校史辅助记忆
人物
1、罗典培养清代岳麓书院唯一一个状元曾赴鹿鸣宴
慎斋祠祭祀者爱晚亭的修建者
2、李允则学田制度
3、欧阳厚均中兴将相，十九湖湘、《励志十九首》、造士三千、湘水校经堂
4、张栻《岳麓书院记》、“传道以济斯民” 周式第一任山长
5、王先谦最后一任山长、著述丰富、长沙阁老，季清巨儒
6、吴道行明朝最后一任山长
7、王文清《读史六法》（求事实）、《读经六法》、
制定学规、独朴治学的鸿儒
8、旷敏本《六有箴》
9、宋真宗题写“岳麓书院”匾额
10、四大书院“百里香”岳麓（白鹿洞，丽泽，象山，岳麓）
11、潭州三学潭湘岳（由低到高）
12、雍正年间岳麓书院正式确立为省会书院
13、康熙学性达天乾隆道正南脉
14、温家宝此时，此地，此身（09年访问湖大）
15、杨昌济《论创设湖南大学之必要》
16、杨树达两朝院士
17、胡庶华办学宗旨：承朱张之序······，三任湖大校长
18、宾步程实事求是匾额
19、王夫之中国四大思想家之一，岳麓书院生徒
20、柳士英---老图书馆，大礼堂设计者art deco---工程馆
21、刘敦桢---湖大二院蔡泽奉---民国时期图书馆
22、魏源《圣武记》
23、彭浚清代状元肄业生徒
24、袁名曜，张中阶惟楚有才，于斯为盛
25、刘坤一《江楚会奏变法三折》
26、唐才常发动反清起义
27、吴猎《宋史》“一时之英才”
28、杨锡跋制定过岳麓书院学规又不是山长
29、郭嵩焘《使西纪程》、中国第一位驻外公使
30、王强毅校徽设计（胡庶华时期）
31、熊希龄时务学堂首任总理
32、左宗棠梁启超称赞“五百年来第一伟人
33、贺长龄、魏源《皇朝经世文稿》
34、朱熹《书院教条》
35、马克思主义史学五老吕振羽
36、蔡和森《少年行》
37、谭嗣同《仁学》
时间类
1.1167 乾道三年朱张会讲
2.1903 光绪29年改为湖南高等学堂
3.1933 校歌产生
4.1937年3月湖大由省立改为国立
5.1943 开始招收研究生
6.1986 校徽设计
7.1998 列入211
8.2001 湖大列为985、新校训诞生
9.2002 湖南计算机专科学校并入湖大
10.2004 正式设有研究生院
11.2013 成立经济管理研究中心
12.2015 罗切斯特
13.2016 成立湖大机器人学院、“十三五计划”
考试奖罚
1.德育测评70 30 100 60 综测50 60
2.上课请假请假1/5 成绩扣10%
请假1/4 成绩扣20%
1/3or旷课4课时不得参加考试
3.综测加分项不包括交入党申请书和集体荣誉
4.成绩单3份任课老师签字后分送至：教学办教务处学委or课代表
5.综测个人情况公示3个工作日，
初评结果公示3-5个工作日，
优秀毕业生公示10个工作日
6.评奖评优：一年一次10月（申请凭个人或本人）
类型申报综测条件评定比例奖励金额
三好学生标兵6% 0.2% - -
优秀学生干部40% 3% - -
三好学生15% 6% - -
一等15% 5% 3000
二等25% 10% 2000
三等（单等）- - 15% 1000
7.教师在大学期结束后1周内录入成绩开课第一周内公布成
8.核心课程未通过1-3门学院进行一般性书面警示
核心课程未通过4门+ 教务处书面警示
9.金融创新不属于创新创业领域的通识选修课
10.辅修第二专业成绩在年级专业10%且未辅修
11.辅修学生a每学期所选学分总数不得超过30学分
b辅修假期课程开课时间不得少于6周
c辅修专业总学分最低要求不低于50学分
12.修业期最后一年每学期选课学分不超过25，不小于10
13.少数民族同学每学期申请减免学分不超过8，总数不超过30（通识课程可以
申请）
14.已注册但未办理选课当学期办理休学手续
15.学籍变动7日内提出申请
处罚措施
1.旷课24学时警告旷课后再次旷课严重警告或记过
2.离校6天严重警告离校14天开除学籍
3.散布他人隐私、对相关人员行贿、私自转让学校知识产权、罢课、非法宣传、
散布谣言、作为“黑客”破坏学生生活秩序、妨碍工作人员执行公务等记过及以上
4.私人定制学生证、伪造证件、学习期间扰乱他人警告及以上
5.彻夜不归、私藏管制刀具严重警告
6.宿舍床位转借记过
7.诬陷他人记过或留校察看
8.赌博严重警告或记过
9.参与非法传销严重警告及以上
10.未经审批擅自募捐通过语言文字行为骚扰他人警告或严重警告
11.对他人进行人身攻击、谎申诉委员会设在学生工作部（处）10天之内提出
申诉
12.报家庭经济状况警告或严重警告
13.申诉委员会设在学生工作部（处）10天之内提出申诉
申诉委员会可以采取书面审查or召开听证会处理申诉
16.考试违规，处理决定公示10天
17.开除学籍2周内离校
其他
1.网络诈骗拨打110,96110
2.易班2007年成立红绿蓝组织中心不属于校级易班学生工作站答题奖励2
网薪，分享到动态奖励9网薪
3.机构号学校大楼前厅
1、如何认识和把握当代中国的主题？ 中国特色社会主义是当代中国的主题，是中国共产党和全国各族人民90多年奋斗、创造、积累的根本成就。在当代中国，只有高举中国特色社会主义伟大旗帜，坚定不移地走中国特色社会主义道路，才能完成当代中国的历史任务，实现中华民族的伟大复兴把握当代中国的主题主要从三个方面入手： （1）铭记中国当代的历史任务 两大历史任务的提出：民族独立，人民解放和国家富强。人民富裕是国家发展的主题，一个国家发展的主题总是和该国应当解决的主要问题和应当完成的历史任务紧密相连的。从历史逻辑上看，是近代以来中国人民为争取民族独立、人民解放，国家富强，人民共富这一事业的继承和发展。因此，在中国特色社会主义的征程中，民族独立、人民解放是历史前提，其目的是国家富强、人民富裕。 （2）明确中国特色社会主义是当代中国发展进步的旗帜 中国特色社会主义伟大旗帜是当代中国发展的旗帜，是全党全国人民团结奋斗的旗帜，是引领中国走向繁荣富强的旗帜。它把社会主义的发展与中华民族伟大复兴的历史人物紧密联系在一起，把实现社会主义现代化与人民共同富裕紧密联系在一起，代表了最广大人民的利益和意愿。