第二章
一、选择题
1．下列表达式中不存在竞争冒险的有 C D 。
A.Y =B +A B
B.Y =A B +B C
C.Y =A B C +A B
D.Y =(A +B )A D
2．若在编码器中有50个编码对象，则要求输出二进制代码位数为B 位。 A.5 B.6 C.10 D.50
3.一个16选一的数据选择器，其地址输入（选择控制输入）端有 C 个。 A.1 B.2 C.4 D.16
4.下列各函数等式中无冒险现象的函数式有 D 。
A.B A AC C B F ++=
B.B A BC C A F ++=
C.B A B A BC C A F +++=
D.C A B A BC B A AC C B F +++++=
E.B A B A AC C B F +++= 5．函数C B AB C A F ++=，当变量的取值为 A C D 时，将出现冒险现象。 A.B =C =1 B.B =C =0 C.A =1，C =0 D.A =0，B =0
6．四选一数据选择器的数据输出Y 与数据输入X i 和地址码A i 之间的逻
辑表达式为Y = A 。
A.3X A A X A A X A A X A A 01201101001+++
B.001X A A
C.101X A A
D.3X A A 01
7.一个8选一数据选择器的数据输入端有 E 个。 A.1 B.2 C.3 D.4 E.8 8．在下列逻辑电路中，不是组合逻辑电路的有 D 。 A.译码器 B.编码器 C.全加器 D.寄存器 9．八路数据分配器，其地址输入端有 C 个。
A.1
B.2
C.3
D.4
E.8 10．组合逻辑电路消除竞争冒险的方法有 A B 。
A. 修改逻辑设计
B.在输出端接入滤波电容
C.后级加缓冲电路
D.屏蔽输入信号的尖峰干扰
11．101键盘的编码器输出 C 位二进制代码。 A.2 B.6 C.7 D.8
12．用三线-八线译码器74L S 138实现原码输出的8路数据分配器，应 A B C 。
A.A ST =1，B ST =D ，C ST =0
B. A ST =1，B ST =D ，C ST =D
C.A ST =1，B ST =0，C ST =D
D. A ST =D ，B ST =0，C ST =0
13．以下电路中，加以适当辅助门电路， A B 适于实现单输出组合逻辑电路。
A.二进制译码器
B.数据选择器
C.数值比较器
D.七段显示译码器
14．用四选一数据选择器实现函数Y =0101A A A A +，应使 A 。 A.D 0=D 2=0，D 1=D 3=1 B.D 0=D 2=1，D 1=D 3=0 C.D 0=D 1=0，D 2=D 3=1 D.D 0=D 1=1，D 2=D 3=0
15．用三线-八线译码器74L S 138和辅助门电路实现逻辑函数Y =122A A A +，应 B 。
A.用与非门，Y =765410Y Y Y Y Y Y
B.用与门，Y =32Y Y
C.用或门，Y =32Y Y +
D.用或门，Y =765410Y Y Y Y Y Y +++++
16.编码电路和译码电路中，（ B
）电路的输入是二进制代码
A.编码
B.译码
C.编码和译码 17.组合逻辑电路输出状态的改变（ A ）
A.仅与该时刻输入信号的状态有关
B.仅与时序电路的原状态有关
C.与A 、B 皆有关
18.16位输入的二进制编码器，其输出端有( C )位 A. 256 B. 128 C. 4 D. 3 19.对于四位二进制译码器，其相应的输出端共有( B )
A.4个
B. 16个
C. 8个
D. 10个
20.在下列逻辑电路中，不是组合逻辑电路的有(
D
)
A.译码器
B.编码器
C.全加器 D .寄存器
22.对于输出低电平有效的2—4线译码器来说要实现，Y=A B AB ''+的功能，应外加( D ) A.或门 B.与门 C.或非门 D.与非门 23.两片8-3线优先编码器(74148)可扩展成( A )线优先编码器。 A. 16-4 B. 10-5 C. 16-8 D. 10-8 24.两片3-8线译码器(74138)可扩展成( A )线译码器。 A. 4-16 B. 5-10 C. 8-16 D.8-10
25.3线-8线译码器74LS138处于译码状态时，当输入A 2A 1A 0=001时，输出
70~Y Y ''=( C )
A.11101111
B.10111111
C.11111101
D.11110011 26.对于三位二进制译码器，其相应的输出端共有( C
)
A.4个
B. 16个
C. 8个
D. 10个
27.3线-8线译码器74LS138处于译码状态时，当输入A 2A 1A 0=110时，输出
70~Y Y ''=( B )
A.11011111
B.10111111
C.11111101
D.11110011
28.具有3条地址输入线的选择器含（B ）条数据输入线。 A.4
B.8
C.12
D.16
29.八选一数据选择器74LS151的地址线为011时，输出Y=（ C ） A.0
B.1
C. 3D
D. 5D
30.1位半加器的输入和输出分别为（B ） A. ,,A B CI 和,S CO
B. ,A B 和S
C. ,A B 和,S CO
31.半加器的求和的逻辑关系是（D ）
A.与非
B.或非
C.与或非
D.异或
32.优先编码器74LS148输入为
—
，输出为 、
、
。当使能输入
，
,时，输出
应为（ A ）
A.001
B.010
C.110
D.011
33.在下列逻辑电路中，不是组合逻辑电路的有（ C ） A.译码器
B.数据选择器
C.计数器
D.数值比较器
34. 能起到多路开关作用的是（ C ）
A.编码器
B.译码器
C.数据选择器
D.数值比较器
35. 能实现对一系列高低电平编成对应的二值代码的器件是（A ） A.编码器 B.译码器 C.加法器 D.数据选择器
36. 能实现将输入的二进制代码转换成对应的高低电平输出信号的是（ B ） A.编码器 B.译码器 C.数据选择器 D.数值比较器
38. 用3-8译码器设计的组合逻辑函数变量最大数为（ B ）
A.2
B.3
C.4
D.5
39. 用8选1数据选择器可设计的组合逻辑函数变量最大数为（ C ）
