软件开发流程图 项目前期 需 求 变 化项目启动 需 要系统实变现 更系统调测 开始 获取用户需 编制初步方 编制进度 / 跟踪 需求基本确定 编制详细预 配置内部资 分配开发任 系统实现 控制/调 无需变更 技术调测 PM：获取 EU主要的关键性需求 PM：根据 GM安排编制简略 / 详细的建设方案 PM：基于内部预算对 EU提供费用报价 PM：与 EU确认需求变动及方案、费用调整 PM：完成详细内部预算并提交给GM PM：通过内部项目管理系统配置详细人员、进度安排 PM：移交 EU需求给PG，安排 PG开发任务 PG：根据 EU需求及 PM要求，执行开发任务 PM：通过内部项目管理系统审核PG工作日志， 确认 EU需求变动，执行进度控制，必要时变 更人员安排及内部预算 PG：技术调测及修改；根据TE 测试文档调试修改集成测
部署试
TE：进行集成测试，编制测试文档，提交PM，送达PG 未 通 过通过 通过项目后期 系统验收 结束PG：部署至外部服务器 PM：系统初验 EU：试用 PG ： 部署正式上线，编制开发字典，提交PM M 获得试用意见 TE：编制系统操作手册、功能列表，提交PM PM：提交开发字典、操作手册、功能列表给EU,通过内部项目管理系统结项，向 GM汇报 备注： PM (Project Manager)：项目经理PG (Programmer)：程序员EU (End-User)：最终用户TE (Test Engineer)：测试工程师GM (General Manager)：总经理 硬件开发流程图
产品调研 / 新产品立设计开发执行子项目分支执 首样评审业务部主导 研发部 研发部主导 业务部 研发部主导 研发部主导 业务部 采购部 研发部主导 业务部 工程部 1、资料搜集并拟定产品需求表 ① 预期的用途，特定的功能、性能和安全要求； ② 类似产品的名称，型号或参考实物样板； ③ 细化客户对产品的外观、功能、价格等要求； ④拟定《产品需求表》展开评审会议 , 并形成《技术可行性分 析报告》同时交总经理审批。 2、研发经理组织结构、电子与ID 协调定义，进行3D 图形设计 与修改，形成《产品外观效果图》《产品3D 图》、《产品规 格书》会同业务、总经理展开评审会议，若评审通过，由业 务形成《立案通知书》和《产品研发任务书》交总经 理审批，输出交研发部进行设计开发工作。 注： B 类项目可直接评估形成《产品研发任务书》 3、研发部签收《产品研发任务书》 , 项目负责人根据《产品外 观效果图》、《产品 3D 图》、《产品规格书》、《产品研发 任务书》的要求对设计工作进行策划形成《项目进度表》，包括： ① 设计过程中各阶段时间和工作内容的安排； ② 设计评审、设计验证、设计确认的安排； ③ 设计过程中各项工作的分工及各小组之间的接口及工 作顺序等； 4、项目负责人根据《项目进度表》推进设计，每设计阶段 必须与研发部经理进行设计评审，设计评审完成后研发部 完成硬件打样，首样制作由该项目各负责工程师共同制作， 并完成《样机测试记录表》、《操作说明》、《首样评审表》， 并填写《线路板通知书》、《开模申请表》交研发经理审核。研发 部根据设计评审结论编制 BOM、电路原理图、贴片图的PDF电子 版、结构爆炸图、《样机测试记录表》、《软件测试 记录表》、《样机测试记录表》并存档。 5、结构电子依《首样评审表》内容，对需要做设计变更的 尤其产品外观改动的，需经总经理批准的《设计变更表》， 才能对其模具设计修改，并填写《改模记录表》。首样评审完 成修改通过后，发放至工程部由工程部汇总完成《工程 样机测试汇总表》，3 个工作日后由项目负责人组织电子、 结构、工程、品质、业务进行项目首样评审。
?从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）： 晶棒成长--> 晶棒裁切与检测--> 外径研磨--> 切片--> 圆边--> 表层研磨--> 蚀刻--> 去疵--> 抛光--> 清洗--> 检验--> 包装 1 晶棒成长工序：它又可细分为： 1）融化（Melt Down） 将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。 2）颈部成长（Neck Growth） 待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长 100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）晶冠成长（Crown Growth） 颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如 5、6、8、12吋等）。 4）晶体成长（Body Growth） 不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。 5）尾部成长（Tail Growth） 1
