模拟电子技术基础试卷及参考答案
试卷四（本科）及其参考答案
试卷四
一、分析计算并简要回答问题（8分）
1．已知某放大电路的幅频特性如图1-1所示，试写出其电压放大倍数A v的表达式。（6分）
图1-1
2．共射放大电路如图1-2 a所示。（20分）
（1）试确定电路的静态工作点（写出I BQ、I CQ和V CEQ的表达式）；
（2）画出该放大器的小信号等效电路；
（3）画出该放大器的输入电阻、输出电阻、电压增益A v及源电压增益A vs的表达式（设电容的容抗可忽略不计）；
（4）用直流电压表测量时，若出现V CEQ≈0V或V CEQ≈24V，说明三极管工作在什么状态？
（5）用示波器观察O v端波形时，若出现图1-2 b所示情况，为何种失真？应如何消除？
（6）若想改善放大器的低频特性，可以采用什么方法？
（a）（b）
图1-2
二、（12分）
一放大电路如图2所示。各三极管的β=49，V BE=0.7，r ce=200kΩ。
1．简要说明各三极管的作用；
2．计算电路的电压增益（电容的容抗可忽略不计）；
3．计算放大器的输入电阻和输出电阻。
图2
三、（10分）
在图3所示电路中，电表M的满偏电流为100μA，表头内阻R M = 2 kΩ，三极管T1、T2的参数相同，β=50，r be=1.8kΩ，电位器R W的滑动端位于中点。试求使电流表满偏时所需的输入电压S v。
图3
四、（10分）
集成运放作前置级的OCL功放电路如图4所示。已知V CC = -V EE =15V，T1和T2管的V CES =1V，R L = 8Ω。集成运入最大不失真输出电压幅值为±13V。
1．计算电路的最大不失真输出功率及效率；
2．为提高电路的输入电阻、降低输出电阻，并使放大性能稳定，问应引入何种类型的负反馈？请在图中画出。
3．求反馈放大器的Aυ?表达式。
图4
五、（9分）
电路如图5所示，设A1、A2为理想运放。
1．指出电路中存在哪些反馈，并判断反馈类型？2．求v o的表达式。
图5
六、（10分）
电路如图6所示，设A1、A2为理想运放。
1．指出运放A1所具有的反馈类型。
2．求出A V=v o/v i的表达式。
3．画出v i为正弦波时，v o的波形。
图6
七、（10分）
电路如图7所示，A1、A2为理想运放。
1．为使电路满足起振的幅值条件，R f应如何选择？
2．为使电路产生100Hz的正弦波振荡，R应该选多大？
3．现有一个具有正温度系数的热敏电阻R f，为了稳幅，可将它替换哪个电阻（假设它与被替换电阻的阻值相同）？
4．若V O1的峰值等于5V，试对应画出V O1和V O2的波形图，并标明它们的幅值。
图7
八、（11分）
电路及参数如图8所示，试回答下列问题：
1．该电路是一个电路，电容C1的作用是。
2．T1管的作用是，运算放大器A的作用是。
3．稳压管D z的作用是。
4．在图中标出运放的同相、反相输入端以保证电路正常工作。
5．设变压器副边电压的有效值V2=15V，电位器R P在中间位置，试计算A、B、C、D 各点的电压和V CE1的值。
6．计算输出电压的调节范围。
图8
试卷四参考答案
一、1．
kHz fHz kHz
f H 100101== 1000050==dB A vm
)/f j )(1/f j (110000
v H2f
f A ++=
H1
2、（1）EE e2e1BQ BE b BQ 1V )R R (I )(V R I =+?+++β
)R R )((R V V I e b e21BE
EE BQ 1+++-=
β
BQ CQ I I β=
)R R R (I )V V (V e2e1C C EE CC CEQ ++-+= （2）
+ –
υo
（3） ])1(//[e1be b i R r R R β++= C O R R =
e1be 1R )(r R //R A L
C ββυ++-
=
S i i
S R R R A A +?