A.2
B.3
C.4
D.5
40. 用4片74148可扩展成的编码器是（ D ）
A.8线-3线
B.16线-4线
C.24线-5线
D.32线-5线 41. 用4片74138可扩展成的译码器是（ D ）
A.3线-8线
B.4线-16线
C.5线-24线
D.5线-32线
42. 编码电路和译码电路中，（ A
）电路的输出是二进制代码。
A. 编码
B. 译码
C. 编码和译码
43. （ B ）是构成组合逻辑电路的基本单元。
A. 触发器
B. 门电路
C. 门电路和触发器
44. 下列说法错误的是（ C ）。
A. 74HC148的输入和输出均以低电平作为有效信号。
B. 74HC138的输出以低电平作为有效信号。
C. 7448的输出以低电平为有效信号。
45. 对于3位二进制译码器，其相应的输出端共有（ B ）个。
A. 3
B. 8
C. 6
D. 10
47. 两个1位二进制数A 和B 相比较，可以用（ A ）作为A > B 的输出信号Y （A>B ）。
A. B A '
B. B A '
C. B A ⊕
D. )('⊕B A
48. 两个1位二进制数A 和B 相比较，可以用（ B ）作为A < B 的输出信号Y （A
A. B A '
B. B A '
C. B A ⊕
D. )('⊕B A
49. 两个1位二进制数A 和B 相比较，可以用（ D ）作为A = B 的输出信号Y （A=B ）。
A. B A '
B. B A '
C. B A ⊕
D. )('⊕B A
50. 一个4选1数据选择器的地址端有（ D ）个。
A. 8
B. 1
C. 3
D. 2
51. 在8线－3线优先编码器74HC148中，扩展端EX Y '的低电平输出信号表示（ A ）。
A. “电路工作，但无编码输入”
B. “电路工作，而且有编码输入”
52．8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ，当优先级别最高的I 7有效时，其输出012Y Y Y ??的值是（C ）。
A ．111 B. 010 C. 000 D. 101
54．已知74LS138译码器的输入三个使能端（E 1=1， E 2A = E 2B =0）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出 Y 7 ～Y 0是( C ) 。
A. 11111101
B. 10111111
C. 11110111
D. 11111111 56、半加器和的输出端与输入端的逻辑关系是 （D ） A 、 与非 B 、或非 C 、 与或非 D 、异或
57、 TTL 集成电路 74LS138 是３ / ８线译码器，译码器为输出低电平有效，若输入为
A 2 A 1 A 0 =101 时，输出：
为（B ）。
A . 00100000 B. 11011111 C.11110111 D. 00000100 58、属于组合逻辑电路的部件是（A ）。
A 、编码器
B 、寄存器
C 、触发器
D 、计数器 59．以下错误的是（B ）
a ．数字比较器可以比较数字大小
b ．实现两个一位二进制数相加的电路叫全加器
c ．实现两个一位二进制数和来自低位的进位相加的电路叫全加器
d ．编码器可分为普通全加器和优先编码器
二、判断题（正确打√，错误的打×）
1.优先编码器的编码信号是相互排斥的，不允许多个编码信号同时有效。（× ）
2.编码与译码是互逆的过程。（√ ）
3.二进制译码器相当于是一个最小项发生器，便于实现组合逻辑电路。（√ ）
4.液晶显示器的优点是功耗极小、工作电压低。（√ ）
5.液晶显示器可以在完全黑暗的工作环境中使用。（× ）
6.半导体数码显示器的工作电流大，约10mA 左右，因此，需要考虑电流驱动能力问题。（√ ）
7.共阴接法发光二极管数码显示器需选用有效输出为高电平的七段显示译码器来驱动。（√）
8.数据选择器和数据分配器的功能正好相反，互为逆过程。（√ ）
9.用数据选择器可实现时序逻辑电路。（× ）
10.组合逻辑电路中产生竞争冒险的主要原因是输入信号受到尖峰干扰。（× ） 11．八路数据分配器的地址输入（选择控制）端有8个。（× ）
12．优先编码器只对同时输入的信号中的优先级别最高的一个信号编码. （× ） 13．译码器哪个输出信号有效取决于译码器的地址输入信号（√） 14．组合逻辑电路在任意时刻的输出不仅与该时刻的输入有关，，还与电路原来的状态有关。（×） 15．寄存器、编码器、译存器、加法器都是组合电路逻辑部件。（× ）
三、填空题
1．半导体数码显示器的内部接法有两种形式：共 阴 接法和共 阳 接法。 2．对于共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用 低 电平驱动的七段显示译码器。
3．消除竟争冒险的方法有修改逻辑设计 、 滤波电容 、 加入选通电路
4.优先编码器74L S 148输入为 —
，输出为
、
、
。当使
能输入
，
,时，输出 应为____001_________。
5、 4线－１０线译码器有 4个输入端， 10 个输出端， 6个
不用的状态。
6、 组合电路与时序电路的主要区别：
7、74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A 2A 1A 0=110时，输出
01234567Y Y Y Y Y Y Y Y 应为10111111 。
8、驱动共阳极七段数码管的译码器的输出电平为 低 有效。
四、设计与分析题
1、用四输入数据选择器实现函数（本题目只作为了解，不需掌握）
解：用代数法求。根据逻辑表达式，其有四个输入变量A 、B 、C 、D ，而四选一数据
选择器只需两位地址代码
和
，若选A 和B 作为选择器的地址输入，A =
、B =
,余下的项可选作数据输入用。
于是将表达式进行变换，变化成每项都含有A 和B 原变量和反变量组成的表达式。
由此可知：D 0=0 D 1=D D 2= D 3=1 根据得到的表达式可画出逻辑图
2、用八选一数据选择器T576实现函数F 。