当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2 晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection） 将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3 外径研磨（Su rf ace Grinding & Shaping） 由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4 切片（Wire Saw Sl ic ing） 由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5 圆边（Edge Profiling） 由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 ? 6 研磨（Lapping） 研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。 7 蚀刻（Etching） 1
快视信息软件开发流程规范： 用户需求：软件项目首先由客户经理(CM，Custom Management)接洽客户的较大的需求。这时的需求叫市场需求（或叫用户需求），客户经理会进行各个项目的安排，即对项目的启动时间和发布时间进行规划和设置。 项目经理(PM，Project Management)对客户经理负责。项目经理的需求是根据客户经理给的，项目经理不和用户（客户）直接接触（通过客户经理接触），负责和用户进行需求洽谈和沟通的是客户经理。一个项目的需求在一般情况下是不准变更的，如果有需求理解方面的不清楚可以进行沟通，但是需求是不变更的。如果用户有新的需求，一般规划在下一个版本中。因为需求变更了，这个目的时间就要进行调整，就不能按计划进行和完成。客户经理提交给项目经理的是需求规格说明书。 一、项目开工会 在项目经理领到客户经理分配给的需求后，做项目计划，具体做项目人员的确定、需求的分解（需求分解到每个人）、代码量的估计，项目各个阶段时间的划分和工作量的计划、质量指标的设定。这时项目经理需要输出的文档是项目需求分解任务书、项目计划PPT、及做好整个项目需要填写的一系列表格。然后组织项目组成员和客户经理CM、QA(质量审计经理)进行项目开工会。这时这个项目就算真正启动，计算工作量时，即计算这个项目总共花了多少个工时，工时是项目经理做计划的时间也算在内，再加上项目开工会和后续各个阶段总共花的总工时数，还有各个阶段开会所花的时间。在项目开工会上，各个成员就明确了这个项目是属于增强型项目，还是其他项目的项目性质，增强型项目的意思是说在原来上一版本的基础上又根据新的需求进行增强型开发。还有要明确项目最后开发出的新增代码量有多少，最后要明确每个人的需求任务，接下来着手进行SRS的写作。 二、SRS阶段：System/Software Requirment Specification 软件需求规格说明 在项目开工会后，项目组就开始按照在项目开工会上项目经理的需求任务分解的任务开始进行SRS的写作。 一般项目经理给你的一个子需求任务，你这时需要分解为更小的需求。一般一个需求的写作是按这样进行的。先简单介绍这个需求，然后把这个需求设计成黑盒的形式，即输入，处理过程、输出。这些都需要写详细，任何一个需求都写成这种形式，输入是什么，处理过程是什么，输出结果是什么。处理过程需要用Visio或者PPT画出处理流程图，流程图要很详细。每一步的各种情况都要表示和考虑到。对异常情况也要考虑和进行处理。还有要说明在原来的基础上怎么改动，具体方法要进行说明。设计的数据库表结构，要给出脚本，SQL语句，表结构需说明每个字段，哪些是主键，你在这个需求处理过程中哪里使用了哪些表，需要进行哪些操作，都需要说明。这里需要设计和编制《数据库设计说明书》文档。该文档中描述该系统中设计出的所有的数据库表结构和各字段类型。还有多个操作对象要画序列图表示出按时序的处理过程。这个SRS文档就相当于我们平时毕业设计或者一个题目的详细设计阶段达到的水平，甚至比它更详细。每个项目组成员都把自己的需求的SRS文档写出来之后放到配置库中，然后每个人对项目组其他成员的（非自己的）SRS文档进行Review（评审）,对每个SRS文档在每页发现或者纠正的错误数不能低于一定的数目，而且要保留批注记录，经过Review的（保留批注的）文档要放到配置库的Review文件夹下，这是进行项目质量指标收集的重要依据，是QA 进行调阅和审计的资料。项目经理要对SRS文档、SRS Review文档进行汇总。在汇总后组织项目组全体成员进行SRS阶段会议，对每个人写的SRS进行评审会议（讨论和提意见），对别人给你提的修改意见你要一一进行说明，说明为什么不改，怎么改的，是什么问题，问题严重程度属于什么级别，而且都要填表，也是QA进行审计的内容。开完会后如果每个人完成的都差不多，然后安排半天或者一天的时间进行返工，主要是进行修改文档，按在会上讨论的结果和别人给你的Review 文档结果（评审结果）进行准一修改和完善。然后再进行SRS阶段开会，如果都做的比较到位和具体、符合要求，即关闭SRS阶段。这时SRS阶段的花费的工时数和一些质量活动指标就出来了，比如你这个SRS文档写了几页，每页的错误数是多少，返工修改用了多少时间，然后这些这个比率也会自动计算出来。进而可以判断这个阶段的质量。每个项目组成员在每天工作完毕后都要进行Time Sheet 的填写，必须具体到半个小时，这是统计和分析的需要。填写必须真实。 三、UTP、STP阶段（UTP、STP写作） UTP Unit Test Plan 单元测试计划 STP System Test Plan
