模拟电子练习题(有答案)

一、填空题：

1.周期函数的FFT展开是一系列不同频率的正弦波叠加，而非周期函数的FFT展开是含有__0~

∞频率的所有正弦波成分。

2.高频小电流场合应采用__点接触_型结构的二极管,而低频大电流场合则应选用__面接触_型

结构的二极管。

3.选用二极管时最为关注的二个参数是最大正向工作电流I F__和最高反向工作电压V BRMAX 。

而硅肖特基二极管的饱和导通压降为___0.3____V。

图<1> 图<2>

3.在图<1>所表示的组合电流源电路中,T5、T6管输出的电流I5、I6称为_拉电流_或者称电流

源；而T2、T3管输入的电流I2、I3称为_灌电流__或者称为_电流阱__。

4.快速估算图<2>共射极放大电路的电压增益大小是___─10____。

5.线性放大电路常用的耦合方式有阻容耦合、_直接耦合_、__光电耦合__和变压器耦合等方式。

6.PN结形成的原因是由于P、N区内部载流子的_浓度_不同，而引起多数载流子的_扩散_运动

和少数载流子的_漂移_运动，从而形成内电场，又称_势垒_区、或者称为_空间电荷__区，当上述二种运动最终达到动态平衡时，形成PN结。

7.某BJT在放大状态时的3个电极电位分别为V1=2V、V2=1.7V、V3=-2.5V。可以判断该BJT的“1”

脚为___e______极、“2”脚为___b____极、“3”脚为___c____极。并且它是属于__锗____材料、____PNP____型的管子。

8.正弦振荡电路通常由直流电源、__放大器__、__负反馈网络__及__选频网络__四部分组成，

常用的几种类型是_RC振荡电路__、 LC振荡电路__、 _晶体振荡电路__等振荡器。

9.图示电路,判断二极管处在___导通____状态。

10. 共基电路的最大特点是高端截止频率高，故常被应用于_高频__放大器。射极输出器，实质

上是一种共集电极电路，也称为电压跟随器。其最显著的特点是输入电阻高、输出电阻低，

故被广泛应用于电路的输入级、输出级、隔离级或缓冲级。

11.单级阻容耦合放大电路频响曲线，高频段幅频特性下跌的主要原因是_C M__的影响，而低频

段幅频特性下跌主要原因是_C E__的影响。

12.某BJT，它的β=100，测量到I B=50μA，I C=30mA，则可以判断该BJT工作于_饱和_区域内。

13.将三极管微变等效为线性模型的条件是低频小信号输入和除BJT以外电路均为线性器件。

14. 滤波电路都是选择有用的信号成分通过，抑制无用的信号成分。有源滤波电路与无源滤波

电路相比,其主要优点是_负载接入不影响滤波电路的滤波特性 , 除了传输滤波后的信号，还能放大信号。

15.在双端输入，单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻Re对_差模__信号的放大无影响

作用。对_共模_信号具有很大的抑制作用。

16、在反馈电路中，如果 |1＋AF| >1 ,则为__负__反馈；如果 |1＋AF| <1 ，则为_正_反馈。

17、放大电路中引入负反馈后，会使放大倍数A V___下降__，但可以提高A V的稳定性，

并使通频带B W___展宽__，并能使_非线性失真__减小，同时负反馈还能改变放大电路的__输入电阻__和____输出电阻____。

18、根据放大器工作的状态不同，乙类功率放大电路的导通角为±π，它的电路效率

高达78.5 _%。

19、集成三端稳压块W7912的输出电压U O =_─12__V ，W7803的输出电压U O=__+3__V 。

20、常用的滤波电路种类有：低通、高通、带通、__带阻_ _和全通五种。

21、开关稳压电源比普通直流稳压电源有如下优点自身功耗低、电源能量转换效率高、

体积小、重量轻。

22、若选频电路由三级移相式RC电路组成，则当R = 16 KΩ、C = 0.01μF时，RC振荡电路

的振荡频率f o =__406.3H Z___。

23、串联型直流稳压电源的稳压部分电路可以分为：取样电路、基准电路、

比较放大电路和调整电路。

24、由L =80mH、C=50pF的LC选频电路组成的振荡电路的振荡频率f o =__79.62KH Z_ 。

。

25、电感三点式振荡电路的振荡频率f o =

二、判断题：

1. 形成PN结内空间电荷区的是正负离子，它们是不能参于运动的( √)

2. 普通二极管不能工作在反向击穿区，而稳压管一般工作在反向击穿区( √)

±180（√）

3. 单级共发射极放大器中，输出对输入的相位移可达到?

4．单相半波整流若加了电容滤波，则整流二极管承受的反向电压将加倍。 ( × )

5．石英晶体振荡器工作时具有一个稳定的振荡频率 ( × )

6.运放作放大器时，应工作在线性区，必须加负反馈。（√）

7.运放作比较器时，通常加正反馈。（√）

8.振荡器必定有正反馈，但也能同时加负反馈以稳定放大性能。（√）

9.放大电路的输入电阻越大越好，这样对信号源取用的电流小，故影响小。（×）

10.放大电路的输入电阻就是三极管的输入电阻，越大越好。（×）

11．有源滤波器与无源滤波器，都是让有用频率信号通过，同时抑制无用频率信号。( √ )

±180 ( × ) 12．振荡电路中，由ΨA+ΨF =± 2nЛ,输出对输入的相位移一定要达到?

