“半导体技术”2011年第11期摘要” 材料与器件 P817- 宽带隙半导体材料光电性能的测试 P821- GaN薄膜的椭偏光谱研究 P826- 集成电路互连线用高纯铜靶材及相关问题研究 P831- GaAs同质外延生长过程的RHEED分析 制造工艺技术 P836- 300nm铜膜低压低磨料CMP表面粗糙度的研究 P840- 沟槽型VDMOS源区的不同制作方法研究 集成电路设计与应用 P844- 一种用于角度传感器中的仪表放大器 P848- FPGA芯片内数字时钟管理器的设计与实现 P853- 一种高功率馈线合成器的设计 P857- 一种宽带OFDM信号接收电路的设计与实现 P862- 2~18GHz宽带ALC放大器 P866- 20GHz镜频抑制谐波混频器 P871- 双极型LDO线性稳压器的设计 封装、检测与设备 P875- 全自动LED引线键合机焊点快速定位方法的研究 P880- 铜线键合Cu/Al界面金属间化合物微结构研究 P885- 多线切割张力控制系统研究 P890- 汽车轮胎压力感应器产品的可靠性评估
材料与器件 P817- 宽带隙半导体材料光电性能的测试 郭媛1,陈鹏1,2,孟庆芳1,于治国1,杨国锋1,张荣1,郑有炓1 (1．南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093; 2．南京大学扬州光电研究院,江苏扬州225009) 摘要:主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发条件下,自由激子的带边复合占主导地位,并且带边复合的强度随温度或激发功率的下降而减弱;在室温以下小功率激发条件下,局域化能级引入的束缚激子复合占主导地位,其复合强度随温度的下降而单调上升,随激发功率的下降而上升。带边复合在样品温度上升或者激发功率变大时发生蓝移,而局域的束缚激子复合辐射的峰值波长,随样品温度和激发功率的变化没有明显变化。 关键词:光致发光;深能级;自由激子;束缚激子;多量子阱;蓝移 P821- GaN薄膜的椭偏光谱研究 余养菁,张斌恩,李孔翌,姜伟,李书平,康俊勇 (厦门大学物理系教育部微纳光电子材料与器件工程研究中心 福建省半导体材料及应用重点实验室,福建厦门361005) 摘要:采用椭圆偏振光谱法,在1.50~6.50eV光谱内,研究了在蓝宝石衬底(0001)面上使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法制备的非掺杂纤锌矿结构GaN薄膜的光学性质。建立GaN表面层/外延层/缓冲层/衬底四层物理结构模型。与Cauchy和Sellmeier色散公式比较后选择了Tanguy Extended色散公式来分析GaN薄膜的光学性质。椭圆偏振光谱拟合结果表明,Tanguy Extended色散公式能更准确、方便地描述GaN薄膜在全波段(特别是带隙及带隙之上波段)的色散关系。提供了GaN薄膜在1.50~6.50eV光谱范围内的寻常光(o光)和非寻常光(e光)折射率和消光系数色散关系,为定量分析GaN薄膜带边附近各向异性的光学性质提供了依据。 关键词:GaN薄膜;椭圆偏振光谱;光学各向异性;色散关系;纤锌矿结构
涂装废气废水处理 一、废水处理系统 〈一〉、概述 塑胶生产线水帘柜生产概况： 喷漆柜喷油生产线在工艺生产过程中，喷漆柜的水在往复循环使用壹个周期后，水质因缺氧将产生腐败发臭、变质，悬浮物增高。其它指标随着水质的恶化而达不到生产工艺的用水目的，若完全排放掉不仅浪费，增加企业用水费用，对环境将造成很大污染，亦不符合国家要求的城市污水排放标准。故必须对此类废水进行治理后达标排放。 1．废水来源： 在生产工艺过程中所产生的废水来源于水帘柜的循环使用水及冲洗废水； 2.水量、水质的基本情况： 在喷涂生产工艺过程中，排放废水水量、水质如下： 1）水量：每天按一台水帘柜的废水设计，即： Q = 10m3/次 2）水质： PH 5 – 6 COD 2000mg/L BOD 80 -100mg/L SS 200mg/L 油 30 - 60 mg/L 〈二〉、工程规模及治理目标 1．设计工程规模： 根据生产线水帘柜废水均按一天一台进行设计集中处理； 总设计处理规模为： Q=10m3/次 设计处理能力为3m3/h 2．治理目标： 废水处理后达标排放。 处理后水质应达到国家GB8978-1996《污水综合排放标准》的一级标准，具体指标如下： PH 6 - 9 COD < 100mg/L BOD < 30mg/L
SS < 70mg/L 油 < 5mg/L 〈三〉、设计依据 1、GB8978-1996《污水综合排放标准》 2、GB18918-2002《城镇污水处理厂污染物排放标准》 3、《国务院关于环境保护若干问题的决定》国发[1996]31号 〈四〉、工艺流程 1．根据我公司对同类行业及同类型废水设计和治理的成熟经验，本报告认为水帘柜的喷油废水治理采用如下工艺： 2.工艺流程简述： 喷涂生产线排放生产废水为10m3/次，先进入废水池，经收集漆渣并沉淀澄清后进入PT-3废水处理装置进行深度处理。 该工艺的显著特点 （1）.避免了有些单位受场地限制，无法另建沉淀池的弊端，从而可减少投资，也减轻专门清渣的劳动强度。 （2）.采用了利用空间大气通过射流直接与水混合而制造出溶气水的最新技术，减掉了空压机避免了空压机的噪音污染、克服了空压机难以操作、造成气体满罐和水满罐现象，进一步提高了气浮效 果，降低了处理成本。
