简介
达林顿管就是两个三极管接在一起，极性只认前面的
三极管。具体接法如下，以两个相同极性的三极管为例，前面三极管集电极跟后面三极管集电极相接，前面三极管射极跟后面三极管基极相接，前面三极管功率一般比后面三极管小，前面三极管基极为达林顿管基极，后面三极管射极为达林顿管射极，用法跟三极管一样，放大倍数是两个三极管放大倍数的乘积。
编辑本段原理
达林顿管原理达林顿管又称复合管。为共基组合放大器，以组成一只等效的新的三极管。这等效于三极管的放大倍数是二者之积。在电子学电路设计中，达林顿接法常用于功率放大器和稳压电源中。
编辑本段相关
达林顿电路有四种接法：NPN+NPN，PNP+PNP，NPN+PNP,PNP+NPN.前二种是同极性接法，后二种是异极性接法。NPN+NPN的同极性接法：B1为B，C1C2为C，E1B2接在一起，那么E2为E。这里也说一下异极性接法。以NPN+PNP为例。设前一三极管T1的三极为C1B1E1，后一三极管T2的三极为C2B2E2。达林顿管的接法应为：C1B2应接一起，E1C2应接一起。等效三极管CBE的管脚，C=E2,B=B1，E=E1(即C2）。等效三极管极性，与前一三极管相同。即为NPN型。PNP+NPN的接法与此类同。NPN PNP同极型达林顿三极管NPN PNP 等效一只三极管异极型达林顿三极管达林顿管的典型应用1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。2、驱动小型继电器利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，如右上图所示。虚线框内是小功率NPN达林顿管FN020。3、驱动LED智能显示屏LED智能显示屏是由微型计算机控制，以LED矩阵板作显示的系统，可用来显示各种文字及图案。该系统中的行驱动器和列驱动器均可采用高β、高速低压降的达林顿管。图2是用BD683(或BD677)型中功率NPN达林顿管作为列驱动器，而用BD682(或BD678)型PNP达林顿管作行驱动器，控制8×8LED矩阵板上相应的行(或列)的像素发光。应注意的是，达林顿管由于内部由多只管子及电阻组成，用万用表测试时，be结的正反向阻值与普通三极管不同。对于高速达林顿管，有些管子的前级be结还反并联一只输入二极管，这时测出be结正反向电阻阻值很接近，容易误判断为坏管，请注意。4、判断达林顿管等效为何种类型的三极管：首先看看第一只管是什么类型的，第一只管是什么类型的，那么这只达林顿管就是什么类型的，与第二只无关！更加重要的是，要判断两个晶体管能否形成达林顿管关键要看电流，如果工作电流冲突，则不能构成达林顿管结构。也可以根据PNP或者NPN管的标志来判断，其实本质上三极管上所标的箭头也是其工作电流的流向。
达林顿晶体管DT（Dar1ington Transistor）亦称复合晶体管。它采用复合过接方式，将两只或更多只晶体管的集电极连在一起，而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体
管的基极，依次级连而成，最后引出E、B、C三个电极。
图1是由两只NPN或PNP型晶体管构成达林顿管的基本电路。假定达林顿管由N只晶体管（TI-Tn）组成，每只晶体管的放大系数分别这hFE1、hFE2、hFEn。则总放大系数约等
于各管放大系数的乘积：
hFE≈hFE1·hFE2……hFEn
因此，达林顿管具有很高的放大系数，值可以达到几千倍，甚至几十万倍。利用它不仅能构成高增益放大器，还能提高驱动能力，获得大电流输出，构成达林顿功率开关管。在光电耦合器中，也有用达林顿管作为接收管的。达林顿管产品大致分成两类，一类是普通型，内部无保护电路，另一类则带有保护电路。下面分别介绍使用万用表检测这两类达林顿管的方法。
1．普通达林顿管的检测方法
普通达林顿管内部由两只或多只晶体管的集电极连接在一起复合而成，其基极B与发射极E之间包含多个发射结。检测时可使用万用表的R×1k或R×10k档来测量。
测量达林顿管各电极之间的正、反向电阻值。正常时，集电极C与基极B之间的正向电阻值（测NPN管时，黑表笔接基极B；测PNP管时，黑表笔接集电极C）值与普通硅
晶体管集电结的正向电阻值相近，为3~10kΩ之间，反向电阻值为无穷大。而发射极E与基极B之间的的正向电阻值（测NPN管时，黑表笔接基极B；测PNP管时，黑表笔接发射极E）是集电极C与基极B之间的正、反向电阻值的2~3倍，反向电阻值为无穷大。集电极C与发射极E之间的正、反向电阻值均应接近无穷大。若测得达林顿管的C、E极间的正、反向电阻值或BE极、BC极之间的正、反向电阻值均接近0，则说明该管已击穿损坏。若测得达林顿管的BE极或BC极之间的、反向电阻值为无穷大，则说明该管已开路损坏。
2. 大功率达林顿管的检测
大功率达林顿管在普通达林顿管的基础上增加了由续流二极管和泄放电阻组成的保护电路，在测量时应注意这些元器件对测量数据的影响。
用万用表R×1k或R×10k档，测量达林顿管集电结（集电极C与基极B之间）的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（NPN管的基极接黑表笔时）应较小，为1~10kΩ，反向
电阻值应接近无穷大。若测得集电结的正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明该管已击穿短路或开路损坏。
用万用表R×100档，测量达林顿管发射极E与基极B之间的正、反向电阻值，正常值均为几百欧姆至几千欧姆（具体数据根据B、E极之间两只电阻器的阻值不同而有所差异。例如，BU932R、MJ10025等型号大功率达林顿管B、E极之间的正、反向电阻值均为600Ω左右），若测得阻值为0或无穷大，则说明被测管已损坏。
用万用表R×1k或R×10k档，测量达林顿管发射极E与集电极C之间的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（测NPN管时，黑表笔接发射极E，红表笔接集电极C；测PNP 管时，黑表笔接集电极C，红表笔接发射极E）应为5~15kΩ（BU932R为7kΩ），反向电阻值应为无穷大，否则是该管的C、E极（或二极管）击穿或开路损坏。
注意事项：
某些改进型达林顿管还在R1、R2各并联一只二极管D2、D3，当B-E之间加反向电压时，测出的就不是(R1+R2)电阻之和，而是两只二极管的正向压降之和(VF2+VF3)。
一些达林顿管参数：
型号Pcm[W] Icm[A] Vceo[V] fT[MHz] 封装用途说明生产厂商
2N6035 40 4 60 - TO-225 - PNP -
2N6036 40 4 80 - TO-225 - PNP -
2N6038 40 4 60 - TO-225 - NPN -
2N6039 40 4 80 - TO-225 - NPN -
2N6040 75 8 60 - TO-220 - PNP
2N6042 75 8 100 - TO-220 - PNP
2N6043 75 8 60 - TO-220 - PNP
2N6045 - - - TO-220 - -
