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华南理工大学-有机部分复习

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有机部分:

1.什么是晶体,其主要特征是什么?晶体包含几种主要结构?

晶体(crystal)是有明确衍射图案的固体,其原子或分子在空间按一定规律周期重复地排列。其主要特征是(1)晶体拥有整齐规则的几何外形,周期性。(2)晶体拥有固定的熔点,在熔化过程中,温度始终保持不变。(3)晶体有各向异性的特点(4)晶体可以使X光发生有规律的衍射。

周期性规律是晶体结构中最基本的特征。

对于元素晶体来说,有六方密堆结构、面心立方结构、体心立方结构、简单立方结构、金刚石结构;对于化合物晶体来说,有NaCl结构、CsCl结构、闪锌矿结构等。

晶体按其内部结构可分为七大晶系和14种晶格类型。七大晶系分别为立方晶系(也称等轴晶系)、四方晶系、三方晶系、六方晶系、正交晶系(也称斜方晶系)单斜晶系、三斜晶系。

2.晶体有几种结合形式,说明每种结合形式的特点。

晶体有离子性结合、共价结合、金属性结合和范德瓦尔结合四种不同的基本形式。

离子键接合是原子间发生电子的转移,形成正、负离子,并通过静电作用形成的化学键。特点是:(1) 离子键的本质是静电引力(2)离子键没有方向性(3)离子键没有饱和性(4)键的离子性与元素的电负性有关

共价键接合是分子中原子间通过共用电子对结合而形成的化学键,本质是静电相互作用力,结合力的大小决定于共用电子的数目和重叠方式。共价结合有两个基本特征:“饱和性”和“方向性” 特点:(1)原子结合力是共价键;(2)共价键具有饱和性、方向性;(3)原子晶体为复式格子;(4)结构稳定,结合能约为800kj/mol;(5)低温导电性差,为绝缘或半导体,熔点高、硬度高;(6)能透射红外线。

金属性结合:。是由自由电子及排列成晶格状的金属离子之间的静电吸引力组合而成,金属性结合的基本特点是电子的“共有化”,也就是说,在结合成晶体时,原来属于各原子的价电子不被束缚在原子上,而转变为在整个晶体内运动,它们的波函数遍及整个晶体。特点:(1)采取密堆积的形式;(2)结合能较高。约为200kj/mol;(3)导电性好、热导率高、密度大、延展性好;(4)对红外线和可见光反射能力强,不透明,能透紫外线。

范德瓦尔结合则往往产生于原来具有稳固的电子结构的原子或分子之间,如具有满完层结构的惰性气体元素,或价电子已用于形成共价键的饱和分子。它们结合为晶体时基本上保持着原来的电子结构。特点:(1)FCC结构;(2)结合能较低,约为几kj/mol,结合力弱;(3)熔点低、沸点低、绝缘体、硬度小、易压缩;(4)能透射从红外到远紫外。

氢键:氢键是一种极性分子键,存在于HF、H2O、NF3等分子间。由于氢原子核外仅有一个电子,在这些分子中氢的唯一电子已被其他原子所共有,故结合的氢端就裸露出带正电荷的原子核。这样它将与邻近分子的负端相互吸引,即构成中间桥梁,故又称为氢桥。氢键具有饱和性和方向性。特点:(1)饱和性--只能形成一个氢键;(2)氢键较弱;(3)结合能较低;(4)熔点低、沸点低、硬度小、导电性差。

3.简述形成高分子特定结构的物理原因或本质,并介绍聚合物有哪些类型,其特点是什么?

加工方法的影响因素?

在高分子中主要存在2种键,分别是非键合原子和基团之间存在范德华键合和基团与基团之间的共价键。原子与原子之间的作用力是吸引力还是排斥力取决于原子间的距离。当原子间的距离非常小时,它们之间将产生排斥力。当原子间的距离非常大时,它们之间将产生吸引力。,当原子间的距离刚好使得吸引力和排斥力处于相等的状态,即达到平衡态,此时分子中原子的几何排列就是其确定的分子结构。

通常对于由N值较小的分子组成的物质叫做齐聚物,从一种单体经聚合而得到的聚合物称为“均聚物”

从两种或两种以上单体合成的聚合物称为“共聚物”

如果不同长度的侧链沿着(假想的)主链和沿着侧链是无规分布的,属无规支化高分子,由于它们类似于树木,故也叫树状高分子

高聚物的聚集态结构是在加工成型过程中形成的。高分子材料使用性能直接取决于加工成型过程中形成的聚集态结构

聚合物结构:聚合物结构可分为链结构和聚集态结构。

链结构特点:

I 链节本身的结构是由单体决定的,链节之间的连接方式(常称序列结构)对于缩聚物比较确定;若为加聚物,则单元链节的连接方式有头-尾、头-头或尾-尾相接之分,但大多数情况下以头-尾键接为主。

II 结构单元的立体化学结构可有光学异构和顺反异构两种立体异构现象。光学异构是由分子链中存有手型中心原子引起,若各手型中心的构型相同,称全同立构聚合物或等规聚合物;若相邻构型相反并相间排列,则称间同立构聚合物或间规聚合物;若各手型中心无规排列,即称无规聚合物。

III 链的形状有线型、支链型和交联型(体型或网状)之分。线型和支链型大分子彼此以

次价力相互作用,可溶于适当溶剂,加热也可熔化;交联型可视作许多线型或支链型大分子由共价键结合的网状或体型结构,交联度小的聚合物,加热可软化但不熔融,在溶剂中可溶胀但不溶解;交联度大的则不溶解也不熔融。

高分子材料使用性能直接取决于加工成型过程中形成的聚集态结构。链结构只是间接影响高聚物材料的性能,而聚集态结构才是直接影响其性能的因素。经验证明:即使有同样链结构的同一种高聚物,由于加工成型条件不同,制品性能也有很大差别。例如:缓慢冷却的PET(涤纶片)是脆性的;迅速冷却,双轴拉伸的PET(涤纶薄膜)是韧性很好的材料。所以,研究高分子聚集态结构特征、形成条件及其对制品性能的影响是控制产品质量和设计材料的重要基础。

结晶取向程度不同,直接影响纤维和薄膜的力学性能;结晶大小和形态不同,可影响塑料制品的耐冲击强度、开裂性能和透明性。

4.导电高分子与传统高分子在结构上有何不同?导电高分子为什么能导电?如何进一步提高其电导率?举例说明其导电本质。

导电高分子是由具有共轭π键的高分子经化学或电化学“掺杂”使其由绝缘体转变为导体的一类高分子材料。完全不同于由金属或碳粉末与高分子共混而制成的导电塑料。导电高分子的结构特征是由有高分子链结构和与链非键合的一价阴离子或阳离子共同组成。在导电高分子结构中,除了具有高分子链外,还含有由“掺杂”而引入的一价对阴离子(p型掺杂)或对阳离子(n型掺杂)。

导电高分子与传统高分子在结构上的不同之处是在导电高分子的主链上含有交替的单键和双键,从而形成了大的共轭π体系。π电子的流动产生了导电的可能性。

高分子材料导电机制:(1)一般高聚物主要是离子电导:有强极性原子或基团的高聚物在电场下产生本征解离,可产生导电离子。非极性高聚物本应不导电。但实际上要大许多数量级,原因是来自材料外部杂质(未反应的单体、残留催化剂、助剂以及水分)解离带来的。(2)聚合物导体、半导体:主要是电子电导。

如果想进一步提高其电导率,则可以对高分子进行掺杂,没有经过掺杂处理的导电聚合物电导率很低,属于绝缘体。其原因在于导电聚合物的能隙很宽(一维半导体的不稳定性),室温下反键轨道(空带)基本没有电子。但经过氧化掺杂(使主链失去电子)或还原掺杂(使主链得到电子),在原来的能隙中产生新的极化子、双极化子或孤子能级,从而使得导电性达到半导体或导体的电导率范围。由于在导电高分子中存在孤子、荷电孤子、极化子和双极化子等多种载流子,所以能提高其电导率。

5.您认为如何进一步发展导电高分子材料?