解：由于八选一数据选择器的地址输入（通道选择）信号有：A2 A1 A0三个。 因此将ABC 三个变量做地址输入信号，而D 作为数据输入。因而实现函数F 的关键是根据函数式确定数据输入D0 ～D7
求数据输入D0～D7可以采用代数法也可采用卡诺图来求 本题采用卡诺图法来求：
1．首先分别画出函数和选择器的卡诺图如图5（a ）、（b ）。
图（b）为取A、B、C作地址选择画出的选择器卡诺图，当ABC由000～111变化，其相应的输出数据为D0～D7，因此反映在卡诺图上相应的方格分别填入D0～D7，其余的一个变量D可组成余函数。
对照图5（a）和（b）可确定D0～D7，其方法是：
图（b）中D i对应于图（a）中的方格内全为1，则此D i= 1；反之，若方格内全为0，则D i= 0。
图（b）中D i对应于图（a）中的方格内有0也有1，则D i应为1格对应的输入变量的积之和（此积之和式中只能含余下变量D）。
由此得Di为
D0=0 D1=1 D2=1 D3=0 D4=1 D5=1 D6=0 D7=1
其逻辑图如图6所示。
3、用四选一数据选择器及门电路实现一位二进制全减运算。
S i=
4、如图所示为由八选一数据选择器实现的函数F。（1）试写出F的表达式。
（2）用3-8译码器74LS138及与非门实现函数F。
解:(1)
(2) F(ABCD)=m(0,1,2,3,5,7,8,10)
5.写出右图所示电路输出信号Y的逻辑表达式，并说明其功能。（7分）
6.用8选1数据选择器74HC151产生逻辑函数Z＝A C′ D＋A′ B′ C D＋BC＋BC′ D′(7分)
(7分)
7.用译码器74LS138实现逻辑函数F(A,B,C)＝(1,2,3,5,6)
m
9.试设计一个监视交通信号灯工作状态，逻辑电路正常工作时，任何时刻必须有一盏灯亮，而其它点亮状态时，电路发生故障，这时要求能发出故障信号,要求采用四选一数据选择器74153来实现（信号灯为红R、黄A、绿G）(7分)
10.设输入变量A、B、C、D，输出为F。当A、B、C、D有三个或三个以上为1时，输出为1，输入为其它状态时，输出为0。试用与非门设计四变量的多数表决电路。(7分)
11.设8421BCD码对应的十进制数为X，当X ≤2,或≥7时电路输出F为高电平,否则为低电平。试设计该电路，并用与非门实现之。（1）列出真值表；（2）试写出输出信号的逻辑表达式；（3）画出逻辑电路图。（7分）
12.试用8选1数据选择器74LS151产生逻辑函数Y=AB+BC+AC，写出分析过程，画出逻辑电路图。（7分）
13.分析组合逻辑电路功能（图中门电路为与非门）。(7分)
（1）输出逻辑函数式；
（2）真值表；
（3）功能判断。
14. 设计一个判断输入的3位代码能否被3整除的电路，用译码器74138实现，可适当加门电路。(7分)
（1）逻辑抽象及真值表；
（2）逻辑函数式；
（3）形式变换。
（4）逻辑电路图。
15. 设计一个3人表决电路，A具有一票否决权，用2输入端四或非门7402实现。(7分)
（1）逻辑抽象及真值表；
（2）逻辑函数式；
（3）形式变换。
（4）逻辑电路图。
16. 设计一个判断输入的4位代码能否被3整除的电路，用译码器74151实现。(7分)
（1）逻辑抽象及真值表；
（2）逻辑函数式；
（3）形式变换。
（4）逻辑电路图。
17. 分析下图电路，写出输出Z 的逻辑函数式。74HC151为8选1数据选择器，输出的逻辑函
数式为+''+'+''+''+'''=)()()()()(0124012301220121012
0A A A D A A A D A A A D A A A D A A A D Y )()()(0127012601
25A A A D A A A D A A A D +'+'。
18. 试画出用3线－8线译码器74HC138和门电路产生如下多输出逻辑函数的逻辑图。
??
?
'+''==C
AB C B Y AC Y 21
19. 试用4选1数据选择器74HC153产生逻辑函数BC C A C B A Y +''+''=。
20. 试用8选1数据选择器74HC151产生逻辑函数C B A C B A AC Y ''+''+=。
21．试用3线—8线译码器74LS138和门电路实现下列函数。（8分）
Z （A 、B 、C ）=AB+A C
解：Z （A 、B 、C ）=AB +
A C =A
B (
C +C )+A C （B +B ）
=ABC +AB C +A BC +A B C = m1+ m3+ m6+ m7
=7 6 3 1 m m m m ???
22、用如图所示的8选1数据选择器74LS151实现下列函数。（8分） Y （A,B,C,D ）=Σm(1,5,6,7,9,11,12,13,14)
“1Z
解：
23．有一水箱，由大、小两台水泵M L和M S供水，如图所示。水箱中设置了3个水位检测元件A、B、C。水面低于检测元件时，检测元件给出高电平；水面高于检测元件时，检测元件给出低电平。现要求当水位超过C点时水泵停止工作；水位低于C点而高于B点时M S单独工作；水位低于B点而高于A点时M L单独工作；水位低于A点时M L和M S同时工作。试用74LS138
1． 解：（1）输入A 、B 、C 按题中设定，并设输出
M L ＝1时，开小水泵 M L ＝0时，关小水泵 M S ＝1时，开大水泵 M S ＝1时，关大水泵； （2）根据题意列出真值表：
（3）由真值表化简整理得到：
ABC C AB BC A C B A B M L +++==
76327632m m m m m m m m M L ???=+++=
C B A ABC C AB C B A C B A C B A M S ++++=+=
7654176541m m m m m m m m m m M S ????=++++=
（4）令A=A,B=B,C=C ，画出电路图：
（1）“0101” “1111” “1111” （2）“0110”时复位
24．分析如下74LS153数据选择器构成电路的输出逻辑函数式。（4分）
解：A AB B A F =+=
25．试用图示3线－8线译码器74LS138和必要的门电路产生如下多输出逻辑函数。要求：（1）写出表达式的转换过程（6分）；（2）在给定的逻辑符号图上完成最终电路图。（6分）
?
??