RTO废气处理设备的工作原理是在高温下将废气中的有机物（VOCs)氧化成对应的二氧化碳和水，从而净化废气，并回收废气分解时所释放出来的热量，三室RTO废气分解效率达到百分之99以上，热回收效率达到百分之95以上。RTO废气处理设备主体结构由燃烧室、蓄热室和切换阀等组成。RTO废弃处理设备可以根据客户实际需求，选择不同的热能回收方式和切换阀方式。 RTO废气处理设备原理是把有机废气加热到760摄氏度（具体需要看成分）以上，使废气中的VOC氧化分解成二氧化碳和水。氧化产生的高温气体流经特制的陶瓷蓄热体，使陶瓷体升温而“蓄热”，此“蓄热”用于预热后续进入的有机废气。从而节省废气升温的燃料消耗。陶瓷蓄热室应分成两个（含两个）以上，每个蓄热室依次经历蓄热-放热-清扫等程序，周而复始，连续工作。蓄热室“放热”后应立即引入适量洁净空气对该蓄热室进行清扫（以保证VOC去除率在百分之98以上），只有待清扫完成后才能进入“蓄热”程序。否则残留的VOCS随烟气排放到烟囱从而降低处理效率。 RTO废弃处理设备适用范围： 适用有机废气种类：烷烃、烯烃、醇类、酮类、醚类、酯类、芳烃、苯类等碳氢化合物有机废气。
有机物低浓度(同时满足低于百分之25LEL)、大风量。 废气中含有多种有机成分、或有机成分经常发生变化。 含有容易使催化剂中毒或活性衰退成分的废气。 RTO废弃处理设备优点： 几乎可以处理所有含有机化合物的废气。 可以处理风量大、浓度低的有机废气。 处理有机废气流量的弹性很大（名义流量百分之20~120）。 可以适应有机废气中VOC的组成和浓度的变化、波动。 对废气中夹带少量灰尘、固体颗粒不敏感。 在所有热力燃烧净化法中热效率高（>百分之95）。 在合适的废气浓度条件下无需添加辅助燃料而实现自供热操作。 净化效率高（三室>百分之99）。 维护工作量少、操作安全可靠。 有机沉淀物可周期性的清除，蓄热体可更换。 整个装置的压力损失较小。 装置使用寿命长。 江苏瑞达环保科技有限公司是一家以技术研发为先导的高科技环保公司，致力于为客户提供清洁生产、“三废”治理、资源综合利用等方面的技术咨询、研发、设计及工程总承包服务。 公司现有员工200多人，核心团队成员都具有在国内500强化工企业或跨国企业长期从事过技术和研发类工作经历。多年来，我司在全国各地，以及在印度韩国等国家，实施过多个工程和合作项目，在很多大吨位精细化工产品没有污染、清洁化生产方面做出了具有开
半导体分立器件 半导体器件是近50年来发展起来的新型电子器件，具有体积小、重量轻、耗电省、寿命长、工作可靠等一系列优点，应用十分广泛。 1）国产半导体器件型号命名法 国产半导体器件型号由五部分组成，如表1-13所示。半导体特殊器件、场效应器件、复合管、PIN型管、激光管等的型号由第三、四、五部分组成。 表1-13 中国半导体器件型号命名法
示例1：“2 A P 10”型为P型锗材料的小信号普通二极管，序号为10。 示例2：“3 A X 31 A”型为PNP型锗材料的低频小功率三极管，序号31，规格号为A。 示例3：“CS 2 B”型为场效应管，序号为2，规格号为B。 2)半导体二极管 二极管按材料可分为硅二极管和锗二极管两种；按结构可分为点接触型和面接触型；按用途可分为整流管、稳压管、检波管、开关管和光电管等。常见二极管外形和电路符号可参见《基础篇》。 （1）常用二极管的类型有： ①整流二极管 主要用于整流电路，即把交流电变换成脉动的直流电。整流二极管为面接触型，其结电容较大，因此工作频率范围较窄（3kHz以内）。常用的型号有2CZ型、2DZ型等，还有用于高压和高频整流电路的高压整流堆，如2CGL型、DH26型2CL51型等。 ②检波二极管 其主要作用是把高频信号中的低频信号检出，为点接触型，其结电容小，一般为锗管。检波二极管常采用玻璃外壳封装，主要型号有2AP型和1N4148（国外型号）等。 ③稳压二极管 稳压二极管也叫稳压管，它是用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管，其特点是工作于反向击穿区，实现稳压；其被反向击穿后，当外加电压减小或消失，PN结能自动恢复而不至于损坏。稳压管主要用于电路的稳压环节和直流电源电路中，常用的有2CW型和2DW型。 ④光电二极管 光电管又称光敏管。和稳压管一样，其PN结也工作在反偏状态。其特点是：无光照射时其反向电流很小，反向电阻很大；当有光照射时，其反向电阻减小，反向电流增大。光电管常用在光电转换控制器或光的测量传感器中，其PN结面积较大，是专门为接收入射光而设计的。光电管在无光照射时的反向电流叫做暗电流，有光照射时的电流叫做光电流（或亮电流）。其典型产品有2CU、2DU系列。 ⑤发光二极管 发光二极管简写做LED。它通常用砷化镓或磷化镓等材料制成，当有电流通过它时便会发出一定颜色的光。按发光的颜色不同发光二极管可分为红色、黄色、绿色、蓝色、变色和红外发光二极管等。一般情况下，通过LED的电流在10～30mA之间，正向压降约为1.5～3V。LED可用直流、交流、脉冲等电源驱动，但必须串接限流电阻R。LED能把电能转换成光能，广泛应用在音响设备、数控装置、微机系统的显示器上。 ⑥变容二极管 变容二极管是利用PN结加反向电压时，PN结此时相当于一个结电容。反偏电压越大，PN结的绝缘层加宽，其结电容越小。如2CB14型变容二极管，当反向电压在3～25V区间变化时，其结电容在20～30pF之间变化。它主要用在高频
工程名称：市政污水处理厂废气处理工程 建设单位：某工程技术有限公司 工程规模：综合废气总量为10000m3/h 中国某工程技术有限公司市政 污水处理厂废气处理 设 计 方 案 方案设计： 方案审核: 编制单位： 编制时间：2015年12月
