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实验10 集成稳压器

实验10  集成稳压器
实验10  集成稳压器

实验10 集成稳压器

一、实验目的

1、研究单相桥式整流、电容滤波电路的特性。

2、了解集成三端稳压器的特性和使用方法。

3、掌握集成稳压器主要性能指标的测试方法。 二、实验预习与仿真 1、实验预习

(1)复习《电子技术基础》(模电部分)中集成稳压电路的有关内容。 (2)了解相关章节的整流、滤波等内容。 (3)了解集成稳压器7812的主要技术参数。 (4)设计实验思路及自拟实验数据表。 2、实验仿真

在Multisim10中绘制实验电路图3-9-1,变压器输出16v ,用示波器观察桥式整流后的输出波形,用电压表的直流与交流分别测量输出。

图3-9-1桥式整流线路

图3-9-2桥式整流波形 图3-9-3输入电压

图3-9-4输出直流测量 图3-9-5输出交流测量

在Multisim10中绘制实验电路图3-9-6,变压器输出16v ,观察加入滤波电容后的输出波形与输出交流、直流测量的电压,分别观察滤波电容100μ和470μ的情况。

图3-9-6桥式整流和电容滤波线路

图3-9-7桥式整流和电容滤波输出波形(电容容量100μ)

图3-9-8滤波电容100μ时 图3-9-9滤波电容100μ时

输出直流 输出交流

图3-9-10桥式整流和电容滤波输出波形(电容容量470μ)

图3-9-11滤波电容470μ时 图3-9-12滤波电容470μ时

输出直流 输出交流

在Multisim10中绘制实验电路图3-9-13,变压器输出16v ,观察加入集成稳压7812后输出波形及交、直流电压。

图3-9-13集成稳压电源

图3-9-14集成稳压电源输出波形

图3-9-15集成稳压电源输出交、直流电压

三、实验原理与参考电路

直流稳压电源几乎是所有电子设备不可缺少的。它由变压器、整流器、滤波器和稳压器四部分组成。稳压器只是直流稳压电源的一部分。

图 3-9-16直流稳压电源组成

图3-9-17单相桥式整流电路 图3-9-18 单相桥式整流波形

1、整流

单相桥式整流电路是最基本的整流器,在分析整流电路工作原理时,整流电路中的二极管是作为开关运用,具有单向导电性。根据图3-9-17电路图可知:当正半周时二极管D1、D3导通,在负载电阻上得到正弦波的正半周。当负半周时二极管D2、D4导通,在负载电阻上得到正弦波仍是正半周。

流过负载的平均电流为: 2、滤波

滤波电路利用电抗性元件对交、直流阻抗的不同,实现滤波。电容器C 对直流开路,对交流阻抗小,所以C 应该并联在负载两端。电感器L 对直流阻抗小,对交流阻抗大,因此L 应与负载串联。经过滤波电路后,既可保留直流分量、又可滤掉一部分交流分量,改变了交直流成分的比例,减小了电路的脉动系数,改善了直流电压的质量。

电容滤波电路在负载电阻上并联了一个滤波电容C 。若电路处于正半周,二极管D1、D3导通,变压器次端电压v2给电容器C 充电。此时C 相当于并联在v2

上,所以输出波形同

2202

L O 9.0π

22d sin 2π1V V t t V V V ====?ωωπL

2

L 2L 9.0π22R V R V I ==

v2 ,是正弦形。在刚过90°时,正弦曲线下降的速率很慢。所以刚过90°时二极管仍然导通。在超过90°后的某个点,正弦曲线下降的速率越来越快,当刚超过指数曲线起始放电速率时,二极管关断。所以,在t1到t2时刻,二极管导电,C充电,vC=vL 按正弦规律变化;t2到t3时刻二极管关断,vC=vL按指数曲线下降,放电时间常数为RLC。这就是电容滤波过程。

图3-9-19 滤波波形

3、稳压

由分立元件构成的稳压器几乎被淘汰,取而代之的是应用广泛的集成稳压器。集成稳压器具有性能指标高,使用、组装十分方便等特点。其型号较多,如μA7800系列是美国仙童公司生产的,LM7800系列是美国国家半导体公司生产的。我国生产的型号为CW7800系列。该系列的后两位数字代表固定稳压输出值,如7812表示稳压输出为+12V;7900系列是负输出稳压器,如7912表示稳压输出为—12V。

(1)7800系列三端固定正输出稳压器

7800系列的集成稳压器广泛应用于各种整机或电路板电源上。其稳定输出电压从+5~+24有七个档次;加装散热器后输出额定电流可达1.5A。稳压器内部具有过流、过热和安全工作区保护电路,一般不会因过载而损坏。如果外部接少量元件还可构成可调式稳压器和恒流源。7800系列集成稳压器的外形图及外引线排列见图3-9-20。其典型应用电路见图3-9-21。

(a ) (b )

图3-9-20 7800系列集成稳压器外形及其外引线排列 (a )塑料直插式 (b )金属菱形封装式

图3-9-21 7800系列稳压器典型应用电路

图3-9-21所示电路中,C2用于抑制过压和纹波;C4用于改善负载瞬态响应。为保证稳压器能正常工作,对输入直流电压也有所要求,一般输入直流电压应比输出直流电压高出2~3V ,不宜高出太多,高出太多使稳压器功耗过大,已损坏稳压器。

(2)7900系列三端固定负输出稳压器

7900系列的稳压器与7800系列基本相同,只是输出的电流较小,加装散热器后,输出额定电流只能达到500mA 左右。7900系列集成稳压器的外形及引线排列见图3-9-21。

(a )

图3-9-22 7900系列集成稳压器外形及外引线排列

(a) 塑封直插 (b) 金属菱形封装

4、稳压器的主要参数及测试方法

1 2

3

1 2

3

(1)稳压系数

当输出电流不变(且负载为确定值)时,输入电压变化将引起输出电压变化,则输出电压相对变化量与输入电压相对变化量之比,定义为稳定系数,用V S 表示

S

V

=V V V V I

I O O //?? 0=?I

L

测量时,如选用直流数字电压表,可直接测出当输入电压I V 增加或减少10%时,其相应的输出电压o V 、1o V 、2o V ,求出1o V 、2o V ,并将其中数值较大的o V ?代入V S 表达式中。显然,V S 愈小,稳压效果愈好。 (2)输出电阻o R