因此高举中国特色社会主义伟大旗帜才能实现中华民族的伟大复兴。 （3）必须推进中国特色社会主义建设，统筹人与自然和谐发展 在推进中国特色社会主义建设中，必须统筹好经济发展与保护自然的关系，实现人与自然的和谐发展，既遵循经济规律又遵循自然规律。既讲究经济社会效益又讲究生态环境效益，努力建设环境友好型社会。走生产发展、生活富裕、生态良好的文明发展之路。 2、如何认识和把握中国特色社会主义的基本问题？ 一、什么是中国特色社会主义道路 中国特色社会主义道路，就是在中国共产党领导下，立足基本国情，以经济建设为中心，坚持四项基本原则，坚持改革开放，解放和发展社会生产力，巩固和完善社会主义制度，建设社会主义市场经济、社会主义民主政治、社会主义先进文化、社会主义和谐社会，建设富强民主文明和谐的社会主义现代化国家。 二、为什么要坚持中国特色社会主义道路 中国特色社会主义道路是一条富民强国路。这条道路全面增强了我国的综合国力，显著提高了中国人民的生活水平，大大提升了中国的国际形象，它历史性地改变了中国人民的面貌，改变了社会主义中国的面貌，改变了中国共产党的面貌。中国特色社会主义道路，使中国人民摆脱了贫困，逐步走向富裕。中国特色社会主义道路，是中国共产党和中国人民的创造，是历史的选择、人民的选择、时代的选择。 三、怎么样才能坚持中国特色社会主义道路 首要的是坚持中国共产党的领导。中国特色社会主义道路，是中国共产党人领导全党和全国人民在社会主义建设的实践中探索出来的。其次要坚持解放思想。开辟中国特色社会主义道路的过程就是不断解放思想的过程。其三要坚持改革开放。改革开放是决定当代中国命运的关键抉择，是发展中国特色社会主义、实现中华民族伟大复兴的必由之路。 3、胡锦涛在庆祝中国共产党成立90周年大会上的讲话中强调：经过90年的奋斗、创造、积累，党和人民必须倍加珍惜、长期坚持、不断发展的成就是：开辟了中国特色社会主义道路，形成了中国特色社会主义理论体系，确立了中国特色社会主义制度。请从理论和实践的角度，谈谈对坚持和发展中国特色社会主义的认识。 中国特色社会主义是马克思列宁主义与中国实际相结合的社会主义，是中国人民在改革开放和社会主义现代化建设实践中总结出的一条在社会主义初级阶段如何建设社会主义的成功道路。中国特色社会主义不仅在理论上丰富和发展了马克思主义的理论体系，而且在实
电气工程及其自动化考研总况 一、全国电气工程及其自动化专业学校排名 1.清华大学 2.西安交通大学 3.华中科技大学 4.浙江大学 5.重庆大学 6.天津大学 7.哈尔滨工业大学 8.上海交通大学 9.华北电力大学10.东南大学11.西南交通大学12.沈阳工业大学13.中国矿业大学14.华南理工大学15.南京航空航天大学16.北京交通大学17.武汉大学18.哈尔滨理工大学19.四川大学20.河海大学21.哈尔滨工程大学22.郑州大学23.广西大学24.陕西科技大学 二，电气工程与自动化专业 （1）业务培养目标： 业务培养目标：本专业培养在工业与电气工程有关的运动控制、工业过程控制、电气工程、电力电子技术、检测与自动化仪表、电子与计算机技术等领域从事工程设计、系统分析、系统运行、研制开发、经济管理等方面的高级工程技术人才。 业务培养要求：本专业学生主要学习电工技术、电子技术、自动控制理论、信息处理、计算机技术与应用等较宽广领域的工程技术基础和一定的专业知识。学生受到电工电子、信息控制及计算机技术方面的基本训练，具有工业过程控制与分析，解决强弱电并举的宽口径专业的技术问题的能力。
（2）主干课程： 主干学科：电气工程、控制科学与工程、计算机科学与技术 主要课程：电路原理、电子技术基础、计算机原理及应用、计算机软件基础、控制理论、电机与拖动、电力电子技术、信号分析与处理、电力拖动控制系统、工业过程控制与自动化仪表等。高年级可根据社会需要设置柔性的专业方向模块课及选修课。 主要实践性教学环节：包括电路与电子基础实验、电子工艺实习、金工实习、专业综合实验、计算机上机实践、课程设计、生产实习、毕业设计。 主要实验：运动控制实验、自动控制实验、计算机控制实验、检测仪表实验、电力电子实验等 （3）修业年限： 四年 （4）授予学位： 工学学士 （5）相近专业： 微电子学自动化电子信息工程通信工程计算机科学与技术电子科学与技术生物医学工程电气工程与自动化信息工程信息科学技术软件工程影视
大学物理试卷（二）答案与评分标准 一 选择题（每小题3分，共30分） 1（B ）2（D ）3（B ）4（B ）5（B ）6（D ）7（D ）8（C ）9（D ）10（C ） 二 填空题（共 30分） 1． λ / (2ε0) 3分 2． W e 0 / εr 4分 3． aIB 3分 4． E D r εε0= 3分 5． t E R d /d 2 0πε 3分 6． 不变 1分 变长 1分 波长变长 1分 7． 123ννν+= 2分 123 1 1 1 λλλ+ = 2分 8． 电子自旋的角动量的空间取向量子化 3分 9． 泡利不相容原理 2分 能量最低原理 2分 三．计算题（每小题10分，共40分） 1．解：在任意角φ 处取微小电量d q =λd l ，它在O 点产生的场强为： R R l E 002 04d s co 4d d εφ φλελπ=π= 3分 它沿x 、y 轴上的二个分量为： d E x =－d E cos φ 1分 d E y =－d E sin φ 1分 对各分量分别求和 ?ππ=20 2 00d s co 4φ φελR E x ＝ R 004ελ 2分