2SB794 10 1.5 60 - TO-126 - PNP NEC
2SB795 10 1.5 80 - TO-126 -
PNP NEC
2SC3075 - - - - TO-126 - - -
2SC3294 - - - TO-202 - - -
BD643 62.5 8 45 - TO-220 - NPN -
BD644 62.5 8 45 - TO-220 - PNP -
BD645 62.5 8 60 - TO-220 - NPN -
BD646 62.5 8 60 - TO-220 - PNP -
BD647 62.5 8 80 - TO-220 - NPN -
BD648 62.5 8 80 - TO-220 - PNP -
BD649 62.5 8 100 - TO-220 - NPN -
BD650 62.5 8 100 - TO-220 - PNP -
BD651 62.5 8 120 - TO-220 -
BD652 62.5 8 120 - TO-220 - PNP -
BD677 40 4 60 - SOT-32 - NPN -
BD678 40 4 60 - SOT-32 - PNP -
BD679 40 4 80 - SOT-32 - NPN -
BD680 40 4 80 - SOT-32 - PNP -
BD681 40 4 100 - SOT-32 - NPN -
BD682 40 4 100 - SOT-32 - PNP -
BDW42 85 15 100 - TO-220 - NPN
BDW46 85 15 80 - TO-220 - NPN
BDW47 85 15 100 - TO-220 - NPN
BDW53 40 4 45 - TO-220 -
BDW53A 40 4 60 - TO-220 - NPN -
BDW53B 40 4 80 - TO-220 - NPN -
BDW53C 40 4 100 - TO-220 - NPN -
BDW53D 40 4 120 - TO-220 - NPN -
BDW63A - - - TO-220 - - BDX34 70 10 45 - TO-220 - PNP -
BDX34A 70 10 60 - TO-220 - PNP -
BDX34B 70 10 80 - TO-220 - PNP -
BDX34C 70 10 120 - TO-220 - PNP -
BDX53 60 8 45 - TO-220 - NPN
BDX53A 60 8 60 - TO-220 - NPN
BDX53B 60 8 80 - TO-220 - NPN
BDX53C 60 8 100 - TO-220 - NPN
BDX54 60 8 45 - TO-220 - PNP -
BDX54A 60 8 60 - TO-220 - PNP -
BDX54B 60 8 80 - TO-220 - PNP -
BDX54C 60 8 100 - TO-220 - PNP -
BF64 - - - TO-220 - -
BF65 - - - TO-220 - -
BF64 - - - TO-220 - -
KSD5018 40 4 275 - TO-220 - NPN -
R3672 - - - TO-220 - -
R3673 - - - TO-220 -
-
R3674 - - - - TO-220 - -
2SB1214 - - - TO-251 - -
2SB1418 - - - MT-4 - -
2SC5388 - - - TO-220 - -
2SD1197 - - - TO-3P - -
2SD1748 - - - TO-251 - -
2SD1817 - - - TO-251 - -
2SD2138 - - - MT-4 - -
2SD2242 - - - MT-4 - -
2SD2265 - - - TO-252 - -
2SD2502 - - - TO-251 - -
2SD2530 - - - MT-4 - -
BDW83c - - - TO-3P - -
RBL43P - - - TO-3P - -
BU932R - - - TO-3P - -
BU941 - - - TO-3P - -
TIP100 80 8 60 - TO-220 NPN b>1000 MOT
TIP101 80 8 80 - TO-220 NPN b>1000 MOT
TIP102 80 8 60 - TO-220 NPN b>1000 MOT
TIP105 80 8 60 - TO-220 PNP B>200 MOT
TIP106 80 8 80 - TO-220 PNP B>200 MOT
TIP107 80 8 100 - TO-220 PNP B>200 MOT
TIP110 50 2 60 - TO-220 NPN B>1000 TIX
TIP111 50 2 80 - TO-220 NPN B>1000 TIX
TIP112 50 2 100 - TO-220 NPN B>1000 TIX
B>1000 TIX
TIP116 50 2 80 - TO-220 PNP B>1000 TIX
TIP117 50 2 100 - TO-220 PNP B>1000 TIX
TIP120 65 5 60 - TO-220 NPN B>1000 TIX
TIP121 65 5 80 - TO-220 NPN B>1000 TIX
TIP122 65 5 100 - TO-220 NPN B>1000 TIX
TIP125 65 5 60 - TO-220 PNP B>1000 TIX
TIP126 65 5 80 - TO-220 PNP B>1000 TIX
TIP127 65 5 100 - TO-220 PNP B>1000 TIX
TIP132 70 8 100 - TO-220 NPN B>1000 TIX
TIP150 80 7 300 - TO-220 NPN B>150 TI
B>150 TI
达林顿管就是两个三极管接在一起，极性只认前面的三极管。具体接法如下，以两个相同极性的三极管为例，前面为三极管集电极跟后面三极管集电极相接，前面为三极管射极跟后面三极管基极相接，前面三极管功率一般比后面三极管小，前面三极管基极为达林顿管基极，后面三极管射极为达林顿管射极，用法跟三极管一样，放大倍数是两个三极管放大倍数的乘积。 达林顿管原理 达林顿管又称复合管。它将二只三极管适当的连接在一起，以组成一只等效的新的三极管。这等于效三极管的放大倍数是二者之积。在电子学电路设计中，达林顿接法常用于功率放大器和稳压电源中。 达林顿电路有四种接法：NPN+NPN，PNP+PNP，NPN+PNP,PNP+N PN. 前二种是同极性接法，后二种是异极性接法。NPN+NPN的同极性接法：B1为B，C1C2为C，E1B2接在一起，那么E2为E。这里也说一下异极性接法。以NPN+PNP为例。设前一三极管T1的三极为C1B1E1，后一三极管T2的三极为C2B2E2。达林顿管的接法应为：C1B2应接一起，E1C2应接一起。等效三极管CBE的管脚，C= E2,B=B1，E=E1(即C2）。等效三极管极性，与前一三极管相同。即