输入电压不变,当负载变化是输出电流增加或减小,会引起输出电压发生很小变化,则输出电压变化量与输出电流变化量之比,定义为稳压电源的输出电阻,用o R 表示。

L

o

o I V R ??=

,式中 min L L L I I I -?=?(max L I 为稳定器额定输出电流,min L I =0) 测量时,令i V =常数,用直接测量法(或差值法)分别测出min L I 时的1o V 和min L I =0时的2o V ,求出o V ?,即可算出o R 。 (3)纹波电压

纹波电压是指输出电压交流分量有效值,一般为毫伏数量级。测量时,保持输出电压o V 和输出电流L I 为额定值,用交流电压表直接测量即可。 四、实验内容

1、 整流滤波电路测试

按图3-9-23 连接实验电路。取可调工频电源电压为17V , 作为整流电路输入电压u 2。

图3-9-23 整流滤波电路

(1)取R L=240Ω,不加滤波电容,测量直流输出电压U L及纹波电压L,并用示波器观察u2和u L波形,记入表3-10-1 。

(2)取R L=240Ω,C=1000μf ,重复内容1)的要求,记入表3-10-1。

(3)取R L=120Ω,C=470μf ,重复内容1)的要求,记入表3-10-1。

表3-10-1 U2=17V

L(V)

在此实验中要注意两点:

(1)每次改接电路时,必须切断工频电源。

(2)在观察输出电压u L波形的过程中,“Y 轴灵敏度”旋钮位置调好以后,不要再变动,否则将无法比较各波形的脉动情况。

S。

2、用差值法测试图3-9-23稳压器的稳压系数

V

具体方法改变变压器输入电压,得出稳压模块的不同输入电压与输出电压,记录表格并计算。R L=240Ω

R。

3、测试输出电阻

o

R。

改变负载,得出不同的输出电压与电流,计算输出电阻

o

4、测试纹波电压值。

五、实验总结与分析

1、记录测试条件和测试结果。

2、分析、整理实验结果,对集成稳压器的性能给与评价。

六、注意事项

虽然集成稳压器的内部有很好的保护电路,但在实际使用中仍会因为使用不当而损坏。故应特别注意以下几点:

1、输入、输入不能接反,若反接电压超过7V,将会损坏稳压管。

2、输入端不能短路,故应在输入、输出端接一个保护二极管。

3、防止浮地故障。由于三端稳压器的外壳为公共端,当它装在设备底板或外机箱上时,迎接上可靠的公共连接线。

模拟电子电路课程设计正弦波三角波方波函数发生器样本

课程设计任务书 学生姓名: 专业班级: 指导教师: 工作单位: 题目: 正弦波-三角波-方波函数发生器 初始条件: 具备模拟电子电路的理论知识; 具备模拟电路基本电路的设计能力; 具备模拟电路的基本调试手段; 自选相关电子器件; 能够使用实验室仪器调试。 要求完成的主要任务: ( 包括课程设计工作量及其技术要求, 以及说明书撰写等具体要求) 1、频率范围三段: 10~100Hz, 100 Hz~1KHz, 1 KHz~10 KHz; 2、正弦波Uopp≈3V, 三角波Uopp≈5V, 方波Uopp≈14V; 3、幅度连续可调, 线性失真小; 4、安装调试并完成符合学校要求的设计说明书 时间安排: 一周, 其中3天硬件设计, 2天硬件调试 指导教师签名: 年月日 系主任( 或责任教师) 签名: 年月日

目录 1.综述...........................................................1 1.1信号发生器概论...................................................1 1.2 Multisim简介....................................................2 1.3集成运放lm324简介...............................................3 2.方案设计与论证...............................................4 2.1方案一...................................................4 2.2方案二..................................................4 2.3方案三..................................................5 3.单元电路设计..............................................6

集成稳压器

实验十七 集成稳压器 实验目的: 电工2班 1.了解集成稳压器的特性和使用方法。 王婉婷 2.掌握直流稳压电源主要参数测试方法。 2009118050 实验仪器: 示波器 数字万用表 直流电源 实验原理: 采用集成工艺,将调整管、基准电压、取样电路、误差放大和保护电路等集成在一块芯片上,就够成了集成稳压电源。如图A 所示的外引角图(本实验中所用的芯片LM7805CT )。 1、三端固定输出集成稳压器 此类稳压器有三个引出端:输入端、输出端和公共端。根据其输出电压极性可分为固定正输出集成稳压器(W78系列)和固定负输出集成稳压器(W79系列)。根据输出电流的大小又可分为W78XX 型(表示输出电流为1.5A )、W78MXX 型(表示输出电流为0.5A )和CW78LXX 型(表示输出电流为0.1A )。后面两位数字XX 表示输出电压的数值,一般有5V 、6V 、9V 、12V 、15V 、18V 、24V ,固定负输出集成稳压器相应也有W79XX 、W79MXX 和W79LXX 型。利用固定输出集成稳压器可组成各种应用电路,W78XX 型集成稳压器的基本应用电路如图B 所示。对三端固定输出集成稳压器,其输入电压选取 原则为: min Im ()O I O I ax U U U U U +-<< 式中,O U ----------集成稳压器的固定输出电压值。 Im ax U -----------集成稳压器规定的最大允许输入电压值。 min ()I O U U ------------集成稳压器规定允许的最小输入电压差,一般为2V 。 如果只有固定输出稳压器,又希望输出电压扩大或可调,可采用图C 所示电路来完成。电路中的C1、C2为频率补偿电容,防止自激振荡。

