二进制数和十进制、八进制数的转换; 2)三种基本逻辑运算; 3)逻辑函数表达式、真值表、逻辑图、逻辑电路;逻辑函数的基本定律及逻辑函数的代数法化简和变换;卡诺图的化简方法; 4)基本门电的结构及其工作原理(二极管的简单与、或、非门,TTL 门电路的静态特性和动态特性,ECL门电路,I2L门电路,CMOS门电路静态特性和动态特性等。) 2、组合逻辑电路的含义、逻辑功能的描述;组合逻辑电路的分析和设计方法,编码器和译码器、数据选择器、数字比较器、全加器、超前进位加法器,减法器; 组合逻辑电路中的竞争冒险; 3、时序逻辑电路的分析和设计方法

模电 第一章习题答案

第一章习题参考答案 2.如图直流电路,已知电流表读数为3A ,电压表读数为10V ,元件A 产生功率为18W ,元件C 吸收功率为10W ,求元件B 和D 的产生功率 解:电流参考方向如图所示,电压参考方向与电流参考方向相关联 已知 V U U A i D C 10,31-==-= W i U P W i U P c c A A 10,1821==-== 解得 A i V U A 162-==,, 列a 点的KCL 方程: 321i i i += 解得A i 23-= 列KVL 方程 =++A C B U U U 解得 V U B 4= W i U P W i U P D D B B 20)2()10(12)3(421=-?-==-=-?== 所以B 产生12W 的功率,D 产生-20W 的功

率,即吸收20W 的功 率。 12.求图示电流i 解:对两个网孔列KVL 方程 1l 网孔 :0105312=--i i (1) 2l 网孔: 0551=-i (2) (2)求出 1i =1mA ,代入(1)得2i =5mA 根据KCL 解得 i =1i +2i =6mA 14.图示电路,求各支路电流1I 、2I 和电压ab U 解: 根据KCL 定理,I=0,V U ab 10-= 左回路网孔KVL 方程 A I I 20 10511==-

右回路网孔KVL 方程 A I I 10 9922-==+ 17.求等效电阻 图a) 解:等效电阻为Ω=++=4)84//()4)6//3((R 图b) 解:等效电导为s S S S S S G ab 10)6//612//()2//2(=+=, Ω=1.0ab R 23.求开路电压ab U b a 8Ω 6Ω 8Ω

考研专业课数电模电教学计划--徐潇

数电模电教案 徐潇 Tip: 考试课程名称:电子技术基础[826] 1、从模电开始。一是模电在试卷中占的比例远大于数电,二是与数电相比,模电的内容多、难度大。对模电的基础部分掌握之后,再加入数电的学习。 2、对模电的掌握要求:会看、会算、会选、会调。初看模电,对此要求不以为然,随着学习深入,愈感此四点即为考研试卷中的全部。特别是后面两点,往往被我们忽略而造成遗憾。 3、初步拟定,学生在上课的过程中把课本按计划逐步看完。(因为感觉如果自己提前看课本,会浪费较多时间,只是个人建议。) 4、来自大纲上的参考书目。我使用的是华成英的模电和阎石的数电。 0804仪器科学与技术826 电子技术基础《模拟电子技术基础》(第四版)华成英、童诗白高等教育出版社,2006 《数字电子技术基础》(第五版)阎石高等教育出版社,2006 《模拟电子技术基础》王淑娟、蔡惟铮、齐明. 高等教育出版社. 2009年5月出版 《数字电子技术基础》杨春玲、王淑娟高等教育出版社. 2011年7月出版 《电子技术基础》(模拟部分第5版)康华光高等教育出版社. 2006年1月出版 《电子技术基础》(数字部分第5版)康华光2006年1月出版 5、按照大纲的划分,我将模电分为7部分,数电分为5部分。参照大纲的考核内容,我对10次课的安排如下:

第一课: 模电部分:1、基本放大电路(课本的前两章) (1)放大电路的基本概念和技术指标; (2)基本放大电路的分析(包括静态分析和动态分析); (3)三种基本放大电路(共射、共集和共基)的比较; (4)FET的结构和分类,MOSFET工作原理、特性曲线和参数; (5)场效应管共源放大电路的静态分析和动态分析,三种基本放大电路(共源、共栅和共漏)的比较。 # 第一章中以了解为主。了解半导体、PN结,会分析二极管在电路中的通断、注意稳压管,区分双极性晶体管和场效应管。 第二章是第一课的重点,也是整个模电的重点。理解第二章是理解模电的关键。 补充:1、第四章中关于集成运放概念的部分。 2、课堂ppt补充和课后题目。 3、数电的基础知识:布尔代数 4、2011年考研真题。 5、学生提出学习中的问题,留待下次答疑解决。 第二课: 模电部分:2、集成运算放大器的线性应用电路(课本的第4章和第7章前半部分) (1)虚短、虚断和虚地的概念; (2)比例运算电路; (3)求和运算电路; (4)积分和微分运算电路; (5)集成运放其他几种线性应用电路,包括电流-电压变换器、电压-电流变换器、数据放大器、绝对值电路和二极管限幅电路; (6)集成运放的频率响应和补偿。 #第四章和第七章应该放到一起讲,因为这两章都是对集成运放的讲解,第四章为原理,第七章为应用实例。这一部分的内容比较多,所以这一课需要较多的时间来消化。 补充:1、继续补充数电的布尔代数部分。 2、课后题目已经绿皮书的题目。 3、答疑并提出问题。 第三课: 模电部分:

南航考研各科参考书目

南京航空航天大学 二〇〇九年招收攻读硕士学位研究生入学考试参考书目录 212 法语:1.《法语》(1-3册)马晓宏,外语教学与研究出版社 2004 (注:第一、第二册为主);2.《大学法语简明教程》薛建成,外语教学与研究出版社,2006。 213 俄语:《大学俄语(东方)》1-2册,北京外国语大学、莫斯科普希金俄语学院合编,外语教学与研究出版社,1998年。 214 日语:1.《新编日语》第1、2 册,作者周平,陈小芬,上海外语教育出版社,2003年。215 德语:《大学德语》第1、2 册(修订版),作者张书良,高教出版社,2002年。 216 英语:大学英语(全新版)综合教程总主编李荫华, 上海外语教育出版社,2003年 500 西方社会学理论:《现代社会学理论新编》童星主编,南京大学出版社,2003年。 501 科学社会学:《科学社会学》[美],默顿,商务印书馆,2003年第一版。 503 马克思主义经典著作选读:《马克思主义经典著作选读》,教育部社会科学研究与思想政治工作司组编,人民出版社1999年7月版/2004年3月版。 505 民法学:《民法》,魏振瀛主编,北京大学出版社,高等教育出版社2007年7月第3版。506 马克思主义基本原理:《马克思主义基本原理概论》,马克思主义理论研究和建设工程重点教材,高等教育出版社2008年2月版 507 翻译与写作:《实用翻译教程》增订本,冯庆华,上海外语教育出版社, 2002年;《中国现代散文英译》,张培基,上海外语教育出版社,1999年。 508 专业日语:1.《高级日语》第四册,吴侃村木新次郎主编,上海外语教育出版社,20 05年。 509 专业英语:1.《简明英语语言学教程》修订本,戴炜栋,上海外语教育出版社,2002年; 2.《英国文学选读》,王守仁,高等教育出版社,2001年; 3.《美国文学选读》陶洁,高等教育出版社,2001年。 510 结构力学:《结构力学》,丁锡洪编,航空工业出版社。 511 振动基础:《机械振动基础》胡海岩主编,北京航空航天大学出版社,2004年 512 微机原理及应用:倪继烈,刘新民,《微机原理与接口技术》(第二版),电子科技大学出版社 513 空气动力学:《空气动力学》,陈再新编,航空工业出版社。 514 测试技术基础:李孟源主编, 《测试技术基础》西安电子科技大学出版社 2006 515 桥梁工程:《桥梁工程》,姚玲森主编,人民交通出版社,2004年 516 路基路面工程:《路基路面工程》邓学钧主编,人民交通出版社,2005年第二版 517 建筑结构设计:《建筑结构设计(第一册)——基本教程》,邱洪兴主编,高等教育出版社,2007年6月第一版。 518 流体力学:《流体力学》林建忠主编,清华出版社。 519 混凝土科学:《近代混凝土技术》黄士元、蒋家奋编,陕西科技出版社。 520 生物化学:《生物化学》(第三版)上、下册王镜岩等编著,高等教育出版社,2006年521 微机原理及应用:《80X86/Pentium微型计算机原理及应用》,吴宁主编,电子工业出版社 2000年 522 机械振动:《机械振动与冲击》胡海岩主编,航空工业出版社(修订版)2002年 524 流体力学:《流体力学基础》梁德旺主编,航空工业出版社 1998年。 525 传热学:《传热学》,杨世铭、陶文铨编著,高等教育出版社(第三、四版)或《传热学》,王宝官主编,航空工业出版社。 531 微机原理及应用:《80X86/Pentium 微型计算机原理及应用》吴宁编,电子工业出版社,

