沧州职业技术学院试卷
基于PLC自动化单元应用知识试卷
注意事项
1. 请首先按要求在试卷的标封处填写您的姓名、考号和所在班级的名称。
2. 请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写您的答案。
3. 不要在试卷上乱写乱画，不要在标封区填写无关内容。
第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分总分总分人得分
得分
评分人
一、判断题：（每题1分，满分20分。）：
1、在同一段程序中，既可用TIM000来定时，又可用CNT000来计数，二者不会发生冲突。( )
A、对
B、错
2、接近传感器与接触式传感器不同，它会受周围温度、周围物体的影响。( )
A、对
B、错
3、KEEP指令的操作数可以是特殊功能继电器。( )
A、对
B、错
4、CPM1A机型采用安装有编程软件的计算机编程时必须使用通讯适配器。( )
A、对
B、错
5、TCMP指令和BCMP指令的功能相同。( )
A、对
B、错
6、CPM1A机型的微分指令属于连接型微分指令。( )
A、对
B、错
7、CP系列PLC的定时器、计数器的地址均是分开的。( )
A、对
B、错
8、旋转式编码器按结构分为绝对型旋转式编码器和增量型旋转式编码器。( )
A、对
B、错
9、块传送指令XFER是将从N开始的S个连续通道中的数据传送至D开始的N个连续通道中去。( )
A、对
B、错
10、台达VFD-S 系列变频器参数设置通过键盘面板实现，在画面模式下按下PROG/DATA键，依次按下MODE键改变显示模式。( )
A、对
B、错
11、LDNOT为输入指令。( )
A、对
B、错
12、单向递减计数器在复位时，其当前值复位为0。( )
A、对
B、错
13、MOV指令是当且仅当其前面的条件正跳变时，它才会执行。( )
A、对
B、错
14、CMP指令中，若S1=S2则标志位EQ置位。( )
A、对
B、错
15、MOV 010 011指令和SFT 010 011指令都属于数据传送类指令,而且功能相同。( )
A、对
B、错
16、继电控制逻辑与语句表程序之间没有关系。( )
A、对
B、错
17、接近传感器和限位开关都不需要与物体接触就能进行检测。( )
A、对
B、错
18、两通道相乘，其结果仍然是16位数据。( )
A、对
B、错
19、PLC的输入继电器只能由程序来驱动。( )
A、对
B、错
20、MOV指令是将源数据S传送到目的通道D中。( )
A、对
B、错
得分
评分人
二、选择题：（21～50题。请将适当的词语填入划线处。每空1.0分。满分30分）：
21、CPM1A机型中,由数字010-019开始的地址表示（）。
A、输入继电器
B、输出继电器
C、辅助继电器
D、链接继电器
22、OMRON系列PLC中，继电器25502，提供周期（）s的方波信号。
A、1
B、.1
C、.5
D、null
23、PLC程序中，手动程序和自动程序需要（）。
A、自锁
B、互锁
C、联动
D、null
24、触摸屏的尺寸是5.7寸，指的是（）。
A、长度
B、宽度
C、对角线
D、null
25、CPM1A机型中，由数字000--009开始的地址表示（）。
A、输入继电器
B、输出继电器
C、辅助继电器
D、保持继电器
26、OMRON可编程控制器中存储器是（）元件。
A、字节
B、字
C、位
D、双字
27、根据I/O点数分类，500点的PLC属于：（）
A、大型PLC
B、中型PLC
C、小型PLC
D、微型PLC
28、ANDLD是（）指令。
A、逻辑与
B、逻辑块或
C、逻辑块与
D、逻辑或
29、步指令以串行方式编程时，执行类型不包括（）。
A、顺序
B、单行
C、并行
D、null
30、顺序功能图中的起始步用（）来表示。
A、双横线
B、单横线
C、双线框
D、单线框
31、下面哪个不是PLC常用的分类方式？（）
A、I/O点数
B、结构形式
C、PLC体积
D、功能
32、变频器的模拟旋钮调速方法适用于（）。
A、PLC调控
B、手工调控
C、PLC调控和手工调控
D、null
33、两个触点并联的电路称为（）。
A、串联电路块
B、并联电路块
C、逻辑块与
D、逻辑块或
34、可逆计数器CNTR在递增输入端II有负跳变时，其当前值（）。
A、加一
B、减一
C、不变
D、null
35、十进制中的数字3对应的压缩BCD码为（）。
A、OOO11
B、OO11
C、O1O1
D、null
36、步指令中，每一步的执行必须先由（）的控制位做先导。
A、STEP
B、SNXT
C、SET
D、null
37、电磁兼容性英文缩写是（）。
A、MAC
B、EMC
C、CME
D、null
38、除法指令的梯形图助记符是（）。
A、DVB
B、DIV
C、ADB
D、null
39、欧姆龙公司的CPM1A-40CDR型PLC的输出型是（）。
A、晶体管输出接口
B、双向晶闸管输出接口
C、继电器输出接口
D、达林顿管输出接口
40、PLC是在（）基础上发展起来的。
A、电气控制系统
B、单片机控制系统
C、工业电脑
D、null
41、顺序功能图中的用（）来表示状态进行的方向。
A、双横线
B、有向线段
C、双线框
D、单线框
42、触摸屏不能替代操作面板的（）功能。
A、LED信号灯
B、急停开关
C、手动输入的常开按钮
D、null
43、PLC采取（）的工作方式。
A、并行工作方式
B、和计算机一样的等待命令
C、循环扫描
D、云计算
44、定时器TIM的参数SV的设定值不可以为（）。
A、HR
B、IR
C、SR
D、null
45、PLC使用下面哪种存储系统保存用户程序？（）
A、ROM
B、RAM
C、硬盘
D、U盘
46、欧姆龙公司的CPM1A-40CDR型PLC有（）点输出。
A、8
B、16
C、24
D、40
47、顺序功能图的基本结构不包括（）。
A、单列结构
B、双列结构
C、并列结构
D、null
48、PLC设计规范中，RS232通讯的距离是（）。
A、1300m
B、15m
C、200m
D、null
49、PLC在输出扫描阶段，将（）寄存器中的内容复制到输出线端子上。
A、输入映象
B、内部存储器
C、输出映象
D、null
50、工业级模拟量，（）更容易受干扰。
A、μA级
B、mA级
C、A级
D、null
得分
评分人
三、填空题（51～65题。请将适当的词语填入划线处。每空1.0分。满分15分）：
51、OUT指令是线圈的驱动指令，可用于输出继电器、辅助继电器、定时器、计数器、状态寄存器等，但不能用于（）。