=υυ
（4） 截止饱和V V V 240
CE CE ≈= （5）阻值增加饱和失真
e2R
（6）的容量，增大改善低频321C C C ，f L ↓→→ 二、
1． T 1组成第一级共射电路 T 2组成第二级共集电路
T 3组成恒流源，作T 2的射极电阻
2． A υ=1A υ2A υ?
ΩβΩβAk .IE )
(r r mA .R V V I I I V
....V R R V k .I )
(r mA
.R R V V I I V
.V ..V R R R V C 09126
12004611628
12812
81R 078126
1200481982123
3103
32
be2be38
BE
B3E3C3C2CC 767B3E1
be15
4BE
B1E11CC 212B1=++===-=
≈≈=+?=?+=
=++==+-=≈=?+=?+=
49
9801500911
5011109
50043
050078151333491511be2L V2
4be1i23V1be22-=∴=?+?=+++=≈-=?+-=++-==++≈V L L i A ..R )(r R )(A ...)
//.(R )(r R //R A k R )(r R ββββΩβ
Ω
βΩβ8871412283331013
be2O 4be121i .R r R k ..//.//]
R )(r //[R //R R =++===++=
三、
15
.15.0508.110)1//6.5(502)1(2
//
W be s M
s o vd -=?++?-=+++-==R r R R R V A C ββv
mV V k A 17415.12
.0Ad
2.02100o
s o ==
=
=Ω?=v v v μ
四、 1.
V V om 13=
%
P W
.V V V R P W
.V P om Om 68P P 954)4
131315(82）4(261018
2132R T
O O
2
2om CC L T 2
L 2O =+=
=-?=-==?==ηππ
2. 应引入电压串联负反馈，电路如下图所示
3.
21I O vf 1V R R
V A +==
五、
1． A 1电路为电流串联负反馈 A 2电路为电压串联负反馈 2．
i 3421i234O i
211R2i22
i R2)1()R 1(R V R R R R V R V V R R R I V V I +?-=+
=?-=?-==
六、
1．电压串联负反馈 2．
02
02615v v v i =?+=
R R R
i
i 02O O O 0230)6(555
5v v v v v
v v =-=-=∴-=?-
=R R
3．
七、
1．K
R R R R R A f f 4022
3R 111
1
f
V =≥≥≥+=
2．
)K (..cf R RC
f Ωπππ16915100101021
21216==???==
=
-
3．替换R 1
4．
V V V V V V V V V V 2431)6(2
1
221th2th1P201-==∴±=±?+?==
八、1．直流电路 滤波 2. 调器管 比较放大
3. 提供基准电压
4．
5．
V
V V V V ~.V ).~.(V A 66185162111C D 2====
V .V V 69O B ==
V .~V .V V V 4896O A CE1=-=
滑动点位于最上端 V V 8O = 滑动点位于最下端
V V 12O =
V O 调节范围8V~12V
模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3．差分放大电路，若两个输入信号u I1u I2，则输出电压，u O 0 ；若u I1 =100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ；共模输入电压u Ic =90 μV 。 4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。 5．若三级放大电路中A u 1A u 230dB ，A u 320dB ，则其总电压增益为 80 dB ，折合为 104 倍。 6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空（20分） 1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。 A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。 A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i 5.如图所示复合管，已知V 1的β1 = 30，V 2的β2 = 50，则复合后的β约为（ A ）。 A ．1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1
第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？ 若静态0O u =V ，则R c2=？，电压放大倍数为多少？