13.共发射极放大电路是反相放大器，而共基和共集放大电路是同相放大器。（√）

14.固定分压式共发射极放大电路中在R E上加C E的作用是提高交流放大倍数。（√）

15.带通滤波器可以由低通滤波器与高通滤波器并联组成的( ×)

16.带阻滤波器要求低通滤波器的上限频率小于高通滤波器的下限频率（√）

17.硅二极管的饱和导通压降为0.2V, 锗二极管的饱和导通压降为0.7V。（×）

18.单相桥式全波整流加电容滤波电路中U O=0.9U2。（×）

19.从运放连接上可以判断，负反馈必定是从输出端返回反相输入端。（√）

20.放大电路的输出电阻越小越好，可带的后级负载就多，即带载能力强。（×）

21.静态Q点不适当、输入信号过大、温度上升都可能引起输出信号失真。（√）

22.模拟信号经放大电路仍应是模拟信号，也可能是脉冲信号（加限幅）。（√）

23.模拟信号经运算放大器输出一定还是模拟信号。（×）

24.肖特基硅二极管的饱和导通压降为0.4V左右。（√）

25.单相全波整流加电容滤波电路中二极管的耐压U DBRMAX U2。（√）

三、选择题：

1、图示电路为一个用理想二极管D1、D2和电阻器R组成

的电路，求图中标注出的电压U数值和流过电阻R的电

流I的数值：( D )

A、U＝＋5V I＝0.5mA

B、U＝＋2V I＝0.7mA

C、U＝＋7V I＝1.2mA

D、U＝＋5V I＝1mA

2、三极管要安全工作应满足的条件是：( D)

A、i c

B、P C

C、u CE

D、以上三种同时满足

3、用NPN型管构成的共发射极基本放大电路，输出波形上负周出现平顶，则失真类型和消除

方法是：( C)

A、截止失真，应使R b减小；

B、截止失真，应使R b增大；

C、饱和失真，应使R b增大；

D、饱和失真，应使R b减小。

4．三极管放大电路中，为尽量稳定静态工作点，可以：（C）

A、加入钳位电路或者限幅电路；

B、选用受温度影响较大的元器件；

C、引入合适的负反馈电路；

D、加滤波电容，增大直流偏置电压和电流。

5．场效应管在哪些性能上具有比三极管优良的特性：（A）

A、抗噪声、高输入电阻、低功耗及温度稳定性好；

B、低输入电阻，所以输出功率大；

C、电压放大能力高、抑制高频干扰的能力强；

D、温度稳定性差。

6．.图示理想二极管电路中，试判断D1 和D2是工作( C)

在导通还是截止状态，并计算输出电压Uab的大小：

A、D1 截止、D2导通，Uab＝－12V，

B、D1 截止、D2截止，Uab＝－6V

C、D1 导通、D2截止，Uab＝0V，

D、D1 截止、D2导通，Uab＝－18V，

7. 振荡器是一种信号产生电路，它与一般放大器的本质区别是： ( D )

A、需要有输入信号才能有输出信号；

B、放大器只需要负反馈电路；

C、只要有正反馈电路就行；

D、不需外加输入信号就能形成输出信号。

8.阻容耦合的优点是：( C )

A、传递直流信号，隔离交流信号；

B、传递共模交流信号，隔离差模直流信号；

C、传递中低频交流信号，隔离直流信号；

D、传递直流信号和低频交流信号，隔离高频信号。

9、由方波产生电路产生方波信号后，要获得锯齿波信号，则下例说法正确的是：（B)

A、通过方波调占空比获得；

B、通过方波积分以后再调占空比获得；

C、通过三角波积分以后获得；

D、通过正弦波积分以后再调占空比获得。

10、消除乙类功率放大器交越失真的方法是：( C)

B、让放大器工作在甲类状态；

B、加入限幅电路；

C、让放大器微导通，工作在甲乙类或者丙类状态；

D、单电源供电改成为正、负二个电源供电。

11．振荡电路要获得稳定振荡信号输出，必须满足下例条件：( D)

A、满足幅度平衡条件与相位平衡条件，

B、电路必须有直流电源、放大器、选频网络、负反馈网络部分，

C、必须要有晶体振荡器，不能用RC或者LC电路，

D、以上条件中A和B必须同时满足。

12．一般滤波器电路和振荡器电路中，放大器的放大倍数选择在：( C)

A、106~108倍；

B、20~120倍；

C、3倍左右；

D、0.707倍。

13．对于马达等恒压工作要求的负载，放大电路中应该引入：( C)

A、稳定输出电压，采用电流反馈，降低R0；

B、稳定输出电流，采用电流反馈，降低R0；

C、稳定输出电压，采用电压反馈，降低R0；

D、稳定输出电流，采用电压反馈，提高R0；

14．滤波器电路的滤波阶数越高，则：( B)

A、电路结构越简单，滤波效果越好，成本低；

B、电路结构比较复杂些，滤波效果越接近理想的滤波特性，输出信号的频率成分稳定；

C、电路结构比较复杂些，滤波效果但是一样，成本高，不实用；

D、电路结构比较复杂些，能稳定输出信号，滤波效果一般，不可取。

15．关于二极管电路的计算处理中，以下回答正确的是： ( D ) A 、理想二极管模型能处理所有的二极管电路问题，结构简单，求解方便； B 、恒压降模型处理精度最高，数学运算比较简单些，因为是恒压处理的；

C 、折线模型处理精度最高，因为它用三个线性器件去模拟实际二极管的电特性；

D 、用什么模型要根据作用信号强弱来决定处理的精度范围，小信号模型相对来说精度较高。

四、计算作图和其他分析题：

1、 根据所给电路画出u 0的近似波形，( 设：二极管

为理想器件)。其中：u i = 12sin ωt ( V ) ，稳压

管D Z 的稳定电压V Z = 6V ，E = 2V 解：

2、图示分压式带射极偏置电阻Re 的共发射极放大电路。Rb1＝60K Ω、Rb2＝20K Ω、Re ＝2K

Ω、Rc ＝4K Ω、Vcc ＝16V 、β＝60 。负载电阻R L ＝4K Ω 。试求出： (1) 估算电路的静态Q 点； (2) 画出电路的微变等效电路；

(3) 不考虑R L 接入时的电压增益Av O ； (4) 考虑R L 接入时的电压增益Av L ； (5) 输入电阻Ri ；输出电阻Ro ； 解：21220166020b B CC b b R K

