半导体实用英语词汇
半导体实用英语词汇
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing-晶圆验收测试)ウェーハの受け入れテスト
2. acceptor: 受主，接受器（无线）如B，掺入Si中需要接受电子アクセプター；受容体
3. ACCESS（アクセス）：一个EDA（Engineering Data Analysis-工程数据分析-エンジニアリングデータ解析）系统
4. Acid：酸（さん）
5. Active device（アクティブデバイス）：有源器件（Active：积极，主动），如MOS FET （非线性，可以对信号放大）
6. Align mark(key)：对位标记合わせマーク
7. Alloy：合金（ごうきん）
8. Aluminum：铝（アルミニウム）
9. Ammonia：氨水（アンモニア）
10. Ammonium fluoride：NH4F（氟化铵）弗化アンモニウム
11. Ammonium hydroxide：NH4OH（氢氧化铵）水酸化アンモニウム
12. Amorphous silicon（アモルファスシリコン）：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）
13. Analog（アナログ）：模拟的
14. Angstrom（オングストローム）：A（1E-10m）埃
15. Anisotropic（異方性）：各向异性（如POLY ETCH）
16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）受け入れ品質のレベル
17. ARC(Antireflective coating反射防止膜)：抗反射层（用于METAL（金属）等层的光刻）
18. Antimony(Sb)锑アンチモン
19. Argon(Ar)氩アルゴン
20. Arsenic(As)砷砒素（ひそ）
21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷（三酸化砒素）
22. Arsine(AsH3)砷化氢アルシン
23. Asher：去胶机アッシャー
24. Aspect ratio（アスペクト比）n：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）
25. Auto doping（オートドーピング）：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）
26. Back end（バックエンド）：后段（CONTACT（接触）以后、PCM测试前）
27. Baseline（ベースライン）：标准流程
28. Benchmark（ベンチマーク）：基准
29. Bipolar（バイポーラ）：双极
30. Boat（ボート）：扩散用（石英）舟
31. CD：（Critical Dimension---限界寸法）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLY CD 为多晶条宽。
32. Character window（キャラクターウィンドウ）：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
33. Chemical-mechanical polish（化学機械研磨）（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。
34. Chemical vapor deposition（化学蒸着）（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。
35. Chip（チップ）：碎片或芯片。
36. CIM：computer-integrated manufacturing（コンピュータ統合生産）的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。
37. Circuit design（回路設計）：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
38. Clean room（クリーンルーム）：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
39. Compensation doping（補償ドーピング）：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。
40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor（相補型金属酸化膜半導体）的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺（互补金属氧化物半导体）。
41. Computer-aided design（コンピュータ支援設計）（CAD）：计算机辅助设计。
42. Conductivity type（導電型）：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。
43. Contact（コンタクト）：孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。
44. Control chart（制御図?管理図）：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
45. Correlation（相互関連）：相关性。
46. Cp：工艺能力，详见process capability（プロセス能力?工程能力）。
47. Cpk：工艺能力指数，详见process capability index（プロセス能力指数?工程能力指数）。
48. Cycle time（サイクルタイム）：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。
49. Damage（ダメージ）：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。
50. Defect density（欠陥密度）：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。
51. Depletion implant（枯渇インプラント）：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。）
52. Depletion layer（枯渇層）：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
53. Depletion width（枯渇幅）：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。
54. Deposition（堆積）：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反应的薄膜的一种方法。
55. Depth of focus（焦点深度）（DOF）：焦深。
56. design of experiments（実験の設計）(DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
57. develop（現像）：显影（通过化学处理除去曝光区域的光刻胶，形成所需图形的过程）
58. developer（現像液）：Ⅰ）显影设备；Ⅱ）显影液
59. diborane（ジボラン）(B2H6)：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常用来作为半导体生产中的硼源
60. dichloromethane（ジクロロメタン）(CH2CL2)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液体。
61. dichlorosilane（ジクロロシラン）(DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。
62. die（ダイス）：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
63. dielectric（誘電体）：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的表面材料，可以提供电绝缘功能。
64. diffused layer（拡散層）：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。
65. disilane （ジシラン）(Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。
66. drive-in（ドライブイン）：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
67. dry etch（ドライエッチング）：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。
68. effective layer thickness（効果的な層の厚さ）：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。
69. EM：electromigration（エレクトロマイグレーション），电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。
70. epitaxial layer（エピタキシャル層）：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层。
71. equipment downtime（機器のダウンタイム）：设备状态异常以及不能完成预定功能的
时间。
72. etch（エッチ）：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
73. exposure（露出）：曝光，使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
74. fab（ファブ）：常指半导体生产的制造工厂。