为NPN型。 PNP+NPN的接法与此类同。 NPN PNP 同极型达林顿三极管 NPN PNP等效一只三极管 异极型达林顿三极管 达林顿管的典型应用 1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。 2、驱动小型继电器 利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，如右上图所示。虚线框内是小功率NPN达林顿管FN020。 3、驱动LED智能显示屏 LED智能显示屏是由微型计算机控制，以LED矩阵板作显示的系统，可用来显示各种文字及图案。该系统中的行驱动器和列驱动器均可采用高β、高速低压降的达林顿管。图2是用BD683(或BD677)型中功率NPN达林顿管作为列驱动器，而用BD682(或BD67 8)型PNP达林顿管作行驱动器，控制8×8LED矩阵板上相应的行(或列)的像素发光。 应注意的是，达林顿管由于内部由多只管子及电阻组成，用万用表测试时，be结的正反向阻值与普通三极管不同。对于高速达林顿管，有些管子的前级be结还反并联一只输入二极管，这时测出be结正反向电阻阻值很接近；容易误判断为坏管，这个请注
齐纳二极管(稳压二极管)工作原理及主要参数 齐纳二极管也叫稳压二极管.一般二极管处于逆向偏压时，若电压超过PIV(逆向峰值电压)值时二极管将受到破坏，这是因为一般二极管在两端的电位差既高之下又要通过大量的电流，此时所产生的功率所衍生的热量足以使二极管烧毁。 齐纳二极管就是专门被设计在崩溃区操作，是一个具有良好的功率散逸装置，可以当做电压参考或定电压组件。若利用齐纳二极管作为电压调节器，将使附载电压保持在Vz附近且几乎唯一定值，不受附载电流或电源上电压变动影响。一般二极管之崩溃电压，在制作时可以随意加以控制，所以一般齐纳二极管之崩电压(Vz)从数伏特至上百伏特都有。一般齐纳二极管在特性表或电路上除了标住Vz外，均会注明Pz也就是齐纳二极管所能承受之做大功率，也可由Pz=Vz*Iz 换算出奇纳二极管可通过最大电流Iz。dz3w上有个在线计算器,电路设计时可以用来计算稳压二极管的相关参数. 齐纳二极管工作原理 齐纳二极管主要工作于逆向偏压区，在二极管工作于逆向偏压区时，当电压未达崩溃电压以前，二极管上并不会有电流产生，但当逆向电压达到崩溃电压时，每一微小电压的增加就会产生相当大的电流，此时二极管两端的电压就会保持于一个变化量相当微小的电压值(几乎等于崩溃电压)，下图为齐纳二极管之电压电流曲线，可由此应证上述说明。 齐纳二极管(又叫稳压二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。 在通常情况下，反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。这个漏电流一直
达林顿电路有四种接法：NPN+NPN，PNP+PNP，NPN+PNP,PNP+NPN. 前二种是同极性接法，后二种是异极性接法。NPN+NPN的同极性接法：B1为B，C1C2为C，E1B2接在一起，那么E2为E。这里也说一下异极性接法。以NPN+PNP为例。设前一三极管T1的三极为C1B1E1，后一三极管T2的三极为C2B2E2。达林顿管的接法应为：C1B2应接一起，E1C2应接一起。等效三极管CBE的管脚，C=E2,B=B1，E=E1(即C2）。等效三极管极性，和前一三极管相同。即为NPN型。 PNP+NPN的接法和此类同。 如下图所示，两级放大器元件同为NPN型晶体管，将前级晶体管的射极电流直接引入下一级的基极，当作下级的输入。「同极型达林顿」连接,是使用相同类型的晶体管.而「异极型达林顿」连接，是使用NPN和PNP晶体管相互串接达成达林顿的特性。 同极型达林顿管 异极型达林顿管 达林顿管的典型应用 1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。 2、驱动小型继电器 利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，如右上图所示。虚线框内是小功率NPN达林顿管FN020。 3、驱动LED智能显示屏 LED智能显示屏是由微型计算机控制，以LED矩阵板作显示的系统，可用来显示各种文字及图案。该系统中的行驱动器和列驱动器均可采用高β、高速低压降的达林顿管。图2是用BD683(或BD677)型中功率NPN达林顿管作为列驱动器，而用BD682(或BD678)型PNP 达林顿管作行驱动器，控制8×8LED矩阵板上相应的行(或列)的像素发光。 应注意的是，达林顿管由于内部由多只管子及电阻组成，用万用表测试时，be结的正反向阻值和普通三极管不同。对于高速达林顿管，有些管子的前级be结还反并联一只输入二极管，这时测出be结正反向电阻阻值很接近；容易误判断为坏管，这个请注意
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage :V (BR)CEO =120V(Min.)·High DC Current Gain-:h FE =1000(Min.)@I C =20A ·Low Collector Saturation Voltage-:V CE (sat)=3.0V(Max.)@I C =20A ·Complement to the PNP MJ11015 APPLICATIONS ·Designed for use as output devices in complementary general purpose amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T a =25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V CBO Collector-Base Voltage 120V V CEO Collector-Emitter Voltage 120V V EBO Emitter-Base Voltage 5V I C Collector Current-Continunous 30A I B Base Current-Continunous 1A P C Collector Power Dissipation @T C =25℃ 200W T j Junction Temperature 200℃T stg Storage Temperature Range -55~+200 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT R th j-c Thermal Resistance,Junction to Case 0.87 ℃/W