APD光电二极管特性测试实验

APD光电二极管特性测试实验 一、实验目的 1、学习掌握APD光电二极管的工作原理 2、学习掌握APD光电二极管的基本特性 3、掌握APD光电二极管特性测试方法 4、了解APD光电二极管的基本应用 二、实验内容 1、APD光电二极管暗电流测试实验 2、APD光电二极管光电流测试实验 3、APD光电二极管伏安特性测试实验 4、APD光电二极管雪崩电压测试实验 5、APD光电二极管光电特性测试实验 6、APD光电二极管时间响应特性测试实验 7、APD光电二极管光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、光电探测综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光照度计 1台 4、光敏电阻及封装组件 1套 5、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 6、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 9、示波器 1台 四、实验原理 雪崩光电二极管APD—Avalanche Photodiode是具有内部增益的光检测器,它可以用来检测微弱光信号并获得较大的输出光电流。 雪崩光电二极管能够获得内部增益是基于碰撞电离效应。当PN结上加高的反偏压时,耗尽层的电场很强,光生载流子经过时就会被电场加速,当电场强度足够高(约3x105V/cm)时,光生载流子获得很大的动能,它们在高速运动中与半导体晶格碰撞,使晶体中的原子电离,从而激发出新的电子一空穴对,这种现象称为碰撞电离。碰撞电离产生的电子一空穴对在强电场作用下同样又被加速,重复前一过程,这样多次碰撞电离的结果使载流子迅速增加,电流也迅速增大,这个物理过程称为雪崩倍增效应。 图6-1为APD的一种结构。外侧与电极接触的P区和N区都进行了重掺杂,分别以P+和N+表示;在I区和N+区中间是宽度较窄的另一层P区。APD工作在大的反偏压下,当反偏压加大到某一值后,耗尽层从N+-P结区一直扩展(或称拉通)到P+区,包括了中间的P层区和I区。图4的结构为拉通型APD的结构。从图中可以看到,电场在I区分布较弱,而在N+-P区分布较强,碰撞电离区即雪崩区就在N+-P区。尽管I区的电场比N+-P区低得多,但也足够高(可达2x104V/cm),可以保证载流子达到饱和漂移速度。当入射光照射时,由于雪

基于LM324的方波、三角波、正弦波发生器(含原理图)..

课程设计(论文)说明书 题目:方波、三角波、正弦波发生器院(系): 专业: 学生姓名: 学号: 指导教师: 职称: 2012年12 月 5 日

摘要 本文通过介绍一种电路的连接,实现函数发生器的基本功能。将其接入电源,并通过在显示器上观察波形及数据,得到结果。 电压比较器实现方波的输出,又连接积分器得到三角波,并通过差分放大器电路得到正弦波,得到想要的信号。 NI Multisim 软件结合了直观的捕捉和功能强大的仿真,能过快速、轻松、高效地对电路进行设计和验证。凭借NI Multisim ,你可以立即创建具有完整组件库的电路图,并利用0工业标准SPICE模拟器模仿电路行为。本设计就是利用Multisim软件进行电路图的绘制并进行仿真。 关键词:电源、波形、比较器、积分器、Multisim Abstract This paper introduces a circuit connection, to achieve the basic functions of function generator. Their access to power, and through the display of waveform and data, and get the result. A voltage comparator to achieve a square wave output, in turn connected integrator triangle wave, and through the triangle wave - sine wave conversion circuit to see the sine wave, the desired signal. NI Multisim software combines intuitive capture and powerful simulation, an quickly, easily, efficiently for circuit design and verification. With NI Multisim, you can immediately create a complete component library circuitdiagram, and the use of 0 industry standard SPICE simulator to mimic circuit behavior. This design is the use of Multisim software in circuit diagram and carry out simulation Key words: power, waveform, comparator, an integrator, a converter circuit, Multisim

光电效应实验报告

用光电效应测普朗克常数 【实验简介】 光电效应是物理学中一个重要而神奇的现象。在高于某特定频率的电磁波照射下,某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流,即光生电。光电现象由德国物理学家赫兹于1887年发现,而正确的解释为爱因斯坦所提出。科学家们在研究光电效应的过程中,物理学者对光子的量子性质有了更加深入的了解,这对波粒二象性概念的提出有重大影响。 普朗克常数记为h,是一个物理常数,用以描述量子大小,约为62619 .6。在量子力学中占有重要的角色,马克斯?普朗克在1900年研10 ?-34 s J? 究物体热辐射的规律时发现,只有假定电磁波的发射和吸收不是连续的,而是一份一份地进行的,计算的结果才能和试验结果是相符。这样的一份能量叫做能量子,每一份能量子等于,为辐射电磁波的频率。普朗克常数是自然科学中一个很重要的常量,它可以用光电效应简单而又准确地测量。 【实验目的】 1、通过实验深刻理解爱因斯坦的光电效应理论,了解光电效应的基本规律; 2、掌握用光电管进行光电效应研究的方法; 3、学习对光电管伏安特性曲线的处理方法,并用以测定普朗克常数。 【实验仪器】 GD-4型智能光电效应(普朗克常数)实验仪(由光电检测装置和实验仪主机两部分组成)光电检测装置包括:光电管暗箱GDX-1,高压汞灯箱GDX-2;高压汞灯电源GDX-3和实验基准平台GDX-4。实验主机为:GD-4型光电效应(普朗克常数)实验仪,该仪器包含有微电流放大器和扫描电压源发生器两部分组成的整体仪器。

【实验原理】 1、普朗克常数的测定 根据爱因斯坦的光电效应方程: P s E hv W =- (1) (其中:P E 是电子的动能,hv 是光子的能量,v 是光的频率,s W 是逸出功, h 是普朗克常量。)s W 是材料本身的属性,所以对于同一种材料s W 是一样的。当光子的能量s hv W <时不能产生光电子,即存在一个产生光电效应的截止频率0v (0/s v W h =)。实验中:将A 和K 间加上反向电压KA U (A 接负极),它对光电子运动起减速作用.随着反向电压KA U 的增加,到达阳极的光电子的数目相应减少,光电流减小。当KA s U U =时,光电流降为零,此时光电子的初动能全部用于克服反向电场的作用。即: s P eU E = (2) 这时的反向电压叫截止电压。入射光频率不同时,截止电压也不同。将(2)式代入(1)式,得: 0s h U v v e =-() (3) (其中0/s v W h =)式中h e 、都是常量,对同一光电管0v 也是常量,实验中测量不同频率下的s U ,做出s U v -曲线。在(3)式得到满足的条件下,这是一条直线。若电子电荷e 已知,由斜率h k e = 可以求出普朗克常数h 。由直线上的截距可以求出溢出功s W ,由直线在v 轴上的截距可以求出截止频率0v 。如图(2)所示。 2、测量光电管的伏安特性曲线 在照射光的强度一定的情况下,光电管中的电流I 与光电管两端的电压AK U 之间存在着一定的关系。 理想曲线与实验曲线有所不同,原因有: ①光电管的阴极采用逸出电势低的材料制 成,这种材料即使在高真空中也有易氧化的趋向,使阴极表面各处的逸出电势不尽相等,同时,逸出具有最大动能的光电子数目大为减少。随着反向电压的增高, 光电流不是陡然截止,而是较快降低后平缓的趋近零点。

