第一章，CVD 工艺原理介绍
在超大规模集成电路(ULSI)技术中，有很多沉积薄膜的方法，一般而言这些方法可以分类为两个不同的反应机构：化学气相沉积(Chemical vapor deposition，CVD) 和物理气相沉积(Physical vapor deposition，PVD),在此我们仅对化学气相沉积进行介绍。
化学气相沉积法(CVD)
化学气相沉积法定义为化学气相反应物，经由化学反应，在基板表面形成一非挥发性的固态薄膜。这是最常在半导体制程中使用的技术。通常化学气相沉积法包含有下列五个步骤：
1. 反应物传输到基板表面
2. 吸附或化学吸附到基板表面
3. 经基板表面催化起异质间的化学反应
4. 气相生成物脱离基板表面
5. 生成物传输离开基板表面
在实际的应用中，化学反应后所生成的固态材料不仅在基板表面(或非常靠近)发生(即所謂的异质间反应)，也会在气相中反应(即所谓的同质反应)。而异质间反应，是我们所想要的，因为这样的反应只会选择性在有加热的基板上发生，而且能生成品质好的薄膜。相反的，同质反应就不是我们想要的，因为他们会形成欲沉积物质的气相颗粒，造成很差的粘附性及拥有很多的缺陷，且密度低的薄膜。此外，如此的反应将会消耗掉很多的反应物而导致沉积速率的下降。因此在化学气相沉积法的应用中，一项很重要的因素是异质间反应远比同质反应易于发生。
最常用的化学气相沉积法有常压化学气相沉积法(Atmospheric-pressure CVD，APCVD)、低压化学气相沉积法(Low-pressure CVD，LPCVD)和等离子增强化学气相沉积法(Plasma-enhanced CVD，PECVD)，而这三种化学气相沉积法的均有各自的优、缺点及应用的地方。低压化学气相沉积法拥有很均匀的阶梯覆盖性、很好的組成成份和结构的控制、很高的沉积速率及输出量、及很低的制程成本。再者低压化学气相沉积法並不需要载子气体，因此大大降低了颗粒污染源。因此低压化学气相沉积法被广泛地应用在高附加价值的半导体产业中，用以作薄膜的沉积。
在硅的成长过程中，使用低压的目的在于減小自掺杂(来自基板本身的杂质)的效应，而这正是常压化学气相成长的最主要问题。在未来元件尺寸愈作愈小的情況下，制程温度必需降低，而低压化学气相沉积法的最严重问题是他的制程温度稍高，而等离子增强化学气相沉积法即是一种合适的方法，可以解決这个问题。
化学气相沉积法的反应器的设计和操作，会因不同的要求而不同，因此这些反应器可以不同的方式分类。一种分类法是依对晶片加热的方式来区別，另一种是依反应腔体內的压力来分类(常压或是低压)。对晶片的加热方式可分成以下四类：
1. 热阻丝加热方式
2. 射频(RF)感应加热方式
3. 等离子增强(Plasma)加热方式
4. 光能加热方式
所加的能量可能转换至反应气体本身或是基板上。当使用反应腔体热阻丝线圈加热方式時，除了
晶片本身外，反应腔体的炉壁也会被加热，因此如此的设计称作“热壁反应器”(hot-wall reactors)。在这种系统中所蒸镀的薄膜，除了会在基板上，也会在炉壁上生成。这意味著如此的设计，必须經常清洗炉管，以避免微尘粒污染。另一方面，藉由射频感应或在反应器內裝紅外线、紫外线加热灯管来引入热源，将只会对晶片和晶片的载具加热，而不会对反应腔的炉壁加热，如此的设计称作“冷壁反应器”(cold-wall reactors)，然而，在一些的冷壁反应器的系统中，还是会发生炉壁被加热的情形，所以就必须藉著冷却炉壁(通入冷却循环水)的方式来降低或避免在炉壁上反应或沉积薄膜。反应炉管的几何形状由反应压力和热源供应方式严格限制著，而且这是影响输出量(throughput)的一个重要因素。因为常压反应器的操作在“物质传输限制”(mass-transport-limit)区域，因此它的腔体设计必须使每一片晶片表面有相等的流量。所以晶片绝不会以垂直且彼此非常靠近的方式来摆置，而宁可采取平躺水平的方式来摆置，但是此种设计有一非常严重的问题，即易被掉落的微尘粒污染。