稳压二极管工作原理 一、稳压二极管原理及特性 一般三极管都是正向导通，反向截止；加在二极管上的反向电压如果超过二极管的承受能力，二极管就要击穿损毁。但是有一种二极管，它的正向特性与普通二极管相同，而反向特性却比较特殊：当反向电压加到一定程度时，虽然管子呈现击穿状态，通过较大电流，却不损毁，并且这种现象的重复性很好；只要管子处在击穿状态，尽管流过管子的电在变化很大，而管子两端的电压却变化极小起到稳压作用。这种特殊的二极管叫稳压管。 稳压管的型号有2CW、2DW 等系列，它的电路符号如图5－17所示。 稳压管的稳压特性，可用图5一18所示伏安特性曲线很清楚地表示出来。 稳压管是利用反向击多区的稳压特性进行工作的，因此，稳压管在电路中要反向连接。稳压管的反向击穿电压称为稳定电压，不同类型稳压管的稳定电压也不一
样，某一型号的稳压管的稳压值固定在口定范围。例如：2CW11的稳压值是3.2伏到4．5伏，其中某一只管子的稳压值可能是3．5伏，另一只管子则可能是4，2伏。 在实际应用中，如果选择不到稳压值符合需要的稳压管，可以选用稳压值较低的稳压管，然后串联几只硅二极管“枕垫”，把稳定电压提高到所需数值。这是利用硅二极管的正向压降为0．6～0．7伏的特点来进行稳压的。因此，二极管在电路中必须正向连接，这是与稳压管不同的。 稳压管稳压性能的好坏，可以用它的动态电阻r来表示： 显然，对于同样的电流变化量ΔI，稳压管两端的电压变化量ΔU越小，动态电阻越小，稳压管性能就越好。 稳压管的动态电阻是随工作电流变化的，工作电流越大，动态电阻越小。因此，为使稳压效果好，工作电流要选得合适。工作电流选得大些，可以减小动态电阻，但不能超过管子的最大允许电流（或最大耗散功率）。各种型号管子的工作电流和最大允许电流，可以从手册中查到。 稳压管的稳定性能受温度影响，当温度变化时，它的稳定电压也要发生变化，常用稳定电压的温度系数来表示，这种性能例如2CW19型稳压管的稳定电压Uw= 12伏，温度系数为0.095%℃，说明温度每升高1℃，其稳定电压升高11.4毫伏。为提高电路的稳定性能，往往采用适当的温度补偿措施。在稳定性能要求很高时，需使用具有温度补偿的稳压，如2DW7A、2DW7W、2DW7C 等。 二、稳压二极管稳压电路图 由硅稳压管组成的简单稳压电路如图5- l9（a）所示。硅稳压管DW与负载Rfz，并联，R1为限流电阻。
LDO的工作原理详细分析 [导读]由于便携式设备的发展，人们对电源的要求越来越高，因次以前一直用开的电源目前来说不够用了，这就促使LDO的迅猛发展，今天给大家介绍一下LDO的工作原理。 随着便携式设备（电池供电）在过去十年间的快速增长，象原来的业界标准 LM340 和 LM317 这样的稳压器件已经无法满足新的需要。这些稳压器使用NPN 达林顿管，在本文中称其为NPN 稳压器（NPN regulators）。预期更高性能的稳压器件已经由新型的低压差 （Low-dropout）稳压器（LDO）和准LDO稳压器（quasi-LDO）实现了。 NPN 稳压器（NPN regulators） 在NPN稳压器（图1：NPN稳压器内部结构框图）的内部使用一个 PNP管来驱动 NPN 达林顿管（NPN Darlington pass transistor），输入输出之间存在至少1.5V～2.5V的压差（dropout voltage）。这个压差为： Vdrop ＝ 2Vbe ＋Vsat（NPN 稳压器）（1） 图1 LDO 稳压器（LDO regulators） 在LDO（Low Dropout）稳压器（图2：LDO稳压器内部结构框图）中，导通管是一个PNP管。LDO的最大优势就是PNP管只会带来很小的导通压降，满载（Full-load）的跌落电压的典型值小于500mV，轻载（Light loads）时的压降仅有10～20mV。LDO的压差为：
Vdrop ＝ Vsat （LDO 稳压器）（2） 图2 准LDO 稳压器（Quasi-LDO regulators） 准LDO（Quasi-LDO）稳压器（图3：准 LDO 稳压器内部结构框图）已经广泛应用于某些场合，例如：5V到3.3V 转换器。准LDO介于 NPN 稳压器和 LDO 稳压器之间而得名，导通管是由单个PNP 管来驱动单个NPN 管。因此，它的跌落压降介于NPN稳压器和LDO之间： Vdrop ＝ Vbe ＋Vsat （3） 图3 稳压器的工作原理（Regulator Operation） 所有的稳压器，都利用了相同的技术实现输出电压的稳定（图4：稳压器工作原理图）。输出电压通过连接到误差放大器（Error Amplifier）反相输入端（Inverting Input）的分压电阻（Resistive Divider）采样（Sampled），误差放大器的同相输入端（Non-inverting Input）连接到一个参考电压Vref。参考电压由IC内部的带隙参考源（Bandgap Reference）
什么是稳压二极管稳压二极管(又叫齐纳二极管)它的电路符号是:，稳压二极管是一种用于稳定电压的单PN结二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很少的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。 稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。 稳压管的应用： 1、浪涌保护电路(如图2)：稳压管在准确的电压下击穿，这就使得它可作为限制或保护之元件来使用，因为各种电压的稳压二极管都可以得到，故对于这种应用特别适宜。图中的稳压二极管D是作为过压保护器件。只要电源电压VS超过二极管的稳压值D就导通。使继电器J吸合负载RL就与电源分开。 2、电视机里的过压保护电路(如图3)：EC是电视机主供电压，当EC电压过高时，D导通，三极管BG导通，其集电极电位将由原来的高电平(5V)变为低电平，通过待机控制线的控制使电视机进入待机保护状态。 3、电弧抑制电路如图4：在电感线圈上并联接入一只合适的稳压二极管(也可接入一只普通二极管原理一样)的话，当线圈在导通状态切断时，由于其电磁能释放所产生的高压就被二极管所吸收，所以当开关断开时，开关的电弧也就被消除了。这个应用电路在工业上用得比较多，如一些较大功率的电磁吸控制电路就用到 它。
4、串联型稳压电路(如图5)：在此电路中。串联稳压管BG的基极被稳压二极管D钳定在13V，那么其发 射极就输出恒定的12V电压了。这个电路在很多场合下都有应用 国产稳压二极管产品的分类 二极管的击穿通常有三种情况，即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。 （1）雪崩击穿 对于掺杂浓度较低的PN结，结较厚，当外加反向电压高到一定数值时，因外电场过强，使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞，将原子电离，产生新的电子空穴对，由于链锁反应的结果，使少数载流子数目急剧增多，反向电流雪崩式地迅速增大，这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。 （2）齐纳击穿 对于采用高掺杂（即杂质浓度很大）形成的PN结，由于结很薄（如0.04μm）即使外加电压并不高（如4V），就可产生很强的电场（如）将结内共价键中的价电子拉出来，产生大量的电子一空穴对，使反向电流剧增，这种现象叫齐纳击穿（因齐纳研究而得名）。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。（3）热击穿 在使用二极管的过程中，如由于PN结功耗（反向电流与反向电压之积）过大，使结温升高，电流变大，循环反复的结果，超过PN结的允许功耗，使PN结击穿的现象叫热击穿。热击穿后二极管将发生永久性损坏。
