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汇丰CBB65电容器规格书

汇丰CBB65电容器规格书
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薄膜电容规格书模板

美的制冷家用空调国内事业部 电子元器件规格书 供方名称:厦门法拉电子股份有限公司 器件名称:薄膜电容 型号规格:参见第六项表格 物料编码:参见第六项表格 厂家型号:MKP62-275VAC-104TSSKP15 MKP62-275VAC-274TSSMP22.5 MKP62-275VAC-105TSSMP22.5 MKP62-275VAC-224KP15 MKP62-275VAC-474MP22.5 MKP62-275VAC-105MP22.5 MKP62-275VAC-335KP27.5 MKP62-275VAC-155MP22.5 编制: 审核: 供方会签: 日期: 版本:V1.0 注意事项: 1、本规格书双方签字后正式生效,本规格书连封面合共6页; 2、本规格书一式两份,版本由使用方与供方共同维护;任何对内容的改动必须经双方同意,并以书面文件的形式发布。

规格书更新纪录: 一厂家品牌中英文:

厦门法拉电子股份有限公司(鹭岛牌) Xiamen Faratronic Co.,Ltd.,() 二产地(国内的写工厂地址): 中国厦门市金桥路101号 三厂家型号及型号含义: F15B3.7 :F15表示电容器引线成型(弯脚)15mm,B3.7表示电容器引线成型(弯脚)15mm后,剪短引线长度为3.7mm。 3. 引线形状及间距图: Note: W±0.4 H±0.4 T±0.4 五安全认证说明:

● 六 外观尺寸及关键参数对照表: P=7.5 or 10.0mm P ≥15.0mm and C R ≤1.0μF 符号说明Marking Introduction :

设计电子电路时选用固态电容的注意事项

设计电子电路时选用固态电容的注意事项 在设计电子电路时,一定要注意了解和注意电容的一些基础知识和重要特性,防止设计好的电子电路失效或者放生意外的质量事故。 1.极性 固态铝电容器具有正负极之分,不要反接固态铝电容器,反接固态铝电容器可以导致漏电流的急剧增加或者使用寿命的降低。 2.被禁止使用的电路:即使客户严格按照我们所给定的焊接条件安装固态铝电容器,固态铝电容器的漏电流也可能会升高,甚至大幅度升高。高温无负载测试测试、高温高湿负载测试、温度急变测试等都可能导致漏电流的增大。因此,请不要将固态铝电容器应用于漏电流敏感的电路中。比如:高阻抗电路、耦合电路、时间常数电路等。 3,工作电压 a)直流电压与纹波峰值电压的总和不得超过额定工作电压; b)当直流电压比较低的时候,反向纹波峰值电压不能超过额定工作电压的10%; c)对于25V以上的产品,当环境温度超过85℃时,请降压使用固态铝电容器,温度每上升10℃,施加 于产品上的电压请下降10%。 4.请依据规格书中规定的电容特性选择合适的固态电容器。 a)切勿超电压使用,即便是短时间的过电压都可能导致固态电容器的短路; b) 使用的环境温度必须在规格书中规定的范围内; c)切勿给固态电容器施加超过额定的纹波电流值,过大的纹波电流会导致电容器内部发热过量,从而会导致产品提前失效甚至短路。 5.瞬时充放电:瞬时充放电可能会导致固态电容器短路或漏电流增大,因此请在下列情形下设计保护电路:冲击电流大于10A或冲击电流大于10倍允许纹波电流值。 另外,在测试产品漏电流时,请设置一个1KΩ的保护阻。 6)失效模式与寿命 失效模式: 偶然失效:主要由电路的短路导致,当短路电路中的电流超过1A,电容器内部温度将会上升,内部压力增大,封口橡胶将可能会凸起甚至开启,电容器会释放出有害气体,这时请离开这个场合; 寿命失效:长期使用中,固态电容器的特性会发生衰减,比如容量下降、ESR上升等,当使用时间超过额定寿命,电容器的特性劣化,并可导致电解质绝缘,这种为开路失效模式。 特别注意事项 1.漏电流: 焊接热和来源于运输途中的机械应力都可导致电容器的电流增大,但是,给产品施加不超过额定工作电压的直流电压会逐渐降低漏电流,在不超垸额定工作电压和工作上限温度的前提下,施加的电压越高、环境温度越高,漏电流下降速度越快。 2.电容器的绝缘性: 电容器外的绝缘镀膜或绝缘胶管层并不是绝对绝缘的,另外,铝壳与负极引出线间不绝缘。安装的时候,请务必将铝壳、正负导针及PC板印刷图完全隔离开。 3.工作环境限制: 请不要以下环境中使用固态电容器: a)水、盐水、油可以直接滴落的地方,以及容易发生收缩的电路板; b)有害气体(H2S、硫酸、氨气、盐酸等)聚集的场合: c)紫外线、放射性线、臭氧等辐射的场合。

贴片电阻规格 封装 尺寸

贴片电阻规格、封装、尺寸 ChipR Dimensions 、Footprint 简述 基本结构 分类 规格、封装、 尺寸 额定功率及工 作电压 阻值,标准阻 值 标识 规格书、生产 厂家