75. feature size（特徴サイズ）：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
76. field-effect transistor（電界効果トランジスタ）（FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的横向电场控制。
77. film（フィルム）：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。
78. flat（フラット）：平边
79. flat band capacitance（フラットバンド容量）：平带电容
80. flat band voltage（フラットバンド電圧）：平带电压
81. flow coefficient（流量係数）：流动系数
82. flow velocity（流速）：流速计
83. flow volume（流量）：流量计
84. flux（フラックス）：单位时间内流过给定面积的颗粒数
85. forbidden energy gap（禁制帯?バンドギャップ）：禁带
86. four-point probe（四探針プローブ）：四点探针台
87. functional area（機能領域）：功能区
88. gate oxide（ゲート酸化）：栅氧
89. glass transition temperature（ガラス推移温度）：玻璃态转换温度
90. gowning（ガウン）：净化服
91. gray area（灰色の領域）：灰区
92. grazing incidence interferometer（斜入射干渉計）：切线入射干涉仪
93. hard bake（ベーク）：后烘
94. heteroepitaxy（ヘテロエピタキシー）：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法
95. high-current implanter（大電流イオン注入装置）：束电流大于3ma的注入方式，用于批量生产
96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter（高性能エアフィルタ?ヘパフィルター）：高效率空气颗粒过滤器，去掉99.97%的大于0.3um的颗粒
97. host（ホスト）：主机
98. hot carriers（ホットキャリア）：热载流子
99. hydrophilic（親水性）：亲水性
100. hydrophobic（疎水性）：疏水性
101. impurity（不純物）：杂质
102. inductive coupled plasma（誘導結合プラズマ）(ICP)：感应等离子体
103. inert gas（不活性気体?不活性ガス）：惰性气体
104. initial oxide（初期酸化）：一氧
105. insulator（絶縁体）：绝缘
106. isolated line（孤立線）：隔离线
107. implant （インプラント）: 注入
108. impurity（不純物）n : 掺杂
109. junction（ジャンクション）: 结
110. junction spiking n :铝穿刺アルミニウム穿刺（Aluminum puncture）
111. kerf （切り口?引き目）:划片槽
112. landing pad（着地パッド）n: AD接地焊盘
113. lithography（リソグラフィー）n: 制版
114. maintainability（保守性）, equipment（装置?機器?設備）: 设备产能（設備容量）115. maintenance（メンテナンス）n :保养
116. majority carrier（多数キャリア）n :多数载流子
117. masks（マスク）, device（装置）series（シリーズ）of n : 一成套光刻版（A complete set of photo mask?フォトマスクの完全なセット）
118. material （材料）n :原料
119. matrix （マトリックス）n 1 :矩阵
120. mean（平均）n : 平均值
121. measured leak rate（リークレートを測定）n :测得漏率
122. median （中央値）n :中间值
123. memory（メモリー）n : 记忆体
124. metal（金属）n :金属
125. nanometer （ナノメートル）(nm) n ：纳米
126. nanosecond（ナノ秒）(ns) n ：纳秒
127. nitride etch （窒化「ちっか」エッチ）n ：氮化物刻蚀
128. nitrogen （窒素「ちっそ」）(N2 ) n：氮气，一种双原子气体
129. n-type（n-型?n-タイプ）adj ：n型
130. ohms per square（オーム）n：欧姆每平方: 方块电阻
131. orientation（オリエンテーション）n：晶向/取向，一组晶列所指的方向
132. overlap（重複?オーバーラップ）n ：交迭区/重叠
133. oxidation（酸化）n ：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应
134. phosphorus（燐「りん」）(P) n ：磷，一种有毒的非金属元素
135. photo mask （フォトマスク）n ：光刻版，用于光刻的版
136. photo mask（フォトマスク）, negative（負）n：反刻
137. images（画像）：去掉图形区域的版
138. photo mask（フォトマスク）, positive（正）n：正刻
139. pilot （実験）n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子
140. plasma（プラズマ）n ：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体
141. plasma-enhanced chemical vapor deposition （プラズマ化学気相蒸着）(PECVD) n：等离子体化学气相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺
142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition（プラズマTEOS酸化膜）n：TEOS淀积，淀积TEOS的一种工艺/等离子体氧化硅酸乙酯
143. pn junction （pn接合）n：pn结
144. pocked bead（痘痕ビーズ）n：痘痕珠/麻点，在20X下观察到的吸附在低压表面的水珠
145. polarization（偏光）n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语
146. polycide （ポリサイド）n：多晶硅/金属硅化物，解决高阻的复合栅结构
147. polycrystalline silicon（多結晶シリコン）(poly) n：多晶硅，高浓度掺杂（>5E19）的硅，能导电。
148. polymorphism（ポリモルフィズム）n：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象
149. prober（プローバ）n :探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。
150. process control （プロセスコントロール?プロセス制御）n :过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。
151. proximity X-ray（近接X線）n :近X射线：一种光刻技术，用X射线照射置于光刻胶上方的掩膜版，从而使对应的光刻胶暴光。
152. pure water（純水）n : 纯水。半导体生产中所用之水。
153. quantum device（量子デバイス）n :量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。
154. quartz carrier （石英キャリア）n :石英舟。
155. random access memory （ランダムアクセスメモリー）(RAM) n :随机存储器。156. random logic device （ランダムロジックデバイス）n :随机逻辑器件。
157. rapid thermal processing（急速熱処理）(RTP) n :快速热处理(RTP)。
158. reactive ion etch（反応性イオンエッチ）(RIE) n : 反应离子刻蚀(RIE)。
159. reactor （リアクター）n :反应腔。反应进行的密封隔离腔。
160. recipe（レシピ）n :菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。
161. resist（レジスト）n :光刻胶。
162. scanning electron microscope（走査電子顕微鏡）(SEM) n :电子显微镜(SEM)。163. scheduled downtime（ダウンタイム予定）n : (设备)预定停工时间。
164. Schottky barrier diodes（ショットキバリアダイオード）n :肖特基二极管。165. scribe line （切り口?引き目）n :划片槽。
166. sacrificial etch back（犠牲エッチバック）n :牺牲腐蚀。
167. semiconductor（半導体）n :半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。
168. sheet resistance（シート抵抗）(Rs) (or per square「或每平方（または面積当たり）」)
n :薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。
169. side load（側荷重）: 边缘载荷，被弯曲后产生的应力。
170. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer(SOSウェハ):外延是蓝宝石衬底硅的原片171. small scale integration（小規模統合）(SSI):小规模综合，在单一模块上由2到10个图案的布局。