第一章 半导体基础知识 自测题 一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。 六、1、 V 2V mA 6.2 A μ26V C C CC CE B C b BE BB B =-====-= R I U I I R U I β U O ＝U CE ＝2V 。 2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以 Ω ≈-= == =-= k 4.45V μA 6.28mA 86.2V B BE BB b C B c CES CC C I U R I I R U I β 七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 习题 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。 t
1.5 u o 的波形如图所示。 1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝ 2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。 1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。 1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+= U R R R U 当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。 当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2）。，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R 1.11 波形如图所示。 1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。 1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。 1.14
模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳 东北大学继续教育学院 模拟电子技术基础I 试卷（作业考核线下）B 卷（共 4 页） 总分题号一二三四五六七八九十得分 注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。杜绝打印，抄袭作业。 一、(10分)半导体器件的分析。 判断图中各电路里的二级管是导通还是截止，并计算电压U ab。设图中的二级管都是理想的。 二、（10分）电路如图所示，设输入电压u i是幅值为10V的正弦波，试画出u o的波形。（设二极管D1，D2为理想二级管）。 三、单管放大电路的分析与计算。(15分) 电路如图4所示，已知V CC=12V，R bl=40kΩ，R b2=20kΩ，R c=R L=2kΩ，U BE=，β=50，R e=2kΩ， U CES ≈0V。求：(1)计算静态工作点；(2)随着输入信号 i U 的增大，输出信号o U 也增大，若输出o U 波形出现失真，则首先出现的是截止失真还是饱和失真(3)计算i u A R ， 和 o R。 四、功率放大电路的分析与计算。(15分) 功率放大电路如图5所示，负载R L=8Ω，晶体管T1和T2的饱和压降为2V，输入u i为正弦波。求：(1)负载R L上可获得的最大不失真输出功率？(2)此时的效率和管耗各是多少？ 图4阻容耦合放大 图5 功率放大电路 u u o +V CC T1 T2 R L -V CC ++ __ (+12V) (-12V) 五、填空题：（每空1分共30分） 1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。 2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加 电压（）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结 电阻为（），等效成断开； 4、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。 5、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。 6、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。 7、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采 用（）负反馈。 8、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上 大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 9、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放 大器。 10、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大 电路。 