生产工艺流程图和工艺描述 香肠工艺流程图 辅料验收原料肉验收 原料暂存肥膘解冻 精肉解冻水切丁辅料暂存分割热水漂洗1 漂洗2 加水绞肉 肠衣验收、暂存（处理）灌装、结扎 （包括猪原肠衣和蛋白肠衣） 咸水草、麻绳验收、暂存浸泡漂洗3 冷却 内包装 装箱、入库 出货
香肠加工工艺说明 加工步骤使用设备操作区域加工工艺的描述与说明 原料肉验收、暂存化验室、仓库 按照原料肉验收程序进行，并要求供应商 提供兽药残留达标保证函及兽医检疫检 验证明 辅料验收、暂 存 化验室、仓库按验收规程进行验收肥膘验收、暂 存 化验室、仓库按验收规程进行验收肠衣验收化验室按验收规程进行验收 肠衣处理腊味加工间天然猪肠衣加工前需用洁净加工用水冲洗，人造肠衣灌装前需用洁净加工用水润湿 咸水草、麻绳 验收 化验室按验收规程进行验收暂存仓库 浸泡腊味加工间咸水草、麻绳加工前需用洁净加工用水浸泡使之变软 解冻解冻间肉类解冻分 割间 ≤18℃、18～20h恒温解冻间空气解冻 分割分割台、刀具肉类解冻分 割间 将原料肉筋键、淋巴、脂肪剔除、并分割 成约3cm小肉块 加工步骤使用设备操作区域加工工艺的描述与说明 漂洗2 水池肉类解冻分 割间 加工用水漂洗，将肉的污血冲洗干净 绞肉绞肉机肉类解冻分 割间 12℃以下，采用Φ5mm孔板 肥膘切丁切丁机肉类解冻分 割间 切成0.5cm长的立方
漂洗1 水池肉类解冻分 割间 水温45－60℃，洗去表面游离油脂、碎肉 粒 灌装、结扎灌肠机香肠加工间按产品的不同规格调节肠体长度，处理量800~1200kg/h ，温度≦12℃ 漂洗3 水池香肠加工间水温45～60℃，清洗肠体表面油脂、肉碎 冷却挂肠杆预冷车间12℃下冷却0.5～1小时，中心温度≦25℃ 内包装真空机、电子 秤、热封口机 内包装间 将待包装腊肠去绳后按不同规格称重，装 塑料袋、真空包装封口 装箱、入库扣扎机、电子 秤 外包装间、成 品仓库 将真空包装的产品装彩袋封口，按不同规 格装箱、核重、扣扎放入成品库并挂牌标 识。
一个完整的软件开发流程 一、开发流程图 二、过程产物及要求 本表主要列出开发阶段需要输出的过程产物，包括产物名称、成果描述、负责人及备注，即谁、在什么时间、应该提供什么内容、提供内容的基本方向和形式是什么。 三、过程说明 (一)项目启动 1、产品经理和项目干系人确定项目方向，产品型项目的干系人包括公司领导、产品总监、技术总监等，项目的话则包括客户方领导、主要执行人等。
2、公司领导确认项目组团队组成，包括产品经理、研发项目经理、研发工程师、测试团队等。 3、明确项目管理制度，每个阶段的成果产物需要进行相应的评审，评审有相应的《会议纪要》;从项目启动起，研发项目经理每周提供《项目研发周报》;测试阶段，测试工程师每周提供《项目测试周报》。 4、产品经理进行需求调研，输出《需求调研》文档。需求调研的方式主要有背景资料调查和访谈。 5、产品经理完成《业务梳理》。首先，明确每个项目的目标;其次，梳理项目涉及的角色;再来，每个角色要进行的事项;最后，再梳理整个系统分哪些端口，要有哪些业务模块，每个模块再包含哪些功能。 (二)需求阶段 1、进入可视化产物的输出阶段，产品经理提供最简单也最接近成品的《产品原型》，线框图形式即可。在这个过程中还可能产生的包括业务流程图和页面跳转流程图。业务流程图侧重在不同节点不同角色所进行的操作，页面跳转流程图主要指不同界面间的跳转关系。项目管理者联盟 2、产品经理面向整个团队，进行需求的讲解。 3、研发项目经理根据需求及项目要求，明确《项目里程碑》。根据项目里程表，完成《产品开发计划》，明确详细阶段的时间点，最后根据开发计划，进行《项目任务分解》，完成项目的分工。 4、研发工程师按照各自的分工，进入概要需求阶段。《概要需求》旨在让研发工程师初步理解业务，评估技术可行性。 (三)设计阶段 1、UI设计师根据产品的原型，输出《界面效果图》，并提供界面的标注，最后根据主要的界面，提供一套《UI设计规范》。UI设计规范主要是明确常用界面形式尺寸等，方便研发快速开发。UI设计常涵盖交互的内容。 2、研发工程师在界面效果图，输出《需求规格》，需求规格应包含最终要实现的内容的一切要素。 3、研发工程师完成《概要设计》、《通讯协议》及《表结构设计》，及完成正式编码前的一系列研发设计工作。 (四)开发阶段项目经理博客 1、研发工程师正式进入编码阶段，这个过程虽然大部分时间用来写代码，但是可能还需要进行技术预研、进行需求确认。