稳压二极管原理及故障 稳压二极管的稳压原理： 稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。 故障特点： 稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表： 型号1N47281N47291N47301N47321N47331N47341N47351N47441N47501N47511N4761 稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V15V27V30V75V 稳压管也是一种晶体二极管，它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。稳压管在稳压设备和一些电子电路中获得广泛的应用。我们把这种类型的二极管称为稳压管，以区别用在整流、检波和其他单向导电场合的二极管。如图画出了稳压管的伏安特性及其符号。 (1)稳定电压Uz Uz就是PN结的击穿电压，它随工作电流和温度的不同而略有变化。对于同一型号的稳压管来说，稳压值有一定的离散性。 (2)稳定电流Iz稳压管工作时的参考电流值。它通常有一定的范围，即Izmin——Izmax。 (3)动态电阻rz它是稳压管两端电压变化与电流变化的比值，如上图所示，即这个数值随工作电流的不同而改变。通常工作电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。
(4)电压温度系数它是用来说明稳定电压值受温度变化影响的系数。不同型号的稳压管有不同的稳定电压的温度系数，且有正负之分。稳压值低于4v的稳压管，稳定电压的温度系数为负值；稳压值高于6v的稳压管，其稳定电压的温度系数为正值；介于4V和6V之间的，可能为正，也可能为负。在要求高的场合，可以用两个温度系数相反的管子串联进行补偿(如2DW7)。 (5)额定功耗Pz前已指出，工作电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好，但是最大工作电流受到额定功耗Pz的限制，超过P2将会使稳压管损坏。 选择稳压管时应注意：流过稳压管的电流Iz不能过大，应使Iz≤Izmax，否则会超过稳压管的允许功耗，Iz也不能太小，应使Iz≥Izmin，否则不能稳定输出电压，这样使输入电压和负载电流的变化范围都受到一定限制。下图示出了稳压管工作时的动态等效电路，图中二极管为理想二极管。
达林顿管和晶闸管的区别 达林顿管的电路结构 1、 概述 达林顿管又称复合三极管。它是将两个三极管适当的连接在一起，以组成一个等效的新的三极管。这个新的三极管就是达林顿三极管。其放大倍数是两者放大倍数的乘ch éng 积j ī 。一般应用于功率放大器、稳压电源电路中。 2、 达林顿管的电路连接 达林顿三极管通常由两个三极管组成，这两个三极管可以是同型号的，也可以是不同型号的；可以是相同功率，也可以是不同功率。无论怎样组合连接，最后所构成的达林顿三极管的放大倍数都是二者放大倍数乘积。 达林顿管电路连接一般有四种接法：即NPN+NPN 、PNP+PNP 、NPN+PNP 、PNP+NPN 。 它们连接如图所示。 图a 、b 所示同极性接法；图c 、d 所示异极性接法。在实示应用中，用得最普遍是前两种同极性接法。通常，图a 接法达林顿三极管叫“NPN 达林顿三极管”；而图b 接法的达林顿三极管称为“PNP 达林顿管”。 两个三极管复合成一个新的达林顿管后，他的三个电极仍然叫： B →基极、 C →集电极、 E →发射极。 达林顿管有一个特点就是两个三极管中，前面三极管的功率一般比后面三极管的要小，前面三极管基极为达林顿管基极，后面三极管射极为达林顿管射极。所以达林顿管在电路中使用方法与单个普通三极管一样，只是放大倍数β是两个三极管放大倍数的乘积。 一、 达林顿管的特点与用途 1、 达林顿管的性能特点 （1） 放大倍数大（可达数百、数千倍）； （2） 驱动能力强； （3） 功率大； （4） 开关速度快； （5） 可做成功率放大模块； （6） 易于集成化。 2、 达林顿管的主要用途 （1） 多用于大负载驱动电路； （2） 多用于音频功率放大器电路； （3） 多用于中、大容量的开关电路； （4） 多用于自动控制电路。 二、 达林顿管典型电路 1、 电子开关电路
达林顿管 编辑本段简介 达林顿管就是两个三极管接在一起，极性只认前面的三极管。具体接法如下，以两个相同极性的三极管为例，前面三极管集电极跟后面三极管集电极相接，前面三极管发射极跟后面三极管基极相接，前面三极管功率一般比后面三极管小，前面三极管基极为达林顿管基极，后面三极管发射极为达林顿管发射极，用法跟三极管一样，放大倍数是两个三极管放大倍数的乘积。 编辑本段原理 达林顿管原理 达林顿管又称复合管。为共基组合放大器，以组成一只等效的新的三极管。这等效于三极管的放大倍数是二者之积。在电子学电路设计中，达林顿接法常用于功率放大器和稳压电源中。 编辑本段作用 达林顿管是一重复合三极管，他将两个三极管串联，第一个管子的发射极接第2个管子的基极，所以达林顿管的放大倍数是两个三极管放大倍数的乘积。所以它的特点是放大倍数非常高，达林顿管的作用一般是在高灵敏的放大电路中放大非常微小的信号。如大功率开关电路[1]。 编辑本段相关 达林顿电路有四种接法：NPN+NPN，PNP+PNP，NPN+PNP，PNP+NPN 前二种是同极性接法，后二种是异极性接法。NPN+NPN的同极性接法：B1为B，C1C2为C，E1B2接在一起，那么E2为E。这里也说一下异极性接法。以NPN+PNP 为例。设前一三极管T1的三极为C1B1E1，后一三极管T2的三极为C2B2E2。达林顿管的接法应为：C1B2应接一起，E1C2应接一起。等效三极管CBE的管脚，C=E2,B=B1，E=E1(即C2）。等效三极管极性，与前一三极管相同。即为NPN型。PNP+NPN的接法与此类同。 NPN PNP