)d(sin sin 420 00 =π=?πφφελR E y 2分 故O 点的场强为： i R i E E x 004ελ-== 1分 2．解：(1) 在球内取半径为r 、厚为d r 的薄球壳，该壳内所包含的电荷为 d q = ρd V = qr 4πr 2d r /(πR 4) = 4qr 3d r/R 4 则球体所带的总电荷为 ( )q r r R q V Q r V ===??0 3 4 d /4d ρ 2分 (2) 在球内作一半径为r 1的高斯球面，按高斯定理有 4041 24 121 1 d 41 4R qr r r R qr E r r εε=π?π= π? 得 4 02 1 14R qr E επ= (r 1≤R)， 1E 方向沿半径向外． 2分 在球体外作半径为r 2的高斯球面，按高斯定理有 022 2/4εq E r =π 得 22024r q E επ= (r 2 >R )， 2E 方向沿半径向 外． 2分 (3) 球内电势 ?? ∞?+?=R R r r E r E U d d 2111 ??∞π+π=R R r r r q r R qr d 4d 420 402 1εε 4 03 10123R qr R q εεπ-π=???? ??-π=3310412R r R q ε ()R r ≤1 2分 球外电势 202 0224d 4d 2 2 r q r r q r E U r R r εεπ= π=?=? ?∞ ()R r >2 2分 3．解： 321B B B B ++= B 1、B 2分别为带电的大半圆线圈和小半圆线圈转动产生的磁感强度，B 3为沿直径的带电线段转动产生的磁感强度． ππ= 21b I λω， 422200101λωμλωμμ= π?π==b b b I B 3分 ππ= 22a I λω， 422200202λωμλωμμ=π?π==a a a I B 3分
1、有人认为，30多年来，中国经济的改革和发展取得了巨大成就，而政治的改革和发展相对滞后。请谈谈对这一观点的认识。 答：我国政治体制改革滞后于经济体制改革，其主要原因有四个方面：首先，把政治体制改革与社会稳定对立起来的固有思维模式的影响。长期以来，在许多人的头脑中似乎有一种误区并形成了思维定势，即一说到政治体制改革，就认为会影响社会稳定，就会导致“西化”甚至国家政权颠覆。有的把“稳定压倒一切”作为拒绝政治体制改革的托词；有人经常错误地把前苏联的解体归咎于政治体制改革，从而在中国不断制造“政治体制改革恐惧症”。大量事实证明，苏联剧变从根本上说是因为执政党及其政府官员腐败变质，脱离人民群众，形成了特权阶层和既得利益集团，由这种腐败落后的上层建筑构筑的生产关系严重阻碍了生产力的发展。如果说苏共的倒台与政治体制改革有关的话，那也只能是政治体制改革滞后和改革不当造成的，而不能本末倒置，以此作为拒绝改革的理由。 其次，始终没有摆脱姓“资”姓“社”的困扰。自从1992年邓小平南方谈话和党的十四大以后，经济领域姓“资”姓“社”的问题虽然不能说完全解决了，但是这方面的困惑和争议大大减少，而在政治领域似乎仍然受着姓“资”姓“社”的困扰。我国经济体制改革尽管困难重重，但总是不断有所突破。相比之下，政治体制改革却难有实质性的突破。一提到政治体制改革，有些人马上就和西方国家的“三权分立”、多党制扯在一起，于是在有些地方政治体制改革似乎成了禁区。在这个问题上，我们认为主要有三种倾向的干扰：其一是“向西看”，即把政治体制改革等同于照搬西方国家的政治制度。其二是“向后看”，即用完全否定的目光审视改革开放以来出现的社会矛盾和问题，在得出“今不如昔”结论的同时表现出对改革开放前社会状态的眷恋，甚至主张用“文革”的手段解决当前的社会矛盾和问题。其三是“向上看”，即完全无视我国存在的现实矛盾和问题，把我国的政治体制描绘得完美无缺，实际上是以各种理由拒绝改革。 第三，政治体制改革往往是缺乏具体步骤的规划设计。我们看到，经济体制改革既有远景目标———本世纪中叶基本实现现代化，又有战略步骤———“三步走”发展战略，还有“五年规划”、“十年规划”等一系列的规划设计，甚至还规制出了每个阶段各个领域和行业所要达到的具体数据指标，而政治体制改革的阶段性目标和步骤则显得比较笼统模糊，这不能不说是政治体制改革进展缓慢的一个重要原因。 最后，政治体制改革最大最直接的阻力来自权力主体。政治体制改革从某种意义上说就是对权力的重新配置特别是强化对权力的监督制衡，而这也就意味着某些既得利益的丧失。一方面，权力主体应该是政治体制改革的组织策划者、推动者和具体操作者，而另一方面，权力主体在很大程度上又是需要改革的对象。实践证明，当改革者自身成为改革对象的时候，改革是很难进行下去的。这就陷入了一个改革的逻辑悖论。正如新加坡国立大学郑永年教授所指出的：“现在的改革太过依赖于官僚机构自身。官僚机构自己设计改革，自己实施改革，所以不可避免地造成…左手改革右手?的局面。这样，改革往往陷入无限的既得利益的博弈，改革成了各方争取更多利益的工具。”从改革的实践过程来看也确实出现了这种倾向。本来是一个好的改革动议，也常常在操作中走样变形，甚至会出现与改革出发点南辕北辙的背反现象。 因此，要破除那种把政治体制改革与社会稳定对立起来的本末倒置的“伪稳定”观，理直气壮地、坚定不移地推进政治体制改革。社会稳定是建立在社会和谐基础之上的，在社会矛盾日益复杂化、尖锐化的情况下，采用强制性的手段造成的“稳定”只能是表面的和暂时的，最终将会导致社会的不稳定。根本的解决方法是通过体制改革调整利益关系，化解政治矛盾，促进社会和谐，这样才能实现社会的真正稳定。从这个意义上说，政治体制改革恰恰是社会稳定的必要手段和重要途径。 要进一步解放思想，摆脱政治体制改革问题上姓“资”姓“社”的困扰，研究设计出阶段
自动控制理论（一）复习指南和要求【】
第二章 控制系统的数学模型复习指南与要点解析 要求： 根据系统结构图应用结构图的等效变换和简化或者应用信号流图与梅森公式求传递函数（方法不同，但同一系统两者结果必须相同） 一、控制系统3种模型，即时域模型----微分方程；※ 复域模型 ——传递函数；频域模型——频率特性。其中重点为传递函数。 系统输出量的拉氏变换式与输入量的拉氏变换式之比）和性质。 零初始条件下：如要求传递函数需拉氏变换，这句话必须的。 二、※※※结构图的等效变换和简化--- 实际上，也就是消去中间变量求取系统总传递函数的过程。 1．等效原则：变换前后变量关系保持等效，简化的前后要保持一致（P45） 2．结构图基本连接方式只有串联、并联和反馈连接三种。如果结构图彼此交叉，看不出3种基本连接方式，就应用移出引出点或比较点先解套，再画简。其中： ※引出点前移在移动支路中乘以()G s 。（注意：只须记住此，其他根据倒数关系导出即可） 引出点后移在移动支路中乘以1/()G s 。 相加点前移在移动支路中乘以1/()G s 。 相加点后移在移动支路中乘以()G s 。 [注]：乘以或者除以()G s ，()G s 到底在系统中指什么，关键看引出点或者相加点在谁的前后移动。在谁的前后移动，()G s 就是谁。 例1: ) 解法 1: 1) 3()G s 前面的引出点后移到3()G s 的后面（注：这句话可不写，但是必须绘制出下面的结构图，) 2) 消除反馈连接