而低压化学气相沉积法的炉管设计不会受到在“物质传输限制”区域內反应的限制，因此它的几何形状可设计成使每批的晶片数达到最大值，晶片可以一片接著一片垂直摆置，片与片之间的距离可以只有几毫米(mm)，因此几个石英制的晶片载舟，加起来可放超过200片的晶片，因为低压化学气相沉积法是操作在“表面反应限制”(surface-reaction-limited)区域，因此它的反应器设计必须有很好的沉积温度控制，它的加热器是采用三区热阻丝的炉子(3-zone resistance-heated furnace)，此种加热器能提供一稳定且均匀的加热源。在集成电路高产量的需求下，在同一个制程中，每批所能生产的晶片数愈多愈好。因此就会有如图8-13所示的热壁、低压化学气相沉积的反应器被制造出来。在这个反应器中，晶片是被摆置与反应气体之气体流垂直方向的圆形横截面石英炉管中，气体被限制在晶片与反应腔炉壁的环状空间中流动而且靠层流的方式到达晶片表面。一般在反应腔內的成长压力为0.1到5.0托耳，反应的温度从300℃至900℃，而气体的流量范围从每分鐘10到1000标准立方公分(standard cm3/min, sccm)。
常压化学气相沉积(APCVD)的反应器是第一个被微电子工业所使用的設备，常压下的化学气相沉积反应器很容易设计，並拥有很快的反应速率，但是它对气相反应(gas-phase reaction)很敏感，而且它所反应生成的薄膜有很差的阶梯覆盖性(step coverage)，又因为常压反应器是操作在“物质传输限制”区域，所以反应物流必须很均匀的传送至所有基板的每一部份
典型等离子增强化学气相沉积系统(PECVD)，不像前面所提的常压或低压化学气相沉积系统必须靠唯一的热能来维持反应的继续进行，它是靠射频感应所产生的灼热放电，並且把能量转换到反应气体上，所以它的基板温度比常压或低压化学气相沉积法来得低许多，低温沉积是等离子增强化学气相沉积法最主要的优点。事实上，等离子增强化学气相沉积法提供了一种在基板上镀膜的方法，而且没有在镀膜時热稳定性的问题。此外，等离子增强化学气相沉积法能增进镀膜的速率，比只使用靠热反应来得更快，而且能提供唯一成份及特性的薄膜，但是生产量、生产力的限制(特別是大尺寸的晶片)、及因松散的粘附性所造成的微尘物污染仍旧是最大的问题。接下来我们将探讨等离子增强化学气相沉积的方法，首先藉由引入射频场(RF-field)进入低压的气体中，在放电区域产生自由电子，于是形成了离子。电子即从电场中获得能量，当帶有能量的电子和气体分子碰撞后，反应的气体如硅烷(SiH4)、笑气(N2O)、氧气、氮气等就会分解，並且离子化，这些充满能量的反应物就会彼此在基板表面吸附。这些激发的原子团，在被吸收后有很高的黏附系数，而且也很容易在基板表面上迁移，这两个因素使得镀出来的薄膜有很好的一致性。这些被吸附到基板表面的激发原子团受到离子、电子的撞击，重新排列，並且和其他被吸附的反应物反应，形成新的键结，于是薄膜因而生成。原子的重新排列包括了被吸附原子的扩散到稳定的位置上去並且把反应后的副产物(废物)脱离基板表面，而这脱离的速率由基板的温度決定，基板的温度愈高，所镀上的藉膜拥有愈少的副产物(这些副产物在薄膜里面将造成缺陷)。另外要注意
的是要避免同质的气相成核反应(homogeneous gas-phase nucleation)，因为这将造成微尘物的污染。
另外一种沉积薄膜的方式是光激发化学气相沉积法(Photo-induced Chemical Vapor Deposition, PHCVD or photo CVD)，此种方法能满足需要极低温沉积薄膜的制程，而且没有等离子增强化学气相沉积法在低温沉积時所引发的问题，光激发化学气相沉积法使用高能量、高密度的光子来加热基板表面，或分解並激发气化的反应物。在基板表面被加热的情況下，光子对反应物不起作用，亦即光子能量对气相反应，完全不会发生。另一方面，在反应气被激发的情況下，光子能量，可以有效地转换到反应气体分子本身或转换到中介物质，如水银蒸气。这个技术，可使沉积薄膜在极低的温度下进行，如室温。不像等离子增强化学气相沉积法沉积出的薄膜，利用光激发化学气相沉积法所沉积出的薄膜，拥有很低的缺陷密度，另外它也有好的阶梯覆盖性。但是它也必会受到低温沉积薄膜所帶来的低密度及分子污染的困扰。