V V V R R K K

=

?=?++ 4V =

40.7 3.3E B BE V V V V V V =-=-= 3.3 1.652E E

C E

V V I mA I R K

===≈ 1.6527.560C B I mA I A μβ=== ()16 1.65(42)C E C C C C E V V I R R V m A K V =-?+=-?+≈

26200(1)2620061 1.21.65mV

rbe Ie

mV

K mA

β=Ω++=Ω+?

≈Ω

604 1.89(1)Re 1.2612be Rc K

Avfo r K K ββ?=-

=-=-++Ω+?Ω

6020.98(1)Re 1.2612L L be R K

Avf r K K ββ?=-=-=-++Ω+?Ω

3. 根据如图所示电路和所示各元件的参数值，试写出输出电压υO 与输入电压υ

i1

和υ

i2

的分析

表达式。

解：A 1为反相比例放大器 21

1111

3O i i R V V V R =-

=- A 2为反相比例积分器

2222211

100.1O i i i V V dt V dt R C V dt

=-

?=-?=-?

A 3为反相加法器

[]

232323

121233312()()1(3)(0.1)i i R R R Vo Vo Vo Vo Vo R R R V V dt =-

+-=-+=--+-?

=1230.1i i V V dt +?

4.图示单相桥式整流、电容滤波的直流稳压电源。电源的负载电压U O ＝30 V ， 负载电流 I 0

＝150mA 。已知交流频率为50H Z

(1) 、试确定选用二极管，以及滤波电容的参数； (2) 、若D 3反接或开路，情况将如何？ 解：21.2Uo U =

230251.2 1.2

Uo V

U V =

== 12752

D D Io

i i mA ===

22535.35BRMAX V V V =≈

取工作电流为100mA 、50V 耐压的整流二极管。

30200150O L O U V R I mA =

==Ω (3~5)22

L T

R C T == 110.0250T s f Hz === 20.04200200L T s C F R μ=

==Ω

取耐压50V,容量为250F μ的滤波电容器。

若D 3反接或开路，信号正半周信号部分没有输出，变压器副边线圈短路，不能正常工作，甚至烧坏电路元器件。

5．如图为一个具有滞回特性的电压比较器电路，其参数已在图中标出，设U Z = ±6V ，输入

电压是最大值为15V 的正弦波，运算放大器的±V om=±12V 。试求出V T+ 、V T- 后，再画出输出电压波形。

解：

32

2323

[]

167T REF OM R R V V V R R R R V V V

+=

++++=+= 32

2323

[]

165T REF OM R R V V V R R R R V V V

-=

+-++=-=-

6、如图放大电路，设FET 的互导为g m ，r d 很大；BJT 的电流放大系数为β，输入电阻为r be 。

试说明T 1 、T 2各属于什么样的放大组态，求电路的电压增益Av 、输入电阻R i 及输出电阻R o 的表达式。

解：T 1为源极输出器，电压跟随器A V1=1 T 2为共射放大器，2C

V be

R A r β-=

122C

V V V V be

R A A A A r β=?≈=-

R i =Rg=5.1M Ω R O =R C=180Ω

7、图示电路中，当电路连接点P 点分别与图中A 、B 、C 三点连接时，(图示 P 点已与C 点连

接)试分析电路在这三种情况下所处的工作状态，若BJT 作为功放电路中的一个单管，则它在A 、B 、C 三种工作状态时的导通角分别为多大？哪一状态时的电路效率最高？

解：A 点连接时1240300b V

I A K μ≈

=Ω

设β=50

2b I c I m A β== 4Vce Vcc Ic Rc V =-?=

甲类工作状态，导通角为±360゜

效率35%～45%

B 点连接时：1220600b V

I A K μ≈

=Ω

1b Ic I mA β== 8Vce Vcc Ic Rc V =-?=

丙类工作状态，导通角为<±180゜,效率75%。

C 点连接时：0b I Ic =≈ 12Vce Vcc Ic Rc Vcc V =-?≈=

乙类工作状态，导通角为=±180゜，效率78.5%,效率最高。

8.请用运算放大器以及数个电阻，试设计一个运算放大电路,可以实现如下的运算方程：

V 0 ＝－6V i1 - 3V i2 + 5V i3

解：设

11

2233

634

f f f R R R R R R === 4455

1

1

f f R R R R ==

9．用运放电路组成加法器，使其能完成U O = - ( U I 1 + 0.5U I 2 + 2U I 3 + 4U I 4 ) 的运算。若R f = 100 K Ω，试作出加法器电路图，并求出各电阻R 1 、R 2 、R 3 、R 4 和平衡电阻R 5的阻值。

解：运放作放大器组成反向加法器，

12341234

()F F F O i i i i R R R RF

V V V V V R R R R =-+++

10.请正确连接A 、B 、P 、N 四点，使之成为RC 桥式振荡电路并能正常工作。 ( 1 )、电路的每个部分名称是什么？

（2）、电路的振荡频率是多少

解：运放作放大器，连接工作电源。 R 1、R 2负反馈网络

C 1R 3C 2R 4正反馈网络，选频网络

电路正确连接是A 连接P 点，B 连接N 点。 电路的振荡频率：

11

228200.02o f RC K F

ππμ=

=?Ω?=9.7H Z

12

3451234

10011001000.5200100250100425100200502513f f f f R k

R k R k

R

k

R k R k R k

R k

R R R R R K K K K

K ===

========

11.判断图示电路中的反馈元件或网络，并写出每一反馈元件或网络的反馈类型的名称。

解：R E1是T1本级交直流电流串联负反馈R E1是T1本级交直流电流串联负反馈R E2是T2本级交直流电流串联负反馈R E2是T2本级交直流电压串联负反馈R F是大环交直流电流串联正反馈R E3是T3本级交直流电流串联负反馈