) 3) 消除反馈连接 4) 得出传递函数 123121232123()()()() ()1()()()()()()()()() G s G s G s C s R s G s G s H s G s G s H s G s G s G s =+++ [注]：可以不写你是怎么做的，但是相应的解套的那步结构图必须绘制出来。一般，考虑到考试时间限制，化简结构图只须在纸上绘制出2-3个简化的结构图步骤即可，最后给出传递函数 () () C s R s =。。。。） 解法 2: 1()G s 后面的相加点前移到1()G s 前面，并与原来左数第二个相加点交换位置，即可解套，自己试一下。 [注]：条条大路通罗马，但是其最终传递函数 () () C s R s =一定相同） [注]：※※※比较点和引出点相邻，一般不交换位置※※※，切忌，否则要引线） 三. ※※※应用信号流图与梅森公式求传递函数 梅森公式： ∑=??=n k k k P P 1 1 式中，P —总增益；n —前向通道总数；P k —第k 条前向通道增益； △—系统特征式，即Λ+-+-=?∑∑∑f e d c b a L L L L L L 1 Li —回路增益； ∑La —所有回路增益之和； ∑LbLc —所有两个不接触回路增益乘积之和； ∑LdLeLf —所有三个不接触回路增益乘积之和； △k —第k 条前向通道的余因子式，在△计算式中删除与第k 条前向通道接触的回路。 [注] ：一般给出的是结构图，若用梅森公式求传递函数，则必须先画出信号流图。 注意2：在应用梅森公式时，一定要注意不要漏项。前向通道总数不要少，各个回路不要漏。 例2: 已知系统的方框图如图所示 。试求闭环传递函数C (s )/R (s ) (提示：应用信号流图及梅森公式) 解1） [注]
2011年材料科学基础真题 一、名词解释（任选6题，每题5分，共30分） 1.键能曲线： 2.玻璃转变温度：当物质由固体加热或由熔体冷却时，在相当于晶态物质熔点绝对温度2/3~1/2温度附近出现热膨胀、比热容等性能的突变。该温度称为玻璃转变温度。 3.空间点阵：组成晶体的粒子（原子、离子或分子）在三维空间中形成有规律的某种对称排列，如果我们用点来代表组成晶体的粒子，这些点的空间排列就称为空间点阵。 4.非均匀形核：熔融液体冷却过程中，依附于母相中某种界面上的形核过程。 5.共格界面：所谓共格晶界，是指界面上的原子同时位于两相晶格的结点上，即两相的晶格是彼此衔接的界面上的原子为两者共有。 6.相图杠杆定律：某一成分的二元合金在某温度时，处于二元相图的两相区内，则两相之间的质量比可用“杠杆法则”求得。在此温度处做一条水平线与该两相区的相界线相交，两个交点内水平线被合金的成分垂线分成两段，两相的质量比与这两线段的长度成反比，用相对百分数表示，这个现象好像力学中的杠杆，所以称为“杠杆定律”。 7.位错滑移：在一定应力作用下，位错线沿滑移面移动的位错运动。 二、简答题（共10题，任选6题，每题10分） 1.MgO中加入Li2O后的空位浓度变化 2.热塑性材料与热固性材料的结构与性能区别 答：热塑性：具有线性和支化高分子链结构，加热后会变软，可反复加工成形。 热固性：具有体型（立体网状）高分子链结构，不溶于任何溶剂，也不能熔融，一旦定型后不能再改变形状，无法再生。 3.固溶体强度比纯金属强的原因 答：因为合金两类原子尺寸不同，引起点阵畸变，阻碍位错运动，造成固溶强化。
4.刃型位错与螺型位错的区别 答：刃型位错和螺型位错的异同点：①刃型位错位错线垂直于柏氏矢量，螺型位错位错线平行于柏氏矢量；②刃型位错柏氏矢量平行于滑移运动方向，螺型位错柏氏矢量垂直于滑移运动方向；③刃型位错可作攀移运动且只有一个滑移面，螺型位错只可作滑移运动但有无数个滑移面；④两者都可以用柏氏矢量表示。 5.施密特定律的表示及各量的物理意义 6.Ni的晶体结构为面心立方结构，其原子半径位r=0.1243nm，试求Ni的晶格常数及原子数，间隙种类 4r40.1243 a===0.3516nm 22 三、论述题（任选4题，每题15分） 1.与三种基本结合键的有关论述与弹性模量的关系 2.关于固溶体固溶度的影响因素 答：溶质原子以原子态溶入溶剂点阵中组成的单一均匀的固体；溶剂的点阵类型被保留。 影响固溶体的因素有： 1.原子尺寸因素。当溶剂、溶质原子直径尺寸相对差小于+15%时，有大的代位溶解度。 2.负电性因素。溶剂、溶质的负电性差越小溶解度越大，一般小于0.4~0.5会有较大溶解度。 3.电子浓度因素。有两方面的含义：一是原子价效应，即同一溶剂金属，溶质原