第二章 LPCVD基础知识及应用
一 LPCVD 工艺简介
LPCVD（Low Pressure Chemical Vapor Deposition ）：低压气相淀积，是在27-270Pa的反应压力下进行的化学气相淀积。它的特点是：膜的质量和均匀性
好，产量高，成本低，易于实现自动化。
一般工艺流程：装片——进舟——对反应室抽真空——检查设备是否正常——充吹扫并升温——再抽真空——保持压力稳定后开始淀积——关闭所有工艺气N
2
到常压——出炉。
体，重新抽真空——回冲N
2
二、低压化学气相淀积Si3N4
LP Si3N4在工艺中主要作为局部氧化的掩蔽膜，电容的介质膜等。CMOS工艺最常用的隔离技术就是LOCOS（硅的选择氧化），它以氮化硅为掩膜实现了硅的选择氧化，在这种工艺中除了形成有源晶体管的区域外，其他所有重掺杂硅区上均生长一层厚的氧化层，该厚氧化层通常称为场氧。在工艺中我们通常使用的气体是：NH3+ DCS（SiH2Cl2）。这两种气体的反应生成的Si3N4质量高，副产物少，膜厚均匀性极佳，而且是气体源便于精确控制流量，是目前国内外普遍采用的方法。
反应式： 3SiH2Cl2 + 4NH3 = Si3N4 + 6HCl + 6H2
NH3在过量的情况下，HCl与NH3继续反应：
HCl+ NH3 = NH4Cl
Cl
合并为： 10NH3+ 3SiH2Cl2 = Si3N4 + 6H2 + 6NH
4
目前我们生产使用的温度是780℃，压力为375mt。
在VLSL工艺中，由于沿器件有源区方向上的场氧侵蚀和场注入杂质的横向扩散，使得LOCOS工艺受到很大的限制，场氧的横向侵蚀使LOCOS氧化层和栅氧的交界面形成类似鸟嘴的结构，随着工艺条宽的不断减少，鸟嘴的大小必须加以控制，而SI3N4与硅之间的应力很大，为了避免对硅表面的应力损伤，在硅表面与SI3N4膜之间插入一层薄的SIO2作为应力缓冲层。因此我们常用的方法是通过改变SIN与二氧的厚度比来减少鸟嘴大小，其中鸟头的高度和鸟嘴的宽度与SI3N4的厚度成反比，与应力缓冲层SIO2的厚度成正比。一般来说该比例越大，鸟嘴越小，但比例过大又影响到硅岛侧壁和表面的缺陷密度而引起漏电等不良后果。处于不同工艺要求的考虑，不同公司有各自的做法。我们公司最常用的搭配有：200A的氧化层+ 1175A SIN 和 400A 的氧化层 + 1500A SIN，还有很多其他减少鸟嘴大小的办法，例如隔离槽填充等。
二、低压淀积多晶硅（LPPOLY）
20世纪60年代作为初期生产的铝栅MOSFET，它的速度，集成度，电源电压，与双极电路的兼容性都已无法满足应用的需要，因此开始使用多晶硅薄膜作为自对准绝缘栅场效应晶体管的栅极材料和互连材料。随着集成电路的发展，多晶的应用也越来越广，如用于差值氧化以简化工艺流程；用于负载电阻以缩小电路单元等等。
★多晶硅薄膜的特性：
a．多晶硅薄膜的物理和机械特性：多晶硅的结构与掺杂剂或杂质，淀积温度及随后的热处理等因素有密切关系。低于575℃所淀积的硅是无定形非晶硅；高于625
℃淀积的硅是多晶，具有针状结构；当非晶或针状结构多晶硅经高温退火后，会
产生结晶，同时晶粒要长大。多晶硅的晶粒大小与生长温度，多晶硅膜厚及掺杂
情况有关。在600℃-650℃之间淀积的多晶硅，具有针状结构，晶粒尺寸在0.03
至0.3UM之间，具有{110}晶向。多晶硅的腐蚀速率及热氧化速率与掺杂剂浓度有
关，腐蚀及氧化的反应速率由掺杂多晶硅的表面自由载流子浓度有关。
b．多晶硅薄膜的电学性质：多晶硅的电阻率或薄层电阻随淀积温度的增加而降低。