同极型达林顿三极管 NPN PNP 等效一只三极管 异极型达林顿三极管 达林顿管的典型应用 1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。 2、驱动小型继电器 利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，如右上图所示。虚线框内是小功率NPN达林顿管FN020。 3、驱动LED智能显示屏 LED智能显示屏是由微型计算机控制，以LED矩阵板作显示的系统，可用来显示各种文字及图案。该系统中的行驱动器和列驱动器均可采用高β、高速低压降的达林顿管。图2是用BD683(或BD677)型中功率NPN达林顿管作为列驱动器，而用BD682(或BD678)型PNP达林顿管作行驱动器，控制8×8LED矩阵板上相应的行(或列)的像素发光。 应注意的是，达林顿管由于内部由多只管子及电阻组成，用万用表测试时，be 结的正反向阻值与普通三极管不同。对于高速达林顿管，有些管子的前级be结还反并联一只输入二极管，这时测出be结正反向电阻阻值很接近，容易误判断为坏管，请注意。 4、判断达林顿管等效为何种类型的三极管： 首先看看第一只管是什么类型的，第一只管是什么类型的，那么这只达林顿管就是什么类型的，与第二只无关！更加重要的是，要判断两个晶体管能否形成达林顿管关键要看电流，如果工作电流冲突，则不能构成达林顿管结构。也可以根据PNP或者NPN管的标志来判断，其实本质上三极管上所标的箭头也是其工作电流的流向。
知识原理要点 直流稳压电源原理框图如图4－1 所示。 四、实验原理 图为串联型直流稳压电源。它除了变压、整流、滤波外，稳压器部分一般有四个环节：调整环节、基准电压、比较放大器和取样电路。当电网电压或负载变动引起输出电压Vo变化时，取样电路将输出电压Vo的一部分馈送回比较放大器与基准电压进行比较，产生的误差电压经放大后去控制调整管的基极电流，自动地改变调整管的集一射极间电压，补偿Vo 的变化，从而维持输出电压基本不变。 当输入电压(VI)改变时，能自动调节(VCE)电压的大小，使输出电压(Vo)保持恒定。例如：VI↑→Vo↑→经取样和放大电路后→IB↓→VCE↑→Vo↓ VI是整流滤波后的电压，T为调整管，A为比较放大电路，VREF为基准电压，它由稳压管Dz与限流电阻R构成。R1与R2组成反馈网络，是用来反映输出电压变化的取样环节。
工作原理图及功能方框图 假设由于某种原因（如电网电压波动或者负载电阻变化等）使输出电压上升，取样电路将这一变化趋势送到比较放大管的基极，与发射极基准电压进行比较，并且将二者的差值进行放大，比较放大管的基电极电位（即调整管的基极电位）降低。由于调整管采用射极输出形式，所以输出电压必然降低，从而保证Uo基本稳定。 稳压电路由于直接用输出电压的微小变化量去控制调整管。其控制作用较小，所以，稳压效果不好。如果在电路中增加一级直流放大电路，把输出电压的微小变化加以放大，再去控制调整管，其稳压性能便可大大提高，这就是带放大环节的串联型稳压电路。 当输入电压Ui增大(或减小)时，串联型稳压电路的稳压原理可用电路来说明。图中可变电阻R与负载RL相串联。若RL不变。增大(或减小)R值使输入电压Ui变化全部降落在电阻R
稳压二极管结构和工作原理 稳压二极管的基本结构同普通二极管一样,是一个PN结,但是由于制造工艺不同,当这种PN结处于反向击穿状态时,PN结不会损坏,稳压二极管用于稳定电压就是应用它的这一击穿特性。 加在稳压二极管的反向电压增加到一定数值时,形成大的反向电流,此时电压基本不变,称为隧道击穿,这个近似不变的电压称为齐纳电压,对硅稳压二极管而言,稳定电压在5V以下的器件靠齐纳电压工作。 当反向电压比较高时,受强电场作用形成大的反向电流,而电压基本不变,称为雪崩击穿,这一基本不变的电压称为雪崩电压。对硅稳压二极管而言,稳定电压在7V以上的器件靠雪崩电压工作。 1.稳压二极管U-I特性曲线解说 稳压二极管U—I特性曲线,它可以说明稳压二 极管的稳压原理。从图7-34中可以看出,这一特性曲 线与普通二极管的U-I特性曲线基本一样。X轴方向 表示稳压二极管上的电压大小,Y轴方向表示流过稳 压二极管的电流大小。 从第一象限的曲线可以看出,它同普通二极管的 正向特性曲线一样,此时相当于给稳压二极管PN结 加正向偏置电压,稳压二极管在进行稳压作用时不用 这种偏置方式,这一点与普通二极管明显不同。 从第三象限的曲线可以看出下列三点: (1)在反向电压较低时,稳压二极管截止,它不工作在这一区域。 (2)反向电压增大到U Z时,曲线限陡,说明流过稳压二极管的电流在变化时,稳压二极管两端的电压基本不变,电压是稳定的,稳压二极管正是工作在这一状态下。换方之,当稳压二极管工作在稳压状态时,稳定电压有很微小的变化,可以引起稳压二极管很大的反向电流变化。 (3)U Z是稳压二极管的稳定电压值,称为稳压值。不同的稳压二极管,这一稳定电压的大小不同。稳压二极管的PN结处于反向穿状态时,只要流过这一PN结的工作电流不大于最大稳定电流,稳压二极管就不会损坏。如果反向电流再增大,则稳压二极管也会损坏。 综上所述,利用稳压二极管构成稳压电路时,必须给稳压二极管的PN结加上反向偏置电压。 2.温度补偿型稳压二极管工作原理 如图7-35所示是温度补偿型稳压二极管内部结 构示意图。一些要求电压温度特性较高的场合,采用 多种措施进行温度补偿。温度补偿型稳压二极管在工 作时,1脚和2脚不分,内部的两只稳压二极管的性能 相同,两只二极管一只工作在正向,另一只工作在反向, 这样两个PN结一个正向偏置,另一个反向偏置。 PN结在正向和反向偏置状态下的压降受温度影 响结果相反,当正向偏置的PN结随温度升高而压降 增大时,反向偏置的PN结压降则下降,这样一个压降 增大,另一个减小,相互抵消,使两个PN结压降之和基 本不变,达到温度补偿的目的。
电源供电以及电机驱动原理与电路分析 第一部分：供电电路原理 供电部分原理图如图1-1所示： 图1-1 从图1-1中可知道供电有+5V、+3.3V、+1.5V三种，其中每个电源均有0.1μF的旁路电容，将电源中的高频串扰旁路到地，防止高频信号通过电源串扰到其它模块中。同时还能将电源本身的工频干扰滤除。 值得注意的是：在布线的时候，经退藕电容退藕后的电源输出点应该尽量紧靠芯片的电源引脚进行供电，过长的引线有可能重新变成干扰接收天线，导致退藕效果消失。如果无法让每个退藕后的电源输出点均紧靠芯片的电源引脚，那么可以采用分别退藕的方法，即分别尽量紧靠每个芯片的电源引脚点接入退藕电容进行退藕，这也解释了为什么图1-1的3.3V电源有两个退藕输出点。
第二部分：电机驱动电路原理 电机驱动电路原理如图2-1所示： 图2-1 图2-1中Header 4X2为4排2列插针，FM0~3为FPGA 芯片I/O 输出口，加入的插针给予一个可动的机制，在需要使用时才用跳线帽进行相连，提高I/O 口的使用效率。RES5是五端口排阻，内部集成了4个等阻值且一端公共连接的电阻，PIN 1是公共端，PIN2~5为排阻的输出端，排阻原理图如图2-2所示： 图2-2 该排阻公共端接电源，即上拉电阻形式，作用是增强FPGA 芯片I/O 口（以下简称I/O 口）的驱动能力，实际上就是增加I/O 输出高电平时输出电流的大小。当I/O 输出高电平时，+5V 电源经排阻与IN1~4相连，相当于为I/O 提供一个额外的电流输出源，从而提高驱动能力。当I/O 输出低电平时，可将I/O 近似看做接地，而IN1~4因与I/O 由导线直接相连，因此直接接受了I/O 的低电平输出信号。此时，+5V 电源经排阻R 、I/O 内部电路（电阻近似为零）后接地，因此该路的电流不能大于I/O 的拉电流（i I ）最大值，有公式2-1： i I R V ≤+5（公式2-1） 即 i I V R 5+≥（公式2-2） 由公式2-2可以得出排阻的取值范围。 该上拉电阻除了提高驱动能力外，还有一个作用，就是进行电平转换。经查，ULN2003的接口逻辑为：5V-TTL, 5V-CMOS 逻辑。而在3.3V 供电的情况下，I/O 口可以提供3.3V-LVTTL ， 3.3V-LVCMOS ，3.3V-PCI 和SSTL-3接口逻辑电平。因此，需要外接5V 的上拉电阻将I/O 电平规格变成5V 电平逻辑。