命名方法 价格、报价 创建时间:2005-12-30 最后修改时间:2006-10-29 贴片电阻套件 为方便学生、研发人员试验和产 品试制,特推出片式电阻系列套 件。 我们常说的贴片电阻 (SMD Resistor)叫"片式固定电阻器"(Chip Fixed Resistor),又叫"矩形片状电阻"(Rectangular Chip Resistors),是由ROHM 公司发明并最早推出市场的。特点是耐潮湿,耐高温,可靠度高,外观尺寸均匀,精确且温度系数与阻值公差小。 按生产工艺分厚膜(Thick Film Chip Resistors)、薄膜(Thin Film Chip Resistors )两种。厚膜是采用丝网印刷将电阻性材料淀积在绝缘基体(例如玻璃或氧化铝陶瓷)上,然后烧结形成的。我们通常所见的多为厚膜片式电阻,精度范围±0.5% ~ 10%,温度系数:±50PPM/℃~ ±400PPM/℃。薄膜是在真空中采用蒸发和溅射等工艺将电阻性材料淀积在绝缘基体工艺(真空镀膜技术)制

成,特点是低温度系数(±5PPM/℃),高精度(±0.01%~±1%)。 封装有:0201,0402,0603,0805,1206,1210,1812,2010,2512。其常规系列的精度为5%,1%。阻值范围从0.1欧姆到20M欧姆。标准阻值有E24,E96系列。功率有1/20W、1/16W、1/8W、1/10W、1/4W、1/2W、1W。 特性: 体积小,重量轻 适合波峰焊和回流焊 机械强度高,高频特性优越 常用规格价格比传统的引线电阻还便宜 生产成本低,配合自动贴片机,适合现代电子产品规模化生产使用状况:由于价格便宜,生产方便,能大面积减少PCB面积,减少产品外观尺寸,现在已取代绝大部分传统引线电阻。除一些小厂或不得不使用引线电阻的设计,各种电器上几乎都在使用。目前绝大部分电子产品,以0603、0805器件为主;以手机,PDA为代表的高密度电子产品多使用0201、0402的器件;一些要求稳定和安全的电子产品,如医疗器械、汽车行驶记录仪、税控机则多采用1206、1210等尺寸偏大的电阻。 市场状况:目前,在全球的市场份额中,排名依次是台湾、日本、中国、韩国,欧美几乎不再生产。主要的生产厂商几乎都在中国建立生产基地。台湾国巨(Yageo)公司为世界上第一大生产商。日本企业则生产一些如0201、0402、高精度、高电压,具有工艺难度,利润高的系列。台湾及国内工厂则多生产些

MMKP82双面金属化聚丙烯膜电容器规格书

MMKP82 型双面金属化聚丙烯膜电容器 Type MMKP82 Polypropylene Cpacitor With Double Side Metallized Film Electrodes 路中。 example electricity lamp-house and electronic ballast etc. 、产品介绍 (Product introduction) ?产品结构: ? Structure : 采用聚丙烯薄膜做介质 ,以自愈特性优良的耐 With polypropylene fime dielectric,pole with double sided 高温双面金属化聚脂薄膜作电极 ,双端喷金形 metallized polyester fime,twain section spray-metal form 成无感结构 ,单向引出 ,阻燃环氧树脂灌封 . Non-inductive configuration,Electrode lead unilateralism fetch out and flame retardant epoxy resin dip sealed. ?产品特点: ? Feature : 双面金属化结构 ,广泛应用于高压、 高频及脉 Double sided metallized structure,widely used in high 冲电路损耗小 ,内部温升小负电容量温度系数 voltage,high frenquency and pulse circuit Low loss and smsll 优异的阻燃性能 inherent temperature rise Negative temperature coefficient of capacitance Exellent active and passive flame resistant abilities ?产品用途: ? Uses : 适用于电光源、 电子镇流器等高频大电流电 Suitable for high frequency and high current loading circuit, for

电容器主要技术参数的标注方法

电容器主要技术参数的标注方法: 1.直标法 指在电容器的表面直接用数字和单位符号或字母标注出标称容量和耐压等。 例某电容器上标CD—1、2200μF、35V,表示这是一个铝电解电容器,标称容量为2200μF,耐压为35V。 某电容器上标CA1—1、2.2±5%、DC63V,表示这是一个钽电解电容器,标称容量为2.2μF,允许误差为±5%,直流耐压为63V。 2.数字加字母标注法 指用数字和字母有规律的组合来表示容量,字母既表示小数点,又表示后缀单位。 例 p10表示0.1pF 1p0表示1pF 6P 8表示6.8pF 2μ2表示2.2μF 7p5表示7.5 pF 2n2表示2.2nF 8n2表示8200pF M1表示0.1μF 3m3表示3300μ F G1表示100μF 3.数码标注法 数码标注法多用于非电解电容器的标注,它采用三位数标注和四位数标注: 1)三位数标注法采用三位数标注的电容器,前两位数字表示标称值的有效数字,第三位表示有效数字后缀零的个数,它们的单位是pF。这种标注法中有一个特殊的,就是当第三位数字是9时,它表示有效数字乘以10-1。 例102表示标称容量是1000pF,即1nF; 473表示标称容量是47000pF,即47nF。479表示标称容量是4.7pF。 2) 四位数标注法采用四位数标注的电容器不标注单位。这种标注方法是用1 ~4位数字表示电容量,其容量单位是pF;若用0.0X或0.X时,其单位为μF。

