Quantum Confinement in Graphene Quantum Dots
C. Stampfer*, S. Schnez*, J. Güttinger*, S. Hellmüller, F. Molitor, I. Shorubalko,
T. Ihn, and K. Ensslin
Solid State Physics Laboratory, ETH Zurich, 8093 Zurich, Switzerland
*The first three authors contributed equally to this work.
Graphene [1, 2], the first real two-dimensional (2D) solid, consists of a hexagonal lattice of carbon atoms providing highly mobile electrons [3, 4] for future applications in electronics, spintronics [5] and information processing [6]. It allows the fabrication of well-controlled nanostructures, such as nanoribbons [7–9], quantum interference devices [10, 11], and single-electron transistors [12, 13]. Small spin-orbit and hyperfine interactions have been theoretically predicted [14], promising spin decoherence times superior to the GaAs material system in which solid-state spin qubits are most advanced today [15, 16]. The identification of individual orbital quantum states, and charge detection techniques [17], well established in GaAs quantum dot devices, have so far remained on the wish list of physicists aiming at quantum information processing [18] with graphene. Here we show (i) that excited graphene quantum dot states can be detected in sequential tunneling, as well as in co-tunneling currents, and (ii) that quantum dots with integrated charge read-out allow the detection of single electrons in an all-graphene system. Both steps are crucial for the investigation of graphene quantum devices in general. They allow relating the size of the quantum dot to relevant energy scales such as the charging energy and the quantum confinement energy. Estimates based on the linear energy-momentum relation of graphene give carrier numbers of the order of 10 for our devices.
Confining electrons in graphene is challenging, mainly due to the gap-less electronic structure [2] and phenomena related to Klein tunneling [19, 20]. However, cutting out nanostructures from 2D graphene allows to structurally confine electrons [12, 13]. Scanning force microscope images of two different graphene quantum dot (QD) devices with and without charge detection are shown in Figs. 1a and 1b. The device shown in Fig. 1a consists of two 35 nm wide graphene constrictions separating source (S) and drain (D) contacts from the graphene island (diameter ≈ 200 nm). The constrictions and the island are electrostatically tuned independently by two barrier gates (B1 and B2) and a plunger gate (PG), respectively. The highly doped silicon back gate (BG) allows adjusting the overall Fermi level. In addition, we placed a 45 nm wide graphene nanoribbon 60 nm next to the island, which acts as a charge detector (CD), as shown below. Fig. 1c shows the current I as a function of the back gate voltage at a temperature of 1.7 K of both, the quantum dot device (upper curve) and the charge detector (lower curve). In both cases we observe a transport gap [12] extending roughly from -4 V to 15 V and from 4 V to 14 V for the quantum dot, and charge detector, respectively. From high source-drain voltage (V b,qd) measurements (not shown) we estimate the characteristic energy scale of these effective energy gaps to be about 13 meV, and 8 meV, respectively. This is in good agreement with recent measurements on graphene nanoribbons where the transport gap is dominated by the width of the graphene nanostructure [21]. The large scale current fluctuations are attributed to resonances in the graphene constrictions. By focusing on a smaller back gate voltage range of 150 mV (see inset in Fig. 1c). Coulomb blockade resonances of the quantum dot are resolved in regions where these resonances are suppressed. Measurements on the smaller device (with an island diameter of 140 nm, see Fig. 1b) at an electronic temperature of 200 mK reveal sharper and fewer Coulomb resonances for the same back gate voltage range, as shown in Fig. 1d.
We focus first on the smaller device (Fig. 1b), which we tune close to the charge neutrality point. Coulomb diamond measurements [22], i.e., plots of the differential conductance (G qd = dI/dV b,qd) as a function of the quantum dot bias voltage V b,qd and plunger gate voltage V pg are shown in Fig. 2. Within this plunger gate voltage range no charge rearrangements were observed and the sample was stable over more than two weeks. We extract a typical energy scale of the order of 10 meV. A strong variation of the addition energy over the plunger gate voltage range -0.1 V < V pg < 1.2 V (full data range not shown), corresponding to an energy range of around 100 meV is observed, indicating the importance of quantum confinement effects.
This is supported by the observation of excited states, which appear in Fig. 2 as distinct lines of increased conductance running parallel to the edge of the Coulomb diamonds [22]. Fig. 2b showing a close up of Fig. 2a allows to extract an excitation energy Δ≈ 1.6 meV as marked by the white arrow. A line cut at V b,qd =? 2.78 mV (dashed line) presented in the left panel of Fig. 2b shows the peak of the excited state at finite bias (arrow). The broadening of the peak significantly exceeds thermal broadening and might be due to the strongly energy dependent coupling of the excited state to the graphene leads.
Fig. 2c shows two Coulomb diamonds at lower plunger gate voltage, where more than one excited state is observed as a function of increasing energy, as shown by pairs of dashed lines. These excitations are found at energies of around 1.6 meV and 3.3 meV (black dashed lines) and 2.1 meV and 4.2 meV (white dashed lines), respectively. The observation of excitations at finite source-drain voltage finds support by the detection of inelastic co-tunneling onsets at lower bias. Inside the upper Coulomb diamond of Fig. 2c we distinguish between regions of suppressed and slightly elevated conductance separated by the dotted line. The edge of this conductance step is aligned with the (first) excited state outside the diamond at an energy of 1.6 meV as highlighted by an arrow.
The number of charge carriers on the quantum dot can be estimated by using the linear density of states of graphene D(E) = 2E/(π v F2?2), where v F≈ 106 m/s is the Fermi velocity [2]. We find for the single-particle level spacing Δ(N) = ?v F/(d√N) [23], where N is the number of charge carriers and d is the dot diameter. From the measured excitation energy and the lithographic dimensions of the dot (d = 140 nm) we estimate the number of charge carriers on the dot to be of the order of 10. The current was below measurement resolution at V pg < -0.5 V so that smaller charge carrier numbers and the electron-hole crossover could not be studied. The Coulomb diamonds shown in Fig. 2c scatter significantly stronger in size than those presented in Fig. 2a. This might be a consequence of the lower number of charge carriers on the quantum dot. We empty the dot by applying a negative plunger gate voltage, and have fewer electrons in the regime covered by Fig. 2c than in Fig. 2a.
Using typical values for the addition energy and excitation energies we estimate the charging energy to be ≈ 8.5 meV, which agrees reasonably well with the energy estimated from a disk model ΔE c = e2/(4ε0εeff d)≈ 12 meV. We assumed the effective dielectric constant including vacuum and the SiO2 to be εeff = (1+4)/2.
In order to further explore the excitation spectrum, we show the energy shift of nine consecutive Coulomb peaks in a magnetic field applied normal to the plane of the quantum dot in Fig. 3. The typical magnetic field scale for which we expect a significant change is approximately given by one flux quantum Φ0 = h/e per dot area, i.e. 4Φ0/πd2 = 270 mT. This scale is indicated in the Fig. 3 by the black arrow. For magnetic fields, B > 4 T, a pattern evolves which shows similar slopes for several peaks. Characteristic lines (see dashed lines in Fig. 3) linear in B with slopes of around ± 2.5 meV/T can be seen. This strong B-field dependence cannot be explained by the Zeeman effect, which would result in a slope of μB = 58 μeV/T, assuming a g-factor of g = 2. We interpret these shifts in energy as the onset of the formation of Landau levels.
We observed the formation of Landau levels also for B > 4 T in previous experiments [24] on similar graphene flakes patterned into Hall bars. The peaks are shifted to both, positive and negative energies (as indicated by the dashed lines in Fig. 3). However, the overall trend that peaks shift to positive energies allows the conclusion that we are in the electron regime.
Next we turn to measurements performed on the device shown in Fig. 1a. The measurements of single charge transport through the graphene quantum dot are now complemented by charge detection.
