低频电子线路复习题一
1.1 在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是 [ ]
A.
NPN 型硅管 B.
PNP 型硅管 C.
NPN 型锗管 图1.1 2V 6V D. PNP 型锗管 1.3V
1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[ ]
A. 饱和
B. 放大
C. 截止 图1.2
D. 已损坏
1.3 在如图1.3所示电路中，当电源V=5V 时，测得I=1mA 。若把电源电压调整到V=10V ，则电流的大小将是 [ ]
A.I=2mA
B.I<2mA
C.I>2mA
D.不能确定
图1.3
1.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。当温度为20O C 时测得二极管的电压
U D =0.7V 。当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是
[ ]
A.仍等于0.7V
B.大于0.7V
C. 小于0.7V
D.不能确定
图1.4
1.5 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 [ ]
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
1.6 对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是 [ ]
A.I CBO
B.I CES
C.I CER
D.I CEO
1.7二极管的主要特性是 [ ]
A.放大特性
B.恒温特性
C.单向导电特性
D.恒流特性
1.8 温度升高时，晶体管的反向饱和电流I
CBO
将[ ]
A.增大
B.减少
C.不变
D.不能确定
1.9 下列选项中，不属三极管的参数是[ ]
A.电流放大系数β
B.最大整流电流I
F
C.集电极最大允许电流I
CM D.集电极最大允许耗散功率P
CM
1.10 温度升高时，三极管的β值将
A.增大
B.减少
C.不变
D.不能确定
1.11 在N型半导体中，多数载流子是[ ]
A. 电子
B. 空穴
C.离子
D. 杂质
1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]
A.正向电阻小反向电阻大
B. 正向电阻大反向电阻小
C.正向电阻反向电阻都小
D. 正向电阻反向电阻都大
1.13 在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和
电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[ ]
A. 0.1 mA
B. 2.5mA
C. 5mA
D. 15 mA
图 1.13
1.14 在P型半导体中，多数载流子是[ ]
A. 电子
B. 空穴
C.离子
D. 杂质
1.15 下列对场效应管的描述中，不正确的是[ ]
A 场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；
B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；
C 场效应管工作时多子、少子均参与导电；
D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
1.16 在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的[ ]
A.可变电阻区
B.截止区
C.饱和区
D.击穿区
1.17 表征场效应管放大作用的重要参数是[ ]
A.电流放大系数β
B.跨导g
m =ΔI
D
/ΔU
GS
C.开启电压U
T D.直流输入电阻R
GS
1.18 下列选项中，不属场效应管直流参数的是[ ]
A.饱和漏极电流I
DSS B.低频跨导g
m
C.开启电压U
T D.夹断电压U
P
1.19 双极型晶体三极管工作时参与导电的是[ ]
A 多子
B 少子
C 多子和少子
D 多子或少子
1.20 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[ ]
A 发射结正偏，集电结正偏
B 发射结正偏，集电结反偏
C 发射结反偏，集电结反偏
D 发射结反偏，集电结正偏
1.21 选择括号中的答案填空（只填答案a、b、c、……）。
1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系，（a.温度，b.掺杂工艺，c.杂质浓度，d.晶体缺陷）
2、当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。(a.大于，b.小于，c.等于，d.变宽，e.变宽f.不变)
3、温度升高时，晶体管的电流放大系数β，反向饱和电流I
CBO
，
正向结电压U
BE
。(a.变大，d.变小，c.不变)
4、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。(a.上移，b.下移，c.左移，d.右移，e.增大，f.减小，g.不变)
1.22 用大于号(>)、小于号(<)或等号(=)填空：
1、在本征半导体中，电子浓度空穴浓度；
2、在P型半导体中，电子浓度空穴浓度；
3、在N型半导体中，电子浓度空穴浓度。
1.23 判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。
1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（）
2、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（）
3、P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ ）
4、PN 结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（ ）
5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（ ）
6、由于PN 结交界面两边存在电位差，所以，当把PN 结两端短路时就有电
流流过。（ ）
7、PN 结方程可以描述PN 结在的正向特性和反向特性，也可以描述PN 结的
反向击穿特性。（ ）
8、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。
（ ）
9、通常的JFET 管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（ ）
10、有人测得某晶体管的U BE =0.7V ，I B =20μA ，因此推算出r be =U BE /I B =0.7V/20
μA=35k Ω。 （ ）
11、有人测得晶体管在U BE =0.6V ，I B =5μA ，因此认为在此工作点上的r be 大
约为26mV/I B =5.2k Ω。 （ ）
12、有人测得当U BE =0.6V ，I B =10μA 。考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到
0.6060()100BE be B U r k I ?-===Ω?- （ ）
1.24 选择正确的答案填空：
1、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN 型
还是PNP 型）与三个电极时以测出 最为方便。
a.中极间电阻
b.各极对地电位