例 47表示标称容量是47 pF ;0.56表示标称容量是0.56μF 。 采用数码标注的,有些后面带的还有字母,它表示允许误差。识别方法: D——±0.5% F——±1% G——±2% J——±5% K——±10% M——±20% 例 223J表示标称容量是22000 pF,误差为±5% 。 4.电容器容量允许误差的标注方法 电容器容量允许误差的标注方法主要有三种: 1)用字母表误差 识别方法: B——±0.1% C——±0.25% D——±0. 5% F——±1% G——±2% J——±5% K——±10% M——±20% N——±30% 例 223J表示标称容量是22000 pF,误差为±5% 。 2)直接标出误差的值 例33 pF±0.2 pF则表示电容器的标称容量是33 pF,允许误差是±0.2 pF。 3)直接用数字表示百分比的误差 例 0.33/5 则表示电容器的标称容量是0.33μF,允许误差是±5%

电容器参数大全

电容器 电容器通常简称其为电容,用字母C表示。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路,能量转换,控制电路等方面。定义2:电容器,任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体(包括导线)间都构成一个电容器。 相关公式 电容器的电势能计算公式:E=CU^2/2=QU/2 多电容器并联计算公式:C=C1+C2+C3+…+Cn 多电容器串联计算公式:1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn 三电容器串联 C=(C1*C2*C3)/(C1*C2+C2*C3+C1*C3) 标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等,换算关系是:1法拉(F)= 1000毫法(mF)=1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。 容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 μF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 字母表示法:1m=1000 μF 1P2= 1n=1000PF 数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇,第三位数宇表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。如:102表示标称容量为1000pF。 221表示标称容量为220pF。 224表示标称容量为22x10(4)pF。 在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用"9"表示时,是用有效数宇乘上10的-1次方来表示容量大小。如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=。 允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如:一瓷片电容为104J表示容量为μF、误差为±5%。 电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示:D——005级——±%;F——01级——±1%;G——02级——±2%;J——I 级——±5%;K——II级——±10%;M——III级——±20%。 精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%) 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。 注:用表中数值再乘以10n来表示电容器标称电容量,n为正或负整数。 主要参数的意义:标称容量以及允许偏差:目前我国采用的固定式标称容量系列是:E24,E12,E6系列。他们分别使用的允许偏差是+-5% +-10% +-20%。 额定电压:在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏。常见的电容额定电压与耐压测试仪测量值的关系( 600V的耐压测试仪测量电压为760V以上550V的耐压测试仪测量电压为715V以上; 500V的耐压测试仪测量电压为650V以上; 450V的耐压测试仪测量电压为585V以上; 400V的耐压测试仪测量电压为520V以上; 250V的耐压测试仪测量电压为325V以上; 200V的耐压测试仪测量电压为260V以上;