??+=++=+=C B A C B Y BC C B A C B A Y BC
AC Y 321 解：
F
A
B
Y
D 0 D 1 D 2 D 3
A 1 A 0 5
403743127531m m m Y m m m m Y m m m Y ??=???=??=
第七章半导体存储器 一、选择题 1．一个容量为1K ×8的存储器有个存储单元。 A.8 B.8K C.8000 D.8192 2．要构成容量为4K ×8的R AM ，需要片容量为256×4的R AM 。 A.2 B.4 C.8 D. 32 3．寻址容量为16K ×8的RAM 需要根地址线。 A.4 B. 8 C.14 D. 16 E.16K 4．若R AM 的地址码有8位，行、列地址译码器的输入端都为4个，则它们的 输出线（即字线加位线）共有条。 A.8 B.16 C.32 D.256 5．某存储器具有8根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为。 A.8×3 B.8K ×8 C. 256×8 D. 256×256 6. 采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有。 A.10行10列 B.5行5列 C.32行32列 D. 1024行1024列 7．随机存取存储器具有功能。 A. 读/写 B. 无读/写 C. 只读 D. 只写 8．欲将容量为128×1的R AM 扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译
码器的输出端数为。 A.1 B.2 C.3 D. 8 9．欲将容量为256×1的R AM 扩展为1024×8，则需要控制各片选端的辅助译 码器的输入端数为。 A.4 B.2 C.3 D. 8 10．只读存储器ROM 在运行时具有功能。 A. 读/无写 B. 无读/写 C. 读/写 D. 无读/无写 11．只读存储器R OM 中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容。 A. 全部改变 B. 全部为0 C. 不可预料 D. 保持不变 12．随机存取存储器RAM 中的内容，当电源断掉后又接通，存储器中的内容。 A. 全部改变 B. 全部为1 C. 不确定 D. 保持不变 13．一个容量为512×1的静态RAM 具有。 A. 地址线9根，数据线1根 B. 地址线1根，数据线9根 C. 地址线512根，数据线9根 D. 地址线9根，数据线512根 14．用若干R AM 实现位扩展时，其方法是将相应地并联在一起。 A. 地址线 B. 数据线 C. 片选信号线 D. 读/写线 15．PROM 的与陈列（地址译码器）是。 A. 全译码可编程阵列 B. 全译码不可编程阵列
1半导体二极管 自我检测题 一．选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。 2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N 型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。 （A ．温度，B ．掺杂工艺，C ．杂质浓度） 4. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于，D ．变宽，E ．变窄，F 不变 ） 5．二极管实际就是一个PN 结，PN 结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于 导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。 （A ．0.1～0.3V ，B ．0.6～0.8V ，C ．小于A μ1，D ．大于A μ1） 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电
压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T 1 小于 25℃。（大于、小于、等于） 图选择题7 8．PN 结的特性方程是)1(-=T V v S e I i 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳 压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。 二．判断题（正确的在括号画√，错误的画×） 1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ） 2．在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。 （ √ ） 3．P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ × ） 4．PN 结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。 （ √ ） 5．由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ × ） 6．PN 结方程既描写了PN 结的正向特性和反向特性，又描写了PN 结的反向击穿特 性 。 （ × ） 7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。
集成运算放大电路 输入级采用高性能的恒流源差动放大电路 要求输入阻抗高、差摸放大倍数大、共模抑制比高、差摸输入电压及共模输入电压范围大且静态电流小 作用减少零点漂移和抑制共模干扰信号 中间级采用共射放大电路 作用提供较高的电压增益 输入级要求其输出电压范围尽可能宽、输出电阻小以便有较强的带负载能力且非线性失真小 采用准互补输出级 偏置电路确定合适的静态工作点 采用准互补输出级 综合高差摸放大倍数、高共模抑制比、高输入阻抗、高输出电压、低输出阻抗的双端输入单端输出的差动放大器交直流反馈的判断电容隔直通交直流：短路交流：开路 串并联反馈的判断输入信号与反馈信号同时加在一个输入端上的是并联，反之 电压电流反馈的判断反馈电路直接从输出端引出的是电压反馈从负载电阻RL的靠近 “地”端引出的是电流反馈 直流脉宽调制PWM变换器 将固定电压的直流电源变换成大小可调的直流电源的DC-DC变换器又称直流斩波器。 它能从固定输入的直流电压产生出经过斩波的负载电。负载电压受斩波器工作率的控制。变 更工作率的方法与脉冲宽度调制（斩波频率f=1/T不变，改变导通时间t on）和频率调制（导 通时间t on或关断时间t off不变，改变斩波周期T即斩波频率f=1/T）两种。 斩波器的基本回落方式有升压（斩波器所产生的输出电压高于输入电压）和降压两种，改变回落元件的连接就可改换回路的方式。 用晶闸管作为开关的斩波器，由于晶闸管无自关断能力，它在直流回路里工作是，必须有一套使其关断的（强迫）换相（流）电路。晶闸管的换流方式有：电源换流、负载换流和 强迫换流。 负载换流缺点主要是电骡的揩振频率与L和C的大小有关，随着负载与频率的变化，换流的裕量也随之改变。 为了可靠换流，换流脉冲的幅值应足以消去晶闸管中的电流，脉冲的宽度应保证大于晶闸管的关断时间。 晶闸管斩波器的缺点是需要庞大的强迫换流电脑，是设备体积增大和损耗增加；而且斩波开关频率也低，致使斩波器电流的脉动幅度大，电源揩波也大，往往需加滤波器。 直流PWM变换器分不可逆、可逆输出两大类。前者输出只有一种极性的电压，而后者可输出正或负极性电压。如果在一个斩波周期中输出电压正、负相间的称为双极式可逆PWM 变换器；如果在一个斩波周期中输出电压只有一种极性电压的称为单极式可逆PWM变换 器。 双极式可逆PWM变换器的输出电压Uab在一个周期正、负相间。单机式可逆PWM变换器只在一个阶段中输出某一极限的脉冲电压+Uab或—Uab，在另一阶段中Uab=0. 无制动作用的不可逆输出PWM变换器电流始终是一个方向，因此不能产生制动作用，电动机只能作单象限运行，又称为受限式脉宽调制电路。 受限单极式可逆PWM变换器与单极式可逆PWM变换器的不同是避免了上下两个开关直通的可能性。 双极式脉宽调制器由三角波振荡器、电压比较器构成，单极式脉宽调制器由两只运算放