模电第一章期末知识点总结

模拟电子技术基础复习要点 一、常用半导体器件 1.半导体二极管 (1)掌握二极管具有单向导电的特性。用电位的方法来判断二极管是否导通,即,哪个二极管的阳极电位最高,或哪个二极管的阴极电位最低,哪个二极管就优先导通。 (2)注意:理想二极管导通之后相当短路,截止后相当开路。 (3)掌握二极管的动态电阻小,静态电阻大的概念(直流通路恒压源,交流通路小电阻)。 交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻,用静态工作点和公式求二极管的电阻值 (4)熟悉二极管的应用(开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅)作业:1.3 2. 半导体稳压管 (1)掌握稳压管工作在反向击穿区的特点 只要不超过稳压管的最大功率,电流越大越好 (2)掌握稳压管与一电阻串联时,在电路中起的稳压作用。

(3)掌握稳压管的动态电阻小,静态电阻大的概念。 (3)熟悉稳压管的应用(稳压、限幅)作业:1.5 , 1.6 3. 晶体三极管 (1)熟悉晶体管的电流放大原理(重点掌握Ic=βIb ) (2)掌握NPN 型三极管的输出特性曲线。 晶体管有三个级,必然就有BE 间的输入,CE 间的输出,所以有两组特性曲线。 iB 和Ube 之间的关系,但是保证Uce 是一个恒定值 iC 和Uce 之间的关系,保证Ib 是一个恒定值 关于NPN 型管子:管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。主要是饱和区和截止区之间的区别 (3)掌握三极管的放大、饱和与截止条件。 (4)理解CEO CBO I I 和的定义及其对晶体管集电极电流的影响。作业:1.9,1.12 ,

共射交流放大倍数β,共基交流放大倍数α≈1 4. 场效应管 (1)能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。

电子科技大学考研829 数字 模拟电子本科试卷考研真题

电子科技大学模拟电路期末(2000-2011)试卷14份+答案每份不同 电子科技大学模电子科技大学模拟电路期末(2000-2011)试卷14份+答案每份不同电子科技大学模拟电路期中(2004-2011)试卷12份+答案每份不同 电子科技大学数字逻辑电路本科试卷(2002年以后)17套(每份不同) 829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案 电子科大模拟电路简答题试题库(100道左右) 电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份 电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份 电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份 数字逻辑电路课后答案 拟电路期中(2004-2011)试卷12份+答案每份不同 电子科技大学数字逻辑电路本科试卷(2002年以后)17套(每份不同) 829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案 电子科大模拟电路简答题试题库(100道左右) 电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份 电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份 电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份 数字逻辑电路课后答案 所有资料不重复。 淘宝网:https://www.doczj.com/doc/e515539204.html,/item.htm?id=9960243831 电子科技大学二零零五至二零零六学年第二学期期中考试 “数字逻辑设计及应用”课程考试题期中卷(120分钟)考试形式:闭卷考试日期2006 年4月22日 课程成绩构成:平时20 分,期中20 分,实验0 分,期末60 分一二三四五六七八九十合计 一、填空题(每空1分,共15分) 1、( 323 )10=( 101000011 ) 2

南航考研模拟电子线路(模电)第六章01

电子线路基础 第六章模拟信号运算与处理电路 本章知识点 ?基本运算电路 ?有源滤波器 ?电压比较器

电子线路基础 第六章 模拟信号运算与处理电路 集成运算放大器在使用时,总是与外部反 馈网络相配合,以实现各种不同的功能: 信号运算 信号处理 信号产生 比例、求和、积分与微分、对数和反对数等 有源滤波器、电压比较器 正弦波振荡电路 引入线性负反馈 引入非线性负反馈 u o =A(u +-u -)

电子线路基础 6.1.1 基本运算电路 反相比例运算电路 R 1R 2 i i u i u -u + i -∞ A i + R F i f u o u o =Ku i 电压并联负反馈

电子线路基础 因为虚断: i + =0, u +=-i + R 2=0 又因虚短: u -= u + 得: u -= u + =0 虚地 由于i -=0 ,有i i =i f ,即有 (u i -u -)/R 1=(u - -u o )/R F 反相比例运算电路电压放大倍数: A =u /u =-R /R R 1R 2 i i u i u -u + i -∞ A i + R F i f u o

R 1R 2 i i u i u -u + i -∞ A i +R F i f u o A uf =u o /u i = -R F /R 1 输入电阻 R if =u i /i i =R 1 输出电阻 R =0 虚地 共模输入电压( u ++u -)/2=0