11、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等 特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 12、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电 路中。 六、选择题（每空2分共20分） 1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（）， 它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。 A、正偏 B、反偏 C、大于 D、小于 E、导通 F、截止 2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、，则三个电极分别是（）， 该管是（）型。 A、（ B、 C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B） D、（NPN） E、（PNP） 3、对功率放大器的要求主要是（）、（）、（）。 A、U0高 B、P0大 C、功率大 D、Ri大 E、波形不失真 4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（），此时应该（）偏置电阻。 A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、增大 E、减小 模拟题一及参考答案 1. 关于C +十与C语言的关系的描述中，—是错误的。（2分） A. C 语言是C ＋十的一个子集 B. C++是兼容C语言的 C. C +十对C语言进行了一些改进 D. C++ 和C 语言都是面向对象的 2. C++对C语言作了很多改进，下列描述中________ 使得C语言发生了质变，即从面向过程变 成又面向对象。（2 分） A. 增加了一些新的运算符 B. 允许函数重载，并允许设置默认参数 C. 规定函数说明必须用原型 D. 引进了类和对象的概念 3. 按照标识符的要求，________ 符号不能组成标识符。（2 分） A. 连接符 B. 下划线 C. 大小写字母 D. 数字字符 4. 下述关于break语句的描述中，________ 是不正确的。（2分） A. break 语句可用于循环体中，它将退出该重循环 B. break 语句可用于switch 中，它将退出switch 语句 C. break 语句可用于if 体内，它将退出if 语句 D. break 语句在一个循环体内可以出现多次 5. 以下关于do-while 语句的叙述正确的是_________ 。（2 分） A. 不能使用do－while 语句构成的循环 B. do —while语句构成的循环必须用break语句才能退出 C. do－while 语句构成的循环，当while 语句中的表达式值为非零时结束循环 D. do —while 语句构成的循环，当while 语句中的表达式值为零时结束循环 6. _____ 是给对象取一个别名，它引入了对象的同一词。（2 分） A. 指针 B. 引用 C. 枚举 D. 结构 7. 下列数组的定义中，__是错误（2 A.char cal[ ]={ ，'ch，'' a， '' r '} B.char ca2[5]= ” char C.char ca3[4]= ” char D.int array[ ]={6 ，5，3，4} 浙江理工大学《模拟电子技术基础》试题（1） 一、填空（共30分，1分/空） 1、在本征半导体中加入 价元素可形成N 型半导体，加入 价元素可形成P 型半导体。 2、在一个交流放大电路中，测出某三极管三个管脚对地电位：①端为1.5V 、②端为4V 、③端为2.1V ，则①端为 极、②端为 极、②端为 极，该管子为 型。 3、集成运放实际上是一种高性能的直接耦合放大电路。通常由 、 、 和 等四部分组成。 4、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。 5、为了增大放大电路的输入电阻，应引入 负反馈；为了增大放大电路的输出电阻，应引入 负反馈。 6、电路如图1.1所示，已知集成运放的开环差模增益和差模输入电阻均近于无穷大，最大输出电压幅值为±14V 。填空：电路引入了 (填入反馈组态)交流负反馈，电路的输入电阻趋近于 ，电压放大倍数=f u A 。设V U I 1=，则=O U ；若1R 开路，则O U 变为 V ；若1R 短路，则O U 变为 V ；若2R 开路，则O U 变为 V ；若2R 短路，则O U 变为 V 。 图1.1 7、 比例运算电路的输入电流等于零，而 比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。 8、当信号频率等于石英晶体的串联谐振频率或并联谐振频率时，石英晶体呈 ；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英品体呈 ；其余情况下石英晶体呈 。 9、已知电路如图1.2所示，电路中D 1和D 2管的作用是消除 。 