集成稳压器

实验三直流稳压电源 ─集成稳压器 一、实验目的 1、研究集成稳压器的特点和性能指标的测试方法。 2、了解集成稳压器扩展性能的方法。 二、实验原理 电子设备一般都需要直流电源供电。这些直流电除了少数直接利用干电池和直流发电机外,大多数是采用把交流电(市电)转变为直流电的直流稳压电源。 图3-1 直流稳压电源框图 随着半导体工艺的发展,稳压电路也制成了集成器件。由于集成稳压器具有体积小,外接线路简单、使用方便、工作可靠和通用性等优点,因此在各种电子设备中应用十分普遍,基本上取代了由分立元件构成的稳压电路。集成稳压器的种类很多,应根据设备对直流电源的要求来进行选择。对于大多数电子仪器、设备和电子电路来说,通常是选用串联线性集成稳压器。而在这种类型的器件中,又以三端式稳压器应用最为广泛。 W7800、W7900系列三端式集成稳压器的输出电压是固定的,在使用中不能进行调整。W7800系列三端式稳压器输出正极性电压,一般有5V、6V、9V、12V、15V、18V 、24V 七个档次,输出电流最大可达1.5A(加散热片)。同类型78M系列稳压器的输出电流为0.5A,78L系列稳压器的输出电流为0.1A。若要求负极性输出电压,则可选用W7900 系列稳压器。图3-2 为 W7800系列的外形和接线图。 它有三个引出端

输入端(不稳定电压输入端)标以“1” 输出端(稳定电压输出端)标以“3” 公共端标以“2” 除固定输出三端稳压器外,尚有可调式三端稳压器,后者可通过外接元件对输出电压进行调整,以适应不同的需要。 本实验所用集成稳压器为三端固定正稳压器W7812,它的主要参数有:输出直 流电压 U 0=+12V,输出电流 L:0.1A,M:0.5A,电压调整率 10mV/V,输出电阻 R =0.15Ω,输入电压U I 的范围15~17V 。因为一般U I 要比 U 大3~5V ,才能保 证集成稳压器工作在线性区。 图3-2 W7800系列外形及接线图 图3-3 是用三端式稳压器W7812构成的单电源电压输出串联型稳压电源的实验电路图。其中整流部分采用了由四个二极管组成的桥式整流器成品(又称桥堆),型号为2W06(或KBP306),内部接线和外部管脚引线如图 3-4所示。 滤波电容C 1、C 2 一般选取几百~几千微法。当稳压器距离整流滤波电路比较远时, 在输入端必须接入电容器C 3 (数值为0.33μF ),以抵消线路的电感效应,防止产 生自激振荡。输出端电容C 4 (0.1μF)用以滤除输出端的高频信号,改善电路的暂态响应。 图3-3 由W7812构成的串联型稳压电源

光敏二极管的检测方法

1.电阻测量法用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号接收窗口,然后用万用表R×1k档测量光敏二极管的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值在10~20kΩ之间,反向电阻值为∞(无穷大)。若测得正、反向电阻值均很小或均为无穷大,则是该光敏二极管漏电或开路损坏。 再去掉黑纸或黑布,使光敏二极管的光信号接收窗口对准光源,然后观察其正、反向电阻值的变化。正常时,正、反向电阻值均应变小,阻值变化越大,说明该光敏二极管的灵敏度越高。 2.电压测量法将万用表置于1V直流电压档,黑表笔接光敏二极管的负极,红表笔接光敏二极管的正极、将光敏二极管的光信号接收窗口对准光源。正常时应有0.2~0.4V电压(其电压与光照强度成正比)。 3.电流测量法将万用表置于50μA或500μA电流档,红表笔接正极,黑表笔接负极,正常的光敏二极管在白炽灯光下,随着光照强度的增加,其电流从几微安增大至几百微安。 1.光敏二极管的简易判别方法 (1)电阻测量法 用万用表1k档,测正向电阻约10kΩ左右。在无光照情况下,反向电阻应为∞,反向电阻不是∞,说明漏电流大;有光照时,反向电阻应随光照增强而减小,阻值小至几kΩ或1kΩ以下。 (2)电压测量法 用万用表1V档(无1V档可用1.5V或3V档),红表笔接光敏二极管的“十”极,黑表笔接“-”极,在光照情况下,其电压应与光照度成比例,一般可达0.2~0.4V。 (3)短路电流测量法 用万用表50mA或500mA电流档,红表笔接光敏二极管的“十”极,黑表笔接“-”极,在白炽灯下(不能用日光灯),应随光照的增强,其电流随之增加。短路电流,可达数十mA~数百mA。 光敏二极管的主要特性参数 ①最高反向工作电压VRM:是指光敏二极管在无光照的条件下,反向漏电流不大于0.1μA时所能承受的最高反向电压值。 ②暗电流ID:是指光敏二极管在无光照及最高反向工作电压条件下的漏电流。暗电流越小,光

归纳模电实验方波发生器.doc

方波发生器 一、实验目的 (1)学习运算放大器在对信号处理、变换和产生等方面的应用,为综合应用奠定基础。 (2)学习用集成运算放大器组成波形发生器的工作原理。 二、实验原理 实际应用中通过电压比较可以产生方波,如图。负向输入端的电容充、放电时,其变化的电压与经过f R 反馈回来的电压进行比较,就得到了方波。二极管1D ,2D 与电阻p R ,3R 组成的电路用来控制电容的充、放电时间,从而控制方波的占空比。稳压二极管z V 的作用是限制和确定方波的幅度,因此要根据设计所要求的方波幅度来选择稳压二极管的稳定电压z V 。此外,方波幅度和宽度的对称性也与稳压二极管的对称性有关。为了得到对称的方波输出,通常应选用高精度的双向稳压二极管。2R 为稳压二极管的限流电阻,其阻值由所选的稳压二极管的稳定电流来决定。 设接通电源后输出电压z V v +=0,二极管1D 导通,2D 截止,0v 经p R 向C 充电,充电时间常数为C R p 。当电容两端电压c V 略大于同相输入端电压f V 时,输出电压0v 跳变为z V -,二极管1D 截止,2D 导通,电容经3R 向输出端放电,放电时间常数为C R 3。当c V 略小于f V 时,输出电压0v 又跳变为z V +。如此周而复始进行,随着电容的充电放电,输出电压0v 不断翻转,形成矩形波。 输出脉冲高电平z V v +=0的时间为 )21ln(11f p R R C R T += 输出低电平z V v -=0的时间为 )21ln(132f R R C R T + = 振荡频率为 ()???? ??++=+==f p R R C R R T T T f 132121ln 111

