模拟电子技术复习题(含答案)

模 拟 电 子 技 术 复 习 题

一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“√”，否则填入“×”。）

第二章

（× ）1. 运算电路中一般引入正反馈。

（ √ ）2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 第三章

（× ）1. 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （× ）2. 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。 （× ）3. 稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。

（√ ）4. N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。 （× ）5. 二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。

（√ ）6. PN 结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。 （ × ）7. 未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。 第四章

（√ ）1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。 （√ ）2. 直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响。 （× ）3. 晶体管的参数不随温度变化。

（√ ）4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。

（ × ）5. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。

（√ ）6. 放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。 （ × ）7. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

（× ）8. 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。 （× ）9. 射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。

（× ）10. 只要将晶体管的静态工作点设置在BJT 特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。 （× ）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。

（ √ ）12. 射极输出器的输入电流是B i ，输出电流是E i ，因此具有较高的电流放大倍数。 第五章

（ × ）1. 场效应管都可分为增强型和耗尽型两种。 （ √ ）2. MOSFET 的输入电阻比BJT 高。 第六章

（√ ）1. 运放的共模抑制比C

V D

V CMR A A K =

。 （× ）2. 通用型集成运放的输入级采用差分放大电路，这是因为它的电压放大倍数大。

（× ）

3.

某差动放大电路的差模电压放大倍数Avd=1000，共模电压放大倍数Avc=10，则其共模抑制比

K CMR =100dB 。

（ √ ）4. 在集成电路中各级电路间采用直接耦合方式。

（√ ）5. 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

第七章

（√ ）1. 负反馈放大电路可能产生自激振荡。

（× ）2.电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。 （ × ）3. 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。

（× ）4. 某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈，这些反馈能够稳定输出电流。 （ × ）5. 要稳定放大电路静态工作点，可以引入交流负反馈。 第八章

（√ ）1. 功率放大电路的转换效率V

O

P P =

η。 （ × ）2. 在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的管耗功率就越大。 （√ ）3. 通常采用图解法分析功率放大电路。

（√ ）4. 功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。 第九章

（√ ）1. 负反馈放大电路在一定条件下可能转化为正反馈。

（ √ ）2. 欲使振荡电路能自行建立振荡，起振时应满足1AF >的条件。

（√ ）3. RC 正弦波振荡电路产生的信号频率可通过改变RC 串并联网络中电阻R 和电容C 的值来调节。 （× ）4. 正弦波振荡电路中只能引入正反馈，不允许出现负反馈。

（√ ）

5.

在采用正反馈方框图的条件下，如果正弦波振荡电路反馈网络的相移为?f ，放大电路的相移为?a ，那

么只有φa +φf =2nπ，才满足相位平衡条件。

（ √ ）6. 从结构上来看，正弦波振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。 第十章

（ √ ）1. 整流电路可将正弦电压变为单方向的脉动电压。

（√ ）2. 直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。

二、填空题

第二章

1. 为使运放电路稳定地工作在线性区，应在电路中引入深度

负 反馈。

2. 工作在线性区的理想运放器，两个输入端的输入电流均约等于零称为虚 断 。

第三章

1. 稳压管稳压时是让其工作在

反向击穿 状态。

2. 某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为-10V ，-6V ，-6.2V ，则这只三极管是 PNP 型锗管 。 （写出三极管的类型NPN 型还是PNP 型，是硅管还是锗管。）

3. 齐纳二极管是一种特殊二极管，常利用它在 反向击穿 状态下的恒压特性来构成简单的稳压电路。 第四章

4. 晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数I CBO 将变 大 （大；小）。

5.放大电路的静态分析，要依据 直流 通路图；放大电路的动态分析，要在 交流 通路图的基础上画出 小信号等效电路 图。

6. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级有载电压放大倍数的 积 ，总的输入电阻等于 第一级放大电路的输入电阻 。

7. 单管共集电极放大电路如下图所示，当R b 太小时，将产生 饱和 失真，其输出电压的___顶部___波形会被削掉。

8. 单管共射放大电路中，若输入电压为正弦波，在中频通带内o u 和i u 的相位相 反 （同；反）。 9. 放大电路静态工作点不稳定的原因主要是由于受 温度 的影响。

10. 晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数β将变 大 （大；小）。 11. 放大电路静态工作点设置过高输出波形易产生 饱和 失真。

12. 晶体管是温度的敏感元件，如果温度升高三极管的输出特性曲线将向__上__（上；下）移动。 13. 放大电路静态工作点设置过低输出波形易产生 截止 失真。

14. 下图为某放大电路v A

的对数幅频特性图，则该电路的上限截止频率为 810H Z ，下限截止频率为210H Z 。

20lg /v A ?

15. 用示波器观察NPN 管共射单管放大器的输出电压波形如下图所示，判断该波形属于 截止 失真。 16. 下图是放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它的类型为NPN 型。

题15图 题16图

第五章

1. 下图所示的是某管子的转移特性曲线，则它是 N 沟道耗尽型MOSFET 管。

2．

NMOS 增强型场效应管在放大区的电流控制关系是2D n GS T ()i K v V =-。

第六章 电流源电路的特点是直流电阻小，动态输出电阻 大 。

第七章

1. 为减小放大电路的输出电阻，应引入 并联 负反馈。

2. 为了稳定静态工作点，应引入 直流 负反馈。

3. 在反馈电路中，若∣1+AF ∣>1，则为___

负___反馈；若∣1+AF ∣<1时,则为__正____反馈。 4. 下图所示电路的反馈极性是 正反馈

。

5. 为了稳定放大电路的输出电压，应引入 电压 负反馈；为了增大放大电路的输入电阻，应引入 串联 负反馈。 第八章

1. 双电源互补对称电路工作在乙类时，每只BJT 的最大允许管耗CM P 必须大于 0.2 om P 。

2. 下图功放电路中V CC ＝12V ，R L =6Ω，则最大输出功率P OM ＝ 12 W ，最高转换效率为 78.5% 。

第九章

1. 希望获取频率为100H Z —500H Z 的有用信号，应选用 带通 滤波电路。

2. 正弦波振荡电路主要有RC 和LC 型振荡电路两大类, RC 型振荡电路一般用来产生 低 频信号，LC 型振荡电路一般用来产生 高 频信号。

3. 在RC 桥式正弦波振荡电路中，若RC 串并联选频网络中的电阻均为R ，电容均为C ，则其振荡频率o f =

1

2RC

π 。 4. 正弦波振荡器主要由放大电路、反馈网络、 选频 网络和稳压电路四部分组成。 第十章

在电子系统中，经常需要将交流电网电压转换为稳定的直流电压，为此要用整流、 滤波 和稳压等环节来实现。

三、单项选择题（每题2分,共20分） 第一章

1. 要使电压放大器具有较强的带负载能力，应减小放大器的哪个参数（C ）。

A. V A

B. i R

C. o R

D. L R 第三章

1．N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。

A. 电子

B. 空穴

C. 三价元素

D. 五价元素 2. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ A ）。

A. 增大

B. 不变

C. 减小

D. 不能确定 3. 晶体二极管具有（A ）特性。

A. 单向导电

B. 集电极电压饱和

C. 双向导电

D. 集电极电流截止 4．PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。

A. 变窄

B. 基本不变

C. 变宽

D. 无法确定

5．

二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是（C ）。

A. I S e U

B. S e T

U nU I C. S (e

1)T U

n U

I － D. S (e 1)T U nU I +

6

. 二极管两端加上正向电压后有一段"死区电压"。锗管为（ A ）V 伏。

A. 0.1

B.0.3

C.0.4

D.0.7

7. 稳压管稳压是利用它的

特性，所以必须给稳压管外加 电压。（ C ）

A.单向导电，反向

B.反向击穿，正向

C.反向击穿，反向

D.单向导电，正向 8. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ A ）。

A.大

B.小

C.相等

D.无法确定 第四章

1. 在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，在中频通带范围内o V 和i V 的相位（ B ）。