c.各极电流
2、一个硅二极管在正向电压U D =0.6V 时，正向电流I D =10mA 。若U D 增大到
0.66V （即增加10%），则电流I D 。
a.约为11mA （也增加10%）；
b.约为20mA （增大1倍）；
c.约为100mA （增大到原先的10倍）；
d.仍为10mA （基本不变）。
3、设电路中保持V=5V 不变，当温度为20℃时测得二极管的电压U D =0.7V 。
当温度上升到40℃时，则U D 的大小将是 。
a. I =2mA
b. I <2mA
c. I >2mA
1.25 填空：
1、半导体中载流子的基本运动形式有：和。
2、二极管的最主要特性是，它的两个主要参数是反映正向特性的
和反映反向的特性的。
3、在常温下，硅二极管的开启电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V；锗二极管的开启电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V。
4、场效应管从结构上分成和两大类型。它们的导电过程仅仅取决于载流子。
5、场效应管属于控制型器件。
6、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参于导电。
7、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。场效应管从结构上分成和两大类型，它们的导电过程仅仅取决于载流子的流动。
8、场效应管属于控制型器件，而晶体管若用简化的h参数等效电路来分析则可以认为是控制型器件。
9、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏置。
2.1 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ]
A.共射放大电路
B.共基放大电路
C.共集放大电路
D.不能确定
2.2在基本共射放大电路中，负载电阻R
L 减小时，输出电阻R
O
将[ ]
A.增大
B.减少
C.不变
D.不能确定
2.3 在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ]
A.共射放大电路
B.共基放大电路
C.共集放大电路
D.不能确定
2.4在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的
配合。
A 共射电路
B 共基电路
C 共集电路
D 共射-共基电路
2.5 在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ]
A.共射放大电路
B.共基放大电路
C.共集放大电路
D.不能确定
2.6 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正
弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ]
A.饱和失真
B.截止失真
C.交越失真
D.频率失真
2.7以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ]
A．差分放大电路 B．共基电路
C．共射电路 D．共集电路
2.8 晶体三极管的关系式i
E =f(u
EB
)|u
CB
代表三极管的
A.共射极输入特性
B.共射极输出特性
C.共基极输入特性
D.共基极输出特性
2.9 对于图2.9所示的复合管，穿透电流为（设I
CEO1、I
CEO2
分别表示T
1
、T
2
管
的穿透电流）
A.I
CEO = I
CEO2
↓I
CEO
B.I
CEO =I
CEO1
+I
CEO2
C.I
CEO =（1+β
2
）I
CEO1
+I
CEO2
D.I
CEO =I
CEO1
图2.9 [ ]
2.10 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV
的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ ]
B.饱和失真 B.截止失真
C.交越失真
D.频率失真
2.11对于基本共射放大电路， R
b 减小时，输入电阻R
i
将[ ]
A.增大
B.减少
C.不变
D.不能确定
2.12在基本共射放大电路中，信号源内阻R
S 减小时，输入电阻R
i
将[ ]
A.增大
B.减少
C.不变
D.不能确定
2.13 在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是[ ]
A.共射放大电路
B.共基放大电路
C.共集放大电路
D.不能确定
2.14 在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是[ ]
A.共射放大电路
B.共基放大电路
C.共集放大电路
D.不能确定
2.15 某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3KΩ的负载电阻后输出电
压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。
2.16 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结、集电结。
2.17 对于基本共射放大电路，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(a.增大，b.减小，c.不变)，选择正确的答案填入空格。
1、R
b 减小时，输入电阻R
i
。
2、R
b 增大时，输出电阻R
o
。
3、信号源内阻R
s 增大时，输入电阻R
i
。
4、信号源内阻R
s 减小时，电压放大倍数||||o
us
s
U
A
U
=。
5、负载电阻R
L 增大时，电压放大倍数||||o
us
s
U
A
U
=。
6、负载电阻R
L 减小时，输出电阻R
o
。
2.18 选择正确的答案填空。
1、复合管的额定功耗是。(a.各晶体管额定功耗之和；b.前面管子的额定功耗；c.后面管子的额定功耗；d.各晶体管额定功耗的平均值)
2、复合管的反向击穿电压等于。(a.各晶体管反向击穿电压之和；b.前面管子的反向击穿电压；c.后面管子的反向击穿电压；d.各晶体管反向击穿电压值中的较小者)
3、复合管的集电极最大允许电流等于。(a.各晶体管集电极最大允许电流之和；b.前面管子的集电极最大允许电流；c.后面管子的集电极最大允许电流；
d.各晶体管集电极最大允许电流值中的较小者)
4、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小。这说明A的。
a.输入电阻大
b.输入电阻小
c.输出电阻大
d.输出电阻小
2.19 在实验桌上放有下列仪器：
A、WQ-2-A型直流稳压电源：输出电压在0~30V范围内可调；
B、FG-163型函数发生器：可产生正弦波、三角波、方波等信号，频率范围为0.0001Hz~20MHz，输出电阻约为50Ω；
C、DA-16型晶体管毫伏表：频率范围为20Hz~1MHz，输入电阻在频率为1kHz 时大于1MQ，输入电容为50~70pF；
D、DT-830型数字万用表：交、直流挡的输入电阻均为10MΩ
，交流电压挡的频率范围45~500Hz，输入电容为100pF；
E、CS-1830型示波器：频率范围为0~30MHz，输入电阻为1MΩ
，输入电容为23pF。
问测量放大电路的下列性能指标需用哪些仪器设备？（只需写出上述仪器设备的标号，如A、B等）
1、静态工作点：
2、电压放大倍数：
3、输入电阻：
4、输出电阻：
5、上限截止频率（预计约1MHz）：