光电效应实验报告

佛山科学技术学院 实 验 报 告 课程名称 实验项目 专业班级 姓名 学 号 指导教师 成绩 日 期 年 月 日 一、实验目的 1.了解光电效应的规律,加深对光的量子性的理解; 2.测量光电管的伏安特性曲线; 3.学习验证爱因斯坦光电效应方程的实验方法,测量普朗克常数。 二、实验仪器 光电效应(普朗克常数)实验仪(详见本实验附录A ),数据记录仪。 三、实验原理 1.光电效应及其基本实验规律 当一定频率的光照射到某些金属表面时,会有电子从金属表面即刻逸出,这种现象称为光电效应。从金属表面逸出的电子叫光电子,由光子形成的电流叫光电流,使电子逸出某种金属表面所需的功称为该金属的逸出功。 研究光电效应的实验装置示意图如图1所示。GD 为光电管,它是一个抽成真空的玻璃管,管内有两个金属电极,K 为光电管阴极,A 为光电管阳极;G 为微电流计;V 为电压表;R 为滑线变阻器。单色光通过石英窗口照射到阴极上时,有光电子从阴极K 逸出,阴极释放出的光电子在电场的加速作用下向阳极A 迁移形成光电流,由微电流计G 可以检测光电流的大小。调节R 可使A 、K 之间获得连续变化的电压AK U ,改变AK U ,测量出光电流I 的大小,即可测出光电管的伏安特性曲线,如图2(a)、(b)所示。

图2 光电效应的基本实验规律 光电效应的基本实验规律如下: (1)对应于某一频率,光电效应的AK -I U 关系如图2(a)所示。从图中可见,对一定的频率,有一电压0U ,当AK 0U U ≤时,光电流为零,这个相对于阴极的负值的阳极电压0U ,称为截止电压。 (2)当AK 0U U ≥后,I 迅速增加,然后趋于饱和,饱和光电流M I 的大小与入射光的强度P 成正比,如图2(b)所示。 (3)对于不同频率的光,其截止电压的值不同,如图2(a)所示。 (4)截止电压0U 与频率v 的关系如图2(c)所示。0U 与ν成正比。当入射光频率低于某极限值0v (随不同金属而异)时,无论光的强度如何,照射时间多长,都没有光电流产生。 (5)光电效应是瞬时效应。即使入射光的强度非常微弱,只要频率大于0v ,在开始照射后立即有光电子产生,所经过的时间至多为910-秒的数量级。 2.爱因斯坦光电效应方程 上述光电效应的实验规律无法用电磁波的经典理论解释。为了解释光电效应现象,爱因斯坦根据普朗克的量子假设,提出了光子假说。他认为对于频率为ν的光波,每个光子的能量为E h ν=,h 为普朗克常数。当光子照射到金属表面上时,一次性为金属中的电子全部吸收,而无须积累能量的时间。电子把该能量的一部分用来克服金属表面对它的吸引力,另一部分就变为电子离开金属表面后的动能,按照能量守恒原理,爱因斯坦提出了著名的光电效应方程 201 2 h m W νυ=+ (1) 式中,W 为被光线照射的金属材料的逸出功,2 012m υ为从金属逸出的光电子的最大初动能。 由式(1)可知,入射到金属表面的光频率越高,逸出的电子动能越大,所以即使阳极电位比阴极电位低(即加反向电压)时,也会有电子落入阳极形成光电流,直至阳极电位低于截止电压,光电

光敏电阻伏安特性光敏二极管光照特性

光敏电阻伏安特性、光敏二极管光照特性(FB815型光敏传感器光电特性实验仪 ) 凡是将光信号转换为电信号的传感器称为光敏传感器,也称为光电式传感器,它可用于检测直接由光照明度变化引起的非电量,如光强、光照度等;也可间接用来检测能转换成光量变化的其它非电量,如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点,因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。 光敏传感器的物理基础是光电效应,通常分为外光电效应和内光电效应两大类,在光辐射作用下电子逸出材料的表面,产生光电子发射现象,则称为外光电效应或光电子发射效应。基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。另一种现象是电子并不逸出材料表面的,则称为是内光电效应。光电导效应、光生伏特效应都是属于内光电效应。好多半导体材料的很多电学特性都因受到光的照射而发生变化。因此也是属于内光电效应范畴,本实验所涉及的光敏电阻、光敏二极管等均是内光电效应传感器。 通过本设计性实验可以帮助学生了解光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池与光学纤维的光电传感特性及在某些领域中的应用。 【实验原理】 1(光电效应: (1)光电导效应: 当光照射到某些半导体材料上时,透过到材料内部的光子能量足够大,某些电子吸收光子的能量,从原来的束缚态变成导电的自由态,这时在外电场的作用下,流过半导体的电流会增大,即半导体的电导会增大,这种现象叫光电导效应。它是一种内光电效应。

光电导效应可分为本征型和杂质型两类。前者是指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带,价带中由于电子离开而产生空穴,在外电场作用下,电子和空穴参与电导,使电导增加。杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带,从而使电导增加。杂质型光电导的长波限比本征型光电导的要长的多。 (2)光生伏特效应: 在无光照时,半导体结内部有自建电场。当光照射在结及其附近时,在能量PNPN 足够大的光子作用下,在结区及其附近就产生少数载流子(电子、空穴对)。载流子在结区外时,靠扩散进入结区;在结区中时,则因电场的作用,电子漂移到区,空穴漂移EN到区。结果使区带负电荷,区带正电荷,产生附加电动势,此电动势称为光生电动PPN 势,此现象称为光生伏特效应。 2(光敏传感器的基本特性: 光敏传感器的基本特性则包括:伏安特性、光照特性等。 伏安特性: 光敏传感器在一定的入射光照度下,光敏元件的电流与所加电压之间的关系称为IU光敏器件的伏安特性。改变照度则可以得到一族伏安特性曲线。它是传感器应用设计时的重要依据。 光照特性: 光敏传感器的光谱灵敏度与入射光强之间的关系称为光照特性,有时光敏传感器的输出电压或电流与入射光强之间的关系也称为光照特性,它也是光敏传感器应用设计时选择参数的重要依据之一。