52、顺序控制设计法中划分步的依据是（）。
53、台达VFD-S 系列变频器为简易型（）电机驱动器。
54、可以用传送指令，也可以用（）来实现数码管显示数字。
55、逻辑与指令是（）。
56、编程（）告知PLC要做什么，以及怎样去做。
57、微分指令DIFU是指当其输入信号发生（）跃变时，其输出变为ON。
58、减法指令SBB的结果存储到目标通道R不能取数据存储器DM中的（）。
59、（）指令相当于锁存器。
60、块或指令是（）。
61、工步活动状态的进展是由（）的出现来实现的。
62、PLC的编程语言是面向（）的，使用者不需要具备高深的知识和长时间的训练。
63、CP系列PLC的编程语言有两种：指令表和（）。
64、@MOV指令通过手持编程器输入到PLC中，其输入方法是先按FUN键，再按21，最后按（）键。
65、单向递减计数器的（）端是复位端。
得分
评分人
四、转换题（66～67题。每小题10分，满分20分）：
66、指令表转梯形图（10分）
LD 00000
AND NOT 00001
OR 00002
AND 00003
LD 00004
AND 00005
LD 00006
AND 00007
OR LD
AND NOT 00008
OR LD
LD 00009
AND 00010
OR NOT 00011
AND LD
LD 00012
AND 00013
OR LD
OUT 01000
END
67、根据梯形图写出指令表（10分）
得分
评分人
五、设计题（满分15分）：
68、编程实现一灯两控。两个按钮控制一盏灯，一个为启动，另一个为停止。
要求：按下启动按钮灯亮，按下停止按钮灯灭。
（1）用基本逻辑指令实现
（2）用KEEP指令实现
题号一二三四五六总分分值100得分得分阅卷人 二、判断题(每空1 分，共10分) 题号12345678910答案 得分阅卷人 一、单选题(每小题 1分，共10 分)( )1．刚性基础的埋置深度有时还要受基础刚性角的限制。（√ ） ( )1.基础工程设计包括（A）两大部分。 A.基础设计和地基设计 B.基础内力和基础设计 C.承载能力设计和地基变形设计 D.地基变截面设计 ( )2.钢盘混凝土扩展基础属于（C） A.联合基础 B.壳体基础 C. 扩展基础 D. 筏形基础 ( )3.减轻建筑物的自重措施之一（A） A. 选用轻型结构 B.注意保护坑底土体 C.设置地下室 D.调整基底尺寸( )4、静力平衡条件（B） A.∑F=0∑M≠0 B.∑F=0，∑M=0 C.∑F≠0∑M=0 D.∑F≠0 ∑M≠0 ( )5.为满足承台的基本刚度，桩与承台的连接等构造需要条形承台和柱下独立桩基承台的最小厚度为（B）mm A.500 B.300 C.200 D.100 ( )6.具有良好的过滤性的土工合成材料产品的是（D） A.土工格栅 B.土工膜 C.加筋条带 D.土工织物( )2．柔性基础承受均布荷载时，其基础沉降也趋于一致。（×） ( )3．用现场载荷试验确定地基承载力，可从试验曲线上采用强度控制或变形控制两种取值方法来确定地基承载力的设计值。（×） ( )4．考虑地基与基础相互作用时，既要满足接触条件，又要满足静力平衡条件。 （√） ( )5．基础设计中，配筋由计算确定。（× ） ( )6．由计算基础沉降的公式S=(1-μ)ωP0b/E0可知，基础宽度b越大，则基础沉降s越大，所以，加大基础尺寸会使沉降加大。（×） ( )7．考虑上部结构、地基、与基础相互作用的基础设计计算中，在满足地基与基础的接触条件所求解出的基础弯矩，通常按基础与上部结构的刚度比来计算基础的 分担部分。（√） ( )8．开挖基坑移去的土重，可以补偿建筑物的重量，因此基础只要有足够的埋深，就可有效降低基底附加应力，甚至使基底附加应力趋于零。（×） ( )9.如果地基软弱而均匀，基础刚度又较大，那么可以认为地基反力是直线分布的。 （√） ( )10.桩基设计前必须具备资料主要有建筑物类型及基规模岩土工程勘察报告，施工机量等其中，岩土工程勘察资料是桩基设计的主要依据。（√） ( )7.悬臂式和锚定式挡土墙属于（B） A.扶壁式 B.板桩式 C.重力式 D.固定式 ( )8.当墙顶位移达到墙高的（C）时，砂性填土的压力将降低到主动土压力。 A.0.1﹪～0.2﹪ B.0.4 ﹪～0.5﹪ C.0.1﹪～0.5﹪ D.0.2﹪ ～0.5﹪ 1．常用的基础按结构型式有如下几种①独立基础， ( )9.红粘土主要分布在我国（C）地区 ②条形基础，③筏板基础，④箱形基础等。 A.华北以南 B.黄河以北 C.长江以南 D.长江以北 ( )10.膨胀土一般指粘粒成分主要由（B）组成。 2．为防止地基不均匀沉降通常采用以下三个方面的措施：①建筑 A.水性粘土矿物 B.亲水性粘土矿物 C.粘土矿物 D.泥质岩石 措施，②结构措施，③施工措施。 得分阅卷人 三、填空题(每空1 分，共20分) 题号12345678910答案 2 题号12345678910答案
2018--2019学年第二学期《汽车电子产品工艺》期考试卷（A） 班级:________ 学号:___________ 姓名:___________ 考试时间： 100 分钟 一、填空题（每空1分，共26分） 1、进入21世纪，电子技术设备在向高密度、小型化、轻量化发展的同时，将向高智能化产品发展。 2、按结构分类，印制电路板可以分为：单层板、双层板和多层板。 3、用Protel DXP 2004绘制原理图时，该原理图文件的后缀为：.SchDoc 4、在通用元件库中，各元件名称为：发光二极管为LED，电阻为RES，电容为CAP，开关为SW。 5、在Protel DXP 2004中，如果要对选择的元件进行逆时针旋转90o，需要按空格键。 6、在四环电阻中，在确定最右边为误差环后，那么从左往右读依次为：第一有效数，第二有效数，倍数，误差。 7、在色环读数中，颜色为红色代表数字：2，蓝色代表数字：6，白色代表数字9。 8、安全生产是指在生产过程中确保生产的产品、使用的用具和人身的安全。 9、要拧紧一字槽螺钉，我们需要到的工具是：一字螺丝刀。 10、片状贴片元件的尺寸是以四位数字表示，1005表示该元器件长度为：1.0mm， 宽度为0.5mm。 11、在Protel DXP 2004中，如果要对元件属性修改，可以在选中后按Tab键，也可以对该元件进行双击。二、选择题（每题2分，共20分） 1、在五环电阻中，该电阻的色环为棕黑黑棕棕，则该电阻的阻值为（）A．10Ω B.100Ω C.1000Ω D.10KΩ 2、电容器（简称电容）是一种存储电能的元件，下列不属于它特性的为（） A.