目录 一、项目概述 (2) 二、设计依据、原则及范围 (2) 2.1 编制依据 (2) 2.2 编制原则 (3) 2.3 采用的主要规范及标准 (3) 2.4工程设计实施范围 (4) 2.5废气设计排放标准 (4) 三、废气来源及成分 (4) 3.1来源及成分 (4) 3.2废气风量 (4) 3.3废气的危害 (4) 四、治理工艺选择 (6) 4.1 工艺介绍 (6) 4.2 工艺对比 (11) 4.3 工艺流程 (12) 五、工程设计 (12) 5.1 废气工艺参数设计 (12) 5.2基础设计 (13) 5.2.1 基础设计依据及原则 (13) 5.2.2 土建工程结构类型设计 (14) 5.2.3 建构筑物设计要点 (14) 5.2.4 总平面布置 (14) 5.3 电气及自动控制设计 (14) 5.3.1供、配电系统 (14) 5.3.2主要电气设备选型 (14) 5.3.3电缆、电线选型及敷设 (14) 5.3.4防雷与接地 (15) 5.3.5自动控制 (15) 六、技术经济及效益分析 (16) 6.1运行成本与费用 (16) 6.2设备材料清单 (16) 七、运行及维护 (17) 7.1 运行 (17) 7.2 维护 (18) 7.3人员培训 (18) 八、技术服务承诺 (18) 九、相关工程案例 ........................................................................................................ 错误!未定义书签。 十、资质及证书 ............................................................................................................ 错误!未定义书签。
半导体材料与器件发展趋势总结 材料是人类社会发展的物质基础与先导。每一种重大新材料的发现和应用都把人类支配自然的能力提高到一个全新的高度。材料已成为人类发晨的里程碑。本世纪中期单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研究成功，导致了电子工业大革命。使微电子技术和计算机技术得到飞速发展。从20世纪70年代的初期，石英光纤材料和光学纤维的研制成功，以及GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明，使光纤通信成为可能，目前光纤已四通八达。我们知道，每一束光纤，可以传输成千上万甚至上百万路电话，这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。超晶格概念的提出MBE、MOCVD先进生长技术发展和完善以及超品格量子阱材料包括一维量子线、零维量子点材料的研制成功。彻底改变了光电器件的设计思想。使半导体器件的设计与制造从过去的杂质工程发展到能带工程。出现了以“电学特性和光学特性的剪裁”为特征的新范畴，使人类跨入到以量子效应为基础和低维结构为特征的固态量子器件和电路的新时代，并极有可能触发新的技术革命。半导体微电子和光电子材料已成为21世纪信息社会的二大支柱高技术产业的基础材料。它的发展对高速计算、大容量信息通信、存储、处理、电子对抗、武器装备的微型化与智能化和国民经济的发展以及国家的安全等都具有非常重要的意义。 一、几种重要的半导体材料的发展现状与趋势 1.硅单晶材料 硅单晶材料是现代半导体器件、集成电路和微电子工业的基础。目前微电子的器件和电路，其中有90％到95％都是用硅材料来制作的。那么随着硅单晶材料的进一步发展，还存在着一些问题亟待解决。硅单晶材料是从石英的坩埚里面拉出来的，它用石墨作为加热器。所以，来自石英里的二氧化硅中氧以及加热器的碳的污染，使硅材料里面包含着大量的过饱和氧和碳杂质。过饱和氧的污染，随着硅单晶直径的增大，长度的加长，它的分布也变得不均匀；这就是说材料的均匀性就会遇到问题。杂质和缺陷分布的不均匀，会使硅材料在进一步提高电路集成度应用的时候遇到困难。特别是过饱和的氧，在器件和电路的制作过程中，它要发生沉淀，沉淀时的体积要增大，会导致缺陷产生，这将直接影响器件和电路的性能。因此，为了克服这个困难，满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高，人们不得不采用硅外延片，就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样，可以有效地避免氧和碳等杂质的污染，同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法，还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结，这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是6英寸的硅外延片已用于工业的生产，8英寸的硅外延片，也正在从实验室走向工业生产；更大直径的外延设备也正在研制过程中。 除此之外，还有一些大功率器件，一些抗辐照的器件和电路等，也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的，它在生长时，不与石英容器接触，材料的纯度可以很高；利用这种材料，采用中子掺杂的办法，制成N或P型材料，用于大功率器件及电路的研制，特别是在空间用的抗辐照器件和电路方面，它有着很好的应用前景。当然还有以硅材料为基础的SOI材料，也就是半导体/氧化物/绝缘体之意，这种材料在空间得到了广泛的应用。总之，从提高集成电路的成品率，降低成本来看的话，增大硅单晶的直径，仍然是一个大趋势；因为，只有材料的直径增大，电路的成本才会下降。我们知道硅技术有个摩尔定律，每隔18个月它的集成度就翻一番，它的价格就掉一半，价格下降是同硅的直径的增大密切相关的。在一个大圆片上跟一个小圆片上，工艺加工条件相同，但出的芯片数量则不同；所以说，增大硅的直径，仍然是硅单晶材料发展的一个大趋势。那我们从提高硅的