目前虽然导电高分子材料具有独特的性能,但是它的发展还不是很成熟,我觉得应该从以下几个方面进一步发展导电高分子材料:

(1)提高电导率:与其他金属相比,导电高分子的电导率还是相对比较低。

(2)增加它在空气中的稳定性:导电性高分子中氧原子对水是极不稳定的,这是妨碍其实用化的最大问题。

(3)提高它的加工成型性:导电高分子主链中的共轭结构使分子链僵硬,不溶不熔,从而给自由地成型加工带来困难。

(4)掺杂剂无毒:掺杂剂多是有毒的,如:AsF5、I2、Br2等。

(5)增强它的经济性:其价格比金属及普通塑料高,难以实用化。

(6)进一步研究导电高分子的导电机制:目前导电高分子理论很难合理解释导电高分子中出现的电导率及磁化率异常的主要原困等方面。

(7)研制新型导电高分子:开发低能隙、本征型导电高分子,使得它的性能能得到进一步的提高。

(1)理论上还沿用无机半导体理论和掺杂概念,在高分子材料导电领域需要新理论的发展;(2)需要加强导电聚合物的自构筑、自组装分子器件的研究;(3)改进加工性能、力学性能以及稳定性。(4)提高电导率:与其他金属相比,导电高分子的电导率还是相对比较低;(5)增加它在空气中的稳定性:导电性高分子中氧原子对水是极不稳定的,这是妨碍其实用化的最大问题。(6)提高它的加工成型性:导电高分子主链中的共轭结构使分子链僵硬,不溶不熔,从而给自由地成型加工带来困难。(7)掺杂剂无毒:掺杂剂多是有毒的,如:AsF5、I2、Br2等。(8)增强它的经济性:其价格比金属及普通塑料高,难以实用化。(9)进一步研究导电高分子的导电机制:目前导电高分子理论很难合理解释导电高分子中出现的电导率及磁化率异常的主要原困等方面。(10)研制新型导电高分子:开发低能隙、本征型导电高分子,使得它的性能能得到进一步的提高。

6.半导体高分子结构特征是什么?为什么?

结构特征:1、大的π-共轭分子;2、平面结构;3、强的π-π相互作用;4、已结晶。

聚合物半导体通常具有长的共轭主链, 其电子高度离域, 有利于电荷传输. 这类材料的本征电导率并不大, 但经氧化或掺杂后, 电导率可变化20多个数量级, 表现出导体或

半导体的性质. 许多共轭聚合物主链可视为扩展的生色团, 表现出类似染料的光物理特性, 如光致发光、光电导、非线性光学等.

聚合物电致发光器件的基本结构属于夹心式结构,即有机层被两侧电极像三明治一样夹在中间,并且一侧为透明电极以便获得面发光。阳极一般为有高功函数的氧化锢一氧化锡玻璃电极(ITO),阴极一般为低功函数的金属如:Mg,Ca,Al或金属合金Mg:Al等作为电极。在这种结构中,rro层作为透明电极,在可见光范围内几乎没有吸收;透光性很好,在二极管里面产生的光由此向外辐射。最上面的金属电极可以用热蒸发的方法成膜

有机聚合物电致发光器件的理想能带图如下

原因:

I 具有共轭双键的化合物,相间的π键与π键相互作用(π-π共轭效应),生成大π键。由于大π键各能级间的距离较近电子容易激发,在光照或其他条件下,产生载流子,使得高分子能够导电。

II 通过掺杂使材料获得载流子,从而具有导电性。

7.简单分析无机材料与高分子的导电性能差异。

导电高分子的掺杂概念来源于无机半导体,但与无机半导体的掺杂有本质区别。主要有:

1 掺杂率:导电高分子的掺杂率在1%~50%,通常超过6%才有较高的电导率,

而无机半导体的掺杂率是10-6级。

2)掺杂后的载流子存在形式:掺杂剂掺杂导电高分子后,在导电高分子中形成孤子、荷电孤子、极化子和双极化子等各种载流子,同时掺杂剂本身形成了带正电或负电的对离子依附在导电高分子链上。而无机半导体掺杂后形成了电子或空穴两种载流子。

3)掺杂后的结构:导电高分子掺杂后主链原子发生了位移,但掺杂剂不能嵌人到主链原子之间,只能存在于导电高分子的主链与主链之间。而无机半导体的掺杂剂是嵌入到无机半导体的晶格中。

7.如何描述高分子的聚集态结构?它的结晶性如何?如何分析其结晶度?

高分子的聚集态结构:高分子链之间的排列和堆砌结构。高聚物的基本性质取决于高分子的链结构,而其本体性质则取决于高分子的聚集态结构。根据高分子的链的排列,可分为晶体结构和非晶态结构。晶体结构是指高聚物包含有一定数量的,良好有序的微小晶粒,与普通晶体一样具有三维远程有序结构,可用樱状胶束模型和折叠链结构模型来描述。非晶态结构是指高分子链无规排列,可用无规线团结构模型和链束学说来描述。

由于高分子链内以原于共价键连接,分子链间存在Van der Waals力或氢键相互作用,使得其结晶时,自由运动受阻,妨碍其规整堆砌排列。使高聚物只能部分结晶并且产生许多畸变晶格及缺陷——结晶不完善。所谓结晶高聚物,实际上是部分结晶,其结晶度常常在50%以下。

链结构对结晶能力的影响:1)链的对称性:好,高2)链的规整性:好,高3)共聚物的结构:4)分子链的柔顺性:适当的柔顺性5)分子链的支化:破坏结晶能力6)分子链之间的交联:破坏结晶能力7)高分子的分子间作用力:大,高外界条件对结晶能力的影响:聚合物的链结构是决定其是否能够结晶的必要条件,但聚合物是否能够形成结晶及结晶的程度,还要受其它一些外界条件的影响。1)温度和时间2)压力和应力3)杂质4)溶剂

可用X射线衍射来分析其结晶度,X射线衍射测得高聚物尺寸正是高分子链段(或重复单元)的长度。

密度法(最常用,最简单的方法):原理:分子链在晶区的堆砌密度大,所以晶区密度大,比容小;分子链在非晶区的堆砌密度小,非晶区密度小,比容大。

X射线衍射法:原理:部分结晶的高聚物中结晶部分和无定形部分对X射线衍射强度的贡献不同,利用衍射仪得到衍射强度与衍射角的关系曲线,再将衍射图上的

衍射峰分解为结晶和非结晶两部分。

8. 什么是晶向和晶面?以简单立方结构为例,画出(100),(110)和(111)晶面示意图。 布拉伐格子的格点可以看成分列在一系列相互平行直线系上,这些直线系称为晶列 。每一个晶列定义了一个方向,称为晶向。

晶面:布拉伐格子的格点还可以看成分列在平行等距的平面系上.这样的平面称为晶面.

在晶体学中,通过晶体中原子中心的平面叫作晶面(Faces)。晶体在自发生长过程中可发育出由不同取向的平面所组成的多面体外形,这些多面体外形中的平面称为晶面(crystal face )。晶面基本上是光滑平整的平面;但仔细观察时,常可见微有凹凸而表现出具规则形状的各种晶面花纹。晶面实质上就是晶格的最外层面网。

10. 用能带模型解释说明导体、半导体和绝缘体的本质区别,特别分析半导体结构可能

具备哪些特性。

我们可以通过考察晶体电子填充能带的状况来判断晶体的导电性能。如果晶体电子恰好填满了最低的一系列能带,能量再高的能带都是空的,而且最高的满带与最低的空带之间存在一个很宽的禁带(如5g E eV ≥),那么,这种晶体就是绝缘体。图5-6-3(c )给出了这种晶体电子填充能带的状况。如果晶体的能带中,除了满带外,还有不满带,那么,这种晶体就是金属。不满带电子存在外电场时,整个电子分布将向着电场反方向移动,从而可以导电。

半导体晶体电子填充能带的状况与绝缘体的没有本质不同,只是最高满带与最低空带之间的带隙较窄(为1~3g E eV =),这样,在T=0K 时,晶体是不导电的。

半导体可能具有的特性是在一定的温度下,将有部分电子从满带顶部被激发到空带的底部,使最高的满带及最低的空带都变成部分填充电子的不满带,晶体因而具有一定的导电能力,且导电性质介于金属和绝缘体之间。