通交流 B. 隔直流 C. 通低频 D.通高频 3、一个电容上标注为100μF，则下列容值跟它相等的是（） A.1F B.1mF C.1x105nF D.10pF 4、在大家焊接“九路流水灯”中，下列哪些物品没有用到（） A.烙铁 B.老虎钳 C.焊锡丝 D.斜口钳 5、在焊接过程中，焊点呈（）为最佳焊点 A．圆球形 B.锥形 C.椭圆球形 D.带毛刺圆球形 6、锡铅是我们常用的焊料，下列不是锡铅焊料优点的是（） A.熔点低 B.硬度高 C.凝固快 D.成本低 7、在焊接过程中，防静电措施中我们常采取（） A．带防静电手腕 B.静电屏蔽 C.离子中和 D.带手套 8、在练习贴片元件时，不用到的工具是（） A．吸枪 B.镊子 C. 烙铁 D.斜口钳 9、二极管具有（）的特性 A.单向导电性 B.放大 C.双向导通 D.缩小 10、焊接时，烙铁头与元件引脚呈（）夹角为佳 A.30o B.45o C.60o D.90o 三、判断题（每题2分，共20分） 1、电阻的文字符号用大写字母R表示（） 2、热敏电阻器上标识有“30Ω 220V”，表示该电阻的额定电流是220A（）
浙江科技学院 2009 -2010学年第 2学期考试试卷 B卷 一、单项选择题（每小题 2 分，共 20 分） 1以下哪种基础形式不属浅基础（B） A 地下条形基础， B 沉井基础， C扩展基础， D 箱形基础 2下列钢筋混凝土基础中，抗弯刚度最大的基础形式是（C） A 柱下条形基础， B 十字交叉基础， C 箱形基础， D 筏板基础 3对高层建筑物，其地基变形验算应以哪种变形特征做控制（ D ） A 沉降量，B局部倾斜， C 沉降差，D倾斜 4地基土载荷板试验可以得到的土参数是（ A ） A 承载力特征值， B 地基沉降量， C 压缩模量， E 弹性模量 5用分层总和法计算地基变形时，土的变形指标是采用（B） A 弹性模量，B压缩模量， C 变形模量，D旁压模量 6在地基持力层承载力验算中，基础底面深处的荷载取下列哪个值进行计算 （ A ） A：基底压力 p， B ：基底深度处的土自重应力σc，C：A+B ， D： A-B 7 按规范方法计算的建筑物沉降是（D） A．基础的平均沉降，B．刚性基础的平均沉降， C．实际基础的中点沉降，D．不考虑基础刚度的中点沉降 8甲，乙两基础，底面积，基底压力和压缩层内土质都相同，甲基础埋置深 度大于乙基础，则两者的沉降是（ B） A 甲基础沉降大， B 乙基础沉降大， C 两者沉降相等， D 无法确定 9地下水位下降时，建筑物的沉降可能会（ A ） A 增大， B 减小， C 一定不变， D 有时增大有时减小 解：地下水位下降时，土的自重应力会增加，从而使建筑物产生附加沉降。 10 桩产生负摩阻力时，下列说法中正确的时（D） A桩距越大，下拉荷载可能越小， B桩身轴力、桩身沉降沿深度逐步衰减， C单桩极限承载力由桩周土总侧阻力和桩端阻力所组成， D采用涂层法措施后，可使桩身负摩阻力、沉降减小，但中性点深度变大 二、名词解释（每小题 4 分，共 20 分） 1 刚性基础：是指用抗压性能较好，而抗拉、抗剪性能较差的材料建造的基础，常用的材料有砖、毛石、素混凝土、灰土等。因此设计时必须保证基础内的 拉应力和剪应力不超过基础材料强度的设计值。这类基础的相对高度都比较
1）一些封装缩写对应的引脚形状、引脚间距翼型引脚：举例QFP 0.3mm（最小）PLCC 1或1.27mm 2）当今社会使用最多的pcb是（环氧玻璃布基覆铜板）散热最好的pcb（金属基pcb）pcb铜箔厚度（18、25、35、50 、70、105μm ） 3）金属表面的氧化物（）;松香中松香与酒精的比例1:3？4）0805、0603公尺对应大小？0603公制06长03宽（0.6mm、0.3mm） 5）常用的有铅共晶焊料的成分比例（锡的含量为63%、铅的含量为37%）熔点是1℃回流工艺中常用的无铅焊料是（x 锡银铜）？波峰焊工艺中常用的无铅焊料是（锡铜）锡铅焊料中铅越多导电性？越差 6）Smt环境温度加速条件？（高温高湿高压）人体静电→（0.5v—5000v） 7）黏度影响因素？（焊粉粉末含量、粉末粒度、转速、温度）焊锡膏成分？ 8）可焊性、表面张力、湿润性关系？表面张力越大湿润型越差可焊性越差 9）刮刀材质？（橡胶、塑料、金属） 10）金属模版的制造方法分类:化学腐蚀；激光切割；电镀法；高分子聚合法网板开孔的厚度比（w/h）、面积比（窗孔面积/孔壁表面积）
11）Smt零件的供料方式？托盘、编带、管式。 12）实验室常见的损伤有？电损伤机械损伤热损伤化学损伤气压损伤 13）4M+M 4m:材料设备方法能力m 管理 14）贴片机固化方式（热固化、光固化）胶点分布 15）可焊性测试方法：边缘浸渍法、湿润平衡法、金属球法16）Ul（美国）ce（欧盟）3c（中国国家强制认证）9000（质量管理体系认证） 17）常用的电烙铁分类：加热方式：内加热、外加热；功率； 20、30、35···500w；功能分类：单用、两用、调温式、恒温式。 18）有源（晶体管、集成电路）无源器件例子：（耗能元件、储能元件、结构：开关、接插件） 19）静电对电子行业的危害：静电吸附（力效应）对轻小物体作用大；静电放电轻击穿，局部功能下降经过一段时间恢复功能；硬击穿：永久破坏;静电感应：器件引线，工具产生静电感应。 20）Pcb分类：酚醛纸基覆铜板、环氧玻璃布、复合基覆铜板、金属基板···不全 21）电声电磁元件有？扬声器传声器 22）电光元器件：二极管、三极管、数码管 23）静电敏感器件分类：ssd的敏感度：mos器件最怕静电，
西南交通大学 2007－2008 学年第（ 2 ） 学期考试试卷 课程代码 0134300 课程名称 基础工程 考试时间 120 分钟 阅卷教师签字： 一、简答题（ 每小题 6分，共 5题30分） 1. 确定浅基础埋深时，应主要考虑哪几方面的因素？ 答案： 1） 建筑物的结构条件和场地环境条件； 2） 地基的工程地质和水文地质条件； 3） 季节性冻土地基的最小埋深； 2. 请解释文克勒地基模型的含义，以及该模型的适用范围。 答案： 该地基模型是由捷克工程师文克勒（ E.Winkler ）于 1867 年提出的。该模型认为地基表面上任一点的 竖向变形 s 与该点的压力 p 成正比，地基可用一系列相互独立的弹簧来模拟，即 p ks 式中 k 为基床系数或称地基系数。当地基土的抗剪强度相当低（如淤泥、软粘土等）或地基的压缩层厚度 比基底尺寸小得多，一般不超过基底短边尺寸的一半时，采用文克勒地基模型比较合适。 3. 试简述以无限长梁的计算公式为基础，利用叠加原理求解有限长梁的方法（可配合图形说明） 。 