电气工程及自动化专业考研学校科目 北京工业大学 421自动控制原理 复试：1、电子技术2、计算机原理 北京航空航天大学 [双控] 432控制理论综合或433控制工程综合 [检测] 433控制工程综合或436检测技术综合 [系统] 431自动控制原理或451材料力学或841概率与数理统计 [模式] （自动化学院）433控制工程综合或436检测技术综合、（宇航学院）423信息类专业综合或431自动控制原理或461计算机专业综合 [导航] （自动化学院）432控制理论综合或433控制工程综合、（宇航学院）431自动控制原理 复试：无笔试。1) 外语口语与听力考核；2) 专业基础理论与知识考核；3) 大学阶段学习成绩、科研活动以及工作业绩考核；4) 综合素质与能力考核 北京化工大学 440电路原理 复试：综合1(含自动控制原理和过程控制系统及工程)、综合2(含自动检测技术装置和传感器原理及应用)、综合3(含信号与系统和数字信号处理) 注：数学可选择301数学一或666数学（单） 北京交通大学 [双控/检测]404控制理论 [模式]405通信系统原理或409数字信号处理 复试： [电子信息工程学院双控]常微分方程 [机械与电子控制工程学院检测]综合复试（单片机、自动控制原理） [计算机与信息技术学院模式] 信号与系统或操作系统 北京科技大学 415电路及数字电子技术(电路70%，数字电子技术30%) 复试：1.数字信号处理2.自动控制原理 3.自动检测技术三选一 北京理工大学 410自动控制理论或411电子技术（含模拟数字部分） 复试：微机原理+电子技术（初试考自动控制理论者）、微机原理+自动控制理论（初试考电子技术者）、运筹学+概率论与数理统计。 北京邮电大学 [双控][模式]404信号与系统或410自动控制理论或425人工智能 [检测]407电子技术或410自动控制理论 复试： [双控]数据结构控制与智能
2007年材料科学基础真题 一、名词解释（30分） 1.孪晶：在切应力作用下，晶体的一部分沿一定的晶面（称为孪生面）和晶向（称为孪生方向）相对于另一部分晶体作均匀的切边时所长生的变形。孪生变形后，相邻两部分晶体的取向不同，恰好以孪生面为对称面形成镜像对称，形成孪晶。 2.柯肯达尔效应：在置换式固溶体中，由于两种原子以不同的速度相对扩散而造成标记面飘移的现象。 3.二次渗碳体：从奥氏体中析出的渗碳体称为二次渗碳体，其形态一般沿奥氏体晶界呈网状分布。 4.小角度晶界：界面两侧的晶粒取向差小于10o的晶界，有对称倾侧晶界和非对称倾侧晶界之分。 5.成分过冷：在合金凝固过程中，虽然液相中的实际温度分布一定，但是由于固液界面前沿液相中的溶质富集，导致液相的实际熔点下降。液相的实际凝固温度与熔体中的溶质的实际温度不一致，产生过冷现象。这种过冷是由于成分变化与实际温度分布这两个因素共同决定，这种过冷呈为成分过冷。 6.施密特（Schmid）因子：拉伸变形时，能够引起晶体滑移的分切应力t的大小取决于该滑移面和晶向的空间位置（）。t与拉伸应力σ间的关系为： 被称为取向因子，或称施密特因子，取向因子越大，则分切应力越大。 二、简答题（任选5题，50分） 1.简述柯垂尔气团和铃木气团的特点 答：溶质与刃型位错之间产生交互作用，形成柯垂尔气团。 溶质原子与层错交互作用形成铃木气团。 当材料的温度升高时，柯垂尔气团容易消失而铃木气团受温度的影响很小。 2.写出FCC、BCC和HCP晶胞中的四面体、八面体间隙数，致密度和原子配位数。 答：（1）间隙
FCC晶胞：4个八面体间隙，8个四面体间隙； BCC晶胞：6个八面体间隙；12个四面体间隙； HCP晶胞：6个八面体间隙；12个四面体间隙； （2）配位数 BCC：最近邻8个，考虑次近邻为（8+6）个 FCC：最近邻12个 HCP：理想状态12个，非理想状态（6+6）个 （3）致密度 BCC：0.68 FCC：0.74 HCP：0.74 3.简述固溶体和中间相的特点 答：（1）固溶体：固溶体保持了溶剂的晶格类型；成分可以在一定范围内变化，但不能用一个化学式来表示；不一定满足原子比或电子数比；在相图上为一个区域；具有明显的金属性质。例如具有一定的导电、导热性质和塑性等。固溶体中的结合键主要是金属键。 （2）中间相：金属与金属，或金属与非金属（氮、碳、氢、硅）之间形成的化合物总称为金属间化合物。由于金属间化合物在相图中处于相图的中间位置，故也称为中间相。 金属间化合物的晶体结构不同于构成它的纯组元，键合方式也有不同的类型，可能有离子键、共价键，但大多数仍然属于金属键类型。 4.相界面结构有哪几种形式，其界面能特点是什么？ 答：有共格、半共格和非共格三种。 共格界面的晶格畸变能最高，化学能最低；非共格界面的化学能最高而晶格畸变能最低；半共格界面介于两者之间。 5.变形织构有哪几种类型，对材料的性能有何影响？如何消除？ 答：（1）有丝织构和板织构 （2）造成材料的性能产生显著的各异性。如，对于板材，在冲压成型时容易产生制耳。
控制科学与工程[自动化]招生单位专业课类比本表所统计专业课的仅是“0811 控制科学与工程”一级学科下属的几个专业（二级学科）。双控=控制理论与控制工程；检测=检测技术与自动化装置；系统=系统工程；模式=模式识别与智能系统；导航=导航、制导与控制；复试——指的是复试笔试科目。 此仅为部分重点院校或重点专业；部分学校的同一名称的专业分布在不同的学院，也一并列出。 北京工业大学 421自动控制原理 复试：1、电子技术2、计算机原理 北京航空航天大学 [双控] 432控制理论综合或433控制工程综合 [检测] 433控制工程综合或436检测技术综合 [系统] 431自动控制原理或451材料力学或841概率与数理统计 [模式] （自动化学院）433控制工程综合或436检测技术综合、（宇航学院）423信息类专业综合或431自动控制原理或461计算机专业综合 [导航] （自动化学院）432控制理论综合或433控制工程综合、（宇航学院）431自动控制原理 复试：无笔试。1) 外语口语与听力考核；2) 专业基础理论与知识考核；3) 大学阶段学习成绩、科研活动以及工作业绩考核；4) 综合素质与能力考核 北京化工大学 440电路原理 复试：综合1(含自动控制原理和过程控制系统及工程)、综合2(含自动检测技术装置和传感器原理及应用)、综合3(含信号与系统和数字信号处理) 注：数学可选择301数学一或666数学（单） 北京交通大学 [双控/检测]404控制理论 [模式]405通信系统原理或409数字信号处理 复试： [电子信息工程学院双控]常微分方程 [机械与电子控制工程学院检测]综合复试（单片机、自动控制原理） [计算机与信息技术学院模式] 信号与系统或操作系统 北京科技大学 415电路及数字电子技术(电路70%，数字电子技术30%) 复试： 1.数字信号处理 2.自动控制原理 3.自动检测技术三选一 北京理工大学 410自动控制理论或411电子技术（含模拟数字部分）