稳压二极管工作原理及故障特点
稳压二极管工作原理及故障特点 稳压二极管的稳压原理： 稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5表示编号为5的稳压管。 故障特点： 稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表： 型号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761 稳压 值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V 稳压管也是一种晶体二极管，它是利用PN结的击穿区具有稳定电压的特性来工作的。稳压管在稳压设备和一些电子电路中获得广泛的应用。我们把这种类型的二极管称为稳压管，以区别用在整流、检波和其他单向导电场合的二极管。如图画出了稳压管的伏安特性及其符号。
(1)稳定电压Uz Uz就是PN结的击穿电压，它随工作电流和温度的不同而略有变化。对于同一型号的稳压管来说，稳压值有一定的离散性。 (2)稳定电流Iz 稳压管工作时的参考电流值。它通常有一定的范围，即Izmin——Izmax。 (3)动态电阻rz 它是稳压管两端电压变化与电流变化的比值，如上图所示，即这个数值随工作电流的不同而改变。通常工作电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好。 (4)电压温度系数它是用来说明稳定电压值受温度变化影响的系数。不同型号的稳压管有不同的稳定电压的温度系数，且有正负之分。稳压值低于4v的稳压管，稳定电压的温度系数为负值；稳压值高于6v的稳压管，其稳定电压的温度系数为正值；介于4V和6V之间的，可能为正，也可能为负。在要求高的场合，可以用两个温度系数相反的管子串联进行补偿(如2DW7)。 (5)额定功耗Pz 前已指出，工作电流越大，动态电阻越小，稳压性能越好，但是最大工作电流受到额定功耗Pz的限制，超过P2将会使稳压管损坏。 选择稳压管时应注意：流过稳压管的电流Iz不能过大，应使Iz≤Izmax，否则会超过稳压管的允许功耗，Iz也不能太小，应使Iz≥Izmin，否则不能稳定输出电压，这样使输入电压和负载电流的变化范围都受到一定限制。下图示出了稳压管工作时的动态等效电路，图中二极管为理想二极管。
达林顿晶体管DT（Dar1ington Transistor）亦称复合晶体管。它采用复合过接方式，将两只或更多只晶体管的集电极连在一起，而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极，依次级连而成，最后引出E、B、C三个电极。 图1是由两只NPN或PNP型晶体管构成达林顿管的基本电路。假定达林顿管由N 只晶体管（TI-Tn）组成，每只晶体管的放大系数分别这hFE1、hFE2、hFEn。则总放大系数约等于各管放大系数的乘积： hFE≈hFE1·hFE2……hFEn 因此，达林顿管具有很高的放大系数，值可以达到几千倍，甚至几十万倍。利用它不仅能构成高增益放大器，还能提高驱动能力，获得大电流输出，构成达林顿功率开关管。在光电耦合器中，也有用达林顿管作为接收管的。达林顿管产品大致分成两类，一类是普通型，内部无保护电路，另一类则带有保护电路。下面分别介绍使用万用表检测这两类达林顿管的方法。 1．普通达林顿管的检测方法 普通达林顿管内部由两只或多只晶体管的集电极连接在一起复合而成，其基极B 与发射极E之间包含多个发射结。检测时可使用万用表的R×1k或R×10k档来测量。 测量达林顿管各电极之间的正、反向电阻值。正常时，集电极C与基极B之间的正向电阻值（测NPN管时，黑表笔接基极B；测PNP管时，黑表笔接集电极C）值与普通硅晶体管集电结的正向电阻值相近，为3~10kΩ之间，反向电阻值为无穷大。而发射极E与基极B之间的的正向电阻值（测NPN管时，黑表笔接基极B；测PNP管时，黑表笔接发射极E）是集电极C与基极B之间的正、反向电阻值的 2~3倍，反向电阻值为无穷大。集电极C与发射极E之间的正、反向电阻值均应接近无穷大。若测得达林顿管的C、E极间的正、反向电阻值或BE极、BC极之间的正、反向电阻值均接近0，则说明该管已击穿损坏。若测得达林顿管的BE极或BC 极之间的、反向电阻值为无穷大，则说明该管已开路损坏。
达林顿电路有四种接法：NPN+NPN， PNP+PNP，NPN+PNP,PNP+NPN. 前二种是同极性接法，后二种是异极性接法。NPN+NPN的同极性接法：B1 为B， C1C2 为 C， E1B2接在一起，那么 E2 为 E。这里也说一下异极性接法。以 NPN+PNP为例。设前一三极 管 T1 的三极为 C1B1E1，后一三极管 T2 的三极为 C2B2E2。达林顿管的接法应为： C1B2 应接一起，E1C2应接一起。等效三极管 CBE的管脚， C=E2,B=B1， E=E1(即 C2）。等效三极管极性，和前一 三极管相同。即为 NPN型。 PNP+NPN的接法和此类同。 如下图所示，两级放大器元件同为NPN型晶体管，将前级晶体管的射极电流直接引入下 一级的基极，当作下级的输入。「同极型达林顿」连接, 是使用相同类型的晶体管. 而「异极 型达林顿」连接，是使用NPN和 PNP晶体管相互串接达成达林顿的特性。 同极型达林顿管 异极型达林顿管 达林顿管的典型应用 1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。 2、驱动小型继电器 利用 CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，如右上图所示。虚线框内 是小功率 NPN达林顿管 FN020。 3、驱动 LED智能显示屏 LED矩阵板作显示的系统，可用来显示各种文LED智能显示屏是由微型计算机控制， 以 字及图案。该系统中的行驱动器和列驱动器均可采用高β、高速低压降的达林顿管。图2 是用 BD683(或 BD677)型中功率NPN达林顿管作为列驱动器，而用BD682(或 BD678)型 PNP 8 8LED() 应注意的是，达林顿管由于内部由多只管子及电阻组成，用万用表测试时， be 结的正反向阻 值和普通三极管不同。对于高速达林顿管，有些管子的前级 be 结还反并联一只输入二极管，这时测 出 be 结正反向电阻阻值很接近；容易误判断为坏管，这个请注意