In Figs. 4 and 5 we demonstrate the functionality and high sensitivity of the graphene charge detector. All measurements on this device (Fig. 1a) were performed at a temperature of 1.7 K. The back gate voltage is set to V bg = 6.5 V such that the quantum dot is close to the charge neutrality point (see arrows in Fig. 1c) as well as inside the transport gap of the charge detector. We operate the charge detector in a regime where strong resonances are accessible, in order to make use of steep slopes of the conductance as a function of V pg of the order of 4-5 10?4 (e2/h)/mV to detect single charges on the quantum dot. This graphene quantum dot is characterized by a charging energy Ec≈ 4.3 meV, a plunger gate lever arm αpg,qd= 0.06, and a back gate lever arm αbg,qd = 0.34. No excited states were observed in this dot, due to the elevated temperature and the larger dot size.
Fig. 4a shows almost equally spaced (ΔV pg = 65 ± 3.8 mV) Coulomb blockade resonances as function of V pg at V b,qd = 500 μV. The strong modulation of the conductance peak amplitudes is due to superimposed resonances in the graphene constrictions defining the island [12]. In Fig. 4b we plot the simultaneously measured conductance through the nearby charge detector (at a bias voltage of V b,cd = 8.2 mV) for the same V pg range. On top of the peak-shaped CD resonance we observe conductance
steps which are well aligned (see dotted lines) with single charging events on the nearby quantum dot.
Figs. 5a and 5b show 2D plots of a set of traces corresponding to those shown in Figs. 4a and 4b, taken for different back gate voltages and V b,cd = 500 μV. Fig. 5a shows Coulomb blockade resonances in the quantum dot conductance following a relativ lever arm of PG and BG of αpg,qd/αbg,qd = 0.18 (see black dashed line). In Fig. 5b these resonances are observed through charge detection and are marked with arrows. The charge detector resonance used for detection can be distinguished from the dot resonances by its larger width and its different slope given by αpg,cd/αbg,cd = 0.04 (black dashed line). This reduced slope is due to the larger distance of the CD nanoribbon to the plunger gate (≈ 350 nm) as compared to the island-plunger gate distance. The modulation of the Coulomb blockade resonances in Fig. 5a is due to resonances in the tunneling constriction located around 300 nm away from the PG (see Fig. 1a). This leads to a slope of 0.08 for these peak modulations (see white dotted line). Independent of this modulation we identify single charging events on the quantum dot as conductance fringes (see arrows in Fig. 5b) on top of the up and down slope of the CD resonance. This can be even better seen by numerical differentiation of G cd vs. V pg, as shown in Fig. 5c. Here the sharp conductance changes due to the charging events in the dot are strongly pronounced, and both relative lever arms to the Coulomb blockade peaks and the constriction resonance in the charge detector are indicated by dashed lines.
These measurements demonstrate the functionality of the graphene charge detector. The potential is confirmed by detecting charging events even in regimes where Coulomb blockade resonances cannot be measured (i.e. resolved) by conventional means (see, e.g., arrows in Fig. 4a). We can increase the detection range by increasing the bias V b,cd, leading to a broadening of the constriction resonance, as seen by
comparing Fig. 5c with Fig. 4b. From these measurements we extracted a signal-to-noise ratio for detecting single charging events on the dot in the range of 40 to 200.
Combining the two experiments described in this letter should allow to study the single electron and hole regime including their crossover in the future. The formation and detection of individual spin-states in grapheme quantum dots come into reach, bringing experimentally available graphene devices closer to quantum dot based spin-qubit applications.
Methods
The samples presented in this study are fabricated by mechanical exfoliation of natural bulk graphite [25]. Single-layer graphene flakes are transferred to highly doped silicon substrates with a 295 nm silicon oxide top-layer. Electron beam lithography (EBL) is used for patterning the isolated graphene flakes by subsequent Ar/O2 reactive ion etching and a second EBL and lift-off step is performed to place source, drain electrodes and gate contacts (all 2/50 nm Ti/Au). For the detailed fabrication process and the single-layer graphene verification we refer to Refs. [12, 26, 27]. Measurements were performed in a variable temperature insert cryostat at a base temperature of 1.7 K and in a dilution refrigerator at a base temperature of around 33 mK using low-frequency lock-in techniques.
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23. This estimation does not hold for very small N, in particular not for N = 0. However, it is a reasonable estimation for electrons numbers exceeding N ≥ 5.
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Acknowledgements - The authors wish to thank R. Leturcq, P. Studerus, C. Barengo, P. Strasser, A. Castro-Neto and K. S. Novoselov for helpful discussions. Support by the ETH FIRST Lab, the Swiss National Science Foundation and NCCR nanoscience are gratefully acknowledged.
Correspondence and requests for materials should be addressed to K.E. (ensslin@phys.ethz.ch).
FIG. 1: Nanostructured graphene quantum dot devices and low bias transport. (a) and (b), Scanning force micrographs of the measured quantum dots. Both quantum dot devices can be tuned by a nearby plunger gate (PG).
(a) The central island is connected to source (S) and drain (D) contacts by two constrictions. The diameter of the dot is 200 nm and the constrictions are 35 nm wide. The graphene nanoribbon acts as charge detector (CD). In Fig. (a) also two additional barrier gates, B1 and B2 are shown. (b) Smaller quantum dot device, where the island has a diameter of 140 nm. (c) Back gate characteristics of the quantum dot (QD) device (upper panel) and the charge detector (lower panel), shown in (a). Both measurements were performed at a source-drain (bias) voltage of V b,qd = V b,cd = 500 μV and at 1.7 K. Inset shows Coulomb blockade resonances observed inside the transport gap as a function of the back gate voltage over a range of 150 mV. (d) Coulomb blockade measured on the smaller dot (Fig. (b)) at an electronic temperature of 200 mK
and V b,qd= 16 μV.
FIG. 2: Excited states in a graphene quantum dot. (a) Differential conductance G qd (logarithmic plot) as a function of source-drain voltage V b,qd and plunger gate voltage V pg. (b) The right panel is a zoom of the enframed area in (a). An excited state is clearly visible (arrow). A cut along the dashed line at V b,qd = -2.87 mV is shown in the left panel (here G qd is measured in units of 10?3e2/h and was smoothed over 4 points). (c) Stability diagram at different plunger gate voltages. Several excited states are visible as shown by dashed lines. In the upper diamond, regions of higher conductance (in the left part of the diamond) can be seen. This is interpreted as a signature of co-tunneling in a graphene quantum dot (see arrow). In all measurements shown in Figs. 2 and
3, the back gate voltage was set to V bg = 0 V and the electronic temperature was around 200 mK as deduced from the Coulomb peak width.
FIG. 3: Magnetic field dependence. Coulomb blockade resonance positions of nine consecutive peaks (alternatingly shown as red triangles and blue circles, respectively) as a function of magnetic field B. The positions were extracted from a fit to the conductance peaks. Using the lever arm deduced from Fig. 2 (αpg,qd = 0.075), voltages were converted into energies. The energy gap between neighbouring lines was subtracted to make them touch. The lowest energy of the first Coulomb peak was taken to be zero. Starting around B = 4 T, a regular pattern with characteristic linear slopes evolves (see dashed lines) showing signatures of level crossings and anticrossings.
FIG. 4: Charge detection in graphene (i). Dependence of the dot conductance G qd(a) and charge detector conductance G cd (b) as a function of plunger gate voltage V pg for a fixed back gate voltage V bg = 6.5 V. The arrows indicate Coulomb blockade resonances which can be hardly measured by conventional means (a). However, they can be detected by the charge detector (b). Bias on
dot: V b,qd = 500 μV, bias on charge detector: V b,cd = 8.2 mV.
FIG. 5: Charge detection in graphene (ii). (a) Conductance G qd of the quantum dot as a function of plunger gate voltage Vpg and back gate voltage V bg. The back gate voltage is converted to a relative change starting at V bg = 6.505 V. For this measurement a source drain bias of V b,qd = 500 μV is symmetrically applied. Narrowly spaced periodic lines are Coulomb blockade resonances (black long dashed line), while the larger scale features are attributed to a modulation of the transmission through the barriers (white dotted line). (b) Simultaneous measurement of the charge detector conductance G cd. The broad line with increased conductance is less affected by changing the plunger gate voltage compared to the Coulomb blockade resonances in the dot
and it is attributed to a local resonance in the charge detector (short dashed
line). In addition to this broad line faint lines with a slope corresponding to the Coulomb blockade resonances in the quantum dot are observed (arrows). (c) Derivative of the charge detector conductance plotted in (b) with respect to plunger gate voltage dG cd/dV pg, where the short and long dashed lines indicate the two different lever arms.