模电复习资料 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体--在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 可编程逻辑器件数字电子技术第章存储器与可编程逻辑器件习题及答 案 第8章 存储器与可编程逻辑器件 8.1存储器概述 自测练习 1．存储器中可以保存的最小数据单位是（）。 2．（a）位（b）字节（c）字 3．指出下列存储器各有多少个基本存储单元？多少存储单元？多少字？字长多少？ （a）2K×8位（）（）（）（） （b）256×2位（）（）（）（） （c）1M×4位（）（）（）（） 3．ROM是（）存储器。 （a）非易失性（b）易失性 （c）读/写（d）以字节组织的 4．数据通过（）存储在存储器中。 （a）读操作（b）启动操作 （c）写操作（d）寻址操作 5．RAM给定地址中存储的数据在（）情况下会丢失。 （a）电源关闭（b）数据从该地址读出 2 （c）在该地址写入数据（d）答案（a）和（c） 6．具有256个地址的存储器有（）地址线。 （a）２５６条（b）６条（c）8条（d）16条 7．可以存储２５６字节数据的存储容量是（）。 （a）２５６×１位（b）２５６×８位 （c）１Ｋ×４位（d）２Ｋ×１位 答案： 1．a 2．（a）2048×8；2048；2048；8 （b）512；256；256；2 （c）1024×1024×4；1024×1024；1024×1024；4 3．a 4．c 5．d 6．c 7．b 8.2随机存取存储器（RAM） 自测练习 1.动态存储器（DRAM）存储单元是利用（）存储信息的，静态存储器（SRAM）存 储单元是利用（）存储信息的。 2.为了不丢失信息，DRAM必须定期进行（）操作。 3.半导体存储器按读、写功能可分成（）和（）两大类。 4.RAM电路通常由（）、（）和（）三部分组成。 5.6116RAM有（）根地址线，（）根数据线，其存储容量为（）位。 答案： 1．栅极电容，触发器 2．刷新 3．只读存储器，读/写存储器 4．地址译码，存储矩阵，读/写控制电路 5．11，8，2K×8位 8.3只读存储器（ROM） 自测练习 1．ROM可分为（）、（）、（）和（）几种类型。 2．ROM只读存储器的电路结构中包含（）、（）和（）共三个组成部分。 3．若将存储器的地址输入作为（），将数据输出作为（），则存储器可实现组合逻辑电路的功能。 4．掩膜ROM可实现的逻辑函数表达式形式是（）。 5．28256型EEPROM有（）根地址线，（）根数据线，其存储容量为（）位，是以字节数据存储信息的。 6．EPROM是利用（）擦除数据的，EEPROM是利用（）擦除数据的。 4 数电模电第二章 知识点一 分压式共发射极放大电路（很重要）（课本P42） 分压式共发射极放大电路可以稳定静态工作点。 分压式共发射极放大电路分析 B 点的电流方程为： B 点的电位： ≈ (1) 静态分析：由于I 1>>I B ， B U b2C C b1b2 R V R R +C C E E E E e BE B E B C ()T I I U U I R U U U I I ↑→↑→↑→↑=→=-↓→↓→↓b2B CC b1b2R U V R R =+C B I I β=() CE CC C c e U V I R R =-+12B I I I =+ (2) 动态分析 ① 电压放大倍数 ②输入电阻R i ③ 输出电阻R o 知识点二 共集电极放大电路 1、静态分析：求静态工作点 o c L b L u i R i R β''=-=-L c L //R R R '=i b be e e b be e [(1)]u i r i R i r R β=+=++o L u i be e (1)u R A u r R ββ'==-++b be e i i be e b b [(1)](1)i r R u R r R i i ββ++'===++i b1b2i i i b1b2i i i b1b2be e (////)////////[(1)]i R R R u R R R R i i R R r R β''====+ + 2、动态分析 (1) 电压放大倍数A u (2) 输入电阻R i (3) 输出电阻R o ：将信号源短路，负载开路，在输出端加入测试电压u ，产生电流i ，如图 通常 知识点三 多级放大电路（有可能考） . 多级放大电路的电压放大倍数为各级放大电路电压放大倍数之积 题型：详见书P58例2-7 知识点四 差分放大电路 1.功能：差分放大电路抑制了温度引起的零点漂移 2.差模输入信号：在差分放大电路两输入端分别加上一对大小相等，极性相反的信号，u i1=u id1，u i2=u id2=-u id1 共模输入信号不要求 知识点四 功率放大电路（无大题） 1. 对功率放大电路的要求：输出功率大、非线性失真小、效率高 2. 分类： 静态工作点Q 设置在交流负载线的中间，在整个信号周期内，三极管都有电流流过，称为甲类功率放大电路。 把静态工作点Q 设置得低一点，管耗就小，效率就可提高。称为甲乙类功率放大电路 。 be s o e //1r R u R R i β'+==+s s b //R R R ' =be s e 1r R R β'+>>+be s o 1r R R β '+≈+ 1、现有EPROM芯片2732（4KX8位），以及3-8译码器74LS138，各种门电路若干，要求在8088CPU上扩展容量为16KX8 EPROM内存，要求采用部分译码， 不使用高位地址线A 19、A 18 、A 15 ，选取其中连续、好用又不冲突的一组地址，要 求首地址为20000H。请回答： 1）2732的芯片地址线、数据线位数是多少？（2分）2）组成16KX8需要2732芯片多少片？（1分） 3）写出各芯片的地址范围。（4分） 1）地址线12根，数据线8根； 2）4片； 3）1# 20000H~20FFFH 2# 21000H~21FFFH 3# 22000H~22FFFH 4# 23000H~23FFFH 2、有一个2732EPROM（4KX8）芯片的译码电路如下图所示,试求: ①计算2732芯片的存储容量； ②给出2732芯片的地址范围； ③是否存在地址重叠区? ① 4KB ②08000H---09FFFH ③存在重叠区08000H---08FFFH 09000H---09FFFH 3、某CPU有地址线16根（A0~A15）,数据线8根（D0~D7）及控制信号RD、WR、MERQ(存储器选通)、IORQ(接口选通)。如图所示，利用RAM芯片2114（1KX4）扩展成2KX8的内存，请写出芯片组1和芯片组2的地址范围。 1 G MERQ 11A 12A 13 A 14A 15A & A G 2 B G 21 Y C 13874LS B 0 Y 1#2114 CS 2#2114 CS 3#2114 CS 4#2114 CS 第1组 第2组 WR RD 47~D D 0 9~A A 03~D D A 10 A 答：第1组：C000H~C3FFH 第2组：C400H~C7FFH 第一章习题与答案 1.什么是PN结的偏置？PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点？ 答：二极管（PN结）阳极接电源正极，阴极接电源负极，这种情况称二极管正向偏置，简称正偏，此时二极管处于导通状态，流过二极管电流称作正向电流。二极管阳极接电源负极，阴极接正极，二极管处于反向偏置，简称反偏，此时二极管处于截止状态，流过二极管电流称为反向饱和电流。把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。 2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少？ 答：锗管死区电压约为0.1V，硅管死区电压约为0.5V。硅二极管的正向压降约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3V。硅管的反向电流比锗管小，硅管约为1uA，锗管可达几百uA。 3.为什么二极管可以当作一个开关来使用？ 