A.同相

B.反相

C.相差90度

D.不确定 2. 晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。

A. 前者反偏、后者也反偏

B. 前者正偏、后者反偏

C. 前者正偏、后者也正偏

D. 前者反偏、后者正偏

3. 一个三极管放大电路，B i =60μA ，C i = 2mA,β值为50，这个三极管工作在（ D ）状态。

A.放大

B. 击穿

C.截止

D. 饱和

4. 电路如图1所示，二极管为理想二极管，对二极管工作状态的判断及输出电压大小的确定均正确的是（ B ）。

A. 二极管D 截止 V 0o1=U

B. 二极管D 导通 V 2o1=U

C. 二极管D 导通 V 0o1=U

D. 二极管D 截止 V 2o1=U

图1 图2

5. 已知某MOS 场效应管的转移特性如图2所示，试判断该场效应管的类型为（ B ）。

A. N 沟道增强型MOS 场效应管

B. N 沟道耗尽型MOS 场效应管

C. P 沟道增强型MOS 场效应管

D. P 沟道耗尽型MOS 场效应管

6.

当信号频率等于放大电路的L f 或H f 时，放大倍数的值约下降到中频时的（ B ）。

A. 0.5倍

B. 0.7倍

C. 0.9倍

D. 1倍

7. 两级放大电路的带负载电压放大倍数分别是V1A =－10，V2A =－20，则此放大电路总的电压放大倍数应是（ C ）。

A. V A = －30

B. V A = －10

C. V A = 200

D. V A = -200

8. BJT 三极管具有光敏性和热敏性的原因是由于（ B ）。

A. 只有一种载流子参与导电

B. 两种载流子参与导电且少子是由本证激发产生的

C. 电子、空穴两种载流子都参与导电

D. 两种载流子参与导电且多子是由本证激发产生的 9. 要使放大器具有较好的频率特性，应选用哪种放大组态（ D ）。

A. 共射极

B. 共源极

C. 共集电极

D. 共基极 10. 对于共集放大电路的特点，其错误的结论是（ B ）。

A. 电压放大倍数小于1且近似等于1

B. 电流放大倍数小于1且近似等于1

C. 输出电阻小，且与信号源内阻有关

D. 输入电阻大，且与负载有关

11. BJT 三极管放大电路的三种组态中，因其输出电阻小而被用于多级放大电路输出级的是（ B ）。 A. 共射极 B. 共集电极 C. 共基极 D. 共源极

12．

放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ B ）。

A. 耦合电容和旁路电容的存在

B. 半导体管极间电容和分布电容的存在

C. 半导体管的非线性特性

D. 放大电路的静态工作点不合适

14．考虑了带负载增益分别为V120lg 30dB A =，V220lg 30dB A =，V320lg 20dB A =的三级放大电路，则总的电压增益为（ B ）dB 。

A. 1800 dB

B. 80 dB

C. 600 dB

D. 60 dB

15

．多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是（ A ）。

A. 输入级

B. 中间级

C. 输出级

D. 增益最高的一级 16．某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为5V ，1.3V, 1V,则这只三极管是（ B ）。

A. NPN 型的硅管

B. NPN 型的锗管

C. PNP 型的硅管

D. PNP 型的锗管 17.下面各电路器件符号，哪个表示的是晶体三极管？（ C ）。

A . B. C. D.

18.

工作在放大区的三极管，当B i 从20μA 增大至40μA 时，C i 从1mA 变为2mA ，其β值约为（ B ）。

A . 100 B. 50 C.500 D.1000

19.一个放大器输入端输入有效值为50mV 的正弦交流电，从输出端测量其有效值电压为1V ，则其电压放大倍数为（ D ）。

A . 1000 B.100 C.200 D. 20 20. 一个三极管若放弃集电极不用，那么基极和发射极之间可当作（

B ）器件使用。

A.晶体三极管

B.晶体二极管

C.固定电阻

D.大容量电容

21. 共集电极放大电路的放大倍数

，而电流放大倍数 。（ C ）

A.≤1,很小

B.≥1,很大

C. ≤1, 很大

D. ≥1,很小

22

. 工作在放大区的三极管，已知值β=100,20μA B i =，E i 约为（ B ）mA 。

A.1

B.2

C.3

D.4

23. 一个单管放大器电源电压6V ，发射结正向偏置后，若Vc 约为0.6V ，Ve 为0.4V,若Vb 为1.1V,则该放大器的

三极管可能处于（ B ）状态。

A.放大

B.饱和

C.截止

D.击穿

24

. BJT 放大电路中既能放大电压，也能放大电流的是（ A ）组态放大电路。

A. 共射

B. 共集

C. 共基

D. 不确定

第五章

1. 下述管子中输入电阻最高的管子为（ A ）。

A. MOS 场效应管

B. BJT 三极管

C. 结型场效应管

D. 二级管 2. 已知某MOS 场效应管的转移特性如图3所示，试判断该场效应管的类型为（ A ）。

A. N 沟道增强型MOS 场效应管

B. N 沟道耗尽型MOS 场效应管

C. P 沟道增强型MOS 场效应管

D. P 沟道耗尽型MOS 场效应管

3. 场效应管是一种（ D ）的器件。 A. 电流控制的电流源 B. 电流控制的电压源 C. 电压控制的电压源 D. 电压控制的电流源

4. 结型场效应管利用删源极间所加的（ A ）来改变导电沟道的电阻。

A. 反偏电压

B. 反向电流

C. 正偏电压

D. 正向电流 5. 题13图示电路中，T 1V V =，GSQ 2V V =，2n 0.2mA V K =，则漏极电流DQ I =（ A ）。

A. 0.2mA

B. 0.4mA

C. 0.6mA

D. 0.1mA 6. 设题14图示电路中漏源之间动态电阻ds r =∞，则图示电路中电压增益v A =（ A ）。

A. m d g R -

B. m d g R

C. m d m d

1g R g R + D. m d m d 1g R

g R -+

7. 题15图示转移特性曲线，则它是（ A ）管。

A. N 沟道耗尽型MOSFET

B. P 沟道耗尽型MOSFET

C. N 沟道耗尽型JFET

D. N 沟道增强型JFET

DD

DD

题13 图 题14 图

题15 图

第六章

1. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ A ）。

A. 减小温漂

B. 增大放大倍数

C. 提高输入电阻

D. 减小放大倍数 2. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ D ）。

A. 可抑制温度漂移

B. 可使输入电阻减小

C. 可获得很大的放大倍数

D. 集成工艺难于制造大容量电容 3. 集成运放的中间级采用复合管放大电路是因为可以（ B ）。

A. 减小温漂

B. 提高放大倍数

C. 展宽通频带

D. 提高带载能力

4.

