北大半导体物理经验谈
简单说说半导体的复习。也不算经验吧，毕竟找到适合自己的方法才是最好的。公共课的复习，在论坛上很多帖子都有，就不细说了。数学：李永乐系列（全书、真题、400题、合工大五套）政治：肖1000、FZJC、肖四任四英语：黄皮书，张剑阅读150上下、新东方乱序词汇。回到主题，说半导体的复习。目前流行的有两本教材，刘恩科的和叶良修的。这两本书LZ都精读了，LZ认为，用刘恩科那本已经足够，叶良修的就不用买了。另外，再给大家推荐一本书，不厚，是黄昆的半导体物理。有些疑问可以在这里面找到答案。
必备资料：《半导体物理学-刘恩科》，北大历年真题，北大本科生课后题，北大本科生期末题。有本田良声的辅导书，用处不大，不建议XDXM们买，等复习的差不多的时候可以去图书馆借来看看，找精华就行。再说说资料的来源，资料可以去某宝买，学长们总结的资料还是比较全的，公共课资料一定要精，而专业课资料一定要全，多一点信息就是多一点把握。某宝上的某些卖家也许会提供课后习题和真题答案，在此提醒一下学弟学妹，要辩证地看待，答案有挺多错误的。
通过看真题，可以发现，从今年开始，出题风格完全变了，LZ今年拿到真题的时候，没找到重点，当时就非主流了。（好像是）05-11年是一种风格，之前又是一种风格。
真题由两部分组成，一是名词解释，二是计算题，都是字母推导，基本没有具体数字计算。所以，在平时看书的时候，要注意名词解释的积累。
开始复习的时候，可以拉通看一遍真题，知道考什么，重点是什么（当然，重点是相对的，辩证看待）。接下来就是认认真真看教材了。LZ本科没有学过半导体，是自学的，所以这些看法应该挺普适的吧。
由经验，考察内容是刘恩科教材的第1--第9章，第12章的霍尔效应。但要注意不属于上述内容部分的名词解释。
基本可以分为两部分，1--5章，6---9章。前半部分是半导体基本知识，后半部分是半导体结。
看第一遍的时候，认认真真看懂每一句话，都要尽量理解到。对于每个推导，都要掌握（特殊情况在后面说）。看完一部分，就看看北大课后题，认认真真做，不懂就去问老师或者和同学探讨。第一遍肯定是痛苦的，但是想想是考北大，也没什么的。这一遍是精读，不要留下盲点，不然考试遇到，就哭了。。。
看完一遍之后，就可以结合书本，开始做真题和期末题。参考答案，仔细看书，认真思考，做出最正确的答案，前面说了，其实能找到的答案都有挺多的错误。这个过程是很虐心的，LZ当初和一个研友做了一天，就为了一个图，最后证明她是对的。而且，有些问题，也许本科老师也拿不准的，这个时候就看你的判断了。
期间，可以拿个笔记本，分为两个部分，一个部分积累名词解释，好好整理出来，买的资料上也不全的，或者没有或者叙述不精确。另一部分，记录重要的知识点。
等到所有题都做完，这没有完。题一定要多做几次，LZ做第二遍的时候发现第一遍很多错误。这是因为知识越到后面越纯熟的缘故吧。
到现在，你的层次就比较高了。但是，要记得，多把真题拿来想，多看书，多思考。
另外，LZ建议大家可以把电子科大和中科院的半导体真题拿来看看，LZ搜集过几乎所有学校的半导体真题，这两个学校的比较有启发。
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能带、半导体载流子浓度、迁移率、电导、复合理论、连续性方程、爱因斯坦关系式、扩散
漂移；PN结电流电容，结的能带图、金半接触、MOS及其C-V特性图、异质结；最难最难的是界面态的分类和表现。
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 最后，既然选择了，就不要犹豫。这么年轻，该拼一下的，不要留下遗憾。
本部和深院已经分开招生，报名的时候会要求注明去哪里。
复试挺简单，本部是一个一个学生进去面试；深院是六个教授面试六个学生。题目不难。
祝XDXM心想事成~~~~~加油！
2015北京外国语大学翻译硕士汉语写作与百科知识考研真题百科词条 1、尼罗河 2、战略伙伴关系 3、四大菩萨 4、十字军 5、中亚五国 6、日心说 7、元素周期律 8、丝绸之路经济带 9、金字塔 10、APEC 11、金砖四国 12、九大行星 13、六部（唐朝） 14、牡丹亭 15、东盟 16、IS 17、南北战争 18、二十八宿 19、《俄狄浦斯王》 20、“三一律” 21、“新寓言”派 22、《菊与刀》 23、北约 24、苏辛 25、《说文解字》 应用文是写一则消息（新闻）
大作文是“让失去变得可爱”为题目 ※翻译技巧 汉泽英中需要特别注意的四个问题 一、不合习惯的说法 不同的民族有不同的习惯和表达方法。一句话，一个词，在一个国家表达的是好意，引起人们好的联想和情感，在另一个国家转达的可能是坏意，引起人们不好的联想和情感。如果翻译不注意，就有可能引起误解或不快。而如果我们注意这些差异，在译文中加以运用，就可以收到较好的效果。在翻译不涉及政治、经济等重要问题，只涉及生活习惯、日常用语时，可以更灵活些，按照译入语的习惯说法表达意思。 1.见面问候 中国人见面时喜欢问：吃过了吗?Have you had breakfast(lunch,supper)?到哪去?Where are you going?这都不是外国人在见面问候时会问的问题。如果见面就问外国人“到哪里”，人家会以为你要了解人家的私事，对你会产生反感。外国人喜欢问：“你好吗?”这句话可以有不少表达方法，如How are you?How do you do?How have you been doing?Hello!Hey!等。用哪一句来表达你的问候，取决于你与被问候人的关系密切程度。总之，这一类的问候语，直译可能会让人感到莫名其妙，还是按外国人的习惯翻译较好。 2、对病人的问候 中国人喜欢对病人深表同情。但外国人则轻易不愿表现出其弱的一面，对他们表达过分同情的话未必会收到好的效果。例如：中国人在听说一个人生病后可能会说：得知贵体欠佳，深感不安和关切。直译：I was rather disturbed by and concerned about your illness.但这样翻译会使感到病情很重，只能加重病人的顾虑，达不到安慰病人的目的。按照英文的表达习惯，可译为：I am sorry to hear about your illness and wish you a speedy recovery.这样翻译既表达了讲话者的难过心情，又表达了希望病人尽快康复的愿望。 3、对待他人的表扬和感谢 在受到表扬或感谢时，中国人往往比较谦虚，会说：“这没什么。”“这是我应该做的。”或者，“哪里，哪里，我还做得很差。”如果直译：It is nothing.This is my duty.This is what I should do.Well,I have not done very well.There is still much to be improved.所有这些谦恭的话，在外国人听起来，都会显得做作。西方人通常会说：It’s my pleasure.