1. 双加压法稀硝酸生产工艺流程 1.1工艺流程示意图如图1-1： 1、2—液氨蒸发器，3—辅助蒸发器，4—氨过热器，5—氨过滤器，6—空气过滤室，7—空压机，8—混合器，9—氧化炉、过热器、废热锅炉，10—高温气气换热器，11—省煤器，12—低压反应水冷器，13—氧化氮分离器，14—氧化氮压缩机，15—尾气预热器，16—高压反应水冷器，17—吸收塔，18—尾气分离器，19—二次空气冷却器，20—尾气透平，21—蒸汽透平，22—蒸汽分离器，23—汽包，24—蒸汽冷凝器。 图1-1 工艺流程示意图 1.2流程简述： 合成氨厂来的液氨进入有液位控制的A、B两台氨蒸发器中，氨在其中蒸发，正常操作时，大部分液氨被A台蒸发器中来至吸收塔的冷却水所蒸发（吸收塔上部冷却水与A蒸发器形成闭路循环），蒸发温度11.5 ℃；其余的液氨被冷却水在B台蒸发器中蒸发，蒸发温度为14 ℃，两台氨蒸发器的蒸发压力均维持在0.52 Mpa；其中的油和水在辅助蒸发器中被分离，蒸发出的气氨进入氨过热器，气氨温度由TV31022控制，温度为110 ℃，然后再经氨过滤器进入氨─空气混合器。 空气从大气中吸入，经过三级过滤进入空气压缩机入口（冬季在经过空气过滤器前由空气预热器预热），经过空气压缩机加压至0.35 Mpa后分为一次空气和二次空气两股气流，一次空气进入氨─空混合器，二次空气进入漂白塔。 氨和空气在氨─空混合器中混合以后，进入氧化炉，经过铂网催化剂氧化生成NO等混合气体，铂网氧化温度为860 ℃，然后经过蒸汽过热器、废热锅炉，再经高温气─气换热器、省煤器、低压反应水冷器，再进入氧化氮分离器，在此将稀酸分离下来，气体则与漂白塔来的二次空气混合后进入氧化氮压缩机，进气温度为60 ℃，压力为0.3 Mpa；出口温度为200 ℃，压力为1.0 Mpa。再经尾气预热器、高压反应水冷却器进入吸收塔，进入吸收塔时的氮氧化物气体温度为40℃，氮氧化物气体从吸收塔底部进入，工艺水从吸收塔顶部喷淋而下，二者逆流接触，生成58 %—60 %的硝酸，塔底酸温度为40 ℃，从吸收塔出来的硝酸进入漂白塔，用来自二次空气冷却器的约120 ℃的二次空气在漂白塔中逆流接触，以提出溶解在稀酸中的低价氮氧化物气体，完成漂白过程，漂白后的成品酸经酸冷却器冷却到40 ℃，进入成品酸贮罐，再用成品酸泵送往硝铵和间硝装置。 从吸收塔顶部出来的尾气先后经过尾气分离器、二次空气冷却器、尾气预热器、高温气—气换热器，温度升至360 ℃，进尾气透平，回收约60 %的总压缩功，出尾气透平的
半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结： 半导体元件制造过程可分为 前段（FrontEnd）制程 晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、 晶圆针测制程（WaferProbe）； 後段（BackEnd） 构装（Packaging）、 测试制程（InitialTestandFinalTest） 一、晶圆处理制程 晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。 二、晶圆针测制程 经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒 三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。 半导体制造工艺分类 半导体制造工艺分类 一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型） 半导体制造工艺分类 二MOSIC的基本制造工艺： 根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺
1、清洗 集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水；且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。 在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即采用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1 —6所示。 图1—6硅片清洗工艺示意图 工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化 热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作 为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为：
Si + O2f SiO2 3、扩散 扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B2H6）作为N —源和磷烷（PH3）作为P+源。工艺生产过程中通常 分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH3 f 2P + 3H2 4、离子注入 离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻 光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上 形成了沟槽。 光刻胶 基片------------ ?涂胶后基片 1 1 1 1 ~ 显影后基片V------------- 曝光后基片 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀
晶体的生长 晶体切片成wafer 晶圆制作 功能设计à模块设计à电路设计à版图设计à制作光罩 工艺流程 1) 表面清洗 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 2) 初次氧化 有热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力 氧化技术 干法氧化Si(固) + O2 àSiO2(固) 湿法氧化Si(固) +2H2O àSiO2(固) + 2H2 干法氧化通常用来形成，栅极二氧化硅膜，要求薄，界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚的SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时，因在于OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应，Si 表面向深层移动，距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。对其他的透明薄膜，如知道其折射率，也可用公式计算出 (d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)。SiO2膜很薄时，看不到干涉色，但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 SiO2和Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低，约为10E+10 -- 10E+11/cm –2 .e V -1 数量级。(100)面时，氧化膜中固定电荷较多，固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 3) CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVD或LPCVD)。 1 常压CVD (Normal Pressure CVD) NPCVD为最简单的CVD法，使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反应气体至反应炉的载气体精密装置；(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室；(3)反应炉；(4)反应后的气体回收装置等所构成。其中中心部分为反应炉，炉的形式可分为四个种类，这些装置中重点为如何将反应气体均匀送入，故需在反应气体的流动与基板位置上用心改进。当为水平时，则基板倾斜；当为纵型时，着反应气体由中心吹出，且使基板夹具回转。而汽缸型亦可同时收容多数基板且使夹具旋转。为扩散炉型时，在基板的上游加有混和气体使成乱流的装置。 2 低压CVD (Low Pressure CVD) 此方法是以常压CVD 为基本，欲改善膜厚与相对阻抗值及生产所创出的方法。主要特征：(1)由于反应室内压力减少至10-1000Pa而反应气体，载气体的平均自由行程及扩散常数变大，因此，基板上的膜厚及相对阻抗分布可大为改善。反应气体的消耗亦可减少；(2)反应室成扩散炉型，温度控制最为简便，且装置亦被简化，结果可大幅度改善其可靠性与处理能力(因低气压下，基板容易均匀加热)，因基可大量装荷而改善其生产性。 3 热CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) 此方法生产性高，梯状敷层性佳(不管多凹凸不平，深孔中的表面亦产生反应，及气体可到达表面而附着薄膜)等，故用途极广。膜生成原理，例如由挥发性金属卤化物(MX)及金属有机化合物(MR)等在高温中气相化学反应(热分解，氢还原、氧化、替换反应等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜方法。因只在高温下反应故用途被限制，但由于其可用领域中，则可得
蚀纹标准 一.Mold-Tech Mold-Tech A Mold-Tech B Ptn.#Depth Angle Ptn.#Depth Angle MT-110000.00041°MT-112000.003 4.5°MT-110100.001 1.5°MT-112050.00254°MT-110200.0015 2.5°MT-112100.0035 5.5°MT-110300.0023°MT-112150.0045 6.5°MT-110400.003 4.5°MT-112200.0057.5°MT-110500.0045 6.5°MT-112250.0045 6.5°MT-110600.003 4.5°MT-112300.00254°MT-110700.003 4.5°MT-112350.0046° MT-110800.0023°MT-112400.0015 2.5°MT-110900.0035 5.5°MT-112450.0023°MT-111000.0069°MT-112500.00254° MT-111100.00254°MT-112550.0023° MT-111200.0023°MT-112600.0046° MT-111300.00254°MT-112650.0057° MT-111400.00254°MT-112700.0046° MT-111500.002754°MT-112750.00355°MT-111600.0046°MT-112800.00558° Mold-Tech C Mold-Tech D Ptn.