第一章石墨烯性能及相关概念 1 石墨烯概念 石墨烯（Graphene）是从石墨材料中剥离出来、由碳原子组成的只有一层原子厚度的二维晶体。石墨烯狭义上指单层石墨，厚度为0.335nm，仅有一层碳原子。但实际上，10层以内的石墨结构也可称作石墨烯，而10层以上的则被称为石墨薄膜。单层石墨烯是指只有一个碳原子层厚度的石墨，碳原子-碳原子之间依靠共价键相连接而形成蜂窝状结构。完美的石墨烯具有理想的二维晶体结构，由六边形晶格组成，理论比表面积高达2.6×102m2 /g。石墨烯具有优异的导热性能(3×103W/(m?K))和力学性能(1.06×103 GPa)。此外，石墨烯稳定的正六边形晶格结构使其具有优良的导电性，室温下的电子迁移率高达1.5×104 cm2 / (V·s)。石墨烯特殊的结构、突出的导热导电性能和力学性能，引起科学界巨大兴趣，成为材料科学研究热点。 石墨烯结构图
2 石墨烯结构 石墨烯指仅有一个原子尺度厚单层石墨层片，由 sp2 杂化的碳原子紧密排列而成的蜂窝状晶体结构。石墨烯中碳 -碳键长约为 0.142nm。每个晶格内有三个σ键，连接十分牢固形成了稳定的六边状。垂直于晶面方向上的π键在石墨烯导电的过程中起到了很大的作用。石墨烯是石墨、碳纳米管、富勒烯的基本组成单元，可以将它看做一个无限大的芳香族分子，平面多环烃的极限情况就是石墨烯。 形象来说，石墨烯是由单层碳原子紧密堆积成二维蜂窝状晶格结构，看上去就像一张六边形网格构成的平面。在单层石墨烯中，每个碳原子通过 sp2 杂化与周围碳原子成键给构整流变形，每一个六边单元实际上类似苯环，碳原子都贡献出个一个未成键电子。单层石墨烯厚度仅0.35nm ，约为头发丝直径的二十万分之一。 石墨烯的结构非常稳定，碳原子之间连接及其柔韧。受到外力时，碳原子面会发生弯曲变形，使碳原子不必重新排列来适应外力，从而保证了自身的结构稳定性。 石墨烯是有限结构，能够以纳米级条带形式存在。纳米条带中电荷横向移动时会在中性点附近产生一个能量势垒，势垒随条带宽度的减小而增大。因此，通过控制石墨烯条带的宽度便可以进一步得到需要的势垒。这一特性是开发以石墨烯为基础的电子器件的基础。
氧化石墨烯还原的评价标准 摘要还原氧化石墨烯(RGO)是一种 有趣的有潜力的能广泛应用的纳米 材料。虽然我们花了相当大的努力 一直致力于开发还原方法,但它仍然 需要进一步改善,如何选择一个合适 的一个特定的还原方法是一个棘手 的问题。在这项研究中,还原氧化石 墨烯的研究者们准备了六个典型的 方法:N2H4·H2O还原,氢氧化钠还 原,NaBH4还原,水浴还原 ,高温还原以及两步还原。我们从四个方面系统的对样品包括：分散性,还原程度、缺陷修复程度和导电性能进行比较。在比较的基础上,我们提出了一个半定量判定氧化石墨烯还原的评价标准。这种评价标准将有助于理解氧化石墨烯还原的机理和设计更理想的还原方法。 引言 单层石墨烯,因为其不寻常的电子性质和应用于各个领域的潜力,近年来吸引了巨大的研究者的关注。目前石墨烯的制备方法,包括化学气相沉积(CVD)、微机械剥离石墨,外延生长法和液相剥离法。前三种方法因为其获得的石墨烯的产品均一性和层数选择性原因而受到限制。此外,这些方法的低生产率使他们不适合大规模的应用。大部分的最有前途生产的石墨烯的路线是石墨在液相中剥离氧化然后再还原,由于它的简单性、可靠性、大规模的能力生产、相对较低的材料成本和多方面的原因适合而适合生产。这种化学方法诱发各种缺陷和含氧官能团,如羟基和环氧导致石墨烯的电子特性退化。与此同时,还原过程可能导致发生聚合、离子掺杂等等。这就使得还原方法在化学剥离法发挥至关重要的作用。 到目前为止,我们花了相当大的努力一直致力于开发还原的方法。在这里我们展示一个简单的分类:使用还原剂(对苯二酚、二甲肼、肼、硼氢化钠、含硫化合物、铝粉、维生素C、环六亚甲基四胺、乙二胺(EDA) 、聚合电解质、还原糖、蛋白质、柠檬酸钠、一氧化碳、铁、去甲肾上腺素)在不同的条件(酸/碱、热处理和其他类似微波、光催化、声化学的,激光、等离子体、细菌呼吸、溶菌酶、茶溶液)、电化学电流,两步还原等等。这些不同的还原方法生成的石墨烯具有不同的属性。例如,大型生产水分散石墨烯可以很容易在没有表面活性稳定剂的条件下地实现由水合肼还原氧化石墨烯。然而,水合肼是有毒易爆,在实际使用的过程中存在困难。水浴还原方法可以减少缺陷和氧含量的阻扰。最近,两个或更多类型的还原方法结合以进一步提高导电率或其他性能。例如,水合肼还原经过热处理得到的石墨烯通常显现良好的导电性。
2004年，英国曼彻斯特大学物理学家安德烈·盖姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫，用高度定向的热解石墨首次获得了独立存在的高质量石墨烯，打破了传统的物理学观点:二维晶体在常温下不能稳定存在。两人也因此共同获得2010年诺贝尔物理学奖。 石墨烯是一种碳原子分布在二维蜂巢晶体点阵上的单原子层晶体。被认为是构建所有其他维数石墨材料的基本单元，它可以包裹成零维的富勒烯，卷曲成一维的碳纳米管或者堆垛成三维的石墨，如图所示。石墨烯晶体C-C键长为0.142nm，每个碳原子4 个价电子中的3 个通过σ键与临近的3个碳原子相连，S、Px 和Py3个杂化轨道形成强的共价键合，组成sp2杂化结构。这些σ键赋予了石墨烯极其优异的力学性质和结构刚性。拉伸强度高达130Gpa，破坏强度为42N/m，杨氏模量为1.0TPa,断裂强度为125Gpa 与碳纳米管相当。石墨烯的厚度仅为0.35nm左右，是世界上最薄的二维材料。石墨烯一层层叠起来就是石墨，厚1毫米的石墨大约包含300万层石墨烯。铅笔在纸上轻轻划过，留下的痕迹就可能是几层甚至仅仅一层石墨烯。（百度百科）石墨烯的硬度比最好的钢铁强100倍，甚至还要超过钻石，是已知的世上最薄、最坚硬的纳米材料。
石墨烯结构示意图（10） 石墨烯目前最有潜力的应用是成为硅的替代品，制造超微型晶体管，用来生产未来的超级计算机。传统的半导体和导体，例如硅和铜，由于电子和原子的碰撞，传统的半导体和导体用热的形式释放了一些能量，2013年一般的电脑芯片以这种方式浪费了72%-81%的电能。而在石墨烯中，每个碳原子都有一个垂直于碳原子平面的σz轨道的未成键的p电子，在晶格平面两侧如苯环一样形成高度巡游的大π键，可以在晶体中自由高效的迁移，且运动速度高达光速的1/300，电子能量不会被损耗，赋予了石墨烯良好的导电性。晶格平面两侧高度巡游的大π键电子又使其具有零带隙半导体和狄拉克载流子特性宽频的光吸收和非线性光学性质, 以及室温下的量子霍尔效应等。常温
ABB
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(1) (3) 1. (4) 1.1 (4) 1.2 (4) 1.3 (5) 2 (6) 2.1 (6) 2.2 (6) 3 (7) 3.1 Workplace (7) 3.1.1Operator Workplace (7) 3.1.2Plant Explorer Workplace (7) 3.2 Workplace (7) 3.3 Operator Workplace (8) 3.3.1 (9) 3.3.2 (9) 3.4 (9) 3.5 Process Graphic Display (10) 4 (10) 4.1 (10) 4.2 ) (11) 4.3 (12) 4.4 (16) 5 (16) 5.1 AC800M (17) 5.2 (17) 5.3 CPU (18) 5.4 (18) 5.4.1 (18) 5.4.2 Full Backup and Restore (22) 5.4.3 Panel common alarm (27)