172. source code（ソースコード）:原代码，机器代码编译者使用的，输入到程序设计语言里或编码器的代码。
173. spectral line（スペクトル線）: 光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。
174. spin webbing(スピンウエビング): 旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。
175. sputter etch（スパッタエッチ）: 溅射刻蚀，从离子轰击产生的表面除去薄膜。176. stacking fault（積層欠陥）:堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的2次空间错误。177. steam bath（スチームバス）:蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。
178. step response time（ステップ応答時間）:瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚到达特定地带的那个时刻之间的时间。
179. stepper（ステッパー）: 步进光刻机（按BLOCK来曝光）
180. stress test（ストレステスト）: 应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。181. surface profile（表面形状）:表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓（没有特指的情况下）。
182. symptom（兆候）:征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。183. tack weld（仮付け溶接）:间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）。
184. Taylor tray（テイラートレイ）:泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。
185. temperature cycling（温度サイクル）:温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。
186. testability（テスト容易性）:易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。187. thermal deposition（熱蒸着）:热沉积，在超过950度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。
188. thin film（薄膜）:超薄薄膜，堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。189. titanium（チタン）(Ti): 钛。
190. toluene（トルエン）(C6H5CH3): 甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。
191. 1,1,1-trichloroethane（トリクロロエタン）(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。
192. tungsten（タングステン）(W): 钨。
193. tungsten hexafluoride（六弗化タングステン）(WF6): 氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在CVD中WF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。
194. tinning（錫めっき「スズめっき」）: 金属性表面覆盖焊点的薄层。
195. total fixed charge density（総固定電荷密度）(Nth): 下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度(Nf)、氧化层俘获的电荷的密度(Not)、界面负获得电荷密度(Nit)。196. watt（ワット）(W): 瓦。能量单位。
197. wafer flat（ウエハーフラット）: 从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向。
ACA Anisotropic Conductive Adhesive（異方性導電性接着剤）各向异性导电胶
ACAF Anisotropic Conductive Adhesive Film（異方性導電性接着フィルム）各项异性导电胶膜
Al Aluminium（アルミニウム）铝
ALIVH All Inner Via Hole（全層インナーバイアホール構造）完全内部通孔
AOI Automatic Optical Inspection(光学式基板外観検査装置) 自动光学检查
ASIC Application Specific Integrated Circuit(特定用途向け集積回路) 专用集成电路
ATE Automatic Test Equipment(自動検査装置) 自动监测设备
AU Gold（ゴールド）金
BCB Benzo Cyclo Butene（ベンゾシクロブテン）苯丙环丁烯
BeO Beryllium Oxide（酸化ベリリウム）氧化铍
BIST Built-In Self-Test(Function)（ビルトイン自己テスト「機能」）内建自测试(功能)
BT Bipolar Transistor（バイポーラトランジスタ）双极晶体管
BTAB Bumped Tape Automated Bonding（バンプテープ自動ボンディング）凸点载带自动焊
BGA Ball Grid Array（ビージーエー?ボールグリッドアレイ）焊球阵列
BQFP Quad Flat Package With Bumper（バンパー付きQFP）带缓冲垫的四边引脚扁平封装
C4 Controlled Collapsed Chip Connection（指揮統制，コミュニケーション，コンピューター，情報を意味する頭字語）可控塌陷芯片连接
CAD Computer Aided Design（コンピューター支援設計）计算机辅助设计
CBGA Ceramic Ball Grid Array（セラミックボールグリッドアレイ）陶瓷焊球阵列CCGA Ceramic Column Grid Array（セラミックカラムグリッドアレイ）陶瓷焊柱阵列CLCC Ceramic Leaded Chip Carrier（セラミックリードチップキャリア）带引脚的陶瓷片式载体
CML Current Mode Logic（電流モードロジック）电流开关逻辑
CMOS Complementary Metal-Oxide-Semiconductor（相補的な金属酸化膜半導体）互补金属氧化物半导体
COB Chip on Board（ＣＯＢ実装技術）板上芯片
COC Chip on Chip（チップオンチップ）叠层芯片
COG Chip on Glass（シーオージー?ＣＯＧ実装技術）玻璃板上芯片
CSP Chip Size Package（チップサイズパッケージ）芯片尺寸封装
CTE Coefficient of Thermal Expansion（熱膨張係数）热膨胀系数
CVD Chemical Vapor Deposition(化学気相成着法?シーブイディー?ケミカルバポールディポジション) 化学汽相淀积
DCA Direct Chip Attach（ダイレクトチップアタッチ）芯片直接安装
DFP Dual Flat Package （デュアルフラットパッケージ）双侧引脚扁平封装
DIP Double In-Line Package（ダブルインラインパッケージ）双列直插式封装
DMS Direct Metallization System(ディーエムエス?ダイレクトメタライゼーションシステム) 直接金属化系统
DRAM Dynamic Random Access Memory（ダイナミックランダムアクセスメモリ）动态随机存取存贮器
DSO Dual Small Outline（デュアルスモールアウトライン）双侧引脚小外形封装
DTCP Dual Tape Carrier Package（デュアルテープキャリアパッケージ）双载带封装
3D Three-Dimensional （三次元）三维
2D Two-Dimensional （二次元）二维
EB Electron Beam（電子ビーム）电子束
ECL Emitter-Coupled Logic（イーシーエル?エミッタ結合論理?エミッタ結合ロジック）射极耦合逻辑
FC Flip Chip（フリップチップ）倒装片法
FCB Flip Chip Bonding（フリップチップ実装）倒装焊
FCOB Flip Chip on Board （フリップチップオンボード）板上倒装片
FEM Finite Element Method（有限要素法）有限元法
FP Flat Package（フラットパッケージ）扁平封装
FPBGA Fine Pitch Ball Grid Array（ファインピッチボールグリッドアレイ）窄节距BGA FPD Fine Pitch Device（ファインピッチデバイス）窄节距器件
FPPQFP Fine Pitch Plastic QFP（ファインピッチプラスチックQFP）窄节距塑料QFP GQFP Guard-Ring Quad Flat Package （ガードリングクワッドフラットパッケージ）带保护环的QFP
HDI High Density Interconnect（高密度インターコネクト）高密度互连高密度インターコネクト
HDMI High Density Multilayer Interconnect（高密度の多層配線）高密度多层互连
HIC Hybird Integrated Circuit （ハイブリッド集積回路）混合集成电路
HTCC High T emperature Co-Fired Ceramic（高温焼成セラミック多層基板）高温共烧陶瓷
HTS High Temperature Storage（高温保存?高温ストレージ）高温贮存