答案： 将梁 AB 向两端无限延伸得到一无限长梁，将原荷载 P 、M 作用于无限长梁上，无限长梁在 A 、B 两截面 上将分别产生内力 Ma 、Va 和 Mb 、 Vb 。而 A 、B 两截面原本为自由端，剪力和弯矩应为零。为保证有限 长梁与无限长梁在 AB 间等效，需要在无限长梁的 A 、B 两处分别施加两组集中荷载 ［MA ，PA ］，［MB ，PB ］， 称为端部条件力，并使这两组力在 A 、B 截面产生的弯矩和剪力分别等于外荷载 P 、M 在无限长梁上 A 、 B 截面处所产生弯矩的负值（即： -Ma ，-Mb ，-Va ，-Vb ），以保证原梁 A 、B 截面上的弯矩和剪力等于零 的自由端条件。然后应用无限长梁计算公式求解出 ［MA ，PA ］，［MB ，PB ］。最终将已知的外荷载 P 、M 和 端部条件力 MA 、PA 、MB 、PB 共同作用于无限长梁 AB 上，按照无限长梁的计算公式分别计算梁段 AB 在这些力作用下各截面的内力及变形，然后对应叠加，就得到有限长梁在外荷载 P 、 M 作用下的内力及变 形。 4. 何谓桩侧负摩阻力、中性点？在哪些情况下应考虑桩侧负摩阻力的作用？ 答案： 当桩周围的土体由于某些原因发生下沉，且变形量大于相应深度处桩的下沉量，即桩侧土相对于桩产生向 下的位移，土体对桩产生向下的摩阻力，这种摩阻力称之为负摩阻力。正负摩阻力分界的地方称之为中性 点。 通常，在下列情况下应考虑桩侧的负摩阻力作用： 1）在软土地区，大范围地下水位下降，使土中有效应力增加，导致桩侧土层沉降； 2）桩侧有大面积地面堆载使桩侧土层压缩； 3）桩侧有较厚的欠固结土或新填土，这些土层在自重下沉降； 4）在自重湿陷性黄土地区，由于浸水而引起桩侧土的湿陷； 5）在冻土地区，由于温度升高而引起桩侧土的融陷。 5. 简要说明高承台桩基础分析的步骤（即如何根据承台外荷载求得基桩内力） 。 线订装封 密 线订装封 密线订装封
西南交通大学2007－2008 学年第( 2 )学期考试试卷 课程代码 0134300 课程名称 基础工程 考试时间 120 分钟 阅卷教师签字： 一、简答题（每小题6分，共5题30分） 1.确定浅基础埋深时，应主要考虑哪几方面的因素？ 答案： 1） 建筑物的结构条件和场地环境条件； 2） 地基的工程地质和水文地质条件； 3） 季节性冻土地基的最小埋深； 2.请解释文克勒地基模型的含义，以及该模型的适用范围。 答案： 该地基模型是由捷克工程师文克勒（E.Winkler ）于1867年提出的。该模型认为地基表面上任一点的竖向变形s 与该点的压力p 成正比，地基可用一系列相互独立的弹簧来模拟，即ks p 式中k 为基床系数或称地基系数。当地基土的抗剪强度相当低（如淤泥、软粘土等）或地基的压缩层厚度比基底尺寸小得多，一般不超过基底短边尺寸的一半时，采用文克勒地基模型比较合适。 3.试简述以无限长梁的计算公式为基础，利用叠加原理求解有限长梁的方法（可配合图形说明）。 答案： 将梁AB 向两端无限延伸得到一无限长梁，将原荷载P 、M 作用于无限长梁上，无限长梁在A 、B 两截面上将分别产生内力Ma 、Va 和Mb 、Vb 。而A 、B 两截面原本为自由端，剪力和弯矩应为零。为保证有限长梁与无限长梁在AB 间等效，需要在无限长梁的A 、B 两处分别施加两组集中荷载[MA ，PA]，[MB ，PB]，称为端部条件力，并使这两组力在A 、B 截面产生的弯矩和剪力分别等于外荷载P 、M 在无限长梁上A 、B 截面处所产生弯矩的负值（即：-Ma ，-Mb ，-Va ，-Vb ），以保证原梁A 、B 截面上的弯矩和剪力等于零的自由端条件。然后应用无限长梁计算公式求解出[MA ，PA]，[MB ，PB]。最终将已知的外荷载P 、M 和端部条件力MA 、PA 、MB 、PB 共同作用于无限长梁AB 上，按照无限长梁的计算公式分别计算梁段AB 在这些力作用下各截面的内力及变形，然后对应叠加，就得到有限长梁在外荷载P 、M 作用下的内力及变形。 4.何谓桩侧负摩阻力、中性点？在哪些情况下应考虑桩侧负摩阻力的作用？ 答案： 当桩周围的土体由于某些原因发生下沉，且变形量大于相应深度处桩的下沉量，即桩侧土相对于桩产生向下的位移，土体对桩产生向下的摩阻力，这种摩阻力称之为负摩阻力。正负摩阻力分界的地方称之为中性点。 通常，在下列情况下应考虑桩侧的负摩阻力作用： 1）在软土地区，大范围地下水位下降，使土中有效应力增加，导致桩侧土层沉降； 2）桩侧有大面积地面堆载使桩侧土层压缩； 3）桩侧有较厚的欠固结土或新填土，这些土层在自重下沉降； 4）在自重湿陷性黄土地区，由于浸水而引起桩侧土的湿陷； 5）在冻土地区，由于温度升高而引起桩侧土的融陷。 5.简要说明高承台桩基础分析的步骤（即如何根据承台外荷载求得基桩内力）。 答案 1）应用群桩整体刚度系数建立承台位移与外荷载的关系式，求解出承台的整体位移； 班 级 学 号 姓 名 密封装订线 密封装订线 密封装订线
湖南大学课程考试试卷 课程名称：基础工程（一） ；课程编码： 试卷编号：B （闭卷）；考试时间：120分钟 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 应得分 12 18 10 20 40 100 实得分 评卷人 一、名词解释（每题3分，共12分） 下拉荷载— 软弱地基— 局部倾斜— 复合地基— 二、填空题（每空1分，共18分） 1. 墙下钢筋砼条形基础底板厚度主要根据（ ）条件确定；而柱下钢筋砼单独基础底板厚度则应根据（ ）条件确定。 2. 水平受荷桩通常可根据桩的（ ）分为刚性桩和柔性桩两种。 3. 湿陷性黄土通常又可细分为（ ）和（ ）两种。 4. 按静载试验确定单桩竖向承载力时,为了使试验能真实反映桩的实际情况,要求在 （ ）土的间歇时间不少于10天、（ ）土不少于15天及（ ）不少于25天。 5. 桩基础按承台位置可分为（ ）桩基础和（ ）桩基础两种。 6. 砂桩的主要作用是（ ），砂井的主要作用是（ ）。 7. 沉井施工水很深时，筑岛困难，则可采用（ ）沉井。 考试中心填写： ____年___月___日 考 试 用 专业 班 级： 学 号： 名：