湖南大学物理(2)第 14,15章课后习题参 考答案 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN
第14章 稳恒电流的磁场 一、选择题 1(B)，2(D)，3(D)，4(B)，5(B)，6(D)，7(B)，8(C)，9(D)，10(A) 二、填空题 (1). 最大磁力矩，磁矩 ; (2). R 2c ； (3). )4/(0a I μ； (4). R I π40μ ； (5). 0i ，沿轴线方向朝右. ； (6). )2/(210R rI πμ， 0 ; (7). 4 ; (8). )/(lB mg ； (9). aIB ; (10). 正，负. 三 计算题 1．一无限长圆柱形铜导体(磁导率μ0)，半径为R ，通有均匀分布的电流I ．今取一矩形平面S (长为1 m ，宽为2 R )，位置如右图中画斜线部分所示，求通过该矩形平面的磁通量． 解：在圆柱体内部与导体中心轴线相距为r 处的磁感强度的大小，由安培环路定 律可得： )(220R r r R I B ≤π=μ 因而，穿过导体内画斜线部分平面的磁通Φ1为 ???==S B S B d d 1 Φr r R I R d 2020?π=μπ=40I μ 在圆形导体外，与导体中心轴线相距r 处的磁感强度大小为 )(20 R r r I B >π=μ 因而，穿过导体外画斜线部分平面的磁通Φ2为 ??=S B d 2Φr r I R R d 220?π=μ2ln 20π=I μ 穿过整个矩形平面的磁通量 21ΦΦΦ+=π=40I μ2ln 20π +I μ I S 2R 1 m
湖南大学2009年《材料科学基础》期末考试试卷 一. 图1是Na 2 O的理想晶胞结构示意图，试回答： 1．晶胞分子数是多少； 2．结构中何种离子做何种密堆积；何种离子填充何种空隙，所占比例是多少； 3．结构中各离子的配位数为多少，写出其配位多面体； 4．计算说明O2-的电价是否饱和； 5．画出Na 2 O结构在（001）面上的投影图。 二. 图2是高岭石(Al 2O 3 ·2SiO 2 ·2H 2 O)结构示意图，试回答： 1．请以结构式写法写出高岭石的化学式； 2．高岭石属于哪种硅酸盐结构类型； 3．分析层的构成和层的堆积方向； 4．分析结构中的作用力； 5．根据其结构特点推测高岭石具有什么性质。
三. 简答题： 1.晶体中的结构缺陷按几何尺寸可分为哪几类？ 2.什么是负扩散？ 3．烧结初期的特征是什么？ 4.硅酸盐晶体的分类原则是什么？ 5.烧结推动力是什么？它可凭哪些方式推动物质的迁移？ 6.相变的含义是什么？从热力学角度来划分，相变可以分为哪几类？ 四. 出下列缺陷反应式： 1.NaCl形成肖特基缺陷； 2.AgI形成弗仑克尔缺陷（Ag+进入间隙）； 3.TiO 2掺入到Nb 2 O 3 中，请写出二个合理的方程，并判断可能成立的方程是 哪一种？再写出每个方程的固溶体的化学式。 4.NaCl溶入CaCl 2 中形成空位型固溶体 五. 表面力的存在使固体表面处于高能量状态，然而，能量愈高系统愈不稳定，那么固体是通过何种方式降低其过剩的表面能以达到热力学稳定状态的。 六.粒径为1μ的球状Al 2O 3 由过量的MgO微粒包围，观察尖晶石的形成， 在恒定温度下，第一个小时有20%的Al 2O 3 起了反应，计算完全反应的时间：⑴ 用杨德方程计算；⑵用金斯特林格方程计算。 七.请分析熔体结构中负离子团的堆积方式、聚合度及对称性等与玻璃形成之关系。 八.试从结构和能量的观点解释为什么D晶界>D晶内？ 九.试分析二次再结晶过程对材料性能有何影响？工艺上如何防止或延缓二次再结晶的发生？ 十.图3是A-B-C三元系统相图，根据相图回答下列问题： 1．写出点P，R，S的成分； 2．设有2kgP，问需要多少何种成分的合金Z才可混熔成6kg成分为R的合金。
湖南省第 3 届大学生物理竞赛试卷 （2010 年 4 月 24 日） 时间 150 分钟 满分 120 分 一、选择题（每题 3 分，共 12 分） 1、真空中波长为的单色光，在折射率为 n 的透明介质中从 A 沿某路径传播到 B ，若A ，B 两点相位差为3，则此路径 AB 的光程为 [ ] (A) 1.5 (B) 1.5n (C) 1.5n (D) 3 2、氢原子中处于 2p 状态的电子，描述其量子态的四个量子数(n , l , m l , m s ) 可能取的值为 [ ] (A) (2, 2,1, - 1 ) 2 (B) 1 (2, 0, 0, ) 2 (C) (2,1, -1, - 1 ) 2 1 (D) (2, 0,1, ) 2 3、某元素的特征光谱中含有波长分别为 = 450nm 和 = 750nm （1nm = 10-9 m ）的 1 2 光谱线。在光栅光谱中，这两种波长的谱线有重叠现象，重叠处 2 的谱线的级数将是 [ ] (A) 2,3,4,5…… (B) 2,5,8,11…… (C) 2,4,6,8…… (D) 3,6,9,12…… 4、长为 2L 、质量为 m 的均匀直棒的两端用绳自天花板竖直吊住，若一端突然剪断，剪断 绳的瞬间另一端绳中的张力为： [ ] (A) 1 mg 2 (B) mg (C) 3 mg 4 (D) 1 mg 4 二、填空题（每题 3 分，共 18 分） 1、电子枪的加速电压U = 5?104V ，则电子的速度（考虑相对论效应） ，电子的德布罗意波长 。 2、弦上一驻波，其相邻两节点的距离为65cm ，弦的振动频率为230Hz ，则波长为 ，形成驻波的行波的波速为 。 3、长为 L 的铜棒 ab 在垂直于匀强磁场 B 的平面内以角速度作逆时 针转动， B 垂直于转动平面向里，如图所示。则棒中的动生电动势为 a ，a 、b 两端何端电势高 （填 a 或 b ）。 4、一均匀带正电的无限长直导线，电荷线密度为，其单位长度上总共发出的电场线（E 线）的条数是 。 5、用白光垂直照射在厚度为4 ?10-5 cm ，折射率为 1.5 的薄膜表面上，在可见光范围内， b B