半导体异质结构就是将不同材料的半导体薄膜,依次先后沉积在同一基座上。

基本特征:(1)量子效应:因中间层的能级较低,电子很容易掉落下来被局限在中间层,而中间层只有几十埃的厚度,因此在如此小的空间内,电子的特性会受到量子效应的影响而改变。(2)迁移率变大:班内导体的自由电子主要是由于外加杂质的共吸纳,因此在一般的半导体材料中,自由电子会受到杂质的碰撞而减低其行动能力。然而在异质结中,可将杂质加在两边的夹层中,该杂质所贡献的电子会掉到中间层,因其较低的能量。因此在空间上,电子与杂质是分开,所以电子的行动就不会因为杂质的碰撞而受到限制,因此其迁移率就可以大大增加。(3)奇异的二度空间特性:因为电子被局限在中间层内,其沿夹层的方向是不能自由运动的,因此该电子只剩下二个自由度的空间,半导体异质结构因而提供一个非常好的物理系统可用于低维度的物理特性;(4)人造材料工程学:半导体一支结构之中间层或是两旁的夹层,可因需要不同而改变。

11.如何理解能级和能带?形成能带的物理本质是什么?

能级用来解释原子核外电子运动轨道的。电子只能在特定的、分立的轨道上运动,各个轨道上的电子具有分立的能量,这些能量值即为能级。

在形成分子时,原子轨道构成具有分立能级的分子轨道。晶体是由大量的原子有序堆积而成的。由原子轨道所构成的分子轨道的数量非常之大,以至于可以将所形成的分子轨道的能级看成是准连续的,即形成了能带。

能带理论就是认为晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子,并且共有化电子是在晶体周期性的势场中运动;结果得到:共有化电子的本征态波函数是Bloch函数形式,能量是由准连续能级构成的许多能带。

12.以高分子材料为例,针对热性能,评述一下材料结构与性能的关系。

对于高分子材料,即使是同种单体构成,由于合成工艺不同,生成的聚合物结构即链结构或取代基空间取向不同,性能也不同。如聚乙烯中的HDPE、LDPE和LLDPE,他们化学组成完全一样,由于分子链结构不同其性能也就不同。

高分子材料的热学性能包括玻璃化温度,熔点,热容,热传导,热稳定性,热辐射。

1)玻璃化温度

玻璃化温度是高分子的链段从冻结到运动(或反之)的一个转变温度,而链段运动是通过主链的单键内旋转来实现的。因此凡是能影响到高分子链柔性的因素,都对Tg有影响。减

弱高分子链或增加分子之间作用力的因素,如引入刚性基团或极性基团,交联和结晶都使Tg升高,而增加高分子链的柔性的因素,如加入塑性剂或溶剂,引入柔性基团都使Tg降低。2)高分子链结构对熔点的影响:

对着科学技术的发展,对耐热材料的需求,强有力的推动了耐热高分子材料的研制和对结构与熔点关系的规律性的研究。提高熔点可以从两方面考虑,一方面是增加熔融热,另一方面是减少熔融熵。但是必须指出,熔点的高低是由这两方面因素共同决定。其中熔融热与分子之间相互作用力大小有关,熔融熵的大小决定于熔融时体积变化和分子链可能存在的构像树木的变化。

13.以高分子材料为例,讨论聚集态形成过程和性能预期。

高聚物的结晶过程包括:晶核生成和晶粒生长两个阶段

成核:

均相成核:源于分子的热运动产生的分子链局部有序排列,因而不是同时出现的;

异相成核:源于杂质或熔融的残存结构或特意加入的成核剂或容器壁作为晶体的生长点,称“预定核”。

生长:晶核生成以后,分子链便向晶核进一步扩散并作规整堆砌使晶粒生长变大。

结晶度增加时,硬度、冲击强度、拉伸强度、伸长率、蠕变、应力松弛等力学性能会发生变化;密度增大;结晶高聚物通常呈乳白色,不透明,结晶度升高,塑料耐热性升高。

14.半导体高分子除了在发光显示、照明、太阳电池等方面具有潜在应用价值,探讨一下在其他领域的应用。

1.半导体高分子可以用来制备有机薄膜晶体管,可以作为OTFT用来驱动发光器件,虽然目前来说它的电子迁移率较低、工作电压较高

2.与硅材料相较,有机半导体高分子可采用较简易的低温工艺生产,所产出的器件不但成本比较低,并具备高度可调谐特性,所以有可能取代传统的硅芯片

3..半导体高分子可用于作为某些传感器,例如大气传感器,半导体高分子通过与大气某些介质作用,可以改变其电导率,从而可以检测出该介质,当除去介质后,半导体高分子的电导率又可以恢复。

4.半导体高分子可以作为雷达隐身材料,由于半导体高分子的导电性可以在绝缘体、半导体、金属导体之间变化,从而通过调节它的带隙使得它有不同的吸波性能,从而可以作为雷达隐身材料

华南理工大学有机化学期末考试试卷1

2002 ~ 2003 学年第 1 学期期末考试试卷 《有机化学》( A 或 B 卷共 7 页) (考试时间:年月日) 题号一二三四五六七成绩 得分 (一)用系统命名法命名下列化合物或写出构造式(本大题 10 小题 , 每小题 1 分,共 10 分) (7) (E)-3- 乙基 -1,3- 己二烯(8) 2,6- 二甲基苄醇 (9)α - 硝基萘(10) 3- 甲基环己烯

(二)基本概念题(本大题 6 小题 , 共 10 分) ( 1 )写出下列化合物最稳定的构象式:(本小题 2 分) ( 2 )请写出下列化合物一次硝化的主要产物(用箭头表示)(本小题 2 分) ( 3 )下列化合物哪些有旋光性:()(本小题 2 分) ( 4 )下列反应是否正确,如有错误请给出正确答案:(本小题 2 分)

( 5 )判断下列化合物、离子那个具有芳香性:()(本小题 1 分) ( 6 )在亲核取代反应中,下列哪个实验现象属于 S N 1 机理:()(本小题 1 分) ( A )产物构型完全转化( B )反应只有一步 ( C )有重排产物( D )亲核试剂亲核性越强,反应速度越快 (三)理化性质比较题(本大题 5 小题,共 10 分) (1) (本小题 2 分) 比较下列自由基的稳定性:() > () > () > () ( 2 )(本小题 2 分) 比较下列化合物沸点的高低:() > () > () > () ( A )乙醚( B )正丁醇( C )仲丁醇( D )叔丁醇 ( 3 )(本小题 2 分) 比较下列芳香化合物一次硝化反应的活性大小:() > () > () > () ( 4 )(本小题 2 分)

华工电力电子技术平时作业2019

电力电子技术平时作业(2019年2月20日,合计37题) 一、填空题(12题) 1、电力变换通常分为四大类,整流、逆变、斩波、变频和变相。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要触发脉冲的幅度和功率达的到对所作用的可控硅有效触发、要可方便与被控的交流电周期同步,和能方便的改变同步后的延迟时间。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。 4、逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类,当直流侧是电压源时,称此电路为___电压源型逆变电路_____,当直流侧为电流源时,称此电路为__电流源型逆变电路______。 5、在正弦波和三角波的自然交点时刻控制开关器件的通断,这种生成SPWM 波形的方法称__自然采样法____,实际应用中,采用__ 规则采样法___来代替上述方法,在计算量大大减小的情况下得到的效果接近真值。 6、常用的晶闸管有_普通型单向导通的晶闸管___式、__普通型双向导通的晶闸管___式两种。 7、单相半控桥整流电路,带大电感性负载,晶闸管在__ 触发 ____时刻换流,二极管则 在_ _电源电压过零点_____时刻换流。 8、过电压产生的原因_ _浪涌电压______、__操作过电压______,可采取__ 阻容吸收、__晒推___、压敏电阻保护。 9、变频电路所采取的换流方式_ 自然换流_、__ 负载换流__、_ 强迫换流_____。 10、门极可关断晶闸管主要参数有_ 最大可关断阳极电流IATO 、__、__。 11、电力变换通常分为四大类,即__ 整流、_逆变_______、__ 直流斩波、___交流变交流__。 12、斩波器是在接在恒定直流电源和负载电路之间,用于_ 改变加到负载电路上的直流电压平均值的一种电力电子器件变流装置。 二、简答题(18题) 1.使晶闸管导通的条件是什么?维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导 通变为关断? 答:闸管导通的条件是阳极承受正向电压,处于阻断状态的晶闸管,只有在门极加正向触发电压,才能使其导通。 门极所加正向触发脉冲的最小宽度,应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流,即擎住电流IL以上。导通后的晶闸管管压降很小。