半导体物理学基本概念 有效质量-----载流子在晶体中的表观质量，它体现了周期场对电子运动的影响。其物理意义：1）有效质量的大小仍然是惯性大小的量度；2）有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递，因此可正可负。 空穴-----是一种准粒子，代表半导体近满带（价带）中的少量空态，相当于具有正的电子电荷和正的有效质量的粒子，描述了近满带中大量电子的运动行为。 回旋共振----半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动，此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场，当交变磁场的频率等于电子的回旋频率时，发生强烈的共振吸收现象，称为回旋共振。 施主-----在半导体中起施予电子作用的杂质。 受主-----在半导体中起接受电子作用的杂质。 杂质电离能-----使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。 n-型半导体------以电子为主要载流子的半导体。 p-型半导体------以空穴为主要载流子的半导体。 浅能级杂质------杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶，即杂质电离能很低的杂质。浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。 深能级杂质-------杂质能级位于半导体禁带中远离导带底（施主）或价带顶（受主），即杂质电离能很大的杂质。深能级杂质对半导体导电性质影响较小，但对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用。位于半导体禁带中央能级附近的深能级杂质是有效的复合中心。 杂质补偿-----在半导体中同时存在施主和受主杂质时，存在杂质补偿现象，即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级，实际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓度，即两者之差。 直接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间同一位置时称为直接带隙。直接带隙材料中载流子跃迁几率较大。间接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间不同位置时称为间接带隙。间接带隙材料中载流子跃迁时需有声子参与，跃迁几率较小。 平衡状态与非平衡状态-----半导体处于热平衡态时，载流子遵从平衡态分布，电子和空穴具有统一的费米能级。半导体处于外场中时为非平衡态，载流子分布函数偏离平衡态分布，电子和空穴不具有统一的费米能级，载流子浓度也比平衡时多出一部分，但可认为它们各自达到平衡，可引入准费米能级表示。 电中性条件-----半导体在任何情况下都维持体内电中性，即单位体积内正电荷数与负电荷数相等。 非简并半导体----半导体中载流子分布可由经典的玻尔兹曼分布代替费米分布描述时，称之为非简并半导体。 简并半导体-----半导体重掺杂时，其费米能级有可能进入到导带或价带中，此时载流子分布必须用费米分布描述，称之为简并半导体。简并半导体有如下性质：1）杂质不能充分电离；2）杂质能级扩展为杂质能带。如果杂质能带与导带或价带相连，则禁带宽度将减小。 本征半导体-----本征半导体即纯净半导体，其载流子浓度随温度增加呈指数规律增加。 杂质半导体----在半导体中人为地，有控制地掺入少量的浅能级杂质的半导体，可在较大温度范围内保持半导体内载流子浓度不随温度改变。即掺杂的主要作用是在较大温度范围维持半导体中载流浓度不变。 多数载流子与少数载流子------多数载流子是在半导体输运过程中起主要作用的载流子，如n-型半导体中的电子。而少数载流子在是在半导体输运过程中起次要作用的载流子，如n-型半导体中的空穴。 费米分布------费米分布是费米子（电子）在平衡态时的分布，其物理意义是在温度T时，电子占据能量为E的状态的几率，或能量为E的状态上的平均电子数。 费米能级-----费米能级是T=0 K时电子系统中电子占据态和未占据态的分界线，是T=0 K时系统中电子所能具有的最高能量。 漂移速度----载流子在外场作用下定向运动的平均速度，弱场下漂移速度大小正比于外场强度。 迁移率----描述半导体中载流子在外场中运动难易程度的物理量，若外场不太强，载流子运动遵从欧姆定律时，迁移率与电场强度无关，为一常数。强场时，迁移率与外场有关。 电导率-----描述材料导电性质的物理量。半导体中载流子遵从欧姆定律时，电流密度正比于电场强度，其比例系数即为电导率。电导率大小与载流子浓度，载流子的迁移率有关。从微观机制看，电导率与载流子的散射过程有关。 电阻率-----电导率的倒数。本征半导体电阻率随温度上升而单调下降。同样，电阻率与载流子的散射过程有关。 金属电阻率-----随温度上升而上升。（晶格振动散射） 散射几率-----载流子在单位时间内被散射的次数。 平均自由时间-----载流子在两次散射之间自由运动的平均时间。 强场效应-----电场强度较高时载流子的平均漂移速度与电场强度间的关系偏离线性关系的现象，此时迁移率不再是常