R F是大环交直流电流并联负反馈

12．判断图示电路能否形成振荡电路，如果不能形成振荡，请根据振荡条件改正电路的错误之处，使它成为正确的振荡电路。并简单说明其中的晶体振荡器在电路中的作用。

解：放大器T是共基极电路组态

选频谐振电路为电感三点式振荡电路

晶体振荡器在电路中的作用等效为电感元件

不能形成振荡。

可修改为下图共基极电路组态的振荡器电路也可改为共射极电路组态的振荡器

模拟电子基础复习题与答案

模拟电子技术基础复习题 图1 图2 一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路 ④共源放大电路 一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是③，输入电阻最小的电路是②，输出电阻最小的电路是③，频带最宽的电路是②；既能放大电流，又能放大电压的电路是①；只能放大电流，不能放大电压的电路是③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。 2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。填空： （1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为；，U CEQ的表达式为 （2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为； （3）若减小R B，则I CQ将 A ，r bc将 C ，将 C ，R i将 C ，R o将 B 。

A.增大 B.不变 C.减小 当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。 A.饱和 B.截止 3、如图1所示电路中， （1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数= 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。 （2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。 （3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。 4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、 电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。 5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和 电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。 6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。 7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。 8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子练习题

第1页/共8页下一页〉 文本预览： 模拟电子习题集 一。选择题 1．半导体中得空穴就是(B）: A.半导体晶格中得缺陷B电子脱离共价键后留下得空位Ｃ带正电得离子 2.工作在放大状态得晶体管，流过集电结得主要就是（B） Ａ扩散电流B漂移电流 3。下列元、器件中有源器件就是（C): A电阻器B电容器C晶体管 4。多级放大电路与单管放大电路相比，频带（B) A变宽B变窄Ｃ差不多 5.差动输入信号与两个输入信号得（A)有关。 Ａ差B与C比值D平均值 6．输出级得互补电路常用得接法就是(Ｂ): Ａ共射或共源B共集或共漏C 共基或共栅 ７．具有下列情况得就一定就是反馈放大电路（B)： Ａ输出与输入之间有信号通路B电路中存在反向传输得信号通路C除放大电路以外还有信号通路 ８．为了抑制漂移,集成运放得输入级一般就是差动放大电路,因此对于由双极型三极管构成输入级得集成运放，两个输入端得外接电阻应（B) A较大Ｂ对称C较小 9.在输入电压从足够低逐渐上升到足够高与从足够高下降到足够低两种不同变化过程中, （B）得输出电压随uI变化得曲线就是不同得。 A简单电压比较器B滞回比较器Ｃ窗口比较器 10.滤波可利用（C）实现

Ａ。二极管B变频电路Ｃ低通滤波电路D高通滤波电路 11.本征半导体温度升高后（Ｃ) A自由电子数目增多，空穴数目基本不变Ｂ空穴数目增多，自由电子数目基本不变Ｃ自由电子与空穴数目都增多，且增量相同D自由电子与空穴数目不变 12。二极管得正向电阻（B），反向电阻（A) A大B小 13.NPN型与PNP型晶体管得区别就是(Ｃ） A由两种不同材料硅与锗制成得Ｂ渗入得杂质元素不同ＣＰ区与Ｎ区得位置不同 14.某个处于放大状态得电路，当输入为10mV时,输出电压为7V;输入电压为1５mV时，输出电压为６、５V .它得电压放大倍数为（C) A70０B100 C-１0０ １5．放大电路与单管放大电路相比,高频时附加相移（A） A变大B变小C基本不变 16。差模放大倍数Ａd就是（Ｂ)之比,共模放大倍数Ａc就是(Ｃ）比。 A输出得变化量与输入变化量B输出差模量与输入差模量C输出共模量与输入共模量D输出直流量与输入直流量 17.复合管组成得电路可以(Ｂ）： Ａ展宽频带Ｂ提高电流放大系数C减小温漂 18。所谓开环就是指具有以下主要特点得电路（B): A无信号源B无反馈通路C无电源D无负载 １9.当集成运放处于(A）状态时,可运用（D）与（Ｅ）概念。 A．线性放大B开环C深负反馈D虚短E虚断 20．功率放大电路得输出功率大就是由于(C）： A电压放大倍数大或电流放大倍数大B输出电压高且输出电流大Ｃ输出电压变化幅值大且输出电流变化幅值大 ２1、N型半导体就是纯净半导体加入以下(C)物质后形成得半导体：

模拟电子电路技术试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题1 一、填空题（每空1分，共32分） 1、空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。 2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（） 3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而与外电场（）。 4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。 5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件。 6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。 7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈.。 8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（）通频带（）失真。 9、反馈导数F=（）。反馈深度是（）。 10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（）

信号。 11、OCL电路是（）电源互补功放，OTL是（）电源互补功放。 12、用低频信号改变高频信号的相位称为（）。低频信号称为（）、高频信号称为（）。13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（）。共基极电路比共射极电路高频特性（）。14、振荡电路的平衡条件是（），（）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。 15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。 二、选择题（每空2分，共34分） 1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（） A 5v B 9v C 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。 A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN) 3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。 A 饱和 B 截止C交越D频率