华南理工有机化学考研历年真题资料

华南理工有机化学考研历年真题

华南理工大学2005年有机化学试题 一、写出下列各化合物的结构式或名称(每小题2分,共20分) CH 3CH 2 H CH 3 CH 2CH 2CH 3CH 3 (标明Z/E ) 1. 2. [(Z)-3-甲基-3-庚烯 4-甲基螺[2.4]庚烷] NH 2 CH 3 Cl N NH 2 CO 2H CH 3 CH 2CH 3 3. 4. 5.(标明R/S) [4-甲基-3-氯苯胺 2-氨基吡啶 (R )-2-甲基-2-溴丁酸] 二、完成下列反应式(每小题2分,共30分) 1. +Br 2CH 3 3 2.CH 3CHCH 2CH 2COONa OH O O H 3.CH 3CH 2CH 2CH 2CH 2CHO + Ph 3P=CHCH 3 n C 5-H 11 H H CH 3 4.HC ≡C-CH 2-CH=CH 2+Br 2 HC ≡C-CH 2-CHBrCH 2Br 5. 22OH CH 3 3 B 2H 6

6.+ N2Cl CH3 OH CH3 OH CH3 N=N CH3 7.+CHO CHO 8.+H2N H N NH2 O CH=NNHCONH2 CHO 9.2CH3CH2CO2Et EtONa CH3CH 2 OEt O CH3 O 10.+HBr H Br 11. Cl2/hv CH CH CH OH AlCl3 Cl 12.+HNO CH3CH 3 NO2 H2SO4 13. AlCl3 350?C OH O Cl3CCO3H (过量) 14.CH3CH2OCH3CH3CH2I+CH3I

物理化学试验-华南理工大学

物理化学实验Ⅰ 课程名称:物理化学实验Ⅰ 英文名称:Experiments in Physical Chemistry 课程代码:147012 学分:0.5 课程总学时:16 实验学时:16 (其中,上机学时:0) 课程性质:?必修□选修 是否独立设课:?是□否 课程类别:?基础实验□专业基础实验□专业领域实验 含有综合性、设计性实验:?是□否 面向专业:高分子材料科学与工程、材料科学与工程(无机非金属材料科学与工程、材料化学) 先修课程:物理、物理化学、无机化学实验、有机化学实验、分析化学实验等课程。 大纲编制人:课程负责人张震实验室负责人刘仕文 一、教学信息 教学的目标与任务: 该课程是本专业的一门重要的基础课程,物理化学实验的特点是利用物理方法来研究化学系统变化规律,是从事本专业相关工作必须掌握的基本技术课程。其任务是通过本课程的学习,使学生达到以下三方面的训练: (1)通过实验加深学生对物理化学原理的认识,培养学生理论联系实际的能力; (2)使学生学会常用的物理化学实验方法和测试技术,提高学生的实验操作能力和独立工作能力; (3)培养学生查阅手册、处理实验数据和撰写实验报告的能力,使学生受到初步的物理性质研究方法的训练。 教学基本要求: 物理化学实验的特点是利用物理方法来研究化学系统变化规律,实验中常用多种物理测量仪器。因此在物理化学实验教学中,应注意基本测量技术的训练及初步培养学生选择和配套仪器进行实验研究工作的能力。 物理化学实验包括下列内容: (1)热力学部分量热、相平衡和化学平衡实验是这部分的基本内容。还可以选择稀溶液的依数性、溶液组分的活度系数或热分析等方面的实验。

华南理工网络教育电力电子技术

随堂练习

C.不变 D.0 答题: A. B. C. D. (已提交) 参考答案:B 问题解析: 5.(单选题) 单相半波可控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交流电压的()倍。A.1,B.0.5,C.0.45,D.0.9. 答题: A. B. C. D. (已提交) 参考答案:C 问题解析: 6.(单选题) 为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作,应在电路中接入()。 A. 三极管, B. 续流二极管, C. 保险丝, D. 开关管。 答题: A. B. C. D. (已提交) 参考答案:B 问题解析: 7.(单选题) 晶闸管可控整流电路中的控制角α减小,则输出的电压平均值会()。 A.不变,B.增大,C.减小。 答题: A. B. C. D. (已提交) 参考答案:B 问题解析: 8.(单选题) 电容滤波的单相不可控整流电路中,空载时,输出电压平均值等于(),为输入电压有效值。

A、1.2, B、, C、0.9, D、。 答题: A. B. C. D. (已提交) 参考答案:B 问题解析: 9.(单选题) 单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差()度。 A.180°, B.60°, C.360°, D.120° 答题: A. B. C. D. (已提交) 参考答案:A 问题解析: 10.(单选题) 单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( )。A.90°B.120°,C.150°,D.180° 答题: A. B. C. D. (已提交) 参考答案:D 问题解析: 11.(单选题) 单相桥式全控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交流电压的( )倍。 A. 1, B. 0.5, C. 0.45, D. 0.9. 答题: A. B. C. D. (已提交) 参考答案:D 问题解析: 12.(单选题) 三相半波可控整流电路的自然换相点是( )。 A. 交流相电压的过零点; B. 本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处;

华工电力电子技术随堂练习题库

附件一: 章节知识点对应练习题 题序 第一章电力二极管和晶闸管第一节电力电子器 件概述 1电力电子器件的特征 2电力电子器件的分类 本章的所有 习题 第二节不可控器件 ——电力二极管 1 PN结与电力二极管的工 作原理 2 电力二极管的基本特性 3 电力二极管的主要参数 4 电力二极管的主要类型 第三节半控型器 件——晶闸管 1 晶闸管的结构与工作原 理 2 晶闸管的基本特性 3 晶闸管的主要参数 4 晶闸管的派生器件 第二章单相可控整流电路第一节单相半波可 控整流电路 基本电路形式、波形分析本章的所有 习题 第二节单相桥式全 控整流电路 基本电路形式、波形分析 第三节单相全波可 控整流电路 基本电路形式、波形分析 第四节单相桥式半 控整流电路 基本电路形式、波形分 析、移相范围 第三章三相可控整流电路第一节三相半波可 控整流电路 三相半波可控整流电路的 基本形式和工作原理 本章的所有 习题 第二节三相桥式全 控整流电路 三相半波可控整流电路的 基本形式和工作原理 第三节变压器漏感 对整流电路的影响 了解变压器漏感的存在原 因及影响 第四节晶闸管的相 控触发电路 了解触发电路的工作原理 定相 第四章有源逆变电路第一节有源逆变的 概念 掌握有源逆变的基本概念本章的所有 习题 第二节三相有源逆 变电路 掌握三相有源逆变电路的 工作原理和电路基本形式 第三节逆变失败与 逆变角的限制 了解逆变失败的原因与逆 变角的限制 第四节晶闸管直流 电动机系统 了解整流状态和有源逆变 状态时的工作情况 第5章整流电路的第一节电容滤波的掌握电容滤波的单相和三本章的所有