2.20 为了测量交流放大电路的电压放大倍数，需要在放大电路的输入端加进10mV的正弦信号。问下列几种获取信号的方法是否正确？为什么？
1、调整信号发生器的电压幅度，利用信号发生器上的表头指示和衰减倍数产生10mV的正弦电压，然后将它加到放大电路的输入端。
2、调整信号发生器的电压幅度，利用晶体管毫伏表测量其输出端电压，从而得到10mV信号。然后将它接到放大电路的输入端。
3、先将尚无输出电压的信号发生器连接到放大电路的输入端，然后由小到大地调节信号源的电压幅度，用晶体管毫伏表测量其大小，使之达到10mV。2.21 某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系，在线性放大条件下对同一个电路测了四级数据。试找出其中错误的一组。
a.I
c =0.5mA，U
i
=10mV，U
o
=0.37V
b.I
c =1.0mA，U
i
=10mV，U
o
=0.62V
c.I
c =1.5mA，U
i
=10mV，U
o
=0.96V
d.I
c =2mA，U
i
=10mV，U
o
=0.45V
2.22 判断下列说法是否正确，对的画√，错的画×。
1、晶体管的输入电阻r
be
是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（）
2、在基本共射放大电路中，若晶体管的β增大一倍，则电压放大倍数也相
应地增大一倍。（）
3、共集放大电路的电压放大倍数总是小于1，故不能用来实现功率放大。
（）
4、只有当两个晶体管的类型相同（都为NPN管或都为PNP管）时才能组成复合管。（）
5、复合管的类型（NPN或PNP）与组成它的最前面的管子类型相同。（）
6、只要把两个晶体管的复合管，一定可以提高管子的输入电阻。（）
7、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积。（）
8、复合管的空透电流等于组成它的各晶体管的空透电流之和。（）
叠加，受温度
9、两个同类晶体管（例如都是NPN管）复合，由于两管的U
BE
的影响增大，所以它产生的漂移电压比单管大。（）
10、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以两个场效应管不能组成复合管。
（）
11、由于场效应管的栅极几乎不取电流，所以场效应管与双极型晶体管也不能级成复合管。（）
是[ ] 4．1 输入失调电压U
IO
A. 两个输入端电压之差
B. 两个输入端电压之和
C．输入端都为零时的输出电压 D. 输出端为零时输入端的等效补偿电压。4．2为了减小温漂，通用型集成运放的输入级多采用[ ]
A.共射电路
B.共集电路
C.差动放大电路
D.OCL电路
4．3 集成运算放大器在电路结构上放大级之间通常采用[ ] A．阻容耦合 B.变压器耦合 C.直接耦合 D.光电耦合
4．4 集成运算放大器输入级通常采用[ ] A．共射放大电路 B.OCL互补对称电路
C.差分放大电路
D.偏置电路
4．5 理想运放的开环差模增益A
为[ ]
Od
A. 0
B. 1
C. 105
D. ∞
4．6 集成运算放大器是一种采用耦合方式的放大电路，因此低频性能，最常见的问题是。
4．7 理想运放工作在线性区存在虚短和虚断的概念，虚短指，虚断是指。
高频电子线路复习题 第8章角度调制与解调 8.1调角波的数学式为υ(t)=10sin(108t+3sin104t)，问这是调频波还是调相波？求其调制频率、调制指数、频偏以及该调角波在１００Ω电阻上产生的平均功率。 分析：由式中可看出调制信号是一个单音信号，但由于没有给定调制信号的数学表达式是cosΩt还是sinΩt，因此该调角波数学表达式既可能是调频波，也可能是调相波。 解：当调制信号为VΩcos104t时该式表示调频波，当调制信号为VΩsin104t时该式表示调相波。 说明：因为调频前后平均功率没有发生变化，所以调制后的平均功率也等于调制前的载波功率。即调频只导致能量从载频向边频分量转移，总能量则未变。
8.2已知调制信号为υΩ(t)=VΩcos2π×103t(V),m f=m p=10,，求此时ＦＭ波和ＰＭ波的带宽。若VΩ不变，F增大一倍，两种调制信号的带宽如何？若F不变，VΩ增大一倍，两种调制信号的带宽如何？若VΩ和F都增大一倍，两种调制信号的带宽如何？ 分析: 本题主要考察调频和调相带宽的异同点。两者均为角度调制，当调制信号频率F不变而振幅VΩ变化时，调频、调相的带宽随之变化，当调制信号振幅VΩ不变，调制信号频率F变化时，调频带宽基本不变，可称为恒带调制，但调相波的带宽则随调制信号频率F变化。
8.3为什么调幅波的调制系数不能大于１，而角度调制波的调制系数可以大于１？ 答：当调幅波的调制系数大于１时，发生过调幅，调幅波的包络形状不再和调制信号波形相同，解调时将产生失真。角度调制波的调制系数大于１时，只要是频偏不过分大，就可以获得线性调制，而不致造成解调信号失真。 8.4角度调制信号和调幅信号的主要区别是什么？调频波和调相波的主要区别是什么？ 答：调角波与调幅波的主要区别是： ①调角波是等幅波，信息寄载于频率或相位上，而调幅波的振幅受VΩ的调制，信息携带于振幅变化的包络上。 ②调角波的频带远比调幅波宽，单音调制时，调频波的带宽为调幅波的（m f+1）倍。 ③幅度调制为线性调制，而角度调制是非线性频谱变换。 ④调幅波的总功率是调制指数的函数，而调角波的总功率与调制指数无关，即调制前后总能量不变。调频波和调相波的主要区别有两个方面。调频时的最大频偏Δωf=S f VΩ，只与调制信号的振幅有关，而与调制频率无关。调相时最大频偏Δωp=S p VΩΩ，不仅与调制信号振幅而且与调制频率有关。另外最大相移在调相时与调制频率无关，而调频时则不仅与调制振幅还与调制频率有关。
高频电子电路第一章 (一) 填空题 1、语音信号的频率范围为，图象信号的频率范围为，音频信号的频率范围为。 （答案：300~3400Hz；0~6MHz；20Hz~20kHz） 2、无线电发送设备中常用的高频电路有、、 、。 （答案：振荡器、调制电路、高频放大器、高频功率放大器） 3、无线电接收设备中常用的高频电路有、、 、。 （答案：高频放大器、解调器、混频器；振荡器） 4、通信系统的组成：、、、、。 （答案：信号源、发送设备、传输信道、接收设备、终端） 5、在接收设备中，检波器的作用是。 （答案：还原调制信号） 6、有线通信的传输信道是，无线通信的传输信道是。 （答案：电缆；自由空间） 7、调制是用音频信号控制载波的、、。 （答案：振幅；频率；相位） 8、无线电波传播速度固定不变，频率越高，波长；频率；波长越长。（答案：越短；越低） （二）选择题 1、下列表达式正确的是。 A）低频信号可直接从天线有效地辐射。 B）低频信号必须转载到高频信号上才能从天线有效地辐射。 C）高频信号及低频信号都不能从天线上有效地辐射。 D）高频信号及低频信号都能从天线上有效地辐射。 （答案：B） 2、为了有效地发射电磁波，天线尺寸必须与相比拟。 A）辐射信号的波长。B）辐射信号的频率。 C）辐射信号的振幅。D）辐射信号的相位。 （答案：A） 3、电视、调频广播和移动通信均属通信。 A）超短波B）短波C）中波D）微波 （答案：A） （三）问答题 1、画出通信系统的一般模型框图。 2、画出用正弦波进行调幅时已调波的波形。 3、画出用方波进行调幅时已调波的波形。 第二章《高频小信号放大器》