全国名校材料科学基础考研真题汇编（含部分答案）益星学习网提供全套资料 目录 1．清华大学材料科学基础历年考研真题及详解 2009年清华大学材料科学基础（与物理化学或固体物理）考研真题及详解 2008年清华大学材料科学基础（与物理化学或固体物理）考研真题及详解 2007年清华大学材料科学基础（与物理化学或固体物理）考研真题及详解 2．北京科技大学材料科学基础历年考研真题 2014年北京科技大学814材料科学基础考研真题 2013年北京科技大学814材料科学基础考研真题 2012年北京科技大学814材料科学基础考研真题 2011年北京科技大学814材料科学基础考研真题 3．西北工业大学材料科学基础历年考研真题及详解 2012年西北工业大学832材料科学基础考研真题及详解 2011年西北工业大学832材料科学基础（A卷）考研真题及详解 2010年西北工业大学832材料科学基础（A卷）考研真题及详解 4．中南大学材料科学基础历年考研真题及详解 2012年中南大学963材料科学基础考研真题（回忆版） 2009年中南大学959材料科学基础考研真题及详解 2008年中南大学963材料科学基础考研真题 2008年中南大学963材料科学基础考研真题（A组）详解 5．东北大学材料科学基础历年考研真题 2015年东北大学829材料科学基础考研真题（回忆版） 2014年东北大学829材料科学基础考研真题 6．北京工业大学材料科学基础历年考研真题及详解 2012年北京工业大学875材料科学基础考研真题 2009年北京工业大学875材料科学基础考研真题及详解 2008年北京工业大学875材料科学基础考研真题及详解 7．中国科学技术大学材料科学基础历年考研真题 2014年中国科学技术大学802材料科学基础考研真题 2013年中国科学技术大学802材料科学基础考研真题 2012年中国科学技术大学802材料科学基础考研真题 8．东华大学材料科学基础历年考研真题 2013年东华大学822材料科学基础考研真题 2012年东华大学822材料科学基础考研真题 9．南京航空航天大学材料科学基础历年考研真题及详解 2014年南京航空航天大学818材料科学基础（A卷）考研真题 2013年南京航空航天大学818材料科学基础（A卷）考研真题 2008年南京航空航天大学818材料科学基础考研真题及详解 10．其他名校材料科学基础历年考研真题及详解 2011年武汉理工大学833材料科学基础考研真题及详解
(答题请做在答卷纸上，并写清题号。做在草稿纸上的无效) 一、已知系统结构图如下图所示。 1、试通过结构图等效变换求C(S)/R(S)； 2、试画出相应的信号流图，并运用梅逊增益公式求E(S)/R(S)。 二、已知单位负反馈系统的开环传递函数为：) 1(10 )(+=s s s G 1. 画出系统的近似对数幅频、相频特性曲线； 2. 判断闭环系统的稳定性。如果系统稳定，求系统的相角裕度γ和幅值裕度h 。 第1页 共 2 页 考试中心填写： ___年___月___日 考 试 用 湖南大学课程考试试卷 课程名称： 自动控制原理； 试卷编号： ； 考试时间：120分钟 题 号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总 分 应得分 100 实得分 评分： 评卷人 姓名： 学号： 专业班级： 装订线（答题不得超过此线） G 1(S) G 2 (S) G 3 (S) H 1(S) G 4(S) R(S) C(S) _ · · E(S) _
三、一线性连续控制系统如下图所示。 1、用劳斯判据判断K 为何值时，系统稳定； 2、当K 为何值时，系统发生持续等幅振荡，求其振荡角频率ωn 。 一 四、已知控制系统开环传递函数为 G(S)H(S)= ) 3)(6(++s s k 1、绘制当K 从0→∞变化时系统的根轨迹； 2、求闭环系统稳定的K 值范围。 五、离散系统如下图所示。 1、设G 1(S)=s e Ts --1，G 2(S)= ) 1(10 +s s ，样周期T=1s ，试写出闭环脉冲传递函数Φ（Z ）； 2、在z 域中分析系统的稳定性； 3、求 r(t)=1(t)+t 时系统的稳态误差。 六、最小相角系统的近似对数幅频特性曲线如图所示，试确定系统的开环传递函数。 R(S) C(S) 2)10(++s s k 2 20s s + G 1 (S) G 2 (S)
复习习题 1. 某理想气体反应过程的)g (B ∑ν＝1，反应过程的m ,r V C ?＝5.6 J ?mol -1?k -1 , m ,r p C ?＝( 13.914 ) J ?mol -1?k -1 2.（ 系统内部及系统与环境之间发生的一系列无限接近平衡的 ）过程称为可逆过程。 3. 状态函数E 的微小变量应记为（ d E ）。 4．一定量理想气体节流膨胀过程中：μJ -T ＝（ 0 ）；△H ＝（ 0 ）； △U ＝（ 0 ）。 5．任一不可逆循环过程的热温商的总和，可表示为；?（δQ /T ）不可逆( > ) 0。 6．△A 与△G 分别代表（等温、等容、可逆过程中，系统对外所作的最大非体积等于系统亥姆霍兹函数的减少值；等温、等压、可逆过程中，系统对外所作的最大非体积等于系统吉布斯函数的减少值）。 7．在恒温恒压下，一切化学变化必然是朝着化学势（降低）的方向自动的进行。 8. 在80℃下，将过量的NH 4HCO 3（s ）放人真空密闭容器内，NH 4HCO 3（s)按下式进行分 解： NH 4HCO 3（s ）＝ NH 3（g ）＋CO 2（g ）＋H 2O （g ） 达平衡后，系统的C ＝（1）；F ＝（0）。 9．在一定温度下，一定量理想气体所进行的可逆过程与不可逆过程，体积功的大小相比较 可知： 可逆过程系统对环境作（a ）； 环境对系统做(b)功。 选择填入：（a ）最大；（b ）最小；（c ）大小无法确定。 10．在25℃的标准状态下，反应 C 2H 6（g ）＋3 .5O 2 → 2CO 2（g ）＋3H 2O （l ） 此反应过程的△H m （b ）； △U m （b ）； W （a ）。 选择填入：（a ）＞0；（b ）＜0；（c ）＝0；（d ）无法确定。 11．在恒压、绝热、W ’＝0的条件下发生某化学反应，使系统的温度上升、体积变大，则此 过程的△H （b ）；△U （c ）；W （c ）。 选择填入：（a ）＞0；（b ）＝0；（c ）＜0；（d ）无法确定。 12．在同一温度下，W ′＝0，同一个化学反应的Q p ,m (d )Q V ,m 。 选择填入：（a ）＞；（b ）＜；（c ）＝；（d ）无法确定。 13. 在隔离系统内自动发生某过程，则此过程系统总的熵变△iso S （a ）。