答：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。 4.普通二极管与稳压管有何异同？普通二极管有稳压性能吗？ 答：普通二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。 稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后，其两端的电压基本保持不变。而普通二极管反向击穿后就损坏了。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 因此，普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。 5.选用二极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？ 答： 正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。 反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。 结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。 6.三极管具有放大作用的内部条件和外部条件各是什么？ 答：内部条件：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 7.三极管有哪些工作状态？各有什么特点？ 答：三极管输出特性曲线可以分为三个区，即三极管有三种工作状态。 （1）放大区（放大状态）。即三极管静态时工作在放大区（处于放大状态），发射结必 第一章数制与码制 一、单项选择题： 1. 十进制数32转换为二进制数为（C）A、1000 B、10000 C、100000 D、1000000 2. 二进制数转换为十六进制数为（D ）A、FE1H B、FC2H C、7D1H D、7E1H 3. 十进制数36转换为8421BCD码为（C）A、00100100 B、00110100 C、00110110 D、 4. 一位十六进制数可以用（C ）位二进制数来表示。A、１B、２C、４D、16 5. 十进制数25用8421BCD码表示为（B ）。A、10 101 B、0010 0101 C、100101 D、10101 6．十进制数35转换为8421BCD码为（B ）A、00100100 B、00110101 C、00100011 D、00110110 7．三位二进制数码可以表示的状态是（ D ）。A、2 B、4 C、6 D、8 8．十进制数25转换为二进制数为（ D ）。A、110001 B、10111 C、10011 D、11001 9．BCD代码为（）表示的数为(594)10，则该BCD代码为（）。 A、8421BCD码 B、余3 BCD码 C、5421BCD码 D、2421BCD码（C） 10．与二进制数00100011相应的十进制数是( B )。A、35 B、19 C、23 D、67 11. 是8421BCD码的是（ B ）。A、1010B、0101 C、1100 D、1101 12. 二进制数1101转换为十进制数为（D ）A、10 B、11 C、12D、13 13. 比较数的大小，最大数为（ C ）A、(1 B、(51)10C、(34)16 =(52) 10 D、(43)8 14．把二进制数转换成十进制数为（A ）A、150 B、96 C、82 D、159 15. 将十六进制数4FB转换为二进制数等于( C ) A、0B B、0B C、0 D、 16. 将数转换为十六进制数为（ A ）A、 B 、C、 D 2 17. 将十进制数130转换为对应的八进制数：( ) A、202 B、82 C、120 D、230 18. 二进制整数最低位的权是（c ）A、0 B、2 C、02D、4 19. n位二进制整数，最高位的权是（）A、n2B、1n2-C、1n2+D、2n2+ 20. 下列四个数中最大的数是( ) A、(AF)16 B、(0010)8421BCD C、()2 D、(198)10 21. 将代码()8421BCD转换成二进制数为（b） A、(01000011)2 B、(01010011)2 C、()2 D、(0001)2 22. 十进制数4用8421BCD码表示为：（）A、100 B、0100 C、0011 D、11 23. 下列不同进位制中最大的是（） A、（76）8 B、（1100101）2 C、（76）10 D、（76）16 24. 用8421码表示的十进制数45，可以写成（） A、45 B、[101101]BCD C、[01000101]BCD D、[101101]2 25. 下列属于8421BCD码的是（）A、1011B、1111C、0111D、1100 26. 下列不属于8421BCD码的是（）A、0101B、1000C、0111D、1100 27. 下列四个数中最大的数是( ) 第一章数字电路基础 第一部分基础知识 一、选择题 1．以下代码中为无权码的为。 A. 8421BCD码 B. 5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 2．以下代码中为恒权码的为。 A.8421BCD码 B. 5421BCD码 C.余三码 D.格雷码 3．一位十六进制数可以用位二进制数来表示。 A.１ B.２ C.４ D. 16 4．十进制数25用8421BCD码表示为。 A.10 101 B.0010 0101 C.100101 D.10101 5．在一个8位的存储单元中，能够存储的最大无符号整数是。 A.（256）10 B.（127）10 C.（FF）16 D.（255）10 6．与十进制数（53.5）10等值的数或代码为。 A.(0101 0011.0101)8421BCD B.(35.8)16 C.(110101.1)2 D.(65.4)8 7．矩形脉冲信号的参数有。 A.周期 B.占空比 C.脉宽 D.扫描期 8．与八进制数(47.3)8等值的数为： A. (100111.011)2 B.(27.6)16 C.(27.3 )16 D. (100111.11)2 9.常用的B C D码有。 A.奇偶校验码 B.格雷码 C.8421码 D.余三码 10．与模拟电路相比，数字电路主要的优点有。 A.容易设计 B.通用性强 C.保密性好 D.抗干扰能力强 二、判断题（正确打√，错误的打×） 1. 方波的占空比为0.5。（） 2. 8421码1001比0001大。（） 3. 数字电路中用“1”和“0”分别表示两种状态,二者无大小之分。（） 4．格雷码具有任何相邻码只有一位码元不同的特性。（） 5．八进制数（18）8比十进制数（18）10小。（） 6．当传送十进制数5时，在8421奇校验码的校验位上值应为1。（） 第1章常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压 U D=0.7V。 图T1.3 解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。 四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。 五、电路如图T1.5所示，V CC=15V，=100，U BE=0.7V。 试问： (1)R b=50k时，U o=? (2)若T临界饱和，则R b=? 解：(1)26 BB BE B b V U I A R μ - ==， 2.6 C B I I mA β ==, 2 O CC C c U V I R V =-=。图T1.5 (2)∵ 2.86 CC BE CS c V U I mA R - ==，/28.6 BS CS I I A βμ == ∴45.5 BB BE b BS V U R k I - ==Ω 习题 1.2电路如图P1.2所示，已知10sin i u tω =(V)，试画出i u与o u的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解： i u与o u的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压 U D =0.7V 。