1. 1.1 1.2 ABB – Asea Brown Boveri – AC800M - Advant 800 Advant Controller 800 series AI – Analog Input CB – Circuit breaker DCS – Distributed Control System DI – Digital Input DO – Digital Output DI DO AI AO HSI – Human System Interface Loadbusbar – MW – Mega Watt MVar – Mega Var OS – Operator Station P – Active Power Q – Reactive Power SR – Spinning Reserve
获奖者2010年10月5日，2010年诺贝尔物理学奖被授予英国曼彻斯特大学的安德烈·海姆和康斯坦丁·诺沃肖洛夫，以表彰他们在石墨烯材料方面的研究。 PPT1安德烈·海姆，1958年10月出生于俄罗斯，拥有荷兰国籍，父母为德国人。1987 年在俄罗斯科学院固体物理学研究院获得博士学位。他于2001年加入曼彻斯特大学，现任物理学 教授和纳米科技中心主任。之前拥有此荣誉头衔的人包括卢瑟福爵士，卢瑟福于1907-1919年在曼 彻斯特大学工作。 他至今发表了超过150篇的文章，其中有发表在自然和科学杂志上的。他获得的奖项包括2007 年的Mott Prize和2008年的Europhysics Prize。2010年成为皇家学会350周年纪念荣誉研究教授。 在2000年他还获得“搞笑诺贝尔奖”——通过磁性克服重力，让一只青蛙悬浮在半空中。10年 后的2010年他获得诺贝尔物理学奖。 2010年医学奖：荷兰的两位科学家发现哮喘症可用过山车治疗。 和平奖：英国研究人员证实诅咒可以减轻疼痛。 PPT2康斯坦丁·诺沃肖洛夫，1974年出生于俄罗斯，具有英国和俄罗斯双重国籍。2004年在荷兰奈梅亨大学获得博士学位。是安德烈·海姆的博士生。 曼彻斯特大学目前任教的诺贝尔奖得主人数增加到4名，获得诺贝尔奖的历史总人数为25位。发现 石墨属于混晶，为片层结构，层内由共价键相连，层间由分子间作用力相连。共价键是比较牢固的，但分子间作用力（范德华力）小得多。因此，石墨的单层是牢固的，而层间作用力很小，极易脱落。 2004年，他们发现了一种简单易行的新途径。他们强行将石墨分离成较小的碎片，从碎片中剥离出较薄的石墨薄片，然后用一种特殊的塑料胶带粘住薄片的两侧，撕开胶带，薄片也随之一分为二。不断重复这一过程，就可以得到越来越薄的石墨薄片，而其中部分样品仅由一层碳原子构成——他们制得了石墨烯。 结构
石墨烯制备方法研究 具有优良的力学、电学、热学及电子学性质的石墨烯，近些年来成为研究的热点。简单介绍了石墨烯制备的主要方法，包括微机械分离法、化学插层法、加热SiC法及气相沉积法。 标签：石墨烯；制备方法 0 引言 自2004年Novoselov，K. S.等使用微机械剥离法从高定向热解石墨上剥离观测到石墨烯以来，碳元素同素异形体又增加了新的一员，其独特的性能和优良的性质引起了研究人员的极大关注，掀起了一波石墨烯的研究高潮。 石墨烯又称单层石墨，是只有一个C原子层厚度的石墨，是构建其他碳质材料的结构单元。通过SP2杂化成键，碳原子与周围三个碳原子以C-C单键相连，同时每个碳原子中未成键的一个π电子形成与平面垂直的π轨道。结构决定性质，石墨烯具有强度很大的C-C键，因此其具有极高的强度（其强度为130GPa，而无缺陷的石墨烯结构的断裂强度是42N/m）。而其可自由移动的π电子又赋予了石墨烯超强的导电性（石墨烯中电子的典型传导速率为8×105m/s）。同时，石墨烯还具有一系列奇特的电子特性，如反常的量子霍尔效应，零带隙的半导体以及电子在单层石墨片层内的定域化现象等。 规模化制备大批量石墨烯是石墨烯材料应用的第一步，已成为当前研究的重点。按照石墨烯的制备途径，可以将其制备方法分为两类：自上而下制备以及自下而上制备。顾名思义，简单地说自上而下途径是从石墨中获得石墨烯的方法，主要依靠物理过程处理石墨使其分层来得到石墨烯。自下而上途径是从碳的化合物中断裂化学键生长石墨烯的方法，主要依靠加热等手段使含碳化合物分解从而生长石墨烯。 1 自上而下制备石墨烯途径 自上而下途径是从石墨出发（又可称之为石墨途径），用物理手段如机械力、超声波、热应力等破坏石墨层与层之间的范德华力来制备单层石墨的方法。根据石墨处理方法的不同，又可细分为机械剥离法和化学插层法。前者是直接使用机械方法将石墨分层来获得石墨烯的方法。后者则是将石墨先用化学插层剂处理转换为容易分层的形式如石墨插层化合物，然后再对其处理来获得石墨烯。 这类方法的优点是原料来源广泛，制备操作较为简单，制备一般不需高温，对设备要求不是很高，但是这类方法是通过石墨分层得到的，得到的单层石墨混在石墨片层中，其分离比较困难，而且生成的石墨烯尺寸不可控。 1.1 机械剥离法
迅速定量装车站 系统顾客手册 目录 第1某些迅速定量装车站简介 (3) 1.1系统概述 (3)
1.2装车工艺 (3) 1.3各子系统描述 (5) 1.3.1钢构造 (5) 1.3.2机械设备 (6) 1.3.3称重系统 (7) 1.3.4液压系统 (10) 1.3.5配电系统 (10) 1.3.6控制系统 (11) 第2某些开车和停车顺序 (13) 2.1原则 (13) 2.2自动装车启动顺序 (14) 2.3自动装车停止顺序 (v15) 2.4紧急停车 (16) 第3某些装车运营前、中、后应检查项目 (16) 3.1运营前需检查项目 (17) 3.1.1基本规定 (17) 3.1.2 重要设备 (17) 3.2 生产过程中需检查项目 (18) 3.2.1基本规定 (18) 3.2.2重要设备 (18) 3.2.3停车后需检查项目 (19) 3.2.4 控制室操作人员须知 (19) 第4某些常用问题及解决办法 A．给煤/料系统 (19) B．装载系统 (20) 第5某些计算机软件操作阐明 (21)