（一）填空题 1、LC选频网络的作用是。（答案：从输入信号中选出有用频率的信号抑制干扰的频率的信号） 2、LC选频网络的电路形式是。 （答案：串联回路和并联回路） 3、在接收机的输入回路中，靠改变进行选台。 （答案：可变电容器电容量） 4、单位谐振曲线指。 （答案：任意频率下的回路电流I与谐振时回路电流I0之比） 5、LC串联谐振电路Q值下降，单位谐振曲线，回路选择性。（答案：平坦；差） 6、通频带是指。 （答案：单位谐振曲线≥所对应的频率范围） 7、LC串联谐振回路Q值下降，频带，选择性。 （答案：增宽；变差） 8、距形系数K r 定义为单位谐振曲线f值下降到时的频带范围与通频带之比。（答案：） 9、理想谐振回路K r ，实际回路中K r ，其值越越好。（答案：等于1；大于1；小） 10、LC并联谐振回路谐振时，阻抗为。 （答案：最大且为纯电阻） 11、LC并联谐振回路，当f=f0即谐振时回路阻抗最且为，失谐时阻抗变，当f
一、填空题 1. 丙类功放按晶体管集电极电流脉冲形状可分为__欠压、__临界__、__过压__ 三种工作状态，它一般工作在___临界____ 状态。 2. 振荡器的主要性能指标_频率稳定度_、_振幅稳定度_。 3. 放大器内部噪声的主要来源是__电阻__和__晶体管__。 4. 某发射机输出级在负载RL=1000Ω上的输出信号Us(t)=4(1+0.5cosΩt)COSWctV。试问Ma=__0.5__，Ucm=__4V__，输出总功 率Pav=__0.009W_ 。 5. 实现频率调制就是使载波频率与调制信号呈线性规律变化，实现这个功能的方法很多，通常可分为__直接调频__和__间接调频___ 两大类。 6. 相位鉴频器是先将调频信号变换成__调相-调频__信号，然后用___相位检波器___进行解调得到原调制信号。 二、选择题 1. 频率在1.5—30MHz范围的短波主要依靠（C ）方式传播。 A 沿地面传播 B 沿空间直线传播 C 依靠电离层传播 2. 在实际振荡器中，有时会出现不连续的振荡波形，这说明振荡器产生了周期性的起振和停振现象，这种现象称为（B ）。 A 频率占据 B 间歇振荡 C 寄生振荡 4. 集成模拟相乘器是（B ）集成器件。 A 线性 B 非线性 C 功率 5. 自动增益控制电路是（A ）。 A AGC B AF C C APC 三、分析题（共4题，共45分） 1. 通信系统中为什么要采用调制技术。（8分） 答：调制就是用待传输的基带信号去改变高频载波信号某一参数的过程。 采用调制技术可使低频基带信号装载到高频载波信号上，从而缩短天线尺寸，易于天线辐射，实现远距离传输；其次，采用调制可以进行频分多路通信，实现信道的复用，提高信道利用率。 2.晶体振荡电路如图1所示，若f1为L1C1的谐振频率，f2为L2C2的谐振频率，试分析电路能否产生自激振荡。若能振荡，指 出振荡频率与f!、f2之间的关系。（12分） +V CC 答：由图可见电路可构成并联型晶体振荡器。由于并联型晶体振荡器中，石英晶体起电感元件作用，所以要产生自激振荡，L1C1并联回路与L2C2串联回路都必须呈容性，所以，WL1 > 1/WC1即f > f1，WL2 < 1/WC2即f < f2，振荡频率f与f1、f2之间的关系应满足：f2 > f > f1。 3. 已知非线性器件的伏安特性为i=a1u+a3u3，试问它能否产生调幅作用？为什么？（10分） 答：设输入调制信号为uΩ，载波信号为u c，则，所以u=uΩ+u c，所以
试题1 、选择题（每小题 2 分、共30 分）将一个正确选项前的字母填在括号内 1．二极管峰值包络检波器适用于哪种调幅波的解调（C） A ．单边带调幅波 B ．抑制载波双边带调幅波 C.普通调幅波 D ?残留边带调幅波 2．欲提高功率放大器的效率，应使放大器的工作状态为（ D ） A ?甲类 B ?乙类C.甲乙类 D ?丙类 3 ?为提高振荡频率的稳定度，高频正弦波振荡器一般选用（B） A ? LC正弦波振荡器 B .晶体振荡器 C ? RC正弦波振荡器 4．变容二极管调频器实现线性调频的条件是变容二极管的结电容变化指数 为（C） 5. 若载波u C（t）=U C cos皿，调制信号u@（t）= U ?cos Q t，则调相波的表达式为（B） A ? u p?t）=U C COS（ w C t + m f sin Q t） B ? u p?t）=U C cos （訳+ m>cos Q t） C. up?t）=U C（1 + m p cos Q t）cos 訳D ? u PM（t）=kU Q Lteos “tcos Q t 6. 某超外差接收机的中频为465kHz，当接收550kHz的信号时，还收到1480kHz 的干扰信号，此干扰为（C） A ?干扰哨声 B ?中频干扰 C镜像干扰 D ?交调干扰 7. 某调频波，其调制信号频率F= 1kHz，载波频率为10.7MHz，最大频偏△ f m =10kH z,若调制信号的振幅不变，频率加倍，则此时调频波的频带宽度为 A．12kHz B ．24kHz 8．MC1596 集成模拟乘法器不可以用作（ A ．混频 B ．振幅调制9．某单频调制的普通调幅波的最大振幅为A．0.6 B．0.4 (B ) C．20kHz D ．40kHz D) C.调幅波的解调 D ．频率调制 10v，最小振幅为6v，则调幅系数m a为（C）C．0.25D．0.1 A ．1/3 B ．1/2 C．2 D．4
(一) 一、选择题（每小题2分、共30分）将一个正确选项前的字母填在括号内 1．在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R，可以（ C ）A．提高回路的Q值B．提高谐振频率C．加宽通频带D．减小通频带2．在自激振荡电路中，下列哪种说法是正确的（C）A．LC振荡器、RC振荡器一定产生正弦波B．石英晶体振荡器不能产生正弦波C．电感三点式振荡器产生的正弦波失真较大D．电容三点式振荡器的振荡频率做不高3．如图为某收音机的变频级，以下正确叙述是（ A ） A．电感三点式本机振荡电路 B．双回路调谐放大器取出中频信号 C．对接收信号构成共基放大电路 D．以上说法都不对 4．试用自激振荡的相位条件判别下图能产生自激振荡的电路（D） A B C D 5．功率放大电路根据以下哪种说法可分为甲类、甲乙类、乙类、丙类等（D ）A．电路特点B．功率放大倍数C．电流大小D．功放管静态工作点选择情况6．用万用表欧姆档测量小功率三极管的电极时，应该把欧姆档拨到（A）A．R×100或R×1k档B．R×1档C．R×10档D．R×10k档7．若载波u C(t)=U C cosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt，则调频波的表达式为（A ）A．u FM(t)=U C cos（ωC t＋m f sinΩt）B．u FM(t)=U C cos（ωC t＋m p cosΩt）C．u FM(t)=U C（1＋m p cosΩt）cosωC t D．u FM(t)=kUΩU C cosωC tcosΩt 8．MC1596集成模拟乘法器不可以用作（C ）A．振幅调制B．调幅波的解调C．频率调制D．混频 9．某超外差接收机的中频为465kHz，当接收931kHz的信号时，还收到1kHz的干扰信号，此干扰为（ A ）A．干扰哨声B．中频干扰 C．镜像干扰D．交调干扰 10．混频电路又称变频电路，在变频过程中以下正确叙述是（C）A．信号的频谱结构发生变化B．信号的调制类型发生变化
福建农林大学期末考试试卷（A）卷 2013 ——2014 学年第1 学期 课程名称：低频电子技术考试时间120分钟 专业年级班学号姓名 一、选择题（每小题1分，共10分） A的变1、某负反馈放大器3 10 A，由于外部因素影响，A的变化率为±10％，要求 f 化率±0.1％，则反馈系数F=（D）。 A．0.01 B．0.099 C．0.1 D．0.99 2、在长尾式差动放大电路中，两个放大管发射极公共电阻的主要作用是（D）。 A．提高差模输入电阻 B．提高差模电压放大倍数 C．提高共模电压放大倍数 D．提高共模抑制比 3、反映场效应管放大能力的一个重要参数是（D ） A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 4、双端输出的差分放大电路主要（D ）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性 5、典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（A ）。 A. 变大 B. 变小 C. 不变 D. 无法判断