复合管的电流放大倍数约等于两个管子各自电流放大倍数的（ C ）。

A. 和

B. 差

C. 积

D. 商

5. 某一差动放大电路的输入i1i210m ,5mV v V v ==-，则该差放的共模信号c v 和差模信号d v 分别为（ B ）。

A. 2.5mV ，7.5mV

B. 2.5mV ，15mV

C. -7.5mV ，-2.5mV

D. -15mV ，5mV 6.运放的共模电压增益越小，表明运放的（D ）。

A.放大倍数越稳定

B.交流放大倍数越大

C..输入电阻越大 D 抑制共模信号的能力越强 7. 通用型集成运放的输入级多采用（ D ）。

A. 共基接法

B. 共集接法

C. 共射接法

D. 差分接法 8. 差分放大电路中，当i1V =300mV ，i2V =280mV ，VD A =100，VC A =1时，输出电压为（ D ）。

A. 580mV

B. 1.71V

C. 2V

D. 2.29V 第七章

1. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ D ）。

A. 输入信号中的干扰和噪声

B. 输入信号和放大电路中的干扰和噪声

C. 反馈环外引入的干扰和噪声

D. 产生于反馈环内的干扰和噪声

2.

在输入电量不变的情况下，若引入反馈后（ C ），则说明引入的反馈是正反馈。

A. 输入电阻增大

B. 输出量减小

C. 净输入电量增大

D. 净输入电量减小 3. 提高输入电阻，又可稳定输出电流的反馈组态是（ D ）。

A. 电压并联负反馈

B. 电压串联负反馈

C. 电流并联负反馈

D. 电流串联负反馈 4. 放大器引入直流负反馈可以（ D ）。

A. 稳定输出电流

B. 稳定输出电压

C. 稳定电压放大倍数

D. 稳定直流工作点 5. 对题9图示电路中交直流反馈的判断正确的是（ B ）。

A. 电压串联负反馈

B. 电压并联负反馈

C. 电流串联负反馈

D. 电流并联负反馈

6.

在稳定范围内放大电路引入的负反馈越强，则其（ D ）。

A. 放大倍数越大

B. 输入电阻越大

C. 输出电阻越小

D. 放大倍数的稳定性越强。 7. 欲得到一个压控电流源电路，应该引入的反馈类型为（ D ）。

A. 电压并联负反馈

B. 电压串联负反馈

C. 电流并联负反馈

D. 电流串联负反馈 8．既提高输入电阻，又可稳定输出电压的反馈组态是（ B ）。

A. 电压并联负反馈

B. 电压串联负反馈

C. 电流串联负反馈

D. 电流并联负反馈 9．放大电路如图1所示，要使静态工作点 Q 上移, 应使（ C ）。

A. L R 增大

B. C R 增大

C. b R 减小

D. 2C 增大

图1 图2

10．判断图2电路中交流反馈的组态（ B ）。

A. 电压并联负反馈

B. 电压串联负反馈

C. 电流串联负反馈

D. 电流并联负反馈 11.希望接上负载L R 后，o V 基本不变，应引入（ A ）负反馈。

A.电压

B.电流

C.串联

D.并联

12. 放大器引入电流串联负反馈可以（ A ）。

A. 稳定输出电流

B. 降低输入电阻

C. 降低输出电阻

D. 稳定电压放大倍数 13. 负反馈放大电路产生自激振的条件是（ C ）。

A. 1AF ??

= B. 0AF ??

= C. 1AF ??=- D. AF ??

=∞

14. 某负反馈放大电路的开环增益 A ?

=100000,当反馈系数F =0.0004时,其闭环增益 f A 为（ A ）。

A. 2500

B. 2000

C. 1000

D. 1500

15.

在反馈放大电路中，如果反馈信号和输出电压成正比，称为（ C ）反馈。

A. 电流

B. 串联

C. 电压

D. 并联

第八章

1. 在OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中每个功放管的集电极最大功耗约为（ C ）。

A. 1 0W

B. 20 W

C. 0.2 W

D. 0.4 W

2. 若图1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为CES U ，则最大输出功率om P 为（ C ）。

A. L

2CES CC 2)

(R U V - B. L 2CES CC )21(R U V - C. L 2CES CC 2)21(R U V - D.

L 2CES CC )(R U V -

图1 图2

3. 电路图2中D 1和D 2管的作用是消除（ B ）。

A. 饱和失真

B. 交越失真

C. 截止失真

D. 线性失真 4.理想情况下，乙类双电源互补对称功放电路的最大输出功率为（ A ）。

A.L CC R V 22

B.L CC R V 42

C.L CC R V 2

D.L

CC R V 82

5. 为了消除交越失真，应当使功率放大电路工作在（ B ）状态。

A. 甲类

B. 甲乙类

C. 乙类

D.丙类 第九章

1．一个实际的正弦波振荡电路的组成为（ D ）。

A. 放大电路和反馈网络

B. 放大电路和选频网络

C. 放大电路、反馈网络和稳频网络

D. 放大电路、反馈网络、选频网络和稳幅环节 2. 有用信号频率高于500Hz ，可选用（ B ）滤波电路。

A.低通

B.高通

C.带通

D.带阻。 3. 一个单管共射放大电路如果通过电阻引入负反馈，则（ C ）。

A. 一定会产生高频自激振荡

B. 有可能产生高频自激振荡

C. 一定不会产生高频自激振荡

D. 无法判定 第十章

10. 直流稳压电源中滤波电路的目的是（ D ）。

A. 将直流变为交流

B. 将高频变为低频

C. 将低频变为高频

D. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉 9. 串联反馈型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（ B ）。

A. 基准电压

B. 基准电压与采样电压之差

C. 采样电压

D. 基准电压与采样电压之和

12. 单相桥式整流电路中，设V 2为变压器副边的有效值，则二极管所承受的最大反向截止电压为（ B ）。

A. 2V

B.

2 C. 22V D. 22V

四、作图题

1．电路如下图所示，稳压管为硅管，设其正向导通后其上压降7.0V ，且稳定电压8Ζ=U V 。设t U ωsin 15=I V ，试画出输出电压o U 的波形，并标出幅值。

2．电路如下图所示，已知t u ωsin 5I =（V ），二极管为理想二极管，试画出o u 的波形并标出其幅值。

3．电路如下图所示，已知i 5sin u t ω=（V ），二极管导通电压7.0D =u V ，试画出o u 的波形，并标出幅值。

4．电路如下图所示，稳压管的稳定电压3=Z u V ，R 的取值合适，I u 的波形如右图所示。试画出o u 的波形。

5．某放大电路v A ?