8.根据基础的受力条件，我们可以把砼基础称为（），而把钢筋砼基础称为（）。 9.桩按设置效应通常可分为（）桩、（）桩及（）桩三种。 三、辨析题（先判断对错，后简述理由。每题2分，共10分） 1.桩端嵌入岩层深度大于0.5m的桩称为嵌岩桩。( ) 2. 3. 4. 5. 1. 2. 3. 4. 5. 来的荷载F=180kN/m。土层分布情况如图1所示，其中淤泥层承载力特征值f ak=75kPa。为使地基承载力满足要求，拟采用换填垫层处理，初选1.5m厚中砂垫层，试验算厚度是否满足要求，并设计垫层宽度。（已知中砂垫层应力扩散角 =30°）(20'分) 2．某二级建筑物采用群桩基础。已知作用在柱底即承台顶面的竖向荷载设计值为F=2500kN，弯矩设计值M=500kN·m，水平力设计值为H=100kN。拟采用边长为300mm的钢筋砼预制桩，其平面布置及有关承台尺寸、地质情况等如图2所示，试验算该桩基础是
L N E N E L N E L N L 用电器 云南大学信息学院 2013 至 2014 学年下学期 2012 级《电子工艺实习》理论考试 A 卷参考答案 一、填空：(每空1 分，共30 分) 1.印制电路（PCB）。 2.表面组装（SMT）/微组装（MPT）/通孔插装技术（THT）。 3.国际标准化组织/国际电工委员会/可制造性设计。 4.人身安全、设备安全、电气火灾。 5.非线性/增大/减小。 https://www.doczj.com/doc/ce815123.html,/CE。 7.接地/接零 8.电压/电流/电流。 9．250V/500V。 10.可焊性/耐焊性。 11.张力/自由能。 12.焊件可焊/焊料合格/焊剂合格/适合的工具。 二．简述题（每题 5 分，共 20 分） 1.提高经济效益；保证产品质量；促进新产品的研发： 2.电流的大小、电流的种类、电流作用时间、人体电阻。 3.机械固定和支撑、电气互连、电气特性、制造工艺。 4.低熔点，使焊接时加热温度降低，可防止元器件老化；熔点和凝固点一致，可使焊点快 速凝固，不会因半熔状态时间间隔长而造成焊点结晶疏松，强度降低；流动性好，表面张力小，容易润湿，有利于提高焊接质量；强度高，导电性能好。 三．基础应用题（每题 5 分，共 20 分） 1．1.3K±5%，43K±1%。 2． 相线 工作零线 保护零线 外壳为导体外壳为导体外壳绝缘 单相三线制用电器接线
3． 4. 0.18/0.047/4.7/1.5/2200。 四、问答题（30 分） 1.观察分析常见电抗元件标称值E 数列系列表，可知，不同精度系列产品同一数列标称值和偏差极限衔接或重叠，经济技术指标较优，因为这样厂家生产出的所有电抗元件，不论产品为何数值，均可标称为某一个系列中的标称值作为合格商品出售，这样可以极大地减少产品因标称值原因导致的次品率和不合格产品，技术上可满足电抗元件不同精度误差要求，经济上可大大减少生产损失，提高经济效益。 2.当电器正常工作时，流经零序互感器的电流大小相等，方向相反，检测输出为零，开关闭合电路正常工作；当电器发生漏电时，漏电流不经过零线，零序互感器检测不到平衡电流并达到一定数值时，通过控制电路将供电回路开关切断。 3．1）.网络表输入：设计电路，用SCH 原理图绘制软件绘制电路原理图，生成反映 电路图中元器件连接关系的网络表文件。 2）.规则设置：在PCB 软件中设定布局、布线规则，为PCB 设计作准备。 3）.元器件布局：在PCB 设计软件中载入网络表，通过自动或手工方式在规划好的PCB 板内对元器件进行布局。 4）.布线：在PCB 板内使用PCB 设计软件自动或手工对电路进行印制线路设计。布局布线反复进行，力求最佳。 5）.进行电路设计规则检查（DRC） 6）.设计输出
安徽农业大学2009~2010学年第二学期 《电子产品制造技术》试卷 (A 卷答案) 考试形式:开卷笔试，2小时，满分100分 一、单项选择题(共10小题，每小题2分，共20分) 1、某电容的实际容量是1μF，换成数字标识是（D ）。 A 、102 B 、103 C 、104 D 、105 2、某电阻的色环排列是“橙白黑金 棕”，此电阻的实际阻值和误差是（C ）。 A 、3900Ω±5% B 、39.0KΩ±1% C、39.0Ω±1% D 、39.0Ω±5% 3、贴片阻容元件以外形尺寸来标注其规格，某元件长宽分别为2.0mm,1.25mm,则其封装为（B ）。 A 、1206 B 、0805 C 、0603 D 、0402 4、用焊点的浸润角来判断焊接质量，浸润角要( A )。 A 、<90o B 、>90o C 、<45o D 、>45o 5、对矩形SMT 元件，焊接合格的标准是：焊端宽度的（ C ）以上必须在焊盘上，不足时为不合格。 A ．1/2 B 、2/3 C 、3/4 D 、4/5 6、标识为100的贴片电阻，其阻值应该是 ( B )。 A 、 100Ω B 、10Ω C 、 1Ω D 、1KΩ 7、SMT 所用的电子元件在PCB 板的位置( D ) A 、只能在顶层 B 、只能在底层 C 、可以在中间层 D 、可以在底层 8、印制电路板的（ B ）层只要是作为说明使用。 A 、Keep Out Layer B 、Top Overlay C 、Mechanical Layers D 、Multi Layer 9、在Protel 里放置元器件封装过程中，按（ D ）键使元器件封装90o 旋转。 A 、X B 、Y C 、 学院： 专业班级： 姓名： 学号： 装 订 线
08级机电、数控大专班电工电子技术试题库 一、填空题(共1３３题，每空一分) 1、电力系统中一般以大地为参考点,参考点的电位为 0伏电位。 ２、欧姆定律一般可分为部分电路的欧姆定律和全电路欧姆定律。 ３、部分电路的欧姆定律是用来说明电路中电压、电流和电阻三个物理量之间关系的定律。 4、全电路欧姆定律,说明了回路中电流Ⅰ与电源电动势的代数和成比，而与回路中的及 之和成反比。 5、导体电阻的单位是欧姆，简称欧,用符号表示，而电阻率则用符号表示。 6、已知电源电动势为E，电源的内阻压降为U0,则电源的端电压Ｕ＝E-ＵO。 7、有一照明线路,电源端电压为2２０伏，负载电流为１０安,线路的总阻抗为０．2欧姆，那么负载端电压为21８伏。 8、串联电路中的处处相等,总电压等于各电阻上之和。 9、一只２20伏１5瓦的灯泡与一只2２０伏10０瓦的灯泡串联后,接到22０伏电源上,则1５瓦灯泡较亮，而１00 瓦灯 泡较暗。 10、１度电就是1千瓦的功率做功１小时所消耗的电量,所以它的单位又叫千瓦时。 １１、频率是单位时间内交流电重复变化的次数。 12、某正弦交流电流，频率为５0赫,最大值为２0安,初相位为－４0°,此正弦交流电的瞬时值表达式为u=20sin(314ｔ- ４０°) ， 相量式为。 １3、如果用交流电压表测量某交流电压，其读数为３８０伏，此交流电压的最大值为5３７伏。 14、把一个1００欧的电阻元件接到频率为５0赫、电压为１０伏的正弦交流电源上，其电流为0.１A 安。 