《半导体物理学》课程辅导教案 关于教案的几点说明: 教案的基本内容:包括课程的课程重点,课程难点,基本概念,基本要求,参考资料,思考题和自测题,教学进度及学时分配. 教材:采用高等学校工科电子类(电子信息类)规划教材《半导体物理学》,由刘思科,朱秉升,罗晋生等编写.本教材多次获奖,如全国高等学校优秀教材奖,电子类专业优秀教材特等奖,普通高等学校教材全国特等奖. 参考资料(书目) 叶良修(北大)《半导体物理学》 刘文明(吉大)《半导体物理学》 顾祖毅(清华)《半导体物理学》 格罗夫(美)A.S.Grove《半导体器件物理与工艺》 王家骅(南开)《半导体器件物理》 施敏(Sze.S.M美)《半导体器件物理》 施敏(Sze.S.M美)《现代半导体器件物理》 目录 第一章半导体中的电子状态 §1.1 晶体结构预备知识,半导体晶体结构 §1.2 半导体中的电子状态 §1.3 电子在周期场中的运动——能带论 §1.4 半导体中电子(在外力下)的运动,有效质量,空穴 §1.5 半导体的导电机构 §1.6 回旋共振 §1.7 硅和锗的能带结构 §1.8 化合物半导体的能带结构 第二章半导体中杂质和缺陷能级 §2.1 硅,锗晶体中的杂质能级 §2.2 化合物半导体中的杂质能级 §2.3 半导体中的缺陷能级(defect levels) 第三章半导体中热平衡载流子的统计分布
§3.1 载流子的统计分布函数及能量状态密度 §3.2 导带电子浓度和价带空穴浓度 §3.3 本征半导体的载流子浓度 §3.4 杂质半导体的载流子浓度 §3.5 一般情况下地载流子统计分布 §3.6 简并半导体 第四章半导体的导电性 §4.1 载流子的漂移运动,迁移率 §4.2 载流子的散射 §4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 §4.4 电阻率及其与杂质浓度的关系 §4.6 强电场效应,热载流子 §4.7 耿氏效应,多能谷散射 第五章非平衡载流子 §5.1 非平衡载流子的注入 §5.2 非平衡载流子的复合和寿命 §5.3 准费米能级 §5.4 复合理论 §5.5 陷阱效应 §5.6 载流子的扩散运动 §5.7 载流子的漂移运动,爱因斯坦关系 §5.8 连续性方程及其应用 第六章p–n结 §6.1 p–n结及其能带图 §6.2 p–n结电流电压特性 §6.3 p–n结电容 §6.4 p–n结击穿 §6.5(*) p–n结隧道效应 第一章半导体中的电子状态（光14学时微14学时）§1.1 晶体结构预备知识半导体晶体结构 ◆本节内容:
第一章 1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。答：原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式存在，没有一个固定的轨道；而晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子，在晶体周期性势场中运动。当原子互相靠近结成固体时，各个原子的内层电子仍然组成围绕各原子核的封闭壳层,和孤立原子一样;然而，外层价电子则参与原子间的相互作用，应该把它们看成是属于整个固体的一种新的运动状态。组成晶体原子的外层电子共有化运动较强，其行为与自由电子相似，称为准自由电子，而内层电子共有化运动较弱，其行为与孤立原子的电子相似。2.描述半导体中电子运动为什么要引入"有效质量"的概念, 用电子的惯性质量描述能带中电子运动有何局限性。 答：引进有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用。惯性质量描述的是真空中的自由电子质量，而不能描述能带中不自由电子的运动，通常在晶体周期性势场作用下的电子惯性运动，成为有效质量3.一般来说, 对应于高能级的能带较宽,而禁带较窄,是否如此，为什么？ 答：不是，能级的宽窄取决于能带的疏密程度，能级越高能带越密，也就是越窄；而禁带的宽窄取决于掺杂的浓度，掺杂浓度高，禁带就会变窄，掺杂浓度低，禁带就比较宽。 4.有效质量对能带的宽度有什么影响，有人说:"有效质量愈大,能量密度也愈大,因而能带愈窄.是否如此，为什么？ 答：有效质量与能量函数对于K的二次微商成反比，对宽窄不同的各个能带，1（k）随k的变化情况不同，能带越窄，二次微商越小，有效质量越大，内层电子的能带窄，有效质量大；外层电子的能带宽，有效质量小。 5.简述有效质量与能带结构的关系；答：能带越窄，有效质量越大，能带越宽，有效质量越小。 6.从能带底到能带顶,晶体中电子的有效质量将如何变化？外场对电子的作用效果有什么不同； 答：在能带底附近，电子的有效质量是正值，在能带顶附近，电子的有效质量是负值。在外电F作用下，电子的波失K不断改变，f=h(dk/dt,其变化率与外力成正比，因为电子的速度与k有关，既然k状态不断变化，则电子的速度必然不断变化。 7.以硅的本征激发为例,说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系，为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度? 答：沿不同的晶向，能量带隙不一样。因为电子要摆脱束缚就能从价带跃迁到导带，这个时候的能量就是最小能量，也就是禁带宽度。