的对数幅频特性图如下图所示，则该电路的上限截止频率为 810H Z ，下限截止频率为

210H Z 。通带增益为 80 dB 。

6

．已知某N 沟道耗尽型MOS 场效应管的转移特性和输出特性如下图所示，由图可知夹断电压GS V = -5 V ；

饱和漏极电流DSS I = 2 mA 。

7

．某放大电路的直流负载线如图所示，已知 BQ 20μA I =，（1）在图中标出Q 点位置；（2）由Q 点读

出CQ I = 1 mA ；

CEQ V = 3 V 。

C m i

五、计算题 第二章

1. 电路如下图所示，试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。

由运放的“虚断”特性有：P i v v =

在运放的同向输入端由虚短”特性有：f R R i i =

o n

i f

v v v R R -= 再由“虚短”特性有：n p i v v v ==

f

o i 1R

v v R ??

=+ ??

?

2. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试求：（1）集成运放A 1、A 2、A 3是否为线性应用？A 1、A 2、A 3分别组成何种运算电路？（2）分别列出A V 、B V 、o1V 、o2V 的电压方程；（3）求电路输出电压与输入电压的运算关系。

、 (1) 是线性运用；A 1、A 2为电压跟随器，A 3构成求差电路

(2) o1A i i 1

2

R v v v v R R ==

=+， o2B i i 1

(1)2R v v v v R R δδ

==

=+++

(3) 22o 201i 11()2(2)

o R R v v v v R R δδ-=

-=+

3. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。（10分）

在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性n 0i ≈，有21R R i i = 即

i n n M 12

v v u v R R --= （1）

在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚短特性有：n p 0v v == （2） 在M 点，有 342i i i =+

，即

M o

M M 243

00v v v v R R

R

-

--+= （3） 联立（1）（2）（3）式有()

23234o i i 1

/104R R R R R v v v R ++=-

=-

4. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试求电路的输出电压与输入电压的运算关系 。

在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性n 0i ≈，有f R R i i =1

即

n o

i1n 1f

v v v v R R --= （1） 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性p 0i ≈，有

i2P P

1f

v v v R R -=（2） 再利用理想运放的虚短特性有：n p v v = （3） 联立（1）（2）（3）式得 f

O i2i1i2i11

()8 ()R v v v v v R =

-=- 5. 电路如下图所示，假设运放是理想的，电容的初始电压()c 00v =。（1）集成运放1A 、2A 是否为线性应用？1A 、2A 分别组成什么运算电路？（2）求电路输出电压与输入电压的运算关系。

（1）集成运放1A 、2A 是线性应用，运放1A 组成差分式运算电路，2A 组成积分电路； （2）3f f O1i2i12311

(

)(1)R R R

v v v R R R R =+-?+ 集成运放2A 组成积分电路：o1i3O 41 d v v v t C R R ??

=-+ ???

?

()1f 3i3f O i2i1123141 d R R R v R v v v t C RR R R RR R ??+??

=-

-+ ? ? ?+????

? 6. 电路如下图所示，假设运放是理想的，试求：（1）集成运放A 是否为线性应用？（2）求电路输出电压与输入电压的运算关系。

（1）集成运放A 是线性应用。

（2）在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性n 0i ≈，有

f R R R i i i =+21

即

n o

i1n i2n 12f

v v v v v v R R R ---+= （1） 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性p 0i ≈，有p i 3v v =

再利用理想运放的虚短特性有：n p i3v v v == （2） 将（2）式代入（1）式得

f f f

O i1i2i3i3i3i1i2i31212

225f R R R R v v v v v v v v v R R R R =-?-?+?++=--+

7. 电路如下图所示，其中KΩ==4021R R ，KΩ=80f R ，KΩ==2043R R ，假设运放是理想的，试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。

在集成运放1的反相输入端，利用理想运放的虚断特性n10i ≈，有12f R R R i i i += 即

n 1o

i 1n 1i 2n 112f

v v v v v v R R R ---+= （1） 在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性P10i ≈，

有4

P1i334

R v v R R =

+ （2）

再利用理想运放的虚短特性有：n1p1v v = （3） 联立（1）（2）（3）式得 i1i2f 4

O1f i3121234

(

)(1)v v R R v R v R R R R R R =-+++??+∥ 集成运放2组成积分电路：O O11

d v v t RC

=-? []i 1i 2f 4

O O 1f i 312123

4

11 d ()(1)v v R R v v t R v dt RC RC R R R R R R =-

=--+++??+??∥

8. 试求下图所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。

在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性p 0i ≈有：

P i3

i1P 23

v v v v R R --= （1） 在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性n 0i ≈，有

n o

i1n 1f

v v v v R R --= （2） 再利用理想运放的虚短特性有：p n v v = （3） 联立（1）（2）（3）式得 f f f O i1i2i3i1i2i3123

1010R R R

v v v v v v v R R R =-

?+?+?=-++ 9. 电路如下图所示，假设运放是理想的，电容的初始储能为零。试求电路的输出电压与输入电压的运算关系 。

由运放的虚短特性有：n p 0v v ==

在运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性N 0i ≈，有1i

C 1

R v I I R ==

o i i 11

d 1000d v v t v t R C

=-

=-??

10. 电路如下图所示，（1）试求u -的表达式; （2）试求o u 与I1u 、I2u 、I3u 的运算关系。

在运放4A 的反相输入端，利用理想运放的虚断特性n40i ≈，有3n4o o 341

31

R v v v R R =

=+

A 1、A 2、A 3的输出电压分别为v I1、v I2、v I3。 在集成运放4A 的同相输入端，利用理想运放的虚断特性

P40i ≈有：

I3P4I1P4I2P4P4

1112

v v v v v v v R R R R ---++= （1） 由运放的虚短特性有：n4p4o 1

31

v v v == （2） 联立（1）（2）式得： 4

O I 1I 2I 3I 1I 2I 31

()10 ()R v v v v v v v R =

++=++ 第三章

1.

已知下图所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。（1）

分别计算U I 为10V 、15V 两种情况下输出电压o U 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？

（1）当V I ＝10V 时，若V o ＝V Z ＝6V ，则稳压管的电流为()106V 4mA

1K -=Ω

，

小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故 L

O I L

3.33V R V V R R =

?≈+ 当V I ＝15V 时，若V o ＝V Z ＝6V ，则流过限流电阻的电流为

()156V 9mA

1K -=Ω

，流过电阻L R 的电流为

6V

12mA 500=Ω

稳压管中的电流Z 9mA-12mA=-3mA I = ，所以稳压管未被反向击穿，没工作在稳压状态。……1分 所以L

O I L

=5V R V V R R =

?+ （2）Z D I Z ()29mA I V V R =-=＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。

2

. 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求下图所示电路中

电阻R 的取值范围。

稳压管的最大稳定电流

I ZM ＝P ZM /V Z ＝25mA

电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin

所以其取值范围为 I Z

Z

0.36 1.8k V V R I -==Ω～

3. 下图所示为恒流源电路，已知稳压管工作在稳压状态，试求（1）N u =?；（2）负载电阻L R 中的电流。

在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性P 0i ≈有： P Z 6V v V == 由运放的虚短特性有：N P Z 6V v v V ===

在运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性N 0i ≈，有

2N L 26V

0.6mA 10k R v I I R ==

==Ω

第四章

1

.