固态电容全面分析

四:固态电容全面分析 第一点,固态电容为高频电解电容,受此范围限制,高频电容普遍容量做的都不高,固态电容在耐压超过16V后容量显著减小,到20V 为330UF,25V,35V均为220UF。50V56UF,63V39UF。高频电容还有一点就是在低频情况下,性能不太好,阻抗很大,工作频率在100KHz 到300KHz效果最理想。第二点,固态电容受体积限制,不同于铝电解,体积可以理论上无限大,而且由于技术材料不同,最高电压仅63V。最低电压2.5V。所以限制了很多的用途,比如电源的输入端无法选用。第三点,固态电容成本高,是铝电解电容的数倍。材料工艺各不相同,而且没有全球化大规模的生产,目前全球生产厂家大约在10-15家。量没走的上去,成本高是在所难免的。第四点,关于固态电容的选型。滤高频的情况下,固态电容的容量可以选择液态铝电解容量的1/4到1/5。电压无须抛高。例如工作电压2.4V纹波电压不超过2.8V就可以选用2.5V的固态电容,如果纹波电压超过2.8V就要选用4V的了。不过选型毫无疑问也是受到实际线路板的设计限制,具体情况具体分析。第五点,固态电容的寿命问题。固态电容的标准寿命为105度2000H,95度6600小时,85度20000H,75度66000H,65度200000H。20万小时超过20年。第六点,固态电容的温度特性。固态电容耐温性能非常良好,由于内部电解质为固体,没有电解液的沸点,冰点等诸多问题,永不爆浆。而且更加耐高低温,在温度105度工作环境下,依然运行良好,-55度时依然能够工作,容量损失不大。 固态电容的PEDT专利到期,固态电容可望取代传统电容 综合媒体报道,台湾铝质电解电容器厂商近几年来都积极投入固态电容研发制造行列,不过由于桌面计算机需求减缓、日系厂商产能大增之下,固态电容器价格竞争转趋激烈,台系厂商虽仍具备价格优势,但是还是不如国内固态电容生产厂家,而各家厂家都在上游介电材料PEDT专利到期后(上游关键原料PEDT专利原掌握在德国H.C.Strack公司 ,过去为拜耳子公司,2007年售予凯雷集团),固态电容价格也更加平民化,进而取代传统铝质电容市场,台系厂商和中国大陆厂商或能抢得一席之地,占领一部分日系固态电容厂家的市场份额。固态电容主要是为解决传统铝电解电容器遇高热出现爆浆的问题,在下游应用端如高阶主板、高阶STB、通讯基地台、高阶电源供应器、LCD TV、服务器、VGA卡、游戏机等,在效能及质量提升的趋势下,固态电容有机会逐步取代传统式的液态铝质电解电容器。由于VISTA 及SANTA相继上市后,对于软、硬体的要求大幅提升,软硬件平台必须进行整合以发挥最大效能,因此对于上游被动组件质量的稳定性、耐用度、耐热度要求也相对提升,固态电容因而需求大增。目前使用台系固态电容和大陆国内固态电容厂家的产品,主要为台系2线MB 厂及大陆当地MB大厂,台湾1线MB大厂目前对台系或大陆国内厂家的固态电容产品还处于认证阶段,或者小量使用,属于试用性质。虽台系固态电容价格较日系同规格产品平均低20%,在成本考虑下,台系厂商极力争取1线大厂采用台系固态电容,取代日系固态电容。而台系固态电容厂家又面临国内生产厂家的在市场上紧跟压力,国内固态电容厂家的价格更有优势,交货期好,服务业好,不少日系固态电容使用厂家也有将部分竞争压力大得产品换成了大陆国内厂家的固态电容,也再试用阶段。H.C.Strack公司上游介电材料PEDT全球专利到期后,固态成本和售价下滑,市场普及,并有全面取代铝质电容的机会。

电容品牌大全

电容品牌大全(转) 电容品牌大全 主板厂商惯用电容品牌 富士康Rubycon Sanyo 华擎KZG KZE 升技Rubycon 技嘉Rubycon KZG OST 磐正Sanyo OST GSC 微星KZG OST 华硕Nichicon KZG 硕泰克Sanyo Sacon 捷波GSC 七彩虹Taicon 按照Intel主板技术白皮书的介绍,主板CPU插槽附近的滤波电容单个容量最低要求为1000μF。大部分主板上常见电容的容量为2200μF,好的主板采用3500μF甚至更高容量的电容。而在Intel的原装主板上,一般单个电容容量都在3300μF以上,这就是Intel主板极其稳定的重要原因之一。可见“电容决定主板质量”这话一点不假。下面是主要电容品牌的体系图,都是从电容厂商的网站上DOWN下来的,买电容的时候可以参考一下: 目前只找到SANYO、nichicon的体系图,其它厂商只提供PDF文档,有兴趣的可以去看: SANYO: www.secc.co.jp/english/index.html nichicon: https://www.doczj.com/doc/d23863958.html, chemicon: https://www.doczj.com/doc/d23863958.html, rubycon: https://www.doczj.com/doc/d23863958.html, teapo: https://www.doczj.com/doc/d23863958.html,

OST: https://www.doczj.com/doc/d23863958.html, 总结一下,比较适合主板使用的电容必须是\"Low Impedance & ESR\"、\"Very Low Impedance & ESR\"、\"Ultra Low Impedance & ESR\" 且温度为105C的,Ultra的最好 SANYO:MV-WG、MV-WX、MV-SWG、MB-UWG、MB-EXR等系列 nichicon: H开头的系列,P开头的系列 chemicon: KZE、KZG系列 rubycon: YXF、YXG、ZL、ZLH、MBZ、MCZ系列 teapo: SC、SM、SZ系列 OST: RLP、RLZ系列 系列太多了,列举不完。在可选的系列中,再根据PDF的资料,选择寿命比较长的就好了,一般PC 只需在2000小时以上就差不多了,5000小时以上的一是难买,二是贵。 还有,就是不要迷信什么音响发烧电容、拆机电容等。这些电容,有的是85C的,有的不是LOW ESR 的,拆机电容有的生产日期距今已有十多年,就算再好也不能用。 一句话,适合的才是最好的。 电容厂商电容品牌 日系名厂Nichicon Rubycon KZG Sanyo KZE Panasonic 二线厂商OST Jackcon Nippon Teapo Taicon 其他厂商Sacon GSC Chocon Fcon 一线电容: Sanyo----三洋电容 Rubycon---红宝石 Nichicon --日系电容 KZG-------日系电容日本化工,Nippon Chemi-con