北大考博辅导：北京大学外国语言文学考博难度解析及经验分享根据教育部学位与研究生教育发展中心最新公布的第四轮学科评估结果可知，全国共有115所开设外国语言文学类专业的大学参与了排名，其中排名第一的是北京大学，排名第二的是北京外语大学，排名第三的是上海外语大学。 作为北京大学实施国家“211工程”和“985工程”的重点学科，外国语学院的外国语言文学一级学科在历次全国学科评估中均名列第一。 下面是启道考博整理的关于北京大学外国语言文学考博相关内容。 一、专业介绍 外国语言文学，是文学门类下的一级学科名称，设有英语语言文学、俄语语言文学、法语语言文学、德语语言文学、日语语言文学、印度语言文学、西班牙语语言文学、阿拉伯语语言文学、欧洲语言文学、亚非语言文学、外国语言学及应用语言学11个二级学科专业。 北京大学外国语学院的外国语言文学专业在博士招生方面，划分为1个研究方向：050220外国语言文学（国别和区域研究） 研究方向：01.国别和区域研究 此专业实行申请考核制。 二、考试内容 北京大学外国语言文学专业博士研究生招生为资格审查加综合考核形式，由笔试+专业面试构成。其中，综合考核内容为: 1、外国语学院将组织专家组对申请人的申请材料进行初审，初审结果将于2019年3月公布。 2、对通过初审的申请者采取笔试与面试相结合的方式进行复试，主要考核考生学科背景知识、专业素质、思维能力、创新能力等； 3、复试考核时间：2019年3月，包括笔试和面试。 4、笔试、面试各占50%，任意一项不合格不予录取。对于考核合格考生，学院博士生招生工作小组将从中择优确定拟录取名单，经研究生院批准后公示十个工作日。 四、申请材料 （1）北京大学2019年攻读博士学位研究生报考登记表：请在规定的报名时间内登陆北京大学研究生招生网（网址：https://https://www.doczj.com/doc/a214783857.html,/applications/）进行网上报名，上传相关材料，并打印“北京大学2019年攻读博士学位研究生报考登记表”（有两处
北大微电子-专业课参考书 北大微电子与固体电子学专业考研可以选考《半导体物理》和《数字与模拟电路》，两门课任选，跟录取没有任何关系。从最近几年考题分析来看，数字与模拟电路考题相对简单，得高分比较容易。但建议大家兴趣为主，尽量选择自己熟悉的专业课复习，最终目标是把初试分数提高。 半导体物理参考书： 《半导体物理》叶良修 1983版高等教育出版社（这本书已经不再出版，想办法电子版的吧） 《半导体物理学》刘恩科第四版（好像是最新的了吧） 数模电参考书： 早年公布的参考书是：康华光的《电子技术基础（数字与模拟两册）》，但分析最近几年题来看，康书的内容有些少，覆盖面不够。建议与北大本科生教材靠拢。 北大微电子系本科生数模电教材： 数电：(二选一) 1.《数字电子技术基础》阎石高等教育出版社版本无所谓（这本书很经典，也蛮基础） 2.数字设计：原理与实践，第四版，Wakerly著，林生等译，机械工业出版社，2007（这本书内容覆盖得比较全，但也蛮厚，复习起来很费时）
模电： 《模拟电路》老师推荐的教材是：(二选一) 1.《模拟电子技术基础》童诗白/华成英高等教育出版社 2.《电子线路基础》高文焕，李冬梅第二版高等教育出版社 + 《模拟电子技术基础》杨素行第三版 之所以有二选一情况发生，是因为本科上课分两个教学班，授课老师不一样，指定教材不一样。北大数字与模拟电路模电的考研重点知识点（这里从略）电路分析老师推荐的教材是： 《电路分析方法》胡薇薇陈江北京大学出版社教材难买到可以参考讲义 试题分数分布（根据以往大概统计）： 《电子线路》电分10-30分；模电65-70；数电55-65 软件与微电子学院参考书目
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育明教育解析：翻译硕士考研大纲 考试科目：除去全国统考的政治外，备战MTI的同学们还有三门专业课需要复习：150分的百科知识与中文写作，100分的基础英语，以及150分的英汉互译。 1.百科写作大纲 考试目的 本考试是全日制翻译硕士专业学位研究生的入学资格考试之专业基础课，各语种考生统一用汉语答题。各招生院校根据考生参加本考试的成绩和其他三门考试的成绩总分来选择参加第二轮，即复试的考生。 性质范围 本考试是测试考生百科知识和汉语写作水平的尺度参照性水平考试。考试范围包括大纲规定的百科知识和汉语写作水平。 基本要求 ①具备一定中外文化，以及政治经济法律等方面的背景知识。 ②对作为母语的现代汉语有较强的基本功。 ③具备较强的现代汉语写作能力。 百科写作书目 卢晓江，《自然科学史十二讲》，中国轻工业出版社(2007) 叶朗，《中国文化读本》，北京：外语教学与研究出版社(2008)
杨月蓉，《实用汉语语法与修辞》，重庆：西南师范大学出版社(1999) 白延庆，《公文写作》，对外经贸大学出版社(2004) 专家解读：50分的百科知识，大家不必一味地纠结于百科知识的“广”，而应该“有针对性地”复习。关于中文写作，是有一定的形式和规律可循的，在专业老师的指导下，练习、修改、再练习，努力精益求精，即可面面俱到。 2.基础英语大纲 考试目的 翻译硕士英语作为全日制翻译硕士专业学位(MTI)入学考试的外国语考试，其目的是考察考生是否具备进行MTI学习所要求的外语水平。 性质范围 本考试是一种测试应试者单项和综合语言能力的尺度参照性水平考试。考试范围包括MTI考生应具备的外语词汇量、语法知识以及外语阅读与写作等方面的技能。 基本要求 ①具有良好的外语基本功，认知词汇量在10，000以上，掌握6000个以上(以英语为例)的积极词汇，即能正确而熟练地运用常用词汇及其常用搭配。 ②能熟练掌握正确的外语语法、结构、修辞等语言规范知识。 ③具有较强的阅读理解能力和外语写作能力。 基础英语书目 姜桂华，《中式英语之鉴》，外语教学与研究出版社(2000) 张汉熙，《高级英语》，外语教学与研究出版社(1995) 蒋显璟，《英美散文选读》，对外经贸大学出版社(2008) 谭载喜，《西方翻译简史》，中国对外翻译出版社公司(1997) 陈福康，《中国译学理论史稿》，上海外语教育出版社(2002) 刘宓庆，《文体与翻译》，中国对外翻译出版公司(1998) 李明，《翻译批评与赏析》，武汉大学出版社(2007) 叶子南，《高级英汉翻译理论与实践》，清华大学出版社(2001) 专家解读：基础英语分为三个部分，词汇语法30分，阅读40分，写作30分。词汇语法部分出题灵活，难度约在专八的程度。因此，同学们从备考的开始阶段起就要多背单词，在此基础上，大量地做单词语法题和专八系列的改错题，反复记忆，总结技巧。 至于阅读部分，传统选择题的难度大致为专八水平，但也可能出现GRE水平的理解题，而对于一些非传统的阅读题型，比如paraphrase,answer questions等，考察的不仅是同学们的阅读能力和理解能力，也在一定程度上反应了考生的表达能力。所以，同学们在平时做阅读理解题的过程中，要有意识地强化自己的语言“输出”功力，不可辞不达意。