方波—三角波—正弦波函数发生器模电实验报告

模电实验报告 一、实验任务: 设计一个方波—三角波—正弦波函数发生器 已知条件:双运放NE5532 一只(或uA741两只) 性能要求:频率范围:1—10Hz ,10—100Hz ;输出电压:方波Upp<=24V ,三角波Upp=6V , 正弦波Upp>1V 。 二、电路设计过程及结果: 2231231124O m RP CC U R R R U ===+ 取210K R =Ω,340K R =Ω,147K RP R =Ω。平衡电阻1231//()9RP R R R R K =+≈Ω。 由输出频率的表达式得: 3142 224RP RP R R R R R C f ++= 当110Hz f Hz ≤≤时,取210C uF =,4 5.1R K =Ω,2100RP R K =Ω。当 10100Hz f Hz ≤≤时,取21C uF =以实现频率波段的转换,其余不变。取平衡电阻510R K =Ω。 电路形式如下图,参数如下图所示

四、下面为仿真图形 五、实验数据 根据实验,实验波形与仿真波形相似,测得的方波Upp=2.16V,三角波 Upp=5.6V,正弦波Upp=1.48V。 六、心得 本次实验的各种参数均可参考书中所给的例子计算得出。从中也体现出了自己对相关理论只是并不是特别地熟悉,只能看着书根据公式计算,在这一点上还需要好好地去复习一下。 在实验过程中,接线时尤其需要仔细一点,通过几个人的合作,不断地检查完善多次后猜得出最终结果。也体现出了团队合作的重要性。 在示波器调试方面,也暴露出了许多不足,对示波器的使用并不是特别地熟练。 对于所测出的数据有一定的偏差,及时这样也应该实事求是地记录下数据。 无论是理论计算还是实际操作,都需要我今后多加练习学习。

高度集成的开关稳压器单片式解决方案解析

高度集成的开关稳压器单片式解决方案解析 开关稳压器可以采用单片结构,也可以通过控制器构建。在单片式开关稳压器中,各功率开关(一般是MOSFET)会集成在单个硅芯片中。使用控制器构建时,除了控制器IC,还必须单独选择半导体和确定其位置。选择MOSFET 非常耗费时间,且需要对开关的参数有一定了解。使用单片式设计时,设计人员无需处理这些问题。此外,相比高度集成的解决方案,控制器解决方案通常会占用更多的电路板空间。所以,毫不意外多年来人们越来越多地采用单片式开关稳压器,如今,即使对于更高功率,ADI公司也有大量的解决方案可供选择。图1左侧是单片式降压转换器,右侧是控制器解决方案。 图1.单片式降压转换器(左);带外部开关的控制器解决方案(右) 虽然单片式解决方案需要的空间较少,也简化了设计流程,但另一方面,控制器解决方案的优势是更加灵活。设计人员可以为控制器解决方案选择经过优化、适合特定应用的开关管,也可以控制开关管的栅级,所以能够通过更巧妙地部署无源组件来影响开关边沿。此外,控制器解决方案适合高功率,因为可以选择大型分立式开关管,且开关损耗会远离控制器IC。

但是,除了这些熟知的单片式解决方案的有利和不利因素之外,还有一个因素容易忽略。在开关稳压器中,所谓的热回路是实现低辐射的决定因素。在所有开关稳压器中,应尽量优化EMC。实现优化的基本原则之一是: 化各个热回路中的寄生电感。在降压转换器中,输入电容和高压侧开关之间的路径,高压侧开关和低压侧开关之间的连接,以及低压侧开关和输入电容之间的连接都是热回路的一部分。它们都是电流路径,其中的电流随开关切换的速度而变化。通过快速的电流变化,因寄生电感形成电压偏移,可以作为干扰耦合到不同的电路部分。 图2.单片式开关稳压器(左)和带控制器IC的解决方案(右),每个都有一些不同形式的热回路 所以,这些热回路中的寄生电感必须保持尽可能低。图2用红色标出各热回路路径,左侧为单片式开关稳压器,右侧为控制器解决方案。我们可以看到,单片式解决方案具有两大优势。一,其热回路比控制器解决方案的热回路小。二,高压侧开关和低压侧开关之间的连接路径非常短,且只在硅芯片上完成走线。两者相比,对于带控制器IC的解决方案,连接的电流路径必须通过封

大物实验报告 光电效应

试验名称:光电效应法测普朗克常量h 实验目的:是了解光电效应的基本规律。并用光电效应方法测量普朗克常量和测定光电管的 光电特性曲线。 实验原理 光电效应实验原理如图8.2.1-1所示。其中S 为真空光电管,K 为阴极,A 为阳极。当无光照射阴极时,由于阳极与阴极是断路,所以检流计G 中无电流流过,当用一波长比较短的单色光照射到阴极K 上时,形成光电流,光电流随加速电位差U 变化的伏安特性曲线如图8.2.1-2所示。 1. 光电流与入射光强度的关系 光电流随加速电位差U 的增加而增加,加速电位差增加到一定量值后,光电流达到饱和值和值I H ,饱和电流与光强成正比,而与入射光的频率无关。当U= U A -U K 变成负值时,光电流迅速减小。实验指出,有一个遏止电位差U a 存在,当电位差达到这个值时,光电流为零。 2. 光电子的初动能与入射频率之间的关系 当U=U a 时,光电子不再能达到A 极,光电流为零。所以电子的初动能等于它克服电场力作用的功。即 a eU mv =2 2 1 (1) 根据爱因斯坦关于光的本性的假设,每一光子的能量为hv =ε,其中h 为普朗克常量,ν为光波的频率。所以不同频率的光波对应光子的能量不同。光电子吸收了光子的能量h ν之后,一部分消耗于克服电子的逸出功A ,另一部分转换为电子动能。由能量守恒定律可知 A mv hv += 2 2 1 (2) 式(2)称为爱因斯坦光电效应方程。

3. 光电效应有光电存在 实验指出,当光的频率0v v <时,不论用多强的光照射到物质都不会产生光电效应,根据式(2), h A v = 0,ν0称为红限。 爱因斯坦光电效应方程同时提供了测普朗克常量的一种方法:由式(1)和(2)可得: A U e hv +=0,当用不同频率(ν1,ν2,ν3,…,νn )的单色光分别做光源时,就有 A U e hv +=11 A U e hv +=22 ………… A U e hv n n += 任意联立其中两个方程就可得到 j i j i v v U U e h --= )( (3) 由此若测定了两个不同频率的单色光所对应的遏止电位差即可算出普朗克常量h ,也可由ν-U 直线的斜率求出h 。 因此,用光电效应方法测量普朗克常量的关键在于获得单色光、测得光电管的伏安特性曲线和确定遏止电位差值。 实验内容 通过实验了解光电效应的基本规律,并用光电效应法测量普朗克常量。 1. 在577.0nm 、546.1nm 、435.8nm 、404.7nm 四种单色光下分别测出光电管的伏安特性曲线,并根据此曲线确定遏止电位差值,计算普朗克常量h 。 本实验所用仪器有:光电管、单色仪(或滤波片)、水银灯、检流计(或微电流计)、直流电源、直流电压计等. j i j i v v U U e h --= )(,求斜率,得到普朗克常量h. 入射光波长λ/nm 365nm