聚合物固体电解电容器

聚合物固体铝电解电容器专题 综合消息,今年以来,由于目前CPU频率越来越高,因此产生高热量对主板电容的要求也越来越高,为此英特尔已经强烈建议主板厂商在LGA 755 CPU平台上使用固态铝电解电容取代传统的铝电解电容。虽然目前固态电容成本相对较高,但是与售后维修成本相比还是比较划算的,因此,台湾众主板厂商已经纷纷开始在自己的主板上使用固态电容,因而使得全球范围内的固态电解电容市场需求迅速上扬而大放异彩,成为2005 年电子组件中的闪亮之星。业内人士指出,进入第三季度,包括主机板、LCD 等产业 进入旺季,加上LGA 755 CPU供给提高,对固态电容需求明显成长,8月以来固态电容出货已逐渐吃紧。目前,Nippon Chemi-con公司(佳美工)、Sanyo(三洋)与、Fujitsu (富士通)等日系厂商是全球固态电容的主要供应商,据了解,其中最大厂商的佳美工至今年第2季末的月产能为2700-3000万颗,预期第4季将扩大至4200万颗;排名第二的富士通也规划月产能将由1500颗扩大至2000万颗;排名第三的三洋则将维持月产能700万颗,并计划在06年年底前扩产至3000万颗;另台湾地区的立隆电子也已经开始量产(目前月产能为400-600万颗,计划年底前新增6条生产线,届时月产能将达1200万颗)。 一、项目背景 1、项目的迫切性、重要性 在各种片式电子元件中,铝电解电容器片式化的难度最大,同时也是技术含量最高的。且铝电解电容器具有电容量大、体积小、价格便宜等优点。而一般传统的液体铝电解电容器由于采用工作电解液作阴极,极易干涸、泄漏,因此可靠性低,工作寿命短且不易实现片式化,同时阻抗频率特性较差,不能满足现代电子系统中电子元件表面组装化,数字电路高速化及开关电源高频化发展。而该项目的新型片式聚合物固体铝电解电容器,是以高分子聚合物为电解质,是传统铝电解电容器和钽电解电容器的更新换代产品,具有超越现有液体铝电解电容器和固体钽电解电容器的卓越电性能、优异的温度稳定性和近似理想电容器的阻抗频率特性,加上其兼有小型化、片式化、轻量化、低剖面、可以承波峰焊和再流焊、电容量大等优良特征。市场需求量很大,应用领域广泛。 2、项目相关产品的市场需求 片式电解电容器是电子元件行业发展的新方向,国际上片式元器件已成为成熟产业,片式电容器的市场容量目前正处在快速增长阶段。国外先进国家的表面安装技术贴装元件(片式电子元件)已达到75%以上,我国也达到40%左右。 由于当今世界通信信息网络产品、数字式电子产品处于上升期,仍在快速发展,还有伴随着电子设备的小型化,尤其是电脑手机的小型化,世界市场对片式电解电容器的需求将会与日俱增。预计2-3年后,美国需求量约为110-130亿只,日本及亚洲市场约为100-120亿只。国内片式电解电容器的发展还处在起步阶段。在2001年,国内片式铝电解电容器需用量已达15亿只以上,绝大多数需要通过从国外进口。2004年全球高分子聚合物片式固体铝电解电容器需求量为40亿只,未来10-15年将是片式电解电容器快速发展时期,需求量以年均20%左右的速度增长,市场前景很好。 “固态电容”是2005年最受关注的电子组件产品, 2005年整年度高阶主机板(英特尔775 Pin CPU)的需求量约为6,244.4万片。而1片775Pin CPU约需用到4~10颗固态电容(主机板制造端通常再细分不同等级的高阶主机板及依最终销售国家不同,而使用不同颗数的固态电容),约为2.5亿~6.2亿颗 3、固态铝电解电容器应用领域

电容器技术要求

介休瑞东煤业35kV变电站 磁控式高压无功动态补偿装置 技术规范书 晋中电力设计院 二〇一一年二月

1 工程概况 1.1 项目名称:介休瑞东煤业35kV变电站工程 1.2 项目单位:介休义棠瑞东煤业有限公司 1.3 工程规模:变电站主变容量为2×10000kV A,2台主变互为备用。35kV部分为单母分段接线方式,二回进线,分别由介休110kV变电站和灵石110kV英武变电站引入。10kV部分亦为单母分段接线方式。出线24回,本期22回出线。 1.4 工程地址:介休瑞东煤业35kV变电站 1.5 交通、运输:汽运 1.6工程布置:电容器成套装置采用室内柜式安装,磁控电抗器室外安装,控制屏放于主控室。 2.环境条件 注:1. 环境最低气温超过-25℃, 需要进行参数修正; 2. 污秽等级为Ⅳ级,需要进行参数修正; 3. 海拔高度大于1000米,需要进行参数修正。 3.系统运行条件 3.1 系统标称电压:10kV 3.2 最高运行电压:12kV 3.3 额定频率:50Hz 3.4 中性点接地方式:非有效接地 3.5 电容器组接线方式:星形 3.6 辅助电源:DC220V 4.装置要求 设备安装于10kV侧,电容器滤波安装容量6000kvar,分5次、7次、11次兼高通三个滤波支路,(各个投标厂家需根据经验对各个滤波支路分组并提供容值、电抗值详细计算说明书),另根据煤矿负荷波动,配磁控电抗器4500kvar实现系统所需无功的动态连续