6、差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（D ） A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强 7、负反馈放大电路以降低电路的（C ）来提高电路的其他性能指标。 A. 带宽 B. 稳定性 C. 增益 D. 输入电阻 8、为了使运放工作于线性状态，应（D ） A. 提高输入电阻 B. 提高电源电压 C. 降低输入电压 D. 引入深度负反馈 9、在正弦振荡电路中，能产生等幅振荡的幅度条件是（B ）。 A. àF=1 B. àF> C. àF<1 D. àF=1 10、振荡电路的振荡频率，通常是由（D ）决定 A. 放大倍数 B. 反馈系数 C. 稳定电路参数 D. 选频网络参数 二、填空题（每题2分，共20分） 结的基本特性是特性。 2．双极型晶体管（BJT）工作在放大区的偏置条件是。 3．射极跟随器具体、、等三个特性。 4．差分放大电路的基本功能是、。 5．在信号源内阻小，负载电阻大的场合，欲改善放大电路的性能，应采用反馈。6．为了消除基本共射极放大电路产生的饱和失真，应将静态工作电流。 7．乙类推挽放大电路主要失真是，要消除此失真，应改用。 8．如图所示电路中，反馈元件R7构成级间负反馈，其反馈类型为。
四川信息职业技术学院 《高频电子线路》模拟考试试卷四 班级姓名学号 一、填空题（每空1分，共14分） 1．放大电路直流通路和交流通路画法的要点是：画直流通路时，把视为开路； 画交流通路时，把视为短路。 2．晶体管正弦波振荡器产生自激振荡的相位条件是，振幅条件是。 3．调幅的就是用信号去控制，使载波的 随大小变化而变化。 4．小信号谐振放大器的主要特点是以作为放大器的交流负载，具有和功能。 5．谐振功率放大器的调制特性是指保持及不变的情况下，放大器的性能随变化，或随变化的特性。 二、选择题（每小题2分、共30分）将一个正确选项前的字 母填在括号内 1．二极管峰值包络检波器适用于哪种调幅波的解调（）A．单边带调幅波 B．抑制载波双边带调幅波 C．普通调幅波 D．残留边带调幅波 2．欲提高功率放大器的效率，应使放大器的工作状态为（）A．甲类 B．乙类 C．甲乙类 D．丙类 3．为提高振荡频率的稳定度，高频正弦波振荡器一般选用（）A．LC正弦波振荡器 B．晶体振荡器 C．RC正弦波振荡器
4．变容二极管调频器实现线性调频的条件是变容二极管的结电容变化指数γ为（） A．1/3 B．1/2 C．2 D．4 5．若载波u C(t)=U C cosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt，则调相波的表达式为（）A．u PM(t)=U C cos（ωC t＋m f sinΩt） B．u PM(t)=U C cos（ωC t＋m p cosΩt） C．u PM(t)=U C（1＋m p cosΩt）cosωC t D．u PM(t)=kUΩU C cosωC tcosΩt 6．某超外差接收机的中频为465kHz，当接收550kHz的信号时，还收到1480kHz 的干扰信号，此干扰为（） A．干扰哨声 B．中频干扰 C．镜像干扰 D．交调干扰 7．某调频波，其调制信号频率F＝1kHz，载波频率为10.7MHz，最大频偏Δf m ＝10kHz，若调制信号的振幅不变，频率加倍，则此时调频波的频带宽度为 （）A．12kHz B．24kHz C．20kHz D．40kHz 8．MC1596集成模拟乘法器不可以用作（）A．混频 B．振幅调制 C．调幅波的解调 D．频率调制 9．某单频调制的普通调幅波的最大振幅为10v，最小振幅为6v，则调幅系数m a为（） A．0.6 B．0.4 C．0.25 D．0.1 10．以下几种混频器电路中，输出信号频谱最纯净的是（） A．二极管混频器 B．三极管混频器 C．模拟乘法器混频器 11．某丙类谐振功率放大器工作在临界状态，若保持其它参数不变，将集电极直流电源电压增大，则放大器的工作状态将变为（） A．过压 B．弱过压 C．临界 D．欠压 12．鉴频的描述是（） A．调幅信号的解调 B．调频信号的解调 C．调相信号的解调 13．利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是（）A．f＝fs时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器 B．f＝fs时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器 C．fs ~ 学年第学期专业年级 高频电子线路课程期末考试题A卷 班级姓名学号 (一) 一、选择题（每小题2分、共30分）将一个正确选项前的字母填在括号内 1．在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R，可以（ C ）A．提高回路的Q值B．提高谐振频率C．加宽通频带D．减小通频带2．在自激振荡电路中，下列哪种说法是正确的（C）A．LC振荡器、RC振荡器一定产生正弦波B．石英晶体振荡器不能产生正弦波C．电感三点式振荡器产生的正弦波失真较大D．电容三点式振荡器的振荡频率做不高3．如图为某收音机的变频级，以下正确叙述是（ A ） A．电感三点式本机振荡电路 B．双回路调谐放大器取出中频信号 C．对接收信号构成共基放大电路 D．以上说法都不对 4．试用自激振荡的相位条件判别下图能产生自激振荡的电路（D） A B C D 5．功率放大电路根据以下哪种说法可分为甲类、甲乙类、乙类、丙类等（D ）A．电路特点B．功率放大倍数C．电流大小D．功放管静态工作点选择情况6．用万用表欧姆档测量小功率三极管的电极时，应该把欧姆档拨到（A）A．R×100或R×1k档B．R×1档C．R×10档D．R×10k档7．若载波u C(t)=U C cosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt，则调频波的表达式为（A ）A．u FM(t)=U C cos（ωC t＋m f sinΩt）B．u FM(t)=U C cos（ωC t＋m p cosΩt）C．u FM(t)=U C（1＋m p cosΩt）cosωC t D．u FM(t)=kUΩU C cosωC tcosΩt 8．MC1596集成模拟乘法器不可以用作（C ）A．振幅调制B．调幅波的解调C．频率调制D．混频 电子线路单元测试题（低频小信号部分） 根据湖北技能高考考纲命题 2017年秋 一判断题：（每题2分，共40分） 1.放大器放大信号的能量来源于交流信号强与弱。（） 2.放大电路的动态都是在静态的基础上叠加上一个交流信号。（） 3.既能放大电压，又能放大电流，是共集电极放大电路。（） 4. 共发射极放大电路既能放大电压，也能放大电流。（） 5.有人用直流电压表和电流表测量某工作于放大状态的晶体管的U BE=0.7V, IB=0.07mA,则可知晶体管B、E间的交流电阻r be=10KΩ。（） 6.放大倍数可以定义为输出量的瞬时值和输入量的瞬时值之比。（） 7.电压放大倍数小于1，输入电阻小，输出电阻大，为共射极输出电路。（） 8.三极管的β值,在任何电路中都是适当选取。（） 9.要使信号在整个周期内不发生非线性失真取决静态工作点的设置。（） 10.共发射极放大器集电极电阻Rc的作用是：防止输出的交流信号对地短路，把放大的电流转换成电压。