第1某些：迅速定量装车站简介 1.1系统概述 迅速定量装车站是基于大型料斗秤工作原理，依照列车额定载重在定量仓中预设吨位，然后通过液压闸门和溜槽控制，向行进中列车车厢迅速卸料，实现持续、迅速、精确装车。迅速定量装车系统重要由钢构造、机械设备、称重系统、液压系统、自动润滑系统、电控系统及软件系统构成。 缓冲仓作用重要是存储一定煤量，以保证在装车过程中有足够物料用于装车，避免高压皮带电机频繁启动；装车机械设备用于控制装车煤流；称重系统装车用于迅速准拟定量装车；液压系统为各种机械设备提供动力；自动润滑系统为装车机械设备提供润滑，保证设备使用寿命；电控系统用于装车系统中所有电气设备供配电和运营控制；软件系统用于判断发出各种控制指令，调节装车精度，监测各设备运营状态，记录存储装车记录和报警信息。 装车站工作制度同矿井，年工作300天，服务年限同矿井。 产品构造：块精煤灰分≤13.5%，水分<6%，分为100-25mm(洗混块)、25-13mm(洗小块)两个级别；末精煤灰分≤10.5%，水分<10%；混煤灰分≤31.5%，为动力用煤。块)两个级别；末精煤灰分≤10.5%，水分<10%；混煤灰分≤31.5%，为动力用煤。 1.2 装车工艺 工艺流程如图1.1所示，其中皮带、给煤机数量因矿而异。重要流程描述：列车到站后，一方面拟定装车品种，启动初始静态计算软件，拟定启动给煤机台数及给煤量，启动产品煤仓给料系统，落料经输煤皮带，送至装车塔楼内缓冲仓，待缓冲仓达到一定煤位后，启动持续装车系统，控制系统自动计算决定缓冲仓下液压闸门启动数量和运营时间，按给定重量精准配料将煤放至称重仓中。称重仓下安装有高精度称重传感器，对配料实时测量实时反馈，与缓冲仓形成闭环控制，逐渐减缓配料直至达到预定重量时，自动关闭缓冲仓配料闸门。列车匀速行驶，车厢就位，称重仓下卸料闸门启动，通过装车溜槽放入列车车厢，溜槽自动平煤，使车厢煤堆形成梯形堆积。装完第一节车箱后，卸料闸门自动关闭，与此同步，缓冲仓配料再次闸门自动计算启动，进行第二节车厢精准配料称重，配料完毕，车厢刚好行进到装车位置，装载第二节车厢……如此循环，列车保持持续匀速迈进，直至装完最后一节车厢后，溜槽自动提高移动到锁定位置并上栓固定，此时打印机可随后打出具备装车日期、时间、车号、车型、原则载重、净重、误差、收货
。 中国太平洋保险（集团）股份有限公司Xxxxxxxxxxx项目 系统安装部署手册 V1.0 项目经理： 通讯地址： 电话： 传真： 电子邮件：
文档信息 1引言 (3) 1.1编写目的 (3) 1.2系统背景 (3) 1.3定义 (3) 1.4参考资料 (3) 2硬件环境部署 (3) 2.1硬件拓扑图 (3) 2.2硬件配置说明 (3) 3软件环境部署 (3) 3.1软件环境清单 (3) 3.2软件环境部署顺序 (3) 3.3操作系统安装 (4) 3.4数据库安装 (4) 3.5应用级服务器安装 (4) 3.6其他支撑系统安装 (4) 4应用系统安装与配置 (4) 4.1应用系统结构图 (4) 4.2安装准备 (4) 4.3安装步骤 (4) 4.4系统配置 (5) 5系统初始化与确认 (5) 5.1系统初始化 (5) 5.2系统部署确认 (5) 6回退到老系统 (5) 6.1配置回退 (5) 6.2应用回退 (5) 6.3系统回退 (5) 6.4数据库回退 (5) 7出错处理 (5) 7.1出错信息 (5) 7.2补救措施 (5) 7.3系统维护设计......................................................... 错误！未定义书签。
1 引言 1.1 编写目的 [说明编写系统安装部署手册的目的] 1.2 系统背景 [ a ． 说明本系统是一个全新系统还是在老系统上的升级； b ． 列出本系统的使用单位/部门、使用人员及数量。] 1.3 定义 [列出本文件中用到的专门术语的定义和缩写词的原词组。] 1.4 参考资料 [列出安装部署过程要用到的参考资料，如： a ． 本项目的完整技术方案； b ． 系统运维手册； c ． 其他与安装部署过程有关的材料，如：工具软件的安装手册] 2 硬件环境部署 2.1 硬件拓扑图 [列出本系统的硬件拓扑结构，如服务器、网络、客户端等。] 2.2 硬件配置说明 [列出每一台硬件设备的详细配置，如品牌、型号、CPU 数量、内存容量、硬盘容量、网卡、带宽、IP 址址、使用、应部署哪些软件等等] 3 软件环境部署 3.1 软件清单 [列出需要用到哪些软件，包括操作系统软件、数据库软件、应用服务器软件和其他支撑系统软件等，要列明每个软件的全称、版本号、适用操作系统、LICENSE 数量等] 3.2 软件环境部署顺序 [列出每一台硬件上的软件安装顺序，如果不同硬件间的软件安装顺序存有依赖关系，也要在备注中列出，
石墨烯的制备方法概述 1物理法制备石墨烯 物理方法通常是以廉价的石墨或膨胀石墨为原料，通过机械剥离法、取向附生法、液相或气相直接剥离法来制备单层或多层石墨烯。这些方法原料易得,操作相对简单，合成的石墨烯的纯度高、缺陷较少。 1.1机械剥离法 机械剥离法或微机械剥离法是最简单的一种方法，即直接将石墨烯薄片从较大的晶体上剥离下来。Novoselovt等于2004年用一种极为简单的微机械剥离法成功地从高定向热 解石墨上剥离并观测到单层石墨烯，验证了单层石墨烯的独立存在。具体工艺如下：首先利用氧等离子在1mm厚的高 定向热解石墨表面进行离子刻蚀，当在表面刻蚀出宽20μm —2mm、5μm的微槽后，用光刻胶将其粘到玻璃衬底上， 再用透明胶带反复撕揭，然后将多余的高定向热解石墨去除并将粘有微片的玻璃衬底放入丙酮溶液中进行超声，最后将单晶硅片放入丙酮溶剂中，利用范德华力或毛细管力将单层石墨烯“捞出”。 但是这种方法存在一些缺点，如所获得的产物尺寸不易控制，无法可靠地制备出长度足够的石墨烯，因此不能满足工业化需求。
1.2取向附生法—晶膜生长 PeterW.Sutter等使用稀有金属钌作为生长基质，利用基质的原子结构“种”出了石墨烯。首先在1150°C下让C原子渗入钌中，然后冷却至850°C，之前吸收的大量碳原子就会浮到钌表面，在整个基质表面形成镜片形状的单层碳原子“孤岛”，“孤岛”逐渐长大，最终长成一层完整的石墨烯。第一层覆盖率达80%后，第二层开始生长，底层的石墨烯与基质间存在强烈的交互作用，第二层形成后就前一层与基质几乎完全分离，只剩下弱电耦合，这样制得了单层石墨烯薄片。但采用这种方法生产的石墨烯薄片往往厚度不均匀，且石墨烯和基质之间的黏合会影响制得的石墨烯薄片的特性。 1.3液相和气相直接剥离法 液相和气相直接剥离法指的是直接把石墨或膨胀石墨(EG)(一般通过快速升温至1000°C以上把表面含氧基团除去来获取)加在某种有机溶剂或水中，借助超声波、加热或气流的作用制备一定浓度的单层或多层石墨烯溶液。Coleman等参照液相剥离碳纳米管的方式将墨分散在N-甲基-吡咯烷酮(NMP)中，超声1h后单层石墨烯的产率为1%，而长时间的 超声(462h)可使石墨烯浓度高达1.2mg/mL。研究表明，当溶剂与石墨烯的表面能相匹配时，溶剂与石墨烯之间的相互作用可以平衡剥离石墨烯所需的能量，能够较好地剥离石墨烯
石墨烯纤维纱的性能及其应用 石墨烯的发现 石墨烯是目前发现的最薄、最坚硬、导电性能最强的新型纳米材料，从2004年石墨烯在实验室被正式制备以来，受到全球广泛关注，被誉为“新材料之王”。在国内，相关技术人员通过打开分子链，嵌入金属模板，利用高科技高温煅烧这一航天技术，成功从玉米芯纤维素中研制出生物质石墨烯，全球首创，成为2016年纤维新秀。 用石墨烯纤维面料的独特功效 1、体温即可激发的远红外 石墨烯特有人体体温激发远红外功能，促进血液微循环，加速新陈代谢，有效放松肌肉缓解疲劳，用石墨烯纤维面料制作贴身衣物，亲肤能改善血液微循环，缓解慢性疼痛，有效改善人体亚健康。 2、抗菌抑菌 石墨烯纤维特有抗菌抑菌功能，有效抑制真菌的滋生，抑菌除臭功能显著。 3、吸湿透气 石墨烯纤维同时具有祛湿透气功能，能持久保持肌肤干爽，透气舒适，有效保护私处健康。 4、抗静电 天然抗静电功能，让穿着更舒适。 5、防紫外线 石墨烯纤维同时具防紫外线功能，无论制作贴身衣物还是外穿时装，功能同样出众。