1/7 【育明教育】中国考研考博专业课辅导第一品牌官方网站：https://www.doczj.com/doc/a214783857.html, 1 2015年北京外国语大学考研指导 育明教育，创始于2006年，由北京大学、中国人民大学、中央财经大学、北京外国语大学的教授投资创办，并有北京大学、武汉大学、中国人民大学、北京师范大学复旦大学、中央财经大学、等知名高校的博士和硕士加盟，是一个最具权威的全国范围内的考研考博辅导机构。更多详情可联系育明教育孙老师。 （42）西语翻译理论研究与实践 1、盛力著： 《西班牙语口译》，外语教学与研究出版社，2011年。2、Hurtado Albir,Amparo:Traducción y Traductología,Cátedra,4aedición,2008 第一部分Traducción 第25至95页。 第二部分La traductología 第99至132页。 3、Manuel Casado Velarde:Lenguaje y cultura:la etnolingüística,Editorial Síntesis ，1998 （43）西班牙语国家政治经济研究 1、徐世澄著： 《拉丁美洲政治》，中国社会科学出版，2006年。2、E.布拉德福德·伯恩斯、朱莉·阿·查利普（著） ，王宁坤（译）：《简明拉丁美洲史》，世界图书出版公司，2009年。 3、Fernando García de Cortázar,Breve historia de Espa?a,Alianza Editorial,S.A.Madrid,1994葡萄牙语语言文学 葡萄牙语翻译理论与实践 1、刘宓庆:《当代翻译理论》 ，中国对外翻译出版公司，20032、谭载喜:《新编奈达论翻译》 ，中国对外翻译出版公司，20023、周方珠:《翻译多元论》 ，中国对外翻译出版公司，2005复试用书，复试时需填报具体领域 巴西国情研究
北京大学各院系课程设置一览 前言 很多同学希望了解在北京大学各院系的某个年级要学习哪些课程，但又不容易查到课程表。本日志充当搬运工作用，将各院系开设课程列于下方，以备查询。 查询前必读 注释： ※在课程名称后标注含义如下： 标注（必）表示此课程为专业必修课，是获得学士学位必须通过的课程； 标注（限）表示此课程为专业任选课（原称专业限选课），各院系规定需在所有专业任选课中选修足够的学分（通常为30~40）以获取学士学位； 标注（通）表示此课程为通选课，非本院系本科生可选修此类课程，并计入通选课所需总学分；通选课无年级限制； 标注（公）表示此课程为全校任选课（原称公共任选课），此类课程不与学位挂钩，公选课无年级限制。 标注（体）表示此课程为体育课，每名学生必须且仅能选修4.0学分体育课；男生必须选修“太极拳”，女生必须选修“健美操”。 ※实际上，多数专业必修课及专业选修课也没有年级限制。对应的年级是“培养方案”推荐的修该门课程的适当年级。 ※不开设任何专业必修课的院系为研究生院或其他不招收本科生的部门，如马克思主义学院、武装部等。 ※由于在某些院系下有不同专业方向，标注为必修课的课程可能并不对于所有学生均为必修（如外国语学院的各个语种分支）。相关信息请咨询相应院系教务。 ※多数课程可以跨院系选修，但可能需缴纳额外学费。 ※院系编号为学号中表示院系字段的数字，因院系调整原因，编号并不连续。“系”可能为院级单位，具体以相应主页标示为准。 ※课程名称后标注数字表示学分。一般情况下，对于非实验课及非习题课，每学分表示平均每周有一节50分钟时长课程，16-18周。 ※院系设置的课程不一定由本院系开设。 ※医学部课程仅包含在本部的课程内容。 ※本一览表不包括政治课、军事理论课、英语课、文科计算机基础、辅修及双学位课程。※本一览表不提供上课地点及主讲教师信息，请与相应院系教务联系。 001 数学科学学院 https://www.doczj.com/doc/a214783857.html,/ 一年级秋季学期 数学分析（I）（必）5.0 数学分析（I）习题（必）0.0 高等代数（I）（必）5.0 高等代数（I）习题（必）0.0 几何学（必）5.0 几何学习题（必）0.0 一年级春季学期 数学分析（II）（必）5.0