（） 11.放大器采用分压式偏置电路，主要目的是为了提高输入电阻。（） 12.小信号交流放大器造成截止失真的原因是静态工作点选得过高，可以增大Rb 使Ib减小，从而使工作点下降到所需要的位置。（） 13. 放大器的输入电阻越小越好。（） 14. 放大器的输出电阻越大越好。（） 15. 对共集电极电路而言，输出信号和输入信号不同相。（） 16. 射极输出器输出信号和输入信号同相。（）17. 共发射极放大器的输出信号和输入信号反相。（） 18.对共基极电路而言，输出信号和输入信号同相。（） 19. 单级共发射极放大电路中，ui为正弦信号时，uo正半周出现削顶，表明放大器出现饱和失真。（） 20．单级共发射极放大电路中，ui为正弦信号时，uo正半周出现削顶，表明放大器出现截止失真。（） 二选择题：（每题3分，共60分） 1.单级共集电极放大电路中uo与ui相位相差（）。 A. 270° B.180° C. 90° D. 0° 2. 单级共发射极放大电路中uo与ui相位相差（）。 A. 270° B.90° C.0° D. 180° 3.在共发射极基本电路中，当用直流电压表测得U CE=0时，有可能是因为（）。 A.Rb短路 B. Rc短路 C. Rc开路 D. Rb开路 4.分压式偏置放大器用作音频放大器，Ucc=12V,现用万用表测得U CE=12V，说明（）。 A. Ui=0 B. 晶体管饱和 C. 发射结开路 D. Rc开路 5.为调整放大器的静态工作点，使之下移，就应该使Rb电阻值（）。 A. 不变 B. 减小 C. 增大 D. 不确定 6.在放大电路中，三极管因故由截止状态进入放大，此时三极管的集电极电位会（） A. 不变 B. 升高 C. 降低 D. 先升高，后降低 7. 当输入电压为正弦信号时，放大电路发生截止失真，则输出电压的波形将（）。 A. 不削波 B. 负半周削波 C. 正半周削波 D. 无法确定是正半周还是负半周削波 8. 单管共射极放大器输入正弦电压，用示波器观察到输出波形的负半周被削顶，说明静态工作点设置得（）。 A. 无法确定 B. 偏低 C. 偏高 高频电子线路（电子）试卷（期中） 一、填空题（共35分） 1．LC串联谐振回路中，当工作频率小于谐振频率时，回路呈容性，LC并联谐振回路中，当工作频率小于谐振频率时，回路呈感性（2分） 2. LC串联谐振回路中，当工作频率大于谐振频率时，回路呈感性，LC并联谐振回路中，当工作频率大于谐振频率时，回路呈容性。（2分） 3.衡量高频小信号放大器选择性的指标有矩形系数和抑制比。（2分） 4. 要观察调谐放大器的谐振曲线，需要的仪器是扫频仪。（1分） 5. 小信号调谐放大器的主要技术指标有增益、通频带、选择性、工作稳定性和噪声参数。（2分） 6. 单调谐放大器经过级联后电压增益增大、通频带变窄、选择性变好。（3分）7．丙类高频功率放大器空载时工作于临界状态，当加上10kΩ负载时，其电流 I c0和输出功率变化情况为I c0略有增大（基本不变），P o减小。（2分） 8. 发射机的中间级高频功率放大器，应工作于过压状态。因为过压状态输出电压平稳且弱过压时，效率最高。（2分） 9. 高频功率放大器的三种工作状态，分别为过压、临界、欠压。欲使功率放大器高效率地输出最大功率，应使放大器工作在临界状态；为了兼顾效率和功率，一般高频功率放大器的通角θ选为_700。（4分） 10. 发射机的末级高频功率放大器，应工作于临界状态，因为临界状态输出功率最大。（2分） 11. 丙类高频功率放大器原工作于临界状态，当其负载断开时，其电流I c0、I c1和功率变化情况为I c0减小，I cm1减小，P o减小。（3分）12．三端式振荡电路是LC正弦波振荡器的主要形式，可分为电容三端式和电感三端式两种基本类型。（2分） 13. 皮尔斯晶体振荡器中，石英晶体等效为电感元件。（1分） 1.下列说法错误的是（D）A）LC回路串联谐振时，电感L和电容C上的电压达到最大值且为输入信号电压的Q倍，故串联谐振也称为电压谐振。 B）LC回路并联谐振时，电感L和电容C上的电流达到最大值且为输入信号电流的Q 倍，故并联谐振也称为电流谐振。 C）LC谐振回路中储存的能量是不变的，只是在线圈与电容器之间相互转换。D）LC谐振回路中外加电动势提供回路电阻和电抗所消耗的能量。 2.当LC谐振回路谐振时的感抗或容抗，称之为特性阻抗。用（A）表示。 B)Q C)B D)ξ 3.回路谐振时整个回路的阻抗（C）。 A)呈感性 B)呈容性 C)呈纯阻性 D)为失谐时的Q倍 4.高频小信号谐振放大器不稳定的主要原因是（C）。 A)增益太大 B)通频带太宽 C)晶体管集电极电容Cb’c的反馈作用 D)谐振曲线太尖锐 5.常用集电极电流半流通角θ的大小来划分功放的工作类别，丙类功放（D）。 A）θ=180 B）90<θ<180 C）θ=90 D）θ<90 6.高频谐振功率放大器原工作于临界状态，如果其它条件不变，供电电压Vcc增大时，放大器的工作状态为（B）。 A）临界状态 B）欠压状态 C）过压状态 D）甲类状态 7.工作在过压工作状态的丙类谐振功率放大器，当输入电压波形是余弦信号时，集电极输出电流波形是（D）。 A)正弦波 B)余弦波 C)尖顶余弦脉冲 D)凹顶余弦脉冲 输入一个余弦信号到高频功放电路，工作状态为丙类过压，输出集电极电流为（D）。 A)余弦信号B)正弦信号C)尖顶余弦脉冲D)凹顶余弦脉冲 8.满足三端式振荡器相位条件的晶体管各电极连接原则是（A）。 A)射同余异 B)射异余同 C)集同余异 D)基同余异 9.若调制信号的频率是从300HZ~3000HZ，那么，普通调幅时，调幅电路中带通滤波器的通频带的通频带宽至少应为（D）。(最高频率的2倍) A)3000HZ (1)在半导体内部，只有电子是载流子。 (2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 (3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。 (4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 (5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。 (6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。 (7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。 (8)在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。 (9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v= A v1+A v2。 (10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。 (1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。 A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 (2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。 A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c (3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。 A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡 (4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。 