石墨烯纤维的应用范围 、墨烯内暖纤维石墨烯内暖纤维是由生物质石墨烯与各类纤维复合而成的一种智能多功能纤维新材料，具备超越国际先进水平的低温远红外功能，集防静电等作用于一身。 石墨烯内暖纤维长丝、短纤规格齐全，短纤可与棉毛丝麻等纤维以及涤纶腈纶等其他各种纤维等其他各种纤维搭配混纺，长丝可与各种纤维交织，制备不同功能需求的纱线面料。 在纺织领域，可以制成袜类、婴幼服饰、家居面料、户外服装等。石墨烯内暖纤维的用途服装领域，还可以应用于车辆内饰、美容卫材、摩擦材料、过滤材料等。 墨烯内暖绒材料石墨烯内暖绒是由生物质石墨烯均匀分散于涤纶空白切片中进行共混纺丝生产而成。该技术既充分利用了可的低成本生物质资源，又将生物质石墨烯的功能充分展现到纤维中，获得了高性能、高附加值的新型纺织材料。石墨烯内暖绒材料具有远红外升温、保暖透气、抗静电等多功能特性，作为填充材料应用于棉被、羽绒服等，对提升纺织工业创新能力和推动高附加值产品开发具有重大意义和市场价值。
石墨烯 世界2010年最大的科学笑话？ 是“石墨薄片”获2010世界诺贝尔物理学奖? 获奖理由是说：获奖科学家用小学生使用的铅笔，在纸上涂抹下铅笔芯中的石墨粉，再用胶粘纸，进行反复粘贴，石墨粉变薄，而能创造出天下奇迹。也就是石墨粉越薄，强度越大，强得能超过钢铁100倍？越薄越能耐高温？越薄越有超导电性？而没有任何事实根据支持，竟然获奖。 “石墨薄片”获奖，被推荐和评选为2010世界最大笑的理由是：因为在宇宙间，在世界上找不到，永远也找不到，物质越薄，强度越大，越能耐高温，电阻越小的物质和事实存在,诺贝尔奖又是世界上的大事。而宇宙间有数不尽的大自然机器早已作了上百亿年的试验，证据事实数据堆山塞海。人类也进行了数不尽的物质材料验证实验，事实证据也无处不在。无不说明在地球上，人世间绝对没有，物质越薄强度越大……的物质和事实存在。难道宇宙和人类早已进行了千年，万年……. 的辛苦实验，还不如用铅笔在纸上毫无事实根据的胡乱画圈？而世界顶级的科学家们，则对大自然的事实视而不见，就此胡乱的相信和评选.....，还有我们更多无知的吹捧，难道不是天下的大笑话？如果您不相信可以去自作小学生的实验，去看一看变相批评瑞典皇家科学院，2010年物理学评审委员会的建议文章，就会更明白。当
然还有在自由的环境下，用“石墨诺贝尔笑话奖”这个题目就能看到成千上万的科学精英们，对此问题是怎么说的？又是怎么样去看？
科学家将石墨烯聚光能力提高20倍 据美国物理学家组织网8月30日报道，英国科学家表示，他们对石墨烯的最新研究表明，让石墨烯与金属纳米结构结合可将石墨烯的聚光能力提高20倍，改进后的石墨烯设备有望在未来的高速光子通讯中用作光敏器，让速度为现在几十倍的超高速互联网成为现实。相关研究发表于《自然—通讯》杂志上。 2010年，英国曼彻斯特大学的安德烈·盖姆和康斯坦丁·诺沃谢洛夫因在石墨烯研究领域的突出贡献而荣膺诺贝尔奖。现在，他们和剑桥大学科学家做出了这项最新发现，为提高互联网和其他通讯设施的速度铺平了道路。 此前科学家们就发现，将两根紧密排列的金属丝放在石墨烯上方，用光照射于其上会产生电力，这个简单的设备其实是一个基本的太阳能电池。更重要的是，因为石墨烯内的电子拥有高流动性和高速度等独特属性，石墨烯设备处理数据的速度可能是目前最快的互联网光缆的几十倍甚至几百倍。 然而，迄今为止，这些极富应用潜力的设备在实用过程中一直遭遇聚光效率低下这一瓶颈，石墨烯只能吸收照射于其上的3%的光线来产生电力，其余光线全成了“漏网之鱼”。
北京化工大学本科生毕业论文
题目石墨烯薄膜制备方法研究 诚信申明 本人声明： 所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的研究生成果，除了文中特别加以标注和致谢之处外，论文中不包含他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得北京化工大学或其他教育机构的学位或证书而是用过的材料，其他同志对研究所做的贡献均已在论文中作了声明并表示了谢意。 申请学位论文与资料若有不实之处，本人愿承担一切相关责任。本科生签名：日期：年月日
本科生毕业设计（论文）任务书 设计（论文）题目：石墨烯薄膜制备方法研究 学院：化学工程学院专业：化学工程与工艺班级：化工0805 学生：艾东东指导教师（含职称）：元炯亮副教授专业负责人：刘晓林 1．设计（论文）的主要任务及目标 主要任务：（1）利用Hummers法制备氧化石墨； （2）利用电化学还原法制备石墨烯。 主要目标：配置一定浓度的氧化石墨溶液，导电玻璃作为基底，将氧化石墨溶液涂于导电玻璃表面，在恒电压下还原氧化石墨，制得薄层石墨烯。 2．设计（论文）的基本要求和内容 了解石墨烯国内外的研究现状和发展趋势，以及有关石墨烯的一些制备方法和表征手段，掌握基本的实验操作技能，学会分析实验结果。毕业论文完成后应具备独立进行研究的能力。 3．主要参考文献 [1] 朱宏伟，徐志平，谢丹等.石墨烯-结构、制备方法与性能表征[M].北京：清华大学出版社，2011:36～45 [2]郭鹏.石墨烯的制备、组装及应用研究[D],北京：北京化工大学，2010 [3] Hummers W S, Offeman R E, Preparation of graphite oxide[J].J Am Chem Soc, 1958,80(6):1339 4．进度安排 设计（论文）各阶段名称起止日期 1 前期文献查阅并准备开题2012.2.15～2012.2.29 2 进行相关实验，处理实验数据，分析结果2012.3.1～2012.5.1 3 总结实验结果，编写实验论文2012.5.1～2012.5.20 4 完善毕业论文，进行相关的修改2012.5.20～2012.5.30 5 准备毕业答辩及毕业相关的工作2012.5.30～2012.6.5
ANYANG INSTITUTE OF TECHNOLOGY 《材料物理》期末论文 石墨烯的性能及应用 学院名称：数理学院 专业班级：应用物理学11-1班 学生姓名：邢俊俊 学号： 201111020026 2014年6月