电路计算题1图示，已知：V 12=CC V ，b15R =KΩ，b225R =KΩ，c L 5R R ==KΩ，

e 1R =KΩ,

f 300R =Ω晶体管的100β=，100r =Ω'

bb

。（1）求BQ V 、EQ I 、BQ I 、CEQ V ；（2）画出小信号等效模型；（3）

求V A 、i R 和o R 。（4）若电容e C 开路，则v A 、i R 如何变化。 (1)静态分析：

b1

BQ CC b1b2

2V R V V R R ≈

?=+ BQ BEQ EQ f e

1mA V V I R R -=

≈+

EQ BQ 10 μA 1I I β

=

≈+

CEQ EQ c f e () 5.7V CC V V I R R R ≈-++=

(2)小信号等效电路为：

(3)动态分析：

be bb'EQ

26mV

(1)

2.73k r r I β=++≈Ω c L be f

()

7.7(1)v R R A r R ββ=-

≈-++∥

i b1b2be f [(1)] 3.7k R R R r R β=++≈Ω∥∥ o c 5k R R ==Ω

(4) R i 增大；v A 减小

2.

已知晶体管的β＝80，r be =1kΩ。（1）求出Q 点；（2）求L R ＝3k Ω时电

路的V A 和i R ；（3）求出o R 。

（1）求解Q 点：

CC BEQ BQ b e

EQ BQ CEQ CC EQ e 32.3μA

(1)(1) 2.61mA

7.17V

V V I R R I I V V I R ββ-=

≈++=+≈=-≈

（2）求解输入电阻和电压放大倍数： R L ＝3k Ω时

i b b e e L [(1)()]

76k

R R r R R β=++≈Ω∥∥ e L be e L (1)()

0.992(1)()

v R R A r R R ββ+=

≈++∥∥ ……3分

（3）求解输出电阻：Ω≈++=371be

b s e o β

r R R R R ∥∥

3. 放大电路如下图所示，已知：V 10CC =V ，KΩ=15b1R ，KΩ=20b2R ，KΩ=2c R ，KΩ=2e R ,KΩ=2L R

电流放大系数100=β。电路中电容容量足够大，要求：（1）求静态值B I ，C I ，CE U ；（2）画出放大电路的小信号等效电路；（3）求电压放大倍数V A ，输入电阻i R ，输出电阻o R 。

（1）静态分析 b1

BQ CC b1b2

4.3V R V V R R =

≈+

B Q B E Q

C Q E Q

e

1.8m

A V V I I

R -≈== (

)C

E Q

C C C Q

c e 2.8V

V V I R R =-+= CQ

BQ 18μA I I

β

=

=

（2）放大电路的小信号等效电路如下：

（3）动态分析：

be bb'EQ

26mV (1) 1.66k r r I β=++≈Ω

()

c L be

//60v R R A r β=-

≈-

i b1b2be 1.39R R R r =≈∥∥

Ω==k 2c o R R

4. 放大电路如下图所示，设80β=，BE 0.6V V =，CEO I ，CES V 可忽略不计，试分析当开关S 分别接通A 、B 、C 三位置时。BJT 各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流C I 。

（1）S 与A 相连时：()B 3

120.6V 0.0003A 4010I -=

≈?

而CC CS

C

BS 0.038mA V I R I ββ

=

=

≈

故此时BJT 工作在饱和区

CC

C C

3mA V I R ≈

= S 与B 相连时：()B

3

120.6V 0.000023A=0.023mA 50010I -=≈?

有B BS I I <，故此时BJT 工作在放大区，C B 1.84mA I I β==。

S 与C 相连时, BJT 工作在截止区，C 0I =。

5. 放大电路如图所示，已知：V 18=CC V ，KΩ=16b1R ，KΩ=56b2R ，KΩ=6c R ，KΩ=3.3e R ,

KΩ=6L R ，电流放大系数100=β，V 7.0BE =U ,V 7.0CES =U 。电路中电容容量足够大，要求：

（1）求静态值B I ，C I ，CE U ；（2）用图解法求静态工作点Q ；并画出交流负载线；（3）信号增大过程中，输出首先出现何种失真？怎样消除？（4）画出放大电路的小信号等效电路；（5）求电压放大倍数 V A ，输入电阻i R ，输出电阻o R 。

《数字电路》期末模拟试题及答案

. 一、填空题 1. PN 结具有单向导电性。正向偏置时，多子以扩散运动为主，形成正向电流；反向 偏置时，少子漂移运动，形成反向饱电流。 2. 双极型晶体三极管输出特性曲线的三个工作区是放大区、截止区、饱和区。 3. 已知三态与非门输出表达式C AB F ?=，则该三态门当控制信号C 为高电平时， 输出为高阻态。 4. 十进制数211转换成二进制数是(11010011)2；十六进制数是(D3)16。 5. 将若干片中规模集成电路计数器串联后，总的计数容量为每片计数容量的乘积。 6. 若用触发器组成某十一进制加法计数器，需要四个触发器，有五个无效状态。 7. 同步RS 触发器的特性方程为n 1n Q R S Q +=+；约束方程为RS=0 。 8. 下图所示电路中，Y 1 ＝B A Y 1= 2Y 3 ＝AB Y 3= 二、选择题 1. 下列函数中，是最小项表达式形式的是＿＿＿＿c ＿＿＿＿＿。 A. Y=A+BC B. Y=ABC+ACD C. C B A C B A Y +?= D. BC A C B A Y +?= 2. 要实现n 1n Q Q =+,JK 触发器的J 、K 取值应为＿＿d ＿＿＿。 A ． J=0，K=0 B. J=0，K=1 C. J=1，K=0 D. J=1，K=1 3．数值[375]10与下列哪个数相等＿b ＿＿。 A ． [111011101]2 B. [567]8 C. [11101110]BCD D. [1F5]16 4．属于组合逻辑电路的是＿＿＿＿＿b ＿＿＿＿＿＿ A ． 触发器 B. 全加器 C. 移位寄存器 D. 计数器 5．M 进制计数器状态转换的特点是：设定初态后，每来＿c ＿＿个计数脉冲CP ，计数器重 新 B 2 B V CC Y 1

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

《模拟电子技术》模拟试题一 一、填空题：（每空1分共40分） 1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向） 导电性。 2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温 度）有关，而与外加电压（无关）。 3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其 反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开； 4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。 5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集） 放大电路。 8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳 定交流输出电流采用（串联）负反馈。 9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路 的放大倍数AF=（1/ F ）。 10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（）， （）称为反馈深度。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号， 而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。 12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互 补功率放大器。 13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路； OTL电路是（）电源互补功率放大电路。 14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻 （）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。 15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（） 电路中。 16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信 号是运载信息的工具，称为（）。