我国半导体分立器件行业研究 1、行业现状及发展前景 （1）半导体分立器件简介 分立器件是指具有单一功能的电路基本元件，如二极管、晶体管、电阻、 电容、电感等，主要实现电能的处理与变换，是半导体市场重要的细分领域。 根据功能用途，可以将能够进行功率处理的半导体器件定义为功率半导体器 件（Power Semiconductor Device），又称电力电子器件（Power Electronic Device）。 典型功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理等。功率半导 体器件主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是弱电控制与强电运行间的桥 梁。除保证设备正常运行以外，功率半导体器件还起到有效的节能作用。典型的 功率半导体器件包括二极管（普通二极管、肖特基二极管、快恢复二极管等）、 晶体管（双极结型晶体管、电力晶体管、MOSFET、IGBT 等）、晶闸管（普通 晶闸管、IGCT、门极可关断晶闸管等）。 作为分立器件最重要和最广泛的应用领域，功率半导体器件在大功率、大电
流、高反压、高频、高速、高灵敏度等特殊应用场合具有显著性能优势，因此可替代性较低。功率半导体器件目前几乎应用于所有的电子制造业，如通信、计算机、汽车产业、消费电子、光伏产业、智能电网、医疗电子、人工智能、物联网等领域，应用范围广阔。半导体分立器件行业处于产业链的中游，其产品被广泛应用于各终端领域。半导体分立器件在半导体（硅基）产业链中的位置如下图所示（虚线方框部分）： 从具体制造流程上来看，可以进一步将半导体分立器件划分为芯片设计、芯片制造、封装测试等环节。 芯片设计是指通过系统设计和电路设计，将设定的芯片规格形成设计版图的过程。在对芯片进行寄存器级的逻辑设计和晶体管级的物理设计后，设计出不同规格和效能的芯片。
炼钢厂废气治理设备钢厂废水处理设备 中国的钢铁冶炼工业从建国初期的极度缺乏经历了几十年的跳跃式发展，如今面临产能过程的困局，钢产量跃居世界第一。在给中国经济发展作出了巨大贡献的同时，也给我们的环境污染造成了巨大的危害。冶炼企业的生产过程中产生的大量的废气和烟尘，在对环境污染的比重中占了很大一部分。近几年的重工业地区的空气PM2.5质量严重超标，就与冶炼企业排放的烟、气、尘有直接的关系。 因此，冶炼企业如何减少生产过程中的废气排放，如何进行废气排放治理，减少对环境的污染，创造良好的生产生活环境，实现企业的可持续发展，已经成为每一个冶炼企业都要面临的课题。通过不断优化生产工艺，降低能耗和原料消耗，并积极地采取有效的治理方法，进行废气的治理与回收，对废气进行综合利用，解决废气污染和浪费，是目前冶炼企业在废气排放治理中的有效途径。 1冶炼厂废气的产生及特点 冶炼厂的废气污染中，钢铁厂的冶炼是废气排放的主要污染大户，废气的来源主要有： a)冶炼过程的原料(矿石)和燃料(如煤炭)的运输、装卸及加工等过程，其中的大量含尘废气的排放，这部分废气一般为颗粒状粉尘，粒度小，吸附力强; b)冶炼厂在生产过程中产生的大量含有粉尘及有害气体的废气或高温蒸汽，这部分废气是环境污染的主要来源之一，因其含有有毒有害成分，不能直接排放，需要进行处理，减少其有害成分的含量，符合环境要求时有条件地排放; c)在冶炼生产工艺过程中因化学反应产生的废气，比如在钢铁冶炼、烧结、轧制等过程中，经过化学反应产生了一些污染较重的有毒废气，这也是环境污染的主要来源之一。在钢铁冶炼中废气主要为粒度较小的Fe2O3粉尘，而一些冶金窑炉中产生的废气还具有高温蒸汽的成分; d)在冶炼时化工原料在高温时汽化直接形成的高温废气，以及水汽-粉尘共生废气。 冶炼厂产生的废气中，除了一部分固体颗粒状粉尘和高温蒸汽以外，还含有Fe2O3、SO2、CO、H2S、CI2、NO、NO2等，在一些特殊冶炼工艺的冶炼厂中的废气，如热镀工艺中产生的还含有硫酸雾、盐酸雾、HCN、HF以及含碱、含磷气体，ZnO、铅烟、铅尘和PbO、石灰粉尘、油烟等。这些大部分废气中都具有回收利用价值，如高温蒸汽的热量回收利用，粉尘中有效成分
半导体材料的发展现状与趋势
半导体材料与器件发展趋势总结 材料是人类社会发展的物质基础与先导。每一种重大新材料的发现和应用都把人类支配自然的能力提高到一个全新的高度。材料已成为人类发晨的里程碑。本世纪中期单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研究成功，导致了电子工业大革命。使微电子技术和计算机技术得到飞速发展。从20世纪70年代的初期，石英光纤材料和光学纤维的研制成功，以及GaAs 等Ⅲ-Ⅴ族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明，使光纤通信成为可能，目前光纤已四通八达。我们知道，每一束光纤，可以传输成千上万甚至上百万路电话，这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。超晶格概念的提出MBE、MOCVD先进生长技术发展和完善以及超品格量子阱材料包括一维量子线、零维量子点材料的研制成功。彻底改变了光电器件的设计思想。使半导体器件的设计与制造从过去的杂质工程发展到能带工程。出现了以“电学特性和光学特性的剪裁”为特征的新范畴，使人类跨入到以量子效应为基础和低维结构