R 1R 2 i i u i u -u + i -∞ A i + R F i f u o 特点:输入电阻小、虚地、共模电压小是反向比例运放电路的特点。

模电试题库解析

模拟电子线路随堂练习 第一章半导体器件 作业1-1 一、习题(满分100分) 1.N型半导体带负电,P型半导体带正电。() 2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。() 3.PN结处于正向偏置时,正向电流小,电阻大,处于导通状态。() 4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,就不能再使用了。() 5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。() 6.在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。() 7.晶体三极管的基极,集电极,发射极都不可互换使用。() 8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是:发射结正偏,集电结正偏。() 9.晶体三极管有三种工作状态,即:放大状态,饱和状态,导通状态。() 10.三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件。() 11.温度升高后,在纯净的半导体中()。 A.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同 B.空穴增多,自由电子数目不变 C.自由电子增多,空穴不变 D.自由电子和空穴数目都不变 12.如果PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压),则()。 A.阻当层不变,反向电流基本不变 B.阻当层变厚,反向电流基本不变 C.阻当层变窄,反向电流增大 D.阻当层变厚,反向电流减小

作业1-2 一、习题(满分100分) 1.N型半导体()。 A.带正电 B.带负电C.呈中性D.不确定 2.如果二极管的正反向电阻都很大,则该二极管()。 A.正常 B.断路C.被击穿D.短路 3.对于晶体二极管,下列说法正确的是()。 A.正向偏置时导通,反向偏置时截止 B.反向偏置时无电流流过二极管 C.反向击穿后立即烧毁 D.导通时可等效为一线性电阻 4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图,那么,第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为()。 A.0.03mA 流出三极管 e、c、b B.0.03mA 流进三极管 e、c、b C.0.03mA 流出三极管 c、e、b D.0.03mA 流进三极管 c、e、b 5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在()。 A.饱和状态 B.放大状态 C.倒置状态D.截止状态 6.PNP型晶体管工作在放大状态,三个极电位的关系是()。 A.V C>V B>V E B. V C> V E > V BC.V E >V B> V CD.V E >V C>V B 7.PNP型硅管工作在放大状态,各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()。 A.发射极、基极、集电极 B.集电极、基极、发射极 C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极 8.测得三极管i b=30μA时i c=2.4mA,而i b=40μA时i c=3mA,则该管的交流电流放大系数β为()。 A.60 B.75 C.80 D.100 9.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()。 A.基极、集电极、发射极 B.发射极、基极、集电极 C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极 10.三极管输出特性曲线可分为三个区,下列不属于工作区的是()。 A.截止区 B.放大区 C.饱和区D.击穿区 11.在放大电压信号时,通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为() A.输入电阻小,输出电阻大 B.输入电阻小,输出电阻小 C.输入电阻大,输出电阻小 D.输入电阻大,输出电阻大

模电数电考研面试总结教学提纲

模电数电考研面试总 结

1、基尔霍夫定理的内容是什么?(仕兰微电子) 2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。(未知) 3、最基本的如三极管曲线特性。(未知) 4、描述反馈电路的概念,列举他们的应用。(仕兰微电子) 5、负反馈种类(电压并联反馈,电流串联反馈,电压串联反馈和电流并联反馈);负反馈的优点(降低放大器的增益灵敏度,改变输入电阻和输出电阻,改善放大器的线性和非线性失真,有效地扩展放大器的通频带,自动调节作用)(未知) 6、放大电路的频率补偿的目的是什么,有哪些方法?(仕兰微电子) 7、频率响应,如:怎么才算是稳定的,如何改变频响曲线的几个方法。(未知)8、给出一个查分运放,如何相位补偿,并画补偿后的波特图。(凹凸)9、基本放大电路种类(电压放大器,电流放大器,互导放大器和互阻放大器),优缺点,特别是广泛采用差分结构的原因。(未知) 10、给出一差分电路,告诉其输出电压Y+和Y-,求共模分量和差模分量。(未知) 11、画差放的两个输入管。(凹凸) 12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。并画出一个晶体管级的运放电路。(仕兰微电子) 13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。(未知) 14、给出一个简单电路,让你分析输出电压的特性(就是个积分电路),并求输出端某点的 rise/fall时间。(Infineon笔试试题) )

15、电阻R和电容C串联,输入电压为R和C之间的电压,输出电压分别为C 上电压和R上电压,要求制这两种电路输入电压的频谱,判断这两种电路何为高通滤波器,何为低通滤波器。当RC<

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