光敏电阻伏安特性、光敏二极管光照特性

光敏传感器的光电特性研究 (FB815型光敏传感器光电特性实验仪) 凡是将光信号转换为电信号的传感器称为光敏传感器,也称为光电式传感器,它可用于检测直接由光照明度变化引起的非电量,如光强、光照度等;也可间接用来检测能转换成光量变化的其它非电量,如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点,因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。 光敏传感器的物理基础是光电效应,通常分为外光电效应和内光电效应两大类,在光辐射作用下电子逸出材料的表面,产生光电子发射现象,则称为外光电效应或光电子发射效应。基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。另一种现象是电子并不逸出材料表面的,则称为是内光电效应。光电导效应、光生伏特效应都是属于内光电效应。好多半导体材料的很多电学特性都因受到光的照射而发生变化。因此也是属于内光电效应范畴,本实验所涉及的光敏电阻、光敏二极管等均是内光电效应传感器。 通过本设计性实验可以帮助学生了解光敏电阻、光敏二极管的光电传感特性及在某些领域中的应用。 【实验原理】 1.光电效应: (1)光电导效应: 当光照射到某些半导体材料上时,透过到材料内部的光子能量足够大,某些电子吸收光子的能量,从原来的束缚态变成导电的自由态,这时在外电场的作用下,流过半导体的电流会增大,即半导体的电导会增大,这种现象叫光电导效应。它是一种内光电效应。 光电导效应可分为本征型和杂质型两类。前者是指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带,价带中由于电子离开而产生空穴,在外电场作用下,电子和空穴参与电导,使电导增加。杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带,从而使电导增加。杂质型光电导的长波限比本征型光电导的要长的多。 (2)光生伏特效应: 在无光照时,半导体PN结内部有自建电场。当光照射在PN结及其附近时,在能量足够大的光子作用下,在结区及其附近就产生少数载流子(电子、空穴对)。载流子在结区外时,靠扩散进入结区;在结区中时,则因电场E的作用,电子漂移到N区,空穴漂移到P 区。结果使N区带负电荷,P区带正电荷,产生附加电动势,此电动势称为光生电动势,此现象称为光生伏特效应。 2.光敏传感器的基本特性: 光敏传感器的基本特性则包括:伏安特性、光照特性等。

模拟电子电路课程设计正弦波三角波方波函数发生器

模拟电子电路课程设计正弦波三角波方波函数 发生器 文件编码(008-TTIG-UTITD-GKBTT-PUUTI-WYTUI-8256)

课程设计任务书学生姓名:专业班级: 指导教师:工作单位: 题目:正弦波-三角波-方波函数发生器 初始条件: 具备模拟电子电路的理论知识;具备模拟电路基本电路的设计能力;具备模拟电路的基本调试手段;自选相关电子器件;可以使用实验室仪器调试。 要求完成的主要任务:(包括课程设计工作量及其技术要求,以及说明书撰写等具体要求) 1、频率范围三段:10~100Hz,100 Hz~1KHz,1 KHz~10 KHz; 2、正弦波Uopp≈3V,三角波Uopp≈5V,方波Uopp≈14V; 3、幅度连续可调,线性失真小; 4、安装调试并完成符合学校要求的设计说明书 时间安排: 一周,其中3天硬件设计,2天硬件调试 指导教师签名:年月日 系主任(或责任教师)签名:年月日 目录 1.综述...........................................................1

信号发生器概论...................................................1 Multisim简介....................................................2 集成运放lm324简介...............................................3 2.方案设计与论证...............................................4方案一...................................................4方案二..................................................4方案三..................................................5

光电效应物理实验报告

光电效应 实验目的: (1)了解光电效应的规律,加深对光的量子性的理解 (2)测量普朗克常量h。 实验仪器: ZKY-GD-4 光电效应实验仪 1 微电流放大器 2 光电管工作电源 3 光电管 4 滤色片 5 汞灯 实验原理: 原理图如右图所示:入射光照射到光电管阴极K上,产生 的光电子在电场的作用下向阳极A迁移形成光电流。改变外加 电压V AK,测量出光电流I的大小,即可得出光电管得伏安特性曲线。 1)对于某一频率,光电效应I-V AK关系如图所示。从图中 可见,对于一定频率,有一电压V0,当V AK≤V0时,电流为0, 这个电压V0叫做截止电压。 2)当V AK≥V0后,电流I迅速增大,然后趋于饱和,饱和光电流IM的大小与入射光的强度成正比。 3)对于不同频率的光来说,其截止频率的数值不同,如右图:

4) 对于截止频率V0与频率的关系图如下所示。V0与成正比关系。当入射光的频率低于某极限值时,不论发光强度如何大、照射时间如何长,都没有光电流产生。 5)光电流效应是瞬时效应。即使光电流的发光强度非常微弱,只要频率大于,在开始照射后立即就要光电子产生,所经过的时间之多为10-9s的数量级。 实验内容及测量: 1 将4mm的光阑及365nm的滤光片祖昂在光电管暗箱光输入口上,打开汞灯遮光盖。从低到高调节电压(绝对值减小),观察电流值的变化,寻找电流为零时对应的V AK值,以其绝对值作为该波长对应的值,测量数据如下: 波长/nm365577 频率 / 截止电压/V 频率和截止电压的变化关系如图所示:

由图可知:直线的方程是:y= 所以: h/e=× , 当y=0,即时,,即该金属的 截止频率为。也就是说,如果入射光如果频率低于上值时,不管光强多大 也不能产生光电流;频率高于上值,就可以产生光电流。 根据线性回归理论: 可得:k=,与EXCEL给出的直线斜率相同。 我们知道普朗克常量, 所以,相对误差: 2 测量光电管的伏安特性曲线 1)用的滤色片和4mm的光阑 实验数据如下表所示: 4mm光阑 I-V AK的关系 V AK I V AK I V AK I V AK I V AK I V AK I