石墨烯的性能及应用 摘要：石墨烯其貌不扬，其微片看上去就好像是棉花一样的黑色絮状物，可它为什么如此受追捧？答案其实并不复杂。因为它太轻薄了，只有一个原子厚度，却又非常坚硬。除此之外，它还拥有优秀的导热性、极低的电阻率。在轻薄坚固的同时，它还几乎是完全透明的。这些特性让研究者们能够创造出无限的可能性，无怪乎石墨烯横空出世之时业界震惊。 关键词：石墨烯、新材料、物质、科技 Abstract:Graphene does not seem good, its microchip looks like black cotton floc, but why it can be so popular these days? The answer is not complicated. Because it is so thin and only has one atom thick, it is very hard, however. In addition, it has excellent thermal conductivity and low resistivity. It is in strong light while almost completely transparent. These features allow the researchers are able to create infinite possibilities, no wonder when the industry turned out of graphene shocked. Key words: Graphene, new materials, substances, Technology 1、前言： 石墨烯是一种由碳原子构成的单层片状结构的新材料。是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜，只有一个碳原子厚度的二维材料。石墨烯一直被认为是假设性的结构，无法单独稳定存在，直至2004年，英国曼彻斯特大学物理学家安德烈?海姆(Andre Geim)和康斯坦丁?诺沃肖洛夫(Konstantin Novoselov)，成功地在实验中从石墨中分离出石墨烯，而证实它可以单独存在，两人也因“在二维石墨烯材料的开创性实验”，共同获得2010年诺贝尔物理学奖。 石墨烯是已知的世上最薄、最坚硬的纳米材料，它几乎是完全透明的，只吸
一．文献综述 随着社会的发展，人们对材料的要求越来越高，碳元素在地球上分布广泛,其独特的物理性质和多种多样的形态己逐渐被人类发现、认识并利用。1924年 确定了石墨和金刚石的结构;1985年发现了富勒烯；1991年发现了碳纳米管；2004年,曼彻斯特大学Geim等成功制备的石墨烯是继碳纳米管被发现后富勒烯 家族中又一纳米级功能性材料，它的发现使碳材料领域更为充实,形成了从零维、一维、二维到三维的富勒烯、碳纳米管、石墨烯以及金刚石和石墨的完整系统。而2004年至今,关于氧化石墨烯和石墨烯的研究报道如雨后春笋般涌现，其已 成为物理、化学、材料学领域的国际热点课题。 制备石墨烯的方法有很多种，如外延生长法，氧化石墨还原法，CVD法， 剥离-再嵌入-扩涨法以及有机合成法等。在本文中主要介绍氧化石墨还原法。 除此之外，还对其的一些性能进行表征。 二．石墨烯材料 2.1石墨烯材料的结构和特征 石墨烯(gr即hene)是指碳原子之间呈六角环形排列的一种片状体,由一层 碳原子构成,可在二维空间无限延伸,可以说是严格意义上的二维结构材料,同时,它被认为是宇宙上最薄的材料[`2],也被认为是有史以来见过的最结实的材料。 ZD结构的石墨烯具有优异的电子特性,且导电性依赖于片层的形状和片层数,据悉石墨烯是目前已知的导电性能最出色的材料,可运用于导电高分子复合 材料,这也使其在微电子领域、半导体材料、晶体管和电池等方面极具应用潜力。有专家指出,如果用石墨烯制造微型晶体管将能够大幅度提升计算机的运算速度,其传输电流的速度比电脑芯片里的硅元素快100倍。近日,某科技日报称,mM的 研究人员展示了由石墨烯材料制作而成的场效应晶体管(FET),经测试,其截止频率可达100吉赫兹(GHz),这是迄今为止运行速度最快的射频石墨烯晶体管。石 墨烯的导热性能也很突出,且优于碳纳米管。石墨烯的表面积很大,McAlliste: 等通过理论计算得出石墨烯单片层的表面积为2630扩/g,这个数据是活性炭的 2倍多,可用于水净化系统。
. . .. . . 报告题目：石墨烯的结构、制备、性能及应用研究进展 一、书目信息： 二、评分标准 1.格式规、容简明扼要。报告中引用的数据、观点等要注明出处20分 2. 报告结构合理，表述清晰20分 3. 石墨烯的结构、性能、制备方法概述正确、新（查阅5篇以上的文献）20分 4. 石墨烯的应用研究进展概述（文献）全、新（查阅5篇以上的文献）20分 5. 心得及进一步的研究展望真实，无抄袭与剽窃现象20分 三、教师评语 请根据写作容给定成绩，填入“成绩”部分。 注1：本页由报告题目、书目信息有学生填写，其余由教师填写。提交试卷时含本页。学生从第二页开始写作，要求见蓝色字体部分。 注2：“阅卷教师评语”部分请教师用红色或黑色碳素笔填写，不可用电子版。无“评语”视为不合规。注3：不符合规试卷需修改规后提交。 摘要 碳是自然界中万事万物的重要组成物质，也是构成生命有机体的主要元素。石墨和金刚石是两种典型的单质碳，也是最早为人们所熟知的两种碳的三维晶体结构，属于天然矿
密封线 石。除石墨和金刚石外，碳材料还包括活性炭、碳黑、煤炭和碳纤维等非晶形式。煤是重 要的燃料。碳纤维在复合材料领域有重要的应用。20 世纪80 年代，纳米材料与技术获得 了极大的发展。纳米碳材料也是从这一时期开始进入历史的舞台。1985 年，由60 个碳原 子构成的“足球”分子：C60被三位英美科学家发现。随后，C70、C86等大分子相继出现， 为碳家族添加了一大类新成员：富勒烯。富勒烯是碳的零维晶体结构，它们的出现开启了 富勒烯化学新篇章。三位发现者于1996 年获诺贝尔化学奖。1991 年，由石墨层片卷曲 而成的一维管状纳米结构：碳纳米管被发现。如今，碳纳米管已经成为一维纳米材料的典 型代表。发现者饭岛澄男于2008 年获卡弗里纳米科学奖。2004 年，一位新成员：石墨 烯，出现在碳材料的“家谱”中。石墨烯的发现者，两位英国科学家安德烈·盖姆（Andre Geim）和康斯坦丁·诺沃肖罗夫（Konstantin Novoselov）于2010 年获诺贝尔物理学 奖。 关键词：碳材料复合材料晶体结构 1 石墨烯的结构 石墨烯是sp2杂化碳原子形成的厚度仅为单层原子的排列成蜂窝状六角平面晶体。在单层石墨烯中，碳碳键长为0.142nm，厚度只有0.334nm。石墨烯是构成下列碳同素异型体的基本单元：例如：石墨，碳纳米管和富勒烯。石墨烯被认为是平面多环芳香烃原子晶体。 2 石墨烯的制备 2.1 物理法制备石墨烯 物理方法通常是以廉价的石墨或膨胀石墨为原料，通过机械剥离法、取向附生法、液相或气相直接剥离法来制备单层或多层石墨烯。这些方法原料易得, 操作相对简单，合成的石墨烯的纯度高、缺陷较少。 2.1.1机械剥离法 机械剥离法或微机械剥离法是最简单的一种方法，即直接将石墨烯薄片从较大的晶体上剥离下来。Novoselovt 等[1]于2004年用一种极为简单的微机械剥离法成功地从高定向热解石墨上剥离并观测到单层石墨烯，验证了单层石墨烯的独立存在。具体工艺如下：首先利用氧等离子在 1 mm厚的高定向热解石墨表面进行离子刻蚀，当在表面刻蚀出宽20 μm—2 mm、深 5 μm的微槽后，用光刻胶将其粘到玻璃衬底上，再用透明胶带反复撕揭，然后将多余的高定向热解石墨去除并将粘有微片的玻璃衬底放入丙酮溶液中进行超声，最后将单晶硅片放入丙酮溶剂中，利用德华力或毛细管力将单层石墨烯“捞出”。 2.1.2取向附生法—晶膜生长