5.设备名称及数量 磁控式高压动态无功补偿装置10kV-6000kvar 2套,每套设备主要配置如下:序号名称型号及规格单位数量备注 1 滤波支路5 次 隔离开关GN19-12/630 组 1 2 避雷器HY5WR-17/45 只 3 3 喷逐式熔断器BR2-12 只 6 4 放电线圈FDZR-1.7-12/√3-1 台 3 5 滤波电容器AAM-12/√3-350-1W 或AFM-12/√3-350-1W 台 6 总容量2100kvar 6 滤波电抗器LKSGKL-10-84-4 台 1 7 附件足量 8 7 次隔离开关GN19-12/630 组 1 9 避雷器HY5WR-17/45 只 3 10 喷逐式熔断器BR2-12 只 6 11 放电线圈FDZR-1.7-12/√3-1 台 3 12 滤波电容器AAM-12/√3-300-1W 或AFM-12/√3-300-1W 台9 总容量1800kvar 13 滤波电抗器LKSGKL-10-36-2 台 1 14 附件足量 15 11 次 兼 高 通隔离开关GN19-12/630 组 1 16 避雷器HY5WR-17/45 只 3 17 喷逐式熔断器BR2-12 只 6 18 放电线圈FDZR-1.7-12/√3-1 台 3 19 滤波电容器AAM-12/√3-350-1W 或AFM-12/√3-350-1W 台 6 总容量2100kvar 20 滤波电抗器LKSGKL-10-16.8-0.8 台 1 21 高通电阻器套 1 22 附件足量 23 磁 控 支隔离开关GN19-12/1250 组 1 24 电流互感器JQJC-10 300/5A 只 3 25 磁控电抗器4500kvar 台 1

(整理)贴片电容的类型和特点

目录: 贴片电容的种类和特点 1 贴片电容基本结构 1 贴片电容 Class 2 EIA代码 2 贴片电容封装尺寸 3 贴片电容生产厂家 4 贴片电容分类 5 NPO电容器 5 X7R电容器 6 Z5U电容器8 Y5V电容器8 Y5V贴片电容容量范围8 贴片电容的种类和特点 单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是AVX公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 贴片电容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材质规格,不同的规格有不同的用途。下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法,这里我们引用的是敝司三巨电子公司的命名方法,其他公司的产品请参照该公司的产品手册。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 通常大家所说的贴片电容是指片式多层陶瓷电容 (Multilayer Ceramic Capacitors),简称MLCC,又叫做独石电容。 它是在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料,叠合后一次烧结成一块不可分割的整体,外面再用树脂包封而成的。具有小体积、大容量、Q值高、高可靠和耐高温等优点。同时也具有容量误差较大、温度系数很高的缺点。一般用在噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。 常规贴片电容按材料分为COG(NPO)、X7R、Y5V,常见引脚封装有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010。 贴片电容基本结构 多层陶瓷电容(MLCC)是由平行的陶瓷材料和电极材料层叠而成。见下图:

电容枕技术规格书

1.总则 本技术条件规定了轨道电路专用枕的技术要求、检验法、检验规则、标志及合格证明书、存放、装卸和运输、质保期。 2.名次术语 本技术条件适用于轨道电路专用枕(以下简称专用枕)中下列型号的轨枕: 新II型电容枕(代码XIID) IIIa型电容枕(代码IIIaD) IIIb型电容枕(代码IIIbD) IIIa型电气绝缘节专用枕(代码IIIaZ) IIIb型电气绝缘节专用枕(代码IIIbZ)。 3.采用技术标准 下列文件中的条款通过本技术条件的引用而成为本技术条件的条款。凡是注明日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的容)或修订版均不适用于本技术条件,然而,鼓励根据本技术条件达成协议的各研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注明日期的引用文件,其最新版本适用于本技术条件。 GB175 硅酸盐水泥、普通硅酸盐水泥 GBJ119 混凝土外加剂应用技术规 GB/T5223 预应力混凝土用钢丝 GB/T701 低碳钢热轧圆盘条 GB/T343 一般用途低碳钢丝 GB/T50081普通混凝土力学性能试验法标准 TB10210 铁路混凝土与砌体工程施工及验收规

TB/T2922铁路混凝土用骨料碱活性试验法 TB/T3054铁路混凝土工程预防碱骨料反应技术条件 TB/T2181 混凝土拌合物稠度试验法跳桌增实法 TB10425 铁路混凝土强度检验评定标准 TB/T2190 预应力混凝土枕I型、II型及III型 TB/B1878 预应力混凝土枕疲劳试验法 TB/B1879 预应力混凝土枕静载抗裂试验法 生产轨道电路专用枕满足上述技术条件标准,符合“研线0308”图纸的要求 4.技术要求 4.1 材料规格和要求 4.1.1 原材料及专用枕预埋件应有合格证明书和复验报告单。 生产轨道电路专用枕原材料及专用枕预埋件进厂均有合格证明书和复验报告单。并按TB 10210对材料复检,格执行工厂的质量管理体系文件以及原材料检验制度的规定,不合格者不允发放使用。 4.1.2 水泥采用不低于42.5强度等级的硅酸盐水泥或普通硅酸盐水泥,水泥碱含量应不超过0.60%,其技术要求应符合GB175的规定。 生产轨道电路专用枕采用强度等级为42.5的普通硅酸盐水泥,其技术要求应符合GB/T 175的规定。主要技术要求如下: ⑴普通水泥中烧失量不得大于5.0%。 ⑵水泥中氧化镁含量不宜超过5.0%。如果水泥经压蒸安定性合格,则水泥中氧化镁的含量允放宽到6%。 ⑶水泥中三氧化硫含量不得超过3.5%。