谐波和功率因数问题不可控整流电路相不可控整流电路的工作 原理 习题 第二节整流电路的谐波和功率因数了解谐波和功率因数的关系 第四节多重化整流电路了解多重化整流电路的作用和工作原理 第6章交流电力控制电路第一节单相交流调 压电路 掌握单相交流调压电路的 工作原理、波形分析 本章的所有 习题 第二节三相交流调 压电路 了解三相交流调压电路的 工作原理 第三节斩波式交流 调压电路 掌握斩波式交流调压电路 的工作原理 第四节交流调功电 路 了解交流调功电路的工作 原理和作用 第7章全控型电力电子器件及驱动与保护第一至五节全控 型电力电子器件 了解全控型电力电子器件 的工作原理和基本特性 本章的所有 习题 第六节电力电子器 件的驱动 掌握驱动电路的作用、晶闸 管的触发驱动电路、全控型 器件的驱动电路 第七节电力电子器 件的保护 了解过电压、过电流产生的 原因及过压、过电流保护的 形式,缓冲电路的基本结构 第8章无源逆变电路及PWM控制技术第一节换流方式掌握逆变电路的基本工作 原理和换流方式 本章的所有 习题 第二节电压型逆变 电路 掌握单相半桥、全桥逆变电 路的工作原理、波形分析 第三节电流型逆变 电路 掌握单相电流型逆变电路 的工作原理、波形分析 第四节PWM控制 的基本原理 掌握PWM控制的基本原理 第五节PWM逆变电 路及其控制方法 了解单相半桥、全桥逆变电 路的PWM控制方式 第9章直流变换电路第一节基本斩波电 路 降压式、升压式、降压—升 压斩波电路和Cuk斩波电 路的基本电路形式、工作原 理、输入输出电压的关系 本章的所有 习题 第三节单端间接式 直流变换电路 掌握单端正激式、反激式直 流变换电路的基本电路形 式和工作原理 第四节双端间接式 直流变换电路 了解半桥、全桥直流变换电 路基本电路形式和工作原 理

2019华工网络继续教育-电力电子技术-随堂练习答案

1.(单选题) 普通晶闸管的通态电流(额定电流)是用电流的()来表示的。 A.有效值, B.最大值, C.平均值, D.瞬时值 参考答案: C 问题解析: 2.(单选题) 晶闸管内部有()PN结。 A.一个,B.二个,C.三个,D.四个 参考答案: C 问题解析: 3.(单选题) 以下器件中开关速度较快的器件是()。 A、GTO, B、IGBT, C、MOSFET, D、GTR 参考答案: C 问题解析: 4.(单选题) 晶闸管在电路中的门极正向偏压()愈好 A.愈大 B.愈小 C.不变 D.0 参考答案: B 问题解析: 5.(单选题) 单相半波可控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交流电压的()倍。 A.1,B.0.5,C.0.45,D.0.9. 参考答案: C 问题解析: 6.(单选题) 为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作,应在电路中接入()。 A. 三极管, B. 续流二极管, C. 保险丝, D. 开关管。 参考答案: B 问题解析: 7.(单选题) 晶闸管可控整流电路中的控制角α减小,则输出的电压平均值会()。 A.不变,B.增大,C.减小。 参考答案: B 问题解析: 8.(单选题) 电容滤波的单相不可控整流电路中,空载时,输出电压平均值等于(),为输入电压有效值。 A、1.2, B、, C、0.9, D、。 参考答案: B 问题解析: 9.(单选题) 单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差()度。 A.180°, B.60°, C.360°, D.120° 参考答案: A 问题解析: 10.(单选题) 单相半波可控整流电阻性负载电路中,控制角α的最大移相范围是( )。 A.90°B.120°,C.150°,D.180° 参考答案: D

华南理工大学 本科物理化学复习笔记

本科物理化学复习提纲(I) (华南理工大学物理化学教研室葛华才,2004年6月) 第一章气体 一.一.重要概念 理想气体,分压,分体积,临界参数,压缩因子,对比状态 二.二.重要关系式 (1) 理想气体:pV=nRT , n = m/M (2) 分压或分体积:p B=c B RT=p y B (3) 压缩因子:Z = pV/RT 第二章热力学第一定律与热化学 一、重要概念 系统与环境,隔离系统,封闭系统,(敞开系统),广延量(加和性:V,U,H,S,A,G),强度量(摩尔量,T,p),功,热,内能,焓,热容,状态与状态函数,平衡态,过程函数(Q,W),可逆过程,节流过程,真空膨胀过程,标准态,标准反应焓,标准生成焓,标准燃烧焓 二、重要公式与定义式 1. 体积功:δW= -p外dV 2. 热力学第一定律:?U = Q+W,d U =δQ +δW 3.焓的定义:H=U + pV 4.热容:定容摩尔热容C V,m = δQ V /dT = (?U m/?T )V 定压摩尔热容C p,m = δQ p /dT = (?H m/?T )P 理性气体:C p,m- C V,m=R;凝聚态:C p,m- C V,m≈0 理想单原子气体C V,m =3R/2,C p,m= C V,m+R=5R/2 5. 标准摩尔反应焓:由标准生成焓?f H Bθ (T)或标准燃烧焓?c H Bθ (T)计算 ?r H mθ = ∑v B?f H Bθ (T) = -∑v B?c H Bθ (T) 6. 基希霍夫公式(适用于相变和化学反应过程) ?r H mθ(T2)= ?r H mθ(T1)+?2 1 T T?r C p,m d T 7. 恒压摩尔反应热与恒容摩尔反应热的关系式

华南理工大学电力电子技术考研复试

华南理工大学电气工程及其自动化主修课程:大学英语、高等数学、电路原理、电机学、发电厂电气部分、电力系统稳态分析、电力系统暂态分析、电力系统继电保护、电力电子技术、自动控制理论等。 华南理工大学电力电子与电力传动2011年考研招生简章招生目录 招生年份:2011 本院系招收人数:140 电力电子与电力传动专业招收人数:18 专

电力电子与电力传动硕士生导师:陈渊睿、杜贵平、康龙云、刘永强、邱东元、王学梅、谢运祥、杨金明、杨苹、张波 华南理工大学电力电子与电力传动复试经历 一、 07年华工电力学院复试体会 前言:记得自已在备考华南理工电力电子时,很难找到有关电力学院复试经历的文章。现在趁着有时间,索性把自已复试这些天的一些经历写一下,也许对08级报考华工电力电子与传动专业的同学会有一点用吧。 看到自已初试成绩时,心里就有了把握-------参加复试是不会有问题的。于是我从13号开始就看电力电子了。到24号,复试通知书中得知电力学院复试是在4月3号,就整个学校来说,有点晚了,不过也很好,可以给自已的复试准备更多的时间。 我们一起有四个人,经过12个小时的煎熬终于到了广州,那天是4月1号。刚到华南理工,一切都是那么的陌生,一切又是那么的新奇。既来之,则安之。当然首要解决的是住宿问题,不巧的是当时好多学院已经开始复试了,床位很紧张,老3那边早就没床位了,我们几个在诺大的华工校园内,苦苦寻觅着一个安身之所,真是好事多磨,终于在华工北门外的成教学院内找到了一个好去处,40/DAY,四人间,条件还可以。得了,安定下来后,我们当晚就到华工教学楼去复习了,教室很大,人也不少,估计大部分都是参加复试的同志吧。的确复试很重要,大家都不敢有所放松。一直到4月2号我们都是在拼命的看书,细细地总结每个可能考的知识点/就这样复试的时候到了。 4月3号早上8点我们几个早早来到电力学院,先是报到,检查证件时间。查完后到9:30开始笔试考试。说实话笔试电力电子并不难,都是很基础的一些问答题和简单的计算题。整张试题分三部分: (1)第一部分------- 问答题(6*5=30) 1.什么是电力电子技术?它分为哪两个分支? 2.说出两种基本的间接变流电路? 3.四种直接变流电路 4.什么是通态平均电流 5.怎么样使晶闸管开通?怎么样让它关断? 6.PWM逆变电路中为什么选用正弦波作为调制波? (2)第二部分------- 计算题(10*2=20) 1.单相桥式整流电路带RL负载时的计算,要求平均电流、电压 2.直流斩波的简单计算 (3)第三部分------- 绘图部分(10*5=50) 1.单相桥式整流电路带RL负载时的,a=30时的电压波形 2.单相半桥逆变电路中(电压型)的电流、电压波形 3.单相交流调压电路,当输出power 是最大输出power的1/2时,控 制角为多少?绘出电压图形?