图1.2 10、整流的目的是 ；直流稳压电源中滤波电路的目的是 。 二、 判断题（20分，1分/题） 1、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ） 2、所有二极管都不能正常工作在击穿区。 （ ） 3、可以说任何放大电路都有功率放大作用。 （ ） 4、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。 （ ） 5、阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立。 （ ） 6、只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。 （ ） 7、若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。 （ ） 8、若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。 （ ） 9、只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。 （ ） 10、放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。 （ ） 11、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 （ ） 12、在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。 （ ） 《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。 六年级语文期末试题7 学校班级姓名得分 一、抄写下面一段话，要求书写正确、工整。（5分） 我的家乡安徽凤台，坐落在淮河岸边，它既没有峰峦雄伟的高山，也没有让人心旷神怡的风景区，但它有远近闻名、历史悠久的地方特产——豆腐。 。 二、看拼音写词语。（6分） bào zào xuán guàxuān xiāo yùhán chōng jǐng shìhào ( ) ( ) ( ) ( ) （ ）（） 三、给带点字选择正确的解释。（填序号）（4分） 1、顾：相顾一笑（）三顾茅庐（）顾客盈门（）奋不顾身（） A、前来购买东西的 B、拜访 C、看 D、注意；照管 2、素：银装素裹（）素质教育（）素不相识（）衣着素净（） A、颜色单纯；不艳丽 B、本色；白色 C、本来的；原有的 D、素来；向来 四、按要求写成语。（8分） 1、含有动物 名： 2、含有两对反义词 的： 3、给广告词“消毒”，恢复原貌。 例：消炎药广告词：快治人口——（脍炙人口） 热水器广告词：随心所浴——（）止咳药广告词——咳不容缓（） 摩托车广告词：骑乐无穷——（）营养液广告词——口蜜腹健（） 五、根据课内外阅读填空：（24分） 1、“我们爱你——（）奏出的古曲，（）谱写的新歌”中，“古曲”的含义是；“新歌”的含义是。（4分） 2、默写出《烟台的海》一文中描写冬天的海波浪汹涌的句 子： 。（4分） 3、人们常用“黄河之水天上来，奔流到海不复回”来赞美黄河的雄伟气势。你能借用古人的诗句来赞美下面的景观吗？（6分） 庐山瀑 布： 大草 原： 长 江： 4、一年之计，（）；十年之计，（）；终身之计，（） 5、吾志所向（），愈挫愈勇（） 6、开弓不放箭——（） 7、（）知马力，（）见人心。 8、（）异乡为异客，每逢（）倍思亲。 六、修改病句：（8分） 1、电视机里传出雄壮有力的战士们的歌声。 2、他们都跑得很快，所以跑得相当轻松。 3、刘老师好几天都没来上课，他肯定是生毛病了。 4、有没有动脑筋，是考出好成绩的重要原因。 七、阅读与感悟。（10）分 习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。 解：在20℃时的反向电流约为：3 210 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?= 习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。 100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22 安全工作区 习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8CBO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+== 模拟试题 一、选择 1、结冰、积水、积雪的道路，无人看守道口，恶劣天气能见度在30米以内时，每小时不得超过（A）千米 A、10 B、20 C、30 D、5 2、根据现行国家标准将厂内机动车辆分为（C）类。 A、11 B、12 C、13 D、14 3、厂内运输的作业方式有（B）种， A、3 B、4 C、5 D、6 4、机动车不得在平行铁路装卸线钢轨外侧（A）米以内行使。 A、2 B、3 C、4 D、5 5、驾驶员不从事驾驶工作时间为（C）者，再从事驾驶工作时应经厂交通安全管理部门重新复试。 