模拟电子技术习题

一、选择题：（共10题，每题1分。合计10分） 第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。 A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变 3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。 A. 不变 B. 左移 C. 右移 6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。 A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 第二章： 1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。 A. 共射电路 B. 共集接法 C. 共基接法 2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。 A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共源电路 3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。 A. 共射 B.共集 C. 共基 4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。 A. 1 B. 86 C. 90 5. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。 A. DS u > GS u -)(th GS U B. DS u GS u -)(th GS U B. DS u

模拟电子技术复习题

1、根据实际的输入信号和所需的输出信号时电压或电流，放大电路可 分为四种类型，即： 电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大。 2、当温度升高时，三极管的参数变化趋势为：电流放大系数β升高 ，I B不变时，发射结正向电压V BE 降低。 3、串联负反馈只有在信号源内阻小时，其反馈效果才显著，并 联负反馈只有在信号源内阻大时，其反馈效果才显著。 4、FET是电压控制电流器件，只依靠一种载流子导电，属于 单极型器件。 5、 二阶低通滤波电路，当Q = 和ω/ωc = 时，20lg|A(jω)/A o| = ?3dB。 6、根据实际的输入信号和所需的输出信号时电压或电流，放大电 路可分为四种类型，即： 电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大。 7、当温度升高时，BJT共射级连接时的输入特性曲线向左移 动，输出特性曲线向上移动。 8、引入串联负反馈可以提高输入电阻，而引入电流 负反馈则可以提高输出电阻。 9、BJT是电流控制电流器件，有两种载流子参与导电， 属于双极型器件。 欲使振荡电流能自行建立振荡，必须满足的条件。RC振荡电路 一般用来产生范围内信号。 1、半导体二极管按所用材料不同可分为 管和 管。 2、要使三极管处于放大状态，发射结必须 ，集电结必须 。 放大电路存在两种状态即未输入信号时的 态和输入信号时的 态。放大电路的电压放大倍数在高频区下降的主要原因是三极管的 电容和 电容的影响。三极管具有电流放大作用的实质是 电流实现 对 电流的控制。 3、能使输出电阻降低的是 负反馈，能使输入电阻提高的是 负反馈。 4、差分放大器能有效地抑制 信号，放大 信号。 5、负反馈有四种基本组态： 、 、 、和 。

数字电子技术模拟试题4

泰山学院课程考试专用 《数字电子技术》模拟试题 4 （试卷共8页，答题时间120分钟） 一、填空题（每空 1分，共 20 分。） 1、(33)10=( )16=( )2 2、若各门电路的输入均为A 和B ，且A=0，B=1；则与非门的输出为_________,或非门的输出为___ ___,同或门的输出为__ __。 3、一个数字信号只有 种取值，分别表示为 和 。 4、一个三态门如图1.4， 当E ′=__________时,Y=)('AB 。 5、某EPROM 有8位数据线、13位地址线，则其存储容量为 位。 6、若要构成七进制计数器，最少用 个触发器，它有 个无效状态。 7、多谐振荡器是一种波形 电路，它没有稳态，只有两个 。 8、A/D 转换的一般步骤包括 、 、 和 。 9、欲将触发器置为“1”态，应使D R '= , D S '= 。 二、选择题（每题 2分，共 20 分。请将答案填在下面的表格内）1、在不影响逻辑功能的情况下,CMOS 与非门的多余输入端可_______。 A.接高电平 B.接低电平 C.悬空 D.通过大电阻接地 2、下图中,满足Q ＊ =1 的触发器是_____________。

3、由四个触发器构成十进制计数器,其无效状态有__________。 A.四个 B.五个 C.六个 D.十个 4、以下电路中,欲获得一个数字系统的时钟脉冲源,应采用____________。 A ．D 触发器 B.多谐振荡器 C.单稳态触发器 D.施密特触发器 5、逻辑代数中有3种基本运算： 、 和 。 A. 或非，与或，与或非 B. 与非，或非，与或非 C. 与非，或，与或 D. 与，或，非 6、用555定时器构成的施密特触发器的回差电压可表示为 。 A. cc V 3 1 https://www.doczj.com/doc/ac7385783.html, V 3 2 C. V cc D. cc V 4 3 7、在下列门电路中，输出端不可以并联使用的是 。 A. 三态门 B.集电极开路门（OC 门） C.具有推挽输出结构的TTL 门电路 D.CMOS 传输门 8、某A/D 转换器有8路模拟信号输入，若8路正弦输入信号的频率分别为1KHz ,…,8KHz ，则该A/D 转换器的采样频率f s 的取值应为 。 A. f s ≤1KHz B. f s =8KHz C. f s ≥16KHz D. f s ≥2KHz 9、四位环形计数器的有效状态有 个。 A. 2 B. 4 C. 6 D. 8 10、下列电路中不属于时序逻辑电路的是 。 A.计数器 B. 全加器 C.寄存器 D.分频器 1、Y 1=A )('BC +AB C ' 2、Y 2（A ，B ，C ，D ）=∑m （1,3,5,7,8,9）+∑d(11,12,13,15)四、1、电路如图4.1(a)所示,各电路的CP 、A 、B 、C 波形如图（b ）所示。

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空（共20空，每空 1 分，共 20 分，所有答案均填写在答题纸上） 1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在 区时，关系式b I Ic β=才成立。 3、场效应管可分为结型场效应管和 型场效应管两种类型。 4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共 基本放大电路既能放大电流又能放大电压。 5、在绘制放大电路的交流通路时， 视为短路， 视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。 6、多级放大电路级间的耦合方式有 、 、变压器耦合和光电耦合等。 7、场效应管是利用 极和 极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的直流通路用于研究 。 9、理想运放的两个输入端虚短是指 。 10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。若输出电压置零后反馈仍然存在则为 。 11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为 。 12、通用集成运放电路由输入级、中间级、 和 四部分组成。 13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的 和 的相位关系。 14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的 区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的 相类比。 二、单项选择题（共10题，每题 2 分，共 20分；将正确选项的标号填在答题纸上） 1、稳压二极管的反向电流小于min z I 时，稳压二极管 。 A ：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大 C ：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小 2、如果在PNP 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为 。 A ：饱和状态 B ：截止状态 C ：放大状态 D ：不能确定 3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。关于这两只三极管，正确的说法是 。

模拟电子技术题库

一、填空题 1、P 型半导体又称为_____型半导体，它由本征半导体掺入_____价元素形成，其 多数载流子是__________，少数载流子是__________。当PN 结外加正向电压时，扩 散电流 漂移电流，耗尽层 。 2、三种基本组态的放大电路中，输入和输出相位相反的是____________，输入和 输出相位相同的是____________。 3、场效应管与双极晶体管比较，____________为电压控制器件，____________为电 流控制器件，____________的输入电阻高。 4、在分析含有负反馈的集成运放电路时，常用的两个基本且重要的概念是： 和 。 5、放大电路中静态工作点的设置非常重要，如果Q 点设置过低，将会引起 失真，其输出电压的波形 半周被部分削平。 6、直流稳压电源由 、 、 及 组成。 7、并联稳压电路中，稳压二极管需要串入 才能正常进行工作。 二、选择题 1、杂质半导体的少数载流子浓度取决于（ ） A 、掺杂浓度 B 、工艺 C 、温度 D 、晶体缺陷 2、测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的各级电位为 V V V V V V C B A 2.6,6,9-=-=-= 则可以判断出 （ ） A ． A 是基极， B 是发射极， C 是集电极，是NPN 管