半导体物理学基本概念 有效质量----- 载流子在晶体中的表观质量，它体现了周期场对电子运动的影响。其物理意义：1）有效质量的大小仍然是惯性大小的量度；2）有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递，因此可正可负。 空穴----- 是一种准粒子，代表半导体近满带（价带）中的少量空态，相当于具有正的电子电荷和正的有效质量的粒子，描述了近满带中大量电子的运动行为。 回旋共振---- 半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动，此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场，当交变磁场的频率等于电子的回旋频率时，发生强烈的共振吸收现象，称为回旋共振。施主-----在半导体中起施予电子作用的杂质。受主-----在半导体中起接受电子作用的杂质。 杂质电离能----- 使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。 n-型半导体------以电子为主要载流子的半导体。 p-型半导体------ 以空穴为主要载流子的半导体。 浅能级杂质------ 杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶，即杂质电离能很低的杂质。浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。 深能级杂质------- 杂质能级位于半导体禁带中远离导带底（施主）或价带顶（受主），即杂质电离能很大的杂质。深能级杂质对半导体导电性质影响较小，但对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用。位于半导体禁带中央能级附近的深能级杂质是有效的复合中心。
杂质补偿----- 在半导体中同时存在施主和受主杂质时，存在杂质补偿现象，即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级，实际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓度，即两者之差。 直接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k 空间同一位置时称为直接带隙。直接带隙材料中载流子跃迁几率较大。 间接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k 空间不同位置时称为间接带隙。间接带隙材料中载流子跃迁时需有声子参与，跃迁几率较小。 平衡状态与非平衡状态----- 半导体处于热平衡态时，载流子遵从平衡态分布，电子和空穴具有统一的费米能级。半导体处于外场中时为非平衡态，载流子分布函数偏离平衡态分布，电子和空穴不具有统一的费米能级，载流子浓度也比平衡时多出一部分，但可认为它们各自达到平衡，可引入准费米能级表示。电中性条件----- 半导体在任何情况下都维持体内电中性，即单位体积内正电荷数与负1 电荷数相等。 非简并半导体---- 半导体中载流子分布可由经典的玻尔兹曼分布代替费米分布描述时，称之为非简并半导体。 简并半导体----- 半导体重掺杂时，其费米能级有可能进入到导带或价带中，此时载流子分布必须用费米分布描述，称之为简并半导体。简并半导体有如下性质：1）杂质不能充分电离；2）杂质能级扩展为杂质能带。如果杂质能带与导带或价带相连，则禁带宽度将减小。
目 录 2006年北京大学外国语学院370文学理论考研真题（回忆版） 2007年北京大学外国语学院文学理论考研真题（回忆版） 2008年北京大学外国语学院文学理论考研真题（回忆版） 2009年北京大学外国语学院文学理论考研真题（回忆版） 2010年北京大学外国语学院文学理论考研真题（回忆版）
2011年北京大学外国语学院文学理论考研真题（回忆版） 2012年北京大学外国语学院文学理论考研真题（回忆版） 2012年北京大学外国语学院文学理论考研真题（回忆版）及部分答案 2013年北京大学外国语学院670文学理论考研真题（回忆版） 2013年北京大学外国语学院670文学理论考研真题（回忆版）及部分答案 2014年北京大学外国语学院文学理论考研真题（回忆版）
2014年北京大学外国语学院文学理论考研真题（回忆版）及部分答案 2015年北京大学外国语学院文学理论考研真题（回忆版） 2016年北京大学外国语学院文学理论考研真题（回忆版） 2017年北京大学外国语学院662文学理论考研真题（回忆版）
2006年北京大学外国语学院370文学理论考研真题（回忆版） 一、解释题（40分） 1．《伊安篇》 2．“为艺术而艺术” 3．布拉格学派 4．物哀文学 5．《典论·论文》 6．世界文学 7．客观对应物 8．文学反应论 二、简答题（50分） 1．区分中国古代文学批评中意象与英美意象派诗人的意象有什么不同。 2．艺术与日神酒神精神有什么关系？谈谈你的理解。 3．什么是“东方主义”？用此文学理论分析一部作品。 4．谈谈你对“文以载道”的理解。 5．简述黑格尔的美学思想。 三、综合题（60分） 1．“影响的焦虑”这一概念是由谁提出来的？联系世界文学史范围内（包括中国）任意两个时代、两个流派或任意两个作家个体之间的关系，谈谈你对“影响的焦虑”的理解。