IC Integrated Circuit（集積回路）集成电路
IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）绝缘栅双极晶体管
ILB Inner-Lead Bond（インナーリード接続）内引脚焊接
I/O Input/Output（入力/出力）输入/输出
IVH Inner Via Hole（層間導通用穴）内部通孔
JLCC J-Leaded Chip Carrier（Quad Flat J-leaded package「QFJ」?Ｊリード付きチップキャリア）J形引脚片式载体
KGD Known Good Die（良品チップ）优质芯片
LCC Leadless Chip Carrier（リードレスチップキャリア）无引脚片式载体
LCCC Leadless Ceramic Chip Carrier （リードレスセラミックチップキャリア）无引脚陶瓷片式载体
LCCP Lead Chip Carrier Package（リードチップキャリアパッケージ）有引脚片式载体封装LCD Liquid Crystal Display （液晶ディスプレイ）液晶显示器
LCVD Laser Chemical Vapor Deposition（レーザーCVD法）激光化学汽相淀积
LDI Laser Direct Imaging（レーザー直描技術）激光直接成像
LGA Land Grid Array（ランドグリッドアレイ）焊区阵列
LSI Large Scale Integrated Circuit（大規模集積回路）大规模集成电路
LOC Lead Over Chip 芯片上引线健合（外部端子への引き出し用リードがチップ上に配置されるタイプのパッケージ構造）
LQFP Low Profile QFP （薄形QFP）薄形QFP
LTCC Low Temperature Co-Fired Ceramic （低温同時焼成セラミックス）低温共烧陶瓷MBGA Metal BGA （ＢＧＡ基板）金属基板BGA
MCA Multiple Channel Access （多重アクセス通信路）多通道存取
MCM Multi Chip Module（マルチチップモジュール）多芯片组件
MCM-C MCM with Ceramic Substrate（マルチチップモジュールＣ）陶瓷基板多芯片组件
MCM-D MCM with Deposited Thin Film Inteconnect Substrate（マルチチップモジュールD）淀积薄膜互连基板多芯片组件
MCM-L MCM with Laminated Substrate（マルチチップモジュールL）叠层基板多芯片组件
MCP Multi Chip Package（マルチチップパッケージ）多芯片封装
MELF Metal Electrode Face Bonding（メタル電極表面ボンディング?金属電極表面ボンディング）金属电极表面健合
MEMS Micro Electro Mechanical System（マイクロエレクトロメカニカル?システム）微电子机械系统
MFP Mini Flat Package（ミニフラットパッケージ）微型扁平封装
MLCP Multi-Layer Ceramic Package（積層セラミックパッケージ）多层陶瓷封装MMIC Monolithic Microwave Integrated Circuit （モノリシックマイクロ波集積回路）微波
单片集成电路
MOSFET Metal-Oxide-Silicon Field-Effect Transistor （MOS電界効果トランジスタ）金属氧化物半导体场效应晶体管
MPU Micro Processor Unit （超小型演算装置）微处理器
MQUAD Metal Quad金属四列引脚（QFPパッケージの一種）
MSI Medium Scale Integration （中規模集積回路）中规模集成电路
OLB Outer Lead Bonding （アウーターリード接続）外引脚焊接
PBGA Plastic BGA （プラスチックBGA）塑封BGA
PC Personal Computer（パーソナルコンピュータ?パソコン）个人计算机
PFP Plastic Flat Package（プラスチックフラットパッケージ）塑料扁平封装
PGA Pin Grid Array （ピングリッドアレイ）针栅阵列
PI Polyimide （ポリイミド）聚酰亚胺
PIH Plug-In Hole 通孔插装
PLCC Plastic Leaded Chip Carrier （プラスチックリードチップキャリア）塑料有引脚片式载体
PTF Polymer Thick Film （ポリマー厚膜）聚合物厚膜
PWB Printed Wiring Board（プリント配線板）印刷电路板
PQFP Plastic QFP（表面実装型のＩＣパッケージの一つ「Plastic Quad Flat Package」）塑料QFP
QFJ Quad Flat J-leaded Package 四边J形引脚扁平封装（表面実装型ＩＣの一つ。長方形の４辺からパッケージの下部に向かってピンが曲がってる）
QFP Quad Flat Package 四边引脚扁平封装（表面実装型ＩＣの一つ。長方形の４辺から端子が伸びている。）
QIP Quad In-Line Package（クオッドインラインパッケージ）四列直插式封装
RAM Random Access Memory（ランダムアクセスメモリ）随机存取存贮器
SBB Stud-Bump Bonding （スタッドバンプボンディング）钉头凸点焊接（金バンプと導電性樹脂で接続するＦＣ実装法の一つ）
SBC Solder-Ball Connection （はんだボール接続）焊球连接
SCIM Single Chip Integrated Module （シングルチップ集積モジュール）单芯片集成模块SCM Single Chip Module （シングルチップモジュール）单芯片组件
SLIM Single Level Integrated Module （シングルレベルの集積モジュール）单级集成模块SDIP Shrinkage Dual Inline Package （シュリンクデュアルインラインパッケージ）窄节距双列直插式封装
SEM Scanning Electron Microscope （走査型電子顕微鏡）电子扫描显微镜
SIP Single In-Line Package 单列直插式封装（ＩＣの片方にのみリードピンの出ているタイプ）
SIP System In Package 系统级封装（２メタルＣＯＦモジュールを重ね、ＴＡＢテープ上で複数ＩＣチップを載せる方式）
SMC Surface Mount Component （表面実装デバイス）表面安装元件
SMD Surface Mount Device 表面安装器件（パッケージ内部と外部端子を、スルーホールで導通させたリードレス構造のもの）
SMP Surface Mount Package （表面実装パッケージ）表面安装封装
SMT Surface Mount Technology （表面実装技術）表面安装技术
SOC System On Chip 系统级芯片（ＣＰＵやメモリを１チップ上に混在させてシステム化したＩＣ）
SOIC Small Outline Integrated Circuit (エス?オー?アイ?シー)小外形封装集成电路
SOJ Small Outline J-Lead Package 小外形J形引脚封装(端子が内側にＪ形で向いている半導体パッケージ)
SOP Small Outline Package (スモールアウトラインパッケージ)小外形封装
SIP System In a Package (複数の既存の半導体チップを１つのパッケージに収めたもの)系统级封装
TAB Tape Automated Bonding 载带自动焊(パッケージのリードピンを増やすために開発された方式の、ＩＣの形)
TBGA Tape BGA (テープBGA)载带BGA
TCM Thermal Conduction Module (熱伝導モジュール)热导组件
TCP Tape Carrier Package 带式载体封装(テープ状のフィルムに載せたＩＣパッケージ)
THT Through-Hole Technology (スルーホール実装)通孔安装技术
TO Transistor Outline (TOパッケージ?トランジスタのパッケージ)晶体管外壳
TPQFP Thin Plastic QFP (薄いプラスチックQFP)薄形塑料QFP
TQFP Tape QFP(テープQFP) 载带QFP
TSOP Thin SOP (薄いSOP)薄形SOP
TTL Transistor-Transistor Logic (ティーティーエル論理集積回路)晶体管-晶体管逻辑UBM Under Bump Metallization (バンプ下地金属化)凸点下金属化
USPD Ultra Small Pitch Device(超小型ピッチデバイス) 超窄节距器件
USOP Ultra SOP (ウルトラのSOP)超小SOP
USONF Ultra Small Outline Package Non Fin (USONFパッケージ)无散热片的超小外形封装
UV Ultra Violet rays(紫外線?UVR) 紫外光
VHSIC Very High Speed Integrated Circuit (超高速集積回路)超高速集成电路
VLSI Very Large Scale Integrated Circuit (超大規模集積回路)超大规模集成电路
WB Wire Bonding(ワイヤボンディング) 引线健合
WLP Wafer Level Package 圆片级封装(ウェハ表面に再配線?封止?半田バンプ等を集
約したもの)
WSI Wafer Scale Integration(インテグレーション?ウエハ?スケール?インテグレーションWSI) 圆片级规模集成