的制作过程中，它要发生沉淀，沉淀时的体积要增大，会导致缺陷产生，这将直接影响器件和电路的性能。因此，为了克服这个困难，满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高，人们不得不采用硅外延片，就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样，可以有效地避免氧和碳等杂质的污染，同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法，还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结，这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是6英寸的硅外延片已用于工业的生产，8英寸的硅外延片，也正在从实验室走向工业生产；更大直径的外延设备也正在研制过程中。 除此之外，还有一些大功率器件，一些抗辐照的器件和电路等，也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的，它在生长时，不与石英容器接触，材料的纯度可以很高；利用这种材料，采用中子掺杂的办法，制成N或P型材料，用于大功率器件及电路的研制，特别是在空间用的抗辐照器件和电路方面，
半导体分立器件、集成电路装调工 国家职业标准 1.职业概况 1． 1职业名称：半导体分立器件、集成电路装调工。 1． 2 职业定义：使用设备装配、测试半导体分立器件、集成电路、混合集成电路 的人员。 1． 3职业等级：本职业共设四个等级，分别为：初级（国家职业资格五级）、中 级（国家职格四级）、高级（国家职业资格三级）、技师（国家职业资格二级）。 1． 4职业环境：室内、常温（部分高温），净化。 1．5 职业能力特征：有一定的分析、判断和推理能力，手指灵活、手臂灵活、动作 协调。知觉好。 1． 6基本文化程度：高中毕业（或同等学历）。 1． 7 培训要求： 1．7．1培训期限：全日制职业学校教育，根据其培养目标和教学计划确定。晋级 培训：初级不少于 400标准学时；中级不少于 300标准学时；高级不少于 150标准学时；技师 于 150标准学时。 1． 7． 2培训教师：培训初、中、高级的教师应具有本职业技师职业资格证书或 3年相关专业 8级专业技术职务任职资格；培训技师的教师具有本职业技师职业资格证书 以上或专业高级专业技术职务任职资格。 1．7．3培训场地设备：理论培训场地应具有可容纳20名以上学员的标准教室，并 配备设备。实际操作培训场所应具备必要的实验设备和产品测试仪器的实践场所。 1． 8鉴定要求： 1． 8． 1适用对象：从事或准备从事本职业的人员。 1． 8． 2申报条件： ——初级（具备下列条件之一者） （1）经本职业初级正规培训达规定标准学时数，并取得结业证书。 （2）在本职业连续见习工作 2年以上。 （3）本职业学徒期满。 ——中级（具备以下条件之一者） （ 1）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作 3年以上，经本职业中级正 训达规定标准学时数，并取得结业证书。 （ 2）取得本职业初级职业资格证书后，连续从事本职业工作5年以上。
基于在线监测系统在废气废水中应用- 废气处理 摘要：为实现科学化、信息化管理，适时掌握污染物的处理数据，唐山矿业公司实现了在线监测系统。基于此，文章阐述了在线监测系统在公司实际工作中的应用情况，最后得出项目实施效果。供大家参考。 关键词：烟气在线监测；水质在线监测；管理制度；达标排放近年来，随着我国经济的快速增长，经济发展与资源环境的矛盾日趋尖锐，对工业锅炉SO2、O2及废水COD排放总量指标的测定计量及控制已成为迫切需要。唐山矿业公司作为主力生产矿井，既要为集团公司各项指标的完成提供支撑掩护作用，又要实现自身科学发展。作为全国唯一的坐落在市区的生产矿井，对各种污染物的排放控制就显得很重要。 1 公司简介。我公司是开滦（集团）所属大型专业化矿井之一，其前身是开滦矿务局唐山矿，始建于1878年，是中国大陆近代采煤工业的源头。现有三大工业遗迹：一是唐山矿一号井，于1879年2月开凿；二是中国第一条标准轨铁路，1881年8月，该矿正式出煤，当年产煤3613吨，同年底，唐山到胥各庄的铁路修筑完成，此铁路是我国建成的第一条标准铁路；三是百年达道，1899年在一号井至西北井开凿了这条南北走向的隧道式桥洞，称为”达道”。至今三大工业遗迹仍在服役，因此唐山矿获得”中国第一佳矿”的美誉。虽然历经130多年的嬗变、发展，至今仍充满勃勃生机。 2 以公司废气、废水排放现状为依据，建立并完善在线监测系统。