B．A是集电极，B是基极，C是发射极，是PNP管 C．A是集电极，B是发射极，C是基极，是PNP管 D．A是发射极，B是集电极，C是基极，是NPN管 3、P沟道增强型场效应管处于放大状态时要求（） A、UGS＞0，UDS＞0 B、UGS＜0，UDS＜0 C、UGS＞0，UDS＜0 D、UGS＜0，UDS＞0 4、某仪表的放大电路，要求Ri很大，输出电流稳定，则应采用（）形式来达到性能要求。 A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电流并联负反馈 D、电压串联负反馈 5、在长尾式差分放大电路中，电阻Re的作用是：（） A、提高Ri B、提高Avd C、提高K CMR D、提高Avc 6、差分放大电路的输出由双端输出改为由单端输出时，其K CMR将会（）。 A、增大 B、减小 C、不变 D、不能确定 7、乙类功率放大电路可以达到的最大效率是多少？（） A、100% B、78.5% C、50% D、20% 8、某单管共射基本放大电路，因晶体管损坏，采用β值为原来2倍的晶体管替换；问该放大电路的电压增益如何变化？（） A、增大为原来的2倍 B、降低为原来的一半

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性C反向击穿特性 2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A空穴B三价元素硼C五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P沟道增强型MOS型 B P沟道耗尽型MOS型 C N沟道增强型MOS型 D N沟道耗尽型MOS型 E N沟道结型 F P沟道结型

+ + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（ ） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止 三、判断题 （ ）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。 （ ）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。 （ ）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。 （ ）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。 （ ）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。 （ ）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。 （ ）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。 （ ）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。 （ ）9、电压负反馈可以稳定输出电压。 （ ）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。 四、分析题 电路如图所示：

数字电子技术模拟试题及答案

《数字电子技术》模拟试题 20分）一、填空题（每题2分，共 1511、十六进制数97 。，对应的十进制数为 0 时，输出为2”描述的是与运算的规则。、“至少有一个输入为 0 变量逻辑函数有16个最小项。、 4 3 运算。非和 4、基本逻辑运算有: 与、或 加器。半 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 电平。高 6、TTL器件输入脚悬空相当于输入 线、地址线和控制线。数据 7、RAM的三组信号线包括：位。最高8、 采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 15分）二、单项选择题（每个3分，共的国标逻辑符号中是异或门。B 1、图1 图1 C 。2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 B)(B?(A?C)F? B A )B?C)(?(A?BFF?(A?B)(B?C)F?(A?B)(B?C) D C 3、下面逻辑式中，不正确的是_ A___。 ABC?A?B?C B. A. A??ABA D. C. AA??B)A(BAAB?4、时序逻辑电路中必须 有___B___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码器 5、有S1，S2两个状态，条件 B 可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同次态不同D. 次态相同C. 输出不同 B. 10分）三、简答题（共A??B左边＝（A?）（A?B）（?1A?A?B）?解：分） 1、（证明：

4B?BA?A?A12、某逻辑函数的真值表如表所示，画出卡诺图。（6分）某逻辑函数的真值表 1 表 F B A C 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 X 1 1 0 X 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 X 1 1 1 分）四、分析题（20 Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝CP↑；CP0＝CP↑。 2）列出其驱动方程：（4分） Q1；K0＝＝1 ；J0。Q0J1＝；K1＝1?Q?Q1或XX3）列出其输出方程：（1分）Z＝XQ1Q0 n?1n?1?QQ1Q0Q?Q1?Q0?XQ1或Q1?Q0?XQ1Q04）求次态方程：4（分）；10分）9）作状态表及状态图（5．

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一 一、填空题 1、在N 型半导体中，多数载流子是 ；在P 型半导体中，多数载流子是 。 2、场效应管从结构上分为结型和 两大类，它属于 控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入 （共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的 电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由 ， ， 和 四部分组成。 二、选择题 1、利用二极管的（ ）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（ ）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型 D N 沟道耗尽型MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。 ++ + - ---D1 D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1 Uo2Uo4 + +1A1 A2 A4 图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5++ + + + --- --D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V 50K 2.5K B=50Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1Uo2 Uo4++1A1 A2A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5

模拟电子技术基础期末考试试题(B)

模拟电子技术基础期末考试试题（B ） 姓名 班级 学号 计分 1．电路如图P1.4所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝0.7V 。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。 （5分） 2. 设图中A 为理想运放，请求出各电路的输出电压值。(12分) U 01 = U 02 = U 03 = U 04 = U 05 = U 06 = 3. 电路如图所示，设满足深度负反馈条件。 1．试判断级间反馈的极性和组态； 2．试求其闭环电压放大倍数A uf 。 （10分） (1) (2) 10 k Ω (3) 20 k Ω 2(5) 2 o5 (6) 2 20 k Ω

4. 试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型(如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等)，并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L=0，C 1，C 2=F 。(8分) 5. 在图示电路中，设A 1、A 2、A 3均为理想运算放大器，其最大输出电压幅值为±12V 。 1． 试说明A 1、A 2、A 3各组成什么电路？ 2． A 1、A 2、A 3分别工作在线形区还是非线形区？ 3． 若输入为1V 的直流电压，则各输出端u O1、u O2、u O3的电压为多大？（10分） V CC V CC (a ) C b (b )

r=100Ω。 6．电路如图所示，晶体管的 ＝100，' bb A 、R i和R o； （1）求电路的Q点、 u （2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？（15分） r=100Ω，U B E Q≈0.7。试计算R W滑动端7．图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，' bb 在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I EQ，以及动态参数A d和R i。（15分）

模拟电子技术练习题(专升本)

《模拟电子技术》练习题 一、填空题 1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。 2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝0.7V ，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。 （a ） （b ） 图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = -5.2 V ，则与 该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。 7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。 9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 I O

11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。 图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，2.5V ，3.2V ，则这三个极分别为（ ）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（ ）。 A ．360 k Ω B ．300 kΩ C ．300 Ω D ．400 kΩ 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的 值约为（ ）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（ ）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用 C ．既有电流放大作用，也有电压放大作用 6．某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（ ）。 图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B

数字电子技术模拟试题及答案

数字电子技术模拟试题及 答案 Prepared on 24 November 2020

《数字电子技术》模拟试题 一、填空题（每题2分，共20分） 1、十六进制数97，对应的十进制数为 （1） 。 2、“至少有一个输入为0时，输出为 （2） ”描述的是与运算的规则。 3、 （3） 变量逻辑函数有16个最小项。 4、基本逻辑运算有: （4） 、 （5） 和 （6） 运算。 5、两二进制数相加时，不考虑低位的进位信号是 （7） 加器。 6、TTL 器件输入脚悬空相当于输入 （8） 电平。 7、RAM 的三组信号线包括： （9） 线、地址线和控制线。 8、采用四位比较器对两个四位数比较时，先比较 （10） 位。 二、单项选择题（每个3分，共15分） 1、图1的国标逻辑符号中 （11） 是异或门。 图1 2、下列逻辑函数表达式中可能存在竞争冒险的是 （12） 。 A ))((C B B A F ++= B ))((C B B A F ++= C ))((C B B A F ++= D ))((C B B A F ++= 3、下面逻辑式中，不正确的是_ （13）____。 A.C B A ABC ??= B. A AB A += C. ()A A B A += D. AB BA = 4、时序逻辑电路中必须有___（14）___。 A. 输入逻辑变量 B. 时钟信号 C. 计数器 D. 编码 器