2008年材料科学基础真题 (1)名词解释（每题5分，共40分） 1.空间点阵：组成晶体的粒子（原子、离子或分子）在三维空间中形成有 规律的某种对称排列，如果我们用点来代表组成晶体的粒子，这些点的空间排列就称为空间点阵。 2.中间相：金属与金属，或金属与非金属（氮、碳、氢、硅）之间形成的化合物总称为金属间化合物。由于金属间化合物在相图中处于相图的中间位置，故也称为中间相。 3.全位错：柏氏矢量等于点阵矢量的位错称为全位错。 4.共格界面：所谓共格晶界，是指界面上的原子同时位于两相晶格的结点上，即两相的晶格是彼此衔接的界面上的原子为两者共有。 5.滑移临界分切应力：滑移系开动所需的最小分切应力；它是一个定值，与材料本身性质有关，与外力取向无关。 6.包晶转变：成分为H点的δ固相，与它周围成分为B点的液相L，在一定的温度时，δ固相与L液相相互作用转变成成分是J点的另一新相γ固溶体，这一转变叫包晶转变或包晶反应。即HJB---包晶转变线，LB+δH→γJ 7.再结晶：塑性变形金属后续加热过程通过形核与长大无畸变等轴晶逐渐取代变形晶粒的过程。 8.上坡扩散：在化学位差为驱动力的条件下，原子由低浓度位置向高浓度位置进行的扩散。 (2)简答题（每题8分，共56分） 1.采用四轴坐标系标定六方晶体的晶向指数时，应该有什么样的约束条件？为什么？ 2.写出FCC、BCC、HCP晶体的密排面、密排面间距、密排方向、密排方向最
3.指出图1中各相图的错误，并加以解释。 4.什么是柯肯达尔效应？请用扩散理论加以解释。若Cu-Al组成的互扩散偶发生扩散时，界面标志物会向哪个方向移动。 答：柯肯达尔效应：在置换式固溶体的扩散过程中，放置在原始界面上的标志物朝着低熔点元素的方向移动，移动速率与时间成抛物线关系。
大学物理上册课后习题答案() 第一章 质点运动学 1．1 一质点沿直线运动，运动方程为x (t ) = 6t 2 - 2t 3．试求： （1）第2s 内的位移和平均速度； （2）1s 末及2s 末的瞬时速度，第2s 内的路程； （3）1s 末的瞬时加速度和第2s 内的平均加速度． [解答]（1）质点在第1s 末的位置为：x (1) = 6×12 - 2×13 = 4(m)． 在第2s 末的位置为：x (2) = 6×22 - 2×23 = 8(m)． 在第2s 内的位移大小为：Δx = x (2) – x (1) = 4(m)， 经过的时间为Δt = 1s ，所以平均速度大小为：v =Δx /Δt = 4(m·s -1)． （2）质点的瞬时速度大小为：v (t ) = d x /d t = 12t - 6t 2， 因此v (1) = 12×1 - 6×12 = 6(m·s -1)， v (2) = 12×2 - 6×22 = 0 质点在第2s 内的路程等于其位移的大小，即Δs = Δx = 4m ． （3）质点的瞬时加速度大小为：a (t ) = d v /d t = 12 - 12t ， 因此1s 末的瞬时加速度为：a (1) = 12 - 12×1 = 0， 第2s 内的平均加速度为：a = [v (2) - v (1)]/Δt = [0 – 6]/1 = -6(m·s -2)． [注意] 第几秒内的平均速度和平均加速度的时间间隔都是1秒． 1．2 一质点作匀加速直线运动，在t = 10s 内走过路程s = 30m ，而其速度增为n = 5倍．试证加速度为2 2(1)(1)n s a n t -= +，并由上述资料求出量值． [证明]依题意得v t = nv o ，根据速度公式v t = v o + at ，得 a = (n – 1)v o /t ， (1) 根据速度与位移的关系式v t 2 = v o 2 + 2as ，得 a = (n 2 – 1)v o 2/2s ，(2) （1）平方之后除以（2）式证得：2 2(1)(1)n s a n t -= +． 计算得加速度为：2 2(51)30(51)10 a -= += 0.4(m·s -2 )． 1．3 一人乘摩托车跳越一个大矿坑，他以与水平成22.5°的夹角的初速度65m·s -1从西边起跳，准确地落在坑的东边．已知东边比西边低70m ，忽略空气阻力，且取g = 10m·s -2．问： （1）矿坑有多宽？他飞越的时间多长？ （2）他在东边落地时的速度？速度与水平面的夹角？ [解答]方法一：分步法． （1）夹角用θ表示，人和车（人）在竖直方向首先做竖直上抛运动， 初速度的大小为 v y 0 = v 0sin θ = 24.87(m·s -1)． 取向上的方向为正，根据匀变速直线运动的速度公式 v t - v 0 = at ， 这里的v 0就是v y 0，a = -g ；当人达到最高点时，v t = 0，所以上升到最高点的时间为 t 1 = v y 0/g = 2.49(s)． 再根据匀变速直线运动的速度和位移的关系式：v t 2 - v 02 = 2a s ， 可得上升的最大高度为：h 1 = v y 02/2g = 30.94(m)． 人从最高点开始再做自由落体运动，下落的高度为;h 2 = h 1 + h = 100.94(m)． 根据自由落体运动公式s = gt 2/2，得下落的时间为:2 22h t g == 4.49(s)． 因此人飞越的时间为：t = t 1 + t 2 = 6.98(s)． 70m 22.5o 图1.3