华南理工大学《物理化学》48学时试卷(B)参考答案

《物理化学》48学时试卷(B)参考答案 2012.6 一、选择题(10题,每题2分,共20分) 1.A 2.B 3.C 4. B 5. B 6.C 7.B 8.B 9.B 10. D 10.初始浓度降低,半衰期增加,可否定为0,1级反应。假设为2级反应,则有k=1/(c A,0t1/2),实验结果符合这个关系式,故为2级 二、计算题(6题,共60分) 1.解:(1)ΔU=ΔH=0 (2分) Q R=W R=nRT ln(p1/p2)=228.9 J (2分) ΔS=nR ln(p1/p2)=0.763 J·K-1(2分) ΔA=ΔG= -nRT ln(p1/p2)= -228.9 J (2分) (2)状态函数的变化同(1) ΔU=ΔH=0 (1分) ΔA=ΔG= -228.9 J (2分) ΔS=0.763 J·K-1(1分) Q IR=W IR=p2(V2-V1)=nRT(1-p2/p1)=149.9 J (2分) 2. 解:解:△H= △H1+ △H2+ △H3= nC p,m,l(T2-T1) + n△H凝固+ nC p,m,s(T1-T2) = 5×[(75.3-37.6) (273.15-268.15) -6009 ] J = -5820.5 J (4分) △S= △S 1+ △S 2+ △S 3= nC p,m,l ln(T2/T1) + n(△H2/T2) + nC p,m,s ln(T1/T2) = n[(C p,m,l-C p,m,s) ln(T2/T1) + (△H2/T2) ] = 5×[(75.3-37.6) ln(273.15/268.15) +(-6009/273.15) ] J·K-1 = -21.3 J·K-1 (4 分) △G= △H- T△S = -5820.5J-268.15K×(-21.3 J·K-1) = -108.36 J (2 分) 3. 解:设苯、甲苯分别记为A、B。 (1)苯在85℃时的饱和蒸气压p A*,利用克-克方程 ln(p A*/101.325kPa)= -(30770/8.315)(1/358.15-1/353.25) (4分) p A*=116.9kPa (1分)

华南理工大学 电力电子技术 A卷 附答案

,考试作弊将带来严重后果! 华南理工大学期末考试 《电力电子技术基础》试卷 1. 考前请将密封线内各项信息填写清楚; 所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上); .考试形式:闭卷; 单项选择题(将正确答案填在题干后面的括号内,共10分)、普通二极管和快速(快恢复)二极管在开关频率上的不同,主要是体现在哪 ( ) A.开通时间 B.反向恢复时间 C.关断时间 D.反向电流延迟时间、晶闸管被触发从断态转入通态就除去触发信号,能维持通态所需要的最小阳 ( ) A.通态平均电流 B.浪涌电流 C.维持电流 D.擎住电流、电压型逆变器中间直流环节贮能元件是……………………………………( ) A.电容 B.电感 C.电阻 D.电动机 、不可在第一和第四象限工作的变流电路是…………………………………( ) A.三相半波可控整流电路 B.单相桥式全控整流电路 C.三相桥式半控整流电路 D.矩阵式变频电路 、为了保护电力电子装置,需要在装置中加上必要的过流保护措施,以下选项中不是常用的过流保护措施有……………………………………………( ) A、快速熔断器 B、过电流继电器 C、集-射极电压识别电路 D、RC吸收电路 、若SPWM逆变器的输出频率变化范围很宽,PWM波的调制方式应采用( ) A、异步调制 B 、同步调制 C、分段同步调制 D、分段异步调制、电流型逆变器输出电流波形是……………………………………………( ) A、三角波 B、正弦波 C、矩形波 D、梯形波 、单相半控桥式整流大电感负载电路中,为了避免出现一个晶闸管一直导通, 采取的措施是在负载两端并联 ( ) A、电容 B、电感 C、电阻 D、二极管 、电压型三相桥式逆变电路,当采用纵向换流时,每个开关管一个周期导通多 ( ) A、60o B、120o C、180o D、240o 、以下的换流方式,哪个不是晶闸管的换流方式…………………………( ) A、电源换流 B、负载换流 C、强迫换流 D、器件换流

华南理工大学物理化学物理化学复习纲要(完整整理版)

物理化学复习提纲 (华南理工大学物理化学教研室葛华才) 第一章气体 一.重要概念 理想气体,分压,分体积,临界参数,压缩因子,对比状态 二.重要关系式 (1) 理想气体:pV=nRT , n = m/M (2) 分压或分体积:p B=c B RT=p y B (3) 压缩因子:Z = pV/RT 第二章热力学第一定律与热化学 一、重要概念 系统与环境,隔离系统,封闭系统,(敞开系统),广延量(加和性:V,U,H,S,A,G),强度量(摩尔量,T,p),功,热,内能,焓,热容,状态与状态函数,平衡态,过程函数(Q,W),可逆过程,节流过程,真空膨胀过程,标准态,标准反应焓,标准生成焓,标准燃烧焓 二、重要公式与定义式 1. 体积功:W= -p外dV 2. 热力学第一定律:U = Q+W,d U =Q +W 3.焓的定义:H=U + pV 4.热容:定容摩尔热容 C v ,m = Q V /dT = (U m/T )V 定压摩尔热容 C p ,m = Q p /dT = (H m/T )P 理性气体:C p,m- C v,m=R;凝聚态:C p,m- C v,m≈0 理想单原子气体C v,m =3R/2,C p,m= C v,m+R=5R/2 5. 标准摩尔反应焓:由标准生成焓 f H B (T)或标准燃烧焓 c H B (T)计算 r H m = v B f H B (T) = -v B c H B (T) 6. 基希霍夫公式(适用于相变和化学反应过程) ?r r r=?r r r r(r1)+∫?r r r,r r2 r1 rr 7. 恒压摩尔反应热与恒容摩尔反应热的关系式 Q p -Q v = r H m(T) -r U m(T) =v B(g)RT 8. 理想气体的可逆绝热过程方程: p 1V 1 ?= p 2 V 2 ?,p 1 V 1 /T1 = p2V2/T2,?=C p,m/C v,m 三、各种过程Q、W、U、H的计算1.解题时可能要用到的内容 (1) 对于气体,题目没有特别声明,一般可认为是理想气体,如N 2,O 2 ,H 2 等。 恒温过程d T=0,U=H=0,Q=W 非恒温过程,U = n C v,m T,H = n C p,m T 单原子气体C v ,m =3R/2,C p,m = C v,m+R = 5R/2 (2) 对于凝聚相,状态函数通常近似认为只与温度有关,而与压力或体积无关,即 U≈H= n C p,m T

华南理工大学有机化学期末考试试卷1答案

2002 ~ 2003 学年第 1 学期期末考试试卷答案 《有机化学》( A 或 B 卷共页) (考试时间:年月日) (一)用系统命名法命名下列化合物或写出构造式(本大题10 小题, 每小题 1 分,共10 分) 2,3,5- 三甲基-4- 丙基庚烷3- (2- 甲基丙基)-4- 己烯-1- 炔 (2S ,3S )-2,3- 戊二醇( E )-6- 氯-4- 己烯-2- 醇 4- 甲基螺[2.4] 庚烷CH 3 OC(CH 3 ) 3

(7) (E)-3- 乙基-1,3- 己二烯(8) 2,6- 二甲基苄醇 (9 )α- 硝基萘(10 )3- 甲基环己烯 (二)基本概念题(本大题 6 小题, 共10 分) ( 1 )写出下列化合物最稳定的构象式:(本小题 2 分) ( 2 )请写出下列化合物一次硝化的主要产物(用箭头表示)(本小题 2 分)

( 3 )下列化合物哪些有旋光性:( B 、 D )(本小题 2 分) ( 4 )下列反应是否正确,如有错误请给出正确答案:(本小题 2 分) ( 5 )判断下列化合物、离子那个具有芳香性:( C )(本小题 1 分)