#Depth Angle Ptn.#Depth Angle MT-113000.0025 3.5°MT-114000.0023°MT-113050.0057.5°MT-114050.00254°MT-113100.0057.5°MT-114100.0035 5.5°MT-113150.001 1.5°MT-114150.0023° MT-113200.00254°MT-114200.00254° MT-113250.003 4.5°MT-114250.0035 5.5°MT-113300.0023°MT-114300.00710° MT-113350.0023°MT-114350.01015° MT-113400.003 4.5°MT-114400.0005 1.5°MT-113450.003 4.5°MT-114450.0015 2.5°MT-113500.0035 5.5°MT-114500.00254°MT-113550.00254°MT-114550.003 4.5°MT-113600.0035 5.5°MT-114600.0035 5.5°MT-113650.00457°MT-114650.0057.5°MT-113700.0046°MT-114700.0023° MT-113750.0046°MT-114750.0023°
软件开发流程规范 目录 目录 0 一、概述 (2) 二、开发流程规范 (3) 2.1系统软硬件开发环境 (3) 2.2系统架构（系统组成） (5) 2.3系统功能模块设计 (6) 2.4系统功能开发流程图 (7) 2.5开发修改记录 (8) 三、开发代码规范 (9) 3.1文件结构 (9) 3.1.1 文件信息声明 (10) 3.1.2头文件的结构 (12) 3.1.3定义文件的结构 (15) 3.1.4 头文件的作用 (17) 3.1.5 目录结构 (18) 3.2命名规则 (18) 3.2.1 共性原则 (19) 3.2.2 Windows变量命名规则 (21) 3.3程序风格 (24) 3.3.1 空行 (25) 3.3.2代码行 (26) 3.3.3代码行内的空格 (29) 3.3.4 对齐 (31) 3.3.5 长行拆分 (33) 3.3.6修饰符的位置 (35) 3.3.7 注释 (35) 3.4函数设计 (40) 3.4.1 参数的规则 (40) 3.4.2返回值的规则 (42) 3.4.3函数内部实现的规则 (47) 3.4.4其它建议 (50) 3.4.5使用断言 (50) 3.4.6 引用与指针的比较 (52) 3.5变量类型定义 (56)
四、软件测试规范 (56) 4.1单元测试 (57) 4.2 系统测试 (57) 4.6 业务测试 (59) 4.7 验收测试 (59) 4.8 用户现场测试 (59) 五、软件版本管理 (60) 4.1 版本管理的必要性 (60)
、概述 本文制定烟台开发区德联软件有限责任公司计算机软件开发规范文档。本规范的目的是使公司软件开发项目阶段清晰、要求明确、任务具体、编写的代码规范，使之规范化、系统化和工程化，向公司内从事软件开发的工程师和管理人员提出一系列规范和要求，从而有利于开发过程的控制和管理，提高所开发软件系统的质量，缩短开发时间，减少开发和维护费用，以保证项目高质量、顺利进行。 本规范包含：开发流程规范和开发代码规范等，开发流程规范需要技术开发人员编写相关内容，希望每个技术人员形成习惯，如有新的内容更新会及时通知大家，如有好的规范要求也可通知编制人员及时更新。 本规范为烟台开发区德联软件有限责任公司内部材料，严禁其他商业应用。
咬花MT版常用規格表 ( 每千分之一英寸, 拔模為1°-1.5°) Mold-Tech A Mold-Tech B Ptn.#Depth Angle Ptn.