模拟电路基础知识大全

模拟电路基础知识大全 一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。

模拟电子技术基础第二章练习题

注意：答案仅供参考！ 一、填空题 1. 半导体三极管属于电流控制器件，而场效应管属于 电压控制器件。 2. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。 3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变 大； 若负载电阻R L 变小时，其电压增益将变 小。 4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态lc 偏小;产生饱和失真 的原因是lc 偏大；若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。 5. 静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。 6. 静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真；Q 点选得过高会导致 饱和 失真。 7. 对于下图所示电路，设 V cc =12V ，R b =510k Q, R=8 k Q ，V B E =0.7V ，V C E （sat ）=0.3V, 当B =50,静态电流I BG 22卩A ，I CQ F 1.1mA ，管压降V C E = 3.2V ;若换 上一个当B =80,静态电流 I BCF 22卩A ， lcd=2mA V C E =4V,则电路中的 R= 282.5 k Q T —v cc 汁A 叫 l cc= 1.46mA ，管压降 V C EC F V cc =12V ，三级管B =50，V B E =0.7V ，若要求静态电流 ，R= 4 k Q o 8.对于下图所示电路，设 饱和状态。

9. 对于下图所示电路，已知V C C=12V,嘉=27 k Q, R=2 k Q ,R e=1 k Q ,V BE=0.7V,现要求静态电流l cd=3mA贝U F b2= 12 k Q 。 10. 已知图示的放大电路中的三级管B =40, V BE=0.7V,稳压管的稳定电压V Z=6V, 则静态电流I B Q= 0.275mA ，I c(= 11mA ，管压降V C E= 3V 。 11. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数 大_，穿透电流I CEO增加：当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。 12. 若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波 形失真，且幅度增大，这时发生的失真是饱和失真,失真的主要原因是由于夏天室温升高后，三级管的l CBO、V BE和B 三个参数的变化,引起工作点上移；输出波形幅度增大，则是因为B 参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。

模拟电子技术 第二版答案

第八章自我检测题参考答案 一、填空题 1.图Z8.1所示电路，求 ⑴变压器二次电压U2=15V； ⑵负载电流I L=10mA ⑶流过限流电阻的电流I R=24mA；提示：I R=（U C-U O）/R ⑷流过稳压二极管的电流为14mA。 2.78M12的输出电压为12V，最大输出电流为0.5A。 3.CW317三端可调集成稳压器，能够在1.2V至37V输出范围内提供1.5A的最大输出电流。 二、选择题 1.图Z8.2所示电路，若U I上升，则U O(A)→U A（A）→U CE1（C）→U O（B）。 A.增大 B.不变 C.减小 2.PWM开关稳压电源，当电网电压升高时，其调节过程为U O(A)→占空比D（B）→U O(C)。 A.增大 B. 减小 C.不变 3.图Z8.3所示电路装接正确的是（b）。

三、图8.1.3所示电路，写出U O 的表达式，若U Z =6，计算U O 的调节范围。 解： Z P Z P P O U R R R U R R R R R U ??? ? ? ?++=+++= 12 1211 代入数据 U Omin =?? ? ? ?++ 51.0131×6V≈17.9V U Omax =（1+3/0.51）×6V≈41.3V 该电路的输出电压调节范围为17.9V ～41.3V 。 四、将图Z8.3的元器件正确连接起来，组成一个电压可调稳压电源。 解：画出参考接线如下图红线所示。 第八章 习题参考答案 8.1图Z8.1所示电路，若负载不变，当电网电压下降时，I R 、I Z 、U R 、U O 分别如何变化？ 解： 图Z8.1所示电路，若负载不变，当电网电压下降时，I R ↓，I Z ↓↓，U R ↓，U O ↑。 8.2在电网电压波动范围为±10%的情况下，设计一输出电压为6V ，负载电阻范围为1kΩ至∞的桥式整流电容滤波硅稳压管并联稳压电源。 提示：U I 可按（2～3）U O 经验公式选取。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

模拟电子技术练习题(专升本)

《模拟电子技术》练习题 一、填空题 1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。 2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。 （a ） （b ） 图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3 对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = V ，则与该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。 7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。 9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运 I O

放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。 图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，，，则这三个极分别为（ ）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（ ）。 A ．360 kΩ B ．300 kΩ C ．300 Ω D ．400 kΩ 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的 值约为（ ）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（ ）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用 图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B

模拟电子书后习题答案第6章

【6-1】在图6.11.1所示的电路中，A 均为理想运算放大器，其中的图(e)电路，已知运放的最大输出电压大于U Z ，且电路处于线性放大状态，试写出各电路的输出与输入的关系式。 A R 2R A ∞ R 2 R F R 1 u I +_ u O +_ u I +_ u O +_ (a) (b) (c) (d) (e) 图6.11.1题6-1电路图 解： 图（a ）：u O =-2u I ； 图（b ）： 2 O I 12 R u u R R = ?+； 图（c ）：u O =-u I +2u I =u I ； 图（d ）：I1I2O 121()d u u u t C R R =-+?； 图（e ）： 2 O Z O 23 ,R u U u R R =+ + 故得2O 3(1)Z R u U R =+。 【6-2】电路如图6.11.2(a)所示。 1. 写出电路的名称。 2. 若输入信号波形如图(b)所示，试画出输出电压的波形并标明有关的电压和所对应的时间数值。设A 为理想运算放大器，两个正、反串接稳压管的稳压值为±5V。 3. 对电路进行仿真，验证计算结果。

u i t (s) 10 -10 1 2 3 4 (V) 图6.11.2 题6-2电路图 解： 1. 带限幅的反相比例放大电路； 2. 当| u I |≤1V 时，电路增益A uf =-5；当| u I |≥1V 时，| u O |被限制在5V 。波形如图4-3。 u I t /s 10 -101 2 34 /V u O t 5 -5 /V 0.1 1.9 2.1 /s 图4-3 【6-3】在图 6.11.3所示的增益可调的反相比例运算电路中，已知R 1＝ R w =10kΩ、R 2=20kΩ、U I =1V ，设A 为理想运放，其输出电压最大值为±12V，求： 1． 当电位器R w 的滑动端上移到顶部极限位置时，U o = 2． 当电位器R w 的滑动端处在中间位置时，U o = 3． 电路的输入电阻R i = 图6.11.3 题6-3电路图