( 6 )在亲核取代反应中,下列哪个实验现象属于S N 1 机理:( C )(本小题 1 分)( A )产物构型完全转化( B )反应只有一步 ( C )有重排产物( D )亲核试剂亲核性越强,反应速度越快 (三)理化性质比较题(本大题 5 小题,共10 分) (1) (本小题 2 分) 比较下列自由基的稳定性:( D )> ( B )> ( C )> ( A ) ( 2 )(本小题 2 分) 比较下列化合物沸点的高低:( B )> ( C )> ( D )> ( A ) ( A )乙醚( B )正丁醇( C )仲丁醇( D )叔丁醇 ( 3 )(本小题 2 分) 比较下列芳香化合物一次硝化反应的活性大小:( A )> ( D )> ( B )> ( C ) ( 4 )(本小题 2 分) 比较下列离去基团离去能力的大小:( C )> ( B )> ( A )> ( D )

华南理工大学期末考试《 物理化学》下学期考试试卷B卷

《 》试卷第 1 页 共 4 页 华南理工大学期末考试 《 物理化学》试卷 1. 考前请将密封线内填写清楚; 所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上); .考试形式:闭卷; 选择题(每题2分,共20分) 原电池是指: ( ) (A)将电能转换成化学能的装置 (B) 将化学能转换成电能的装置 (C) 可以对外作电功的装置 (D)对外作电功同时从环境吸热的装置 电解金属盐的水溶液时, 在阴极上 : ( ) (A) 还原电势愈正的粒子愈容易析出 (B) 还原电势与其超电势之代数和愈正的粒子愈容易析出 (C) 还原电势愈负的粒子愈容易析出 (D) 还原电势与其超电势之和愈负的粒子愈容易析出 LiCl 的无限稀释摩尔电导率为 115.03×10-4 S ·m 2·mol -1,在 298 K 时,测得 LiCl 稀溶液中 Li + 的迁移数为 0.3364,则 Cl - 离子的摩尔电导率 λm (Cl -)为: ( ) (A) 76.33×10-4 S ·m 2·mol -1 (B) 113.03×10-4 S ·m 2·mol -1 (C) 38.70×10-4 S ·m 2·mol -1 (D) 76.33×102 S ·m 2·mol -1 有一ZnCl 2水溶液,m =0.002 mol ·kg -1 ,γ±=0.83,则a ±为: ( ) (A) 1.66×10-3 (B) 2.35×10-3 (C) 2.64×10-3 (D) 2.09×10-4 对于反应 2NO 2= 2NO + O 2,当选用不同的反应物和产物来表示反应速率时,其 ( ) (A) -2d[NO 2]/d t = 2d[NO]/d t = d[O 2]/d t (B) - d[NO 2]/2d t = d[NO]/2d t = d[O 2]/d t = d ξ /d t (C) - d[NO 2]/d t = d[NO]/d t = d[O 2]/d t

华工电力电子技术平时作业2019

电力电子技术平时作业(2019年2月20日,合计37题) 一、填空题(12题) 1、电力变换通常分为四大类, 整流、逆变、斩波、变频与变相。 2、晶闸管对触发脉冲得要求就是要触发脉冲得幅度与功率达得到对所作用得可控硅有效触发、要可方便与被控得交流电周期同步, 与能方便得改变同步后得延迟时间。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流得问题,解决得方法就是串专用均流电抗器。 4、逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类,当直流侧就是电压源时,称此电路为___电压源型逆变电路_____,当直流侧为电流源时, 称此电路为__电流源型逆变电路______。 5、在正弦波与三角波得自然交点时刻控制开关器件得通断,这种生成SPWM 波形得方法称__自然采样法____,实际应用中,采用__ 规则采样法___来代替上述方法,在计算量大大减小得情况下得到得效果接近真值。 6、常用得晶闸管有_普通型单向导通得晶闸管___式、__普通型双向导通得晶闸管___式两种。 7、单相半控桥整流电路,带大电感性负载,晶闸管在__ 触发 ____时刻换流,二极管则在_ _电源电压过零点_____时刻换流。 8、过电压产生得原因_ _浪涌电压______、__操作过电压______,可采取__ 阻容吸收、__晒推___、压敏电阻保护。 9、变频电路所采取得换流方式_ 自然换流_、__ 负载换流__、_ 强迫换流_____。 10、门极可关断晶闸管主要参数有_ 最大可关断阳极电流IATO 、__、__。 11、电力变换通常分为四大类,即__ 整流、_逆变_______、__ 直流斩波、___交流变交流__。 12、斩波器就是在接在恒定直流电源与负载电路之间,用于_ 改变加到负载电路上得直流电压平均值得一种电力电子器件变流装置。 二、简答题(18题) 1.使晶闸管导通得条件就是什么?维持晶闸管导通得条件就是什么?怎样才能使晶闸管 由导通变为关断? 答:闸管导通得条件就是阳极承受正向电压,处于阻断状态得晶闸管,只有在门极加正向触发电压,才能使其导通。门极所加正向触发脉冲得最小宽度,应能使阳极电流达到维持通态所需要得最小阳极电流,即擎住电流IL以上。导通后得晶闸管管压降很小。

2018华南理工大学865有机化学考纲

试卷结构 1.化合物的命名或写出结构式6~10% 2.完成反应(由反应物、条件和产物之H写出条件、产物或反应物之一)25-30% 3.选择题(涉及中间体的稳定性、芳香性、芳环亲电取代反应定位规则、有机反应中的电子效应与空间效应、构象与构象分析、官能团的鉴定等)10~12% ?????? 4.反应历程:典型反应的历程6~10% ?????? 5.简答题:对反应现象的解释等6~10% 6.分离与鉴别4~5% 7.推断化合物的结构(给定化学反应、化学性质、红外、核磁等条件)8~10% 8.合成题:20~25% 考试大纲 1.有机化合物的命名、顺反及对映异构体命名、个别重要化合物的俗名和英文缩写。 2.有机化合物的结构、共振杂化体及芳香性,同分异构与构象。 3.诱导效应、共轭效应、超共轭效应、空间效应、小环张力效应、邻基效应、氢键的概念及上述效应对化合物物理与化学性质的影响。 4.主要官能团(烯键、炔键、卤素、硝基、氨基、羟基、醚键、醛基、酮羰基、羧基、酯基、氰基、磺酸基等)的化学性质及他们之间相互转化的规律。 5.烷烃、脂环烃、烯烃、炔烃、卤代烃、醇、酚、醚、醛、酮、不饱和醛酮、羧酸、羧酸及其衍生物、丙二酸酯、β-丙酮酸酯、氨基酸、硝基化合物、胺、腈、偶氮化合物、磺酸、简单杂环化合物、单糖等的制备、分离、鉴定、物理性质、化学性质及在合成上的应用。 6.常见有机化合物的波谱(红外、核磁) 7.饱和碳原子上的自由基取代,亲核取代,芳环上的亲电与亲核取代,碳碳重键

的亲电、自由基及亲核加成,消除反应,氧化反应(烷烃、烯烃、炔烃、醇、醛、芳烃侧链的氧化、烯炔臭氧化及Cannizzaro反应),还原反应(不饱和烃、芳烃、醛、酮、羧酸、羧酸衍生物、硝基化合物、腈的氢化还原及选择性还原反应),缩合反应(羟醛缩合、Claisen缩合、Caisen-Schmidt缩合、Perkin缩合),降级反应(Hofmann降解,脱羧),重氮化反应,偶合反应,重排反应(频那醇重排、Beckmann重排、Hofmann重排)的历程及在有机合成中的应用。 8.碳正离子、碳负离子、自由基、苯炔的生成与稳定性及其有关反应的规律。能够从中间体稳定性来判断产物结构。