A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关 (5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I C将( )。 A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G (6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。 A．同相位 B．相位差90° C．相位差180° (7)NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管( )。 A．基极电流不变； B．集电极对发射极电压V CE下降； C．集电极对发射极电压V CE上升 (8)当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将( )。 A．增大 B．反向 C．中断 （9）在基本放大电路中，基极电阻R B的作用是( )。 A．放大电流 B．调节偏置电流I BQ C．把放大了的电流转换成电压； D．防止输入信导被短路。 （10）三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是（）。 A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 三．填充题（2’×10） (1)晶体三极管I E、I B、I C之间的关系式是__________________，△I C／△I B的比值叫____________________。 (2)PN结具有____________________性能，即：加____________________电压时PN结导通；加_______________电压时PN结截止。 (3)当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为_________V，锗二极管的正向压降为__________V。 (4)NPN型晶体三极管的发射区是____________型半导体，集电区是____________型半导体，基区是____________型半导体。 (5)晶体二极管因所加_______________________电压过大而__________________，并且出现__________________的现象，称为热击穿。 (6)某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位V C≈V G，则该放大器的三极管处于________________________工作状态。 (7)晶体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管_____________，所以热稳定性____________三极管较好。 ( 一) 一、选择题（每小题 2 分、共 30 分）将一个正确选项前的字母填在括号内 1．在调谐放大器的 LC 回路两端并上一个电阻 R ，可以 （ C ） A ．提高回路的 Q 值 B ．提高谐振频率 C ．加宽通频带 D ．减小通频带 2．在自激振荡电路中，下列哪种说法是正确的 （ C ） A ．LC 振荡器、 RC 振荡器一定产生正弦波 B ．石英晶体振荡器不能产生正弦波 C ．电感三点式振荡器产生的正弦波失真较大 D ．电容三点式振荡器的振荡频率做不高 3．如图为某收音机的变频级，以下正确叙述是 （ A ） A ．电感三点式本机振荡电路 B ．双回路调谐放大器取出中频信号 C ．对接收信号构成共基放大电路 D ．以上说法都不对 4．试用自激振荡的相位条件判别下图能产生自激振荡的电路 （ D ） A B C D 5．功率放大电路根据以下哪种说法可分为甲类、甲乙类、乙类、丙类等 （ D ） A ．电路特点 B ．功率放大倍数 C ．电流大小 D ．功放管静态工作点选择情况 6．用万用表欧姆档测量小功率三极管的电极时，应该把欧姆档拨到 （ A ） A ．R × 100 或 R × 1k 档 B ．R ×1 档 C ．R ×10 档 D ． R × 10k 档 7．若载波 u (t)=U cos ωt, 调制信号 u (t)= U Ω cos Ωt ，则调频波的表达式为 （ A ） C C C Ω FM (t)=U C cos （ωC t ＋m f sin Ωt ） B ． u FM (t)=U C cos （ ωC t ＋m p cos Ωt ） A ．u D ． u (t)=kU U C cos ωtcos Ωt FM (t)=U C （1＋mcos Ωt ）cos ωt C ．u p C FM Ω C 8． MC1596 集成模拟乘法器不可以用作 （ C ） A ．振幅调制 B ．调幅波的解调 C ．频率调制 D ．混频 9． 465kHz ，当接收 931kHz 的信号时， 还收到 1kHz 的干扰信号， 某超外差接收机的中频为 此干扰为 （ A ） A ．干扰哨声 B ．中频干扰 C ．镜像干扰 D ．交调干扰 10．混频电路又称变频电路，在变频过程中以下正确叙述是 （ C ） A ．信号的频谱结构发生变化 B ．信号的调制类型发生变化 高频电子电路第一章 (一)填空题 1、语音信号的频率范围为，图象信号的频率范围为，音频信号的频率范围为。 （答案：300~3400Hz；0~6MHz；20Hz~20kHz） 2、无线电发送设备中常用的高频电路有、、 、。 （答案：振荡器、调制电路、高频放大器、高频功率放大器） 3、无线电接收设备中常用的高频电路有、、 、。 （答案：高频放大器、解调器、混频器；振荡器） 4、通信系统的组成：、、、、。 （答案：信号源、发送设备、传输信道、接收设备、终端） 5、在接收设备中，检波器的作用是。 （答案：还原调制信号） 6、有线通信的传输信道是，无线通信的传输信道是。 （答案：电缆；自由空间） 7、调制是用音频信号控制载波的、、。 （答案：振幅；频率；相位） 8、无线电波传播速度固定不变，频率越高，波长；频率；波长越长。（答案：越短；越低） （二）选择题 1、下列表达式正确的是。 A）低频信号可直接从天线有效地辐射。 B）低频信号必须转载到高频信号上才能从天线有效地辐射。 C）高频信号及低频信号都不能从天线上有效地辐射。 D）高频信号及低频信号都能从天线上有效地辐射。 （答案：B） 2、为了有效地发射电磁波，天线尺寸必须与相比拟。 A）辐射信号的波长。B）辐射信号的频率。 C）辐射信号的振幅。D）辐射信号的相位。 （答案：A） 3、电视、调频广播和移动通信均属通信。 A）超短波B）短波C）中波D）微波 （答案：A） （三）问答题 1、画出通信系统的一般模型框图。 2、画出用正弦波进行调幅时已调波的波形。 3、画出用方波进行调幅时已调波的波形。 第二章《高频小信号放大器》 （一）填空题 1、LC选频网络的作用是。 （答案：从输入信号中选出有用频率的信号抑制干扰的频率的信号） 2、LC选频网络的电路形式是。 （答案：串联回路和并联回路） 3、在接收机的输入回路中，靠改变进行选台。 （答案：可变电容器电容量） 4、单位谐振曲线指。 （答案：任意频率下的回路电流I与谐振时回路电流I0之比） 5、LC串联谐振电路Q值下降，单位谐振曲线，回路选择性。 （答案：平坦；差） 6、通频带BW0.7是指。 （答案：单位谐振曲线≥所对应的频率范围） 7、LC串联谐振回路Q值下降，频带，选择性。 （答案：增宽；变差） 8、距形系数K r 0.1定义为单位谐振曲线f值下降到时的频带范围与通频带之比。 （答案：0.1） 9、理想谐振回路K r 0.1，实际回路中K r 0.1，其值越越好。 （答案：等于1；大于1；小） 10、LC并联谐振回路谐振时，阻抗为。 （答案：最大且为纯电阻） 11、LC并联谐振回路，当f=f0即谐振时回路阻抗最且为，失谐时阻抗变，当f 实验报告 实验课程：低频电子线路实验 学生姓名：付容 学号：6100212236 专业班级：电气信息I类126班 2013年12月26日 目录 实验一、仪器放大器设计与仿真 (3) 实验二、逻辑电平信号检测电路设计与仿真 (8) 实验三、三极管β值分选电路设计与仿真 (13) 实验四、宽带放大电路设计与仿真 (22) 南昌大学实验报告 学生姓名： 付容 学 号： 6100212236 专业班级：电一126班 实验类型：□ 验证 ■ 综合 □ 设计 □ 创新 实验日期： 2013.12 实验成绩： 实验一 仪器放大器设计与仿真 一、实验目的 1、 掌握仪器放大器的设计方法 2、 理解仪器放大器对共模信号的抑制能力 3、 熟悉仪器放大器的调试功能 4、 掌握虚拟仪器库中关于测试模拟电路仪器的使用方法，如示波器，毫伏表信号发生器等虚拟仪器的使用 二、实验原理 仪器放大器是用来放大差值信号的高精度放大器，它具有很大的共模抑制 比，极高的输入电阻，且其增益能在大范围内可调。 下图是由三个集成运放构成的仪器放大器电路。其中，集成运放U3组成减法电路，即差值放大器，集成运放U1和U2各对其相应的信号源组成对称的同相放大器，且 。 图中所示是有三个运放构成的仪器放大器。其中，集成运放U3组成差值方法器，集成运放U 1和U4组成对称的同相放大器，且R 1=R 2，R 3=R 5，R 4=R 6。由于v -错误！未找到引用源。v +，因而加在RG （即R1)两端的电压为错误！未找到引用源。，相应通过RG 的电流i G =错误！未找到引用源。，由于i -错误！未找到引用源。0，因而 一、填空题 1、_信源_____就是信息的来源。 2、电信系统中规定的语音信号频率范围是从_300_____Hz 到__3.4K____Hz 。 3、___信道___是连接发送、接收两端的信息的通道，也称为传输媒质。 4、通信系统中应用的信道分为__有线____信道和无线信道两种。 5、常用的有线信道传输媒质有_架空明线_____、__光缆____和__同轴电缆____。 6、无线电波传播的方式有___沿地面________传播，也称___中长波___波；__沿空间__传播也称___超短波___波；____电离层________传播，称为__短波____波。 7、为了有效地发射和接收电磁波，天线的尺寸必须与电磁波的_波长_____相比拟。 8、现代通信系统中一般不采用将信号直接传输的工作方式，而是要对信号进行__调制____后再送入信道传输。 9、小信号选频放大器的矩形系数越___接近1___越好。 10、小信号谐振放大器应当设法__减小____负载和信号源内阻对谐振回路的影响。 11、小信号谐振放大器中的变压器采用抽头接入，是为了减少__负载____和_____信号源内阻_______对谐振回路的影响。 12、采用___共射-共基_____电路是解决小信号谐振放大器稳定性问题的有效方法。 13、_声表面波_____滤波器的优点有：体积小、工作稳定、无需调试等。 14、常用的固体（态）滤波器有：___声表面_________、____陶瓷________和_____石英_______。 15、常用晶体管的高频等效电路有___Y 参数___等效电路和__混合π参数____等效电路。 16、影响晶体管高频性能的主要因素是它的内部存在__结电容____。 17、晶体管的一个重要高频参数是它的___特征___频率T f ，它是晶体管的β下降为__1____时的工作频率。晶体管的结电容越___小___，其T f 参数越大。 18、LC 串联谐振回路谐振发生时，呈现___很小___的阻抗；电容上的谐振电压___大___于输入电压，是输入电压的Q 倍。因此串联谐振也叫电__压____谐振。 19、LC 并联谐振回路谐振发生时，呈现__很大____的阻抗；流过电容的谐振电流___大于___于输入电流，是输入电流的Q 倍。因此并联谐振也叫电___流___谐振。 20、LC 谐振回路的Q 值与电感器的寄生电阻r 大小有关，r 越小Q 值越__大____。 21、LC 谐振回路的通频带计算公式为___ 7.0BW =_f0/Q________。 22、单LC 谐振回路的矩形系数≈=7 .01.01.0BW BW K ___10____。 高频电子线路试题库 一、单项选择题（每题2分，共20分） 第二章选频网络 1、LC串联电路处于谐振时，阻抗（ B ）。 A、最大 B、最小 C、不确定 2、LC并联谐振电路中，当工作频率大于、小于、等于谐振频率时，阻抗分别呈（ B ）。 A、感性容性阻性 B、容性感性阻性 C、阻性感性容性 D、感性阻性容性 3、在LC并联电路两端并联上电阻，下列说法错误的是（ D ） A、改变了电路的谐振频率 B、改变了回路的品质因数 C、改变了通频带的大小 D、没有任何改变 第三章高频小信号放大器 1、在电路参数相同的情况下，双调谐回路放大器的通频带与单调谐回路放大器的通频带相比较A A、增大?B减小?C 相同? D无法比较 2、三级相同的放大器级联，总增益为60dB，则每级的放大倍数为（ D ）。 A、10dB B、20 C、20 dB D、10 3、高频小信号谐振放大器不稳定的主要原因是（C ） （A）增益太大（B）通频带太宽（C）晶体管集电结电容C b’c的反馈作用（D）谐振曲线太尖锐。第四章非线性电路、时变参量电路和混频器 1、通常超外差收音机的中频为（ A ） （A）465KH Z （B）75KH Z （C）1605KH Z （D）10.7MH Z 2、接收机接收频率为f c，f L＞f c，f I为中频频率，则镜象干扰频率为（ C ） （A）f c＞f I （B）f L+f c （C）f c+2f I（D）f c+f I 3、设混频器的f L >f C，即f L =f C+f I ，若有干扰信号f n=f L+f I，则可能产生的干扰称为（ D ）。 （A）交调干扰（B）互调干扰（C）中频干扰（D）镜像干扰 4、乘法器的作用很多，下列中不属于其作用的是（ D ） A、调幅 B、检波 C、变频 D、调频 5、混频时取出中频信号的滤波器应采用（ A ） （A）带通滤波器（B）低通滤波器（C）高通滤波器（D）带阻滤波器 6、频谱线性搬移电路的关键部件是（ B ） （A）相加器（B）乘法器（C）倍频器（D）减法器 7、在低电平调幅、小信号检波和混频中，非线性器件的较好特性是（ C ） A、i=b0+b1u+b2u2+b3u3 B、i=b0+b1u+b3u3 C、i=b2u2 D、i=b3u3 8、我国调频收音机的中频为（ D ） （A）465KH Z （B）455KH Z （C）75KH Z （D）10.7MH Z 9、在混频器的干扰中，组合副波道干扰是由于----------- 造成的。（A ） （A）有用信号与本振信号的组合（B）有用信号与干扰信号同时作用 （C）两个或多个干扰信号同时作用（D）外来干扰信号与本振信号的组合 第五章高频功率放大器 1、常用集电极电流流通角?的大小来划分功放的工作类别，丙类功放（ D ）。（说明：?为半导通角） （A）? = 180O （B）90O???180O （C）? =90 O （D）??90O 2、谐振功率放大器与调谐放大器的区别是（ C ） A、前者比后者电源电压高 B、前者比后者失真小 C、谐振功率放大器工作在丙类，调谐放大器工作在甲类 D、谐振功率放大器输入信号小，调谐放大器输入信号大 3、已知某高频功率放大器原工作在临界状态，当改变电源电压时，管子发热严重，说明功放管进入了A高频电子线路复习题(含答案)
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