模拟电子技术基础书后习题答案第2章

习题第2章 【2-1】填空： 1．本征半导体是，其载流子是和。两种载流子的浓度。 2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。 3．漂移电流是在作用下形成的。 4．二极管的最主要特征是，与此有关的两个主要参数是和。 5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。它工作在。描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。 6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。 1.完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。 2.杂质浓度，温度。 3.少数载流子，(内)电场力。 4.单向导电性，正向导通压降U F和反向饱和电流I S。 5.反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z），工作电流（I Emin），最大管耗（P Zmax）和动态电阻（r Z） 6.增大; 【2-2】试分析图2.10.1电路，计算电位器调节端对地的输出电压范围。 + 12 12V 图2.10.1 题2-2电路图 解： 二极管的正向特性曲线，当电流较大时，比较陡直，也具有一定的稳压特性。此题就是利用二极管的正向特性来获得比较稳定的低的直流电压值。可以从其他电源转换而来，例如图中的±12V直流电源，比通过电阻降压要好。 两个二极管正偏工作，a、b二点间的电压为1.4V。330W的电位器跨接在a、b二点之间，a 点是+0.7V，b点是-0.7V。U o对地电压的调节范围-0.7V~+0.7V，电位器的中点是0V。 【2-3】电路如图2.10.2所示，二极管均为理想二极管，电压U为220V市电，L1、L2和L3为3个灯泡，请分析哪个灯泡最亮。 123 图2.10.2 题2-3电路图 [解] 根据题意，电压U为220V交流市电，故该电路的分析应该从正半周和负半周两个

模拟电路基础知识大全

一、填空题:(每空1分共40分) 1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开; 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增大),发射结压降(减小)。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共集电极)、(共发射极)、(共基极)放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(交流)负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(A/1+AF),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF= (1/F )。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=(fh-fl ), (1+AF )称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。 13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路; OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(近似于1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调波),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载流信号)。 17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy ) 1、1、P型半导体中空穴为(多数)载流子,自由电子为(少数)载流子。 2、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。 3、反向电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。 4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。 5、当温度升高时,三极管的等电极电流I(增大),发射结压降UBE(减小)。 6、晶体三极管具有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。 7、三极管放大电路共有三种组态()、()、()放大电路。

模拟电子技术习题及答案定稿版

模拟电子技术习题及答 案 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】

模拟电子技术 第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷

2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 时会损坏。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U =0.7V，试写出各电路的输出电压 D(on) Uo值。

模拟电子书后习题答案第3章

习题第3章 【3-1】 如何用指针式万用表判断出一个晶体管是NPN 型还是PNP 型？如何判断出管子的三个电极？锗管和硅管如何通过实验区别？ 解： 1． 预备知识 万用表欧姆挡可以等效为由一个电源（电池）、一个电阻和微安表相串联的电路，如图1.4.11所示。 μA 正极红笔 E -+ - e e NPN PNP 图1.4.11 万用表等效图 图1.4.12 NPN 和PNP 管等效图 (1) 晶体管可视为两个背靠背连接的二极管，如图1.4.12所示。 (2) 度很低。2(1) （或(2) 红表笔与然后两如图 图 1.4.13 测试示意图 【3-2】 图3.11.1所示电路中，当开关分别掷在1、2、3 位置时，在哪个位置时I B 最大，在哪个位置时I B 最小？为什么? o 图3.11.1 题3-2电路图

[解] 当开关处于位置2 时，相当一个发射结，此时I B 最大。当开关处于位置1时，c 、e 短路，相当于晶体管输入特性曲线中U CE =0V 的那一条，集电极多少有一些收集载流子的作用，基区的复合还比较大，I B 次之。当开关处于位置3 时，因集电结有较大的反偏，能收集较多的载流子，于是基区的复合减少，I B 最小。 【3-3】 用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各极对地电位如图3.11.2所示，试判断晶体管分别处于哪种工作状态(饱和、截止、放大)？ + 6V + 12V -- - 图3.11.2 题3-3电路图 解： 【3-4】 [解(a)管压降U B I β (b)(c)电路中，BE B 12V 0.023mA 510k U I -=≈Ω ，CE B 12V 5.1k 6.1V U I β=-??Ω=，管压降足以建立集电 极结反压，晶体管工作在放大区。 【3-5】分别画出图3.11.4所示各电路的直流通路和交流通路。

模拟电子技术电路设计

一、课程设计目的 1通过课程设计了解模拟电路基本设计方法以及对电路图进行仿真，加深对所学理论知识的理解。 2通过解决比较简单的电路图，巩固在课堂上所学的知识和实验技能。 3综合运用学过的知识，并查找资料，选择、论证方案，完成电路设计并进行仿真，分析结果，撰写报告等工作。 4 使学生初步掌握模拟电子技术电路设计的一般方法步骤，通过理论联系实际提高和培养学生分析、解决实际问题的能力和创新能力。 二、方案论证 2.1设计思路 一般来说，正弦波振荡电路应该具有以下四个组成部分： １．放大电路 ２．反馈网络 ３．选频网络 ４．稳幅环节 其中放大电路和反网络构成正反馈系统，共同满足条件1=? ? F A 选频网络的作用是实现单一频率的正弦波振荡。稳幅环节的作用是使振荡幅度达到稳定，通常可以利用放大元件的非线形特性来实现。 如果正弦波振荡电路的选频网络由电阻和电容元件组成，通常成为ＲＣ振荡电路。 2.2工作原理