#Depth Angle MT-110000.00041°MT-112000.003 4.5°MT-110100.001 1.5°MT-112050.00254°MT-110200.0015 2.5°MT-112100.0035 5.5°MT-110300.0023°MT-112150.0045 6.5°MT-110400.003 4.5°MT-112200.0057.5°MT-110500.0045 6.5°MT-112250.0045 6.5°MT-110600.003 4.5°MT-112300.00254°MT-110700.003 4.5°MT-112350.0046°MT-110800.0023°MT-112400.0015 2.5°MT-110900.0035 5.5°MT-112450.0023°MT-111000.0069°MT-112500.00254°MT-111100.00254°MT-112550.0023°MT-111200.0023°MT-112600.0046°MT-111300.00254°MT-112650.0057°MT-111400.00254°MT-112700.0046°MT-111500.002754°MT-112750.00355°MT-111600.0046°MT-112800.00558° Mold-Tech C Mold-Tech D Ptn.#Depth Angle Ptn.#Depth Angle MT-113000.0025 3.5°MT-114000.0023°MT-113050.0057.5°MT-114050.00254°MT-113100.0057.5°MT-114100.0035 5.5°MT-113150.001 1.5°MT-114150.0023°MT-113200.00254°MT-114200.00254°MT-113250.003 4.5°MT-114250.0035 5.5°MT-113300.0023°MT-114300.00710°MT-113350.0023°MT-114350.01015°MT-113400.003 4.5°MT-114400.0005 1.5°MT-113450.003 4.5°MT-114450.0015 2.5°MT-113500.0035 5.5°MT-114500.00254°MT-113550.00254°MT-114550.003 4.5°MT-113600.0035 5.5°MT-114600.0035 5.5°
铸造生产的工艺流程 铸造生产是一个复杂的多工序组合的工艺过程，它包括以下主要工序： 1）生产工艺准备，根据要生产的零件图、生产批量和交货期限，制定生产工艺方案和工艺文件，绘制铸造工艺图； 2）生产准备，包括准备熔化用材料、造型制芯用材料和模样、芯盒、砂箱等工艺装备； 3）造型与制芯； 4）熔化与浇注； 5）落砂清理与铸件检验等主要工序。 成形原理 铸造生产是将金属加热熔化，使其具有流动性，然后浇入到具有一定形状的铸型型腔中，在重力或外力（压力、离心力、电磁力等）的作用下充满型腔，冷却并凝固成铸件（或零件）的一种金属成形方法。
图1 铸造成形过程 铸件一般作为毛坯经切削加工成为零件。但也有许多铸件无需切削加工就能满足零件的设计精度和表面粗糙度要求，直接作为零件使用。 型砂的性能及组成 1、型砂的性能 型砂（含芯砂）的主要性能要求有强度、透气性、耐火度、退让性、流动性、紧实率和溃散性等。 2、型砂的组成 型砂由原砂、粘接剂和附加物组成。铸造用原砂要求含泥量少、颗粒均匀、形状为圆形和多角形的海砂、河砂或山砂等。铸造用粘接剂有粘土（普通粘土和膨润土）、水玻璃砂、树脂、合脂油和植物油等，分别称为粘土砂，水玻璃砂、树脂砂、合脂油砂和植物油砂等。为了进一步提高型（芯）砂的某些性能，往往要在型（芯）砂中加入一些附加物，如煤份、锯末、纸浆等。型砂结构，如图2所示。
图2 型砂结构示意图 工艺特点 铸造是生产零件毛坯的主要方法之一，尤其对于有些脆性金属或合金材料（如各种铸铁件、有色合金铸件等）的零件毛坯，铸造几乎是唯一的加工方法。与其它加工方法相比，铸造工艺具有以下特点：1）铸件可以不受金属材料、尺寸大小和重量的限制。铸件材料可以是各种铸铁、铸钢、铝合金、铜合金、镁合金、钛合金、锌合金和各种特殊合金材料；铸件可以小至几克，大到数百吨；铸件壁厚可以从0．5毫米到1米左右；铸件长度可以从几毫米到十几米。 2）铸造可以生产各种形状复杂的毛坯，特别适用于生产具有复杂内腔的零件毛坯，如各种箱体、缸体、叶片、叶轮等。 3）铸件的形状和大小可以与零件很接近，既节约金属材料，又省切削加工工时。 4）铸件一般使用的原材料来源广、铸件成本低。 5）铸造工艺灵活，生产率高，既可以手工生产，也可以机械化生产。 铸件的手工造型 手工造型的主要方法 砂型铸造分为手工造型（制芯）和机器造型（制芯）。手工造型是指造型和制芯的主要工作均由手工
一个完整的软件开发流程一、开发流程图
二、过程产物及要求 本表主要列出开发阶段需要输出的过程产物，包括产物名称、成果描述、负责人及备注，即谁、在什么时间、应该提供什么内容、提供内容的基本方向和形式是什么。 三、过程说明 (一)项目启动 1、产品经理和项目干系人确定项目方向，产品型项目的干系人包括公司领导、产品总监、技术总监等，项目的话则包括客户方领导、主要执行人等。 2、公司领导确认项目组团队组成，包括产品经理、研发项目经理、研发工程师、测试团队等。