半导体材料吸收光谱测试分析 一、实验目的 1.掌握半导体材料的能带结构与特点、半导体材料禁带宽度的测量原理与方法。 2.掌握紫外可见分光光度计的构造、使用方法和光吸收定律。 二、实验仪器及材料 紫外可见分光光度计及其消耗品如氘灯、钨灯，玻璃基ZnO薄膜。 三、实验原理 1.紫外可见分光光度计的构造、光吸收定律 (1)仪器构造：光源、单色器、吸收池、检测器、显示记录系统。 a．光源：钨灯或卤钨灯——可见光源，350~1000nm；氢灯或氘灯——紫外光源，200~360nm。 b．单色器：包括狭缝、准直镜、色散元件 色散元件：棱镜——对不同波长的光折射率不同分出光波长不等距； 光栅——衍射和干涉分出光波长等距。 c．吸收池：玻璃——能吸收UV光，仅适用于可见光区；石英——不能吸收紫外光，适用于紫外和可见光区。 要求：匹配性（对光的吸收和反射应一致） d．检测器：将光信号转变为电信号的装置。如：光电池、光电管（红敏和蓝敏）、光电倍增管、二极管阵列检测器。 紫外可见分光光度计的工作流程如下： 0.575 光源单色器吸收池检测器显示双光束紫外可见分光光度计则为： 双光束紫外可见分光光度计的光路图如下：
(2)光吸收定律 单色光垂直入射到半导体表面时，进入到半导体内的光强遵照吸收定律： x x e I I?- =α d t e I I?- =α 0(1) I0：入射光强；I x：透过厚度x的光强；I t：透过膜薄的光强；α：材料吸收系数，与材料、入射光波长等因素有关。 透射率T为： d e I I T?- = =α t (2) 则 d e T d? = =?α α ln ) /1 ln( 透射光I t
基本概念题： 第一章半导体电子状态 1.1 半导体 通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的小许多。 1.2能带 晶体中，电子的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。 1.2能带论是半导体物理的理论基础，试简要说明能带论所采用的理论方法。 答： 能带论在以下两个重要近似基础上，给出晶体的势场分布，进而给出电子的薛定鄂方程。通过该方程和周期性边界条件最终给出E-k关系，从而系统地建立起该理论。 单电子近似： 将晶体中其它电子对某一电子的库仑作用按几率分布平均地加以考虑，这样就可把求解晶体中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题。 绝热近似： 近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换，而将实际存在的这种交换当作微扰来处理。 1.2克龙尼克—潘纳模型解释能带现象的理论方法 答案： 克龙尼克—潘纳模型是为分析晶体中电子运动状态和E-k关系而提出的一维晶体的势场分布模型，如下图所示 利用该势场模型就可给出一维晶体中电子所遵守的薛定谔方程的具体表达式，进而确定波函数并给出E-k关系。由此得到的能量分布在k空间上是周期函数，而且某些能量区间能级是准连续的（被称为允带），另一些区间没有电子能级（被称为禁带）。从而利用量子力学的方法解释了能带现象，因此该模型具有重要的物理意义。 1.2导带与价带 1.3有效质量 有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。它概括了周期性势场对载流子运动的影响，从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。其大小由晶体自身的E-k 关系决定。 1.4本征半导体 既无杂质有无缺陷的理想半导体材料。 1.4空穴 空穴是为处理价带电子导电问题而引进的概念。设想价带中的每个空电子状态带有一个正的基本电荷，并赋予其与电子符号相反、大小相等的有效质量，这样就引进了一个假想的
1. 电功(W)：电流所做的功叫电功， 2. 电功的单位：国际单位：焦耳。常用单位有：度(千瓦时)，1度=1千瓦时= 3.6×106焦耳。 3. 测量电功的工具：电能表(电度表) 4. 电功计算公式：W=UIt(式中单位W→焦(J);U→伏(V);I→安 (A);t→秒)。 5. 利用W=UIt计算电功时注意：①式中的W.U.I和t是在同一段电路;②计算时单位要统一;③已知任意的三个量都可以求出第四个量。 6. 计算电功还可用以下公式：W=I2Rt ;W=Pt;W=UQ(Q是电量); 7. 电功率(P)：电流在单位时间内做的功。单位有：瓦特(国际);常用单位有：千瓦 8. 计算电功率公式： (式中单位P→瓦(w);W→焦;t→秒;U→伏(V); I→安(A) 9. 利用计算时单位要统一，①如果W用焦、t用秒，则P的单位是瓦;②如果W用千瓦时、t用小时，则P的单位是千瓦。 10.计算电功率还可用右公式：P=I2R和P=U2/R 11.额定电压(U0)：用电器正常工作的电压。 12.额定功率(P0)：用电器在额定电压下的功率。 13.实际电压(U)：实际加在用电器两端的电压。 14.实际功率(P)：用电器在实际电压下的功率。 当U > U0时，则P > P0 ;灯很亮，易烧坏。当U < U0时，则P < P0 ;灯很暗，当U = U0时，则P = P0 ;正常发光。 (同一个电阻或灯炮，接在不同的电压下使用，则有 ;如：当实际电压是额定电压的一半时，则实际功率就是额定功率的1/4。例220V100W是表示额定电压是220伏，额定功率是100瓦的灯泡如果接在110伏的电路中，则实际功率是25瓦。) 15.焦耳定律：电流通过导体产生的热量跟电流的二次方成正比，跟导体的电阻成正比，跟通电时间成正比。 16.焦耳定律公式：Q=I2Rt ，(式中单位Q→焦; I→安(A);R→欧
尼尔曼第三版半导体物理与器件小结+重要术语解释+知识点+复 习题
第一章固体晶体结构 (3) 小结 (3) 重要术语解释 (3) 知识点 (3) 复习题 (3) 第二章量子力学初步 (4) 小结 (4) 重要术语解释 (4) 第三章固体量子理论初步 (4) 小结 (4) 重要术语解释 (4) 知识点 (5) 复习题 (5) 第四章平衡半导体 (6) 小结 (6) 重要术语解释 (6) 知识点 (6) 复习题 (7) 第五章载流子运输现象 (7) 小结 (7) 重要术语解释 (8) 知识点 (8) 复习题 (8) 第六章半导体中的非平衡过剩载流子 (8) 小结 (8) 重要术语解释 (9) 知识点 (9) 复习题 (10) 第七章pn结 (10) 小结 (10) 重要术语解释 (10) 知识点 (11) 复习题 (11) 第八章pn结二极管 (11) 小结 (11) 重要术语解释 (12) 知识点 (12) 复习题 (13) 第九章金属半导体和半导体异质结 (13) 小结 (13) 重要术语解释 (13) 知识点 (14) 复习题 (14) 第十章双极晶体管 (14)
小结 (14) 重要术语解释 (15) 知识点 (16) 复习题 (16) 第十一章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础 (16) 小结 (16) 重要术语解释 (17) 知识点 (18) 复习题 (18) 第十二章金属-氧化物-半导体场效应管：概念的深入 (18) 小结 (19) 重要术语解释 (19) 知识点 (19) 复习题 (20)
第一章固体晶体结构 小结 1.硅是最普遍的半导体材料。 2.半导体和其他材料的属性很大程度上由其单晶的晶格结构决定。晶胞是晶体 中的一小块体积，用它可以重构出整个晶体。三种基本的晶胞是简立方、体心立方和面心立方。 3.硅具有金刚石晶体结构。原子都被由4个紧邻原子构成的四面体包在中间。 二元半导体具有闪锌矿结构，它与金刚石晶格基本相同。 4.引用米勒系数来描述晶面。这些晶面可以用于描述半导体材料的表面。密勒 系数也可以用来描述晶向。 5.半导体材料中存在缺陷，如空位、替位杂质和填隙杂质。少量可控的替位杂 质有益于改变半导体的特性。 6.给出了一些半导体生长技术的简单描述。体生长生成了基础半导体材料，即 衬底。外延生长可以用来控制半导体的表面特性。大多数半导体器件是在外延层上制作的。 重要术语解释 1.二元半导体：两元素化合物半导体，如GaAs。 2.共价键：共享价电子的原子间键合。 3.金刚石晶格：硅的院子晶体结构，亦即每个原子有四个紧邻原子，形成一个 四面体组态。 4.掺杂：为了有效地改变电学特性，往半导体中加入特定类型的原子的工艺。 5.元素半导体：单一元素构成的半导体，比如硅、锗。
半导体材料吸收光谱测试分析 一、实验目的 1.掌握半导体材料的能带结构与特点、半导体材料禁带宽度的测量原理与方法。 2.掌握紫外可见分光光度计的构造、使用方法和光吸收定律。 二、实验仪器及材料 紫外可见分光光度计及其消耗品如氘灯、钨灯、绘图打印机，玻璃基ZnO 薄膜。 三、实验原理 1.紫外可见分光光度计的构造、光吸收定律 UV762双光束紫外可见分光光度计外观图： (1)仪器构造：光源、单色器、吸收池、检测器、显示记录系统。 a ．光源：钨灯或卤钨灯——可见光源，350~1000nm ；氢灯或氘灯——紫外光源，200~360nm 。 b ．单色器：包括狭缝、准直镜、色散元件 色散元件：棱镜——对不同波长的光折射率不同分出光波长不等距； 光栅——衍射和干涉分出光波长等距。 c ．吸收池：玻璃——能吸收UV 光，仅适用于可见光区；石英——不能吸收紫外光，适用于紫外和可见光区。 要求：匹配性（对光的吸收和反射应一致） d ．检测器：将光信号转变为电信号的装置。如：光电池、光电管（红敏和蓝敏）、光电倍增管、二极管阵列检测器。 紫外可见分光光度计的工作流程如下： 光源 单色器 吸收池 检测器 显示 双光束紫外可见分光光度计则为：
双光束紫外可见分光光度计的光路图如下： (2)光吸收定律 单色光垂直入射到半导体表面时，进入到半导体内的光强遵照吸收定律： x x e I I ?-=α0 d t e I I ?-=α0 (1) I 0：入射光强；I x ：透过厚度x 的光强；I t ：透过膜薄的光强；α：材料吸收系数，与材料、入射光波长等因素有关。 透射率T 为： d e I I T ?-==α0 t (2)