多晶硅的电阻率随厚度增加而明显减少，而外延单晶硅的电阻率与厚度无关。
★多晶的淀积：
270MT
化学反应式为：SiH4------------- Si + 2H2
600-700℃
影响淀积的主要工艺参量是温度，硅烷流量及反应压力。
★目前VTR-2和C-3设备上淀积多晶的条件：
a. 淀积温度：由于LPPOLY的淀积温度限制在600℃-650℃之间，因为温度过高，
气相反应会生成粗糙，疏松的沉积物，并可能由于硅烷的输送不足，使淀积
不均匀。在温度低于600℃时形成的为无定形硅。多晶膜厚随温度的变化较敏
感，VTR-2上每变化1℃膜厚约变化100A左右。生长速率约94A/min。C-3上
三温区的淀积速率都为620℃，温度每变化1℃膜厚约变化70-80A，淀积速率
约70A/min。
b. SiH4流量：多晶硅的淀积速率随SiH4流量的增加而增加，但通常不是硅烷流
量的线性函数。这种性质可能是由于质量迁移效应或表面吸附效应所引起。
当SiH4浓度过高时，容易出现气相成核，这就限制了硅烷浓度和淀积速率的
提高。目前我们淀积多晶硅所使用的是100%的SiH4。VTR-2上的SiH4通过
injector管分两路通入，BOTTOM和TOP端各一路，流量分别为125CC和180CC；
C-3上的SiH4由injector分三路通入炉管，口，中，尾的流量分别为32CC，
48CC，53CC。
c. 反应压力：多晶硅的淀积速率随反应压力的增加而加大。目前VTR-2上淀积
多晶的反应压力为200MT,C-3上淀积多晶的反应压力为270MT。
三、低压沉积TEOS
LP TEOS主要用于SPACER层及电容氧化层。
在工艺中，由于注源，漏时杂质的横向扩散会产生短沟道效应，使MOS管的开启电压产生变化，而且会使高能量的离子注入会令多晶侧壁损伤，因此我们经常使用LDD注入和SPACER层保护来减少短沟道效应的影响和对多晶侧壁的损伤，具体步骤为：1，在源，漏注入前先进行LDD 注入，通常注入浓度为10E+13，2然后淀积一层LPTEOS，3去TEOS，由于台阶的影响，会在多晶侧壁保留有一层TEOS，将起到保护的作用，3再开出源，漏的窗口，进行源，漏注入（浓度一般为10E+15）。
我们在工艺时使用的气体为TEOS也就是Si（O C2H5）
学名正硅酸乙脂，又称四乙氧基
4
硅烷，常温下为液态，由携带气体N2带入炉管内，TEOS分压及流量分别由TEOS源瓶的温度及通过源瓶的小N2流量来控制。
SiO2 +4C2H4 +2H2O
Si（O C2H5）
4 →
四、LPCVD 工艺参数
沉积的影响参数
一般而言，因为化学气相沉积的制程，包含了热的传达、边界层的扩散(boundary-layer diffusion)，吸附于基板表面，反应物分解、表面扩散、副产物脱离表面等许多步骤，所以有很多个参数会影响沉积作用，如反应温度、压力、反应物流量、晶片摆置的位置和反应物的混合比例都是对是否能沉积出高品质的薄膜非常重要的因素。因为上述的化学气相沉积制程的几个步骤是连续的，那个步骤是最慢的速率，将会決定此化学气相沉积的速率，亦即是速率決定步骤。速率決定步骤，一般可分成两大类，一类是气相质量输运(gas-phase process)，另一类是表面反应(surface process)。对于气相质量输运最主要的考量点是反应气体撞击到基板。这个模型要考虑气体横越过边界层(boundary-layer)的速度。而此边界层就是气体大量流动和基板表面之间的范围。反应物的传输过程是藉著气相的扩散来达成，而此气相扩散的速率，正比于扩散系数和横越此边界层的的浓度梯度(concentration gradient)。因此物质传输的速率受沉积温度的影响比较小。另外一方面，在比较低的沉积温度時，表面反应的速率会降低，最后导致反应物到达的速率比它们因表面反应所消耗的还要多，在这种沉积情況之下，就称为表面反应速率限制(surface-reaction limited)，反之在比较高的沉积温度下，表面反应速率会提高，最后导致反应物到达的速率远少于因在表面反应所消耗的，在这种沉积情況下，就称为物质传输限制(mass-transport limited)。