15、有一电感L为0.08亨的纯电感线圈,通过频率为５０赫的交流电流,其感抗X L= 25．12 欧。如通过电流的频率为10000赫,其感抗 X L= 50２４欧。 1６、一个１０微法的电容接在５0赫的交流电源上，其容抗X C= 318欧，如接在200０赫的交流电源上，它的容抗ＸC＝7.９５欧。 17、某正弦交流电流为ｉ=１０0sin(６28０t- π／4）毫安,它的频率f＝１0０0Ｈz ,周期T＝０.００1 秒，角频率ω＝ 62８ 0 ，最大值Ｉm= 10０ｍA，有效值Ｉ＝100/１.414 mＡ,初相位φ= π／4 。 1８、已知两交流电流分别为ｉ1＝15ｓin(３１4t+45°)安,i２=１0siｎ(3１4ｔ-３０°)安,它们的相位差为７5 °。 19、在纯电感交流电路中,电感元件两端的电压相位超前电流9０度。 20、在纯电容交流电路中，电容元件两端的电压相位滞后电流90 度。 ２1、在纯电阻交流电路中,电阻元件通过的电流与它两端的电压相位同相。 22、交流电路中的有功功率用符号P 表示，其单位是 W 。 23、交流电路中的无功功率用符号Ｑ表示，其单位是VＡR 。 24、交流电路中的视在功率用符号S 表示,其单位是VＡ。 25、三相正弦交流电的相序，就是三相交流电到达最大值的顺序。 ２6、如三相对称负载采用星形接法时,则负载的相电压等于电源的相电压，线电流等于相电流的１倍。 27、如三相对称负载采用三角形接法时，则负载的相电压等于电源的线电压，线电流等于相电流的3倍。 28、在三相对称电路中，已知线电压U、线电流I及功率因数角φ,则有功功率P＝UICOSφ ,无功功率Ｑ＝UＩSIＮφ，视在功率Ｓ＝ ＵI。 ２9、已知某电源的相电压为６千伏,如将其接成星形，它的线电压等于 63伏。 3０、当三相发电机的三相绕组联成星形时，其线电压为380伏，它的相电压为 220 伏。 ３１、有一台三相异步电动机，额定电压为３８0伏，三角形联接，若测出线电流为３0安，那么通过每相绕组的电流等于３０/3安。３２、电路主要由电源、连接导线和开关、负载三部分组成。 33、电流互感器的原绕组匝数_少___，串联于被测电路中，且副绕组注意不能开路＿＿_＿。
湖南大学课程考试试卷 7. 沉井施工水很深时，筑岛困难，则可采用（ ）沉井。 考试中心填写： 号：
8.根据基础的受力条件，我们可以把砼基础称为（），而把钢筋砼基础称为（）。 9.桩按设置效应通常可分为（）桩、（）桩及（） 桩三种。 三、辨析题（先判断对错，后简述理由。每题2分，共10分） 1.桩端嵌入岩层深度大于0.5m的桩称为嵌岩桩。( ) 2.进行钢筋混凝土扩展基础设计时，应该考虑基础台阶宽高比的限制。( ) 3.群桩效应使桩侧摩阻力、桩端阻力的发挥程度降低。( ) 4.砂土液化是由于动水压力（渗流力）作用引起的。( ) 5.桩的抗拔承载力仅取决于桩土之间的摩阻力与桩身自重无关。( ) 四、问答题（下面5题，只选作4题，共20分） 1.减轻不均匀沉降危害的结构措施有哪些？
2.影响基础埋置深度的因素主要有哪些？ 3.哪些情况下不能考虑承台的荷载分担效应？ 4.换土垫层的主要作用是什么？ 5.何谓地基承载力特征值？其常用的确定方法有哪些？ 五、计算题（下面3题，只选作2题，共40分） 1、已知某钢筋砼条形基础，设计宽度b=1.2m，埋深d=1.0m，基顶面承受上部结构传来的荷载F=180kN/m。土层分布情况如图1所示，其中淤泥层承载力特征值f ak=75kPa。为使地基承载力满足要求，拟采用换填垫层处理，初选1.5m 厚中砂垫层，试验算厚度是否满足要求，并设计垫层宽度。（已知中砂垫层应力扩散角 =30°）(20'分)
3、某预制桩如图所示，土体比例系数m=10MN/m4，桩直径d=0.5m，桩入土深度h=11m，EI=0.67E h I，E h=2.6×104MPa。 ①确定该桩极限承载力标准值；（8'） ②计算 值，在此基础上判断该桩是否弹性桩；（5'） ③当桩顶作用水平力H=300kN，M=100时，地面处桩身位移x0=6.3mm。当桩顶作用水平力，H=100，M=500kN·m时，地面处桩身位移x0=4.3mm。试求：当 H=100kN，M=300kN·m时，地面处桩身位移x0。 （7'）
杭州电子科技大学研究生考试卷（B卷）
1、什么是CMOS器件的闩锁效应？描述三种阻止闩锁效应的制造技术。（12分） 答：闩锁效应就是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管（又称寄生可控硅，简称SCR）被触发导通，在电源和地之间形成低阻抗大电流的通路，导致器件无法正常工作，甚至烧毁器件的现象。这种寄生双极晶体管存在CMOS器件内的各个部分，包括输入端、输出端、内部反相器等。当外来干扰噪声使某个寄生晶体管被触发导通时，就可能诱发闩锁，这种外来干扰噪声常常是随机的，如电源的浪涌脉冲、静电放电、辐射等。闩锁效应往往发生在芯片中某一局部区域，有两种情况：一种是闩锁只发生在外围与输入、输出有关的地方，另一种是闩锁可能发生在芯片的任何地方，在使用中前一种情况遇到较多。 2、为什么要用区熔法生长硅晶体？比较FZ和CZ优缺点。（10分） 答：（1）原因：因为区熔法可以得到低至1011cm-1的载流子浓度。区熔生长技术的基本特点是样品的熔化部分是完全由固体部分支撑的，不需要坩埚。柱状的高纯多晶材料固定于卡盘，一个金属线圈沿多晶长度方向缓慢移动并通过柱状多晶，在金属线圈中通过高功率的射频电流，射频功率技法的电磁场将在多晶柱中引起涡流，产生焦耳热，通过调整线圈功率，可以使得多晶柱紧邻线圈的部分熔化，线圈移过后，熔料在结晶为为单晶。另一种使晶柱局部熔化的方法是使用聚焦电子束。整个区熔生长装置可置于真空系统中，或者有保护气氛的封闭腔室内 （2）CZ和FZ区别：CZ是直拉法，就是首先把多晶硅置于坩埚内加热熔化，然后采用小的结晶“种子”——籽晶，再慢慢向上提升、结晶，获得大的单晶锭。 （3）CZ和FZ优缺点比较：FZ是水平区域熔化生长法，就是水平放置、采用感应线圈加热、并进行晶体生长的技术。直拉法在Si单晶的制备中更为常用，占75％以上。直拉法制备Si单晶的优点是：1）成本低；2）能制备更大的圆片尺寸，6英吋（150mm）及以上的Si单晶制备均采用直拉法，目前直拉法已制备出400mm（16英吋）的商用Si单晶；3）制备过程中的剩余原材料可重复使用；4）直拉法制备的Si单晶位错密度低，0～104cm-2。直拉法制备Si单晶的主要缺点是，由于使用坩埚，Si单晶的纯度不如区熔法。区熔法制备Si单晶的主要优点是，由于不使用坩锅，可制备高纯度的硅单晶，电阻率高达2000Ω-mm，因此区熔法制备的Si单晶主要用于功率器件及电路。