半导体物理知识点总结 本章主要讨论半导体中电子的运动状态。主要介绍了半导体的几种常见晶体结构，半导体中能带的形成，半导体中电子的状态和能带特点，在讲解半导体中电子的运动时，引入了有效质量的概念。阐述本征半导体的导电机构，引入了空穴散射的概念。最后，介绍了Si、Ge和GaAs的能带结构。 在1.1节，半导体的几种常见晶体结构及结合性质。（重点掌握）在1.2节，为了深入理解能带的形成，介绍了电子的共有化运动。介绍半导体中电子的状态和能带特点，并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较，在此基础上引入本征激发的概念。（重点掌握）在1.3节，引入有效质量的概念。讨论半导体中电子的平均速度和加速度。（重点掌握）在1.4节，阐述本征半导体的导电机构，由此引入了空穴散射的概念，得到空穴的特点。（重点掌握）在1.5节，介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。（理解即可）在1.6节，介绍Si、Ge的能带结构。（掌握能带结构特征）在1.7节，介绍Ⅲ-Ⅴ族化合物的能带结构，主要了解GaAs的能带结构。（掌握能带结构特征）本章重难点： 重点： 1、半导体硅、锗的晶体结构（金刚石型结构）及其特点； 三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。 2、熟悉晶体中电子、孤立原子的电子、自由电子的运动有何不同：孤立原子中的电子是在该原子的核和其它电子的势场中运动，自由电子是在恒定为零的势场中运动，而晶体中的电子是在严格周期性重复排列的原子间运动（共有化运动），单电子近似认为，晶体中的某一个电子是在周期性排列且固定不动的原子核的势场以及其它大量电子的平均势场中运动，这个势场也是周期性变化的，而且它的周期与晶格周期相同。 3、晶体中电子的共有化运动导致分立的能级发生劈裂，是形成半导体能带的原因，半导体能带的特点： ①存在轨道杂化，失去能级与能带的对应关系。杂化后能带重新分开为上能带和下能带，上能带称为导带，下能带称为价带②低温下，价带填满电子，导带全空，高温下价带中的一部分电子跃迁到导带，使晶体呈现弱导电性。
半导体材料能带测试及计算 对于半导体，是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其具有一定的带隙(E g)。通常对半导体材料而言，采用合适的光激发能够激发价带(VB)的电子激发到导带(CB)，产生电子与空穴对。 图1. 半导体的带隙结构示意图。 在研究中，结构决定性能，对半导体的能带结构测试十分关键。通过对半导体的结构进行表征，可以通过其电子能带结构对其光电性能进行解析。对于半导体的能带结构进行测试及分析，通常应用的方法有以下几种(如图2)： 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙E g； 2.VB XPS测得价带位置(E v)； 3.SRPES测得E f、E v以及缺陷态位置； 4.通过测试Mott-Schottky曲线得到平带电势； 5.通过电负性计算得到能带位置. 图2. 半导体的带隙结构常见测试方式。 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙 紫外可见漫反射测试 2.制样：
背景测试制样：往图3左图所示的样品槽中加入适量的BaSO4粉末（由于BaSO4粉末几乎对光没有吸收，可做背景测试），然后用盖玻片将BaSO4粉末压实，使得BaSO4粉末填充整个样品槽，并压成一个平面，不能有凸出和凹陷，否者会影响测试结果。 样品测试制样：若样品较多足以填充样品槽，可以直接将样品填充样品槽并用盖玻片压平；若样品测试不够填充样品槽，可与BaSO4粉末混合，制成一系列等质量分数的样品，填充样品槽并用盖玻片压平。 图3. 紫外可见漫反射测试中的制样过程图。 1.测试： 用积分球进行测试紫外可见漫反射（UV-Vis DRS），采用背景测试样（BaSO4粉末）测试背景基线（选择R%模式），以其为background测试基线，然后将样品放入到样品卡槽中进行测试，得到紫外可见漫反射光谱。测试完一个样品后，重新制样，继续进行测试。 ?测试数据处理 数据的处理主要有两种方法：截线法和Tauc plot法。截线法的基本原理是认为半导体的带边波长（λg）决定于禁带宽度E g。两者之间存在E g(eV)=hc/λg=1240/λg(nm)的数量关系，可以通过求取λg来得到E g。由于目前很少用到这种方法，故不做详细介绍，以下主要来介绍Tauc plot法。 具体操作： 1、一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收，如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图。
基本概念题: 第一章半导体电子状态 1、1 半导体 通常就是指导电能力介于导体与绝缘体之间的材料,其导带在绝对零度时全空,价带全满,禁带宽度较绝缘体的小许多。 1、2能带 晶体中,电子的能量就是不连续的,在某些能量区间能级分布就是准连续的,在某些区间没有能及分布。这些区间在能级图中表现为带状,称之为能带。 1、2能带论就是半导体物理的理论基础,试简要说明能带论所采用的理论方法。 答: 能带论在以下两个重要近似基础上,给出晶体的势场分布,进而给出电子的薛定鄂方程。通过该方程与周期性边界条件最终给出E-k关系,从而系统地建立起该理论。 单电子近似: 将晶体中其它电子对某一电子的库仑作用按几率分布平均地加以考虑,这样就可把求解晶体中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题。 绝热近似: 近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换,而将实际存在的这种交换当作微扰来处理。 1、2克龙尼克—潘纳模型解释能带现象的理论方法 答案: 克龙尼克—潘纳模型就是为分析晶体中电子运动状态与E-k关系而提出的一维晶体的势场分布模型,如下图所示 利用该势场模型就可给出一维晶体中电子所遵守的薛定谔方程的具体表达式,进而确定波函数并给出E-k关系。由此得到的能量分布在k空间上就是周期函数,而且某些能量区间能级就是准连续的(被称为允带),另一些区间没有电子能级(被称为禁带)。从而利用量子力学的方法解释了能带现象,因此该模型具有重要的物理意义。 1、2导带与价带 1、3有效质量 有效质量就是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。它概括了周期性势场对载流子运动的影响,从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。其大小由晶体自身的E-k
XRD复习重点 1.X射线的产生及其分类 2.X射线粉晶衍射中靶材的选取 3.布拉格公式 4.PDF卡片 5.X射线粉晶衍射谱图 6.X射线粉晶衍射的应用 电子衍射及透射电镜、扫描电镜和电子探针分析复习提纲 透射电镜分析部分： 4.TEM的主要结构，按从上到下列出主要部件 1）电子光学系统——照明系统、图像系统、图像观察和记录系统；2）真空系统； 3）电源和控制系统。电子枪、第一聚光镜、第二聚光镜、聚光镜光阑、样品台、物镜光阑、物镜、选区光阑、中间镜、投影镜、双目光学显微镜、观察窗口、荧光屏、照相室。 5. TEM和光学显微镜有何不同？ 光学显微镜用光束照明，简单直观，分辨本领低（0.2微米），只能观察表面形貌，不能做微区成分分析；TEM分辨本领高（1A）可把形貌观察，结构分析和成分分析结合起来，可以观察表面和内部结构，但仪器贵，不直观，分析困难，操作复杂，样品制备复杂。 6.几何像差和色差产生原因，消除办法。 球差即球面像差，是由于电磁透镜的中心区域和边缘区域对电子的折射能力不符合预定的规律而造成的。减小球差可以通过减小CS值和缩小孔径角来实现。 色差是由于入射电子波长（或能量）的非单一性造成的。采取稳定加速电压的方法可以有效的减小色差；适当调配透镜极性；卡斯汀速度过滤器。 7.TEM分析有那些制样方法？适合分析哪类样品?各有什么特点和用途？ 制样方法：化学减薄、电解双喷、竭力、超薄切片、粉碎研磨、聚焦离子束、机械减薄、离子减薄； TEM样品类型：块状，用于普通微结构研究； 平面，用于薄膜和表面附近微结构研究； 横截面样面，均匀薄膜和界面的微结构研究； 小块粉末，粉末，纤维，纳米量级的材料。 二级复型法：研究金属材料的微观形态； 一级萃取复型：指制成的试样中包含着一部分金属或第二相实体，对它们可以直接作形态检验和晶体结构分析，其余部分则仍按浮雕方法间接地观察形态； 金属薄膜试样：电子束透明的金属薄膜，直接进行形态观察和晶体结构分析； 粉末试样：分散粉末法，胶粉混合法 思考题： 1.一电子管，由灯丝发出电子，一负偏压加在栅极收集电子，之后由阳极加速，回答由灯丝到栅极、由栅极到阳极电子的折向及受力方向？ 2.为什么高分辨电镜要使用比普通电镜更短的短磁透镜作物镜？ 高分辨电镜要比普通电镜的放大倍数高。为了提高放大倍数，需要短焦距的强磁透镜。透镜的光焦度1/f与磁场强度成H2正比。较短的f可以提高NA，使极限分辨率更小。 3.为什么选区光栏放在“象平面”上？ 电子束之照射到待研究的视场内；防止光阑受到污染；将选区光阑位于向平面的附近，通过
光电倍增管（PMT）研究进展及应用 ——记2004年北京HAMAMATSU技术交流会 前言 “2004年北京HAMAMATSU技术交流会”于2004年10月27日～2004年10月29日在浙江杭州召开的。北京HAMAMATSU技术交流会是由北京滨松光子技术有限公司承办的技术交流活动，每年举办一次，邀请各个科研机构和生产单位的专家和技术人员参加，主要介绍滨松公司的产品和研究进展，解答用户的技术问题，交流讨论光电器件在科研和生产中的应用问题。我代表西安交通大学生物医学与分子光子学研究室和西安天隆科技有限公司有幸参加了这次交流活动。 HAMAMATSU（滨松）是总部设在日本的一家主要生产光器件的跨国公司。它在亚洲、欧洲和北美设有七家分支机构。日本滨松下设四个生产部门：电子管事业部，主要生产以光电倍增管为主的各种真空探测器,真空光源等相关仪器设备。半导体事业部，主要生产以光电二极管为主的各种半导体光电器件。系统事业部，主要生产以滨松公司自产器件为中心的各种分析和测量仪器,应用在半导体芯片,生物工程和医疗等各种领域。激光器事业部，主要生产科研和产业用的大功率半导体激光器。北京滨松光子技术有限公司是1988年由中国核工业总公司北京核仪器厂与日本滨松光子学株式会社共同投资成立的。 在2004年交流会中来自日本滨松总部、电子管事业部、半导体事业部的五位专家做了五场专题报告，分别是大冢副社长做的“HPK(滨松)与光产业的现状和未来”，夸田敏一先生做的“PMT新产品介绍”，久米英浩先生做的“PMT应用技术产品及应用领域”，伊藤先生做的“半导体光检测新产品介绍”和石原繁树做的“光源产品介绍”。会议过程中还穿插有技术交流活动，为来自各个科研院所和生产单位的技术人员提供了一个交流的平台。 光电倍增管技术的进展 图1 滨松生产的PMT