在实际的制程中，从一种限制区域到另外一种限制区域的温度決定于这个反应的活化能(activation energy)和在反应器內反应物的流量。一个制程当它是在表面反应速率限制的条件下，沉积的温度就是一个很重要的参数，要在整个反应器內有一很均匀的沉积速率，需要有一个能保持固定沉积速率的条件，也就是說，在任何地方，任一片晶片上的表面温度必须保持固定。此外，在这个情況下，反应物到达晶片表面的速度就不是非常重要，因为它们的浓度不会限制沉积的速率，因此它的反应器的设计就不是那么必要设计成能在每一片晶片上有相等的反应物流量。因此我们可以看出在低压化学气相沉积系统中，欲沉积的晶片可以垂直摆置而片与片之间的距离，可以很小，那是因为这个系统是操作在表面反应速率限制的模式下。在低压化学气相沉积法的反应器中，反应压力約为1托耳以下，在此压力下，反应物气体的扩散系数约为在常压下的一千倍，而这是部份由于压力降低的平方根的调整，因此这净效应是反应物传输至基板表面的速率增加超过十倍，所以速率限制步骤是表面反应。通常表面反应速率会随著表面反应物浓度的增加而增加，及气相浓度分布不均匀而增加。而这气相浓度不均匀是因为某处反应物被空乏掉所造成的，举一个例子說明这个效应，当晶片被放置在靠反应物的出气端時，因而曝露在较低的反应物浓度环境中，比进气端低许多，而造成炉管的前后端沉积的厚度不均匀，因此为了沉积薄膜的均匀性，在反应炉管的前后两端，沉积的温度必须正确的调整。
沉积的制程是落在物质传输限制的范围時，制程温度的精密控制就不那么必要，沉积速率的限制和温度的关系不是那么有关，另一方面，在控制反应物于各晶片的摆置点有相等的气体流量是最重要的，因为反应物的到达晶片表面速率，直接正比于反应腔內的浓度梯度，所以要保证在同一片的每个位置有相同的薄膜厚度，反应器的设计必需使所有晶片的每一点，都有相等的反应物流量，因此沉积二氧化硅的常压反应器，操作温度約为400℃，是落在物质传输限制的区域，所以被应用的反应器设计是水平摆置晶片的方式，以提供一均匀的气体供应。
五、 LPCVD 工艺控制
5.1拉恒温区控制温度
定期拉恒温区以得到好的温度控制，保证炉管内各处的生长速率趋向平衡，基本上我们安排一个月拉一次恒温，每次清洗炉管后再拉一次
5.2颗粒检查
颗粒是LP淀积工艺的大敌，颗粒多就会使腐蚀产生膜的残余，给光刻对位造成影响，严重影响产品质量。我们目前通过使用TENCOR 6420监控颗粒，规范是（颗粒数〈300个/0.5um以上）.
5.3淀积速率
淀积速率从膜厚与沉积时间计算得出，这个数值可以直接反映炉管内压力，温度或气体比例的变化。在工艺保持不变的条件下，LP的淀积速率不会有太大的变化。卧式炉目前的淀积速率是LPSIN 30A/MIN ；LPTEOS 50A/MIN；LPPOLY 70A/MIN。
5.4均匀性检查
保证硅片中每个芯片和每个硅片的重复性良好，在发现均匀性变差时及时进行调整，一般比较片内与片间均匀性两种，每个星期作一次颗粒均匀性试炉。均匀性控制在3 SIGMA以内。
5.5折射率通过折射率的检查，我们可以分析LP Si3N4炉管气体的流量掌握MFC的
状态，保证膜的成分保持稳定，确保质量。否则就会使腐蚀时的腐蚀速率难以控制（折射率越大，腐蚀速率越小）
六、常见问题及处理
6.1 LPCVD炉管工艺中断
对策： 1 根据提示的中断信息，找出中断的真正原因；
2．根据具体情况，确定返工时间的多少，将返工时间减去1-2分钟，作为气体开关时的补偿。特别注意的是：在返工以前园片必须经清洗，以防产生颗粒。
6.2 LPCVD炉管颗粒问题
对策：1 分析测量结果，排除测量的影响;
2．若是Si
3N
4
颗粒,要看颗粒片前是否放了挡片，挡片是否干净;
3.对炉管进行PURGE后再做颗粒试炉；
4. 检查设备状态，清洗炉管和陪片.