区熔法制备Si单晶的缺点是：1）成本高； 3、什么是LOCOS和STI？为什么在高级IC工艺中，STI取代了LOCOS？（12分） 答：（1）LOCOS：即“硅的局部氧化”技术（Local Oxidation of Silicon）CMOS工艺最常用的隔离技术就是LOCOS（硅的选择氧化）工艺，它以氮化硅为掩膜实现了硅的选择氧化，在这种工艺中，除了形成有源晶体管的区域以外，在其它所有重掺杂硅区上均生长一层厚的氧化层，称为隔离或场氧化层。-常规的LOCOS工艺由于有源区方向的场氧侵蚀（SiN边缘形成类似鸟嘴的结构，称为“鸟喙效应”bird beak)和场注入的横向扩散，使LOCOS工艺受到很大的限制。STI：浅沟槽隔离(STI)是用于隔绝活动区域的制造方法，它会使实际电流不同于模拟结果。具体情况取决于电晶体位置。 （2）取代原因：LOCOS结构影响了有源区长度，为了减小鸟嘴，出现了改进的LOCOS 结构，PBL和PELOX结构。PBL（poly buffer LOCOS多晶衬垫LOCOS）结构是在掩蔽氧化层的SiN和衬底SiO2之间加入一层薄多晶，这样减小了场氧生长时SiN薄膜的应力，也减小了鸟嘴。PELOX（poly encapsulated Locol Oxidation多晶镶嵌LOCOS）结构是在SiN层的顶部和侧部嵌如多晶或非晶薄膜，然后在生长场氧，它同样能减小鸟嘴。因为两种结构增加了工艺的复杂性，故LOCOS一般用于0.5~0.35μm的工艺中。为了更有效的隔离器件的需要，尤其是对于DRAM器件而言；对晶
基础工程—试卷库有答案 土木工程专业《基础工程》试卷一 一、选择题（每题2分，共20分） 1、基础工程设计包括（）两大部分。(C) A、基础设计和地基设计 B、基础内力和基础设计 C、承载能力设计和地基变形设计 D、地基变截面设计 2、建筑安全等级为甲级的建筑物，地基设计应满足（）(C) A、持力层承载力要求 B、地基变形条件 C、软弱下卧层的承载力要求 D、都要满足 3、计算基础内力时，基底的反力应取（）(B) A、基底反力 B、基底附加压力 C、基底净反力 D、地基附加应力 4、悬臂式和锚定式挡土墙属于（）(B) A、扶壁式 B、桩、墙式 C、重力式 D、固定式 5、作用在高压缩性土层上的建筑物，施工期间完成的沉降量占最终沉降量的（）(B) A、5%~20% B、20%~50% C、50%~80% D、80%以上 6、地基的允许变形值是由下列什么确定的？（）(A) A、基础类型 B、上部结构对地基变形的适应能力和使用要求 C、地基的刚度 D、地基的变形性质 7、相同地基土上的基础，当宽度相同时，则埋深越大，地基的承载力（）(B) A、越大 B、越小 C、与埋深无关 D、按不同土的类别而定 8、地基承载力标准值的修正根据（）(B) A、建筑物的使用功能 B、建筑物的高度 C、基础类型 D、基础的宽度和埋深 9、高层建筑为了减小地基的变形，下列何种基础形式较为有效？（）(A) A、钢筋混凝土十字交叉基础 B、箱形基础 C、筏形基础 D、扩展基础 10、当地基受力层范围内存在软弱下卧层时，若要显著减小柱下扩展基础的沉降量，较可行的措施是（）(A) A、增加基底面积 B、减小基底面积 C、增大基础埋深 D、减小基础埋深 二、填空题(每题1分，共20分) 1、基础的功能决定了基础设计必须满足三个基本要求：________________、________________、________________。(B) 2、在强夯中，根据加固区地基中的孔隙承压力与动应力和应变的关系可分：________________、________________和动力固结阶段。(A) 3、土钉墙由________________、放置于原位土体中的细长________________及附着于坡面的________________组成。(B) 4、单桩竖向承载力的确定，取决于两个方面，一是取决于桩本身的材料强度，二是取决于 __________。(B) 5、地基最终沉降量由__________、固结沉降和次固结降三部分组成。(C) 6、竖向抗压桩按承载性状，可划分为__________和__________两大类。(C) 7、影响地基土冻胀性的主要因素为____________、土中含水量的多少以及 ________________________。(A)
湖南大学课程考试试卷 课程名称：基础工程（一） ；课程编码： 试卷编号： （闭卷）；考试时间： 分钟 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 应得分 实得分 评卷人 一、名词解释（每题 分，共 分） 下拉荷载— 软弱地基— 局部倾斜— 复合地基— 二、填空题（每空 分，共 分） 墙下钢筋砼条形基础底板厚度主要根据（ ）条件确定；而柱下钢筋砼单独基础底板厚度则应根据（ ）条件确定。 水平受荷桩通常可根据桩的（ ）分为刚性桩和柔性桩两种。 湿陷性黄土通常又可细分为（ ）和（ ）两种。 按静载试验确定单桩竖向承载力时 为了使试验能真实反映桩的实际情况 要求在（ ）土的间歇时间不少于 天、（ ）土不少于 天及（ ）不少于 天。 桩基础按承台位置可分为（ ）桩基础和（ ）桩基础两种。 砂桩的主要作用是（ ），砂井的主要作用是（ ）。 沉井施工水很深时，筑岛困难，则可采用（ ）沉井。 根据基础的受力条件，我们可以把砼基础称为（ ），而把钢筋砼基础称为（ ）。 桩按设置效应通常可分为（ ）桩、（ ）桩及（ ）桩三种。 三、辨析题（先判断对错，后简述理由。每题 分，共 分） 考试中心填写： ____年___月___日 考 试 用 专业班级： 学号： 姓 名：
桩端嵌入岩层深度大于 的桩称为嵌岩桩。 进行钢筋混凝土扩展基础设计时，应该考虑基础台阶宽高比的限制。 群桩效应使桩侧摩阻力、桩端阻力的发挥程度降低。 砂土液化是由于动水压力（渗流力）作用引起的。 桩的抗拔承载力仅取决于桩土之间的摩阻力与桩身自重无关。 四、问答题（下面 题，只选作 题，共 分） 减轻不均匀沉降危害的结构措施有哪些？ 影响基础埋置深度的因素主要有哪些？ 哪些情况下不能考虑承台的荷载分担效应？