目前，我公司地面污染物主要包括废气和废水两类，其中废气主要有中央锅炉房、十号井锅炉房中锅炉燃烧过程产生的SO2等污染物，年排放量约为112吨；废水主要是由井下抽排到地面的矿井水，主要污染物为COD，平均浓度为80mg/L。 为将我公司各个排污口实现科学化、信息化管理，适时掌握污染物的处理数据，我公司在三个位置安装了在线监测设备。其中，中央锅炉房及风井锅炉房分别安装一台烟气在线监测设备，用来监测烟气达标情况，中央锅炉房的在线监测设备与市环保局进行了联网；洗煤厂污水处理厂安装一台COD在线监测设备，用来监测污水达标情况，并与集团公司进行了联网管理。 3 以在线监测系统监测数据为基础，保证污染物达标排放 （一）烟气在线监测系统。根据我公司烟气排放情况，我公司选用目前技术领先、维护简便的SCS-900C型CEMS在线自动监测系统。该设备的监测原理和性能符合《固定污染源烟气排放连续监测技术规范》。该系统对固体污染源颗粒物浓度和气态污染物浓度以及污染物排放总量进行连续自动监测，运用直接抽取加热法对锅炉中SO2、O2进行分析。并对监测数据和信息传送到环保主管部门，以确保排污企业污染物浓度和排放总量达标。同时，各种相关的环保设备如脱硫、除尘等装置，也依靠烟气在线监测的数据进行监控和管理，以提高环保设施的效率。公司锅炉房安装烟气在线监测监控系统之后，我部门可通过网络随时掌握废气污染物排放的准确数据，依照在线监测系统每日储存的数据定期比对，可以有效的控制我公司污染物
有机半导体材料 1 有机半导体材料的分子特征 有机半导体材料与传统半导体材料的区别不言自明，即有机半导体材料都是由有机分子组成的。有机半导体材料的分子中必须含有 键结构。如图1所示，在碳-碳双键结构中，两个碳原子的pz 轨道组成一对 轨道（ 和 ），其成键轨道（ ）与反键轨道（ ）的能级差远小于两个 轨道之间的能级差。按照前线轨道理论， 轨道是最高填充轨道（HOMO）， 是最低未填充轨道（LUMO）。在有机半导体的研究中，这两个轨道可以与无机半导体材料中的价带和导带类比。当HOMO 能级上的电子被激发到LUMO 能级上时，就会形成一对束缚在一起的空穴-电子对。有机半导体材料的电学和电子学性能正是由这些激发态的空穴和电子决定的。
在有机半导体材料分子里， 键结构会扩展到相邻的许多个原子上。根据分子结构单元的重复性，有机半导体材料可分为小分子型和高分子型两大类。 小分子型有机半导体材料的分子中没有呈链状交替存在的结构片断，通常只由一个比较大的 共轭体系构成。常见的小分子型有机半导体材料有并五苯、三苯基胺、富勒烯、酞菁、苝衍生物和花菁等（如图2)，常见的高分子型有机半导体材料则主要包括聚乙炔型、聚芳环型和共聚物型几大类，其中聚芳环型又包括聚苯、聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯等类型（如图3)。 事实上，由于有机分子的无限可修饰性，有机半导体材料的结构类型可以说是无穷无尽的。 图2: 几种常见的小分子有机半导体材料：（1）并五苯型，（2）三苯基胺类，（3）富勒烯，（4）酞菁，（5）苝衍生物和（6）花菁类。
图3: 几种常见的高分子有机半导体材料：（1）聚乙炔型，（2）聚芳环型，（3）共聚物型。 2 有机半导体材料中的载流子 我们知道无机半导体材料中的载流子只有电子和空穴两种，自由的电子和空穴分别在材料的导带和价带中传输。相形之下，有机半导体材料中的载流子构成则要复杂得多。 首先，由于能稳定存在的有机半导体材料的能隙（即LUMO 与HOMO 的能级差）通常较大，且电子亲和势较低，大多数有机半导体材料是p 型的，也就是说多数材料只能传导正电荷。无机半导体材料中的正电荷（即空穴）是高度离域、可以自由移动的，而有机半导体材料中的正电荷所代表的则是有机分子失去一个电子（通常是HOMO 能级上的电子）后呈现的氧化状态。因此，在有机半导体材料中引入一个正电荷，必然导致有机分子构型的改变。
有机光伏材料综述 能源是人类社会发展的驱动力，是人类文明存在的基础。目前我们所能利用的能源主要是煤、石油和天然气等传统石化资源。自从18世纪工业革命以来，人类对能源的需求不断增长，由此导致的能源安全问题日益凸显。太阳直径为1.39*106km，质量为1.99*1030kg，距离地球1.5*108km。组成太阳的质量大多是些普通的气体，其中氢约占71.3%、氦约占27%，其它元素占2%。太阳从中心向外可分为核反应区、核辐射区和对流去区、太阳大气。我们平常看到的太阳表面，是太阳大气的最底层，温度约是6000k。太阳每分钟发出的总能量为2.27*1025kJ，尽管只有22亿分之一的能量辐射到地球上，但太阳每秒钟照射到地球上的能量就相当于500万吨煤燃烧所产生的能量。 1太阳能电池 1.1太阳能的利用 太阳能的利用包括很多种技术手段，例如太阳能热水器、光解水制氢气、太阳能热发电以及光伏发电。前二者的应用水平较低，要想大规模地提供能源，主要得靠后两种技术。 太阳能热发电目前主要有三种实现方式，即塔式、槽式和碟式。这三种技术的基本原理都是通过将太阳光聚焦，加热水或者其他工质（例如热熔盐和空气），通过热循环驱动发电机组来发电。 太阳能热发电技术以较为成熟的机械工艺为基础，在规模足够大之后可望实现经济运行。但是这样的热电站也兼具传统热电站的缺点，即建设成本高，机械损耗大，维护成本高，而且只能在专用地上建设，无法与已有城乡建筑物进行集成。在太阳能热发电领域，我国起步较晚，技术积累较少，目前尚不具备对外的竞争优势。 1.2光伏技术 “光伏”这个词译自“Photovoltaic”，即“光”和“伏特”的组合。这个词最早是用来描述一些材料在光照下形成电压的现象，后来人们认识到光电压的形成是由于材料中的电子被入射的光子激发而形成了电势差，从而形成对外的电流电压输出。采用光伏原理发电的设备，我们称之为“太阳能电池”。 最早的光伏效应是Edmund Bequerel 在1839 年发现的，一百多年后（1954年），随着硅半导体工业的发展，第一个能用于实际发电的太阳能电池才在贝尔实验室问世。这个太阳能电池以硅半导体的p-n 结为基础，光电转化效率为6%。 半导体p- n 结的结构及原理如图1所示。当p 型和n 型的半导体相互接触时，由于浓度差的存在，p 型半导体中的空穴会向n 型半导体扩散，n 型半导体中的电子也会向p 型半导体扩散，造成接触面双侧的电荷不平衡，从而形成由n 型区指向p 型区的空间电场。反映在能级图上，即p 型区和n 型区的费米能级一致化后，两个区域间形成了一个能级差，这个能级差即是内建电场（Ebi）。p 型区和n 型区之间的过渡区域，称为p-n 结的结区。在结区内，内建电场会驱使电荷进行定向传输。