6.3均匀性问题
对策：1 检查温度、压力、气体流量等是否正常，否则更换流量计、清洗压
力计、重新拉恒温区。
2 可以调整各区的温度，气体的流量，淀积时间以调整均匀性
第三章本公司LPCVD设备介绍
首先在生产线上用到的扩散炉有BTI卧式扩散炉、KFI卧式扩散炉和VTR立式炉，在这里我们只对BTI卧式扩散炉做个简单的介绍。BTI卧式扩散炉分为常压炉管和低压炉管，一般的氧化炉管都属于常压炉管；低压炉管包括LPSIN、LPPOLY、LPTEOS。低压炉管在工艺时对压力有严格控制，而常压炉管在工艺时对压力无严格要求。BTI扩散炉主要包括四大部分：控制柜、装舟台、炉体、源柜。控制柜对设备的运行进行统一控制；装舟台是园片放置的区域，由控制柜控制运行；炉体是园片进行高温作业的区域，由控制柜控制升降温；源柜是供源、供气区域，由控制柜控制气体阀门的开关。
一．BTI扩散炉控制系统
BTI扩散炉控制系统主要包括APEX、7355X、BOATLOAD MODULE、TEMP MODULE、GAS MODULE。
常压炉管与低压炉管一样都是通过这几个模块来控制，低压炉管和常压炉管在结构上大致相同，因为低压炉管在工艺时对压力有严格的要求，所以低压炉管在结构上比常压炉管多了一套真空系统。该真空系统包括泵、冷阱、旁路、主阀、蝶阀和真空管路。低压炉管是靠泵不断的抽气使炉管在工艺时保持一定的压力；冷阱是用来俘获副产物的，这样可以减少真空管道的堵塞。例如A2和D3的冷阱是用来俘获NH4CL的；在压力大于900MT时，抽真空是从旁路抽，而当压力小于900MT时主阀打开，利用主阀来抽真空；蝶阀是用来控制炉管内的压力的，它利用自己的开启角度来保证炉管内工艺时的恒压。低压炉管有很多安全要求：
1）在压力大于900MT时，特气不能通入炉管。
2）当炉管内压力小于1个大气压时，BOATLOAD不能移动。
3）当真空阀（SOFT START AND MAIN VACCUM VALVES）打开时才能通特气。
4）当门关紧后真空阀才能打开。
5）当门关紧后才能通特气。
二．设备常见问题
OFFLINE
1． MODULE
把相应的MODULE的通讯线重新插一下，如果不行再把7355X复位一下。
2．膜厚异常
1）如果是用控制片监控的话应首先检查控制片。
2）检查温度是否有异常。
3）检查MFC流量是否正常。
4）检查压力控制是否正常。
5）检查炉门的密封性。
3．蝶阀位置波动大
检查压力控制是否正常，清洗蝶阀和前门真空管道。
4．抽真空较慢
检查泵的能力，检查炉管是否漏，清洗旁路和主阀。
5．回冲速度慢
清洗1000T压力计真空管道，检查主阀能否关紧。
6．压力控制不好
检查气体流量是否正常，清洗蝶阀和前门。
7．洗炉管后捡漏通不过
1）检查热电偶是否拧紧，并检查热电偶O-RING是否变形。
2）检查前门O-RING是否变形和前门是否有副产物。
3）重装冷阱和旁路。
4）重新紧一下前后门。
5）如果捡漏还通不过，回冲接捡漏仪，找出漏点。
8．颗粒异常
1）检查假片、舟和挡片。
2） PURGE2小时后做试炉。
3）检查冷阱并清洗。
4）检查旁路并清洗。
5）检查主阀并清洗。
6）检查气体过滤器。
7）检查MFC。
八工艺使用特气及规范
LPCVD生长SIN,TEOS,POLY时，我们使用了NH3，DCS（SIH2CL2），SIH4，TEOS等特种气
体，下面是各种工艺特气的规范：
▲NH3 SPECIFICATION
适用范围：
本品适用于MOS IC的圆片生产中CVD工艺PECVD Si3N4生长（VTR、BTI适用）。
技术指标：
ITEM SPECIFICATION
REMARK 4.1 GENERAL SPECIFICATION
Molecular Weight： 17.03
Toxicity：Toxic;irritating and destructive
to tissues
Specific Volume at
21.10C
and 1 atm：
22.5ft3/lb
Fire Potential： Flammmable
Flammable limit： 15—28%
DOT Hazard Class： Noflammable
Gas(2.2)
4.2 PURITY
Purity： 5N
Impurities(molar ppm) ：CH
4
<0.5 N
2
<3.0 CO<1.0
O
2
+Ar<1.0
CO
2
<1.0 H
2
O<2.0
4.3 CYLINDER
钢瓶尺寸：直径：9 in. 高度：51 in.