LCS-100型定量快速装车站的推广应用 一、项目简介： 由于技术条件、经济条件限制，原有各矿井铁路装车模式均采用传统装车系统，传统装车系统存在效率低下，装车滞留时间较长，需要大量人工作业等缺点，企业产销环节脱节，严重制约企业的经济效益提升。 1、实施单位：双马煤矿、金凤煤矿、羊场湾煤矿、任家庄煤矿、太西洗煤厂、清水营煤矿、梅花井煤矿、枣泉煤矿 2、实施时间：2002年5月至今 3、项目实施的背景、条件 随着集团公司原煤产量日益增大，对装车系统提出了更高的要求。为了提高装车效率，节省人力，集团公司经过产品对比、技术论证调查，决定选用LCS-100型定量快速装车站系统。该系统具有安装形式简便、设备布置紧凑、占用场地面积小、自动化程度高、维护量小、需用操作人员少、装车速度快及具有称重能力等特点。 目前公司共有双马煤矿5400t/h、金凤煤矿5400t/h、羊场湾煤矿5500t/h、任家庄煤矿5400t/h、太西洗煤厂5000t/h、清水营煤矿5000t/h、梅花井煤矿5400t/h、枣泉煤矿5300t/h等八个矿井均安装了LCS-100型铁路快速装车系统，以及石槽村煤矿安装一套5400t/h筒仓式铁路快速定量装车系统，以上快速装车系统在企业的原煤销售环节起到了至关重要的作用，保证了运销环节的高效运行。 4、运用的技术 快速定量技术、自动控制技术。
5、实现的效果 优化铁路装车作业工序，将原本需要大量人工作业的工序全部集成为自动化操作，特别是系统具备的自动打印报表等功能，方便了企业产销统计工作。自动配煤、自动装车不仅减少了人工投入，实现在作业环节中的安全保障，同时提高了装车的速度、精度，节省了装车作业时的滞留时间。 二、技术内容 1.技术方案 选用LCS-100型定量快速装车站系统替代了传统多人员参与装车系统，减少劳动力、提高安全管理水平。LCS-100型定量快速装车站主要参数如下： 装车能力：标准5500 t／h，最高可达到8000 t／h； 缓冲仓缓冲能力：0～1000 t； 称量范围：0～100 t； 称重传感器精度：0.01%； 装车精度：单车装车精度0.1%，整列车装车精度0.05%； 铁路线形：贯通式、环线、尽头式及各类站场； 铁路线间距：≥5m； 牵引方式：电力机车、内燃机车、蒸汽机车、调车绞车等； 牵引速度：0.8～2.0 km／h 适用车型：现有各类车型； 操作方式：自动、半自动、手动； 结构形式：单线单套快速定量装车站
石墨烯学习心得 最近这段时间断断续续搜集了很多纳米材料、半导体物理还有石墨烯的相关资料，主要是来自万方数据网、超星学术视频网站、百度文库还有一些相关网页博客资料。了解到了很多之前闻所未闻的知识，比如“纳米材料的神奇特性、纳米科技潜在的危害”等等。 对于石墨烯，主要有如下几方面不成熟的想法，还望老师您来指正。 （1） 在石墨烯新奇特性以及宏观应用预测方面 有人认为，石墨烯的这些新奇的特性以及预期应用并不能推广到宏观尺寸。 第一是认为很多实验数据都是来源于对微纳米级单层石墨烯的实验研究，不能把纳米微米级观察和测试到的数据无限夸大到宏观应用； 第二是认为单层悬浮石墨烯的特异性是依靠其边界碳原子的色散作用而稳定存在，大面积的单层悬浮石墨稀不可能稳定存在。第三是认为目前的大面积石墨烯的应用实例存在相当大的褶皱以及碳原子缺失。因而否定很多2010年诺贝尔物理奖的公告中对于石墨稀的宏观应用预测，并主张继续深入石墨烯微观性能研究，比如半导体器件等研究。 我想：我们最好还是不能放弃石墨烯在宏观尺度上应用的希望，应该尽最大努力用各种手段去克服所谓的褶皱、碳原子缺失等等导致石墨烯性质不能稳定存在的负面因素，比如采用衬底转移（CVD）的方式所制大面积石墨烯透明电极尺寸的方法（虽然制得的石墨烯还有很多的缺陷，但至少证明大面积石墨烯还是有可能稳定存在并最终为我们所用的吧，毕竟有宏观实际应用的材料才更有可能是有发展前景的新型材料）。 （2） 在石墨烯制备工艺方面 我们知道，石墨烯非常有希望在诸多应用领域中成为新一代器件，但这些元件要达到实际应用水平,还需要解决很多问题。那就是如何在所要求的基板或位置制作出不含缺陷及杂质的高品质石墨烯,或者通过掺杂 (Doping)法实现所期望载流子密度的石墨烯。用于透明导电膜用途时能否实现大面积化及量产化,而用于晶体管用途时能否提高层控制精度,这些问题都十分重要。今后,为了探寻石墨烯更广阔的应用领域,还需继续寻求更为优异的石墨烯制备工艺,使其得到更好的应用。（3） 石墨烯在纳米存储器上的应用前景 传统的半导体工艺技术已逐渐逼近物理极限，难以大幅度提高存
石墨烯的制备 摘要: 近年来, 石墨烯以其独特的结构和优异的性能, 在化学、物理和材料学界引起了广泛的研究兴趣. 人们已经在石墨烯的制备方面取得了积极的进展, 为石墨烯的基础研究和应用开发提供了原料保障. 本文大量引用近三年最新参考文献, 综述了石墨烯的制备方法: 物理方法(微机械剥离法、液相或气相直接剥离法)与化学法(化学气相沉积法、晶体外延生长法、氧化?还原法), 并详细介绍了石墨烯的各种修饰方法. 分析比较了各种方法的优缺点, 指出了石墨烯制备方法的发展趋势. 关键词: 石墨烯; 石墨烯氧化物; 制备; 功能化石墨烯。 背景摘要 2004年, 英国曼彻斯特大学的Geim研究小组首次制备出稳定的石墨烯, 推翻了经典的“热力学涨落不允许二维晶体在有限温度下自由存在”的理论, 震撼了整个物理界[1], 引发了石墨烯的研究热潮[2]. 理想的石墨烯结构可以看作被剥离的单原子层石墨, 基本结构为sp2杂化碳原子形成的类六元环苯单元并无限扩展的二维晶体材料, 这是目前世界上最薄的材料—单原子厚度的材料. 这种特殊结构蕴含了丰富而新奇的物理现象, 使石墨烯表现出许多优异性质[3-6], 石墨烯不仅有优异的电学性能(室温下电子迁移率可达 2×105cm2/(V·s))[7-8], 突出的导热性能
(5000 W/(m·K))[9-10], 超常的比表面积(2630 m2/g)[11], 其杨氏模量(1100 GPa)和断裂强度(125 GPa)[12-13]也可与碳纳米管媲美, 而且还具有一些独特的性能, 如完美的量子隧道效应、半整数量子霍尔效应、永不消失的电导率等一系列性质[14]等. 与碳纳米管相比, 石墨烯的主要性能均与之相当, 甚至更好, 避免了碳纳米管研究和应用中难以逾越的手性控制、金属型和半导体型分离以及催化剂杂质等难题, 而且制备石墨烯的原料价格便宜. 正是由于石墨烯材料具有如此众多奇特的性质, 引起了物理、化学、材料等不同领域科学家的极大研究兴趣, 也使得石墨烯在电子、信息、能源、材料和生物医药等领域具有重大的应用前景。 一．石墨烯的制备方法概述 目前有关石墨烯的制备方法, 国内外有较多的文献综述，石墨烯的制备主要有物理方法和化学方法. 物理方法通常是以廉价的石墨或膨胀石墨为原料, 通过微机械剥离法、液相或气相直接剥离法来制备单层或多层石墨烯, 此法原料易得, 操作相对简单, 合成的石墨烯的纯度高、缺陷较少, 但费时、产率低下, 不适于大规模生产. 目前实验室用石墨烯主要多用化学方法来制备, 该法最早以苯环或其它芳香体系为核, 通过多步偶联反应取代苯环或大芳香环上6个, 循环往复, 使芳香体系变大, 得到一定尺寸的平面结构的石墨烯(化学合成法)[20]. 2006年Stankovich等[21]首次用肼还原脱除石墨烯氧化物(graphene oxide, 以下简称GO)的含氧基团从而恢复单层石墨的有序结构(氧化?还原法), 在此基础上人们