初中物理公式汇总 速度公式： t s v = 公式变形：求路程——vt s = 求时间——t=s/v 重力与质量的关系： G = mg 密度公式： V m = ρ 浮力公式： F 浮= G 物 – F 示 F 浮= G 排=m 排g F 浮=ρ液gV 排 F 浮= G 物 压强公式：P=F/S （固体） 液体压强公式： p =ρgh 物理量 单位 p ——压强 Pa 或 N/m 2 ρ——液体密度 kg/m 3 h ——深度 m g=9.8N/kg ，粗略计算时取g=10N/kg 面积单位换算： 1 cm 2 =10--4m 2 1 mm 2 =10--6m 2 注意：S 是受力面积，指有受到压力作用的那部分面积 注意：深度是指液体内部某一点到自由液面的竖直距离； 单位换算：1kg=103 g 1g/cm 3=1×103kg/m 3 1m 3=106cm 3 1L=1dm 3=10-3m 3 物理量 单位 p ——压强 Pa 或 N/m 2 F ——压力 N S ——受力面积 m 2 物理量 单位 F 浮——浮力 N G 物——物体的重力 N 提示：[当物体处于漂浮或悬浮时] 物理量 单位 v ——速度 m/s km/h s ——路程 m km t ——时间 s h 单位换算： 1 m=10dm=102cm=103mm 1h=60min=3600 s ； 1min=60s 物理量 单位 G ——重力 N m ——质量 kg g ——重力与质量的比值 g=9.8N/kg ；粗略计算时取 物理量 单位 ρ——密度 kg/m 3 g/cm 3 m ——质量 kg g V ——体积 m 3 cm 3 物理量 单位 F 浮——浮力 N ρ ——密度 kg/m 3 V 排——物体排开的液体的体积 m 3 g=9.8N/kg ，粗略计算时取g=10N/kg G 排——物体排开的液体 受到的重力 N m 排——物体排开的液体 的质量 kg
半导体物理考点归纳 一· 1.金刚石 1) 结构特点： a. 由同类原子组成的复式晶格。其复式晶格是由两个面心立方的子晶格彼此沿其空间对角线位移1/4的长度形成 b. 属面心晶系，具立方对称性，共价键结合四面体。 c. 配位数为4，较低，较稳定。(配位数：最近邻原子数) d. 一个晶体学晶胞内有4+8*1/8+6*1/2=8个原子。 2) 代表性半导体：IV 族的C ，Si ，Ge 等元素半导体大多属于这种结构。 2.闪锌矿 1) 结构特点： a. 共价性占优势，立方对称性； b. 晶胞结构类似于金刚石结构，但为双原子复式晶格； c. 属共价键晶体，但有不同的离子性。 2) 代表性半导体：GaAs 等三五族元素化合物均属于此种结构。 3.电子共有化运动： 原子结合为晶体时，轨道交叠。外层轨道交叠程度较大，电子可从一个原子运动到另一原子中，因而电子可在整个晶体中运动，称为电子的共有化运动。 4.布洛赫波： 晶体中电子运动的基本方程为： ，K 为波矢，uk(x)为一个与晶格同周期的周期性函数， 5.布里渊区： 禁带出现在k=n/2a 处，即在布里渊区边界上； 允带出现在以下几个区： 第一布里渊区:－1/2a 初三物理公式总结归纳 怎样掌握好物理公式这个问题被很多学生频繁的问起，为了帮助大家更好地掌握物理公式，小编特地为大家整理了九年级物理公式总结归纳，希望对大家学习物理有所帮助。 【一】速度公式 物理量计算式国际主单位常用单位换算关系 速度v V=s/t m/s Km/h 1m/s=3.6km/h 路程s S=vt m Km 1km=1000m 时间t t=s/v s h 1h=60min=3600s 火车过桥(洞)时通过的路程s=L桥+L车 声音在空气中的传播速度为340m/s 光在空气中的传播速度为3108m/s 【二】密度公式 (水=1.0103kg/ m3) 物理量计算式国际主单位常用单位换算关系 密度=m/v Kg/ m3 g/ Cm3 1g/ Cm3=1000kg/ m3 质量m M=v Kg g 1kg=1000g 体积v V=m/m3 Cm3 1 m3=103dm3=106cm31L=103ml(cm3) 冰与水之间状态发生变化时m水=m冰冰v水 同一个容器装满不同的液体时，不同液体的体积相等，密度大的质量大 空心球空心部分体积V空=V总-V实 【三】重力公式 G=mg (通常g取10N/kg，题目未交待时g取9.8N/kg)同一物体G月=1/6G地m月=m地 【四】杠杆平衡条件公式 F1l1=F2l2F1 /F2=l2/l1 【五】动滑轮公式 不计绳重和摩擦时F=1/2(G动+G物)s=2h 六、滑轮组公式 不计绳重和摩擦时F=1/n(G动+G物)s=nh 七、压强公式〔普适〕 P=F/S固体平放时F=G=mg S的国际主单位是m21m2=102dm2=104cm2=106mm2 八、液体压强公式P＝gh 液体压力公式F=PS=ghS 规那么物体(正方体、长方体、圆柱体)公式通用 九、浮力公式 (1)、F浮=F-F (压力差法) (2)、F浮=G-F (视重法) (3)、F浮=G (漂浮、悬浮法) (4)、阿基米德原理：F浮=G排=液gV排 (排水法) 十、功的公式 W=FS把物体举高时W=GhW=Pt 半导体材料能带测试及计算对于半导体，是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其具有一定的带隙(E g)。通常对半导体材料而言，采用合适的光激发能够激发价带(VB)的电子激发到导带(CB)，产生电子与空穴对。 图1. 半导体的带隙结构示意图。 在研究中，结构决定性能，对半导体的能带结构测试十分关键。通过对半导体的结构进行表征，可以通过其电子能带结构对其光电性能进行解析。对于半导体的能带结构进行测试及分析，通常应用的方法有以下几种(如图2)： 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙E g； 2.VB XPS测得价带位置(E v)； 3.SRPES测得E f、E v以及缺陷态位置； 4.通过测试Mott-Schottky曲线得到平带电势； 5.通过电负性计算得到能带位置. 图2. 半导体的带隙结构常见测试方式。 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙 紫外可见漫反射测试 2.制样： 背景测试制样：往图3左图所示的样品槽中加入适量的BaSO4粉末（由于BaSO4粉末几乎对光没有吸收，可做背景测试），然后用盖玻片将BaSO4粉末压实，使得BaSO4粉末填充整个样品槽，并压成一个平面，不能有凸出和凹陷，否者会影响测试结果。 样品测试制样：若样品较多足以填充样品槽，可以直接将样品填充样品槽并用盖玻片压平；若样品测试不够填充样品槽，可与BaSO4粉末混合，制成一系列等质量分数的样品，填充样品槽并用盖玻片压平。 图3. 紫外可见漫反射测试中的制样过程图。 1.测试： 用积分球进行测试紫外可见漫反射（UV-Vis DRS），采用背景测试样（BaSO4粉末）测试背景基线（选择R%模式），以其为background测试基线，然后将样品放入到样品卡槽中进行测试，得到紫外可见漫反射光谱。测试完一个样品后，重新制样，继续进行测试。 ?测试数据处理 数据的处理主要有两种方法：截线法和Tauc plot法。截线法的基本原理是认为半导体的带边波长（λg）决定于禁带宽度E g。两者之间存在E g(eV)=hc/λg=1240/λg(nm)的数量关系，可以通过求取λg来得到E g。由于目前很少用到这种方法，故不做详细介绍，以下主要来介绍Tauc plot法。 具体操作： 1、一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收，如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图。 2. 根据(αhv)1/n = A(hv – Eg)，其中α为吸光指数，h为普朗克常数，v为频率，Eg为半导体禁带宽度，A为常数。其中，n与半导体类型相关，直接带隙半导体的n取1/2，间接带隙半导体的n为2。 物理公式汇总 一、密度（ρ）： 1、定义：单位体积的某种物质的质量叫做这种物质的密度。 2、公式： 变形 m 为物体质量，主单位kg ，常用单位：t g mg ； v 为物体体积，主单位cm 3 m 3 3、单位：国际单位制单位： kg/m 3 常用单位g/cm 3 单位换算关系：1g/cm 3=103kg/m 3 1kg/m 3=10-3g/cm 3水的密度为1.0×103kg/m 3，读作1.0×103千克每立方米，它表示物理 意义是：1立方米的水的质量为1.0×103千克。 二、速度（v ）： 1、定义：在匀速直线运动中，速度等于运动物体在单位时间内通过的路程。 物理意义：速度是表示物体运动快慢的物理量 2、计算公式： 变形 ， S 为物体所走的路程，常用单位为km m ；t 为物体所用的时间，常用单位为s h 3、单位：国际单位制： m/s 常用单位 km/h 换算：1m/s=3.6km/h 。 三、重力（G ）： 1、定义：地面附近的物体，由于地球的吸引而受的力叫重力 2、计算公式： G=mg m 为物理的质量；g 为重力系数， g=9.8N/kg ，粗略计算的时候g=10N/kg 3、单位：牛顿简称牛，用N 表示 四、杠杆原理 1、定义：杠杆的平衡条件为动力×动力臂＝阻力×阻力臂 2、公式：F 1l 1=F 2l 2 也可写成：F 1 / F 2=l 2 / l 1 其中F 1为使杠杆转动的力，即动力；l 1为从支点到动力作用线的距离，即动力臂； F 2为阻碍杠杆转动的力，即阻力；l 2为从支点到阻力作用线的距离，即阻力臂 五、压强（P ）： 1、定义：物体单位面积上受到的压力叫压强。 物理意义：压强是表示压力作用效果的物理量。 2、计算公式： P=F/S F 为压力，常用单位牛顿（N ）；S 为受力面积，常用单位米2（m 2 ） 3、单位是：帕斯卡（Pa ） 六、液体压强（P ）： 1、计算公式：p =ρgh 其中ρ为液体密度，常用单位kg/m 3 g/cm 3 ；g 为重力系数，g=9.8N/kg ； h 为深度，常用单位m cm 2、单位是：帕斯卡（Pa ） ρ m V = V m ρ = V m ρ = v s t = t s v = v t s = 半导体物理 绪 论 一、什么是半导体 导体 半导体 绝缘体 电导率ρ <3 10- 93 10~10 - 910> cm ?Ω 此外，半导体还有以下重要特性 1、 温度可以显著改变半导体导电能力 例如：纯硅（Si ） 若温度从ο 30C 变为C ο 20时，ρ增大一倍 2、 微量杂质含量可以显著改变半导体导电能力 例如：若有100万硅掺入1个杂质（P . Be ）此时纯度99.9999% ，室温（C ο 27 300K ）时，电阻率由214000Ω降至0.2Ω 3、 光照可以明显改变半导体的导电能力 例如：淀积在绝缘体基片上（衬底）上的硫化镉（CdS ）薄膜，无光照时电阻（暗电阻）约为几十欧姆，光照时电阻约为几十千欧姆。 另外，磁场、电场等外界因素也可显著改变半导体的导电能力。 综上： ● 半导体是一类性质可受光、热、磁、电，微量杂质等作用而改变其性质的材料。 二、课程内容 本课程主要解决外界光、热、磁、电，微量杂质等因素如何影响半导体性质的微观机制。 