薄膜电容测试方法详解

薄膜电容测试方法详解 1. 准备设备、工具: 所需工具及其规格型号如表一所示: 表一(工具规格型号) 品名规格/型号数量品名规格/型号数量调压器0V~450V/三相1台电流表UNI-T 1台万用表FLUKE-117C 1台测温仪TM-902C 1台电桥测试仪Zen tech 1台双综示波器LM620C型1台游标卡尺mm/inch 1把变压器MTT-120K 1台耐压测试仪CC2672A型1台分流器TM-902C 2把2.外观物理检测 2.1首先需检查待测电容是否有正规的《产品规格说明书》,其中需包括产品名称、规格型号、安装尺寸、工艺要求、技术参数以及供应商名称、地址及其联系方式,以确保此批次产品是由正规厂商提供。 2.2参考《产品规格说明书》的工艺参数,观察电容的外观、颜色、及其材质等参数是否与其所标注的工艺指标一致。 2.3用游标卡尺对电容的安装尺寸进行确认,确保电容的直径、高度、最大高度、以及引出端的直径与间距等参数在产品工艺的误差范围之内。 2.4 检查电容的外观,确保其外观整洁、无明显的变形、破损、裂纹、花斑、污浊、锈蚀等不良状况;且其标识清晰牢固、正确完整。 2.5检查其引出端子,保证其端子端正、无氧化、无锈蚀、无影响其导电性能等状况,且引出端子无扭曲、变形和影响插拔的机械损伤。 3.数字电桥测试 3.1用电桥测试其实际容量与标称容量是否一致(金属化薄膜电容一般会有±5%的误差范围),其损耗角正切值tanθ(即D值)大小是否符合国家标准(薄膜电容器tanθ≤0.0015,电解电容器tanθ≤0.25)。 3.2对Zen tech电桥测试仪的使用,正确连接电源以后,按“POWER”键开启测试仪的工作电压;按“LCR”键选择测试类型(L:电感,C:电容,R:电阻)。

XX公司10kV系统电容器补偿成套装置 技术规格书

技术规格书 1.总则: 1.1本技术规格书适用于XX公司炼铁工程10kV高压配电室10kV系统电容器补偿成套装臵的设备制造。它提出了对装臵所需的功能设计、结构、安装、试验及服务等方面的技术要求。 1.2 本技术规格书中提出的是最低限度的技术要求,并未对一切技术细节做出规定,也未充分引述有关标准和规范的条文,供方应提供符合本技术规格书内容要求的优质产品。 1.3 如果供方没有以书面形式对本技术规格书的条文提出异议,则表示供方提供的设备完全符合本技术规格书的要求。 1.4 本技术规格书所使用的标准如遇与供方所执行的标准不一致时,按较高标准执行。 1.5 供方必须有权威机构颁发的ISO-9000系列的认证证书或等同的质量保证体系认证证书。供方应设计、制造和提供过同类设备,且使用条件应与本工程相类似,或较规定的条件更严格,至少有 3 年以上的商业运行经验。 1.6本技术规格书经需方、设计方双方确认后作为设备招标的技术附件,与相关的文件具有同等的效力。 1.7 未尽事宜需各方密切配合,随时协商解决。 2.供货范围: 本技术协议所涉及的供货范围为:炼铁工程高炉主控中心高炉高压配电室、联合泵站高压配电室、上料系统高压配电室、烧结配电室、料场E1配电室、E2配电室、E3配电室、E4配电室、E5配电室、E6配电室的10kV系统电容器补偿装臵。 3.技术要求 3.1高压电容器成套装臵为户内式。具体型号及数量详见有关电气设备图纸。3.2应遵循的主要现行标准 GB50227-95 《并联电容器装臵设计规范》 GB311 《高电压试验技术》、《高压输变电设备的绝缘配合》 DL/T620-1997 《交流电气装臵的过电压保护和绝缘配合》