3、明确项目管理制度，每个阶段的成果产物需要进行相应的评审，评审有相应的《会议纪要》;从项目启动起，研发项目经理每周提供《项目研发周报》;测试阶段，测试工程师每周提供《项目测试周报》。 4、产品经理进行需求调研，输出《需求调研》文档。需求调研的方式主要有背景资料调查和访谈。 5、产品经理完成《业务梳理》。首先，明确每个项目的目标;其次，梳理项目涉及的角色;再来，每个角色要进行的事项;最后，再梳理整个系统分哪些端口，要有哪些业务模块，每个模块再包含哪些功能。 (二)需求阶段 1、进入可视化产物的输出阶段，产品经理提供最简单也最接近成品的《产品原型》，线框图形式即可。在这个过程中还可能产生的包括业务流程图和页面跳转流程图。业务流程图侧重在不同节点不同角色所进行的操作，页面跳转流程图主要指不同界面间的跳转关系。项目管理者联盟 2、产品经理面向整个团队，进行需求的讲解。 3、研发项目经理根据需求及项目要求，明确《项目里程碑》。根据项目里程表，完成《产品开发计划》，明确详细阶段的时间点，最后根据开发计划，进行《项目任务分解》，完成项目的分工。 4、研发工程师按照各自的分工，进入概要需求阶段。《概要需求》旨在让研发工程师初步理解业务，评估技术可行性。 (三)设计阶段 1、UI设计师根据产品的原型，输出《界面效果图》，并提供界面的标注，最后根据主要的界面，提供一套《UI设计规范》。UI设计规范主要是明确常用界面形式尺寸等，方便研发快速开发。UI设计常涵盖交互的内容。 2、研发工程师在界面效果图，输出《需求规格》，需求规格应包含最终要实现的内容的一切要素。 3、研发工程师完成《概要设计》、《通讯协议》及《表结构设计》，及完成正式编码前的一系列研发设计工作。 (四)开发阶段项目经理博客 1、研发工程师正式进入编码阶段，这个过程虽然大部分时间用来写代码，但是可能还需要进行技术预研、进行需求确认。 2、编码过程一般还需进行服务端和移动端的联调等。
硅片生产工艺流程及注意要点 简介 硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。 工艺过程综述 硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。 表1.1 硅片加工过程步骤 1.切片 2.激光标识 3.倒角 4.磨片 5.腐蚀 6.背损伤 7.边缘镜面抛光 8.预热清洗 9.抵抗稳定——退火 10.背封 11.粘片 12.抛光 13.检查前清洗 14.外观检查
15.金属清洗 16.擦片 17.激光检查 18.包装/货运 切片（class 500k） 硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码，因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的，用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的，因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深，从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且如果趋向明了，那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面，尽管正面通常会被用到。
模具咬花工艺 一、咬花的目的 增进塑料零件的外观质感。使产品呈现多变化或全新的设计。 二、咬花： 最浅的咬花深度是2umm，常被使用在压克力的表示窗，防止光线乱射及防止反射等加工处理。最深的咬花是3mm，仿大理石，常被用在浴室的磁砖。 所谓良好的咬花是: 1、与设计相调和。 2、付于价值感。 3、均等划一的加工。 4、不易损伤商品本身-G TYPE的喷砂，梨地，皮纹。 5、成形寿命长--1.皮纹 2.梨地 3.喷砂。 6、价廉,交货快--1.喷砂 2.梨地 3.皮纹。 7、维修简单-----1.喷砂 2.梨地 3.皮纹。 要做良好的咬花之前的检查事项 1、喷砂 (HN20-23,1000-1017,No.1-12 HN 3000-3013) 加工:一日-三日 特征:1.交货期短 2.维修简单 3.价格较便宜 4.可取得细致均匀图样 注意点:耐久性短：细砂5000--10000射次 中砂 20000--50000射次 粗砂50000--100000射次 * 树脂过硬及模具硬度低则寿命会短
2、梨地(HN24-31,418-422, 梨地No. 1-9, HN 2000-2060) 加工:一日-四日 特征:1、交货期短；2、可取得中程度且均匀的图样。3、比喷砂可多一倍的耐性，100000--200000射次。4、粗纹可隐藏睆接线和凹陷。 注意点:耐久性比皮纹低,复杂且深窄形状会形成花纹不均 维修 :与喷砂同
3、皮纹(HN423-441,608-631,4000-4055,NO.1--181 ) 加工: 四日---七日 特征: 1、具耐久性：100,000-500,000射次；2、不易破坏制品 注意点 : 1、加工时间长； 2、价格偏高. 维修 : 1、可以做部份修理,但100%的修理不可能。2、生锈,瓦斯烧灼,只须做表面处理既可. 4、线(No.1-12) , 柄(No.1-27) , 木纹(No.1-8) 加工 : 三日---五日 注意点 : 无法做三次元曲面的加工,连修理也不行. 维修 : 生锈,瓦斯烧灼,只须做表面处理既可. MOLD-TECH咬花制作参考数据