A、1~3 个月 B、3~6个月 C、6~12个月 D、1年以上 6、厂内车辆侧向最小安全间隙应为（C）米。A、0.4 B、0.5 C、0.6 二、填空 1、机动车辆的制动性包括（制动效能）、（制动方向稳定性）。 2、制动效能受（道路）、（气候条件）、（车型）等影响。 3、一般把操纵性和稳定性称为（车辆的操纵稳定性），常用（汽车的稳定转向特性）进行评价。 4、稳定转向特性分为（不足转向）、（过度转向）、（中性转向）。 5、厂内叉车具有（转弯半径小）、（轮距窄）、（载货后重心偏高）等特点。 6、车辆的技术特性有（空车质量）、（载质量）、（总质量）、（车辆外形尺寸）、（最小离地间隙）、（轴距）、（轮距）、（接近角）、（离去角）、（最小转弯半径）、（最大爬坡度）、（最高车速）。 7、厂内运输的作业方式分为（有轨运输）、（无轨运输）、（连续机械运输）、（人力搬运）。 8、进出厂房、仓库大门、停车场、加油站、上下地中衡、危险地段、生产现场、倒车或拖带损坏车辆时不得超过（5）千米每小时。 9、车辆行使经过交叉路口须提前减速，加强了望，礼让“三先”（先慢）、（先让）、（先停）。车轮摩擦力不均是跑偏的主要原因。（√） 10、厂内车辆事故预防措施主要内容有（厂内运输安全生产的组织措施）、（工程技术措施）、（安全检查管理措施）、（安全教育措施）。 11、安全教育包括（安全知识教育）、（安全技术教育）、（安全思想教育）、（典型事故案例教育） 12、厂内车辆事故预防的基本原则有（事故可以预防的原则）、（防患于未然的原则）、（对事故的可能原因必须予以根除的原则）、（全面治理的原则） 13、厂内车辆事故可以预防是指（损失预防措施）和（事故预防措施）。 14、教育对策内容应包括（安全知识）、（安全技能）、（安全态度）等三个方面。 15、厂内车辆事故的特性包括（因果性）、（偶然性、必然性和规律性）、（潜在性、再现性和预测性）。 16、厂内车辆事故一般分为(自然事故)和(人为事故)两大类。 17、厂内车辆事故由（人）、（车）、（路）、（环境情况）构成。 18、环境可分为（社会环境）、（自然环境）、（生产环境）。 19、厂内车辆多发事故的原因有（厂内车辆违章驾驶）、（厂内车辆高速行驶）、（车辆技术状态不良）、（驾驶技术不熟练）、（厂内道路不好）。 20、叉车运行叉齿离地间隙要达（300~400）毫米。 21、安全色有（红）、（黄）、（蓝）、（绿）4种，对比色有（黑）、（白）2种。 22、厂内交通安全标志有（警告标志）、（禁令标志）、（指示标志）、（辅助标志）等 三、判断 1、辅助标志安在主标志的上面，紧靠主标志上缘。（×） 半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。 解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波 模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.doczj.com/doc/ea3033802.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.doczj.com/doc/ea3033802.html, 1，电子技术的发展，电子技术的发展，促进计算机技术的发展，使其“无处不在”，广泛用过的！广播和通信：发射机，接收机，公共地址，录音，程控交换机，电话，移动电话；网络：路由器，ATM交换机，收发器，调制解调器；行业：钢铁，石化，机械加工，数控机床；运输：飞机，火车，轮船，汽车；军事：雷达，电子导航；航空航天：卫星定位，监测医疗：伽马刀，CT，B超检查，微创手术；消费类电子产品：家用电器（空调，冰箱，电视，音响，摄像机，照相机，电子手表），电子玩具，各种警报器，安全系统HCH a https://www.doczj.com/doc/ea3033802.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年，1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管，晶体管和集成电路的比较https://www.doczj.com/doc/ea3033802.html,半导体组件的发展，贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，在1958年制造了集成电路，在1969年制造了LSI，在1975年制造了第一 个集成电路四个晶体管，而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测，集成度将提高10倍/ 6年，到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术！hch a tsin https://www.doczj.com/doc/ea3033802.html,要记住的一些科学家！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的John Bardeen，William schockley和Walter bradain发明）在1947年11月底发明了该晶体管，并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年，他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后，他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。 