实验室废水废气处理方法 一、废气处理措施 1、废气种类 废气中包含无机废气和有机废气，以下列举了废气的一些种类，不同的实验室还会有 某些特定种类的废气。 （1）无机废气 主要包括：氮氧化物、硫酸雾、氯化氢等无机废气。 （2）有机废气 主要包括芳香类：苯、甲醛、茚三酮、乙酸乙酯、甲酰胺、乙醇、三氯甲烷、环己烷 等 2、处理方案 常用的有活性炭吸附、光催化净化和填料喷淋塔，或者多种组合的方式进行处理。一 般有机废气采用活性炭吸附法和光催化净化法，无机物采用填料喷淋塔进行处理。（1）活性炭吸附原理 1、活性炭是一种主要由含碳材料制成的外观呈黑色，内部空隙结构发达、比表面积大、吸附能力强的一类微晶质碳素材料。活性炭材料中有大量肉眼看不见的微孔，1克活 性炭材料中微孔，将其展开后表面积可高达800-1500平方米，特殊的更高。也就是说，
在一个米粒大小的活性炭颗粒中，微孔的内表面积可能相当于一个客厅面积的大小。 正是这些高度发达，如人体毛细血管般的空隙结构，使活性炭拥有了优良的吸附性能。 2、分子之间相互吸附的作用力即“范德华力”。虽然分子运动速度受温度和材质等原因的影响，但它在微环境下始终是不停运动的。由于分子之间拥有相互吸引的作用力，当一个分子被活性炭内孔捕捉进入到活性炭内空隙中后，由于分子之间相互吸引的原因，会导致更多的分子不断被吸引，直到填满活性炭内部空隙为止。 3、活性炭脱附方法。当活性炭内部空隙被有机废气即被吸附物质填满而达到饱和时，污染物便开始被释放出来，这种现象称为穿透。达到饱和的活性炭吸附床需要进行再生，一般采用加热的气体对吸附床进行脱附，一方面使吸附床再生重新具有活性，一 方面是污染物被解脱出来进行回收或分解处理。这种脱附方法称为升温脱附。物质的 吸附量是随温度的升高而减小的，将吸附剂的温度升高，可以使已被吸附的组分脱附 下来，这种方法也称为变温脱附，整个过程中的温度是周期变化的。 （2）光触媒催化滤网 在聚氨酯蜂窝网孔基材上沉积纳米二氧化钛光催化材料，纳米二氧化钛光触媒经紫 外光照射（理想紫外光波长253nm-365nm 左右），激发价带上的电子（eˉ）跃迁到 导带，在价带上产生相应的空穴（h+）,生成具有极强氧化作用的氢氧自由基、超氧离子自由基、超氧羟基自由基，将甲醛、苯、甲苯、二甲苯、氨、TVOC 等有毒有害污 染物，臭气异味、细菌等污染物氧化分解成无害的CO2 和H2O。 产品具有良好的空气净化效果和广谱的消毒杀菌性能，能有效净化室内空气，控制 细菌、病毒的交叉感染达到空气净化和消毒杀菌的目的。光触媒滤网采用的纳米二氧 化钛光触媒在作用过程中，本身不发生变化和损耗只提供一个反应场所，具有作用时 间长久，空气净化和消毒杀菌效率高，安全、无毒等优点，不产生二次污染，是国际 公认的绿色环保无污染的产品。 （3）酸雾喷淋净化塔是需处理的废气
有机高分子半导体材料的导电与工作原理 及与硅基材料的比较 摘要： 本文从原理角度出发，对有机高分子半导体材料的导电模型与原理，有机高分子半导体材料器件的简要工作原理进行阐述，并将该材料的性能与硅基半导体材料相比较，最后对有机高分子半导体材料的发展提出自己的看法。 关键词：有机高分子半导体原理器件性能比较 1.背景： 随着无机半导体材料的发展、成熟与产业化，有机半导体材料以其种类多样性与巨大的应用潜力逐渐受到广泛关注。在有机电子领域的几项杰出成就，如1986年和1987年由Eastman Kodak 的Tang[4,5]等提出的有机光生伏打电池（OPVC）和有机发光二极管(OLED)，为有机半导体的实际应用打下了基础。1986年有机场效应晶体管（OFET）也随之出现。与此同时，关于有机半导体的结构模型与导电原理的研究也成为了进一步解决其不足与优化其性能的基本出发点。高分子链紧束缚模型（SSH）的建立，高分子二聚现象的发现，1979年Su,Schrieffer与Heegerd对于孤子、极化子、双极化子等载流子概念的提出，激子在有机材料中的重新定位，跃迁机制对于迁移率的解释等，使人们对其基本规律有了一定程度的认识,并在积极地发展与完善。 2.有机高分子导体材料的分子结构与基本特征 有机高分子半导体，如聚乙炔，普遍存在共轭大π键结构，由成键π轨道与反键π*轨道构成。两者可分别相当于能带理论中的导带与价带，两个轨道之间的能级差称为带隙。许多高分子半导体的带隙处于1.5~3.0eV之间，处于可见光范围，十分合适作为太阳能电池。然而从整体来看，诸多较长的分子链通过范德华力相互纠缠在一起形成无序结构，一条分子链自身也有许多扭转变形，产生的结点破坏了共轭作用，由此关联的导电机制也更加复杂。 SSH模型认为，有机高分子固体可简化为具有一维特性的高分子弱耦合而成，并且电子在某一个碳原子附近时，将较紧地被该碳原子束缚而其他碳原子对其影响较小，及“紧束缚近似”，通过一系列计算描述晶格原子(碳原子)的移动和与电子的相互作用。之后又出现了修饰完善的TLM模型与PPP模型。一维体系Peierls不稳定性借助于SSH模型并通过计算说明，等距离排列的碳原子是不稳定的，碳原子将发生微小位移从而二聚化，使得有机高分子如聚乙炔分子中出现一定程度的单双键交替现象，这使得原来连续的能带分裂成导