试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图 P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。 第2章 基本放大电路 2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，' 100bb r =Ω。分别计算 L R =∞ 和3L R k =Ω时的 Q 点、u A 、i R 和o R 。 图P2.6 图P2.7 第一章 二进制到十六进制、十进制 (1)()2=(97)16=(151)10 (2)(1101101)2=(6D)16=(109)10 (3)2=16=(0.)10 (4)2=16=10 十进制到二进制、十六进制 (1)(17)10=(10001)2=(11)16 (2)(127)10=(1111111)2=(7F)16 16 21016210)3.19()1010 1(11001.101(25.7)(4))A D7030.6()0101 0000 0111 1101 0110 (0.0110(0.39)(3) B 用公式化简逻辑函数 (1)Y=A+B (3)Y=1 ） ＝＋（解：1A A 1)2( C B A C C B A C B Y C B A C B A Y AD C C B AD C B C B AD D C A AB D CD B A Y )()(Y )4(解： (5)Y=0 (7)Y=A+CD E ABCD E C ABCD CE AD B BC CE AD B BC Y CE AD B BC B A D C AC Y )()()() ()()6(解： C B A C B C B A A C B A C B A C B A C B C B A A C B A C B A C B A Y C B A C B A C B A Y )() )(())()(() )()((8解：）（ D A D A C B Y )9( E BD E D B F E A AD AC Y )10( (a) C B C B A Y (b) C B A ABC Y (c) ACD D C A D C A B A Y D AC B A Y 21, (d) C B A ABC C B A C B A Y BC AC AB Y 21, 1.10 求下列函数的反函数并化简为最简与或式 (1)C B C A Y (2)D C A Y C B C B AC C B AC B A BC AC C A B A BC AC C A B A Y BC AC C A B A Y ))((]))([())(())(()3(解： (4)C B A Y D C AB D C B D C A D C B D A C A C D C B C A D A Y C D C B C A D A Y )() )(())()(()5(解： (6)0 Y 1.11 将函数化简为最小项之和的形式 C B A C B A ABC BC A C B A C B A C B A ABC BC A C B A A C B B A BC A C B AC BC A Y C B AC BC A Y )()()1(解： D C B A CD B A D C B A ABCD BCD A D C B A Y ）（2 自我检测题 1．在存储器结构中，什么是“字”什么是“字长”，如何表示存储器的容量 解：采用同一个地址存放的一组二进制数，称为字。字的位数称为字长。习惯上用总的位数来表示存储器的容量，一个具有n字、每字m位的存储器，其容量一般可表示为n ×m位。 2．试述RAM和ROM的区别。 解：RAM称为随机存储器，在工作中既允许随时从指定单元内读出信息，也可以随时将信息写入指定单元，最大的优点是读写方便。但是掉电后数据丢失。 ROM在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速、随时地修改或重新写入数据，内部信息通常在制造过程或使用前写入， 3．试述SRAM和DRAM的区别。 解：SRAM通常采用锁存器构成存储单元，利用锁存器的双稳态结构，数据一旦被写入就能够稳定地保持下去。动态存储器则是以电容为存储单元，利用对电容器的充放电来存储信息，例如电容器含有电荷表示状态1，无电荷表示状态0。根据DRAM的机理，电容内部的电荷需要维持在一定的水平才能保证内部信息的正确性。因此，DRAM在使用时需要定时地进行信息刷新，不允许由于电容漏电导致数据信息逐渐减弱或消失。 4．与SRAM相比，闪烁存储器有何主要优点 解：容量大，掉电后数据不会丢失。 5．用ROM实现两个4位二进制数相乘，试问：该ROM需要有多少根地址线多少根数据线其存储容量为多少 解：8根地址线，8根数据线。其容量为256×8。 6．简答以下问题： （1）CPLD和FPGA有什么不同 FPGA可以达到比 CPLD更高的集成度，同时也具有更复杂的布线结构和逻辑实现。FPGA 更适合于触发器丰富的结构，而 CPLD更适合于触发器有限而积项丰富的结构。 在编程上 FPGA比 CPLD具有更大的灵活性；CPLD功耗要比 FPGA大；且集成度越高越明显；CPLD比 FPGA有较高的速度和较大的时间可预测性，产品可以给出引脚到引脚的最大延迟时间。CPLD的编程工艺采用 E2 CPLD的编程工艺，无需外部存储器芯片，使用简单，保密性好。而基于 SRAM编程的FPGA,其编程信息需存放在外部存储器上，需外部存储器芯片 ,且使用方法复杂，保密性差。 （2）写出三家CPLD/FPGA生产商名字。 Altera，lattice，xilinx，actel 7．真值表如表所示，如从存储器的角度去理解，AB应看为地址，F0F1F2F3应看为数据。 表 第一章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 （1）在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。（√） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（√） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （×）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S大的特点。（√） （6）若耗尽型N沟道MOS管的U G S大于零，则其输入电阻会明显变小。（×） 解： 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （4）U G S＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解：（1）A （2）C （3）B （4）A C 第一章题解－1 第一章题解－2 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。 图T1.3 解：U O 1≈1.3V ，U O 2＝0，U O 3≈－1.3V ，U O 4≈2V ，U O 5≈1.3V ， U O 6≈－2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Z mi n ＝5mA 。求图T1.4所示电路中U O 1和U O 2各为多少伏。 图T1.4 解：(a)图能击穿稳压，U O 1＝6V ；(b)图不能击穿，靠电阻分压，U O 2＝5V 。 第1章 常用半导体器件 自测题 三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。 图T1.3 解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。 四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。 (a) (b) 图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。 右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。 