第一章晶体结构晶格 §1晶格相关的基本概念 1.晶体：原子周期排列，有周期性的物质。 2.晶体结构：原子排列的具体形式。 3.晶格：典型单元重复排列构成晶格。 4.晶胞：重复性的周期单元。 5.晶体学晶胞：反映晶格对称性质的最小单元。 6.晶格常数：晶体学晶胞各个边的实际长度。 7.简单晶格&复式晶格：原胞中包含一个原子的为简单晶格，两个或者两个以上的称为复 式晶格。 8.布拉伐格子：体现晶体周期性的格子称为布拉伐格子。（布拉伐格子的每个格点对应一 个原胞，简单晶格的晶格本身和布拉伐格子完全相同；复式晶格每种等价原子都构成和布拉伐格子相同的格子。） 9.基失：以原胞共顶点三个边做成三个矢量，α1，α2，α3，并以其中一个格点为原点， 则布拉伐格子的格点可以表示为αL=L1α1 +L2α2 +L3α3 。把α1，α2，α3 称为基矢。 10.平移对称性：整个晶体按9中定义的矢量αL 平移，晶格与自身重合，这种特性称为平 移对称性。（在晶体中，一般的物理量都具有平移对称性） 11.晶向&晶向指数：参考教材。（要理解） 12.晶面&晶面指数：参考教材。（要理解） 立方晶系中，若晶向指数和晶面指数相同则互相垂直。 §2金刚石结构，类金刚石结构（闪锌矿结构） 金刚石结构：金刚石结构是一种由相同原子构成的复式晶格，它是由两个面心立方晶格沿立方对称晶胞的体对角线错开1/4长度套构而成。常见的半导体中Ge，Si，α-Sn（灰锡）都属于这种晶格。 金刚石结构的特点：每个原子都有四个最邻近原子，它们总是处在一个正四面体的顶点上。（每个原子所具有的最邻近原子的数目称为配位数） 每两个邻近原子都沿一个<1,1,1,>方向， 处于四面体顶点的两个原子连线沿一个<1,1,0>方向， 四面体不共顶点两个棱中点连线沿一个<1,0,0,>方向。
9金属半导体与半导体异质结 一、肖特基势垒二极管 欧姆接触：通过金属-半导体的接触实现的连接。接触电阻很低。 金属与半导体接触时，在未接触时，半导体的费米能级高于金属的费米能级，接触后，半导体的电子流向金属，使得金属的费米能级上升。之间形成势垒为肖特基势垒。 在金属与半导体接触处，场强达到最大值，由于金属中场强为零，所以在金属——半导体结的金属区中存在表面负电荷。 影响肖特基势垒高度的非理想因素：肖特基效应的影响，即势垒的镜像力降低效应。金属中的电子镜像到半导体中的空穴使得半导体的费米能级程下降曲线。附图： 电流——电压关系：金属半导体结中的电流运输机制不同于pn结的少数载流子的扩散运动决定电流，而是取决于多数载流子通过热电子发射跃迁过内建电势差形成。附肖特基势垒二极管加反偏电压时的I-V曲线：反向电流随反偏电压增大而增大是由于势垒降低的影响。 肖特基势垒二极管与Pn结二极管的比较：1.反向饱和电流密度（同上），有效开启电压低于Pn结二极管的有效开启电压。2.开关特性肖特基二极管更好。应为肖特基二极管是一个多子导电器件，加正向偏压时不会产生扩散电容。从正偏到反偏时也不存在像Pn结器件的少数载流子存储效应。 二、金属-半导体的欧姆接触 附金属分别与N型p型半导体接触的能带示意图 三、异质结：两种不同的半导体形成一个结 小结：1.当在金属与半导体之间加一个正向电压时，半导体与金属之间的势垒高度降低，电子很容易从半导体流向金属，称为热电子发射。 2.肖特基二极管的反向饱和电流比pn结的大，因此达到相同电流时，肖特基二极管所需的反偏电压要低。 10双极型晶体管 双极型晶体管有三个掺杂不同的扩散区和两个Pn结，两个结很近所以之间可以互相作用。之所以成为双极型晶体管，是应为这种器件中包含电子和空穴两种极性不同的载流子运动。 一、工作原理 附npn型和pnp型的结构图 发射区掺杂浓度最高，集电区掺杂浓度最低 附常规npn截面图 造成实际结构复杂的原因是：1.各端点引线要做在表面上，为了降低半导体的电阻，必须要有重掺杂的N+型掩埋层。2.一片半导体材料上要做很多的双极型晶体管，各自必须隔离，应为不是所有的集电极都是同一个电位。 通常情况下，BE结是正偏的，BC结是反偏的。称为正向有源。附图： 由于发射结正偏，电子就从发射区越过发射结注入到基区。BC结反偏，所以在BC结边界，理想情况下少子电子浓度为零。 附基区中电子浓度示意图： 电子浓度梯度表明，从发射区注入的电子会越过基区扩散到BC结的空间电荷区，
2015年北京大学外国语学院考研录取名单公示（学术硕士）2015年硕士拟录取名单（学术型） 准考证号姓名专业初试 成绩 复试 成绩 外语听力成绩总成绩备注 15390224贺晓璇比较文学与世界文学33690.2 2.6076.7 15390013杨司奇比较文学与世界文学34384.2 3.0076.28 15390004古欣比较文学与世界文学35883.4 1.0076.14 15390040张佳欣英语语言文学38988 3.0083.86 15390034宋珅英语语言文学35684 1.5076.54 15390282董沁纹英语语言文学34082 1.2073.4 15390311田文娟俄语语言文学39384 3.0083 15390050刘晨俄语语言文学38884 2.0082 15390054吴雨阳俄语语言文学34580 2.0074 15390322魏珂昕法语语言文学36980 2.4078.06 15390336台期霖日语语言文学36089.4 2.9080.12 15390077李芽印度语言文学37389 2.7081.62 15390340康宇印度语言文学35485 2.0077 15390080曾琳西班牙语语言文学37190 3.0082 15390352赵浩儒西班牙语语言文学35188 3.0078.5 15390088王诗敏阿拉伯语语言文学38988 2.6083.5 15390365韩琼亚非语言文学40182.6 2.5083.42 15390105徐显力亚非语言文学38290 2.5082.98 15390382管浩亚非语言文学37287.4 2.5080.8 15390103吴红飞亚非语言文学35593 3.0080.6少数民族骨干15390398卢彩英亚非语言文学36889.4 2.0080.34 15390371于琛亚非语言文学35491 2.0078.86 15390094李金剑亚非语言文学35987 2.0078.36 15390368张楠亚非语言文学34295 1.5077.88 15390092洪瑾瑶亚非语言文学34591 2.0077.6 15390373任万虎亚非语言文学34385 3.0076.52 15390383黄海林亚非语言文学33982.6 2.5076.14对外汉语教师志愿者项目 15390376陈羲亚非语言文学35376.6 2.0074.4 15390379程露亚非语言文学34874.8 2.2073.36 15390405翟新超语言学34691.4 2.0077.86 15390120郑莉莉语言学33790.4 2.5076.8