模电课程设计--函数发生器(三角波-方波-正弦波)

模拟电子课程设计 报告 题目:________函数发生器设计_____ 学生姓名:_________王鹏______________ 学号:_________20120230720_______ 自然班:________T1223-7___________ 专业:______自动化(电动车辆工程)__指导老师:_______蒋伟荣______________ 2014 年6 月

一、课题意义 (1)通过模拟电子技术的课程设计,让我们对模拟电子电路有更加深入的认识和了解。 (2)以做课程设计来激发学生对模拟电子技术的兴趣,从而为后期的学习提供更大的动力。 (3)以课设的形式让学生对一学期所学习的模拟电子知识进行归纳总结,学以致用。 (4)通过设计函数发生器,我们对模拟电子技术中的积分电路、微分电路以及差分电路原理有更加详细的理解。 (5)通过课程设计培养学生的动手能力。 (6)强化学生的创新能力,以及在学习生活中学会独立的解决问题的能力。 二、函数发生器设计课题要求 (1)输出波行:正弦波、方波和三角波.. (2)输出频率:300HZ--10KHZ可调 (3)输出幅值:30mv-3v可调 三、课题方案设计和比较 在本次模拟电子课程设计方案设计选择中,我所选择的是方案是通过直流稳压电源(+5V,—5V或者+12V,—12V),通过一个LM324的运放元件的管脚1、2、3形成一个产生正弦波的发生器,而LM324元件的管脚5、6、7形成一个产生方波的发生器,LM324元件的管脚8、9、10形成一个产生三角波的发生器,最后三个函数发生器共用同一个直流稳压电源的接入管脚4、11,其共同连接起来形成一个能够产生正弦波——方波——三角波的函数发生器,函数发生器设计课设要求的电压输出可调幅值30mv-3v,可调频率范围为300HZ--10KHZ则是通过调节所设计的电路中的电位器来实现这一要求的,其实际原理也就是改变接入电路中电阻值的大小来改变输出电压的幅值和频率的。以下为此次模拟电子课程设计课题函数发生器的设计思路方案框图:

实验报告_光电效应实验

南昌大学物理实验报告 学生姓名: 学号: 专业班级:材料124班 实验时间:10时00分 第十一周 星期四 座位号:28 一、 实验名称: 光电效应 二、 实验目的: 1、通过实验深刻理解爱因斯坦的光电效应理论,了解光电效应的基本规律; 2、掌握用光电管进行光电效应研究的方法; 3、学习对光电管伏安特性曲线的处理方法,并用以测定普朗克常数。 三、实验仪器: 光电效应测试仪、汞灯及电源、滤色片、光阑、光电管、测试仪 四、实验原理: 1、 光电效应与爱因斯坦方程 用合适频率的光照射在某些金属表面上时,会有电子从金属表面逸出,这种现象叫做光电效应,从金属表面逸出的电子叫光电子。为了解释光电效应现象,爱因斯坦提出了“光量子"的概念,认为对于频率为γ的光波,每个光子的能量为E h ν=,其中 h =6.626 s J ??-3410为普朗克常数。 按照爱因斯坦的理论,光电效应的实质是当光子和电子相碰撞时,光子把全部能量传递给电子,电子所获得的能量,一部分用来克服金属表面对它的约束,其余的能量则成为该光电子逸出金属表面后的动能。爱因斯坦提出了著名的光电方程: 21 2h m W νυ=+ (1) 式中, 为入射光的频率,m 为电子的质量, 为光电子逸出金属表面的初速度,W 为被 光线照射的金属材料的逸出功,1/2mv 2 为从金属逸出的光电子的最大初动能。 由(1)式可见,入射到金属表面的光频率越高,逸出的电子动能必然也越大,所以即使阴极不加电压也会有光电子落入阳极而形成光电流,甚至阳极电位比阴极电位低时也会有光电子落到阳极,直至阳极电位低于某一数值时,所有光电子都不能到达阳极,光电流才为零.这个相对于阴极为负值的阳极电位0U 被称为光电效应的截止电压。 显然,有 eu 0-1/2m v2 =0 (2) 代入上式即有 0h eU W ν=+ (3) 由上式可知,若光电子能量h + W,则不能产生光电子。产生光电效应的最低频率是 0 =W /h,通常称为光电效应的截止频率。不同材料有不同的逸出功,因而 也不同.由

线性集成稳压器

线性集成稳压器 3.4.1 三端固定集成稳压器 1.三端固定集成稳压器的特点 三端固定集成稳压器包含7800和7900两大系列,7800系列是三端固定正输出稳压器,7900系列是三端固定负输出稳压器。它们的最大特点是稳压性能良好,外围元件简单,安装调试方便,价格低廉,现已成为集成稳压器的主流产品。7800系列按输出电压分有5V、6V、9V、12V、15V、18V、24V等品种;按输出电流大小分有0.1A、0.5A、1.5A、3A、5A、10A等产品;具体型号及电流大小见表3-6。例如型号为7805的三端集成稳压器,表示输出电压为5V,输出电流可达1.5A。注意所标注的输出电流是要求稳压器在加入足够大的散热器条件下得到的。同理7900系列的三端稳压器也有-5V~-24V七种输出电压,输出电流有0.1A、0.5A、1.5A三种规格,具体型号见表3-7。 表3-6 CW7800系列稳压器规格 表3-7 CW7900系列稳压器规格 7800系列属于正压输出,即输出端对公共端的电压为正。根据集成稳压器本身功耗的大小,其封装形式分为TO-220塑料封装和TO-3金属壳封装,二者的最大功耗分别为10W 和20W(加散热器)。管脚排列如图3.4.1(a)所示。U I为输入端,U O为输出端,GND是公共端(地)。三者的电位分布如下:U I>U O>U GND(0V)。最小输入—输出电压差为2V,为可靠起见,一般应选4~6V。最高输入电压为35V。 7900系列属于负电压输出,输出端对公共端呈负电压。7900与7800的外形相同,但管脚排列顺序不同,如图3.4.1(b)所示。7900的电位分布为:U GND(0V)>-U O>-U I。另外在使用7800与7900时要注意,采用TO-3封装的7800系列集成电路,其金属外壳为地端;而同样封装的7900系列的稳压器,金属外壳是负电压输入端。因此,在由二者构成多路稳压

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