薄膜电容器的使用要求和电性能参数

薄膜电容器的使用要求和电性能参数 电磁加热设备把工频的交流电或纯直流电,通过半桥/全桥逆变技术,变为高频交流电(1KHz—1MHz).高频交流电通过各种电感性负载后会产生高频交变磁场.当金属物体处于高频交变磁场中,金属分子会产生无数小涡流. 涡流使金属分子高速无规则运动,金属分子间互相碰撞、磨擦而产生热能,最终达到把电能转换为热能的目的.电磁加热设备在我们的工作和生活中大量的频繁的使用.例如电磁炉/电磁茶炉,电磁炉,高频淬火机,封口机,工业熔炼炉等等.本文以三相大功率电磁灶为例, 浅析薄膜电容器在电磁加热设备中的应用. 一电磁灶三相全桥电路拓扑图 二 C1—C6功能说明 新晨阳 C1/C2:三相交流输入滤波、纹波吸收, 提高设备抗电网干扰的能力 C1,C2和三相共模电感组成Pi型滤波,在设备中起电磁干扰抑制和吸收的作用.该电路一方面抑制IGBT由于高速开关而产生的电磁干扰通过电源线传送到三相工频电网中,影响其他并网设备的正常使用.另一方面防止同一电网中其他设备产生的电磁干扰信号通过电源线传送到三相工频电网中,影响电磁加热设备自身的正常使用.(对内抑制自身产生的干扰,对外抵抗其他设备产生的干扰,具有双面性) EMC=EMI+EMS 在实际使用中,C1可以选择MKP-X2型(抑制电磁干扰用固定电容器),容量范围在 3μF-10μF之间,额定电压为275V.AC-300V.AC. 采用Y型接法,公共端悬空不接地. C2可以选择MKP型金属化薄膜电容器,容量范围在3μF-10μF之间,额定电压为450V.AC- 500V.AC ,采用三角形接法.

C1和C2原则上选用的电容量越大,那么对于电磁干扰的抑制和吸收效果越好.但是电容量越大,那么设备待机时的无功电流就越大.耐压方面要根据设备使用地域的电网情况而合理保留一定的余量,防止夜间用电量非常小的时候,电网电压过高而导致电容器电压击穿或寿命受到一定的影响. C3: 整流后平滑滤波、直流支撑(DC-Link),吸收纹波和完成交流分量的回路。 C3和扼流圈L组成LC电路,把三相桥式整流后的脉动直流电变为平滑的直流电,供后级逆变桥及负载使用.在电磁灶机芯实际电路中,C3一般是由几十微法的薄膜电容器组成.该 位置的薄膜电容器其实所起的作用是直流支撑(DC-LINK),负责纹波的吸收和完成交流分量的回路,而不是很多人所认为的(滤波).几十微法的电容量,对于几十千瓦的负载来说,所起到的滤波作用是非常小的,直流母线的电压波形根本就无法变得很平滑.由于IGBT的高速开关,会产生大量的高次谐波电流及尖峰谐波电压.如果没有电容器作为谐波电流和尖峰电压的吸收,那么直流母线回路会产生大量的自激振荡,影响IGBT等的安全使用及缩短寿命时间.因此,使用薄膜电容器作为直流母线纹波电压和纹波电流的吸收是目前国内外最常用的方法之一。 C3原则上选用的电容量越大,那么吸收效果越好.但是需要注意的是电容量过大,容易导致设备刚合闸上电的时候,由于电容器的瞬间充电电流过大而导致整流桥,保险管等过流击穿.在电磁灶机芯里,一般的选用原则是:半桥方案(1.5μF/KW) 全桥方案(1.2μF/KW).该配置是根据常规的薄膜电容器能承受的2A/μF的设计工艺所推断。 例如电磁灶半桥20KW机型,需要的C3容量是20*1.5=30μF C3的总纹波电流是 30*2=60A 全桥20KW机型,需要的C3容量是20*1.2=24μF(实际可取25-30μF) C3的总纹波电流是25*2=50A 建议实际选取的电容量及电容器能允许承受的纹波电流值不能低于上述建议值。 C3位置必须要考虑电路实际需要的纹波电流值是否小于所选用的薄膜电容器能承受的总纹波电流值(还要保留一定的电流余量),否则假如电路需要60A的纹波电流,而选择的电容器总共能承受的纹波电流只有40A,那么会导致薄膜电容器发热严重,长期过热运行,大大降低薄膜电容器的使用寿命,严重的导致薄膜电容器膨胀鼓包,甚至起火燃烧.耐压方面,一般选择额定电压为800-1000V.DC即可. C4: IGBT的尖峰电压/电流吸收、缓冲和抑制,防止IGBT击穿

常用电容器主要参数与特点

常用电容器主要参数与特点 1、标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。 电解电容器的容值,取决于在交流电压下工作时所呈现的阻抗。因此容值,也就是交流电容值,随着工作频率、电压以及测量方法的变化而变化。在标准JISC 5102 规定:铝电解电容的电容量的测量条件是在频率为 120Hz,最大交 流电压为(Voltage Root Mean Square,通常指交流电压的有效值),DC bias (直流偏压直流偏置直流偏移直流偏磁)电压为~的条件下进行。可以断言,铝电解电容器的容量随频率的增加而减小。 电容器中存储的能量 E = CV^2/2 电容器的线性充电量 I = C (dV/dt) 电容的总阻抗(欧姆) Z = √ [ RS^2 + (XC – XL)^2 ] 容性电抗(欧姆) XC = 1/(2πfC)

电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。 精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%) 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。 2、额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏。 3、绝缘电阻 直流电压加在电容上,并产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻。 当电容较小时,主要取决于电容的表面状态,容量〉时,主要取决于介质的性能,绝缘电阻越大越好。 电容的时间常数:为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。 4、损耗 电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,电容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。

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