一 一、判断题（每题1分，共15分） 1、人力资源是指一切具有为社会创造物质文化财富、为社会提供劳务和服务的人。（） 2、人力资源开发与管理工作主要涉及选人、育人、用人和留人四个方面。（） 3、任何工作岗位的员工选择都应遵循“最优原则”。（） 4、一线经理是人力资源管理工作的实施者和人事决策的制定者。（） 5、职位与职务是一一匹配的，也就是有多少职位就有多少职务，两者数量相等。（） 6、工作分析工作主要由人力资源管理的专业人员参与。（） 7、人力资源规划的任务就是确保组织需要的时候能获得一定数量的具有一定技能的员工。（） 8、人力资源规划的预测主要是人力资源的需求预测。（） 9、招聘岗位所需条件越高，劳动力市场的供给就越不足。（） 10、组织的发展战略和人事政策决定了组织对人力资源的需求状况。（） 11、在一个团体中，所有的人智商越高，则团队的战斗力就越强。（） 12、一个人的个性和气质决定了他应该从事什么样的工作。（） 13、人力资源开发需求分析既是发现员工潜能的过程，又是发现员工业绩问题的过程。（） 14、绩效管理系统的可接受性在很大程度上取决与组织成员对它公平性的认可。（） 15、薪酬管理最重要的作用就是要能够吸引、留住员工。（） 二、填空题（每题2分，共20分） 1、人力资源开发与管理的含义是指从其外在要素即，和内在要素即进行管理 2、日本人事管理的最大特点可以概括为。 3、影响职务分析的动态特征是，，。 4、心理测试从形式上可以划分为，，， 。 5、群体的形成方式可以分为和。 6、人才流动的原则有，，，。 7、影响报酬系统的内部因素有，，， ，。 8、人才流动的基本理论有，，， ，。 9、职业生涯的四个阶段分别是，，， 。 10、在岗培训可分为，，，。 三、简答题（每题5分，共20分） 1、工作分析的文件和具体内容。 2、培训开发的主要方法。 3、进行绩效评估的主要克服的误差。 4、内部招聘的主要方式并简述其作用。 四、问题分析题（15分） 如何对员工进行有效的激励？ 五．案例题（30分） 亨利的困惑 亨利已经在数据系统公司工作了5个年头。在这期间，他从普通编程员升到了资深的程序编制分析员。他对自己所服务的这家公司相当满意，很为工作中的创造性要求所激励。 一个周末的下午，亨利和他的朋友及同事迪安一起打高尔夫球。他了解到他所在的部门新雇了1位刚从大学毕业的程序编制分析员。尽管亨利是个好脾气的人，但当他听说这新来者的起薪仅比他现在的工资少30美元时，不禁发火了。亨利迷惑不解。他感到这里一定有问题。 下周一的早上，亨利找到了人事部主任埃德华，问他自己听说的事是不是真的?埃德华带有歉意地说，确有这么回事。但他试图解释公司的处境：“亨利，编程分析员的市场相当紧俏。为使公司能吸引合格的人员，我们不得不提供较高的 模拟电子技术基础机械工业出版物社主编沈任元 部分习题参考答案 第二章半导体二极管及其基本应用电路思考题与习题解答 2-1填空题 1. _半导体、绝缘体_ 2. _杂敏、光敏__ 、 _热敏__。 3. _导通_ 、 _截止、单向导电性_。 4. __高于_。 5. _正向_ 、 _反向击穿_ 6.单向导电性_、__最大整流电流 __、_最高反向工作电压。7. _单向导电__ 8. _面接触型、点接触型_。_点接触型的、平面型的_。9. _零__、_无穷大_， _理想的开关_。10. _反向特性区_、 _几乎不变_。11. _左移__ 、 _下移_。12. _减小_ 、 _减小_， _增加_。13. __将交流电压转变成直流电压__、 __二极管_。14. _脉动的直流电压变成平滑的直流电压_ 、 _储能_。15. _单相半波整流_、_单相桥式整流_。 16. _电路烧毁_， _变成单相半波整流_。 2-2 选择题 1. C 2. B 3. C 4.B 5. A 6. B 7. A 8. A 9. B 10.A 11. B 12.C 2-3 判断题 1.√ 2.√ 3.× 4. × 5.√ 6.× 2-4 解：，，，，，。 2-5 解：VD截止，，VD导通，，VD 1、VD 4 导通，VD 2 、VD 3 截止， 。 2-6 解： 2-8 解：1) ，，。2）， 。 2-11解：1） 2）；3）； 4）；5），相当于半波整流滤波（有电容）。 或，相当于半波整流滤波（无电容）。 2-12 解： 第三章双极型晶体管及其放大电路思考题与习题 3-1填空题 1. ___PNP___和___NPN__。 2. __两__ __双极__ 3.发射_，___集电__。 4. __100___，___120___。5. ___0.98mA___， ___49___。6. ___放大__ 。7. __饱和___。___正向__， ___正向___。8. __集电__， __发射__，__基极__， __发射___， __0.7V __。9. __发射__，__集电__， ___-0.7V___。 10. __PNP___， ___锗___。 11. __增加__， __增加__， __减小__。