钢瓶压力：114 psig
钢瓶重量： 16
Kg/B
钢瓶接口：CGA 660 SS
包装与标志：
包装：钢瓶。确保在运输、保存及使用过程中不会出现泄漏。
标志：气瓶标危险标志！标明气体名称、容积、装填压力、生产日期、批号、生产厂家。存储条件：室温、防热、禁火。
材料有效期：6个月或按质保书要求。
安全要求：本品为无色、有刺激性气体。
定点生产厂家：AIR PRUDUCTS
▲SiH2Cl2 SPECIFICATION
适用范围：
本品适用于MOS IC的圆片生产中CVD工艺LPCVD Si
3N
4
生长（BTI适用）。
技术指标：
ITEM SPECIFICATION
REMARK
4.1 GENERAL SPECIFICATION
Molecular Weight： 101.01
Toxicity： Highly
toxic
Specific Volume at
21.10C
And 1 atm：
3.83ft3/lb
Fire Potential： Flammmable
Flammable limit： 4.1—98.8%
DOT Hazard Class： Poison
Gas(2.3)
Resistivity >150 ohm·cm
Electronic 2.0
4.2 PURITY
Purity 2.0N
Impurities(weight ppb) AL<1.0 Fe<25.0 As<0.5 P<0.3
B<0.3 C<5 ppmw
Monochlorosilane<0.2%
Trichlorosilane<0.8%
Silicontetrachloride<0.1%
Other Chlorosilanes<1 wt%
4.3 CYLINDER
钢瓶尺寸：直径：7 in. 高度：19 in.
钢瓶压力： 9.5
psig
钢瓶接口： CGA
678
包装与标志：
包装：钢瓶.。确保在运输、保存及使用过程中不泄漏气体。
标志：气瓶标危险标志！标明气体名称、容积、装填压力、生产日期、批号、生产厂家。
存储条件：室温、防热、禁火。
材料有效期：6个月或按质保书要求。
安全要求：本品为剧毒、无色、有刺激性液化气体，易燃易爆，易分解，腐蚀性强。
定点生产厂家：AIR PRUDUCTS ▲SIH4 SPECIFICATION 适用范围：
本品适用于MOS IC的圆片生产中CVD工艺PECVD SI
3N
4
生长和LPCVD POLY生长（P5000、BTI、
VTR适用）。
技术指标：
ITEM SPECIFICATION
REMARK 4.1 GENERAL SPECIFICATION
Molecular Weight： 17.03
Toxicity： Toxic;irritating
and
destructive
to tissues
Specific Volume at
21.10C
and 1 atm：
22.5ft3/lb
Fire Potential： Flammmable
Flammable limit： 15—28%
DOT Hazard Class： Noflammable
Gas(2.2)
4.2 PURITY
Purity： 4N
Impurities(molar ppm) ： N
2
<10.0 CO<2.0 O
2
+Ar<5.0
CO
2
<2.0 H
2
O<1.0 H
2
<80.0 THC<1.0 HE<10.0
Totle Chlorides<10.0 Resistivity>1000ohm?cm
4.3 CYLINDER
钢瓶尺寸：直径：9 in. 高度：51 in.
钢瓶重量： 5
Kg/B
钢瓶接口： CGA
350
包装与标志：
包装：钢瓶。确保在运输、保存及使用过程中不会出现泄漏。
标志：气瓶标危险标志！标明气体名称、容积、装填压力、生产日期、批号、生产厂家。存储条件：室温、防热、禁火。
材料有效期：按质保书要求。
安全要求：本品为无色、有刺激性气体。
定点生产厂家：AIR PRUDUCTS
参考资料：1.《LPCVD设备的OCAP处理操作标准》
2．《扩散关键设备故障时的关键参数检查表》