5、有S1，S2两个状态，条件（15）可以确定S1和S2不等价。 A. 输出相同 B. 输出不同 C. 次态相同 D. 次态不同 三、简答题（共10分） 1、证明：B A+ = +（4分） A A B 2、某逻辑函数的真值表如表1所示，画出卡诺图。（6分） 表1 某逻辑函数的真值表 A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 X 1 0 0 X 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 1 X 四、分析题（20分） Z 图2 分析图2所示电路的逻辑功能。 1）列出其时钟方程：（2分） CP1＝；CP0＝。 2）列出其驱动方程：（4分） J1＝；K1＝；J0＝；K0＝。 3）列出其输出方程：（1分） Z＝

《模拟电子技术》模拟试题一及答案

14 15 16 模拟电子技术》模拟试题一 、 填空题：（每空 1、PN 结正偏时（ 2、 漂移电流是（ 3、 所谓理想二极管， 等效成断开； 1 分 共 40 分） ），反偏时（ ）电流，它由（ 就是当其正偏时， ），所以 PN 结具有（ ）载流子形成，其大小与（ 结电阻为 ），等效成一条直线； ）导电性。 ）有关，而与外加电压（ 当其反偏时， 结电阻为 （ ）。 ）， 4、 三极管是（ ） 5、 三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ 6、 当温度升高时，晶体三极管集电极电流 Ic 7、 三极管放大电路共有三种组态分别是（ 8、 为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用 反馈。 控制元件，场效应管是（ 9、负反馈放大电路和放大倍数 AF= （ 10 、带有负反馈放大电路的频带宽度 BWF=（ ）、 控制元件。 ），集电结（ ），发射结压降（ ）、（ ） ） 。 ）。 放大电路。 ）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（ ）， 对于深度负反馈放大电路的放大倍数 ）BW 其中 BW=（ ）,（ AF= （ ）称为反馈深度。 ）。 11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（ 极性相反的两个信号，称为（ ）信号。 ）信号，而加上大小相等、 12、 为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（ 13、 OCL 电路是（ ）电源互补功率放大电路； 、共集电极放大电路具有电压放大倍数（ 用在输入级，输出级或缓冲级。 差分放大电路能够抑制（ ）漂移，也称（ 用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（ 称为（ ）失真，而采用 OTL 电路是（ ），输入电阻（ ）， ）。 17、 模拟乘法器输出与输入的关系式是 U0=( 选择题（每空 2 分 共 30 分） ）类互补功率放大器。 电源互补功率放大电路。 输出电阻（ ）等特点，所以常 ）漂移，所以它广泛应用于（ ）电路中。 ），未被调制的高频信号是运载信息的工具， ）， 电路符号是（ ）。 、稳压二极管是一个可逆击穿二极管， 值Uz 才有导通电流，否则处于（ A 、正偏 B 、反偏 C 、大于 D 、小于 E 、导通 、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是 该管是（ ）型。 稳压时工作在 ）状态。 ）状态，但其两端电压必须（ ）它的稳压 F 、截止 2V 、6V 、 2.7V ，则三个电极分别是（ ）， A 、（ B 、 C 、E ） B 、（ C 、B 、E ） C 、（E 、 、对功率放大器的要求主要是（ ）、（ ）、（ A 、U 0高 B 、P o 大 C 、功率大 D 、R 大 、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ A 、饱和失真 B 、截止失真 C 、交越失真 D 、增大 E 、减小 B ) D 、(NPN ) C 、 ）。 E 、波形不失真 ），此时应该（ E 、（PNP ） ）偏置电阻。 5、 差分放大电路是为了（ ）而设置的。 A 、稳定Au B 、放大信号 C 、抑制零点漂移 6、 共集电极放大电路的负反馈组态是（ ）。 A 、压串负 B 、流串负 C 、压并负 7、 差分放大电路 RE 上的直流电流IEQ 近似等于单管集电极电流 ICQ （）倍 C 、 3 A 、 1 B 、 2

模拟电子技术基础试题汇总附有答案.

模拟电子技术基础试题汇总 1.选择题 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D ) A. 处于放大区域 B. 处于饱和区域 C. 处于截止区域 D. 已损坏 3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管 处于( B ) A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.区域不定 4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。 ( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性 5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工 作点过高，容易产生

( B )失真。 ( A)截止失真( B)饱和v失真( C)双向失真( D)线性失真 6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。 A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。 B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。 C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。 D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。 7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可 能的原因是 。 A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高 C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻 R b变高。

8. 直流负反馈是指( C ) A. 存在于RC耦合电路中的负反馈 B. 放大直流信号时才有的负反馈 C. 直流通路中的负反馈 D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈 9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B ) A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声 C. 反馈环外的干扰和噪声 D. 输出信号中的干扰和噪声 10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A ) A. －2.5V B. －5V C. －6.5V D. －7.5V 11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输 入电压△υid为( B ) A. 10mV B. 20mV C. 70mV D. 140mV 12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信 号源与低阻负载间接入 ( C )。 A. 共射电路 B. 共基电路

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模拟电子技术复习题 (含答案)

模拟电子技术复习题 一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“√”，否则填入“×”。） 第二章 （×）1. 运算电路中一般引入正反馈。 （√）2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 第三章 （×）1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （×）2. 因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。 （×）3. 稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。 （√）4. N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 （×）5.二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。 （√）6. PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。 （×）7. 未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。 第四章 （√）1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。 （√）2. 直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。 （×）3. 晶体管的参数不随温度变化。 （√）4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。 （×）5. 多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。 （√）6. 放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。（×）7. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。 （×）8. 放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。 （×）9. 射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。 （×）10.只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。 （×）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。 （√）12. 射极输出器的输入电流是B i，输出电流是E i，因此具有较高的电流放大倍数。 第五章 （×）1. 场效应管都可分为增强型和耗尽型两种。

模拟电子技术复习试题及答案解析

一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是； 型半导体——多数载流子是。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。 2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近 区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。 3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。 4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。场效应管分为型和型两大类。 5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。 6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。 7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。 8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。 9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出 保持稳定，因而了输出电阻。串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。 10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。 11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识 1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。 图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。 1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。 图P1.2 解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.2 1.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。 图P1.3 解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为 Ω =-=k 8.136.0Z Z I ～I U U R 1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。 （1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 图P1.4 解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 V 33.3I L L O ≈?+=U R R R U 当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 L O I L 5V R U U R R =?≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。 （2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波