1．电路组成 振荡电路的电路图如2.3原理图所示。其中集成运放A 工作在放大电路，RC 串并联网络是选频网络，而且，当 f f o = 时，它是一个接成正反馈的反馈 网络。另外，R f 和R ' 支路引入一个负反馈。由原理图可见 RC 串并联网络中的串联支路和并联支路，以及负反馈支路中的R F 和R ' ，正好组成一个电桥的四个臂，所以又称文氏电桥振荡电路。 2．振荡频率和起振条件 （1）振荡频率 为了判断电路是否满足产生振荡的相位平衡条件，可假设在集成运放的同相输入端将电路断开，并加上输入电压? Ui 。由于输入电压加在同相输入端，故集成运放的输出电压与输入电压同相，即0=A ?已经知道，当 f f o = 时，RC

模拟电路基础 教案

教师教案（2011—2012学年第一学期) 课程名称：模拟电路基础 授课学时：64学时 授课班级：20XX级光电2-4专业任课教师：钟建 教师职称：副教授 教师所在学院：光电信息学院 电子科技大学教务处

第1章半导体材料及二极管(讲授8学时+综合训练2学时) 一、教学内容及要求（按节或知识点分配学时，要求反映知识的深度、广度，对知识点的掌握程度（了解、理解、掌握、灵活运用），技能训练、能力培养的要求等） 1.1 半导体材料及其特性：理解并掌握本征半导体与杂质半导体（P型与N 型）的导电原理，本征激发与复合、多子与少子、漂移电流与扩散电流的区别；理解并掌握PN结的形成原理（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；理解PN 结的单向导电特性与电容效应。（2学时） 1.2 PN结原理：PN结的形成：耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结的单向导电特性，不对称PN结。（2学时） 1.3 晶体二极管及应用：理解并掌握二极管单向导电原理及二极管伏安特性方程；理解二极管特性随温度变化的机理；理解并掌握二极管的四种等效电路及选用原则与区别；理解并掌握二极管主要参数；了解不同种类二极管区别（原理），了解硅管与锗管的区别；理解稳压二极管的工作原理。（4学时） 二、教学重点、难点及解决办法（分别列出教学重点、难点，包括教学方式、教 学手段的选择及教学过程中应注意的问题；哪些内容要深化，那些内容要拓宽等等） 重点：半导体材料及导电特性，PN结原理，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性。 难点：晶体二极管及应用，PN结的反向击穿及应用。 三、教学设计（如何讲授本章内容，尤其是重点、难点内容的设计、构思） 重点讲解二极管的单向导电性，二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管的直流电阻与交流电阻。反向击穿应用：设计基本稳压管及电路。

模拟电子练习题

第1 页/共8 页下一页＞ 文本预览： 模拟电子习题集 一．选择题 1．半导体中的空穴是（B）： A ．半导体晶格中的缺陷 B 电子脱离共价键后留下的空位 C 带正电的离子 2．工作在放大状态的晶体管，流过集电结的主要是（ B ） A 扩散电流 B 漂移电流 3．下列元、器件中有源器件是（C）： A 电阻器 B 电容器 C 晶体管 4．多级放大电路与单管放大电路相比，频带（ B ） A 变宽 B 变窄 C 差不多 5 .差动输入信号与两个输入信号的（A）有关。 A差B和C比值D平均值 6. 输出级的互补电路常用的接法是（B）： A 共射或共源 B 共集或共漏 C 共基或共栅 7. 具有下列情况的就一定是反馈放大电路（B）： A 输出与输入之间有信号通路 B 电路中存在反向传输的信号通路 C 除放大电路以外还有信号通路 8. 为了抑制漂移，集成运放的输入级一般是差动放大电路，因此对于由双极型三极管构成输入级的集成运 放，两个输入端的外接电阻应（B） A 较大 B 对称 C 较小 9. 在输入电压从足够低逐渐上升到足够高和从足够高下降到足够低两种不同变化过程中， （ B ）的输出电压随uI 变化的曲线是不同的。 A 简单电压比较器 B 滞回比较器 C 窗口比较器

10 .滤波可利用（C）实现 A ．二极管 B 变频电路 C 低通滤波电路 D 高通滤波电路 11 ．本征半导体温度升高后（C） A 自由电子数目增多，空穴数目基本不变 B 空穴数目增多，自由电子数目基本不变 C 自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 D 自由电子和空穴数目不变 12 .二极管的正向电阻（B），反向电阻（A） A大B小 13. NPN 型和PNP 型晶体管的区别是（C） A 由两种不同材料硅和锗制成的 B 渗入的杂质元素不同 C P 区和N 区的位置不同 14. 某个处于放大状态的电路，当输入为10mV 时，输出电压为7V ；输入电压为15mV 时，输出电压为 6.5V 。它的电压放大倍数为（C） A700 B100 C-100 1 5 .放大电路与单管放大电路相比，高频时附加相移（A） A 变大 B 变小 C 基本不变 16 .差模放大倍数Ad是（B）之比，共模放大倍数Ac是（C）比。 A 输出的变化量与输入变化量 B 输出差模量与输入差模量 C 输出共模量与输入共模量 D 输出直流量与输入直流量 17. 复合管组成的电路可以（B）： A 展宽频带 B 提高电流放大系数 C 减小温漂 18. 所谓开环是指具有以下主要特点的电路（B）： A无信号源B无反馈通路C无电源D无负载 19 ?当集成运放处于（A）状态时，可运用（。）和（E）概念。 A. 线性放大B 开环C 深负反馈D 虚短E 虚断 20.功率放大电路的输出功率大是由于（C）： A 电压放大倍数大或电流放大倍数大 B 输出电压高且输出电流大 C 输出电压变化幅值大且输出电流变化幅值大 A 电子 B 硼元素（三价） C 锑元素（五价） 21.N 型半导体是纯净半导体加入以下（C）物质后形成的半导体：