非平衡载流子寿命公式： 本征载流子浓度公式： 本征半导体：晶体中不含有杂质原子的材料 半导体功函数：指真空电子能级E 0与半导体的费米能级E f 之差 电子>(<)空穴为n(p)型半导体，掺入的是施主(受主)杂质原子。 Pn 结击穿的的两种机制：齐纳效应和雪崩效应 载流子的迁移率 扩散系数 爱因斯坦关系式 两种扩散机制：晶格扩散，电离杂质扩散 迁移率受掺杂浓度和温度的影响 金属导电是由于自由电子；半导体则是因为自由电子和空穴；绝缘体没有自由移动的带电粒子，其不导电。 空间电荷区：冶金结两侧由于n 区内施主电离和p 区内受主电离而形成的带净正电与负电的区域。 存储时间：当pn 结二极管由正偏变为反偏是，空间电荷区边缘的过剩少子浓度由稳定值变为零所用的时间。 费米能级：是指绝对零度时，电子填充最高能级的能量位置。 准费米能级：在非平衡状度下，由于导带和介质在总体上处于非平衡，不能用统一的费米能级来描述电子和空穴按能级分布的问题，但由于导带中的电子和价带中的空穴按能量在各自能带中处于准平衡分布，可以有各自的费米能级成为准费米能级。 肖特基接触：指金属与半导体接触时，在界面处的能带弯曲，形成肖特基势垒，该势垒导放大的界面电阻值。 非本征半导体：将掺入了定量的特定杂质原子，从而将热平衡状态电子和空穴浓度不同于本征载流子浓度的材料定义为非本征半导体。 简并半导体：电子或空穴的浓度大于有效状态密度，费米能级位于导带中（n 型）或价带中（p 型）的半导体。 直接带隙半导体：导带边和价带边处于k 空间相同点的半导体。 电子有效质量：并不代表真正的质量，而是代表能带中电子受外力时，外力与加速度的一个比例常熟。 雪崩击穿：由空间电荷区内电子或空穴与原子电子碰撞而产生电子--空穴对时，创建较大反偏pn 结电流的过程 1、什么是单边突变结？为什么pn 结低掺杂一侧的空间电荷区较宽？ ①冶金结一侧的掺杂浓度大于另一侧的掺杂浓度的pn 结；②由于pn 结空间电荷区p 区的受主离子所带负电荷与N 区的施主离子所带正电荷的量是相等的，而这两种带点离子不能自由移动的，所以空间电荷区内的低掺杂一侧，其带点离子的浓度相对较低，为了与高掺杂一侧的带电离子的数量进行匹配，只有增加低掺杂一侧的宽度 。 2、为什么随着掺杂弄得的增大，击穿电压反而下降？ 随着掺杂浓度的增大，杂质原子之间彼此靠的很近而发生相互影响，分离能级就会扩展成微带，会使原奶的导带往下移，造成禁带宽度变宽，不如外加电压时，能带的倾斜处隧长度Δx 变得更短，当Δx 短到一定程度，当加微小电压时，就会使p 区价带中电子通过隧道效应通过禁带而到达N 区导带，是的反响电流急剧增大而发生隧道击穿，所以。。。。。。 3、对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体，为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同？试加以定性分析。 对于重掺杂半导体，在低温时，杂质散射起主导作用，而晶格振动散射与一般掺杂半导体相比较影响并不大，所以这时随着温度的升高，重掺杂半导体的迁移率反而增加；温度继续增加下，晶格振动散射起主导作用，导致迁移率下降。 对于一般掺杂半导体，由于杂质浓度低，电离杂子散射基本可以忽略，其主要作用的是晶格振动散射，所以温度越高，迁移率越小。 4、漂移运动和扩散运动有什么不同？对于非简并半导体而言，迁移率和扩散系数之间满足什么关系？ 漂移运动是载流子在外电场的作用下发生的定向运动，而扩散运动是由于浓度分布不均，导致载流子从浓度高的地方向浓度低的地方定向运动。前者的推动力是外电场，后者的推动力是载流子的分布引起的。 关系为：T k D 0 //εμ= 5、什么叫统计分布函数？并说明麦克斯韦-玻尔兹曼、玻色-爱因斯坦、费米狄拉克分布函数的区别？ 描述大量粒子的分部规律的函数。 ①麦克--滋曼分布函数：经典离子，粒子可区分，而且每个能态多容纳的粒子数没有限制。 ②波色--斯坦分部函数：光子，粒子不可区分，每个能态所能容纳的粒子数没有限制。 ③费米狄拉克分布函数：晶体中的电子，粒子不可分辨，而且每个量子态，只允许一个粒子。 6、画出肖特基二极管和pn 结二极管的正偏特性曲线；并说明它们之间的差别。 两个重要的区别：反向饱和电流密度的数量级，开关特性； 两种器件的电流输运机构不同：pn 结中的电流是由少数载流子的扩散运动决定的，而肖特基势垒二极管中的电流是由多数载流子通过热电子发射越过内建电势差而形成的。 肖特基二极管的有效开启电压低于pn 结二极管的有效开启电压。 7、（a ）5个电子处于3个宽度都为a=12A °的三维无限深势阱中，假设质量为自由电子质量，求T=0k 时费米能级（b ）对于13个电子呢？ 解：对于三维无限深势阱 对于5个电子状态，对应nxnynz=221=122包含一个电子和空穴的状态 ev E F 349.2)122(261.022=++?= 对于13个电子……=323=233 ev E F 5.742)323(261.0222=++?= 8、T=300k 时，硅的实验测定值为p 0=2×104cm -3,Na=7*1015cm -3, (a)因为P 0
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