或添加Bi2O3后的热蚀温度低于烧结温度105℃时，都能获得效果较好的SEM形貌。图2表2参8
TM28，TN612006020144
C uO、V2O5掺杂（1－x）B i N bO4－xZnTaO6的介电性能/袁力，丁士华，姚熹(同济大学功能材料研究所)//电子元件与材料.―2005,24(3).―20～22.
对CuO、V2O5掺杂的（1－x）BiNbO4－xZnTaO6（x=0.05～0.15）陶瓷体系结构和介电性能进行了研究。试验结果表明，940℃以下，体系为斜方BiNbO4和斜方ZnTaO6的复相结构；掺杂CuO、V2O5使得体系在较低温度下即可烧结成瓷，随着（1－x）BiNbO4－xZnTaO6体系中x的增加，陶瓷表观密度上升，εr下降，温度系数、损耗则呈增加趋势，x=0.05，910℃烧结保温2h有较好的微波性能，εr约为40，Q f值达25000GHz。图6表0参6
TM2822006020145 B S T超细粉体的水热法形成机理及工艺控制/苗鸿雁，周耀辉，朱刚强，仇越秀(陕西科技大学材料科学与工程学院)//电子元件与材料.―2005,24(4).―57～60.
采用水热法制备了不同组成的Ba x Sr1-x TiO3（BST）超细粉体。利用DTA/TGA、XRD、TEM等技术分析了水热反应转变机理和BST相结构转变及微观形貌情况。研究了制备纳米BST粉体的各种影响因素。结果表明：获得的BST粉体颗粒度较细，钙钛矿结构通过络合物中间相和TiO2扩散形成，粒径为20—40nm，其最佳的工艺参数为温度在190—240℃，r（Ba/Ti）=3、r（Sr/Ti）=1/4或者r（Ba/Ti）=1/3、r（Sr/Ti）=4/5，KOH 浓度为1.5—2mol/L。图9表1参6
4、磁性材料、超导材料和器件
O4812006020146 M C o12原子簇的电子结构和磁性性质研究/邝向军(西南科技大学理学院)//电子科技大学学报.―2005,34(3).―336～339.
利用分离变分局域自旋密度泛函方法，对正二十面体MCo12原子簇的电子结构和磁性性质进行了研究，结果表明：原子簇的中心原子与表面原子之间具有键长收缩效应，其相互作用得到了加强；用Ti、V、Cr、Mn、Fe和N原子替代中心Co原子后，原子簇的稳定性得到了一定的提高；均呈现出金属特性和一定的磁性，价带宽度随着M原子原子序数的增加而逐渐变宽。该研究将为探索以过渡金属原子簇为基础合成新的特殊功能材料提供重要的理论依据。图3表4参13
O4812006020147多孔铝模板合成纳米材料的研究/张利宁，李清山，李修善，唐恒敬，魏玉花，曹小龙(曲阜师范大学物理工程学院)//曲阜师范大学学报（自然科学版）.―2005,31(3).―55～58.
模板合成是近几年来人们合成纳米结构材料常用的一种方法。多孔阳极氧化铝凭借其耐高温、绝缘性好、孔洞分布均匀有序且大小可控等优点，成为一种常用的合成纳米材料的模板。该文介绍了多孔阳极氧化铝模板的制备和电沉积制备纳米材料的方法，以及纳米线的应用前景。图6表0参13
O481，O482.52006020148空穴型掺杂三角晶格反铁磁体反常的c-轴电荷动力学/梁颖，刘斌(北京师范大学物理学系)//北京师范大学学报（自然科学版）.―2005,41(4).―369～372.