地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料，碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗（Ge）放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现晶体管化。中国的半导体研究和生产是从1957年首次制备出高纯度(99.999999％～99.9999999％) 的锗开始的。采用元素半导体硅（Si）以后，不仅使晶体管的类型和品种增加、性能提高，而且迎来了大规模和超大规模集成电路的时代。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ－Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。 半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。 元素半导体：在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态;B、Si、Ge、Te具有半导性；Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。 无机化合物半导体： 四元系等。二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC 和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。②Ⅲ -Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In 和V族元素P、As、Sb组成，典型的代表 为GaAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在 应用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前 途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和 Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一 些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具 有闪锌矿结构。④Ⅰ－Ⅶ族：Ⅰ族元素C u、Ag、Au和Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的 化合物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。 半导体材料 ⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族
13种恶臭气体处理方法介绍及适用范围和优缺点一览表 蔚永亮 2019.1.14
过由滤料组成的滤床，恶臭气体由气相转移至水—微生物混和相，通过固着于滤料上的微生物代谢作用而被分解掉方法。又可细分为土 壤脱臭法、堆肥脱臭 法、泥炭脱臭法等。 行一段时间后容易 出现问题，对疏水 性和难生物降解物 质的处理还存在较 大难度。 9、生物滴滤池 式原理同生物滤池式类似， 不过使用的滤料是诸如 聚丙烯小球、陶瓷、木炭、 塑料等不能提供营养物 的惰性材料。 只有针对某些恶臭 物质而降解的微生 物附着在填料上，而 不会出现生物滤池 中混和微生物群同 时消耗滤料有机质 的情况 池内微生物数 量大，能承受 比生物滤池大 的污染负荷， 惰性滤料可以 不用更换，造 成压力损失 小，而且操作 条件极易控制 需不断投加营养物 质，而且操作复杂， 使得其应用受到限 制 10、洗涤式活性 污泥脱臭法将恶臭物质和含悬浮物 泥浆的混和液充分接触， 使之在吸收器中从臭气 中去除掉，洗涤液再送到 反应器中，通过悬浮生长 的微生物代谢活动降解 溶解的恶臭物质 有较大的适用范围 可以处理大气 量的臭气，同 时操作条件易 于控制，占地 面积小 设备费用大，操作 复杂而且需要投加 营养物质 11、曝气式活性 污泥脱臭法将恶臭物质以曝气形式 分散到含活性污泥的混 和液中，通过悬浮生长的 微生物降解恶臭物质 适用范围广，目前日 本已用于粪便处理 场、污水处理厂的臭 气处理 活性污泥经过 驯化后，对不 超过极限负荷 量的恶臭成 分，去除率可 达99.5%以 上。 受到曝气强度的限 制，该法的应用还 有一定局限 12、三相多介质催化氧化工艺反应塔内装填特制的固 态复合填料，填料内部复 配多介质催化剂。当恶臭 气体在引风机的作用下 穿过填料层，与通过特制 喷嘴呈发散雾状喷出的 液相复配氧化剂在固相 填料表面充分接触，并在 多介质催化剂的催化作 用下，恶臭气体中的污染 因子被充分分解。 适用范围广，尤其适 用于处理大气量、中 高浓度的废气，对疏 水性污染物质有很 好的去除率。 占地小，投资 低，运行成本 低；管理方便， 即开即用；耐 冲击负荷，不 易污染物浓度 及温度变化影 响。 需消耗一定量的药 剂 13、低温等离子 体技术介质阻挡放电过程中，等 离子体内部产生富含极 高化学活性的粒子，如电 子、离子、自由基和激发 态分子等。废气中的污染 适用范围广，净化效 率高，尤其适用于其 它方法难以处理的 多组分恶臭气体，如 化工、医药等行业。 电子能量高， 几乎可以和所 有的恶臭气体 分子作用；运 行费用低；反 一次性投资较高。