电子技术试卷及答案 一、填空题（每空1分，共18分） 1．PN结具有（）性能，即：加（）电压时PN结导通；加（）电压时PN结截止。 2．晶体二极管因所加（）电压过大 而（），并且出现（）的 现象，称为热击穿。 3．硅晶体三极管的饱和压降约为（）V，锗晶体三极管的饱和压降约为（） V。 4．一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加 而（）。 5．表征放大器中晶体三极管静态工作点的参数 有（）、（）和 （）。 6．对于一个晶体管放大器来说，一般希望其输入电阻 要（）些，以减轻信号源的负担，输出电阻要（）些，以增大带动负载的能力。 7．逻辑代数的三种基本运算是（）、 （）和（） 8．放大电路必须设置合适的静态工作点，否则，输出信号可能产生 （）。 二、判断题（每题2分，共16分） 1．在半导体内部，只有电子是载流子。（） 2．晶体二极管击穿后立即烧毁。（） 3．无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e 极电位，c极电位也总是高于b极电位。（） 4．放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响。（） 5．交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（） 6．逻辑代数中的0和1是代表两种不同的逻辑状态，并不表示数值的大小。 （） 7．与门的逻辑功能可以理解为输入端有0，则输出端必为0；只有当输入端全为1时，输出端为1。（） 8．负反馈可以消除放大器本身产生的非线性失真。（）
三、选择题（每题3分，共18分） 1．内部自由电子数量和空穴数量相等的半导体是（） A、P型半导体 B、N型半导体 C、本征半导体 2．晶体三极管的发射结正偏，集电极反偏时，则晶体三极管所处的状态是 （） A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 3．晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管 （） A、发射结为反向偏置 B、集电结为正向偏置 C、始终工作在放大区 4．凡在数值上或时间上不连续变化的信号，例如只有高、低电平的矩形波脉冲信号，称为（） A、模拟信号 B、数字信号 C、直流信号 5．二进制数10011转换为十进制数后为（） A、18 B、 19 C、21 6．在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3V,则这只三极管是( ) A、NPN 型硅管 B、NPN 型锗管 C、PNP 型硅管 四、问答题与计算题（48分） 1．如图示出各三极管的每个电极对地的电位。试判别各三极管处于何种工作状态（NPN管为硅管，PNP管为锗管）。（每题5分，共10分）-2。2V 1．7V 6V -2。3V -2V
试卷二 系别学号姓名成绩 考试课程模拟电子技术基础考试日期2002 年１２月１２日 题号一二三四五六七八九总分分数 得分核分人阅卷人 1．单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每小题2分，共20分) (1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( )。 A．掺杂浓度 B．工艺 C.温度 D．晶体缺陷 (2)硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( )。 A．正向导通状态 B．反向电击穿状态 C．反向截止状态 D．反向热击穿状态 (3)测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地”的电压如图1所示， A．NPN型硅管 B．NPN型锗管 C．PNP型锗管 D．PNP型硅管 (4)温度上升时，半导体三级管的( )。 A．β和I CBO 增大，U BE 下降 B．β和U BE 增大，I CBO 减小 C．β减小，I CBO 和U BE 增大 D．β、I CBO 和U BE 均增大 (图1) (5)在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，ｕ ｏ与ｕ ｉ 相位相反、 ︱A U ︱>1的只可能是( )。 A．共集电极放大电路 B．共基极放大电路 C．共漏极放大电路 D．共射极放大电路 (6)在四种反馈组态中，能够使输出电压稳定，并提高输人电阻的负反馈是( )。 A．电压并联负反馈 B．电压串联负反馈 C．电流并联负反馈 D．电流串联负反馈 (7)关于多级放大电路下列说法中错误的是( )。 A．A ｕ等于各级电压放大倍数之积 B．R ｉ 等于输入级的输入电阻 C．R。等于输出级的输出电阻 D．Ａ ｕ 等于各级电压放大倍数之和 （8）用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ，可以提高电路的 ( )。 A．︱A ｕｄ ︱ B．︱A ｕｅ ︱ C．Ｒ ｉｄ D．Ｋ ＣＭＲ (9)电路如图2所示，其中U ２ ＝20V，C＝100ｕF。变压器内阻及各二极管正向导通时 的电压降、反向电压均可忽略，该电路的输出电压U ０ ≈( )。 A．24V B．28V C．－28V D．－18V (图2) (10)在下列四种比较器中．抗干扰能力强的是( )。 A．迟滞比较器 B．零比较器 C．三态比较器 D．窗口比较器 2．填充题(每格１分，共20分) (11)当放大电路输入非正弦信号时，由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数 而产生的输出失真称为失真，由于相位滞后与信号频率不成正比而产生的输 出失真称为失真，这两种失真统称为失真或失真。 (12)半导体三极管属控制器件，而场效应管属于控制器件。 (13)按结构不同，场效应管可分为型和型两大类。 (14)集成运放内部电路实际上是一个、、放大电路。 (15)直流稳压电源由、、、四个部分组成。 (16)按幅频特性不同，滤波器可分为滤波器、滤波器、滤 波器、滤波器及滤波器等五种。 3．分析计算题（共60分） （17）电路如图３所示．已知R B1＝50KΩ, R B2＝10KΩ, R C＝6KΩ, R E＝750Ω,信号源内阻R S＝ 5KΩ,负载电阻R L＝10KΩ,电源电压＋V CC=12V,电容C1、C2的电容量均足够大,晶体管的β=99、 r be=1 KΩ、U BE=0.7V。试求：（a）电压放大倍数A u（=U O/U I）及A us（=U O/U S）; （b）输入电阻R i和输出电阻R O。 ① -2V ② -8V ③ -2.2V + u1 － TR + u2 － D1 D4 D3 D 2 C + U o －