稳压二极管在电路中的作用及工作原理 稳压二极管工作原理一种用于稳定电压的单结二极管。它的伏安特性，稳压二极管符号如图1所示。结构 同整流二极管。加在稳压二极管的反向电压增加到一定数值时，将可能有大量载流子隧穿伪结的位垒，形 成大的反向电流，此时电压基本不变，称为隧道击穿。当反向电压比较高时，在位垒区内将可能产生大量 载流子，受强电场作用形成大的反向电流，而电压亦基本不变，为雪崩击穿。因此，反向电压临近击穿电 压时，反向电流迅速增加，而反向电压几乎不变。这个近似不变的电压称为齐纳电压（隧道击穿）或雪崩 电压（雪崩击穿）。 图1稳压二极管伏安特性曲线 图2等效电路理想模式
图3理想模式导通状态常见的两种稳压电路接法 图4实际模式导通状态 图5实际模式导通状态常见的两种稳压接线电路
稳压二极管的主要参数 1.Vz—稳定电压。 指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如，2CW51型稳压管的Vzmin为3.0V,Vzmax则为3.6V。 2.Iz—稳定电流。 指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时，稳压管虽并非不能稳压，但稳压效果会变差;高于此值时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但要多消耗电能。 3.Rz—动态电阻。 指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变，一般胜作电流愈大，动态电阻则愈小。例如，2CW7C稳压管的工作电流为5mA时，Rz为18Ω;工作电流为1OmA时，Rz为8Ω;为20mA时，Rz为2Ω;>20mA则基本维持此数值。 4.Pz—额定功耗。 由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压Vz和允许最大电流Izm的乘积。例如2CW51稳压管的Vz为3V，Izm为20mA，则该管的Pz为60mWo 5.Ctv—电压温度系数。 是说明稳定电压值受温度影响的参数。例如2CW58稳压管的Ctv是+0.07%/°C，即温度每升高1°C，其稳压值将升高0.07%。6.IR—反向漏电流。 指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。例如2CW58稳压管的VR=1V时，IR=O.1uA;在VR=6V时，IR=10uA。 (三)选择二极管的基本原则 1.要求导通电压低时选锗管;要求反向电流小时选硅管。 2.要求导通电流大时选面结合型;要求工作频率高时选点接触型。 3.要求反向击穿电压高时选硅管。 4.要求耐高温时选硅管。
达林顿管的四种接法 达林顿电路有四种接法：NPN+NPN，PNP+PNP，NPN+PNP,PNP+NPN. 前二种是同极性接法，后二种是异极性接法。NPN+NPN的同极性接法：B1为B，C1 C2为C，E1B2接在一起，那么E2为E。这里也说一下异极性接法。以NPN+PNP为例。 设前一三极管T1的三极为C1B1E1，后一三极管T2的三极为C2B2E2。达林顿管的接法应为：C1B2应接一起，E1C2应接一起。等效三极管CBE的管脚，C=E2,B=B1，E=E1(即C2）。等效三极管极性，和前一三极管相同。即为NPN型。 PNP+NPN的接法和此类同。 如下图所示，两级放大器元件同为NPN型晶体管，将前级晶体管的射极电流直接引入下一级的基极，当作下级的输入。「同极型达林顿」连接,是使用相同类型的晶体管.而「异极型达林顿」连接，是使用NPN和PNP晶体管相互串接达成达林顿的特性。 同极型达林顿管
异极型达林顿管 达林顿管的典型应用 1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。 2、驱动小型继电器 利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，如右上图所示。虚线框内是小功率NPN达林顿管FN020。 3、驱动LED智能显示屏 LED智能显示屏是由微型计算机控制，以LED矩阵板作显示的系统，可用来显示各种文字及图案。该系统中的行驱动器和列驱动器均可采用高β、高速低压降的达林顿管。图2是用BD683(或BD677)型中功率NPN达林顿管作为列驱动器，而用BD682(或BD678)型P NP达林顿管作行驱动器，控制8×8LED矩阵板上相应的行(或列)的像素发光。
稳压二极管的工作原理及型号 稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，其V-A特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡。稳压二极管工作于反向击穿区，由于它在电路中与适当电阴配合后能起到稳定电压的作用，故称为稳压管。稳压管反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小，当反向电压增高到击穿电压时，反向电流突然猛增，稳压管从而反向击穿，此后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压的变化却相当小，利于这一特性，稳压管访问就在电路到起到稳压的作用了。而且，稳压管与其它普能二极管不同之反向击穿是可逆性的，当去掉反向电压稳压管又恢复正常，但如果反向电流超过允许范围，二极管将会发热击穿，所以，与其配合的电阻往往起到限流的作用。 稳压二极管的参数: （1）稳定电压（2）电压温度系数（3）动态电阻（4）稳定电流，最大、最小稳定电流（5）最大允许功耗 不同种类二极管如何选用 1．检波二极管的选用检波二极管一般可选用点接触型锗二极管，例如2AP系列等。选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。 2．整流二极管的选用整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。
选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。 普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。 开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二极管。 3．稳压二极管的选用稳压二极管一般用在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护电路中作为保护二极管。 选用的稳压二极管，应满足应用电路中主要参数的要求。稳压二极管的稳定电压值应与应用电路的基准电压值相同，稳压二极管的最大稳定电流应高于应用电路的最大负载电流50%左右。 4、开关二极管的选用开关二极管主要应用于收录机、电视机、影碟机等家用电器及电子设备有开关电路、检波电路、高频脉冲整流电路等。 中速开关电路和检波电路，可以选用2AK系列普通开关二极管。高速开关电路可以选用RLS系列、1SS系列、1N系列、2CK系列的高速开关二极管。要根据应用电路的主要参数（例如正向电流、最高反向电压、反向恢复时间等）来选择开关二极管的具体型号。