预备知识——化学键的性质及其相应的具体结构 晶体：常用半导体材料Si Ge GaAs 等都是晶体 固体 非晶体：非晶硅（太阳能电池主要材料） 晶体的基本性质：固定外形、固定熔点、更重要的是组成晶体的原子（离子）在较大范围里 （6 10-m ）按一定方式规则排列——称为长程有序。 单晶：主要分子、原子、离子延一种规则摆列贯穿始终。 多晶：由子晶粒杂乱无章的排列而成。 非晶体：没有固定外形、固定熔点、内部结构不存在长程有序，仅在较小范围（几个原子距） 存在结构有序——短程有序。 §1 化学键和晶体结构 1、 原子的负电性 化学键的形成取决于原子对其核外电子的束缚力强弱。 电离能：失去一个价电子所需的能量。 亲和能：最外层得到一个价电子成为负离子释放的能量。(ⅡA 族和氧除外) 原子负电性=（亲和能+电离能）18.0? （Li 定义为1） ● 负电性反映了两个原子之间键合时最外层得失电子的难易程度。 九年级物理上 第十一章简单机械和功知识归纳 1．杠杆：一根在力的作用下能绕着固定点转动的硬棒就叫杠杆。 2．什么是支点、动力、阻力、动力臂、阻力臂 (1)支点：杠杆绕着转动的点(O) (2)动力：使杠杆转动的力(F1) (3)阻力：阻碍杠杆转动的力(F2) (4)动力臂：从支点到动力的作用线的距离（L1）。 (5)阻力臂：从支点到阻力作用线的距离（L2） 3．杠杆平衡的条件：动力×动力臂=阻力×阻力臂.或写作：F1L1=F2L2或写成F1实质是动力臂为阻力臂二倍的杠杆) 7．滑轮组：使用滑轮组时,滑轮组用几段绳子吊着物体,提起物体所用的力就是物重的几分之一。 1．功的两个必要因素：一是作用在物体上的力；二是物体在力的方向上通过的距离。 2．功的计算：功(W)等于力(F)跟物体在力的方向上通过的距离(s)的乘积。（功=力×距离） 3. 功的公式：W=Fs；单位：W：焦（耳）J；F：N；s：m。(1J=1N·m). 4．功的原理：使用机械时，人们所做的功，都等于不用机械而直接用手所做的功，也就是说使用任何机械都不省功。 5．斜面：FL=Gh,斜面长是斜面高的几倍，推力就是物重的几分之一。（螺丝、盘山公路也是斜面） 6．机械效率：有用功跟总功的比值叫机械效率。 计算公式：η=W有/W总 7．功率(P)：单位时间(t)里完成的功(W)，叫功率。 计算公式：P=W/t。单位：P：瓦（特）W；W→J；t→s。（1W=1J/s。1kW=1000W）第十二章机械能和内能知识归纳 1．一个物体能够做功，这个物体就具有能（能量）。 2．动能：物体由于运动而具有的能叫动能。 3．运动物体的速度越大，质量越大，动能就越大。 4．势能分为重力势能和弹性势能。 5．重力势能：物体由于被举高而具有的能。 6．物体质量越大，被举得越高，重力势能就越大。 7．弹性势能：物体由于发生弹性形变而具的能。 8．物体的弹性形变越大，它的弹性势能就越大。 经典初三物理公式总结 下面是一篇有关于经典初三物理公式总结的文章，希望同学们认真看看下面的物理公式好好学习哦。 速度V(m/S) v=S/t; S：路程,t：时间 重力G(N) G=mg; m：质量 ; g：9.8N/kg或者10N/kg 密度(kg/m3) = m/V m：质量;V：体积 合力F合(N) 方向相同：F合=F1+F2 方向相反：F合=F1F2 方向相反时，F1F2 浮力F浮(N) F浮=G物G视 ;G视：物体在液体的重力 浮力F浮(N) F浮=G物; 此公式只适用物体漂浮或悬浮 浮力F浮(N) F浮=G排=m排g=液gV排; G排：排开液体的重力;m排：排开液体的质量,液：液体的密度,V排：排开液体的体积(即浸入液体中的体积) 杠杆的平衡条件 F1*L1= F2*L2 F1：动力, L1：动力臂F2：阻力 L2：阻力臂 定滑轮 F=G物,S=h, F：绳子自由端受到的拉力,G物：物体的重力,S：绳子自由端移动的距离,h：物体升高的距离 动滑轮 F= (G物+G轮)/2,S=2 h, G物：物体的重力, G轮：动滑轮的重力 滑轮组 F= (G物+G轮)/n,S=n h , n：承担物重的段数 机械功W(J) W=FS F：力 S：在力的方向上移动的距离 有用功:W有,总功:W总, W有=G物*h,W总=Fs ,适用滑轮组 竖直放置时机械效率 =W有/W总100% 功 W = F S = P t 1J = 1N?m = 1W?s 功率 P = W / t = F*v(匀速直线) 1KW = 10^3 W，1MW = 10^3KW 有用功 W有用 = G h= W总 W额 =W总 额外功 W额 = W总 W有 = G动 h(忽略轮轴间摩擦)= f L(斜面) 总功 W总= W有用+ W额 = F S = W有用 / 以上就是这篇经典初三物理公式总结的全部内容，希望能够对同学们有所帮助! 江西理工大学材料分析测试题（可供参考） 一、名词解释（共20分，每小题2分。） 1.辐射的发射：指物质吸收能量后产生电磁辐射的现象。 2.俄歇电子：X射线或电子束激发固体中原子内层电子使原子电离，此时原子(实际是离子)处于激发 态，将发生较外层电子向空位跃迁以降低原子能量的过程，此过程发射的电子。 3.背散射电子：入射电子与固体作用后又离开固体的电子。 4.溅射：入射离子轰击固体时，当表面原子获得足够的动量和能量背离表面运动时，就引起表面粒 子（原子、离子、原子团等）的发射，这种现象称为溅射。 5.物相鉴定：指确定材料（样品）由哪些相组成。 6.电子透镜：能使电子束聚焦的装置。 7.质厚衬度：样品上的不同微区无论是质量还是厚度的差别，均可引起相应区域透射电子强度的改 变，从而在图像上形成亮暗不同的区域，这一现象称为质厚衬度。 8.蓝移：当有机化合物的结构发生变化时，其吸收带的最大吸收峰波长或位置（λ最大）向短波方 向移动，这种现象称为蓝移（或紫移，或“向蓝”）。 9.伸缩振动：键长变化而键角不变的振动，可分为对称伸缩振动和反对称伸缩振动。 10.差热分析：指在程序控制温度条件下，测量样品与参比物的温度差随温度或时间变化的函数关系 的技术。 二、填空题（共20分，每小题2分。） 1.电磁波谱可分为三个部分，即长波部分、中间部分和短波部分，其中中间部分包括（红外线）、 （可见光）和（紫外线），统称为光学光谱。 2.光谱分析方法是基于电磁辐射与材料相互作用产生的特征光谱波长与强度进行材料分析的方法。 光谱按强度对波长的分布（曲线）特点（或按胶片记录的光谱表观形态）可分为（连续）光谱、（带状）光谱和（线状）光谱3类。 3.分子散射是入射线与线度即尺寸大小远小于其波长的分子或分子聚集体相互作用而产生的散射。 分子散射包括（瑞利散射）与（拉曼散射）两种。 4.X射线照射固体物质(样品)，可能发生的相互作用主要有二次电子、背散射电子、特征X射线、俄 歇电子、吸收电子、透射电子 5.多晶体（粉晶）X射线衍射分析的基本方法为（照相法）和（X射线衍射仪法）。 6.依据入射电子的能量大小，电子衍射可分为（高能）电子衍射和（低能）电子衍射。依据 电子束是否穿透样品，电子衍射可分为（投射式）电子衍射与（反射式）电子衍射。 7.衍射产生的充分必要条件是（(衍射矢量方程或其它等效形式)加|F|2≠0）。 8.透射电镜的样品可分为（直接）样品和（间接）样品。 9.单晶电子衍射花样标定的主要方法有（尝试核算法）和（标准花样对照法）。 10.扫描隧道显微镜、透射电镜、X射线光电子能谱、差热分析的英文字母缩写分别是（ stm ）、 （tem）、（xps）、（ DTA ）。 11. X 射线衍射方法有劳厄法、转晶法、粉晶法和衍射仪法。 12. 扫描仪的工作方式有连续扫描和步进扫描两种。 13. 在X 射线衍射物相分析中，粉末衍射卡组是由粉末衍射标准联合 委员会编制，称为JCPDS卡片，又称为PDF 卡片。 14. 电磁透镜的像差有球差、色差、轴上像散和畸变。 15. 透射电子显微镜的结构分为光学成像系统、真空系统和电气系统。 16. 影响差热曲线的因素有升温速度、粒度和颗粒形状、装填密度和压力和气氛。 三、判断题，表述对的在括号里打“√”，错的打“×”（共10分，每小题1分） 1.干涉指数是对晶面空间方位与晶面间距的标识。晶面间距为d 110 /2的晶面其干涉指数为（220）。 （√） 2.倒易矢量r* HKL 的基本性质为：r* HKL 垂直于正点阵中相应的（HKL）晶面，其长度r* HKL 等于(HKL)之 这是我在补习班蹭到的~临近中考了，希望能帮上同学们的忙。 恒定电流 1.电流强度：I＝q/t｛I:电流强度(A），q:在时间t内通过导体横载面的电量(C），t:时间(s）｝ 2.欧姆定律：I＝U/R ｛I:导体电流强度(A)，U:导体两端电压(V)，R:导体阻值(Ω)｝ 3.电阻、电阻定律：R＝ρL/S｛ρ:电阻率(Ω?m)，L:导体的长度(m)，S:导体横截面积(m2)｝ 4.闭合电路欧姆定律：I＝E/(r+R)或E＝Ir+IR也可以是E＝U内+U外 ｛I:电路中的总电流(A)，E:电源电动势(V)，R:外电路电阻(Ω)，r:电源内阻(Ω)｝ 5.电功与电功率：W＝UIt，P＝UI｛W:电功(J)，U:电压(V)，I:电流(A)，t:时间(s)，P:电功率(W)｝ 6.焦耳定律：Q＝I2Rt｛Q:电热(J)，I:通过导体的电流(A)，R:导体的电阻值(Ω)，t:通电时间(s)｝ 7.纯电阻电路中:由于I＝U/R,W＝Q，因此W＝Q＝UIt＝I2Rt＝U2t/R 8.电源总动率、电源输出功率、电源效率：P总＝IE，P出＝IU，η＝P出/P总｛I:电路总电流(A)，E:电源电动势(V)，U:路端电压(V)，η：电源效率｝ 9.电路的串/并联串联电路(P、U与R成正比) 并联电路(P、I与R成反比) 电阻关系(串同并反) R串＝R1+R2+R3+ 1/R并＝1/R1+1/R2+1/R3+ 电流关系 I总＝I1＝I2＝I3 I并＝I1+I2+I3+ 电压关系 U总＝U1+U2+U3+ U总＝U1＝U2＝U3 功率分配 P总＝P1+P2+P3+ P总＝P1+P2+P3+ 10.欧姆表测电阻 (1)电路组成 (2)测量原理 两表笔短接后,调节Ro使电表指针满偏，得 Ig＝E/(r+Rg+Ro) 接入被测电阻Rx后通过电表的电流为 Ix＝E/(r+Rg+Ro+Rx)＝E/(R中+Rx) 由于Ix与Rx对应，因此可指示被测电阻大小 (3)使用方法:机械调零、选择量程、欧姆调零、测量读数｛注意挡位(倍率)｝、拨off挡。 (4)注意:测量电阻时，要与原电路断开,选择量程使指针在中央附近,每次换挡要重新短接欧姆调零。 11.伏安法测电阻 电流表内接法： 电压表示数：U＝UR+UA 电流表外接法： 电流表示数：I＝IR+IV初三物理公式总结归纳
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