模拟电子书后习题答案第6章

【6-1】在图6.11.1所示的电路中，A 均为理想运算放大器，其中的图(e)电路，已知运放的最大输出电压大于U Z ，且电路处于线性放大状态，试写出各电路的输出与输入的关系式。 A R 2R u I + _ u O +_ (a) (b) (e) 解： 。 【6-21. 写出电路的名称。 2. 若输入信号波形如图(b)所示，试画出输出电压的波形并标明有关的电压和所对应的时间数值。设A 为理想运算放大器，两个正、反串接稳压管的稳压值为±5V 。 3. 对电路进行仿真，验证计算结果。

u i t (s) 10 -10 1 2 3 4 (V) 图6.11.2 题6-2电路图 解： 1. 带限幅的反相比例放大电路； 2. 当| u I |≤1V 时，电路增益A uf =-5；当| u I |≥1V 时，| u O |被限制在5V 。波形如图4-3。 u I t /s 10 -101 2 34 /V u O t 5 -5 /V 0.1 1.9 2.1 /s 图4-3 【6-3】在图6.11.3所示的增益可调的反相比例运算电路中，已知R 1＝R w =10kΩ、R 2=20kΩ、U I =1V ，设A 为理想运放，其输出电压最大值为±12V ，求： 1． 当电位器R w 的滑动端上移到顶部极限位置时，U o =? 2． 当电位器R w 的滑动端处在中间位置时，U o =? 3． 电路的输入电阻R i =？ 图6.11.3 题6-3电路图

解： 1. 2 o o1I 1 2V R U U U R ==- ?=- 2. o o124V U U ==- 3. r i =R 1=10k Ω。 【6-4】图6.11.4中的D 为一个PN 结测温敏感元件，它在20℃时的正向压降为0.560V ，其温度系数为–2mV/℃，设运放是理想的，其他元件参数如图所示，试回答： 1． I 流向何处？它为什么要用恒流源？ 2．第一级的电压放大倍数是多少？ 3．当R w 的滑动端处于中间位置时，U o (20℃)=？U o (30℃)=？ 4．U o 的数值是如何代表温度的(U o 与温度有何关系)？ 5．温度每变化一度，U o 变化多少伏？ 图6.11.4 题6-4电路图 解： 1. I 全部流入二极管VD 。因u D =f （i D ，T ），为使测温时u D =f （T ），应使i D 为常数， 此处的二极管电流I 要采用恒流源提供。 2. A u1=5； 3. u O1（20℃）=2.8V ，u O1（30℃）=2.7V ；U p= -3V ； 于是，u O （20℃）=0.2V ，u O1（30℃）=0.3V 4. u O =0.20V 代表20℃，u O =0.30代表30℃，以此类推。总之，在数值上，T （℃）与100u O （V ）相当。 5. 温度每变化1℃，u O 变化10mV 。 【6-5】在图 6.11.5所示电路中，运放为理想的，电阻Ω=k 331R ，Ω=k 502R ， Ω=k 3003R ，Ω==k 100f 4R R ，电容C =100μF 。设0=t 时，V 1i1=u ，V 2i2-=u ， V 0)0(C =u ，求当s 10=t 时的输出电压值。

模拟电子技术第三版课后题第七章作业答案

模电第七章作业 三极管串联型稳压电路如下图所示，R1=1K，R2=2K，Rp=1K，Uz=6V，Ui=15V，（1）说明由哪些元件组成哪些基本单元功能电路；（2）求出输出电压的调节范围。 解：V1组成调整管电路，A组成比较放大电路，R3、V2组成基准电压电路，R1、Rp、R2组成取样电路。 1、直流稳压电源由哪几部分组成 2、连接下图，合理组成一个5V的直流稳压电源。 3、若变压器次级输出电压U2为9V，则进入W7805的输入电压U是多少

（1）直流稳压电源由变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路四部分组成。 （3）进入W7805的输入电压U 为： U==*9= 电路如图所示,二极管为理想元件,已知负载电阻R L =200Ω,负载两端直流电压Uo=30V, （1）构成直流稳压电源需要哪几部分（2）交流电压表()V 和交流电流表（A ）的读数(设电压表内阻为无穷大，电流表内阻为零 )。（3）在下表中选出合适型号的二极管。 u 1 u 2u O R L 最 大整 流 电流 平 均 值 最 高 反 向 峰 值电 压mA V 10CP 15CP 12CP A V i O - + - + - + 1 2 O L 最 大整 流 电流 平 均 值 最 高 反 向 峰 值电 压/mA /V 210 CP 215CP 212 CP 25A V O 100 100100100 250 解：（1）直流稳压电源由变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路四部分组成。 （2）交流电压表读数U 2=30/=，交流电流表读数为Io=30/=150mA 。 （3）二极管上所承受的最高反向电压U RM = = 二极管上流过的平均电流I D =Io/2=75mA 因此，考虑到一定得余量，二极管选用2CP12，满足要求。 桥式整流滤波电路如图所示，已知变压器二次侧电压有效值U 2=20V ，试求（1）直流输出电压Uo 的值；（2）二极管承受的最大反向压降；（3）R L 开路时Uo 的值；（4）C 开路时Uo 的值。