从t-J模型出发，在feimion-spin理论框架下研究了空穴型掺杂三角晶格反铁磁体的c-轴电荷动力学。结果表明，与四方晶格材料类似，空穴型掺杂三角晶格反铁磁体正常态的电荷动力学同样具有很强的各向异性，但是由于三角晶格固有的几何阻挫效应，使得二者的结果又稍有差异。图2表0参14
O4822006020149铁电体的极化疲劳和历史记忆效应/朱贵文，周伟华，沈韩，陈敏(中山大学物理系)//中山大学学报（自然科学版）.―2005,44(4).―40～42,50.电滞回线是研究铁电性的重要方法，但其中非线性电导，非线性顺电电容等非铁电性的影响难以消除。为此提出了微分电滞回线方法以取代传统的电滞回线。基于该方法，可将回线中各种非铁电性的贡献定量地分离出来，从而得到纯铁电性的贡献。对锆钛酸铅（PZT）和钛酸钡（BST）陶瓷样品的测量结果表明，纯铁电微分回线可用若干个高斯函数精确拟和，铁电体的极化疲劳就表现为高斯函数个数、峰位、峰高、半高宽等参数在外加作用下持续变化。实验还进一步证明，疲劳效应与铁电体所经历的热力学历史密切相关。图4表0参7O482.32006020150普适化坐标系下的FD T D算法及实现/全必胜，乐孜纯(浙江工业大学信息工程学院)//浙江工业大学学报.―2005,33(4).―414～417.
时域有限差分（FDTD）算法在光子晶体理论研究中获得了较为广泛的应用，但它在处理一些非均匀、非正交问题时，计算耗时量大，计算效率低。研究了普适化坐标下的光子晶体理论研究方法，对常用的基于笛卡尔坐标系的FDTD算法作了扩展，并设计了一个可以计算一维到三维光子晶体的能带结构和态密度的软件。主要介绍了普适化坐标系下FDTD 算法的程序实现，并简要描述了GCFE软件的设计思路。给出了利用该软件计算得到的立方和六角结构的光子晶体光纤的能带结构和光子态密度的结果，与其他研究者报道的结果相吻合。图5表0参6
O482.32006020151三维光子晶体的研制进展/张跃(湖南师范大学物理系)//微纳电子技术.―2005,42(3).―123～125.
介绍了美国桑迪亚国家实验室和美国依阿华州立大学的研究小组等研究机构的科学家们近年来研制三维光子晶体的方法和进展。阐明了具有多层结构的三维光子晶体的应用前景。图0表0参0
O482.522006020152横场下I s i ng变磁体的基态性质/刘静，魏国柱，顾永伟，张起(东北大学理学院)//东北大学学报（自然科学版）.―2005,26(7).―711～714.
采用平均场理论研究了横场下双子晶格Ising变磁体的基态磁性质，计算了基态能量、纵向交错磁矩、纵向磁化率、横向磁矩等重要物理量。分别计算了施加不同横向磁场Ω时纵向交错磁矩m s，z0，纵向磁化率χt，z0和横向总磁矩m t，x0随纵向磁场的变化。结果表明，横向磁场的作用使系统的自旋由与平面垂直方向朝着与平面平行方向偏转，从而阻碍了自旋沿与平面垂直方向的反转。给出了纵向磁场h与横向磁场Ω平面的基态相图，确定了三相点的位置为h i=0.3578，Ω=0.7156。计算表明，在横向磁场较小而纵向磁场较大时，系统发生一级相变；在横向磁场较大而纵向磁场较小时，系统发生二级相变；横向磁场对Ising变磁体的基态磁性质有着重要影响。图2表0参11
O482.52+32006020153二维稀磁I si ng铁磁体的磁化行为/魏国柱，顾永伟，辛子华，张起(东北大学理学院)//东北大学学报（自然科学版）.―2005,26(6).―606～608.
对处于外磁场中，自旋为1/2的具有二维正方晶格结构的稀磁Ising铁磁体模型，采用相关有效场理论，推导出了不同浓度下系统的磁矩、磁化率的理论公式。对磁化过程中系统主要物理量随温度、浓度等因素变化的情况进行了探讨。对给定的浓度和温度，磁矩随外场强度增大而变大；而对给定的浓度和磁场，磁矩随温度升高而减小。得到了基态时系统的序参量随浓度的变化曲线及该结构在不同浓度下的相图。图4表0参8
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