华南理工2018电力电子技术随堂练习

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第二章单相整流电路

第三章三相整流电路

3.(单选题) 晶闸管可控整流电路中的控制角α减小,则输出的电压平均值会()。 A.不变, B.增大, C.减小。 参考答案:B 4.(单选题) 单相半波可控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交流电压的()倍。 A.1, B.0.5, C.0.45, D.0.9. 参考答案:C 5.(单选题) 单相桥式全控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交流电压的()倍。 A. 1, B. 0.5, C. 0.45, D. 0.9. 参考答案:D 6.(单选题) 为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作,应在电路中接入()。 A. 三极管, B. 续流二极管, C. 保险丝, D. 开关管。 参考答案:B 7.(单选题) 普通的单相半控桥式整流装置中一共用了()晶闸管。 A. 一只, B. 二只, C. 三只, D. 四只。 参考答案:A 8.(单选题) α为 ( )度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出的电压波形,处于连续和断续的临界状态。 A. 0度 B. 60度 C. 30度 D. 120度 参考答案:C 9.(单选题) 三相半波可控整流电路的自然换相点是( B ) A. 交流相电压的过零点; B. 本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处; C. 比三相不控整流电路的自然换相点超前30°; D. 比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。 参考答案:B 10.(单选题) α为( )度时,三相桥式全控整流电路,带电阻性负载,输出电压波形处于连续和断续的临界状态。 A. 0度 B. 60度 C. 30度 D. 120度 参考答案:B 11.(单选题) 可实现有源逆变的电路为 ( ) 。 A、三相半波可控整流电路, B、三相半控桥整流桥电路, C、单相全控桥接续流二极管电路, D、单相半控桥整流电路。 参考答案:A 12.(单选题) 一般可逆电路中的βmin选 ( ) 合理。 A、30o-35o, B、10o-25o, C、0o-10o, D、0o。 参考答案:A 13.(单选题) 在有源逆变电路中,逆变角β的移相范围应选 ( ) 为最好。 A、β=90o∽180o, B、β=35o∽90o, C、β=0o∽90o, D、β=0o∽180o, 参考答案:B 14.(单选题) 电容滤波的单相不可控整流电路中,电阻负载的电阻值越小,输出电压平均值越接近 ( ) ,为输入电压有效值。 A、, B、, C、0.9, D、。

华南理工2019年春季《电力电子技术》(随堂练习和答案)

电力电子技术随堂练习

问题解析: 8.(单选题) 电容滤波的单相不可控整流电路中,空载时,输出电压平均值等于(),为输入电压有效值。 A、1.2, B、, C、0.9, D、。 答题: A. B. C. D. (已提交) 参考答案:B 问题解析:

14.(单选题) 三相桥式全控整流电路,电阻性负载时的移相范围为()。 答题: A. B. C. D. (已提交) 参考答案:C 问题解析: 问题解析: 16.(单选题) 电容滤波的单相不可控整流电路中,电阻负载的电阻值越小,输出电压平均值越接近(),为输入电压有效值。 A、, B、, C、0.9, D、。 答题: A. B. C. D. (已提交) 参考答案:C 问题解析: 17.(单选题) 电容滤波的三相不可控整流电路中,负载为纯电阻,输出电压平均值在()内变化,为输入电压有效值。 A、(2.34~2.45), B、, C、(0~2.45), D、。 答题: A. B. C. D. (已提交) 参考答案:A 问题解析: 18.(单选题) 电容滤波的单相桥式不可控整流电路,串联滤波电感,其交流侧谐波组成有哪些规律()。 A、谐波次数为奇数 B、谐波次数为偶数 C、谐波次数越高,谐波幅值越大 D、越大,谐波越大 答题: A. B. C. D. (已提交) 参考答案:A 问题解析:

问题解析: 20.(单选题) 为了防止逆变失败,最小逆变角限制为()。 答题: A. B. C. D. (已提交) 参考答案:C 问题解析: 问题解析: 22.(单选题) 电容滤波的三相不可控整流电路中,随着负载加重,输出电压平均值越接近( ),为输入电压有效值。 A、2.45, B、, C、2.34, D、。 答题: A. B. C. D. (已提交) 参考答案:C 问题解析:

华工2020电力电子技术-随堂练习

电力电子技术 A. B. C. A. B. C. A. B. C. A. B. C.

A. B. C. A. B. C. A. B. C. 8.(单选题) 电容滤波的单相不可控整流电路中,空载时,输出电压平均值等于(),为输入电压有效值。 A、1.2, B、, C、0.9, D、。ff808081694c6b 答题:B A. B. C. D. (已提交) 参考答案:B 问题解析: 9.(单选题) 单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 A. B. C.

A. B. C. A. B. C. A. B. C. A. B. C.

14.(单选题) 三相桥式全控整流电路,电阻性负载时的移相范围为()。 ff808081694c6b 答题:C A. B. C. D. (已提交) 参考答案:C 问题解析: 15.(单选题) α为()度时,三相桥式全控整流电路,带电阻性负载, A. B. C. 16.(单选题) 电容滤波的单相不可控整流电路中,电阻负载的电阻值越小,输出电压平均值越接近(),为输入电压有效值。 A、, B、, C、0.9, D、。ff808081694c6b 答题:C A. B. C. D. (已提交) 参考答案:C 问题解析: 17.(单选题) 电容滤波的三相不可控整流电路中,负载为纯电阻,输出电压平均值在()内变化,为输入电压有效值。 A、(2.34~2.45), B、, C、(0~2.45), D、。ff808081694c6b 答题:A A. B. C. D. (已提交) 参考答案:A 问题解析: 18.(单选题) 电容滤波的单相桥式不可控整流电路,串联滤波电感,其交流侧谐波组成有哪些规律()。 A、谐波次数为奇数 B、谐波次数为偶数 C、谐波次数越高,谐波幅值越大 D、越大,谐波越大ff808081694c6b

华南理工大学物理化学考研心得

华南理工大学物理化学考研心得 考研心得总结1 准备考研是一个比较艰难的阶段,因为一方面这是一个打持久战的过程,另一方面这又是一个锻炼自己毅力和心态的时刻.对于准备考研的人来说,确定考研方向很重要。先确定考研的方向,对自己的能力,自己未来的出路要有清楚的认识.确定一个适合自己的院校,千万不要目标过高,这样很容易导致考研失败。一旦确定了方向,就可以利用网络资料,从该方向全国排名以及每年的录取比例等方面做一个全面的了解。根据自己的实际情况确定报考的学校和专业,此阶段大家都比较迷茫,不用盲目确定报考学校,因为确定方向后,大体所考的专业科目差不多。如果你还没有定下考研方向,那么可以先从基础课开始复习,一边复习基础课一边确定报考方向;如果你已经确定考试方向,就可以给自己列一个大体计划按照计划完成任务即可。 考研复习过程中要始终保持一种积极乐观的心态,不要给自己太大的压力,更不要和别人比,也切忌和自己比。每天给自己制定一个小计划,不断地鼓励自己,每天进步一点点。考研的战线拉的太长的话,那么在后面的时间里,就会松懈掉,没有当初的斗志.所以不用那么早就开始准备.战线过长是会影响毅力,但是只要你在准备的过程中合理安排,就不会出现这个情况.我认为复习时一定要讲究效率和方法,不要打疲劳的时间战和死记硬背,这样

不但使自己很累,而且长此以往让自己失去了学习的乐趣。每天保证6个小时高效率的学习。学习累了,可以去锻炼一下身体,打一下乒乓球,缓解一下紧张的思维,再回去开始学习,这样效率很高。复习的环境也很重要,尽量避开人多的地方,让自己全心身地投入到复习中。同时也可以找一个志同道合的考研同伴,一起互相监督鼓励。要注意身体,考研是持久战,好身体才是革命的本钱,要注意及时补充能量,保证良好的睡眠,才能保证第二天有很好的学习效率。 我参加了考研政治辅导课程,对于政治的复习有很大的帮助。辅导班的老师可以很系统的把整个教材熟悉一遍,让你捋清楚政治的大体框架,同时分清重点难点。让你大体上对政治考试心里有个数。还有辅导老师所讲解一些解题技巧答题方法也是比较受用的。今年押题部分五道大题全部命中,所以只要好好复习,成功是很容易的。平时复习政治的时候,单选题范围大,灵活,所以要多做所选题练兵,通过做题掌握理解政治方面的知识点。大题的话只要平时熟悉那些基本知识点,学会用政治语言答题,政治一般不会有太大问题。同时注意每年发生的热点问题,结合政治理论分析。所以政治报了班,只要把课上的内容学习好,要塌实全面掌握基础知识,学会学活,这样无论遇到怎样的题都能应付自如。 考研心得总结2

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