12 __左__， __上___， __大__。 13. 查阅电阻器件手册，了解下列常用晶体管的极限参数，并填写在表3-5中。 料 14. __100__。15. __交、直流__， __交流__。16. __截止___， __顶部__，__小__。17. _饱和__， __底部__， __大__。18. __温度升高__。19. __共射__， __共集和共基__。20. __共基__， __共集___， __共射_。21. _稳定静态 《个人与团队管理》期末网考模拟试题一 一、单项选择题（1～60题，每题1分，共60分。请从四个备选答案中选择一个最恰当的答案，将正确答案前的字母填到题目中的括号内，多选、不选或错选均不得分）1．获取优质信息可以提高工作的效率，优质信息具有的特点不包括（）。 (A)正确的内容 (B)恰当的时间 (C)适度的费用 (D)别出心裁的形式 2．关于副语言沟通，说法不正确的是（）。 (A)副语言沟通可以影响人们对信息的理解以及交流双方的相互评价 (B)副语言沟通因素中任何一个或全部被加到词语中时，往往能使其意义产生一些变化 (C)副语言沟通可以表现出一个人的情绪状况和态度 (D)副语言沟通是通过词语来实现的 3．小陈下周要向公司作个报告，他很想知道哪种方法能帮他抓住听众的心理。不能帮助他抓住听众心理的方法是（）。 (A)经常使用PPT配合他的陈述 (B)在陈述过程中，经常提一些具有启发性的问题 (C)在结束一个话题后，做一些阶段性的总结 (D)陈述中用很快的语速说话 4．根据组织内营销类部门有影响力的员工所掌握的信息来获取客户需求信息的缺点是（）。 (A)员工为保证自身利益，不轻易将这些信息进行分享 (B)少而且不容易得到 (C)分散，可靠性一般 (D)不同客户群体的需求差异大，所以工作量大 5．张扬时代公司的组织体制具备详细的工作描述、程序手册、明确的职责、等级性的职业发展道路，适合这个公司的组织文化类型是（）。 (A)任务文化 (B)角色文化 (C)个人文化 (D)权力文化 6．许多组织都拥有一套约束自身行为的价值标准或行为理念，这些价值标准和行为理念称为（）。 (A)组织目标 (B)组织行为 (C)组织价值观 考试模拟题1及参考答案 考试模拟题1 一、单项选择题（共20题，每题1分，共20分。） 1. 以下叙述不正确的是（）。 A. 一个C源程序可由一个或多个函数组成 B. 在C程序中注释说明只能位于一条语句的后面 C. C程序的基本组成单位是函数 D. 一个C源程序必须包含一个main函数 2. 若变量已正确定义并赋值，表达式（）不符合C语言语法。 A. 3%2.0 B. a*b/c C. 2, b D. a/b/c 3. 六种基本数据类型的长度排列正确的是（）。 A. bool=char long=float 模拟电子技术基础试卷一附答案 一．（10分）设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出图（a）电路在v i=5sinωt V时的输出v o波形以及图（b）电路的输出电压V o1。 （a） （b） 二.（10分）放大电路如图所示。已知： R b1=62K，R b2=15K，R s=10K，R c=3K， R e=1K，R L=3K，C1=C2=10μ，C e=220μ， V CC=+15V，β=80，V BE=0.7V。 1.说明电路属于何种组态， 画出该电路的直流通路；（5分） 2.计算该电路的静态工作点。（5分） 3.画小信号等效电路，求电压放大倍数，输入 电阻，输出电阻。 4.说明电路属于何种组态， 三.（18分）放大电路如图所示。已知C足够大，场效应管的参数g m=0.8ms，R2=6.8KΩ，三极管的参数β=50，r be=0.5K，R3=90KΩ，R4=10KΩ，R5=4KΩ，R6=1.5KΩ，R L=4KΩ。 1.画出其小信号模型等效电路。（4分） 2.计算电路的电压放大倍数A v、输入电阻R i和输出电阻R o。（10分） 3.若R s=10K时，计算源电压放大倍数A vs，说明R6对电路频率响应的影响。（4分） 四.（12分）反馈放大电路如图示。 1.判断各电路中级间交流反馈的极性（要求在图上标出反馈极性）。（4分） 2.对于级间交流反馈为负反馈的电路，进一步判断反馈的类型，同时按深度负反馈的条件估算电路的闭环电压增益（写出表达式）。并简单说明电路对输入电阻，输出电阻的影响，对信号源内阻有什么要求？（8分） （a ） （b ） 五.（10分）集成运算放大器构成的运算电路如图示，求电路的输出电压。 1.求出电路（a ）的输出电压。（4分） 2.在电路（b ）中，设t =0时v c =0，此时加入v i =1V ，求t =40ms 时v o =？（6分） （a ） （b ） 六.（10分）电路如图所示，试用相位平衡条件判断哪个能振荡，哪个不能振荡（要 求在电路中应标出i V ，o V ，f V 以及它们的瞬时极性）？对能振荡的电路写出振荡频率的表达式。 （a ） （b ） 七.（10分）比较器电路如图所示，设运放是理想器件。 1.求门限电压值V th ，并画出比较器的电压传输特性模拟电子技术基础I考核作业标准答案
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