五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。 试问： (1)R b =50k Ω时，U o=? (2)若T 临界饱和，则R b =? 解：(1)26BB BE B b V U I A R μ-= =， 2.6C B I I mA β==, 2O CC C c U V I R V =-=。 图T1.5 (2)∵ 2.86 CC BE CS c V U I mA R - ==，/28.6 BS CS I I A βμ == ∴45.5 BB BE b BS V U R k I - ==Ω 习题 1.2电路如图P1.2 所示，已知 10sin i u tω =(V)，试画出 i u与 o u的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解： i u与 o u的波形如解图Pl.2所示。 1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ω sin 5 =(V)，二极管导通电压U D=0.7V。试画出 i u 与 o u的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。 1 EEPROM是指（D ）。 A 读写存储器 B 只读存储器 C 闪速存储器 D 电擦除可编程只读存储器 2 常用的虚拟存储系统由（ B ）两级存储器组成，其中辅存是大容量的磁表面存储器。 A cache-主存 B 主存-辅存 C cache-辅存 D 通用寄存器 -cache 3 某计算机字长32位，其存储容量为256MB，若按单字编址，它的寻址范围是（ D ）。 A 64M B B 32MB C 32M D 64M 4 主存贮器和CPU之间增加cache的目的是（ A ）。 A 解决CPU和主存之间的速度匹配问题 B 扩大主存贮器容量 C 扩大CPU中通用寄存器的数量 D 既扩大主存贮器容量，又扩大CPU中通用寄存器的数量 5 某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线的数目是（ D ）。512 * 1024 B A 8，512 B 512，8 C 18，8 D 19，8 6 交叉存储器实质上是一种多模块存储器，它用（ A ）方式执行多个独立的读写操作。 A 流水 B 资源重复 C 顺序 D 资源共享 7某微型计算机系统，其操作系统保存在硬磁盘上，其内存储器应该采用（C ） A RAM B ROM C RAM和ROM D CCD 8 某SRAM芯片，其容量为1M×8位，除电源和接地端外，控制端有E和R/W#，该芯片的管脚引出线数目是（ D ）。 A 20 B 28 C 30 D 32 9 双端口存储器所以能进行高速读/写操作，是因为采用（ D ）。 A 高速芯片 B 新型器件 C 流水技术 D 两套相互独立的读写电路 10 存储单元是指（B ）。 A 存放1个二进制信息位的存储元 B 存放1个机器字的所有存储元集合 C 存放1个字节的所有存储元集合 D 存放2个字节的所有存储元集合 第一章 电路的基本概念和基本定律 1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？ 解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。 P 1=-P 2P 3=U P 4=-元件2、4 1.2 3t C e (u -=i =-R u =L u = 1.3 在题1.3图中，已知I=2A ，求U ab 和P ab 。 解：U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V ， 电流I 与U ab 为关联参考方向，因此 P ab =U ab I=6×2=12W 1.4 在题1.4图中，已知 I S =2A ，U S =4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。 +U 4 -b a 题1.3图 解：I=I S =2A ， U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ， U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ， U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ， 验算：P U +P I +P R =8-12+4=0 U U 1.7 求题1.7图中的I x 和U x 。 a b 10Ω题1.4图 +6V - (a) 3Ω (b) 题1.7图 2 解：（a ）以c 为电位参考点，则V a =2×50=100V I 3×100=V a =100，I 3=1A ， I 2=I 3+2=3A ， U X =50I 2=150V V b =U X +V a =150+100=250V I 1×25=V b =250, I 1=10A ， I X =I 1+I 2=10+3=13A （ 6×由 1.8 20 1a V I =，5502 +=a V I ， 10503-=a V I 由KCL 得： I 1+I 2+I 3=0 即 010 50 55020=-+++a a a V V V 解得 V V a 7 100 -= 1.9 在题1.9图中，设t S m S e I i t U u α-==0,ωsin ,求u L 、i C 、i 和u 。 霍邱县陈埠职高2014至2015学年度一学期 期中考试试卷 考试科目考试班级 姓名分数 一．填空题(每空1分,共30分) 1.在十进制数中,低位和相邻高位之间的关系是逢进一,在二进制数中,低位和相邻高位之间的关系是逢进一。 2.十进制转换为二进制,整数部分可采用 ,小数部分可采用。 3.逻辑代数的基本运算有: 、、。 4.与运算的运算规则：“全出，有出”。 5.或运算的运算规则：“全出，有出”。 6.非逻辑运算的运算规则：A= 时，Y=1，A= 时,Y=0. 7.反演律：B A?= 。 A+= ,B 8.吸收律：A+A·B= ,A+A B= 。 9.逻辑函数的表示方法有、、、。 10.十进制数如用8421BCD码表示，其中位权值依次为：、、、。 11.逻辑变量的取值有种。 二.选择题(每题2分,共20分) 1. 十进制数963转换成8421BCD码为( )。 A．101111000011 B．100101100011 C．101110010111 D．110111001000 2. 8421BCD码010*********转换成十进制数为( )。 A．1365 B．697 C．555 D．433 3. 8421BCD码001101111000转换成十进制数为( )。 A．888 B．526 C．196 D．378 4. 8421BCD码0010 0101 0100转换成十进制数为( )。 A．254 B．252 C．1124 D．1250 5.欲表示十进制数的十个数码，需要二进制数码的位数是( )位。 A．2 B．3 C．4 D．10 6.下列属于异或门的运算规则的是：（） A. 1出0,0出1 B.有0出1，全1出0 C. 相异出1，相同处0 D.相异出01，相同处1 7.下列属于同或门的符号的是（） 8.下列互为反运算的是（） A.与非、或非 B.同或、异或 B.C.非门、非门 D.异或门、或非门 9. 下列基本公式正确的是（） A.A+0=0 B.A·0=1 C.A+1=1 D.A·1=1 10. 右图电路图说明的逻辑关系是（） A.与 B.或 C.非 D.与非 三.判断题(每题2分,共10分) 1. 逻辑变量的取值中1比0大。（） 2. 用逻辑符号表示的电路时逻辑电路。（） 3. 设逻辑表达式A+B=B+C,则A=C。( ) 4. 由3个开关并联起来控制一只电灯时，电灯的亮与不亮同3个开 关的闭合或断开之间的对应关系属于“与”的逻辑关系。 （） 5. 逻辑运算中，等式的两边也可以移项或约去公共项。（）可编程逻辑器件数字电子技术第章存储器与可编程逻辑器件习题及答案
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